TWI424096B - Method for forming anodic oxide film - Google Patents

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Koji Wada
Takayuki Tsubota
Jun Hisamoto
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Description

陽極氧化皮膜之形成方法
本發明是關於一種於鋁或鋁合金等的鋁系基材的表面形成陽極氧化皮膜的方法者，尤其是關於一種與習知相比較可簡便且生產性優異地形成厚膜的陽極氧化皮膜的方法者。
於以鋁或鋁合金作為基材(鋁系基材)的構件表面，形成陽極氧化皮膜，而在其基材賦與耐電漿性或耐氣體腐蝕性等的陽極氧化處理，是以往就廣泛地被採用。
例如，使用於半導體製造設備的電漿處理裝置的真空腔，或設於其真空腔內部的電極等的各種構件，是通常使用鋁合金所形成。然而，若直接以無污垢使用其鋁合金，則無法維持耐電漿性或耐氣體腐蝕性等之故，因而在藉由鋁合金所形成的構件表面施以陽極氧化處理來形成陽極氧化皮膜，俾賦與耐電漿性或耐氣體腐蝕性等加以對應。
陽極氧化皮膜是因應於其用途而被形成各式各樣的膜厚，惟欲實施陽極氧化處理大都使用著直流電源。以定電流進行陽極氧化處理時，則隨著增加膜厚會使電壓上昇而成為高電壓就會熔解鋁系基材之故，因而無法得到厚膜的正常陽極氧化處理鋁系材料。膜厚與電壓的關係及熔解鋁系基材的電壓是藉由處理條件有所不同，惟通常以100μm左右的膜厚作為界限。
於是，為了不會熔解鋁系基材，以不熔解鋁系基材的電壓範圍的定電壓的處理較有效，例如以定電流處理開始處理，當達到不足熔解鋁系基材的電壓的「上限電壓」，則有切換成其「上限電壓」的定電壓處理的方法。然而，若以此種方法切換成定電壓處理，則電流密度大幅降低，而膜厚是比例於積算電量(電流密度×處理時間)之故，亦即，成膜速度(膜厚/時間)是比例於電流密度之故，因而處理成為長久時間，會產生生產性變差的其他的缺點問題。
由這些事項，作為抑制外觀不良或形成高速厚膜之方法，揭示著在電解液浴中利用多數電解液噴射口，將電解液接觸於被處理物以形成陽極氧化皮膜的方法(例如專利文獻1～3)。然而，在此些技術中，成為需要噴射用設備等，而成為依設備投資所致的成本增高。
可是，在形成有陽極氧化皮膜的構件，如上述半導體製造裝置設備地，因應於其用途有被要求高硬度的情形。然而，在至今被提案的技術中，有無法對應為實情。
將陽極氧化皮膜作為高硬度化的方法，在例如專利文獻4，提案一種使用添加乙醇的硫酸系電解液來形成高硬質的陽極氧化皮膜之方法。然而，該方法是具有依陽極氧化處理的電解液中的乙醇濃度變化的管理上成為繁雜的缺點問題。
又，在專利文獻5，提案一種在施加有陽極氧化加工於鋁系合金基材的表面處理構件之表面，又形成氧化物溶射皮膜的方法，揭示著所得到的皮膜具有高硬度。然而，在該方法中，用以形成氧化物溶射皮膜的處理極複雜，且需要昂貴的設備，而且具有無法適用複雜形狀部位的缺點問題。
一方面，在如半導體製造設備的用途，由抑制氣體與陽極氧化皮膜之化學反應的觀點，於陽極氧化皮膜施加水和處理(通稱：封孔處理)，惟眾知在進行水和處理時，則陽極氧化皮膜的硬度反而降低的情形(例如，專利文獻6)。
專利文獻1：日本國特開平11-236696號公報
專利文獻2：日本國特開2006-336050號公報
專利文獻3：日本國特開2008-291302號公報
專利文獻4：日本國特開2006-336081號公報
專利文獻5：日本國特開2004-332081號公報
專利文獻6：日本國特開平7-216588號公報
本發明是如此狀況下所創作者，其目的是在於提供一種以使用直流電源作為前提，不必使用特殊的設備，在短時間內就可生產性優異地形成厚膜的陽極氧化皮膜，而視需要也可得到皮膜的高硬度化的陽極氧化皮膜之形成方法。
本發明是包括以下的形態。
[1]　一種陽極氧化皮膜之形成方法，是於鋁及鋁合金所選擇的鋁系基材，通一定電流A0 進行陽極氧化的皮膜之形成方法，其特徵為：
包括重複在形成皮膜中到達所定電壓V1時一旦休止通電，休電時間T1以上之期間，繼續該休電之後，再開始通電的複數次第1休電處理的工程，
上述所定電壓V1滿足下述式(1a)，
上述休電時間T1滿足下述式(1b)，
V1＜Vmin 　…(1a)
T1im ≦T1　…(1b)
(式中，Vmin 是表示在未進行休電處理而以一定電流A0 進行陽極氧化處理時使得上述鋁系基材開始熔解的電壓的最低值，T1im 是表示再開始通電時的電壓成為不足V1所必需的休電時間的最低值)。
[2]　第[1]項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，
上述所定電壓V1滿足下述式(2a)，
上述休電時間T1滿足下述式(2b)，
0.5×Vmin ＜V1＜Vmin 　…(2a)
Tmin ≦T1≦1.2×Tmin 　…(2b)
(式中，Vmin 是與上述相同。Tmin 是表示為了達成陽極氧化皮膜的目標厚度D1所必需要的休電時間的最低值)。
[3]　第[2]項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，目標厚度D1為100μm以上，而上述Vmin 為100～150V。
[4]　第[3]項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，作為上述鋁系基材使用6000系鋁合金，而作為陽極氧化處理液使用硫酸來達成上述Vmin =100～150V。
