JPH034103A - 半導体製造用ステージの位置検出装置 - Google Patents
半導体製造用ステージの位置検出装置Info
- Publication number
- JPH034103A JPH034103A JP1137537A JP13753789A JPH034103A JP H034103 A JPH034103 A JP H034103A JP 1137537 A JP1137537 A JP 1137537A JP 13753789 A JP13753789 A JP 13753789A JP H034103 A JPH034103 A JP H034103A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- mirror
- position detection
- light
- laser light
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Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体製造装置に係り、特にホトリソ工程に
用いられる縮小投影露光装置のステージの位置検出装置
に関するものである。
用いられる縮小投影露光装置のステージの位置検出装置
に関するものである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば以下に示
すようなものがあった。
すようなものがあった。
第２図は従来の半導体製造用ステージの位置検出装置の
構成図であり、特にホトリソ工程に用いられる縮小投影
露光装置のステージ位置検出のための光学系を示してい
る。
構成図であり、特にホトリソ工程に用いられる縮小投影
露光装置のステージ位置検出のための光学系を示してい
る。
この図において、レーザ光源２から出たレーザ光は、ハ
ーフミラ−３によって２つの光路に分けられる。即ち、
ステージ位置検出光はステージｌへ進み、ステージｌに
取り付けられた可動ミラー４によって反射される。一方
、参照先は固定された参照光ミラー５により反射される
。このようにして反射された２つのレーザ光はハーフミ
ラ−３によって重ね合わされ、検出器６に入射する。こ
の時、入射するレーザ光は異なる光路のレーザ光を重ね
合わせているため、干渉を生じている。そこで検出器６
は、ステージｌの移動に伴うステージ位置検出光の光路
長の変化を干渉のフリンジ数としてカウントするように
なっている。
ーフミラ−３によって２つの光路に分けられる。即ち、
ステージ位置検出光はステージｌへ進み、ステージｌに
取り付けられた可動ミラー４によって反射される。一方
、参照先は固定された参照光ミラー５により反射される
。このようにして反射された２つのレーザ光はハーフミ
ラ−３によって重ね合わされ、検出器６に入射する。こ
の時、入射するレーザ光は異なる光路のレーザ光を重ね
合わせているため、干渉を生じている。そこで検出器６
は、ステージｌの移動に伴うステージ位置検出光の光路
長の変化を干渉のフリンジ数としてカウントするように
なっている。
（発明が解決しようとする！！Ｂ）
しかしながら、以上述べた方法では、ステージの移動量
ｌに対して得られるフリンジ数Ｎは、ステージ位置検出
光の光路長の変化量が２Ｉｌであるため、次式のように
示される。
ｌに対して得られるフリンジ数Ｎは、ステージ位置検出
光の光路長の変化量が２Ｉｌであるため、次式のように
示される。
Ｎ＝２１／λ ・・・（１）ここで、λは
レーザ光の波長である。
レーザ光の波長である。
従って、前記（１）式より、１つのフリンジ数Ｎに対す
るステージの移動量ｌはλ／２となりステージ位置検出
精度はλ／２となる０例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザ（６３
３ｎ■）を用いた場合の精度は０．３２μｍとなる。
るステージの移動量ｌはλ／２となりステージ位置検出
精度はλ／２となる０例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザ（６３
３ｎ■）を用いた場合の精度は０．３２μｍとなる。
従来の縮小投影露光装置では、ソフトウェアの工夫等に
より、ステージ位置検出精度は０．０２μｍ程度である
が、満足できるレベルではなくなってきている。
より、ステージ位置検出精度は０．０２μｍ程度である
が、満足できるレベルではなくなってきている。
本発明は、縮小投影露光装置のステージ位置検出のソフ
トウェア及びレーザ光源をそのまま用いて、ステージ位
置検出の光学系を改良し、ステージ位置検出精度を向上
させることができる半導体製造用ステージの位置検出装
置を提供することを目的とする。
トウェア及びレーザ光源をそのまま用いて、ステージ位
置検出の光学系を改良し、ステージ位置検出精度を向上
させることができる半導体製造用ステージの位置検出装
置を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するために、縮小投影露光装
置等のステージ位置検出の光学系において、ステージ位
置検出光路を平行に屈折させるコーナミラー（１２）を
ステージ（１１）に取り付け、更に、コーナミラー（１
２）からの反射光を受け、かつ、反射するための固定ミ
ラー（１３）とを設けるようにしたものである。
置等のステージ位置検出の光学系において、ステージ位
置検出光路を平行に屈折させるコーナミラー（１２）を
ステージ（１１）に取り付け、更に、コーナミラー（１
２）からの反射光を受け、かつ、反射するための固定ミ
ラー（１３）とを設けるようにしたものである。
（作用）
本発明によれば、上記のように構成したので、ステージ
（１１）の位置検出光路をステージ（１１）に取り付け
たコーナミラー（１２）で平行に屈折させ、固定ミラー
（１３）で反射させることにより、光路長の変化量を４
Ｉｌとすることができる。よって、ステージ（Ｉｔ）の
移動量ｌに対して得られるフリンジ数Ｎは、Ｎ−４１／
λで求められる。ここで、λはレーザ光の波長となり、
１つのフリンジ数Ｎに対するステージ（１１）の移動量
ｉはλ／４となり、ステージ（１１）の位置検出精度は
λ／４となる。
（１１）の位置検出光路をステージ（１１）に取り付け
たコーナミラー（１２）で平行に屈折させ、固定ミラー
（１３）で反射させることにより、光路長の変化量を４
Ｉｌとすることができる。よって、ステージ（Ｉｔ）の
移動量ｌに対して得られるフリンジ数Ｎは、Ｎ−４１／
λで求められる。ここで、λはレーザ光の波長となり、
１つのフリンジ数Ｎに対するステージ（１１）の移動量
ｉはλ／４となり、ステージ（１１）の位置検出精度は
λ／４となる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す半導体製造用ステージの
位置検出装置の構成図である。
位置検出装置の構成図である。
この図において、レーザ光源２から出たレーザ光は、ハ
ーフミラ−３によって２つの光路に分けられる。
