JP2006227238A - 表示装置、表示方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ｎチャネルＴＦＴによる画素回路において高品質な画像表示を可能とする。
【解決手段】画素回路は、有機ＥＬ素子、１個の保持容量、サンプリングトランジスタ、ドライブトランジスタ、スイッチングトランジスタ、第１及び第２の検知トランジスタからなる５個のＮチャネル薄膜トランジスタで構成する。さらに、ドライブトランジスタの閾値電圧変動と有機ＥＬ素子の経時劣化を補償する保持容量ブートストラップ機能を備え、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性経時変化やドライブトランジスタ閾値電圧変動を補償する。そしてブートストラップ用ドライブトランジスタ閾値検出動作の開始を、第１の検知トランジスタＴ１のオフで決定し、また閾値検出動作の終了をドライブトランジスタのドレインと電源電位を接続しているスイッチトランジスタＴ３のオフで決定することにより、閾値検出動作後にドライブトランジスタが流す電流によって生じる画質不良を回避する。
【選択図】図７

Description

本発明は、信号線と所要数の走査線が交差する部分に形成される画素回路がマトリクス状に配置されて成る表示装置であって、特に発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を用いた表示装置、表示方法に関する。

特開２００３−２５５８５６ 特開２００３−２７１０９５

有機ＥＬ素子を画素に用いた画像表示装置が開発されている。有機ＥＬ素子は自発光素子であることから、例えば液晶ディスプレイに比べて画像の視認性が高く、バックライトが不要であり、応答速度が速いなどの利点を有する。又、各発光素子の輝度レベル（階調）はそれに流れる電流値によって制御可能である（いわゆる電流制御型）。
有機ＥＬディスプレイにおいては、液晶ディスプレイと同様、その駆動方式として単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は構造が単純であるものの、大型且つ高精細のディスプレイの実現が難しいなどの問題がある為、現在はアクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、各画素回路内部の発光素子に流れる電流を、画素回路内部に設けた能動素子（一般には薄膜トランジスタ：ＴＦＴ）によって制御するものである。

図１０に一般的なアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置のブロック図を示す。
この表示装置は、画素回路１００がｍ×ｎのマトリクス状に配列された画素アレイ部１０３、水平セレクタ１０１、ライトスキャナ１０２、水平セレクタ１０１により選択され輝度情報に応じた信号が供給される信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・、ライトスキャナ１０２により選択駆動される走査線ＷＳＬ１、ＷＳＬ２・・・を有する。

図１１には、図１０に示した画素回路１００の最も単純な構成例を示している。図示するように、この画素回路１００は、ｎチャネルＴＦＴによるサンプリングトランジスタＴｓ、保持容量Ｃ１０、ｐチャネルＴＦＴによるドライブトランジスタＴｄ、有機ＥＬ素子１を有する。この画素回路１００は、信号線ＤＴＬと走査線ＷＳＬとの交差部に配され、信号線ＤＴＬはサンプリングトランジスタＴｓのドレインに接続され、走査線ＷＳＬはサンプリングトランジスタＴｓのゲートに接続されている。
ドライブトランジスタＴｄ及び有機ＥＬ素子１は、電源電位Ｖｃｃと接地電位ＧＮＤの間で直列に接続されている。すなわちドライブトランジスタ１のソースが電源電位Ｖｃｃに接続される一方、有機ＥＬ素子（発光素子）１のカソードが接地電位ＧＮＤに接続されている。一般に有機ＥＬ素子１は整流性がある為ダイオードの記号で表わしている。一方、サンプリングトランジスタＴｓ及び保持容量Ｃ１０は、ドライブトランジスタＴｄのゲートに接続されている。ドライブトランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧をＶｇｓで表わしている。

この画素回路１００では、まず走査線ＷＳＬを選択状態とし、信号線ＤＴＬに信号を印加すると、サンプリングトランジスタＴｓが導通して信号が保持容量Ｃ１０に書き込まれる。保持容量Ｃ１０に書き込まれた信号電位がドライブトランジスタＴｄのゲート電位となる。走査線ＷＳＬを非選択状態とすると、信号線ＤＴＬとドライブトランジスタＴｄとは電気的に切り離されるが、ドライブトランジスタＴｄのゲート電位Ｖｇｓは保持容量Ｃ１０によって安定に保持される。そして電源電位Ｖｃｃから接地電位ＧＮＤに向かって駆動電流がドライブトランジスタＴｄ及び有機ＥＬ素子１を流れる。
このときドライブトランジスタＴｄ及び有機ＥＬ素子１に流れる電流Ｉｄｓは、ドライブトランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた値となり、有機ＥＬ素子１はその電流値に応じた輝度で発光する。
つまりこの画素回路１００の場合、保持容量Ｃ１０に信号線ＤＴＬからの信号電位を各込むことによってドライブトランジスタＴｄのゲート印加電圧を変化させ、これにより有機ＥＬ素子１に流れる電流値をコントロールして発色の階調を得る。

ｐチャンネルＴＦＴによるドライブトランジスタＴｄのソースは電源Ｖｃｃに接続されており、常に飽和領域で動作するように設計されているので、ドライブトランジスタＴｄは次の式１に示した値を持つ定電流源となる。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ・（Ｗ／Ｌ）・Ｃｏｘ・（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）²・・・（式１）
但し、Ｉｄｓは飽和領域で動作するトランジスタのドレイン・ソース間に流れる電流、μは移動度、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘはゲート容量、Ｖｔｈはトランジスタの閾値電圧を表わしている。
この式１から明らかな様に、飽和領域ではトランジスタのドレイン電流Ｉｄｓはゲート・ソース間電圧Ｖｇｓによって制御される。図１１に示したドライブトランジスタＴｄは、Ｖｇｓが一定に保持される為、定電流源として動作し、有機ＥＬ素子１を一定の輝度で発光させることができる。

ここで図１２に、有機ＥＬ素子の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性の経時変化を示す。実線で示す曲線が初期状態時の特性を示し、破線で示す曲線が経時変化後の特性を示している。一般的に、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性は、図示するように時間が経過すると劣化してしまう。そして図１１の画素回路１００においては、有機ＥＬ素子１の経時変化とともに、ドライブトランジスタＴｄのドレイン電圧が変化してゆく。ところが図１１の画素回路１００では上記のようにゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが一定であるので、有機ＥＬ素子１には一定量の電流が流れ、発光輝度は変化しない。つまり安定した階調制御ができる。