[5]　第[1]項至第[4]項中任一項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，實施休電時間比上述T1還要久的第2休電處理。
[6]　第[5]項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，第2休電處理的休電時間T2為上述T1的1.5倍以上，5倍以下。
[7]　第[5]項或第[6]項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，滿足下述式(3)的第n次的第1休電處理後，進行上述第2休電處理，
0.5≦Tmin(n-1) /Tint(1) ≦0.9　…(3)
(式中，Tint(1) 是表示自第1次休電處理結束一直到第2次的第1休電處理開始為止的時間，Tmin(n-1) 是表示自第n-1次的第1休電處理結束一直到第n次的第1休電處理開始為止的時間)。
[8]　第[5]項至第[7]項中任一項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，實施複數次上述第2休電處理。
[9]　第[1]項至第[8]項中任一項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，將上述V1作為60～115V。
[10]　第[1]項至第[9]項中任一項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，包括形成陽極氧化皮膜之後，在80～100℃的純水中，以滿足處理時間(分)≧-1.5×處理溫度(℃)+270的條件下實施浸漬陽極氧化皮膜的水和處理的工程。
[11]　第[10]項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，包括經水和處理之後，以滿足處理溫度=120～450℃處理時間(分)≧-0.1×處理溫度(℃)+71的條件下實施加熱陽極氧化皮膜的熱處理的工程。
[12]　第[1]項至第[11]項中任一項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，形成陽極氧化皮膜之前，在純水中水和處理鋁系基材。
又，上述電壓V1是在未進行休電處理而以一定電流A0 進行陽極氧化處理時設定成比上述鋁系基材開始熔解的電壓的最低值(Vmin )還要低的電壓就可以，而上述Vmin 是藉由鋁系基材有所不同，惟通常，如上述第[9]項所述地，電壓V1是60～115V較適用。
又，藉由施以上述第[10]項所述的處理，成為可得到陽極氧化皮膜的高硬度化者。
又，藉由實施上述第[11]項所述的處理，成為可得到陽極氧化皮膜的更高硬度化者。
又，藉由施以上述第[12]項所述的處理，成為可得到陽極氧化皮膜的更高硬度化者。
依照本發明方法，於鋁及鋁合金所選擇的鋁系基材，通一定電流形成陽極氧化皮膜之際，藉由採用重複在形成皮膜中到達所定電壓時一旦休止通電，休電時間T1以上之期間，繼續該休電之後，再開始通電的複數次第1休電處理的構成，即使未使用特殊的設備，也在短時間內就可生產性優異地形成厚膜的陽極氧化皮膜，如此地在基材上形成陽極氧化皮膜的構件，是作為被使用於半導體製造設備的電漿處理裝置的真空腔等的原材料上有用。
在以定流進行陽極氧化處理時，為了使得成膜速度比例於電流，成膜速度是大，惟增加膜厚，而且電壓會上昇，成為在高電壓下會熔解鋁系基材，成為外觀不良的原因。一方面，在定壓進行處理時，藉由以鋁系基材熔解之電壓不足來進行，鋁系基材是未熔解，惟隨著增加膜厚電流降低而處理時間變久。
本發明人等，由所謂迴避以定流進行時所產生的上述不方便的觀點上，並從各式各樣的角度加以檢討。其結果，於鋁及鋁合金所選擇的鋁系基材，通一定電流A0 形成陽極氧化的皮膜之際，採用重複在形成皮膜中到達所定電壓V1時一旦休止通電(以下，稱為「休電」)，休電時間T1以上之期間，繼續該休電之後，再開始通電的複數次第1休電處理的構成，作成上述所定電壓V1滿足下述式(1a)，而且上述休電時間T1滿足下述式(1b)，發現上述目的出色地被達成，而完成本發明。
V1＜Vmin 　…(1a)
T1im ≦T1　…(1b)
(式中，Vmin 是表示在未進行休電處理而以一定電流A0 進行陽極氧化處理時使得上述鋁系基材開始熔解的電壓的最低值。T1im 是表示再開始通電時的電壓成為不足V1所必需的休電時間的最低值)。
一面參照圖式一面更詳細地說明本發明方法。第1圖是表示實施本發明的方法時的電壓及電流的經時變化的說明圖。在本發明方法中，重複電壓到達所定電壓V1(也有稱為「上限電壓」的情形)時一旦休電，休電時間T1以上之期間，繼續該休電之後，再開始通電的複數次第1休電時間者。在此，重複複數次是指陽極氧化皮膜的膜厚至少到達至所期望的膜厚為止重複的情形。如下所述地，該休電次數是藉由休電時間或作為目的膜厚有所變更之故，因而無法籠統地說，例如可作成50次～200次左右。
一旦休電之後再開始通電時(開始電解時)的電壓，是成為比休電前的上限電壓還要低之故，因而斷續地可繼續所設定的電流密度的處理，且將上限電壓設定成不足熔解鋁系基材的電壓[上述式(1a)的關係]，成為可抑止鋁系基材的熔解者。又，休電時間T1是採取再開始通電時的電壓成為不足V1所必需要的休電時間的最低值T1im 以上[上述式(1b)的關係]，藉由重複此種處理(第1休電處理)，成為在短時間生產性優異地可形成厚膜的陽極氧化皮膜者。
