CN1497529A - 有源型发光显示装置 - Google Patents

Abstract

在具有利用了阈值电压校正方式的像素结构的有源矩阵型发光显示装置中，在复位期间中由驱动用TFT抑制过载电流流向发光元件。一个像素10由控制用TFT(Tr1)；作为阈值电压生成元件起作用的TFT(Tr 3)；作为复位元件起作用的TFT(Tr 4)；驱动用TFT(Tr 2)；保持驱动用TFT的栅极电压的电容C1；作为在复位动作时使其关断控制的电流抑制装置而起作用的TFT(Tr 5)以及EL元件E1构成。在将上述电容C1的端子电压复位到规定电位的复位动作时，进行下面的动作，就是将TFT(Tr 5)控制为关断状态，防止由驱动用TFT(Tr 2)的动作向EL元件E1供给过载电流。

Description

有源型发光显示装置

技术领域

本发明涉及由TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)对构成像素的发光元件进行有源驱动的发光显示装置，特别是，涉及作为发光元件的点亮驱动装置，在利用了所谓的阈值电压校正方式的情况下能解决其产生的问题的有源型发光显示装置。

背景技术

使用了把发光元件排列为矩阵状来构成的显示面板的显示器的开发被广泛地推进。作为用在这样的显示面板中的发光元件，在发光层中使用了有机材料的有机EL(电致发光)元件受到注目。这也有赖于以下的背景，就是在EL元件的发光层中，基于使用可期待有良好发光特性的有机化合物，实现了实用中的高效率化以及长寿命化。

作为涉及使用了EL元件的显示面板，把EL元件只排列为矩阵状的单一矩阵型显示面板，和在每个排列为矩阵状的EL元件中，加上从TFT来的能动元件的有源矩阵型显示面板被提议。与前者的单一矩阵型显示面板进行比较，后者的有源矩阵型显示面板能实现低功耗，还具备像素之间的串扰很少的特性，特别是，适用于构成大画面高清晰度的显示器。图1表示在现有的有源矩阵型显示面板中，对应于一个像素10的最基本的电路结构，它被称作电导控制方式。在图1中由P沟道构成的控制用TFT(Tr1)的栅极被连接到来自扫描驱动器1的扫描线上，其源极被连接到来自数据驱动器2的数据线上。另外，控制用TFT(Tr1)的漏极同样地被连接到由P沟道构成的控制用TFT(Tr2)控制的同时，与蓄积电荷用电容C1的一端连接。

进而，驱动用TFT(Tr2)的源极与上述电容C1的另一端连接的同时，与向作为发光元件的EL元件E 1供给驱动电流的阳极侧电源(VHanod)连接。还有，驱动用TFT(Tr2)的漏极与上述EL元件E1的阳极连接，该EL元件E1的阴极与阴极侧电源(Vlcath)连接。

图1中，在控制用TFT(Tr1)的栅极中通过扫描线供给导通控制电压(Select)时，控制用TFT(Tr1)就把与来自供给源极的数据线的数据电压(Vdata)对应的电流，从源极流向漏极。因此，控制用TFT(Tr1)的栅极在导通电压的期间，上述电容C1被充电，该电压就被供到驱动用TFT(Tr2)的栅极。因而，驱动用TFT(Tr2)把基于该栅极电压和源极电压的电流流向EL元件E1，并驱动EL元件的发光。

还有，控制用TFT(Tr1)的栅极为截至电压时，控制用TFT(Tr1)就变为所谓的关断状态，控制用TFT(Tr1)的漏极就变为导通状态，驱动用TFT(Tr2)根据蓄积在电容C1中的电荷维持栅极电压，到下一次扫描为至维持驱动电流，进而维持EL元件14的发光。

此时，为有源驱动代表有机EL元件的电流驱动型发光元件，作为构成TFT的素材必须要有相当的电子迁移率，为了驱动它，一般使用低温多晶硅。然而，在这种多晶硅中，众所周知，由于结晶体的组成，在阈值电压中会产生偏差，该TFT的阈值电压偏差使驱动用TFT的漏极电流产生偏差。同时，上述有机EL元件在驱动电流中以大致成比例的强度进行发光，因此，驱动用TFT的漏极电流偏差在各像素之间直接导致发光亮度的偏差。