ところで図１１に示した画素回路１００は、ｐチャネル型のドライブトランジスタＴｄを用いて構成されているが、ｎチャネル型のＴＦＴにより構成することができれば、ＴＦＴ作成において従来のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）プロセスを用いることが可能になる。これにより、ＴＦＴ基板の低コスト化が可能となり、開発が期待されている。
図１３は、図１１に示した画素回路１００のｐチャネルＴＦＴであるドライブトランジスタＴｄをｎチャネルＴＦＴに置き換えた構成を示す回路図である。図示する様に、この場合の画素回路１００は、ｎチャネル型のＴＦＴとしてサンプリングトランジスタＴｓ、ドライブトランジスタＴｄ、保持容量Ｃ１０、有機ＥＬ素子１で構成されている。
この画素回路１００では、ドライブトランジスタＴｄのドレイン側が電源電位Ｖｃｃに接続され、ソースは有機ＥＬ素子１のアノードに接続されており、ソースフォロワ回路を形成している。

ところが、このようにドライブトランジスタＴｄをｎチャネルＴＦＴに置き換えた場合は、ソースが有機ＥＬ素子１に接続されてしまうため、図１２に示したような有機ＥＬ素子１の経時変化とともにゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが変化してしまう。これにより、有機ＥＬ素子１に流れる電流量が変化し、その結果発光輝度は変化してしまう。つまり適切な階調制御ができなくなる。
また、アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子１の特性変動に加え、画素回路１００を構成するｎチャネル型ＴＦＴの閾値電圧も経時的に変化する。前述の式１から明らかな様に、ドライブトランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈが変動すると、ドレイン電流Ｉｄｓが変化してしまう。これにより、同じゲート電圧Ｖｇｓを与えても、閾値電圧Ｖｔｈの変動により発光輝度が変化してしまう。このため発光輝度も画素ごとに変化してしまう。
ｎチャネルＴＦＴにより画素回路１００を構成した場合、以上のように有機ＥＬ素子１の経時劣化やドライブトランジスタＴｄの閾値電圧の変動やバラツキにより電流量が変動してしまうことで、表示画像として高品質な画像表示が実現できないという課題があった。

そこで本発明では、ｎチャネルＴＦＴによる画素回路を用いても、高品質な画像表示が可能な表示装置、表示方法を実現することを目的とする。

本発明の表示装置は、信号線と所要数の走査線が交差する部分に形成される画素回路がマトリクス状に配置されて成る表示装置であって、各画素回路は、有機エレクトロルミネッセンス素子と、保持容量と、サンプリングトランジスタ、ドライブトランジスタ、第１，第２の検知トランジスタ、及びスイッチングトランジスタからなる５個のｎチャネル薄膜トランジスタとを備える。そして上記ドライブトランジスタのソースとゲートとの間に上記保持容量が接続され、上記ドライブトランジスタのソースと所定のカソード電位との間に上記有機エレクトロルミネッセンス素子が接続され、上記ドライブトランジスタのソースと第１の固定電位との間に上記第１の検知トランジスタが接続され、上記ドライブトランジスタのゲートと第２の固定電位との間に上記第２の検知トランジスタが接続され、上記ドライブトランジスタのゲートと上記信号線との間に上記サンプリングトランジスタが接続され、上記ドライブトランジスタのドレインと所定の電源電位との間に上記スイッチングトランジスタが接続される。また上記サンプリングトランジスタ、上記第１，第２の検知トランジスタ、及び上記スイッチングトランジスタは、それぞれ対応する走査線によって導通制御されるように構成される。そして上記有機エレクトロルミネッセンス素子の１発光サイクルにおいて、上記サンプリングトランジスタのみが導通されることで、上記信号線からの入力信号がサンプリングされて上記保持容量に保持される。次に上記スイッチングトランジスタが導通されることで上記電源電位から上記ドライブトランジスタに電流が供給されて、上記ドライブトランジスタは、上記保持容量に保持された信号電位に応じた電流を上記有機エレクトロルミネッセンス素子に供給して発光駆動する。次に上記ドライブトランジスタが上記有機エレクトロルミネッセンス素子を発光駆動しているときに、上記第１の検知トランジスタが導通されることで、上記有機エレクトロルミネッセンス素子が非発光とされる。次に上記第２の検知トランジスタが導通され、また上記有機エレクトロルミネッセンス素子が非発光とされた後に上記第１の検知トランジスタが非導通とされることで、上記ドライブトランジスタの閾値電圧を検知し、その検知した電位を上記保持容量に保持する閾値検出動作が開始される。そして上記スイッチングトランジスタが非導通とされることで、上記閾値検出動作が終了される。

この構成において、上記第１の固定電位は、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の閾値電圧と、上記カソード電位の和より小さく設定されていることで、上記第１の検知トランジスタの導通により、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の非発光期間が得られる。この第１の固定電位は例えば負電源電位である。
また上記第２の固定電位は、上記ドライブトランジスタの閾値電圧と、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の閾値電圧と、上記カソード電圧の和よりも小さく設定されていることで、上記第１の検知トランジスタが非導通とされた後において、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の非発光期間が得られる。この上記第２の固定電位は例えばグランド電位である。

本発明の表示方法は、上記構成の表示装置において、上記サンプリングトランジスタのみを導通させることで、上記信号線からの入力信号をサンプリングし上記保持容量に保持するサンプリングステップと、上記スイッチングトランジスタを導通させることで上記電源電位から上記ドライブトランジスタに電流を供給し、上記ドライブトランジスタは、上記保持容量に保持された信号電位に応じた電流を上記有機エレクトロルミネッセンス素子に供給して発光駆動する発光駆動ステップと、上記ドライブトランジスタが上記有機エレクトロルミネッセンス素子を発光駆動しているときに、上記第１の検知トランジスタを導通させ、上記有機エレクトロルミネッセンス素子を非発光とする発光停止ステップと、上記第２の検知トランジスタを導通し、また上記有機エレクトロルミネッセンス素子が非発光とされた後に上記第１の検知トランジスタを非導通とすることで、上記ドライブトランジスタの閾値電圧を検知し、その検知した電位を上記保持容量に保持する閾値検出動作を開始する閾値検出開始ステップと、上記スイッチングトランジスタを非導通とすることで、上記閾値検出動作を終了させる閾値検出終了ステップとが上記有機エレクトロルミネッセンス素子の１発光サイクルに実行される。