藉由本發明方法，針對於可得到如上述的效果的理由，雖不能完全解釋清楚，惟大概可如下地考量。陽極氧化處理時的電壓是以障壁層形成電壓及起因於毛孔內的液阻力的電壓所構成。又，隨著增加膜厚的電壓上昇，是起因於毛孔內的液組成的電壓會上昇所致者。又，在毛孔內，在毛孔底的處理液中發生(OH- →O2 - +H+ 反應)，而在鋁系基材發生(Al→Al3 + +3e- 的反應)，鏈合著Al3 + 與O2 - ，成為Al2 O3 被形成。
因此，隨著Al2 O3 被形成OH- 被消耗，而隨著增加膜厚，OH- 無法從整體溶液所供應之故，因而毛孔內的OH- 濃度會降低，而電壓會上昇。藉由進行如上述的休電處理。使得毛孔內的液體(陽極氧化處理液)被更新，而成為可抑制電壓上昇者。
在本發明方法中，有關於陽極氧化處理的條件(電解條件)的參數，是「休電時間T1」，與「上限電壓(電壓V1)」，而「休電與休電之間的電解時間」，是再開始電解後，「電壓達到上限電壓V1為止的時間」，藉由「休電時間T1」與「上限電壓」等予以變化者。首先，針對於「休電時間T1」加以說明。
陽極氧化皮膜的膜厚是由陽極氧化處理時的電流密度與電解時間之乘積，亦即累積電量所決定。因此，欲得所需之膜厚，所花費的時間不受「休電時間T1」或「休電次數」所影響，為一固定之值。也就是說包含休電時間T1在內，總處理時間的式子可表示為[總處理時間=總電解時間+總休電時間(休電時間T1×休電次數)]。休電時間愈短，或休電次數愈少，總處理時間也會跟著縮短。
但是，休電時間T1愈短，則再開始休電後的電壓降低會愈小，而休電與休電之期間的電解時間變短之故，因而休電次數反而變多。相反地，休電時間T1愈久則休電次數變少。亦即，不能減小休電時間與休電次數的雙方。在此種狀況下，針對於休電時間T1或休電次數給予總休電時間的影響加以檢討，判明為了縮短總休電時間，則縮短休電時間T1的一方較有效。
一方面，縮短休電時間T1，則再開始休電後的電壓是不會降低(亦即，仍成為上限電壓)，不能繼續處理之故，因而成為必需設定適當的休電時間T1。又，增加膜厚之同時，休電與休電之間的電解時間會變短之故，因而一直到得到所期望的膜厚為止，休電與休電之期間的電解時間不會成為零的方式，必須設定適當的休電時間T1。
由這種事項，上述休電時間T1是必須作成再開始通電時的電壓成為不足V1所需要的休電時間的最低值T1im 以上[上述式(1b)]。
在本發明方法中，實施電壓V1滿足上述式(2a)，而休電時間T1滿足上述式(2b)較佳。又，此時的D1(目標厚度)是例如100μm以上，而上述Vmin 是例如100～150V左右。
具體而言，作為鋁系基材使用6061合金，而作為陽極氧化處理液在硫酸(例如0℃，150g/L)中，在電流密度4.0A/dm2 的條件下，Vmin 是成為120V之故，因而針對於將上限電壓(V1)作為80V時的膜厚100μm以上的陽極氧化皮膜形成加以檢討。結果，知道將設定膜厚作為×(μm)時，作成滿足休電時間(秒)≧0.31×e(0.0252x) (e是自然對數之底)的休電時間T1就可以。亦即，上述式的右邊[0.31×e(0.0252x) ]是指為了達成陽極氧化皮膜的目標厚度D1所必需的休電時間T1的最低值者。
在重複進行滿足上述的條件的休電處理(第1休電處理)中，實施比如上述的休電時間T1還要久的休電處理(第2休電處理)，結果在縮短處理時間上也判明有效。進行此種第2休電處理之際，第2休電處理的休電時間T2是上述休電時間T1的1.5倍以上，5倍以下左右較佳。
實施如上述的第2休電處理之際，針對於該時期，在滿足下述式(3)的第n次的第1休電處理後，進行上述第2休電處理者較佳。
0.5≦Tmin(n-1) /Tint(1) ≦0.9　…(3)
(式中，Tint(1) 是表示自第1次的第1休電處理結束一直到第2次的第1休電處理開始為止的時間，Tmin(n-1) 是表示自第n-1次的第1休電處理結束一直到第n次的第1休電處理開始為止的時間)。
也可實施複數次如上述的第2休電處理，在進行複數次第2休電處理時，各處理的休電時間T2是不相同也可以。又，第2休電處理的休電次數是藉由休電時間或作為目的的膜厚有所變更之故，因而不能籠統地說，惟例如以1～10次左右的較少次數也可以，或是也可增加到50～200次左右為止的次數。
上述上限電壓(V1)是設定成比在未進行休電處理而以一定電流A0 進行陽極氧化處理時開始熔解上述鋁系基材的電壓的最低值(Vmin )還要低的電壓，此電壓V1是藉由鋁系基材也成為不相同，惟60～115V的範圍較適當。
又，在本發明使用作為基材的鋁或鋁合金是當然可使用純鋁(例如，1000系鋁)，也可使用市場販售的鋁合金(例如，被規定在JIS的6061鋁合金或5052鋁合金。又，作為在本發明所使用的陽極氧化處理液，使用一般性的硫酸溶液，草酸溶液，磷酸溶液等，及此些的混合溶液也可以，而處理液溫度，在例如皮膜硬度的觀點上低溫者也成為高硬度皮膜之故，因而因應於被要求在皮膜的性能上適當地加以設定也可以。針對於電流密度適當地設定也可以，若電流密度較大，則成膜速度變大而較有利，惟為了容易上昇電壓，容易達到上限電壓，因應於所期望的膜厚，考慮此些的平衡加以設定就可以。
本發明人等，針對於為了得到陽極氧化皮膜的高硬度化的方法也事先加以研究，在陽極氧化處理後，施加水和處理或熱處理，發現了把皮膜可作成高硬度化，而其意義被認定之故，因而先前就申請專利(日本國特願2009-169100號)。