此处，基于TFT的阈值电压偏差，为补偿像素之间的亮度的不均一性，如图2所示，提出了有4个TFT的像素结构的方案。该图2中示明的结构，在此处就称为阈值电压校正方式，根据此结构，如后述那样，驱动用TFT的阈值特性被有效地进行补偿而使其工作。关于该阈值电压校正方式，在以下非专利文献中被介绍。

Sang-Hoon Jung，Woo-Jin Nam and Min-Koo Han，“A New VoltageModulated AMOLED Pixel Design Compensating Threshold VoltageVariation of Poly-Si TFTs”，SDI，InternationalSymp.Proc.，P.622-624.2002。

在图2所示明的结构中，由P沟道构成的控制用TFT(Tr1)的栅极，与来自扫描驱动器1的扫描线连接，其源极与来自数据驱动器2的数据线连接。另外，控制用TFT(Tr1)的漏极通过与在同一像素10中形成的P沟道型TFT(Tr3)，TFT(Tr4)的并联连接部分，同样地被连接到P沟道型的驱动用TFT(Tr2)中。

在该驱动用TFT(Tr2)的栅极和源极之间，在EL元件E1的点亮驱动状态下，将维持驱动用TFT(Tr2)的栅极电压的电容C1进行连接的同时，将该源极连接到向该源极EL元件E1供给驱动电流的阳极侧电源(VHanod)上。还有，上述驱动用TFT(Tr2)的漏极与EL元件E1的阳极连接，该EL元件E1的阴极与阴极侧电源(Vhcath)连接。

在上述控制用TFT(Tr1)的漏极和驱动用TFT(Tr2)的栅极之间连接的TFT(Tr3)以及TFT(Tr4)的并联连接部分中，各个栅极和漏极为短路状态，实际上TFT(Tr3)以及TFT(Tr4)的栅极·漏极之间为反向并联连接的结构。

在上述结构中，控制用TFT(Tr1)，驱动用TFT(Tr2)以及蓄积电荷用电容C1的作用与图1所示的例大致相同。同时，根据TFT(Tr3)以及TFT(Tr4)的栅极·漏极之间为反向并联连接的结构，图2中a点的电位(Va＝Vdata)规定以上比b点的电位(Vb)高时，TFT(Tr3)就为导通状态，TFT(Tr4)就为关断状态。相反地，a点的电位(Va)规定以上比b点的电位(Vb)低时，TFT(Tr3)就为关断状态，TFT(Tr4)就为导通状态。利用上述功能，在图2中所示的像素结构中，例如，按每帖实行使电容C1的电荷复位的复位动作，以及将数据重新写入到电容C1中的写入动作。

图3为说明其工作原理的时间图，首先，在1所表示的时限中，从扫描驱动器1供给的Select电压被切换为低电平。由此控制用TFT(Tr1)就变为导通状态。此时，从数据驱动器2供给的数据电压Vdata为低电平，因此，TFT(Tr4)就为导通状态。电容C1的端子电压，即b点的电位(Vb)与上述Vdata的低电平接近，被充分地复位到低电平状态。

接下来，在2所表示的时限中，从数据驱动器2供给的数据电压Vdata被升高。此时，TFT(Tr3)就变为导通状态，TFT(Tr4)就变为关断状态。因而，对上述从数据驱动器2供给的数据电压Vdata，由TFT(Tr3)降低阈值电压(向低压侧进行电平位移)后的数据电压作为栅极电压写入到电容C1中。

其后，在3所表示的时限中，从扫描驱动器1供给的Select电压为了能切换为高电平，控制用TFT(Tr1)变为截至状态，更在4所表示的时限中，数据电压Vdata也能被切换为低电平。即，上述1～2的期间为复位期间，能将2～3的期间称为向电容C1写入数据的期间。然后，在写入期间中，基于写入到电容C1中的驱动用TFT(Tr2)的栅极电压，驱动用TFT(Tr2)通过1帖的期间对EL元件E1供给驱动电流(漏极电流)。

因此，在上述TFT(Tr3)的源极·栅极之间，作为使阈值电压进行电平位移的阈值电压生成元件在起作用，上述TFT(Tr4)的源极·栅极之间，作为由该导通动作把电容C1的端子电压复位到规定的电位的复位元件在起作用。