即ち本発明では画素回路は、有機ＥＬ素子と、１個の保持容量と、サンプリングトランジスタ、ドライブトランジスタ、スイッチングトランジスタ、第１及び第２の検知トランジスタからなる５個のｎチャネル薄膜トランジスタとで構成されている。そしてこの画素回路は、ドライブトランジスタの閾値電圧の変動と有機ＥＬ素子の経時劣化を補償する保持容量のブートストラップ機能（特性変動補償機能）を備えることになるため、電流駆動型の有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時変化しても、発光輝度を一定に保持することができる。また、第１及び第２の検知トランジスタでドライブトランジスタの閾値電圧を検出し、その経時変化を回路的に補償することで、安定して有機ＥＬ素子を駆動できる。
その上で、閾値検出動作の開始及び終了を上記のタイミングで行うことで、ブートストラップ機能を安定化させる。つまりドライブトランジスタの閾値検出動作の開始を、第１の検知トランジスタのオフで決定し、また閾値検出動作の終了をドライブトランジスタのドレインと電源電位を接続しているスイッチングトランジスタのオフで決定する。これによって閾値検出動作後にドライブトランジスタが流す電流によって生じる画質不良を回避する。

本発明によれば、画素回路を有機ＥＬ素子と、１個の保持容量と、サンプリングトランジスタ、ドライブトランジスタ、スイッチングトランジスタ、第１及び第２の検知トランジスタからなる５個のｎチャネル薄膜トランジスタとで構成し、この画素回路にブートストラップ機能を備えることで、有機ＥＬ素子の経時劣化やドライブトランジスタの閾値電圧変動によっても安定して有機ＥＬ素子を駆動でき、ｎチャネルＴＦＴによる画素回路を用いた表示装置として、表示画像の高画質化を実現できる。
また、それにより、トランジスタを全てｎチャンネルＴＦＴで構成し、ソースフォロワーが可能となり、アノード接続のできる回路構成を実用化できる。このため一般的なアモルファスシリコンのプロセスを導入することが可能となり、低コスト化が促進できる。
その上で、本発明では、ブートストラップ機能のための閾値検出動作としては、第２の検知トランジスタを導通し、また有機ＥＬ素子が非発光とされた後に第１の検知トランジスタを非導通とすることで開始させ、スイッチングトランジスタを非導通とすることで終了させる。即ち第１の検知トランジスタのオフをドライブトランジスタの閾値検出動作の開始タイミングとし、またスイッチングトランジスタのオフを、閾値検出動作の終了タイミングとする。この動作により、閾値検出後にドライブトランジスタのゲート電圧及びソース電圧が変動してしまうことがなくなり、ブートストラップ機能が正常に機能する。
もし閾値検出動作後にドライブトランジスタのゲート電圧及びソース電圧が変動してしまうと、保持容量に閾値電圧が反映されていても、閾値変動の補正が正常に機能しない状態となり、これによって表示画面上にいわゆる面ザラや階調つぶれといった現象が発生してしまうが、本発明によりこのような現象は回避され、高画質表示を維持できる。
また本発明の閾値検出動作のタイミングによっては閾値検出動作期間を短くすることができ、有機ＥＬ素子の発光期間をより多く取ることができるため、画質劣化なしに高輝度を得ることができるようになる。

以下、本発明の表示装置、表示方法の実施の形態を説明するが、説明の都合上、まず実施の形態の表示装置としての構成を述べた後、その表示装置構成において本発明に相当しない参考例としての画素回路の動作を説明し、その後、実施の形態としての画素回路の動作を説明する。即ち以下の順序で説明する。
［１．表示装置の構成］
［２．画素回路の動作の参考例］
［３．実施の形態の画素回路の動作］

［１．表示装置の構成］

図１に実施の形態の表示装置の構成を示す。この表示装置は後述するように、発光素子である有機ＥＬ素子の特性変動及びドライブトランジスタの閾値電圧変動に対する補償機能であるブートストラップ機能を備えた画素回路を含むものである。
図１に示すように、本例の表示装置は、画素回路１０がｍ行×ｎ列のマトリクス状に配列された画素アレイ部２０、水平セレクタ１１、ドライブスキャナ１２、ライトスキャナ１３、第１ＡＺスキャナ１４、第２ＡＺスキャナ１５を備える。
また水平セレクタ１１により選択され、輝度情報に応じた映像信号を画素１０に対する入力信号として供給する信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・が、画素アレイ部２０に対して列方向に配されている。信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・は、画素アレイ部２０においてマトリクス配置された画素回路１０の列数分だけ配される。
また画素アレイ部２０に対して、行方向に走査線ＷＳＬ１，ＷＳＬ２・・・、走査線ＤＳＬ１，ＤＳＬ２・・・、走査線ＡＺＬ１−１，ＡＺＬ１−２・・・、走査線ＡＺＬ２−１，ＡＺＬ２−２・・・、が配されている。これらの走査線はそれぞれ、画素アレイ部２０においてマトリクス配置された画素回路１０の行数分だけ配される。
走査線ＷＳＬ（ＷＳＬ１，ＷＳＬ２・・・）はライトスキャナ１３により選択駆動される。
走査線ＤＳＬ（ＤＳＬ１，ＤＳＬ２・・・）はドライブスキャナ１２により選択駆動される。
走査線ＡＺＬ１（ＡＺＬ１−１，ＡＺＬ１−２・・・）は第１ＡＺスキャナ１４により選択駆動される。
走査線ＡＺＬ２（ＡＺＬ２−１，ＡＺＬ２−２・・・）は第２ＡＺスキャナ１５により選択駆動される。
ドライブスキャナ１２、ライトスキャナ１３、第１ＡＺスキャナ１４、第２ＡＺスキャナ１５は、それぞれ入力されるスタートパルスｓｐとクロックｃｋを基準として、設定された所定のタイミングで各走査線に選択パルスを与える。

図２に画素回路１０の構成を示している。なお、図２では簡略化のため、信号線ＤＴＬと走査線ＷＳＬ，ＤＳＬ，ＡＺＬ１，ＡＺＬ２が交差する部分に配される１つの画素回路１０のみを示している。
この画素回路１０は、発光素子である有機ＥＬ素子１と、１個の保持容量Ｃ１と、サンプリングトランジスタＴ１、ドライブトランジスタＴ５、スイッチングトランジスタＴ３、第１の検知トランジスタＴ４、第２の検知トランジスタＴ２からなる５個のｎチャネル薄膜トランジスタとで構成されている。