亦即，以上述陽極氧化處理形成陽極氧化皮膜之後，在80～100℃的純水中，以滿足處理時間(分)≧-1.5×處理溫度(℃)+270的條件下實施浸漬陽極氧化皮膜的水和處理，或施以該水和處理之後，以滿足處理溫度=120～450℃處理時間(分)≧-0.1×處理溫度(℃)+71的條件下實施加熱陽極氧化皮膜的熱處理，為對陽極氧化皮膜的高硬度化有效。針對於此些設定條件加以說明。
(水和處理的處理時間)
即使將水和處理溫度規定在80℃～100℃的範圍，若其處理時間短，則陽極氧化皮膜的硬度是相反地降低之故，因而必須規定因應於處理溫度的最低處理時間。具體而言，作成可滿足所謂「處理時間(分)≧-1.5×處理溫度(℃)+270」的條件，來實施水和處理就可以。針對於藉由水和處理時間使得陽極氧化皮膜的硬度予以變化的理由，無法充分地解釋清楚，惟可考量是否起因於依水和反應的陽極氧化皮膜的氧化物的狀態變化與氧化物的體積膨脹的平衡。
又，將水和處理的處理時間以滿足所謂「處理時間(分)≧-1.5×處理溫度(℃)+270」的條件的範圍，儘量加久會增高陽極氧化皮膜的硬度，惟因應於要求性能來適當地設定處理時間也可以。但是，若處理時間過久則生產性會變差之故，因而水和處理的處理時間是480分鐘以下較佳，300分鐘以下更佳。
(熱處理的處理溫度)
熱處理的溫度是作成120℃～450℃的範圍較佳。熱處理溫度為不足120℃時，即使以滿足所謂「處理時間(分)≧-0.1×處理溫度(℃)+71」的條件的處理時間施以熱處理，也不會使得陽極氧化皮膜成為高硬度化之虞。針對於其理由無法充分地解釋清楚，惟可考量隨著水和反應後的脫水反應的陽極氧化皮膜的構造變化未充分所致。一方面，若將熱處理的溫度作成超過450℃，則成為容易產生基材的鋁合金等的變形，而有偏離產品的尺寸公差的可能性。因此，熱處理的溫度為作成120℃～450℃的範圍。
(熱處理的處理時間)
即使將熱處理的處理溫度規定在120℃～450℃的範圍，若其處理時間短，則陽極氧化皮膜的硬度是在維卡硬度(Vickers hardness)也僅上昇Hv20左右或其以上，而幾乎沒有施加熱處理的工業上意義之故，因而規定因應於處理溫度的最低處理時間較佳，具體而言，作成滿足所謂「處理時間(分)≧-0.1×處理溫度(℃)+71」的條件，來實施熱處理就可以。針對於藉由熱處理時間使得陽極氧化皮膜的硬度變化的理由，無法充分地解釋清楚，惟可考量是否起因於隨著水和反應後的脫水反應的陽極氧化皮膜的構造變化者。
又，將熱處理的處理時間以滿足所謂「處理時間(分)≧-0.1×處理溫度(℃)+71」的條件的範圍，儘可加久者會增加陽極氧化皮膜的硬度，惟因應於要求性能適當地設定處理時間就可以。但是，若處理時間過久，則對生產性變差之故，因而熱處理的處理時間是120分鐘以下較佳，90分鐘以下更佳。
又，欲得到陽極氧化皮膜的高硬度化，形成陽極氧化皮膜之前，在純水中進行水和處理鋁系基材也可以。若在基材施以此種處理，則以被形成於基材表面的水和皮膜就可上昇陽極氧化處理初期的處理電壓，可得到陽極氧化皮膜的高硬度化。又，此種水和處理是在純水中進行(在上述的水和處理中也同樣)，此時所使用的「純水」是指不純物不會混入至陽極氧化皮膜中的方式，盡力減低水中的不純物者(例如電導率不足1.0μS/cm)。
作為水和處理基材時的條件，在65～100℃的純水中施以0.1～10分鐘左右的浸漬處理較佳。若處理時間短，則在基材表面有無法形成充分的水和皮膜之慮之故，因而作成0.1分鐘(6秒鐘)以上較佳，惟若浸漬時間過久，則水和皮膜會變厚之虞，而在陽極氧化時間上需要較久時間之故，因而以10分鐘左右之時間就可以。
以下，藉由實施例更具體地來說明本發明，惟本發明是本來就藉由下述實施例就不會受到限制者，而在可適合於前、後述的宗旨的範圍加以變更當然可予以實施，這些也都包括在本發明的技術性範圍。
實施例 [實施例1]
熔製被規定在JIS的6061鋁合金作為鋁合金鑄塊(尺寸：220mmW×250mmL×t100mm、冷卻速度：15～10℃)，切斷其鑄塊經面削(尺寸：220mmW×150mmL×t60mm)之後，施以均熱處理(540℃×8小時)。均熱處理後，將厚60mm的厚材料利用熱間鍛造經鍛造厚20mm的板材之後，經施以熔體化處理(540℃×1小時)，水淬火，經時處理(160～180℃×8小時)而得到供試合金板。由其供試合金板，切出25mm×35mm×t10mm的試驗片，面削加工其表面。
之後，浸漬於60℃-10%NaOH水溶液中兩分鐘之後經水洗，又浸漬於30℃-20%HNO3 水溶液中兩分鐘之後經水洗把表面予以清淨化之後，進行陽極氧化處理。
此時在表示於下述表1、2的條件下進行陽極氧化處理。又，陽極氧化皮膜的目標厚度D1是作為200μm。
首先，針對於表示於表1的結果進行考察。試驗No.1是以習知的處理條件來形成陽極氧化皮膜的一例，在4.0A/dm2 的定流處理，當電壓到達至上限電壓的80V之後，切換成80V的定壓處理者，欲形成厚200μm的陽極氧化皮膜需費約871分鐘(總處理時間)。
試驗No.2～4是縮短休電時間T1者。其中No.2是以休電時間T1作為1秒來進行1次的休電處理者，惟在休電處理後的再開始電解時使得電壓無法充分地降低，而在休電後成為無法電解者。試驗No.3是以休電時間T1作為3秒來進行3次的休電處理的例子，惟與試驗No.2同樣地休電處理後的再開始電解時使得電壓無法充分地降低，而在休電後成為無法電解者。試驗No.4是以休電時間T1作為25秒來進行172次的休電處理的例子，惟仍舊在休電處理後的再開始電解時使得電壓無法充分地降低，而在休電後成為無法電解者。都未形成厚200μm的陽極氧化皮膜。