同时，如图2所示，可以说在同一像素内形成的各TFT(Tr2)和TFT(Tr3)中，阈值电压的偏差很低，二者的阈值电压几乎为相同。因此，在上述写入期间中写入到电容C1中的栅极电压把驱动用TFT(Tr2)的阈值电压实质上被取消。因此，根据电容C1的电荷，驱动EL元件E1的驱动用TFT(Tr2)的漏极电流不依存该阈值电压，作为结果，EL元件E1的发光亮度不受驱动用TFT的阈值电压偏差的影响。

因此，采用根据图2中示明的阈值电压校正方式的像素结构的情况下，发光显示面板中不特别追加控制线等，另外也不把周围的驱动电路复杂化，在驱动用TFT中能有效地降低阈值电压偏差的影响。

同时，根据采用了阈值电压校正方式的图2中示明的结构，在使蓄积在电容C1中的栅极电压复位的复位期间中，通过作为控制用TFT(Tr1)以及复位元件而起作用的TFT(Tr4)的栅极·源极之间，电容C1的端子电压，即把b点的电位(Vb)复位到接近低电平的Vdata，并且充分低的电平状态。因此，根据图2所示的结构，对驱动用TFT(Tr2)的栅极而言，同样地变为施加低电平的数据电压Vdata。由此，驱动用TFT(Tr2)虽然为瞬时但变为完全的导通状态，变为通过驱动用TFT(Tr2)向EL元件流向大的驱动电流(过载电流)。

受此影响，在显示面板中，产生对比度的恶化，以及低色调时线性度的恶化等，发生使发光元件的寿命缩短等的诸多问题。同时，在图2所示的例中，各TFT都使用P沟道，但是在各TFT使用了N沟道的情况下，也与在复位期间中向EL元件瞬时流向过载电流的情况一样，由此，发生与上述同样的问题。

发明内容

本发明是着目于上述的技术问题所做的发明，其课题为，在采用阈值电压校正方式的像素结构中，伴随使上述电容的电荷复位的复位动作，依据通过驱动用TFT有效地抑制流向发光元件中的过载电流，提供一种解消上述问题点的有源型发光显示装置。

为解决上述课题，与所做的发明有关的发光显示装置为把像素结构的多数进行排列的有源型发光显示装置，其中的像素结构至少具有：发光元件；驱动点亮上述发光元件的驱动用TFT；控制上述驱动用TFT的栅极电压的控制用TFT；设置在上述控制用TFT和驱动用TFT的栅极电压之间，通过使相当于上述驱动用TFT的阈值电压的电压进行电平位移，生成施加在上述驱动用TFT上的栅极电压的阈值电压生成元件；暂时保持上述驱动用TFT的栅极电压的电容；以及使在上述电容中保持的栅极电压复位到规定电位的复位元件，其特征在于，使把上述电容保持的栅极电压，在通过上述复位元件复位到规定电位的复位期间中，由上述驱动用TFT抑制流入上述发光元件中的过载电流的电流抑制装置进行动作。

附图说明

图1是表示现有的采用电导控制方式的有源矩阵型显示装置中，对应一个像素的电路结构的布线图。

图2是表示采用阈值电压校正方式的有源矩阵型显示装置中，对应一个像素的电路结构的布线图。

图3是说明图2所示的显示装置的工作原理的时间图。

图4是说明与本发明有关的有源矩阵型发光显示装置的工作原理的时间图。

图5是表示与本发明有关的有源矩阵型发光显示装置的第1实施例的像素单元的布线图。

图6是表示第2实施例的像素单元的布线图。

图7是表示第3实施例的像素单元的布线图。

图8是表示第4实施例的像素单元的布线图。

图9是表示第5实施例的像素单元的布线图。

图10是表示第6实施例的像素单元的布线图。

图11是表示第7实施例的像素单元的布线图。

具体实施方式

实施例

下面就有关本发明的发光显示装置，基于实施形式进行说明。同时，在以下的说明中，和图2中已示明的各个部分相当的部分使用了同一记号进行表示，因此，对各个功能及动作的说明进行了适当地省略。首先，图5示出第1实施例，其表示对应一个像素10的电路结构。在该第1实施例中，各TFT(Tr1～Tr5)全部由P沟道构成，并如上所述在TFT(Tr3)的源极·栅极之间，作为阈值电压生成元件起作用。另外，在TFT(Tr4)的源极·栅极之间，作为复位元件起作用。

