JP5700235B2 - アルマイト膜の形成方法 - Google Patents
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このため、前記従来のような高電流密度での陽極酸化処理では、それぞれのセルに流れる電流密度に大きな差が生じることによって、セルの成長のばらつきが大きくなり、アルマイト膜の表面の平滑性が低下するという問題があった。
通電を間欠的に行えば、電流が表面電位の低い方に広がっていくため、アルミニウム基材の表面における起点を増加させることができ、同時に成長するセルの数を増やして均一に成長させることができる。
本手段のように第1の通電及び第2の通電におけるデューティ比や周波数を設定することで、第1のアルマイト膜の平均セル径が第2のアルマイト膜の平均セル径よりも小さいアルマイト膜を確実に形成することができるため、アルマイト膜の表面の平滑性を高めることができる。
したがって、従来のアルマイト膜と同様な機械的強度を保ちつつ、表面の平滑性に優れたアルマイト膜を提供することができる。
また、表層部を構成するセルの平均セル径を20〜60nmと微細にすることにより、表面の平滑性をさらに向上させることができる。また、内層側の平均セル径は60〜100nmであれば、従来のアルマイト膜と同様な機械的強度を保つことができる。
アルマイト膜は、陽極酸化処理において、アルミニウム基材側から成長する。
このため、本構成のように、表層部の厚みを1〜10μmとすれば、その後のアルマイト膜の成長によって内層側にランダムな層が形成されたとしても、アルマイト膜の表面への影響をより小さくできる。このため内層側の状態に関わらず、表面の高い平滑性を保つことができる。
以下、本発明に係るアルマイト膜の第一の実施形態について図面を参照して説明する。
本実施形態に係るアルマイト(陽極酸化)膜1は、図1に示すように、アルミニウム基材2の表面に形成されるものである。アルミニウム基材2の表面にアルマイト膜1を設けることにより、アルミニウム基材2の耐食性や耐磨耗性を向上させることができる。
以下に、本実施形態に係るアルマイト膜1を用いた実施例を示し、本発明をより詳細に説明する。但し、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
次に本発明に係るアルマイト膜の第二の実施形態について説明する。本実施形態に係るアルマイト膜は、第一の実施形態に係るアルマイト膜1において表層部の第1のアルマイト膜1aがセル3を有しないものである。このように、表層部をセル3がないアルマイト膜で構成することによっても、アルマイト膜1の表面を緻密にして平滑にすることができる。尚、その他の構成は第一の実施形態と同様である。
以下に、本実施形態に係るアルマイト膜を用いた実施例を示し、本発明をより詳細に説明する。但し、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
上記の実施形態においては、アルマイト膜1が第1のアルマイト膜1aと第2のアルマイト膜1bとの2層からなる例を説明したが、これに限定されない。アルマイト膜1は、第2のアルマイト膜1bが複数の層からなる3層以上から構成することもできる。
1a 第1のアルマイト膜
1b 第2のアルマイト膜
2 アルミニウム基材
3 セル
3a 第1のセル
3b 第2のセル
R 平均セル径
R3a 第1のアルマイト膜の平均セル径
R3b 第2のアルマイト膜の平均セル径
Claims (2)
- アルミニウム基材を陽極として陰極と共に電解液中に配置し、両極間に第1の通電を行って前記アルミニウム基材の表面に第1のアルマイト膜を形成した後、前記両極間に第2の通電を行い、前記アルミニウム基材と前記第1のアルマイト膜との間に第2のアルマイト膜を形成し、
一定の電圧下において、前記第1の通電のデューティ比を前記第2の通電のデューティ比よりも低く設定すると共に、前記第1の通電の周波数を前記第2の通電の周波数以上となるように設定してあるアルマイト膜の形成方法。 - 前記第1のアルマイト膜の平均セル径を20〜60nm、及び前記第2のアルマイト膜の平均セル径を60〜100nmに形成すると共に、前記第2のアルマイト膜の厚みが1〜10μmである請求項1に記載のアルマイト膜の形成方法。
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