試驗No.5～7是藉由將休電時間T1作為50～200秒，在休電處理後的再開始電解時使得電壓充分地降低，而在休電後有效地進行電解，比習知例(試驗No.1)在總處理時間較短的階段，形成厚200μm的陽極氧化皮膜。又，在試驗No.5～7中，可知休電時間T1愈短(試驗No.5＜試驗No.6＜試驗No.7)，總處理時間變短。
第2圖是針對於試驗No.4～7，表示「休電次數」與「休電與休電之間的電解時間」的關係者。又，表示於第2圖以後(第3圖至第11圖)的結果，在表示於表的資料以外也包括休電處理時的途中資料加以表示者。
隨著休電次數增加(亦即，隨著膜厚增加)，休電與休電之間的電解時間是變短，在休電時間25秒的試驗No.4中，休電次數第173次，成為再開始電解時不會降低電壓而無法電解，此時的膜厚是成193μm而未達到200μm。
第3圖是以近似曲線表示第2圖的結果者。由該第3圖求出在各休電時間的「休電與休電之間的電解時間」成為零的休電次數。又，表示於第3圖的各近似式是將休電與休電之間的電解時間作為y，而將休電次數作為x時，以y=A-B‧ln(x)表示(ln是自然對數)，常數A與B是設定成為第2圖的「休電與休電之間的電解時間」的實測值者。又，針對於休電時間為25秒者(試驗No.4)在第173次使得「休電與休電之間的電解時間」成為零之故，因而照原樣使用實測值。
第4圖是表示將第3圖的橫軸(x軸)從休電次數變換成膜厚的結果者，此時的變換是依據膜厚=[200(μm)/7920(秒)]×[3366(秒)+休電第1次以後至該休電次數為止的總電解時間(秒)]所求出者。在此，7920秒是膜厚成為200μm的總電解時間(秒)，為到達至上限電壓為止的時間3366秒，及膜厚成為200μm的休電次數以後的總電解時間4554秒(試驗No.5～7)的總和，200μm/7920秒是相當於成膜速度。
又3366秒是到達至上限電壓為止的時間(表1)。休電第1次以後至該休電次數為止的總電解時間(秒)，是將上述近似式[y=A-B‧ln(x)]的各休電次數的「休電與休電之間的電解時間」，積算至該休電次數者。
由第4圖的結果，針對於各休電時間，求出「休電與休電之間的電解時間」成為零的膜厚。在以下，將該膜厚稱為「界限膜厚」。第5圖是標繪界限膜厚與休電時間之關係的圖表，將休電時間作為y，而將界限膜厚作為x時，成為以y=0.31×e(0.0252x) (e是自然對數之底)者。亦即，若作成將所期望的膜厚代入於上述關係式的界限膜厚所計算的「休電時間T1」以上的休電時間，則到達至所期望膜厚為止，「休電與休電之間的電解時間」不會成為零而成為可得到所期望的膜厚。又，在實施例中，以定流處理到達至上限電壓為止的處理的膜厚為85μm，而上述的休電時間的設定方法，是被適用於膜厚為85μm以上的情形者，惟休電時間短時，假設無法得到處理的再現性，推薦對膜厚為100μm以上的休電時間之設定的適用。
在上述所表示的結果是作為鋁系基材使用6060鋁合金，在0℃的150g/L的硫酸溶液中，以電流密度4.0A/dm2 之條件，表示針對於將上限電壓作為80V，目標膜厚100μm以上的陽極氧化皮膜形成方法的休電時間的設定方法。惟針對於其他的處理溫度或處理液組成等也同樣地，近似於來自薄膜的處理結果，就可設定因應於所期望的膜厚的休電時間。
以下，針對於表示於表2的結果進行考察。試驗No.5是將休電時間T1作為50秒者，與表示於表1的試驗No.5者相同。試驗No.8是以休電時間T1在50秒的處理條件下重複進行休電處理，而將第70次(膜厚約170μm)的休電時的休電時間變更成200秒者(第2休電處理)。同樣地，試驗No.9是以休電時間T1在50秒的處理條件下重複進行休電處理，而將第100次(膜厚約1850μm)的休電時的休電時間T2變更成200秒者，試驗No.10是以休電時間T1在50秒的處理條件下重複進行休電處理，而將第70次(膜厚約170μm)與第90次(膜厚約195μm)的休電時的休電時間T2變更成200秒者。可知都比未置換成200秒的休電時間T2的試驗No.5還可縮短處理時間。
第6圖是針對於試驗No.8的休電處理，表示「處理中的膜厚」與「休電與休電之間的電解時間」的關係的圖表。第7圖是針對於試驗No.8的休電處理，表示「休電次數」與「休電與休電之間的電解時間」的關係的圖表。又，在第6圖，第7圖是表示將休電時間從最初就一直以200秒者(表1的試驗No.7)，或將休電時間從最初就一直以50秒者(表1的試驗No.5)的結果。又，表示於第6圖的膜厚是由上述的關係所求出者(針對於下述的第8圖～第11圖也相同)。
第8圖是針對於試驗No.9的休電處理，表示「處理中的膜厚」與「休電與休電之間的電解時間」的關係的圖表。第9圖是針對於試驗No.9的休電處理，表示「休電次數」與「休電與休電之間的電解時間」的關係的圖表。第10圖是針對於試驗No.10的休電處理，表示「處理中的膜厚」與「休電與休電之間的電解時間」的關係的圖表。第11圖是針對於試驗No.10的休電處理，表示「休電次數」與「休電與休電之間的電解時間」的關係的圖表。
若休電次數在第70次將休電時間T2作成200秒(試驗No.8)，休電後再開始電解時的電壓降低很大，之後到達至上限電壓為止的時間(亦即，電解時間)變久(第6圖、第7圖)。之後，再度作成50秒的休電時間T1若繼續處理，則電解時間是徐徐地變短，終於成為與僅進行50秒的休電時間T1時相同的「膜厚-電解時間」之關係(第6圖)。
由此結果就可明瞭，比僅以50秒的休電時間T1來處理，而藉由進行在其途中加久休電時間T2的休電處理，可知處理時間會縮短。電解時間是隨著增加膜厚會變短之故，因而在處理的最後階段變更成較久的休電時間T2較有效，而可知試驗No.9者比試驗No.8處理時間變短。