在图5中，在驱动用TFT(Tr2)的漏极与EL元件E1的阳极之间作为开关装置的TFT(Tr5)的各个源极和漏极彼此连接。即，开关用TFT(Tr5)放置在驱动用TFT(Tr2)和EL元件E1之间的串联电路内。进而，TFT(Tr5)在使电容中保持的栅极电压复位的期间中，变为关断状态，并作为伴随复位动作抑制过载电流流向EL元件E1的电流抑制装置在起作用。

图4为说明其工作原理的时间图，图4中所示的Select以及Vdata与由图3说明的控制用TFT的导通控制电压以及数据电压是一样的。加上这些，在本发明的有源型发光显示装置中，利用为使上述电流控制装置进行动作的控制电压(Vcont)。即，上述控制电压(Vcont)产生在为1～2期间的复位期间中。

在图5所示的实施例中，控制电压(Vcont)供给上述开关用TFT(Tr5)的栅极，只在复位期间中把TFT(Tr5)控制在关断状态。因此，在复位期间中，即使上述驱动用TFT(Tr2)完全变为导通状态，因开关用TFT(Tr5)为关断状态，所以能抑制(阻止)过载电流流向EL元件E1。

接下来，图6表示第2实施例，同样表示对应一个像素10的电路结构。在该第2实施例中各TFT(Tr1～Tr4，Tr6)也全部由P沟道构成。进而，上述电容C1的栅极电压保持端子，即作为阈值电压生成元件在起作用的TFT(Tr3)的栅极和驱动用TFT(Tr2)的栅极之间，与作为开关装置起作用的TFT(Tr6)的各个源极和漏极进行连接。在此结构中，上述TFT(Tr6)在使保持在电容C1中的栅极电压复位的期间中变为关断状态。

在此情况下，如图4所示利用在1～2的复位期间中产生的控制电压(Vcont)，只在复位期间中把开关用TFT(Tr6)控制在关断状态。因此，在复位期间中，切断电容C1和驱动用TFT(Tr2)的栅极之间的连接，将伴随复位动作产生的使驱动用TFT(Tr2)进行导通的栅极偏置电压的施加进行阻止。即，在本实施例中，上述TFT(Tr6)在复位期间中作为抑制(阻止)过载电流流向EL元件E1的电流抑制装置在起作用。

图7表示第3实施例，同样表示对应一个像素10的电路结构。在该第3实施例中各TFT(Tr1～Tr4，Tr7)也全部由P沟道构成。进而，在该实施例中，在EL元件E1的两个端部上并联连接开关用TFT(Tr7)。即，在EL元件E1的阳极上连接TFT(Tr7)的源极，，在EL元件E1的阴极上连接TFT(Tr7)的漏极。

在图7所示的结构中，如图4所示利用在1～2的复位期间中产生的控制电压(Vcont)，只在复位期间中把开关用TFT(Tr7)控制在关断状态。即，EL元件E 1的两个端子在复位期间中由开关用TFT(Tr7)被短路。因此，即使在复位期间中上述驱动用TFT(Tr2)完全变为导通状态，流向驱动用TFT(Tr2)的漏极电流的全部也绕过为导通状态的上述开关用TFT(Tr7)。即，上述TFT(Tr2)在复位期间中作为抑制(阻止)过载电流流向EL元件E1的电流抑制装置在起作用。

图8表示第4实施例，同样表示对应一个像素10的电路结构。在该第4实施例中各TFT(Tr1～Tr4)也全部由P沟道构成。进而，在该实施例中，预置有EL元件E1的发光驱动时被利用的阳极侧电源(VHanod)和上述复位动作时被利用的阳极侧电源(VLanod)，其为通过开关S1能进行择一选择来构成。进而，作为上述阳极侧电源的VHanod和VLanod，其电位电平的关系为VHanod＞Vlanod。

在图8所示的结构中，如图4所示利用在1～2的复位期间中产生的控制电压(Vcont)，只在复位期间中上述开关S1起选择低电压的阳极侧电源(VLanod)的作用。即，上述开关S1构成在复位期间中使施加在EL元件的阳极侧的驱动电压下降的电压切换装置。

