TWI417149B - 用以清除測試器界面接觸元件和支持硬體之設備、裝置與方法 - Google Patents

用以清除測試器界面接觸元件和支持硬體之設備、裝置與方法 Download PDF

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Description

用以清除測試器界面接觸元件和支持硬體之設備、裝置與方法 領域
本發明係大致有關於一種用以清除測試器界面接觸元件和支持硬體之裝置。
 背景
獨立半導體(積體電路)裝置通常是藉利用可包括光刻法、沈積、濺鍍等習知處理技術，在一矽晶圓上產生多數裝置來製造。通常，這些製程是要產生晶圓級之完全正常之積體電路裝置(IC)。最後，該等獨立IC裝置由該半導體晶圓被單獨化或切割成多數分開且獨立之晶片。經單獨化之IC裝置使用習知組裝技術組裝以便最後完成在封裝體中或加入電子設備，該等習知組裝技術可包括晶片連接至一引線框、線結合或焊料球連接、及經常藉各種模製技術提供一本體至具有外部電連接性之該封裝體的包封。
但是，實務上，在晶圓本身中之實體缺陷及/或在該晶圓之加工中之缺陷會無可避免地導致在該晶圓上之某些晶片各個是完全正常的，某些晶片是無功能的，且某些晶片具有低效能或需要修理。最好在由該晶圓單獨化且組裝成消費者裝置之前，通常需要鑒定該等晶片中哪些是完全正常的。由於在晶圓中之某些實體缺陷、在IC電路層中之缺陷、及/或有關半導體晶圓加工技術之缺陷所產生之無功能、低效能及可修理之裝置，在藉一所謂晶圓級測試之製程(通常在此項技術中被稱為“晶圓分類(wafer sort)”)單獨化之前被鑒定。依據產品效能由電氣測試決定之產品能力分類或裝箱(binning)晶圓級IC裝置可稍後在製造過程中節省製造者相當多之成本及由銷售最高效能裝置提供較多之收入。
一旦該裝置被單獨化，在處理與組裝時之某些製程步驟會無法避免地產生切割缺陷、處理缺陷、有關組裝與封裝之缺陷，這些缺陷只能電氣地鑒定為完全正常、無功能、或可能是“可修理的”且送至箱裝置。實務上，被組裝與被封裝之半導體裝置在其最後完成或加入電子設備之前會接受一連串之電氣測試過程。封裝級之製程或在裝運前之最後測試包括，但不限於，測試經單獨化裝置之各裸晶、經封裝IC(暫時或永久)、或在其間之變異體。
一般而言，該晶圓級或封裝級之IC裝置之電氣測試是利用自動化測試設備(ATE)來達成，該自動化測試設備(ATE)係機械地且電氣地構形成用以模擬該等半導體裝置，依據一預定測試程序演練該裝置，且接著檢查輸出以估計適當功能性。
在晶圓級測試中，習知界面硬體是一連接多數探針元件之“探針卡”，該等探針元件配合該欲測試裝置(DUT)輸入/輸出(I/O)墊之配置。詳而言之，在一典型晶圓測試過程中，該探針卡安裝在探測器上，且使探針接觸元件(簡稱為“探針”)接觸形成在該晶圓之晶片上的結合墊、焊料球及/或金凸塊。藉使探針尖端產生控制之位移而抵靠該等結合墊、焊料球及/或金凸塊，可達成一電連接，容許電力、接地及測試信號被傳送。該等探針尖端相對結合墊、焊料球及/或金凸塊該等之反覆刮擦、變形與貫穿產生黏著及堆積在該探針接觸表面上之碎屑及污染物。
在封裝級測試中，一測試器裝載板在自動化測試設備(ATE)、手動測試設備、及DUT之間提供界面。該測試器裝載板習知地包括一或多個有時被稱為“測試插座”之接觸器總成，且DUT插入該測試插座中。在測試過程中，一DUT被處理器插入或放入該插座中且在測試期間被固持定位。在插入該插座後，該DUT透過該等銷元件經由該測試器裝或板、其次總成及其他連接設備電連接於該ATE。與該ATE相連接之接觸銷元件係與該DUT之金屬化接觸表面實體地且電氣地接觸，這些表面可包括測試墊、導線、銷連接器、結合墊、焊料球、及/或其他導電介質。DUT之功能性係經由各種電輸入及對輸出之測得反應來評價，利用反覆測試，該接觸元件尖端會被由晶圓與半導體裝置製造與測試過程產生之如鋁、銅、鉛、錫、金、副產物、有機膜或氧化物等材料污染。
