TWI417837B - 電致發光顯示面板模組，電致發光顯示面板，積體電路裝置，電子設備及驅動控制方法 - Google Patents

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Description

電致發光顯示面板模組，電致發光顯示面板，積體電路裝置，電子設備及驅動控制方法
本發明係關於最佳化一藉由主動矩陣驅動方法驅動及控制之EL(電致發光)顯示面板的製造成本及顯示影像品質的技術，及更特定言之係關於EL顯示面板模組，EL顯示面板，積體電路裝置，電子設備及驅動控制方法。
本發明包含有關2008年2月28日向日本專利局申請之日本專利申請案第JP 2008-047079號之標的，其全部內容係以引用方式併入本文。
一對於主動矩陣驅動類型之有機EL面板模組而言係普及的電路方塊組態顯示於圖1中。參考圖1，所示之有機EL面板模組1包括一像素陣列區段3，及一寫入掃描驅動器5，一電源供應掃描驅動器7及一水平選擇器9，其係用於像素陣列區段3之驅動電路。
附帶地，一有機EL元件係電流發光元件。因此，有機EL面板模組採用一種其中流經有機EL元件之電流量受控制，用於控制欲自各像素發射之光的梯度之驅動方法。圖2顯示用於所述類型之像素電路的比較簡單電路組態之一。參考圖2，所示像素電路包括一掃描電晶體T1、一驅動電晶體T2及一儲存電容器Cs。
掃描電晶體T1係用來將一對應於一對應像素之梯度的信號電壓寫入至儲存電容器Cs內。驅動電晶體T2係用來基於一閘極-源極電壓Vgs(其取決於儲存電容器Cs之儲存電壓)將電流Ids供應至一有機EL元件OLED。
附帶地，當驅動電晶體T2係從一p通道型薄膜電晶體形成時，係在其源極電極處連接至一電源供應線。換句話說，驅動電晶體T2係設計以致通常在其飽和區中操作。因此，驅動電晶體T2操作為一恆定電流來源。因此，電流Ids係藉由以下表式給定：
Ids=k‧μ‧(Vgs-Vth)2 /2
其中μ係驅動電晶體T2之多數載子的移動率，且Vth係驅動電晶體T2的臨限電壓，而k係一藉由(W/L)‧Cox給定的係數。在此，W係通道寬度，L係通道長度，及Cox係每單位面積之閘極電容。
應注意的係，在所述之像素電路的組態中，驅動電晶體T2之汲極電壓隨著圖3中所說明之有機EL元件的I-V特性經長時間的惡化一起變化。然而，因為閘極-源極電壓Vgs係維持固定，故供應至有機EL元件之電流量不變化，且所發射之光的亮度維持固定。
一種採用主動矩陣驅動方法的有機EL顯示面板係揭示於(例如)日本專利特許公開第2003-255856、2003-271095、2004-133240、2004-029791及2004-093682號中。
附帶地，若驅動電晶體T2係藉由一n通道型薄膜電晶體取代，則其現係如圖4中所見在其源極電位處連接至有機EL元件。在本像素電路之情況下，電流量與有機EL元件的I-V特性經長時間之惡化一起變化，且所發射光之亮度變化。
此外，因為驅動電晶體T2的臨限值及移動率在不同像素間變化，分散會在根據以上提供之表式在電流值中出現，及所發射之光的亮度對於各像素變化。
因此，係要求建立一像素電路及一驅動方法，藉由其係獲得一穩定光發射特性而不管經長時間之惡化，即使驅動電晶體T2係由一n通道薄膜電晶體形成。同時，係要求進一步減少製造成本以普及有機EL面板模組。
根據本發明之一具體實施例係提供一種EL顯示面板模組，其包括一像素陣列區段，該像素陣列區段包括一面板，其係用作為一基板；及複數個像素，其係在該面板上佈置成一矩陣且各包括一像素電路及一發光區；及一驅動電路，其係用於驅動該等像素電路以致一臨限值校正操作係對於連接至各信號線的該等像素電路之複數個共同地實行，且一對應於一梯度值之信號電位的寫入係對於該等個別像素電路依時序地執行，該驅動電路在該臨限值校正操作完成後之該信號電位的首先寫入前施加一低於用於該臨限值校正之一參考電位的重設電位至連接至各信號線的該等像素電路之該複數個，該像素陣列區段及該驅動電路係設置在相同基板上。
根據本發明之另一具體實施例係提供一種EL顯示面板，其包括一像素陣列區段，該像素陣列區段包括一面板，其係用作為一基板；及複數個像素，其係在該面板上佈置成一矩陣且各包括一像素電路及一發光區；及一驅動電路，其係用於驅動該等像素電路以致一臨限值校正操作係對於連接至各信號線的該等像素電路之複數個共同地實行，且一對應於一梯度值之信號電位的寫入係對於該等個別像素電路依時序地執行，該驅動電路在該臨限值校正操作完成後之該信號電位的首先寫入前施加一低於用於該臨限值校正之一參考電位的重設電位至連接至各信號線的該等像素電路之該複數個，該像素陣列區段及該驅動電路係形成在相同基板上。
使用EL顯示面板模組及EL顯示面板，可達到成本減少及確保高圖像品質兩者。
從以下說明及隨附申請專利範圍並結合附圖，會明白本發明之上述及其他特徵及優點，附圖中以相同的參考符號來表示相同的部分或元件。