根据图8所示的构成，在复位期间中即使上述驱动用TFT(Tr2)完全变为导通状态，由于阳极侧电源(VLanod)和阴极侧电源(VLcath)之间的电位差变小，所以能抑制过载电流流向EL元件E1。即，包括上述开关S1的电压切换装置在复位期间中作为抑制过载电流流向EL元件E1的电流抑制装置在起作用。

再者，在图8所示的构成中，在复位期间中由开关S1来选择低电压的阳极侧电源(VLanod)，但是，也可以采用这样的构成，就是将低电压的阳极侧电源(VLanod)删去，将其作为开路端子来使用。这样的构成情况下，在复位期间中把施加在EL元件的阳极侧上的驱动电压(VHanod)从该阳极侧切断，能使其成为开路状态，并能抑制(阻止)过载电流流向EL元件E1。

图9表示第5实施例，同样表示对应一个像素10的电路结构。在该第5实施例中各TFT(Tr1～Tr4)也全部由P沟道构成。进而，在该实施例中，预置有EL元件E1的发光驱动时被利用的阴极侧电源(VLcath)和上述复位动作时被利用的阴极侧电源(VHcath)，其为通过开关S 2能进行择一选择来构成。进而，作为上述阴极侧电源的VLcath和VHcath，其电位电平的关系为VLcath＜VHcath。

在图9所示的结构中，如图4所示利用在1～2的复位期间中产生的控制电压(Vcont)，只在复位期间中上述开关S2起选择高电压的阴极侧电源(VHcath)的作用。即，上述开关S2构成在复位期间中使施加在EL元件的阴极侧的驱动电压上升的电压切换装置。

根据图9所示的构成，在复位期间中即使上述驱动用TFT(Tr2)完全变为导通状态，由于阳极侧电源(VHanod)和阴极侧电源(VHcath)之间的电位差变小，所以能抑制过载电流流向EL元件E1。即，包括上述开关S2的电压切换装置在复位期间中作为抑制过载电流流向EL元件E1的电流抑制装置在起作用。

再者，在图9所示的构成中，在复位期间中由开关S2来选择高电压的阴极侧电源(VHcath)，但是，也可以采用这样的构成，就是将高电压的阴极侧电源(VHcath)删去，将其作为开路端子来使用。这样的构成情况下，在复位期间中把施加在EL元件的阴极侧上的驱动电压(VLcath)从该阳极侧切断，能使其成为开路状态，并能抑制(阻止)过载电流流向EL元件E1。

图10表示第6实施例，同样表示对应一个像素10的电路结构。在该第6实施例中各TFT(Tr1～Tr3，Tr8)也全部由P沟道构成。进而，在该实施例中，使用作为复位元件的二极管D1。即，在作为阈值电压生成元件而起作用的TFT(Tr3)的栅极上连接上述二极管D1的阳极，上述TFT(Tr3)的源极上连接上述二极管D1的阴极。

在该构成中的二极管D1由该二极管D1具有的阈值电压以上的电位差进行导通，并通过该二极管D1把蓄积在电容C1的驱动用TFT(Tr2)的栅极电压进行复位。其复位动作与图2中说明的作用一样。

在该构成中的二极管D1由该二极管D1具有的阈值电压以上的电位差进行导通，并通过该二极管D1把蓄积在电容C1的驱动用TFT(Tr2)的栅极电压进行复位。其复位动作与图2中说明的作用一样。

在图10所示的实施例中，在阳极侧电源(VHanod)和驱动用TFT(Tr2)的源极之间，TFT(Tr8)的各个源极和漏极彼此连接。即，TFT(Tr8)由放置在驱动用TFT(Tr2)和EL元件E1之间的串联电路内来构成。进而，TFT(Tr8)在使保持在电容C1中的栅极电压复位的期间中变为关断状态，并作为伴随复位动作抑制过载电流流向EL元件E1的电流抑制装置在起作用。

在图10所示的结构中，如图4所示利用在1～2的复位期间中产生的控制电压(Vcont)，只在复位期间中把TFT(Tr8)控制在关断状态。因此，在复位期间中，由于TFT(Tr8)为关断状态，即使上述驱动用TFT(Tr2)完全变为关断状态，也能抑制(阻止)过载电流流向EL元件E1。