ーフミラ−３によって２つの光路に分けられる。
即ち、・ステージ位置検出光はステージ１１へ進み、ス
テージ！ｌに取り付けられたコーナミラー１２で屈折さ
れて固定ミラー１３へ進み、その固定ミラー１３によっ
て反射され、コーナミラー１２を経てハーフミラ−３へ
戻る。
テージ！ｌに取り付けられたコーナミラー１２で屈折さ
れて固定ミラー１３へ進み、その固定ミラー１３によっ
て反射され、コーナミラー１２を経てハーフミラ−３へ
戻る。
一方、参照先は固定された参照光ミラー５により反射さ
れ、ハーフミラ−３へ戻る。
れ、ハーフミラ−３へ戻る。
そこで、反射されてハーフミラ−３に戻った２つのレー
ザ光は重ね合わされ、検出器６に入射する。ここで、検
出器６はステージ１１の移動に伴うステージ位置検出光
の光路長の変化をフリンジ数としてカウントする。
ザ光は重ね合わされ、検出器６に入射する。ここで、検
出器６はステージ１１の移動に伴うステージ位置検出光
の光路長の変化をフリンジ数としてカウントする。
上記のように、ステージ位置検出光路をステージ１１に
取り付けたコーナミラー１２で平行に屈折（折り曲げ）
させ、固定ミラ１３−で反射させることにより、光路長
の変化量は４ｉＡとなる。これにより、ステージ１１の
移動量２に対して得られるフリンジ数Ｎは、次式によっ
て求められる。
取り付けたコーナミラー１２で平行に屈折（折り曲げ）
させ、固定ミラ１３−で反射させることにより、光路長
の変化量は４ｉＡとなる。これにより、ステージ１１の
移動量２に対して得られるフリンジ数Ｎは、次式によっ
て求められる。
Ｎ＝４７！／λ ・・・（２）ここで、λはレ
ーザ光の波長である。
ーザ光の波長である。
従って、前記（２）式より、１つのフリンジＮに対する
ステージの移動量ｌはλ／４となり、ステージ位置検出
精度はλ／４となる。
ステージの移動量ｌはλ／４となり、ステージ位置検出
精度はλ／４となる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それら
を本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それら
を本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、従来の
縮小投影露光装置などのステージ位置検出ソフトウェア
及びレーザ光源を用いたままで、ステージ位置検出精度
を従来の２倍に向上させることができる。
縮小投影露光装置などのステージ位置検出ソフトウェア
及びレーザ光源を用いたままで、ステージ位置検出精度
を従来の２倍に向上させることができる。
第１図は本発明の実施例を示す半導体製造用ステージの
位置検出装置の構成図、第２図は従来の半導体製造用ス
テージの位置検出装置の構成図である。 ２・・・レーザ光源、３・・・ハーフミラ−１５・・・
参照光ミラー、６・・・検出器、１１・・・ステージ、
１２・・・コーナミラー、１３・・・固定ミラー
位置検出装置の構成図、第２図は従来の半導体製造用ス
テージの位置検出装置の構成図である。 ２・・・レーザ光源、３・・・ハーフミラ−１５・・・
参照光ミラー、６・・・検出器、１１・・・ステージ、
１２・・・コーナミラー、１３・・・固定ミラー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光学系によって構成される半導体製造用ステージの位置
検出装置において、 （ａ）前記ステージに取り付けられる該ステージの位置
検出光路を平行に屈折させるコーナミラーと、（ｂ）該
コーナミラーからの光を受け、かつ、反射するための固
定ミラーとを具備することを特徴とする半導体製造用ス
テージの位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1137537A JPH034103A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体製造用ステージの位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1137537A JPH034103A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体製造用ステージの位置検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034103A true JPH034103A (ja) | 1991-01-10 |
Family
ID=15201005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1137537A Pending JPH034103A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体製造用ステージの位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH034103A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786131A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-31 | Nikon Corp | 露光装置 |
| EP1932896A1 (en) | 2006-12-11 | 2008-06-18 | MERCK PATENT GmbH | Stilbene derivatives, liquid-crystal mixtures and electro-optical displays |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP1137537A patent/JPH034103A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786131A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-31 | Nikon Corp | 露光装置 |
| EP1932896A1 (en) | 2006-12-11 | 2008-06-18 | MERCK PATENT GmbH | Stilbene derivatives, liquid-crystal mixtures and electro-optical displays |
| US7732022B2 (en) | 2006-12-11 | 2010-06-08 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Stilbene derivatives, liquid-crystal mixtures and electro-optical displays |
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