下文中，本發明係結合應用本發明之具體實施例的主動矩陣驅動類型之有機EL面板模組或EL顯示面板而詳盡描述。
應注意的係，對於本文未明確描述或在附圖中明確說明之技術事宜，係應用在相關技術領域中為人熟知的技術。
A.外觀組態
在本說明書中，一其中對於一特定應用製造(例如)為IC(積體電路)之驅動電路係設置在一板(在其上係形成一像素陣列區段)上的設備，係指有機EL面板模組，且一其中一像素陣列區段及驅動電路係使用相同程序形成在相同基板上的設備係指有機EL面板。
下文中，係描述有機EL面板模組。圖5顯示一有機EL面板模組11之外觀組態的範例。參考圖5，所示之有機EL面板模組11經結構化以致一相對區段15係黏著至一其中形成一像素陣列區段之支撐基板13的一區。
相對區段15包括一由玻璃或一些其他透明材料製成之基板，及在該基板的表面上佈置之一濾色器、一保護膜及等等。此外，用於自支撐基板13輸入信號及輸出信號至其等等之撓性印刷電路(FPC)17係佈置在有機EL面板模組11上。
B.具體實施例1 B-1.系統組態
圖6顯示一根據本發明之具體實施例1的有機EL面板模組11的一般系統組態。參考圖6，有機EL面板模組11包括一像素陣列區段21，及一對寫入掃描驅動器23、一對電源供應掃描驅動器25、一水平選擇器27及一時序產生器(TG)29，其係作為用於像素陣列區段21之驅動電路。
像素陣列區段21包括大量子像素，其係自一有機EL元件及一像素電路形成且配置成一矩陣。附帶地，一子像素係形成一像素之像素結構的最小單元，且一像素係由不同有機EL材料之三個子像素(R、G、B)構成。
圖7說明一在一對應於一子像素之像素電路及驅動電路間的連接關係。圖8顯示一由本具體實施例提出之像素電路的內部組態。另外，圖8中所示之像素電路係由兩個薄膜電晶體T1及T2及一儲存電容器Cs構成。
應注意的係該像素電路中之驅動電晶體T2係一n通道薄膜電晶體。同時，儲存電容器Cs係連接至驅動電晶體T2之閘極電極及一有機EL元件OLED的陽極電極。
另外，在所述的電路組態中，寫入掃描驅動器23透過一寫入掃描線WSL控制在接通與斷開間之掃描電晶體T1，以控制將一電位寫入至儲存電容器Cs中。寫入掃描驅動器23係從一移位暫存器形成。
電源供應掃描驅動器25透過一饋送線DSL依二進制方式控制欲施加至驅動電晶體T2的主電極之一的電源供應電壓，以控制像素電路連同其他驅動電路之特性分散的校正操作。尤其係，電源供應掃描驅動器25補償自驅動電晶體T2之一臨限值分散或移動率分散產生的一致性的惡化。
水平選擇器27係一電路裝置，其係用於將一對應於像素資料之一梯度值或臨限值校正之一偏移電位Vofs的信號電位Vsig施加至一信號線DTL。
時序產生器29係一用於產生一用於寫入掃描線WSL、饋送線DSL及信號線DTL之驅動脈衝的電路裝置。
B-2.驅動操作之範例
圖9A至9E說明在圖8中所示之像素電路的驅動操作之範例。應注意的係，儘管圖9A至9E說明其中兩個水平掃描週期係用以執行臨限值校正之驅動操作的範例，來自一臨限值校正操作以寫入該信號電位Vsig的操作可在一水平掃描週期內執行。
附帶地，在圖9A至9E中，欲施加至饋送線DSL之兩個電位中較高之一係藉由Vcc代表，而兩個電位中較低之一係藉由Vss代表。
首先，在發光狀態中之像素電路的操作狀態係於圖10中說明。此時，掃描電晶體T1係在斷開狀態。另一方面，驅動電晶體T2在飽和區中操作，且取決於閘極-源極電壓Vgs之電流Ids流經驅動電晶體T2。
現描述一在無發光狀態中之操作狀態。首先，饋送線DSL之電位係在圖9A至9G中說明之時間T1處從高電位Vcc改變至低電位Vss。在此範例中，若低電位Vss係低於一臨限值Vthel及一陰極電位Vcath的和(即若Vss<Vthel+Vcath)，則有機EL元件OLED不發光。
應注意的係，驅動電晶體T2之源極電位Vs係等於饋送線DSL的電位。換句話說，有機EL元件OLED之陽極電位係改變成低電位Vss。一在此範例中之像素電路的操作狀態係在圖11中說明。
之後，若寫入掃描線WSL之電位在一其中信號線DTL的電位係用於臨限值校正之偏移電位Vofs的狀態中改變成高電位，則驅動電晶體T2之閘極電位Vg透過在圖9A至9G中說明的時間T2處之一接通狀態中的掃描電晶體T1改變成偏移電位Vofs。
圖12說明在此範例中之像素電路的操作狀態。因此，驅動電晶體T2之閘極-源極電壓Vgs係藉由Vofs-Vss給定。此電壓係設定以致高於驅動電晶體T2的臨限電壓Vth。此係因為若不滿足Vofs-Vss>Vth則無法執行臨限值校正操作。
接著，饋送線DSL的電位係在圖9A至9G中說明的時間T3處改變回至高電位Vcc。因為饋送線DSL之電壓改變至高電位Vcc，有機EL元件OLED之陽極電位成為驅動電晶體T2的源極電位Vs。