又，進行複數次對較久休電時間T2的變更，也有可更縮短處理時間的情形(試驗No.10)，惟較久休電時間T2本身就是成為總處理時間變久之故，因而考慮較久休電時間T2與依其時間所致的縮短電解時間的效果之平衡，而適當地設定作為較久休電時間的時機與次數就可以。
由上述的見識，判明了實施休電時間比上述T1還要久的第2休電處理時，第2休電處理的休電時間T2為上述T1的1.5倍以上，5倍以下左右較佳。
又，也判明了針對於進行第2休電處理的時機，在滿足上述式(3)的第n次的第1休電處理後，進行上述第2休電處理較佳。
[實施例2]
作成與實施例1同樣，對供試合金板進行陽極氧化處理(包括休電處理)。又，對於進行陽極氧化處理的供試合金板，在各種條件進行水和處理及熱處理。將此時的陽極氧化、水和處理及熱處理的條件表示於下述表3、4(試驗No.11～47)。又，測定進行上述處理的供試合金板的氧化皮膜表面的硬度(維卡硬度)。此時，陽極氧化皮膜的目標厚度D1是作成200μm。又，在表3、4也表示表1的試驗No.6的結果。又，試驗No.34A(表4)是在形成陽極氧化皮膜之前(以水洗清淨化基材表面之後)，於供試合金板(基材)，使用80℃純水進行200秒(約3分鐘)的水和處理(也有將此處理稱為「水和事先處理」的情形)者。
表3的試驗No.11是將電流密度作為4.0A/dm2 未進行休電處理而形成陽極氧化皮膜的例子，將上限電壓設定在120V，在電壓到達至120V的階段切換成120V的定壓處理者。然而，鋁系基材會熔解，而無法形成健全的陽極氧化皮膜。
表3的試驗No.12是將電流密度作為4.0A/dm2 ，而將上限電壓設定在115V，在電壓到達至115V的階段切換成115V的定壓處理者。在此試驗中，切換成定壓處理之後，使得電流密度降低，成為200μm膜厚需費770分鐘。又，皮膜的硬度是Hv390。
表3的試驗No.13、6、14、15是將電流密度作為4.0A/dm2 ，並將上限電壓分別設定在115V、80V、60V、55V，當到達至上限電壓之後，進行100秒的休電處理者，膜厚成為200μm為止的處理時間，是比試驗No.12大幅度地縮短。又，試驗No.13、6、14的皮膜硬度是比試驗No.12者相比較變高。一方面，對試驗No.13、6、14相比較，將上限電壓設定低的試驗No.15的皮膜硬度是與試驗No.12者相比較變低。由此事項可知，也注目硬度時，在開始熔解鋁系基材的不足電壓(Vmin )的範圍內，一面也鑑於熔解之虞，一面將上限電壓V1設定成較高較佳。
皮膜的硬度是多孔皮膜的固體體積率愈大愈變硬，而皮膜的固體體積率是在處理中的皮膜之化學溶解變小，皮膜的化學溶解是與處理時間有所關連，一方面，電解電壓愈大，體積率是變大之故，因而在此些的平衡上，考量皮膜的硬度被決定。
表4是形成陽極氧化皮膜之後，以所定條件施以水和處理或熱處理者，可知在適當條件藉由施以此些處理(僅水和處理，或水和處理及熱處理，或是視需要陽極氧化處理前的水和事先處理)，可更提高陽極氧化皮膜的硬度。
詳細地或參照特定的實施形態來說明本申請專利案，惟熟習該技術者在不超越本發明的精神與範圍可知可施加各種變更或修正。
本申請專利案為依據2010年2月24日申請的日本特願2010-039126，及2011年1月6日申請的日本特願2011-001323者，參照其內容加以編集。
依照本發明方法，於鋁及鋁合金所選擇的鋁系基材，通一定電流形成陽極氧化皮膜之際，藉由採用重複在形成皮膜中到達所定電壓時一旦休止通電，休電時間T1以上之期間，繼續該休電之後，再開始通電的複數次第1休電處理的構成，即使未使用特殊的設備，也在短時間內就可生產性優異地形成厚膜的陽極氧化皮膜，如此地在基材上形成陽極氧化皮膜的構件，是作為被使用於半導體製造設備的電漿處理裝置的真空腔等的原材料上有用。
第1圖是表示實施本發明的方法時的電壓及電流的經時變化的說明圖。
第2圖是針對於試驗No.4～7，表示「休電次數」與「休電與休電之間的電解時間」之關係的圖表。
第3圖是以近似曲線表示第2圖的結果的圖表。
第4圖是表示將第3圖的橫軸(x軸)從休電次數變換成膜厚的結果的圖表。
第5圖是標繪界限膜厚與休電時間的圖表。
第6圖是針對於試驗No.8的休電處理，表示「處理中的膜厚」與「休電與休電之間的電解時間」之關係的圖表。
第7圖是針對於試驗No.8的休電處理，表示「休電次數」與「休電與休電之間的電解時間」之關係的圖表。
第8圖是針對於試驗No.9的休電處理，表示「處理中的膜厚」與「休電與休電之間的電解時間」之關係的圖表。
第9圖是針對於試驗No.9的休電處理，表示「休電次數」與「休電與休電之間的電解時間」之關係的圖表。
第10圖是針對於試驗No.10的休電處理，表示「處理中的膜厚」與「休電與休電之間的電解時間」之關係的圖表。
第11圖是針對於試驗No.10的休電處理，表示「休電次數」與「休電與休電之間的電解時間」之關係的圖表。

Claims (12)