保持容量Ｃ１は、一方の端子がドライブトランジスタＴ５のソースに接続され、他方の端子が同じくドライブトランジスタＴ５のゲートに接続されている。図では、ドライブトランジスタＴ５のソースノードをノードＮｄ１、ドライブトランジスタＴ５のゲートノードをノードＮｄ２として示している。従って、保持容量Ｃ１はノードＮｄ１とノードＮｄ２の間に接続されていることになる。
画素回路１０の発光素子は例えばダイオード構造の有機ＥＬ素子１とされ、アノードとカソードを備えている。有機ＥＬ素子１のアノードはドライブトランジスタＴ５のソース（ノードＮｄ１）に接続され、カソードは所定のカソード電位Ｖｃａｔに接続されている。なお、有機ＥＬ素子１はアノード／カソード間に容量成分を含んでおり、後述する図では、この容量成分をＣｅｌとして示す場合がある。

第１の検知トランジスタＴ４は、そのソースが第１の固定電位Ｖｓｓに接続され、そのドレインがドライブトランジスタＴ５のソース（ノードＮｄ１）に接続され、ゲートが走査線ＡＺＬ１に接続されている。
第２の検知トランジスタＴ２は、そのソースが第２の固定電位Ｖｏｆｓに接続され、そのドレインがドライブトランジスタＴ５のゲート（ノードＮｄ２）に接続され、そのゲートは走査線ＡＺＬ２に接続されている。
サンプリングトランジスタＴ１は、その一端が信号線ＤＴＬに接続され、他端がドライブトランジスタＴ５のゲート（ノードＮｄ２）に接続され、そのゲートが走査線ＷＳＬに接続されている。
スイッチングトランジスタＴ３は、そのドレインが電源電位Ｖｃｃに接続され、そのソースがドライブトランジスタＴ５のドレインに接続され、そのゲートが走査線ＤＳＬに接続されている。

サンプリングトランジスタＴ１は走査線ＷＳＬによって選択されたときに動作し、信号線ＤＴＬからの入力信号ＶｓｉｇをサンプリングしてノードＮｄ２を介し保持容量Ｃ１に保持させる。
ドライブトランジスタＴ５は、保持容量Ｃ１に保持された信号電位に応じて有機ＥＬ素子１を電流駆動する。
スイッチングトランジスタＴ３は走査線ＤＳＬによって選択されたときに導通して電源電位ＶｃｃからドライブトランジスタＴ５に電流を供給する。
第１，第２の検知トランジスタＴ４，Ｔ２は、それぞれ走査線ＡＺＬ１，ＡＺＬ２によって所定のタイミングで選択されることで導通される。これによって有機ＥＬ素子１の電流駆動に先立ってドライブトランジスタＴ５の閾値電圧Ｖｔｈを検知し、あらかじめその影響をキャンセルする為に該検知した閾値電圧を保持容量Ｃ１に保持する動作（閾値検出動作）が実行される。

この画素回路１０の正常な動作を保証する為の条件として、固定電位Ｖｓｓは、固定電位ＶｏｆｓからドライブトランジスタＴ５の閾値電圧Ｖｔｈを差し引いたレベルよりも低く設定されている。すなわち、Ｖｓｓ＜Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈである。
また固定電位Ｖｓｓは、有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｅｌと、カソード電位Ｖｃａｔの和より小さく設定されている（Ｖｓｓ＜Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔ）。
また固定電位Ｖｏｆｓは、ドライブトランジスタＴ５の閾値電圧Ｖｔｈと、有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌと、カソード電圧Ｖｃａｔの和よりも小さく設定されている（Ｖｏｆｓ＜Ｖｔｈ＋Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔ）。
例えば固定電位Ｖｏｆｓはグランド電位、固定電位Ｖｓｓは負電位とされ、上記各条件を満たすようにされる。

［２．画素回路の動作の参考例］

ここでは以上の画素回路１０の構成において実行可能な、参考例としての動作を図３〜図６で説明する。
図３に走査線ＷＳＬ、ＡＺＬ２、ＡＺＬ１、ＤＳＬのタイミングチャートを示している。これは上記構成からわかるように、それぞれサンプリングトランジスタＴ１、検知トランジスタＴ２、検知トランジスタＴ４、スイッチングトランジスタＴ３のオン／オフタイミングとなる。
まず、この走査線ＷＳＬ、ＡＺＬ２、ＡＺＬ１、ＤＳＬのタイミングチャートと、図５，図６の等価回路を参照して参考例としての動作を説明する。

図３のタイミングチャートは、発光素子である有機ＥＬ素子１が発光駆動される１サイクル、例えば画像表示の１フレーム期間を表している。１フレーム期間は、有機ＥＬ素子１の非発光期間と発光期間から成り、例えば時点ｔｍ１が、前回の１フレームの終了タイミング、かつ今回の１フレームの開始タイミングとしている。

図３の時点ｔｍ１に至るまでの期間、つまり前のフレームの終了直前の期間では、走査線ＷＳＬ，ＡＺＬ２，ＡＺＬ１がローレベルにある一方、走査線ＤＳＬがハイレベルにある。従って図５（ａ）に示すように、スイッチングトランジスタＴ３がオン状態にある一方、サンプリングトランジスタＴ１、及び検知トランジスタＴ２，Ｔ４はオフ状態にある。
このときドライブトランジスタＴ５は保持容量Ｃ１に保持されている電位に応じて駆動電流Ｉｄｓを流し、有機ＥＬ素子１を発光させている。このときドライブトランジスタＴ５のソース電位（ノードＮｄ１の電位）は所定の動作点に保持されている。
図３のタイミングチャートには、ノードＮｄ２，Ｎｄ１の電位も示しており、それぞれドライブトランジスタＴ５のゲート電位及びソース電位の変化を表わしている。
ドライブトランジスタＴ５は飽和領域で動作するように設定されているため、有機ＥＬ素子１に流れる電流ＩｄｓはドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じて、上述した式１に示される値をとる。