圖13在一等效電路中表示有機EL元件OLED。參考圖13，有機EL元件OLED係藉由一二極體及一寄生電容Cel代表。此時，只要滿足之關係，流至驅動電晶體T2之電流Ids係用來充電儲存電容器Cs及寄生電容Cel。在此範例中，係假設有機EL元件之洩漏電流係明顯低於流經驅動電晶體T2的電流Ids。
結果，當通過如圖14中顯示之時間時，有機EL元件OLED的陽極電壓Vel提升。此週期係一臨限值校正週期。
在臨限值校正週期開始後之一固定時間週期以後，掃描電晶體T1在圖9A至9G中說明的時間T4處被控制成斷開狀態。換句話說，臨限值校正操作暫時停止。此時，驅動電晶體T2的閘極-源極電壓Vgs係高於臨限電壓Vth。
因此，電流Ids流動且驅動電晶體T2之閘極電位Vg和源極電位Vs兩者如圖15中所見一起提升。應注意的係，亦在此週期內，因為一反向偏壓係施加於有機EL元件OLED，故該有機EL元件OLED不發光。
不久，臨限值校正週期回復。尤其係，信號線DTL之電位變成偏移電位Vofs且掃描電晶體T1在圖9A至9G中說明的時間T5處同時受控制至接通狀態。
最後，驅動電晶體T2之閘極-源極電壓Vgs收歛至臨限電壓Vth。此時，係滿足。
當臨限值校正週期結束時，掃描電晶體T1在圖9A至9G中說明的時間T6處受控制至一斷開狀態。
之後，在當信號線DTL之電位變成信號電位Vsig的一時間點處，掃描電晶體T1在圖9A至9G中說明的時間T7處受控制回至接通狀態。圖16說明在此範例中之像素電路的操作狀態。附帶地，信號電位Vsig係取決於梯度固定。因此，雖然驅動電晶體T2之閘極電位Vg成為信號電位Vsig，但因為來自饋送線DSL的電流流入至儲存電容器Cs中，故當時間經過時源極電位Vs提升。
此時，若驅動電晶體T2之源極電位Vs的不超過臨限值Vthel及有機EL元件OLED之陰極電位Vcath的和，即若有機EL元件OLED之洩漏電流明顯低於流經驅動電晶體T2的電流，則驅動電晶體T2之電流Ids係用來充電儲存電容器Cs及寄生電容Cel。
應注意的係，因為已完成驅動電晶體T2之臨限值校正操作，藉由驅動電晶體T2供應之電流Ids具有一代表移動率μ的值。尤其係，當驅動電晶體具有較高移動率μ時，電流量增加且源極電位Vs更迅速提升。反之，當驅動電晶體具有較低移動率μ時，電流量減少且源極電位Vs之提升變得更慢，如從圖17可見。
因而，驅動電晶體T2之閘極-源極電壓Vgs減少反映移動率μ。結果，在當消逝一固定時間週期時的時間點處，驅動電晶體T2之閘極-源極電壓Vgs收歛至一用移動率μ校正的電壓。
最後，當掃描電晶體T1受控制至一斷開狀態且信號電位之寫入結束時，有機EL元件OLED之一發光週期係在圖9A至9G中說明的時間T8處開始。圖18說明在此範例中之像素電路的操作狀態。應注意的係，驅動電晶體T2的閘極源極電壓Vgs係固定。因此，驅動電晶體T2供應固定電流Ids'至有機EL元件OLED。
隨著此點，有機EL元件OLED之陽極電壓Vel提升至一在其處電流Ids'係供應至有機EL元件OLED的電位Vx。因而，會開始藉由有機EL元件OLED之發光。
應注意的係，亦在藉由本具體實施例提出之驅動電路的情況下，隨著光發射時間變更長，其I-V特性變化。
因此，驅動電晶體T2之源極電位Vs亦變化。然而，因為驅動電晶體T2的閘極-源極電壓Vgs係藉由儲存電容器Cs維持固定，流經有機EL元件OLED之電流量不變。依此方式，即使有機EL元件OLED之I-V特性惡化，固定電流Ids通常持續流動，且有機EL元件OLED之亮度不變。
B-3.概述
若採用根據以上描述之本具體實施例組態的像素電路，則亦在驅動電晶體T2係由n通道型之一薄膜電晶體形成時，可實施一其中亮度不在個別像素中分散的有機EL面板模組。
C.具體實施例2
在此係描述一根據本發明之具體實施例適用於較高畫質及較高速率驅動之進一步達成的有機EL面板模組。為此目的，在本具體實施例中，一臨限值校正操作係在複數個水平線之一單元中共同地實行。應注意的係，一對應於臨限值校正操作所共同地實行之水平線的像素之信號電位的寫入，係在一臨限值校正週期結束後依時序執行。
C-1.系統組態
圖19顯示一根據本發明的一具體實施例2之有機EL面板模組31的一般系統組態。
參考圖19，所示之有機EL面板模組31包括一像素陣列區段21，及一對寫入掃描驅動器33、一對電源供應掃描驅動器35及一水平選擇器37，其係用於像素陣列區段21之驅動電路。
C-2.基本驅動操作
圖20A至20E說明用於本具體實施例之驅動操作的一範例。應注意的係，在圖20A至20E的驅動操作範例中，臨限值校正操作係對於在垂直方向中彼此相鄰定位之兩個像素共同地實行，即實行對於兩個相鄰水平線之臨限值校正操作。附帶地，在圖20A至20E中說明臨限值校正操作係僅在兩個水平掃描週期內實行一次。
如從圖20A至20D中見到，在一臨限值校正準備週期開始後直至臨限值校正週期結束之電位關係，係在第N階段及第N+1階段間相同，且可辨識到頗相同之驅動操作係在兩個水平線間執行。然而，如從圖20B及20D可見，如關於對應於一臨限值的信號電位Vsig之寫入，第N階段寫入係首先執行，且接著執行第N+1階段寫入。