兩種IC測試所遭遇之其中一主要挑戰是確保在與該接觸元件連接之接觸銷及該DUT之接觸表面之間的最佳電接觸。在各測試程序中，利用該銷接觸元件反覆接觸在結合墊、焊料球及/或金凸塊上，碎屑及污染物將堆積且污染該等銷元件之接觸區域。這碎屑可來自該測試與處理製程本身，或可包括來自該裝置製造及/或組裝製程或來自其他來源之製造殘餘物。
除了存在污染物以外，反覆迫使電流通過該等接觸銷之小金屬間“a-點”會使接觸表面之導電特性劣化，因此影響用於適當電測試之金屬間品質。當污染物堆積，加上接觸表面之劣化時，該接觸電阻(CRES)上升且使測試之可靠性降低。由於產品回收測試增加，升高且不穩定之CRES會衝擊產率及/或測試時間。這些錯誤讀數會導致錯誤報廢良好之DUT，造成經常之大量產量損失。透過多次測試可進行某些產品回收；但是，測試裝置多數次以確認一不良晶片或實現產品回收將造成整體製造成本增加。
晶圓級與封裝級測試接觸技術之高效能需求已推進具有預定及訂製機械效能與彈性之獨特形狀接觸元件的發展。許多新的先進接觸技術具有獨特接觸元件輪廓及機械行為以便於得到一致、可重覆且穩定之電接觸。這些技術之某些技術係使用光刻組裝技術構成；而其他技術則以高準確微切削技術製造。該等接頭之改良電特性亦使用具有改良電效能及抗氧化性之各種材料獲得，該等接觸元件係被建造成有助於一致之氧化物貫穿且減少施加在結合墊、焊料球及/或金凸塊上之抵靠力。與該等結合墊、焊料球及/或金凸塊實體接觸亦是必要的；因此，產生會影響由電效能測試程序所產生的碎屑與污染物。
通常，所產生之碎屑與污染物必須由該等接觸元件週期性地移除，以防止一造成接觸電阻增加、連續性失效及錯誤測試讀數之堆積物，如此則會導致人工地降低產率且因此增加產品成本。
因應黏著於接觸元件及支持硬體之顆粒的問題，已發展出多種技術。例如，一技術使用由一為研磨顆粒提供一基質之矽氧橡膠構成的清除材料。此外，可使用一具有一摩擦探針之已安裝研磨陶瓷清除塊的清除晶圓，或者亦可使用一具有研磨顆粒之橡膠基質及一由玻璃纖維製成之刷子清除器。在一技術中，該等探針可噴灑或浸在一清除溶液中。在另一技術中，可使用具有一多數孔洞之任意表面形態及可變高度之以開口室發泡體為基礎的清除裝置。
在一習知接觸元件清除程序中，使用擦刷、吹氣與沖洗該等接觸銷及/或接觸本體之某些組合。這程序需要停止測試操作，人工地介入以進行該清除，且可能要由該測試環境移除該測試界面(探針卡、插座等)。這方法提供不一致之碎屑移除且在成形之接觸元件之輪廓特徵內未提供足夠之清除作用，在清除後，該測試界面必須重新安裝且重新建立測試環境，以繼續測試。在某些情形中，由於不定期設備停機，該等接觸元件被移除、清除及替換，導致成本升高。
在另一習知方法中，一具有一研磨表面塗層或被研磨性地塗覆之聚胺基甲酸酯發泡層的清除墊被用來移除黏著於該等接觸元件之外來物質。藉將該等接觸元件反覆刮擦在該清除墊上(且可能進入其中)，將黏著之外來物質由該等接觸元件及支持硬體磨去。使用一研磨墊之清除程序磨光該接觸元件，但它不一定會移除碎屑。事實上，該磨光實際上對接觸元件造成研磨磨耗，因此會改變該接觸輪廓之形狀且縮短該接觸物之使用壽命。