同时，在已说明的图5～图9所示的构成中，代替作为复位元件而起作用的TFT(Tr4)，可使用图10中所示的二极管D1作为复位元件。

接下来，图11表示第7实施例，同样表示对应一个像素10的电路结构。在该第7实施例中，作为后述的复位元件而起作用的TFT以外，也全部由P沟道构成。进而，在此实施例中，作为复位元件而起作用的N沟道型的TFT(Tr9)，其漏极与驱动用TFT(Tr2)连接，其源极与阴极侧电源的(VLcath)连接。

在图11所示的实施例中，作为电流抑制装置而起作用的TFT(Tr10)被连接在阳极侧电源(VHanod)和驱动用TFT(Tr2)的源极之间。即，与图10所示的TFT(Tr8)的配置构成相同。

在图11所示的结构中，如图4所示利用在1～2的复位期间中产生的控制电压(Vcont)，在复位期间中把TFT(Tr9)进行导通控制的同时，把TFT(Tr10)控制在关断状态。如上所述，在复位期间中根据把TFT(Tr9)进行导通控制，使电容C1的端子电压降到阴极侧电源(VLcath)的电位被复位。此时，由于TFT(Tr10)被控制为关断状态，即使根据复位动作使上述驱动用TFT(Tr2)完全变为关断状态，也能抑制(阻止)过载电流流向EL元件E1。

如图11所示的实施例，在作为复位元件而起作用的TFT(Tr9)为N沟道，或作为电流抑制装置而起作用的TFT(Tr10)为P沟道的情况下，在各自的TFT(Tr9，Tr10)的导通·关断控制中，能将一个控制电压(Vcont)进行共同使用。

另外，在图11所示的实施例中，作为复位元件而起作用的TFT(Tr9)的源极被连接到阴极侧电源(VLcath)中，但是，该TFT(Tr9)的源极也可连接到其它的电源中。即就是，根据图11所示的构成，基于由TFT(Tr9)的复位动作，电容C1的端子电压被暂时复位到该TFT(Tr9)的源极侧电位。然后，根据其后续的数据的写入动作，决定上述电容C1的端子电压。

还有，在已说明的图5～图9所示的构成中，代替作为复位元件而起作用的TFT(Tr4)，可采用图11中所示的TFT(Tr9)的连接构成。进一步，在已说明的图10所示的构成中，代替作为复位元件而起作用的二极管D1，可采用图11中所示的TFT(Tr9)的连接构成。

根据以上已说明的图5～图11所示的实施例，由于在复位期间中通过驱动用TFT(Tr2)能有效地抑制流向EL元件E1中的过载电流，所以能解消显示面板中的对比度的恶化，低色调时线性度的恶化，以及使发光元件的寿命缩短等的技术问题点。

还有，在以上已说明的各实施例中，其全部的TFT都使用P沟道。这种P沟道的多晶硅TFT的构成，在简化制造工序的同时，能寄予提高发光显示面板的信赖性的期待。然而，在与本发明有关的有源型发光显示装置中，本发明不被其所限定，但是至少期望作为驱动用TFT(Tr2)和阈值电压生成元件而起作用的图5～图11所示的各TFT(Tr3)要共同形成于同一沟道。

这样，由作为驱动用TFT(Tr2)和阈值电压生成元件而起作用的TFT(Tr3)共同形成于同一沟道，能使作为驱动用TFT(Tr2)和阈值电压生成元件而起作用的TFT(Tr3)具有大致相同的阈值特性，由上述作用能使驱动用TFT具有的阈值特性有效地解除。

根据以上已说明的与本发明有关的有源型发光显示装置，可生成这样的特性，就是通过除去驱动用TFT的阈值电压偏差能校正发光亮度的不均匀性，更进一步，可期待能防止低色调时线性度的恶化等本发明的上述特有效果。因此，在根据由图2所示的数据驱动器2送来的数据电压(Vdata)实行色调表现的模拟方式的色调驱动方式中也能适宜地采用与本发明有关的有源矩阵型发光显示装置。

再者，在包括由控制加到各EL元件中的发光驱动时间，实现数字色调表现的时间色调装置中也能适宜地采用与本发明有关的有源矩阵型发光显示装置。进而，在包括把一个像素分割为多个子像素，并控制分割的子像素的点亮数的面积色调装置中也能适宜地采用与本发明有关的有源矩阵型发光显示装置。