附帶地，其中採用如以上描述之此一驅動方法的優點在於欲施加至圖20E中說明的信號線DTL之電位的轉變次數減少，及可用於電位寫入之實際時間週期可增加。例如，在具體實施例1之情況下，兩個水平掃描週期內之信號電位的轉變次數係四，包括偏移電位Vofs→信號電位Vsig→偏移電位Vofs→信號電位Vsig。
另一方面，在具體實施例2之情況下，兩個水平掃描週期內之信號電位的轉變次數係三，包括偏移電位Vofs→信號電位Vsig(第N階段)→信號電位Vsig(第N+1階段)。換句話說，在具體實施例2之情況下，信號線DTL之電位的轉變次數係小一。對於此週期長度，可將一足夠週期應用於臨限值校正。
然而，在本驅動系統之情況下，一在水平線間之信號電位Vsig的寫入時序中的差異有時造成圖像品質惡化的原因。
此係參考圖21A至21E及22A至22E更詳細描述。圖21A至21E說明用於驅動對應於第N(N係奇數)水平線之像素電路的驅動波形之範例。同時，圖22A至22E說明用於驅動對應於第N+1水平線之像素電路的驅動波形之範例。
如在圖22A至22E中可見，驅動電晶體T2之閘極電位Vg及源極電位Vs，係藉由在寫入信號電位Vsig開始前之一等待時間週期內的驅動電晶體T2之洩漏電流，有機EL元件OLED之洩漏電流，掃描電晶體T1的洩漏電流等等變化。此變動之方式係藉由一粗虛線指示。
尤其係，驅動電晶體T2之源極電位Vs係受驅動電晶體T2的洩漏電流影響，以致在一朝向饋送線DSL之電位(即朝向高電位Vcc)之方向中偏移，但係受到有機EL元件OLED的洩漏電流影響，以致在朝向陰極電位Vcath之另一方向中偏移。
在此，若假設在臨限電壓校正結束處之驅動電晶體T2的源極電位Vs等於或低於陰極電位Vcath，則驅動電晶體T2之源極電位Vs在信號電位Vsig之寫入開始前提升。藉由源極電位Vs之提升的自舉操作，閘極電位Vg亦提升。
電壓之提升與寫入前之時間長度成比例地發生。特別係當驅動電晶體T2之洩漏電流大於其他洩漏電流時，閘極電位Vg及源極電位Vs間之提升差異變成在兩個像素(針對其臨限值校正操作係共同實行)間無法忽視的位準。結果，第N+1階段之水平線的動態範圍變得小於一所需動態範圍。
此表示一亮度差異亦出現在相同梯度值被寫入至在垂直方向中彼此相鄰定位之兩個水平線的像素內。因此，即使當顯示一遍布其整個區域係均勻的螢幕影像時，週期性不規則性或陰影出現如圖23中所見。
C-3.驅動操作中之改進的範例
圖24說明驅動電晶體T2之一般Vg-Id特性。參考圖24，即使驅動電晶體T2的閘極-源極電壓Vgs係等於臨限電壓Vth，一固定值之電流Ids會因為寄生電容及等等而實際上流動。在圖24中，驅動電晶體T2之閘極-源極電壓Vgs係藉由Ct2代表。
因此，若一臨限值校正操作結束後直至實行寫入之時間不同，則在驅動電晶體T2之源極電位Vs的提升數量中之差異因為洩漏電流之影響而變得顯著。特別係當有機EL元件OLED及等等之寄生電容Cel係小時，洩漏電流的影響變得顯著。
因此，本發明之發明者提出一種驅動方法，其中一低於偏移電位Vofs之重設電位Vini，係在一臨限值校正操作完成後緊接信號電位Vsig之首先寫入前施加至在垂直方向中彼此相鄰定位的兩個像素電路。
若信號線DTL之電位係在一臨限值校正操作完成後信號電位Vsig之寫入開始前，自偏移電位Vofs改變至低於偏移電位Vofs之重設電位Vini(藉由圖25E中之一粗線指示)，則對應至該等像素(臨限值校正操作係對於其共同地實行)之各者的像素電路之驅動電晶體T2的閘極電位Vg變化至重設電位Vini。
在此範例中，驅動電晶體T2之源極電位Vs變成(1-g)‧Vofs-Vth+g×Vini。因而，在重設電位Vini被輸入後之驅動電晶體T2的閘極-源極電壓Vgs成為(1-g)‧(Vini-Vofs)+Vth。在此，因為Vini<Vofs，此時間處之閘極-源極電壓Vgs係低於臨限電壓Vth。
此表示驅動電晶體T2之閘極-源極電壓Vgs可用重設電位Vini的值調整。因此，流經驅動電晶體T2之洩漏電流可調整至一如圖24中所見的最小狀態。
隨著驅動電晶體T2之洩漏電流減少，驅動電晶體T2之源極電位Vs的提升數量可在一臨限值校正操作結束後寫入開始前之週期內減少。
結果，即使直至完成臨限值校正操作後信號電位Vsig之寫入開始的時間週期對於每一水平線皆變化，驅動電晶體T2之閘極-源極電壓Vgs的提升差異可被抑制至一幾乎可忽視的位準。此表示由於起源於洩漏電流之不規則性或陰影的圖像品質惡化不會出現在水平線間。
為了參考，用於第N及第N+1階段之驅動波形分別在圖26A至26E及27A至27E中說明。在此，圖26A至26E說明一用於驅動對應於一位在第N階段(N係奇數)處之水平線的像素電路之驅動波形範例。同時，圖27A至27E說明一用於驅動對應於一位在第N+1階段處之水平線的像素電路之驅動波形範例。