當由該接觸元件及支持硬體移除該等碎屑在清除程序中一致地且可預測地實施時，得到最大清除效率。使用一由開口室發泡體構成之研磨墊的清除程序未提供一致之清除，事實上，利用任意定向且未控制之發泡結構的磨光作用對該等接觸元件產生一不均勻之研磨磨耗及有選擇性之研磨磨耗，因此無法預測地改變該接觸元件及支持硬體之接觸輪廓與機械效能；因此，無法預測地縮短接觸物之使用壽命。
在工業中，已可看出由多達150,000個測試探針元件之多數接觸元件構成的測試器界面硬體，以及該支持硬體可花費每ATE測試單元$6000K。由於不適當或非最佳清除實施造成之過早磨耗與破壞可等同於每年每ATE測試單元數百萬美元。因此，由於有數以千計之ATE測試單元在全世界操作，對於修理、維護及更換成本之衝擊會非常大。
另一種改良習知探針清除程序之方式包括使用黏性之研磨性地填充或未填充聚合清除材料來移除外來物質。更詳而言之，該聚合物墊與該等接觸元件實體接觸，黏著之碎屑藉該黏性聚合物變鬆且黏附在該聚合物表面；因此由該等接觸元件與其他測試硬體移除。該聚合物材料係設計成可維持該等接觸元件之整體形狀；但是，與該聚合物層互相作用無法在成形接觸元件之輪廓特徵內提供足夠之清除作用。
當以具有一連續均勻表面或一具有任意定向與任意分開之表面特徵的研磨性填充或研磨性塗覆材料膜進行清除時，選擇性研磨係透過“邊緣銷”效應(例如，一測試探針陣列之周邊接觸元件以與在該陣列內之接觸元件不同之速度研磨性地磨耗)；或透過“鄰近銷間距”效應(例如，緊密分開之接觸元件以與寬廣地分開之接觸元件不同之速度磨耗)；或透過“鄰近銷方位”效應(例如，接觸元件之立體接近性會造成接觸元件之選擇性與不對稱磨耗)顯露出來。接觸元件及支持硬體之不均勻研磨磨耗將會影響該IC半導體裝置測試時之效能一致性且會導致意外的產量損失、設備停機及修理成本。
晶圓級與封裝級測試之典型接觸元件清除方法對末端使用者將是昂貴的，因為接觸物會被以研磨為基礎之接觸清除方法以不同速度不受控制地磨去。當使用相同組成物與尺寸之研磨顆粒時，例示測試資料(第1圖)顯示重要接觸元件輪廓之磨耗或尺寸縮減的速度會因該研磨材料層之柔順性、表面特徵、及底層之柔順性的相當小變化(大約2至3%)而受到大幅影響。資料曲線101、102、103及104顯示當該清除材料之整體柔順性被修改且減少時，接觸元件長度發生減少之速度。資料曲線101代表一具有最低磨耗速度之柔順材料；且資料曲線104代表一具有最高磨耗速度之硬質柔順材料。由於有數以千計之IC裝置測試單元(探針與處理器)在全世界操作，來自在測試時維持清除接觸元件且不會過早磨耗之對於工業之衝擊會非常大。
這些方法中均沒有適當地提出一含有一清除墊構造以可預測地控制整體清除材料效能之清除裝置及方法，其中該清除墊構造具有多層不同材料及機械性質、預定輪廓特徵、及表面處理。此外，用以修理及替換已被一研磨接觸清除程序磨除之接觸物的設備與人力會使所實施之工作增加成本。因此，需要用以清除及維持該等接觸元件之改良方法及設備。
依據本發明之一實施例，一種用以清除用於晶圓級或封裝級IC半導體裝置功能測試之測試界面之接觸元件及支持結構的測試探針清除材料包含：一清除墊層；一或多個中間層，係位在該清除墊層下方，該一或多個中間層支持該清除墊層且具有該一或多個中間層之一組預定特性，該組預定特性被選擇成使用於該等測試界面之一特殊接觸元件及支持結構之清除材料最佳化，其中一彈性係數具有一在大於40-MPa至600-MPa之間的範圍，各層具有一在25-m與300-μm之間的厚度且各層具有一在30肖氏A與90肖氏A之間的硬度；且其中該中間層更包含多數具有一等於或大於7之莫式硬度的研磨顆粒，該等研磨顆粒被選擇成使用於該等測試界面之一特殊接觸元件及支持結構之清除材料最佳化。