時点ｔｍ１から、１フレーム期間が開始される。このとき、走査線ＡＺＬ２、ＡＺＬ１が共にローレベルからハイレベルに立ち上がる。この結果、図５（ｂ）に示すように、検知トランジスタＴ２、Ｔ４が共にオフ状態からオン状態に切り替わる。
これによりノードＮｄ２は急速に固定電位Ｖｏｆｓまで下がり、ノードＮｄ１も急速に固定電位Ｖｓｓまで下がる。つまりドライブトランジスタＴ５のゲート電圧はＶｏｆｓ、ソース電圧はＶｓｓという値に充電される。上記のように、Ｖｓｓ＜Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈに設定されている為、ドライブトランジスタＴ５はオン状態を維持し、ドレイン電流Ｉｄｓ２が流れる。
そしてこのときドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、Ｖｏｆｓ−Ｖｓｓという値をとり、それに応じた電流Ｉｄｓ２が、図５（ｂ）の破線で示すように、電源Ｖｃｃ側から固定電位Ｖｓｓ側に流れることになる。
また、有機ＥＬ素子１を非発光とするために、上述のように有機ＥＬ素子１にかかる電圧Ｖｅｌ（＝ノードＮｄ１電位）が、有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和より小さくなるように固定電位Ｖｏｆｓ、Ｖｓｓの電圧値が設定されているため、有機ＥＬ素子１には電流は流れず、従って、非発光状態になる。
なお、この時点ｔｍ１となった後、検知トランジスタＴ２、Ｔ４はどちらが先にオンしてもよい。

時点ｔｍ２では、ブートストラップ機能のための閾値検出動作が開始される。このため走査線ＡＺＬ１がハイレベルからローレベルに戻され図５（ｃ）のように検知トランジスタＴ４がオフ状態とされる。
そして有機ＥＬ素子１の等価回路は図５（ｃ）に示されるようにダイオードと容量で表されるため、ノードＮｄ１の電圧Ｖｅｌについて、Ｖｅｌ≦Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ（有機ＥＬ素子１のリーク電流がドライブトランジスタＴ５に流れる電流よりもかなり小さい）である限り、ドライブトランジスタＴ５の電流は保持容量Ｃ１と有機ＥＬ素子１の容量Ｃｅｌを充電するために使われる。
このときドライブトランジスタＴ５を流れるドレイン電流の電流路が遮断される為、有機ＥＬ素子１にかかる電圧Ｖｅｌ（＝ノードＮｄ１電位）は時間と共に図６（ｄ）のように上昇してゆく。
一定時間経過後、ドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは閾値電圧Ｖｔｈをとる。このとき有機ＥＬ素子１にかかる電圧Ｖｅｌ＝Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ≦Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌとなっている。
このときに、ノードＮｄ１とノードＮｄ２の間に現われた電位差Ｖｔｈ（即ちドライブトランジスタＴ５の閾値電圧）は保持容量Ｃ１に保持されることになる。
このように閾値検出動作として、検知トランジスタＴ２，Ｔ４が走査線ＡＺＬ２，ＡＺＬ１によってそれぞれ適切なタイミングで選択されたて動作することで、ドライブトランジスタＴ５の閾値電圧Ｖｔｈを検知し、これを保持容量Ｃ１に保持する。

時点ｔｍ３では、走査線ＡＺＬ２がローレベルとされ、図５（ｄ）のように検知トランジスタＴ２がオフとされる。この時点で閾値検出動作が終了される。
次に時点ｔｍ４で走査線ＤＳＬがローレベルとされ、図６（ａ）のようにスイッチングトランジスタＴ３がオフとされる。これによりドレイン電流は流れなくなる。

時点ｔｍ５では、走査線ＷＳＬがハイレベルとされ、図６（ｂ）のようにサンプリングトランジスタＴ１がオンとされて信号線ＤＴＬからの信号電圧Ｖｓｉｇの保持容量Ｃ１への書込が行われる。これによりドライブトランジスタＴ５のゲート電圧が信号線ＤＴＬからの信号電圧Ｖｓｉｇとされる。
このとき、ドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは保持容量Ｃ１、有機ＥＬ素子１の寄生容量Ｃｅｌ、ドライブトランジスタＴ５の寄生容量Ｃ２によって式２のように決定される。
Ｖｇｓ＝（Ｃｅｌ／（Ｃｅｌ＋Ｃ１＋Ｃ２））・（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）＋Ｖｔｈ
・・・（式２）
しかし、寄生容量Ｃｅｌは容量Ｃ１、Ｃ２に比べて大きいために、ドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、ほぼＶｓｉｇ＋Ｖｔｈとなる。

信号線ＤＴＬからの信号電圧Ｖｓｉｇの書込が終了した時点ｔｍ６の後に、時点ｔｍ７で走査線ＤＳＬがハイレベルとされ、図６（ｃ）のようにスイッチングトランジスタＴ３がオンとされることで、ドライブトランジスタＴ５のドレイン電圧が電源電圧まで上昇される。
保持容量Ｃ１の作用によりドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは一定であるので、ドライブトランジスタＴ５は一定電流Ｉｄｓ３を有機ＥＬ素子１に流し、ノードＮｄ１の電位は有機ＥＬ素子１に電流が流れる電圧まで上昇し、これにより有機ＥＬ素子１は発光する。つまり今回のフレームにおける発光期間が開始される。

参考例としての動作は以上のようになるが、実施の形態としての図２の画素回路１０においても、有機ＥＬ素子１は発光時間が長くなるとそのＩ−Ｖ特性は変化してしまう。そのためノードＮｄ１の電位も変化する。
しかしながら、上記動作の場合、ドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは一定値に保たれているので有機ＥＬ素子１に流れる電流は変化しない。よって有機ＥＬ素子１のＩ−Ｖ特性が劣化しても、一定電流Ｉｄｓが常に流れ続け、有機ＥＬ素子１の輝度が変化することはない。