  1. 一種陽極氧化皮膜之形成方法，是於從鋁及鋁合金所選擇的鋁系基材，通一定電流A0 進行陽極氧化的皮膜之形成方法，包括重複複數次在形成皮膜中到達所定電壓V1時一旦休止通電，休電時間T1以上之期間，繼續該休電之後，再開始通電的第1休電處理的工程，上述所定電壓V1滿足下述式(1a)，上述休電時間T1滿足下述式(1b)，V1＜Vmin 　…(1a)T1im ≦T1　…(1b)(式中，Vmin 是表示在未進行休電處理而以一定電流A0 進行陽極氧化處理時，上述鋁系基材開始熔解的電壓的最低值，T1im 是表示再開始通電時的電壓成為不足V1所必需的休電時間的最低值)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，上述所定電壓V1滿足下述式(2a)，上述休電時間T1滿足下述式(2b)，0.5×Vmin ＜V1＜Vmin 　…(2a)Tmin ≦T1≦1.2×Tmin 　…(2b)(式中，Vmin 是與上述相同，Tmin 是表示為了達成陽極氧化皮膜的目標厚度D1所必需要的休電時間的最低值)。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，目標厚度D1為100μm以上，而上述Vmin 為100～150V。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，作為上述鋁系基材使用6000系鋁合金，而作為陽極氧化處理液使用硫酸來達成上述Vmin =100～150V。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，實施休電時間比上述T1還要久的第2休電處理。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，第2休電處理的休電時間T2為上述T1的1.5倍以上，5倍以下。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，滿足下述式(3)的第n次的第1休電處理後，進行上述第2休電處理，0.5≦Tmin(n-1) /Tint(1) ≦0.9　…(3)(式中，Tint(1) 是表示自第1次休電處理結束一直到第2次的第1休電處理開始為止的時間，Tmin(n-1) 是表示自第n-1次的第1休電處理結束一直到第n次的第1休電處理開始為止的時間)。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，實施複數次上述第2休電處理。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，將上述V1作為60～115V。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，包括形成陽極氧化皮膜之後，在80～100℃的純水中，以滿足處理時間(分)≧-1.5×處理溫度(℃)+270的條件下實施浸漬陽極氧化皮膜的水和處理的工程。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，包括經水和處理之後，以滿足處理溫度=120～450℃處理時間(分)≧-0.1×處理溫度(℃)+71的條件下實施加熱陽極氧化皮膜的熱處理的工程。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的陽極氧化皮膜之形成方法，其中，形成陽極氧化皮膜之前，在純水中水和處理鋁系基材。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI564134B (zh) * 2012-08-06 2017-01-01 三菱麗陽股份有限公司 模具的製造方法、以及表面具有微細凹凸結構的成形體及其製造方法
TWI602954B (zh) 2012-12-10 2017-10-21 三菱化學股份有限公司 陽極氧化多孔氧化鋁的製造方法、模具以及表面具有微細凹凸結構的成形體
GB2509335A (en) * 2012-12-31 2014-07-02 Univ Tartu Double-structured corrosion resistant coatings and methods of application
US10941501B2 (en) * 2013-03-29 2021-03-09 Analytical Specialties, Inc. Method and composition for metal finishing
IT201700080501A1 (it) * 2017-07-17 2019-01-17 Tramec S R L Riduttore.
US11312107B2 (en) * 2018-09-27 2022-04-26 Apple Inc. Plugging anodic oxides for increased corrosion resistance
KR102215241B1 (ko) * 2019-08-20 2021-02-16 주식회사 영광와이케이엠씨 알루미늄합금 산화층의 후열처리를 이용한 표면경화방법
CA3167652A1 (en) * 2020-04-24 2021-10-28 Novelis Inc. Thermally modified oxide based pretreatments for metals and methods of making the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4128461A (en) * 1978-03-27 1978-12-05 Sanford Process Corporation Aluminum hard anodizing process
US4566952A (en) * 1983-04-07 1986-01-28 Hoechst Aktiengesellschaft Two-stage process for the production of anodically oxidized aluminum planar materials and use of these materials in manufacturing offset-printing plates