依據本發明之另一實施例，一種用以清除用於晶圓級或封裝級IC半導體裝置功能測試之測試界面之接觸元件及 支持結構的測試探針清除材料包含：一清除墊層，具有多數具有預定輪廓與尺寸性質之輪廓微特徵，該等輪廓微特徵被選擇成使該清除材料最佳化，使得該接觸區域及四週之支持硬體被清除且沒有修改或破壞，且其中該清除墊層更包含多數具有一等於或大於7之莫式硬度的研磨顆粒，該等研磨顆粒被選擇成使用於該等測試界面之一特殊接觸元件及支持結構之清除材料最佳化；及一或多個中間層，係位在該清除墊層下方，該一或多個中間層支持該清除墊層且具有該一或多個中間層之一組預定特性，該組預定特性被選擇成使用於該等測試界面之一特殊接觸元件及支持結構之清除材料最佳化，其中一彈性係數具有一在大於40-MPa至600-MPa之間的範圍，各層具有一在25-μm與300-μm之間的厚度且各層具有一在30肖氏A與90肖氏A之間的硬度。
依據本發明之又一實施例，一種用以清除在一半導體測試設備中之探針接觸元件及支持硬體的清除裝置包含：一清除層，具有一適用於特殊探針接觸元件之預定構形；一基板，具有一可在該測試設備之一般測試操作期間被導入該測試設備之構形，其中該基板包含一代用半導體晶圓或封裝IC裝置；該清除層固定於該基板且具有使該墊在該等探針接觸元件及支持硬體接觸該墊時清除該等探針接觸元件及支持硬體上之碎屑，使得該等探針接觸元件及支持硬體被清除，且沒有修改該測試機器之一般操作。
依據本發明之再一實施例，一種用以清除在一半導體測試設備中之探針接觸元件及支持硬體的清除裝置包含：一清除層，具有一適用於特殊探針接觸元件之預定構形，該清除層具有多數具有預定輪廓與尺寸性質之輪廓微特徵，該等輪廓微特徵被選擇成使該清除材料最佳化，使得該接觸區域及四週之支持硬體被清除且沒有修改或破壞，且其中該清除墊層更包含多數具有一等於或大於7之莫式硬度的研磨顆粒，該等研磨顆粒被選擇成使用於該等測試界面之一特殊接觸元件及支持結構之清除材料最佳化；一基板，具有一可在該測試設備之一般測試操作期間被導入該測試設備之構形，其中該基板包含一代用半導體晶圓或封裝IC裝置；且該清除層固定於該基板且具有使該墊在該等探針接觸元件及支持硬體接觸該墊時清除該等探針接觸元件及支持硬體上之碎屑，使得該等探針接觸元件及支持硬體被清除，且沒有修改該測試機器之一般操作。
依據本發明之另一實施例，一種用以清除在一如一晶圓探測器或裝置處理器之半導體測試設備中之探針接觸元件及支持硬體的方法包含：將一清除裝置載入該晶圓探測器或已封裝裝置處理器，該清除裝置具有與被該測試設備一般性地測試之半導體裝置相同的構形，該清除裝置具有一頂表面，該頂表面具有清除該等探針元件之預定性質；及在該晶圓探測器或已封裝裝置之一般測試操作時，使該等探針接觸元件及支持硬體接觸該清除裝置，使得任一碎屑在該測試機器之一般操作時，由該等探針接觸元件及支持硬體被移除。
圖式簡單說明
第1圖顯示測試資料，該測試資料顯示行動電話終端重要尺寸減少為具有一3-μm顆粒尺寸之研磨顆粒上之“著陸”週期的函數，但材料柔順性具有受控制之選擇性；第2A圖顯示一具有探針墊之一DUT(晶圓級或封裝級)；電接觸元件及一ATE界面(探針卡或測試插座)之習知例；第2B圖是一具有探針墊之一DUT(晶圓級或封裝級)；電接觸元件及一ATE界面(探針卡或測試插座)之例的示意圖；第3A圖是一典型清除裝置之俯視圖，該清除裝置具有附著於一晶圓表面之清除墊；第3B圖是一典型清除裝置之截面圖，該清除裝置具有附著於一基板表面之清除墊；第3C圖是一典型清除裝置之截面圖，該清除裝置具有附著於一IC封裝體之清除墊；第4A圖是一在一清除墊層下方具有一或多個中間柔順材料層之清除介質的截面圖；第4B圖是一在一預定性質之清除墊層下方