如藉由圖26C至26E及27C至27E中之粗線指示，在臨限值校正操作開始後信號電位Vsig之寫入開始前之閘極電位Vg及源極電位Vs之變動明顯地減少。
C-4.概述
當採用根據以上描述之本具體實施例的驅動系統時，即使當像素陣列區段21之像素解析度提升且即使當像素陣列區段21的驅動速率增加時，有機EL面板模組不經受起源於洩漏電流之圖像品質的惡化。
自然地，在本具體實施例中，以上描述的驅動方法不僅可應用在一其中臨限值校正操作係對於在垂直方向中彼此相鄰定位之兩個水平線共同地實行，而且亦應用在其中一臨限值校正操作係對於在垂直方向中彼此相鄰定位之三個或三個以上之水平線共同地實行。
D.具體實施例3
在此，本發明之一具體實施例其中一臨限值校正操作係對於在相同水平準線內定位的複數個像素電路共同地實行且信號電位係使用一信號線DTL依時序地寫入至像素電路中。
a.系統範例1
圖28顯示根據一具體實施例3之有機EL面板模組41的系統組態之第一範例。應注意的係，在圖28所示之有機EL面板模組41中，在相同水平線上的一R像素、一G像素及一B像素係連接至一信號線DTL。換句話說，在圖28顯示之第一組態範例中，一共同臨限值校正操作係應用於構成一像素的三個子像素，且對應於子像素的信號電位Vsig係依時序地寫入至子像素內。
至於子像素之驅動電路，一寫入掃描驅動器43、一電源供應掃描驅動器45及一水平選擇器47係如以上描述的其他具體實施例中類似地使用。
然而，應注意到，在圖28所示的系統組態中，一第二掃描電晶體T3係佈置於各像素電路中用於改變子像素的驅動時序。
第二掃描電晶體T3係在第一掃描電晶體T1的主電極之一及驅動電晶體T2的閘極電極間串聯連接，且分別係藉由一專用之時脈來源49R、49G或49B驅動及控制。
圖29A至29I說明一在圖28之系統組態範例中的像素電路之驅動操作的範例。尤其係，圖29A說明饋送線DSL之一電位波形。圖29B說明信號線DTL之電位波形。亦在此範例中，在信號電位Vsig於一臨限值校正操作結束後首先寫入前，信號線DTL之電位受控制成為低於偏移電位Vofs之重設電位Vini。
圖29C說明第一寫入掃描線WSL之一電位波形。另外，寫入掃描線WSL之電位波形係類似於饋送線DSL的電位波形供應至並列在一線上之所有子像素。
圖29D至29F說明將信號電位Vsig區分用於個別子像素之第二寫入掃描線WS_R、WS_G及WS_B的電位波形。
圖29G至29I分別說明對應於第一寫入掃描線WSL之電位波形與第二寫入掃描線WS_R、WS_G及WS_B之電位波形的邏輯AND值，及對應於個別子像素的電位波形。尤其係，圖29G至29I指示第一及第二掃描電晶體T1及T3同時操作成為一接通狀態之時序。
換句話說，圖29G至29I說明信號線DTL之電位被寫入至儲存電容器Cs內的時序。
應注意的係圖29G說明一對應於R像素的時序波形；圖29H說明對應於G像素的時序波形；及圖29I說明對應於B像素的時序波形。
附帶地，在本系統組態範例之情況下，係新近需要三個時脈來源49R、49G及49B，且三個寫入掃描線WS_R、WS_G及WS_B係新近需用於一水平線。然而，與用於移位暫存器相比，用於時脈來源之成本的增加較小，且可將該系統組態範例充分地置於實際使用。
b.系統範例2
圖30顯示一根據具體實施例3之有機EL面板模組51的系統組態之第二範例。參考圖30，亦在所示之有機EL面板模組51中，相同水平線上的一R像素、一G像素及一B像素係連接至一信號線DTL。然而，系統範例2不同於系統範例1在於用於不同色彩之寫入掃描線WSLR、WSLG及WSLB係不使用時脈來源準備。
圖30之系統組態使用包括用於子像素的一寫入掃描驅動器53、一電源供應掃描驅動器55及一水平選擇器57之驅動電路。
在本系統範例中，一對應於各子像素之像素電路的組態亦可與具體實施例1或具體實施例2者相同。
圖31A至31E說明本系統範例之像素電路的驅動操作之範例。尤其係，圖31A說明一饋送線DSL之電位波形。圖31B說明一信號線DTL之電位波形。另外在此範例中，在信號電位Vsig於一臨限值校正操作結束後首先寫入前，信號線DTL之電位受控制成為低於偏移電位Vofs之重設電位Vini。
圖31C至31E說明佈線用於個別色彩之子像素的寫入掃描線WSLR、WSLG及WSLB之電位波形。圖31C至31E之波形分別對應於系統範例1中之圖29G至29I者。因此，在本系統範例之情況下，亦預期如系統範例1中相同之驅動操作。然而，應注意到，在本系統範例中，係需要專用於個別色彩之掃描驅動器，且需要比系統範例1中的數目多兩個之寫入掃描驅動器。
c.其他
儘管在本具體實施例中，係準備專用於R像素、G像素及B像素之各者的一時脈來源或一寫入掃描驅動器，時脈來源或寫入掃描驅動器無須必然對應於該等色彩之各者。重點係僅須準備一或多個時脈來源，或一或多個線掃描驅動器，以致可根據共同使用一信號線之子像素的數目分割一驅動時序。