ただし、上記参考例としての動作では、閾値検出動作の終了後（時点ｔｍ３以降）において不都合が発生する場合がある。
閾値検出動作終了後の動作としては、時点ｔｍ３で検知トランジスタＴ２をオフすることで、保持容量Ｃ１に充電されている電圧は一定となり、図５（ｄ）のようにドライブトランジスタＴ５は電流Ｉｄｓ２を流し続ける。電流Ｉｄｓ２が流れ続けることで有機ＥＬ素子１にかかるドライブトランジスタＴ５のソース電圧（ノードＮｄ１の電位）は、図３に示すように時間とともに上昇していく。
ドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは保持容量Ｃ１によって一定に保持されているため、図３のようにソース電圧の変化に合わせてゲート電圧も変化してしまう。
このように時点ｔｍ３以降、ドライブトランジスタＴ５のゲート電圧（Ｎｄ２）とソース電圧（Ｎｄ１）が上昇してしまうが、このときノードＮｄ１の電位（有機ＥＬ素子１にかかるソース電圧）であるＶｅｌがＶｅｌ≧Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔとなり、図のようにソース電圧（Ｎｄ１）が有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌを越えてしまうと、有機ＥＬ素子１に電流が流れてしまう。即ち図中Ｘで示す期間、僅かに発光してしまう。
また、このようにソース電圧（Ｎｄ１）が有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌを越えてしまうと、時点ｔｍ４でスイッチングトランジスタＴ３がオフしたときに、ノードＮｄ１の電位は有機ＥＬ素子１に電流が流れなくなる電位までしか低下しないため、ノードＮｄ１の電位Ｖｅｌは、Ｖｅｌ＝Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔとなる。そしてゲート電圧（Ｎｄ２）はＶｅｌ＋Ｖｔｈ（＝Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈ）という値をとることになる。
さらに時点ｔｍ５〜ｔｍ６の書き込み動作において、ゲート電圧は入力信号Ｖｓｉｇに充電されるので、書き込み後のドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、Ｖｇｓ＝Ｖｓｉｇ−Ｖｔｈｅｌ−Ｖｃａｔとなる。
この式からわかるように、ゲート・ソース間電圧ＶｇｓにドライブトランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈが反映されていない状態となり、つまりドライブトランジスタＴｄの閾値電圧の変動はキャンセルされないものとなってしまう。

また、時点ｔｍ３以降のドライブトランジスタＴ５のゲート電圧（Ｎｄ２）とソース電圧（Ｎｄ１）が上昇が、Ｖｅｌ＜Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔ、つまりソース電圧が有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌを越えなかったとしても問題がある。
図４は、図３と同様のタイミングチャートにおいて、Ｖｅｌ＜Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔとなった場合を示しており、時点ｔｍ３以降のノードＮｄ１，Ｎｄ２の電位上昇があっても、ソース電圧（Ｎｄ１）が有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌを越えない場合を示している。
ところが実線の場合と破線の場合とを示すように、ドライブトランジスタＴ５の駆動能力の違い（個体差）によって電流量がばらつく。つまり或る画素では実線のように変化しても、或る画素では破線のように変化するようなバラツキが生じる。これによって発光期間における各有機ＥＬ素子１の発光輝度のバラツキが生じる。
このように各画素回路１０でのドライブトランジスタＴ５の特性のバラツキによって表示輝度がばらついてしまい、表示画像上でいわゆる面ザラや階調つぶれが発生してしまう。
この現象の対策としては閾値検出時間を長く取り時点ｔｍ３〜ｔｍ４を小さくすることでドライブトランジスタＴ５のソース電圧の変異量を小さくするということが考えられるが、閾値検出時間を長く取ることで発光期間が短くなってしまい、所望の輝度が得られないという問題が発生してしまう。

［３．実施の形態の画素回路の動作］

以上のように参考例としての動作では、特に閾値検出動作を終了した時点ｔｍ３以降の動作において、正常に閾値電圧の変動キャンセル機能が働かないことや、ドライブトランジスタＴ５の電流駆動能力個体差の影響が生じてしまうことがある。
そこで本実施の形態としては、上記図１，図２の画素回路構成において、以下のように動作するようにしている。
実施の形態の動作を図７〜図９で説明する。
図７は、上記図３と同様に、発光素子である有機ＥＬ素子１が発光駆動される１サイクル、例えば画像表示の１フレーム期間での走査線ＷＳＬ、ＡＺＬ２、ＡＺＬ１、ＤＳＬのタイミングチャート、及びドライブトランジスタＴ５のゲート電圧（ノードＮｄ２）、ソース電圧（ノードＮｄ１）の変化を示している。また、図８，図９は各時点の等価回路を示している。

図７では、時点ｔｍ１１から１フレーム期間が開始されるとしている。この時点ｔｍ１に至るまでの期間、つまり前のフレームの終了直前の期間では、走査線ＷＳＬ，ＡＺＬ２，ＡＺＬ１がローレベルにある一方、走査線ＤＳＬがハイレベルにある。従って図８（ａ）に示すように、スイッチングトランジスタＴ３がオン状態にある一方、サンプリングトランジスタＴ１、及び検知トランジスタＴ２，Ｔ４はオフ状態にある。
このときドライブトランジスタＴ５は保持容量Ｃ１に保持されている電位に応じて駆動電流Ｉｄｓを流し、有機ＥＬ素子１を発光させている。このときドライブトランジスタＴ５のソース電位（ノードＮｄ１の電位）は所定の動作点に保持されている。
ドライブトランジスタＴ５は飽和領域で動作するように設定されているため、有機ＥＬ素子１に流れる電流ＩｄｓはドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じて、上述した式１に示される値をとる。

時点ｔｍ１１から、１フレーム期間が開始される。このとき、走査線ＡＺＬ２、ＡＺＬ１が共にローレベルからハイレベルに立ち上がる。この結果、図８（ｂ）に示すように、検知トランジスタＴ２、Ｔ４が共にオフ状態からオン状態に切り替わる。
これによりノードＮｄ２は急速に固定電位Ｖｏｆｓまで下がり、ノードＮｄ１も急速に固定電位Ｖｓｓまで下がる。つまりドライブトランジスタＴ５のゲート電圧はＶｏｆｓ、ソース電圧はＶｓｓという値に充電される。上記のように、Ｖｓｓ＜Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈに設定されている為、ドライブトランジスタＴ５はオン状態を維持し、ドレイン電流Ｉｄｓ２が流れる。
そしてこのときドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、Ｖｏｆｓ−Ｖｓｓという値をとり、それに応じた電流Ｉｄｓ２が、図８（ｂ）の破線で示すように、電源Ｖｃｃ側から固定電位Ｖｓｓ側に流れることになる。
また、有機ＥＬ素子１を非発光とするために、上述のように有機ＥＬ素子１にかかる電圧Ｖｅｌ（＝ノードＮｄ１電位）が、有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和より小さくなるように固定電位Ｖｏｆｓ、Ｖｓｓの電圧値が設定されているため、有機ＥＬ素子１には電流は流れず、従って、非発光状態になる。
なお、この時点ｔｍ１１となった後、検知トランジスタＴ２、Ｔ４はどちらが先にオンしてもよい。