Claims (16)

1.一种把像素结构的多数进行排列的有源型发光显示装置，其中的像素结构至少具有：发光元件；驱动点亮上述发光元件的驱动用TFT；控制上述驱动用TFT的栅极电压的控制用TFT；设置在上述控制用TFT和驱动用TFT的栅极电压之间，通过使相当于上述驱动用TFT的阈值电压的电压进行电平位移，生成施加在上述驱动用TFT上的栅极电压的阈值电压生成元件；暂时保持上述驱动用TFT的栅极电压的电容；以及使在上述电容中保持的栅极电压复位到规定电位的复位元件，其特征在于，使把上述电容保持的栅极电压，在通过上述复位元件复位到规定电位的复位期间中，由上述驱动用TFT抑制流入上述发光元件中的过载电流的电流抑制装置进行动作。

2.权利要求1所述的有源型发光显示装置，其特征在于，

上述阈值电压生成元件构成为在包括上述驱动用TFT和发光元件的同一个像素结构内形成的TFT中的源极和栅极之间。

3.权利要求1或2所述的有源型发光显示装置，其特征在于，

上述复位元件构成为在包括上述驱动用TFT和发光元件的同一个像素结构内形成的TFT中的源极和栅极之间。

4.权利要求3所述的有源型发光显示装置，其特征在于，

在上述TFT的源极和栅极之间构成的复位元件，相对于作为阈值电压生成元件而起作用的TFT的源极和栅极，被相互连接为反向并联状态，并根据上述复位元件的源极和栅极之间的导通动作，使保持在上述电容中的栅极电压复位到规定电位。

5.权利要求1或2所述的有源型发光显示装置，其特征在于，

上述复位元件构成为在包括上述驱动用TFT和发光元件的同一个像素结构内形成的二极管的阳极和阴极之间。

6.权利要求5所述的有源型发光显示装置，其特征在于，

在上述二极管的阳极和阴极之间构成的复位元件，相对于作为阈值电压生成元件而起作用的TFT的源极的阴极，及相对于栅极的阳极被相互连接为并联状态，并根据上述二极管的阳极和阴极之间的导通动作，使保持在上述电容中的栅极电压复位到规定电位。

7.权利要求1或2所述的有源型发光显示装置，其特征在于，

上述复位元件构成为在包括上述驱动用TFT和发光元件的同一个像素结构内形成的TFT中的源极和漏极之间，并根据该源极和漏极之间的导通动作，使保持在上述电容中的栅极电压复位到规定电位。

8.权利要求1所述的有源型发光显示装置，其特征在于，

上述电流抑制装置被设置在上述驱动用TFT和发光元件的串联电路内，在上述复位期间中根据为关断动作的开关装置来构成。

9.权利要求1所述的有源型发光显示装置，其特征在于，

上述电流抑制装置被设置在上述电容的栅极电压保持端子和上述驱动用TFT的栅极之间，由在上述复位期间中根据关断动作的开关装置来构成。

10.权利要求1所述的有源型发光显示装置，其特征在于，

上述电流抑制装置被并联连接在上述发光元件的两个端部上，由在上述复位期间中根据导通动作的开关装置来构成。

11.权利要求1所述的有源型发光显示装置，其特征在于，

上述电流抑制装置，由在上述复位期间中，根据使施加在发光元件阳极侧上的驱动电压降低的电压切换装置来构成。

12.权利要求1所述的有源型发光显示装置，其特征在于，

上述电流抑制装置，由在上述复位期间中，根据使施加在发光元件阴极侧上的驱动电压升高的电压切换装置来构成。

13.权利要求1所述的有源型发光显示装置，其特征在于，

上述电流抑制装置，在上述复位期间中，从该阳极侧把施加在发光元件阳极侧上的驱动电压进行切断。

14.权利要求1所述的有源型发光显示装置，其特征在于，

上述电流抑制装置，在上述复位期间中，从该阴极侧把施加在发光元件阴极侧上的驱动电压进行切断。

15.权利要求2所述的有源型发光显示装置，其特征在于，

至少上述驱动用TFT和形成阈值电压生成元件的TFT要由同一沟道的TFT来构成。

16.权利要求1所述的有源型发光显示装置，其特征在于，

上述发光元件由在发光层中使用了有机化合物的有机EL元件来构成。

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