E.其他具體實施例 E-1.像素電路之其他範例
在本發明之具體實施例的先前描述中，一像素電路係由兩個薄膜電晶體構成。
然而，可對於一像素電路採用一些其他電路組態。圖32顯示一由五個薄膜電晶體構成之像素電路。
參考圖32，所示像素電路(除了以上描述之掃描電晶體T1、驅動電晶體T2及儲存電容器Cs以外)包括在一臨限值校正準備週期內之一專用於寫入重設電位Vini之掃描電晶體T3，一專用於施加高電位Vcc之饋送電晶體T4，及一專用於施加一重設電位之重設電晶體T5。
應注意的係在圖32所示之像素電路中的高電位Vcc係一固定電源供應。
圖33A至33G說明像素電路之驅動操作的範例。尤其係，圖33A說明一對應於一位在第N階段(N係奇數)處之水平線的饋送控制掃描線DSCL的電位波形。圖33B說明一對應於位在第N階段(N係奇數)處之水平線的寫入掃描線WSL的電位波形。
同時，圖33D說明一對應於一位在第N+1階段處之水平線的寫入掃描線WSL的電位波形。圖33C說明一對應於位在第N+1階段處之水平線的饋送控制掃描線DSCL的電位波形。
圖33E說明一偏移信號線OFSL的電位波形。圖33F說明重設信號線RSL之一電位波形。圖33G說明共用於兩個像素之信號線DTL的電位波形。另外在此範例中，在信號電位Vsig於一臨限值校正操作結束後首先寫入前，信號線DTL之電位受控制成為低於偏移電位Vofs之重設電位Vini。
E-2.產品之範例 a.電子設備
在以上所述具體實施例中，本發明係應用於有機EL面板模組。然而，有機EL面板模組亦分散成一其中被併入各種電子設備之商品的形式中。在下文中，係描述其中有機EL面板模組被併入其他電子設備之各種範例。
圖34顯示一電子設備71之組態的範例。參考圖34，電子設備71包括一在上文描述之有機EL面板模組73及一系統控制區段75。藉由系統控制區段75執行之處理的內容取決於電子設備71之商品形式而不同。
應注意，若電子設備71併入一顯示在該設備中產生或從外部輸入之一影像的功能，則其不受限於在一特定領域中的設備。
圖35以電視接收器之形式顯示一電子設備的外觀之範例。參考圖35，電視接收器81包括一顯示螢幕87，其係提供在其外殼之前面上；及包括一前面板83、一濾光玻璃板85等等。顯示螢幕87對應於上文描述之任何具體實施例的有機EL面板模組。
電子設備71或者可具有一(例如)數位相機的形式。圖36A及36B顯示一數位相機91之外觀的範例。尤其係，圖36A顯示數位相機91的前面側(即影像讀取物體側)之外觀的範例，且圖36B顯示後面側(即影像讀取人側)之外觀的範例。
參考圖36A及36B，所示之數位相機91包括一保護蓋93、一影像讀取透鏡區段95、一顯示螢幕97、一控制開關99及一快門按鈕101。顯示螢幕97對應於以上描述之任何具體實施例的有機EL面板模組。
電子設備71或可具有一(例如)攝錄影機之形式。圖37顯示一攝錄影機111之外觀的範例。
參考圖37，所示之攝錄影機111包括一本體113；及一影像讀取透鏡115，其係用於讀取一影像讀取物體之影像；一開始/停止開關117，其係用於影像讀取；及一顯示螢幕119，其係提供在本體113之一前部分處。顯示螢幕119對應於以上描述之任何具體實施例的有機EL面板模組。
電子設備71或者可具有(例如)一可攜式終端設備之形式。圖38A及38B顯示一成為一可攜式終端設備之可攜式電話機121之外觀的範例。參考圖38A及38B，所示之可攜式電話機121係可折疊類型，及圖38A顯示一可攜式電話機121在一其中其外殼係展開之狀態中的外觀之範例，而圖38顯示可攜式電話機121在其中其外殼係折疊之另一狀態中的外觀之範例。
可攜式電話機121包括一上側外殼123、一下側外殼125，一在鉸接區段之形式中的連接區段127、一顯示螢幕129、一子顯示螢幕131、一圖像光133及一影像讀取透鏡135。顯示螢幕129及子顯示螢幕131對應於以上描述之任何具體實施例的有機EL面板模組。
電子設備71或者可具有一(例如)電腦之形式。圖39顯示一筆記型電腦141之外觀的範例。
參考圖39，所示之筆記型電腦141包括一下側外殼143、一上側外殼145、一鍵盤147及一顯示螢幕149。顯示螢幕149對應於以上描述之任何具體實施例的有機EL面板模組。
電子設備71或者可具有一例如音訊再生設備、遊戲機器、電子書及電子辭典之各種其他形式。
E-3.顯示裝置的其他範例
在先前描述中，本發明係應用於有機EL面板模組。
然而，亦可將以上描述的驅動技術應用於其他類型的EL顯示設備。例如，可將本發明亦應用於(例如)其中複數個LED(發光二極體)係排成陣列的顯示設備，及其中具有一些其他二極體結構之複數個發光元件係在一螢幕上排成矩陣之另一顯示設備。
E-4.其他