時点ｔｍ１２では、ブートストラップ機能のための閾値検出動作が開始される。このため走査線ＡＺＬ１がハイレベルからローレベルに戻され図８（ｃ）のように検知トランジスタＴ４がオフ状態とされる。
そして有機ＥＬ素子１の等価回路はダイオードと容量で表されるため、Ｖｅｌ≦Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ（有機ＥＬ素子１のリーク電流がドライブトランジスタＴ５に流れる電流よりもかなり小さい）である限り、ドライブトランジスタＴ５の電流は保持容量Ｃ１と有機ＥＬ素子１の容量Ｃｅｌを充電するために使われる。
このときドライブトランジスタＴ５を流れるドレイン電流の電流路が遮断される為、有機ＥＬ素子１にかかる電圧Ｖｅｌ（＝ノードＮｄ１電位）は上記参考例と同様図６（ｄ）のように、時間と共に上昇してゆく。
一定時間経過後、ドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは閾値電圧Ｖｔｈをとる。このとき有機ＥＬ素子１にかかる電圧Ｖｅｌ＝Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ≦Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌとなっている。
このときに、ノードＮｄ１とノードＮｄ２の間に現われた電位差Ｖｔｈ（即ちドライブトランジスタＴ５の閾値電圧）は保持容量Ｃ１に保持されることになる。つまり上記参考例と同様に、閾値検出動作として、検知トランジスタＴ２，Ｔ４及びスイッチングトランジスタＴ３が走査線ＡＺＬ２，ＡＺＬ１及びＤＳＬによってそれぞれ適切なタイミングで選択されて動作することで、ドライブトランジスタＴ５の閾値電圧Ｖｔｈを検知し、これを保持容量Ｃ１に保持する。

この図７の実施の形態の動作では、時点ｔｍ１３において、走査線ＤＳＬがローレベルとされ、図８（ｄ）のようにスイッチングトランジスタＴ３がオフとされる。これによって電流が流れなくなり、この時点で閾値検出動作が終了される。
その後、時点ｔｍ１４で走査線ＡＺＬ２がローレベルとされ、図９（ａ）のように検知トランジスタＴ２がオフとされる。

次に時点ｔｍ１５では、走査線ＷＳＬがハイレベルとされ、図９（ｂ）のようにサンプリングトランジスタＴ１がオンとされて信号線ＤＴＬからの信号電圧Ｖｓｉｇの保持容量Ｃ１への書込が行われる。これによりドライブトランジスタＴ５のゲート電圧が信号線ＤＴＬからの信号電圧Ｖｓｉｇとされる。
このとき、ドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは保持容量Ｃ１、有機ＥＬ素子１の寄生容量Ｃｅｌ、ドライブトランジスタＴ５の寄生容量Ｃ２によって上述した式２のように決定される。
ただし、寄生容量Ｃｅｌは容量Ｃ１、Ｃ２に比べて大きいために、ドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、ほぼＶｓｉｇ＋Ｖｔｈとなる。

信号線ＤＴＬからの信号電圧Ｖｓｉｇの書込が終了した時点ｔｍ１６の後に、時点ｔｍ１７で走査線ＤＳＬがハイレベルとされ、図９（ｃ）のようにスイッチングトランジスタＴ３がオンとされることで、ドライブトランジスタＴ５のドレイン電圧が電源電圧まで上昇される。
保持容量Ｃ１の作用によりドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは一定であるので、ドライブトランジスタＴ５は一定電流Ｉｄｓ３を有機ＥＬ素子１に流し、ノードＮｄ１の電位は有機ＥＬ素子１に電流が流れる電圧まで上昇し、これにより有機ＥＬ素子１は発光する。つまり今回のフレームにおける発光期間が開始される。

この実施の形態の動作でも、有機ＥＬ素子１のＩ−Ｖ特性は変化は補償される。つまりドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは一定値に保たれているので有機ＥＬ素子１に流れる電流は変化しない。よって有機ＥＬ素子１のＩ−Ｖ特性が劣化しても、一定電流Ｉｄｓが常に流れ続け、有機ＥＬ素子１の輝度が変化することはない。
さらに本実施の形態の動作として、上記参考例と異なる点は、時点ｔｍ１３で、スイッチングトランジスタＴ３をオフすることで閾値検出動作を終了させ、その後に時点ｔｍ１４で検知トランジスタＴ２をオフすることにある。
つまり、閾値検出動作は、時点ｔｍ１２で検知トランジスタＴ４がオフとされることで開始され、時点ｔｍ１３でスイッチングトランジスタＴ３をオフすることで終了される。
スイッチングトランジスタＴ３をオフする際、検知トランジスタＴ２はオンしたままであるので、ドライブトランジスタＴ５のゲート電圧は一定値Ｖｏｆｓに保持されたままである。
またスイッチングトランジスタＴ３を先にオフするために、ドライブトランジスタＴ５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは一定値だが、ドレインはフローティング状態となり電流の供給源がないため電流は流れない。
従って図７に示すように、ゲート電圧（Ｎｄ２）及びソース電圧（Ｎｄ１）は、時点ｔｍ１３からｔｍ１５まで、変動することはなくなり、ドライブトランジスタＴ５のゲート電圧をＶｏｆｓとしたまま時点ｔｍ１５からの書き込み動作を行うことができるため、正常に閾値キャンセル動作を行うことができるものとなる。
より詳しく言えば、時点ｔｍ１３で閾値検出動作が終了された後、ゲート電圧（Ｎｄ２）とともにソース電圧（Ｎｄ１）が上昇し、有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌを越えて電流が流れてしまうことがなく、これによって非発光期間で発光してしまったり、ゲート・ソース間電圧ＶｇｓにドライブトランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈが反映されていない状態となることは解消される。
また閾値検出動作終了後にドライブトランジスタＴ５の駆動能力の差によって電流量がばらつくことも、本例の場合、そもそも時点ｔｍ１３以降、ドライブトランジスタＴ５が電源電圧Ｖｃｃから切り離されるため、発生しない。
このため、閾値電圧の変動キャンセル機能は適正に機能し、また画質劣化、階調つぶれのない表示画質を得ることができる。
そして、ドライブトランジスタＴ５にｎチャネルＴＦＴを使用した本例のソースフォロワーとしての画素回路１０において、適正に閾値電圧の変動及び有機ＥＬ素子１の経時劣化の補償が実現できることで、画素回路１０のトランジスタを全てｎチャネル化することに問題が無くなり、一般的なアモルファスシリコンのプロセスを導入することが可能となるため、低コスト化が実現できる。
さらに本実施の形態の動作によれば、閾値検出期間を短くすることができ、画質劣化なしに高輝度を得ることも可能である。