US5503730A (en) * 1991-07-16 1996-04-02 Canon Kabushiki Kaisha Method for anodic oxidation

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4517059A (en) * 1981-07-31 1985-05-14 The Boeing Company Automated alternating polarity direct current pulse electrolytic processing of metals
JPH04119617A (ja) * 1990-09-10 1992-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサの製造方法
JPH07216588A (ja) 1994-01-25 1995-08-15 Nippon Light Metal Co Ltd 硬質陽極酸化皮膜を有するアルミニウムシリンダーチューブの製造方法
JP3004622B2 (ja) 1998-02-24 2000-01-31 中小企業事業団 アルミニウムの高速陽極酸化方法
US6126808A (en) 1998-03-23 2000-10-03 Pioneer Metal Finishing Method and apparatus for anodizing objects
JP4164154B2 (ja) * 1998-05-01 2008-10-08 キヤノンアネルバ株式会社 イオン化スパッタリング装置
JP2003034894A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Kobe Steel Ltd 耐腐食性に優れたＡｌ合金部材
US6802951B2 (en) * 2002-01-28 2004-10-12 Medtronic, Inc. Methods of anodizing valve metal anodes
JP2004332081A (ja) 2003-05-12 2004-11-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 耐プラズマ部材及びその製造方法
TWI285225B (en) * 2004-09-07 2007-08-11 Univ Nat Chiao Tung Method of manufacturing aluminum oxide film with arrayed nanometric pores
JP4660222B2 (ja) * 2005-02-14 2011-03-30 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP4677829B2 (ja) 2005-05-31 2011-04-27 アイシン精機株式会社 金属製部品の陽極酸化処理装置
JP4660760B2 (ja) 2005-06-02 2011-03-30 国立大学法人広島大学 アルミニウム又は／及びアルミニウム合金の陽極酸化皮膜の形成方法およびその方法により形成される陽極酸化皮膜
JP5092539B2 (ja) 2007-05-24 2012-12-05 アイシン精機株式会社 陽極酸化処理装置
JP5284740B2 (ja) 2008-09-25 2013-09-11 株式会社神戸製鋼所 陽極酸化皮膜の形成方法とそれを用いたアルミニウム合金部材

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4128461A (en) * 1978-03-27 1978-12-05 Sanford Process Corporation Aluminum hard anodizing process
US4566952A (en) * 1983-04-07 1986-01-28 Hoechst Aktiengesellschaft Two-stage process for the production of anodically oxidized aluminum planar materials and use of these materials in manufacturing offset-printing plates
US5503730A (en) * 1991-07-16 1996-04-02 Canon Kabushiki Kaisha Method for anodic oxidation

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Publication number Publication date
KR101356230B1 (ko) 2014-01-28
TW201202486A (en) 2012-01-16
WO2011105452A1 (ja) 2011-09-01
JP5635419B2 (ja) 2014-12-03
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