以上描述之具體實施例可在不脫離本發明之精神及範圍下以各種方式修改。另外可基於本發明之揭示內容產生或結合各種修改及應用。
1．．．有機EL面板模組
3．．．像素陣列區段
5．．．寫入掃描驅動器
7．．．電源供應掃描驅動器
9．．．水平選擇器
11．．．有機EL面板模組
13．．．支撐基板
15．．．相對區段
17．．．撓性印刷電路/FPC
21．．．像素陣列區段
23．．．寫入掃描驅動器
25．．．電源供應掃描驅動器
27．．．水平選擇器
29．．．時序產生器/TG
31．．．有機EL面板模組
33．．．寫入掃描驅動器
35．．．電源供應掃描驅動器
41．．．有機EL面板模組
43．．．寫入掃描驅動器
45．．．電源供應掃描驅動器
47．．．水平選擇器
49B．．．時脈來源
49G．．．時脈來源
49R．．．時脈來源
51．．．有機EL面板模組
53．．．寫入掃描驅動器
55．．．電源供應掃描驅動器
57．．．水平選擇器
71．．．電子設備
73．．．有機EL面板模組
75．．．系統控制區段
81．．．電視接收器
83．．．前面板
85．．．濾光玻璃板
87．．．顯示螢幕
91．．．數位相機
93．．．保護蓋
95．．．影像讀取透鏡區段
97．．．顯示螢幕
99．．．控制開關
101．．．快門按鈕
111．．．攝錄影機
113．．．本體
115．．．影像讀取透鏡
117．．．開始/停止開關
119．．．顯示螢幕
121．．．可攜式電話機
123．．．上側外殼
125．．．下側外殼
127．．．連接區段
129．．．顯示螢幕
131．．．子顯示螢幕
133．．．圖像光
135．．．影像讀取透鏡
141．．．筆記型電腦
143．．．下側外殼
145．．．上側外殼
147．．．鍵盤
149．．．顯示螢幕
Cel．．．寄生電容
Cs．．．儲存電容器
DSL．．．饋送線
DSCL．．．饋送控制掃描線
DTL．．．信號線
OFSL．．．偏移信號線
OLED．．．有機EL元件
T1．．．掃描電晶體
T2．．．掃描電晶體
T3．．．第二掃描電晶體
T4．．．饋送電晶體
T5．．．重設電晶體
WSL．．．寫入掃描線
WSLB．．．寫入掃描線
WSLG．．．寫入掃描線
WSLR．．．寫入掃描線
WS_B．．．第二寫入掃描線
WS_G．．．第二寫入掃描線
WS_R．．．第二寫入掃描線
圖1係一有機EL顯示面板模組之電路方塊組態的方塊圖；
圖2係顯示一像素電路之範例的電路圖；
圖3係一說明有機EL元件之I-V特性的經長時間之惡化的圖式；
圖4係一顯示一像素電路之另一範例的電路圖；
圖5係顯示一應用本發明之具體實施例的有機EL面板模組之外觀組態之範例的示意圖；
圖6係顯示一根據本發明之具體實施例1的有機EL面板模組之系統組態之範例的方塊圖；
圖7係一說明在圖6之有機EL面板模組的像素電路及驅動電路間的連接關係之方塊圖；
圖8係一用於圖6之有機EL面板模組的像素電路之形式的方塊圖；
圖9A至9E係說明用於圖8之像素電路的驅動操作之一範例的時序圖表；
圖10至13係說明圖8之像素電路的不同操作狀態之電路圖；
圖14係一說明一電晶體之源極電位的經長時間之惡化之圖式；
圖15及16係說明圖8之像素電路的不同操作狀態之電路圖；
圖17係一說明產生自移動率中差異之電晶體的經長時間之惡化中之差異的圖式；
圖18係說明圖8之像素電路的操作狀態之電路圖；
圖19係一顯示根據本發明之具體實施例2的有機EL面板模組之系統組態的範例之方塊圖；
圖20A至20E係說明用於圖19中所示之像素電路的驅動操作之一範例的時序圖表；
圖21A至21E係說明對應於圖19之有機EL面板模組中的第N水平線之像素電路的驅動波形之範例的圖式；
圖22A至22E係說明對應於圖19之有機EL面板模組中的第N+1水平線之像素電路的驅動波形之範例的圖式；
圖23係一顯示在其上影像不均勻出現之螢幕影像的示意圖；
圖24係一說明一薄膜電晶體之Vg-Id特性的圖式；
圖25A至25E係說明用於圖19中所示的像素電路之驅動操作的另一範例之時序圖表；
圖26A至26E係說明對應於圖19之有機EL面板模組中的第N水平線之像素電路的驅動波形之另一範例的圖式；
圖27A至27E係說明對應於圖19之有機EL面板模組中的第N+1水平線之像素電路的驅動波形之另一範例的圖式；
圖28係一顯示根據本發明之具體實施例3的有機EL面板模組之系統組態的第一範例之方塊圖；
圖29A至29I係說明圖28中所示之像素電路的驅動操作之範例的時序圖表；
圖30係一顯示根據本發明之具體實施例3的有機EL面板模組之系統組態的第二範例之方塊圖；
圖31A至31E係說明圖30中所示之像素電路的驅動操作之範例的時序圖表；
圖32係一顯示像素電路之不同範例的方塊電路圖；
圖33A至33G係說明圖32中所示之像素電路的驅動操作之一範例的時序圖表；
圖34係一電子設備之範例的示意圖；及
圖35、36A及36B、37、38A及38B，及39係顯示圖34之電子設備的不同範例成為商品之示意圖。