本発明の実施の形態の表示装置のブロック図である。 実施の形態の表示装置の画素回路の回路図である。 参考例としての動作の説明図である。 参考例としての動作の説明図である。 参考例の動作における各時点の等価回路図である。 参考例の動作における各時点の等価回路図である。 実施の形態の動作の説明図である。 実施の形態の動作における各時点の等価回路図である。 実施の形態の動作における各時点の等価回路図である。 従来の有機ＥＬ表示装置のブロック図である。 従来の有機ＥＬ表示装置の画素回路の回路図である。 有機ＥＬ表示の経時変化の説明図である。 従来の有機ＥＬ表示装置の画素回路の回路図である。

符号の説明

１ 有機ＥＬ素子、１０ 画素回路、１１ 水平セレクタ、１２ ドライブスキャナ、１３ ライトスキャナ、１４ 第１ＡＺスキャナ、１５ 第２ＡＺスキャナ、Ｃ１ 保持容量、Ｔ１ サンプリングトランジスタ、Ｔ２，Ｔ４ 検知トランジスタ、Ｔ３ スイッチングトランジスタ

Claims (6)

1. 信号線と所要数の走査線が交差する部分に形成される画素回路がマトリクス状に配置されて成る表示装置であって、
   各画素回路は、有機エレクトロルミネッセンス素子と、保持容量と、サンプリングトランジスタ、ドライブトランジスタ、第１，第２の検知トランジスタ、及びスイッチングトランジスタからなる５個のｎチャネル薄膜トランジスタとを備え、
   上記ドライブトランジスタのソースとゲートとの間に上記保持容量が接続され、
   上記ドライブトランジスタのソースと所定のカソード電位との間に上記有機エレクトロルミネッセンス素子が接続され、
   上記ドライブトランジスタのソースと第１の固定電位との間に上記第１の検知トランジスタが接続され、
   上記ドライブトランジスタのゲートと第２の固定電位との間に上記第２の検知トランジスタが接続され、
   上記ドライブトランジスタのゲートと上記信号線との間に上記サンプリングトランジスタが接続され、
   上記ドライブトランジスタのドレインと所定の電源電位との間に上記スイッチングトランジスタが接続され、
   上記サンプリングトランジスタ、上記第１，第２の検知トランジスタ、及び上記スイッチングトランジスタは、それぞれ対応する走査線によって導通制御されるように構成されているとともに、
   上記有機エレクトロルミネッセンス素子の１発光サイクルにおいて、
   上記サンプリングトランジスタのみが導通されることで、上記信号線からの入力信号がサンプリングされて上記保持容量に保持され、
   上記スイッチングトランジスタが導通されることで上記電源電位から上記ドライブトランジスタに電流が供給されて、上記ドライブトランジスタは、上記保持容量に保持された信号電位に応じた電流を上記有機エレクトロルミネッセンス素子に供給して発光駆動し、
   上記ドライブトランジスタが上記有機エレクトロルミネッセンス素子を発光駆動しているときに、上記第１の検知トランジスタが導通されることで、上記有機エレクトロルミネッセンス素子が非発光とされ、
   上記第２の検知トランジスタが導通され、また上記有機エレクトロルミネッセンス素子が非発光とされた後に上記第１の検知トランジスタが非導通とされることで、上記ドライブトランジスタの閾値電圧を検知し、その検知した電位を上記保持容量に保持する閾値検出動作が開始され、
   上記スイッチングトランジスタが非導通とされることで、上記閾値検出動作が終了されることを特徴とする表示装置。
2. 上記第１の固定電位は、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の閾値電圧と、上記カソード電位の和より小さく設定されていることで、上記第１の検知トランジスタの導通により、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の非発光期間が得られることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 上記第１の固定電位は負電源電位であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
4. 上記第２の固定電位は、上記ドライブトランジスタの閾値電圧と、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の閾値電圧と、上記カソード電圧の和よりも小さく設定されていることで、上記第１の検知トランジスタが非導通とされた後において、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の非発光期間が得られることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 上記第２の固定電位はグランド電位であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
6. 信号線と所要数の走査線が交差する部分に形成される画素回路がマトリクス状に配置され、上記各画素回路は、有機エレクトロルミネッセンス素子と、保持容量と、サンプリングトランジスタ、ドライブトランジスタ、第１，第２の検知トランジスタ、及びスイッチングトランジスタからなる５個のｎチャネル薄膜トランジスタとを備え、
   上記ドライブトランジスタのソースとゲートとの間に上記保持容量が接続され、
   上記ドライブトランジスタのソースと所定のカソード電位との間に上記有機エレクトロルミネッセンス素子が接続され、
   上記ドライブトランジスタのソースと第１の固定電位との間に上記第１の検知トランジスタが接続され、
   上記ドライブトランジスタのゲートと第２の固定電位との間に上記第２の検知トランジスタが接続され、
   上記ドライブトランジスタのゲートと上記信号線との間に上記サンプリングトランジスタが接続され、
   上記ドライブトランジスタのドレインと所定の電源電位との間に上記スイッチングトランジスタが接続され、
   上記サンプリングトランジスタ、上記第１，第２の検知トランジスタ、及び上記スイッチングトランジスタは、それぞれ対応する走査線によって導通制御されるように構成されている表示装置の表示方法として、
   上記サンプリングトランジスタのみを導通させることで、上記信号線からの入力信号をサンプリングし上記保持容量に保持するサンプリングステップと、
   上記スイッチングトランジスタを導通させることで上記電源電位から上記ドライブトランジスタに電流を供給し、上記ドライブトランジスタは、上記保持容量に保持された信号電位に応じた電流を上記有機エレクトロルミネッセンス素子に供給して発光駆動する発光駆動ステップと、
   上記ドライブトランジスタが上記有機エレクトロルミネッセンス素子を発光駆動しているときに、上記第１の検知トランジスタを導通させ、上記有機エレクトロルミネッセンス素子を非発光とする発光停止ステップと、
   上記第２の検知トランジスタを導通し、また上記有機エレクトロルミネッセンス素子が非発光とされた後に上記第１の検知トランジスタを非導通とすることで、上記ドライブトランジスタの閾値電圧を検知し、その検知した電位を上記保持容量に保持する閾値検出動作を開始する閾値検出開始ステップと、
   上記スイッチングトランジスタを非導通とすることで、上記閾値検出動作を終了させる閾値検出終了ステップと、
   が上記有機エレクトロルミネッセンス素子の１発光サイクルに実行されることを特徴とする表示方法。

Images