(無元件符號說明)

Claims (7)

  1. 一種電致發光顯示面板模組，其係將像素陣列區段及驅動像素電路之驅動電路安裝在同一基板上，該像素陣列區段係矩陣狀地形成有包含像素電路及發光元件之像素，其中像素電路至少包含閘極連接至掃描線之掃描電晶體、驅動電晶體及儲存電容器，於驅動電晶體，閘極經由掃描電晶體連接至信號線，源極連接至發光元件，汲極連接至電源，儲存電容器連接至驅動電晶體之閘極及源極之間，連接至一條信號線之複數個像素電路係以臨限值校正操作於相同時點完成之方式驅動，藉由驅動電路於臨限值校正操作完成之後，將對應於各像素電路之信號電位依序施加至信號線，自臨限值校正操作之完成起，隔相異之時間間隔，依序執行對各像素電路之信號電位之寫入，且驅動電路係在施加最初之信號電位至信號線之前，將低於臨限值校正用之基準電位之重設電位施加至信號線，且經由掃描電晶體而施加重設電位至複數個像素電路之驅動電晶體之閘極電極。
  2. 如請求項1之電致發光顯示面板模組，其中該等複數個像素電路係位在不同水平線上。
  3. 如請求項1之電致發光顯示面板模組，其中該等複數個像素電路係位在相同水平線上。
  4. 一種電致發光顯示面板，其係將像素陣列區段及驅動像素電路之驅動電路形成在同一基板上，該像素陣列區段係矩陣狀地形成有包含像素電路及發光元件之像素，其中像素電路至少包含閘極連接至掃描線之掃描電晶體、驅動電晶體及儲存電容器，於驅動電晶體，閘極經由掃描電晶體連接至信號線，源極連接至發光元件，汲極連接至電源，儲存電容器連接至驅動電晶體之閘極及源極之間，連接至一條信號線之複數個像素電路係以臨限值校正操作於相同時點完成之方式驅動，藉由驅動電路於臨限值校正操作完成之後，將對應於各像素電路之信號電位依序施加至信號線，自臨限值校正操作之完成起，隔相異之時間間隔，依序執行對各像素電路之信號電位之寫入，且驅動電路係在施加最初之信號電位至信號線之前，將低於臨限值校正用之基準電位之重設電位施加至信號線，且經由掃描電晶體施加重設電位至複數個像素電路之驅動電晶體之閘極電極。
  5. 一種積體電路裝置，其構成驅動控制像素陣列區段之驅動電路，該像素陣列區段係矩陣狀地形成有包含像素電路及發光元件之像素，其中像素電路至少包含閘極連接至掃描線之掃描電晶體、驅動電晶體及儲存電容器， 於驅動電晶體，閘極經由掃描電晶體連接至信號線，源極連接至發光元件，汲極連接至電源，儲存電容器連接至驅動電晶體之閘極及源極之間，連接至一條信號線之複數個像素電路係以臨限值校正操作於相同時點完成之方式驅動，藉由驅動電路於臨限值校正操作完成之後，將對應於各像素電路之信號電位依序施加至信號線，自臨限值校正操作之完成起，隔相異之時間間隔，依序執行對各像素電路之信號電位之寫入，且驅動電路係在施加最初之信號電位至信號線之前，將低於臨限值校正用之基準電位之重設電位施加至信號線，且經由掃描電晶體施加重設電位至複數個像素電路之驅動電晶體之閘極電極。
  6. 一種電子設備，其包含：像素陣列區段，其係矩陣狀地形成有包含像素電路及發光元件之像素；驅動電路，其驅動像素電路；系統控制區段，其控制系統全體之操作；及操作輸入區段，其接受對系統控制區段之操作輸入；其中像素電路至少包含閘極連接至掃描線之掃描電晶體、驅動電晶體及儲存電容器，於驅動電晶體，閘極經由掃描電晶體連接至信號線，源極連接至發光元件，汲極連接至電源， 儲存電容器連接至驅動電晶體之閘極及源極之間，連接至一條信號線之複數個像素電路係以臨限值校正操作於相同時點完成之方式驅動，藉由驅動電路於臨限值校正操作完成之後，將對應於各像素電路之信號電位依序施加至信號線，自臨限值校正操作之完成起，隔相異之時間間隔，依序執行對各像素電路之信號電位之寫入，且驅動電路係在施加最初之信號電位至信號線之前，將低於臨限值校正用之基準電位之重設電位施加至信號線，且經由掃描電晶體施加重設電位至複數個像素電路之驅動電晶體之閘極電極。
  7. 一種像素陣列區段之驅動控制方法，該像素陣列區段係矩陣狀地形成有包含像素電路及發光元件之像素，其中像素電路至少包含閘極連接至掃描線之掃描電晶體、驅動電晶體及儲存電容器，於驅動電晶體，閘極經由掃描電晶體連接至信號線，源極連接至發光元件，汲極連接至電源，儲存電容器連接至驅動電晶體之閘極及源極之間，連接至一條信號線之複數個像素電路係以臨限值校正操作於相同時點完成之方式驅動，於臨限值校正操作完成之後，將對應於各像素電路之信號電位依序施加至信號線，自臨限值校正操作之完成起，隔相異之時間間隔，依序執行對各像素電路之信號電位之寫入，且在施加最初之信號電位至信號線之前，將低於臨限值 校正用之基準電位之重設電位施加至信號線，且經由掃描電晶體施加重設電位至複數個像素電路之驅動電晶體之閘極電極。
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