具有一或多個中間硬質材料層之清除介質的截面圖；第4C圖是一在一預定性質之清除墊層下方具有一或多個中間硬質及柔順材料層之清除介質的截面圖；第4D圖是一在一預定性質之清除墊層下方具有一或多個交錯中間硬質及柔順材料層之清除介質的截面圖；第5A圖是一柔順材料之截面圖，該柔順材料具有建構在預定性質之一或多個材料層上之一預定輪廓之多數均勻分開微管柱；第5B圖是一柔順材料之截面圖，該柔順材料具有由預定性質之一或多個中間硬質及柔順材料層之組合構成之一預定輪廓之多數均勻分開微管柱；第6A圖是一均勻分開微管柱之放大截面圖，該等微管柱由一或多個中間材料層之組合構成以獲得進入一測試探針之接觸區域之一致清除效率；第6B圖是一均勻分開微角錐體之放大截面圖，該等微角錐體由一或多個中間材料層之組合構成以獲得進入一測試探針之接觸區域之一致清除效率；第7A圖是互相解耦之微特徵之一部份的平面圖，該等互相解耦之微特徵使用一“道(streets)”陣列來產生第二區域或慣性矩，以控制抗彎曲性；第7B圖是互相解耦之微特徵之一部份的平面圖，該等互相解耦之微特徵使用一“大道(avenues)”陣列來產生第二區域或慣性矩，以控制抗彎曲性；第7C圖是互相解耦之微特徵之一部份的平面圖，該等互相解耦之微特徵使用一對角線陣列來產生第二區域或慣性矩，以控制抗彎曲性；第8A圖是一清除材料之截面圖，該清除材料具有多數用以清除一晶圓級測試用懸臂式測試探針之接觸端區域的微管柱；及第8B圖是一清除材料之截面圖，該清除材料具有多數用以清除用於晶圓級、晶片級及封裝級測試之冠狀點及單點測試探針之接觸端內的微管柱。
 一或多個實施例之詳細說明
本發明特別適用於一用於具有多數接觸元件之電氣測試探針之清除墊，該等接觸元件具有一預定輪廓(即，冠狀端彈性探針、矛狀端探針等)及用於晶圓級與封裝級測試用之測試器界面裝置(即，探針卡、測試插座其他類似界面裝置)的支持結構，且它將在以下說明之這本文。但是，在此應了解的是該等清除材料、裝置及方法具有更大之實用性，例如清除被其他種類之IC半導體裝置評價設備使用之測試界面，例如彈性銷環界面、ZIFF公/母連接器等。
該裝置是一具有表面特性以具有特定研磨及碎屑移除效果之柔順介質，以清除用於晶圓級與封裝級測試用之測試器界面裝置(即，探針卡、測試插座其他類似界面裝置)的電接觸元件及結構。依據被清除之接觸元件種類及形狀、欲移除之碎屑組成物與量、及該碎屑對接觸表面親和力，使用可選擇之適當中間層、表面微特徵、及可變研磨度，可獲得一高清除效率。被清除之接觸元件可以是任一種測試探針例如鎢針、垂直探針、眼鏡蛇狀探針、MEM型探針、柱塞型探針、彈性探針、滑動接頭、形成在一薄膜上之接觸凸塊探針等。
更詳而言之，該清除材料可由一或多層構成，各層具有預定機械、材料及尺寸特性，例如抗磨性、密度、彈性、黏性、平面性、厚度、孔隙度，使得當該等銷元件接觸該墊表面時，該接觸區域與四週之支持硬體被清除，使得該等碎屑及污染物被移除。
該清除裝置可具有一可在製造過程之前，當中或之後附加之犧牲頂保護材料層，以在製造過程及手動處理操作時保護且隔離該清除材料表面不受到污染。該犧牲層在安裝時被移除至該半導體測試設備中且被用來確使該清除材料之工作表面沒有任何會因清除材料減損該等接觸元件之清除效能的污染物。
該等獨立之清除材料層可由固態彈性材料或可包括橡膠及合成與天然聚合物以及聚胺基甲酸酯、丙烯酸酯等之多孔、開口室或封閉發泡材料，或其他彈性黏著材製成。該清除材料之頂層可具有預定抗磨性、彈性、密度及表面張力參數，該等參數容許該等探針端變形且貫穿該彈性黏著材以移除在該接觸區域上之碎屑且不破壞該等接觸元件之輪廓，並且保持該彈性基質之完整性。
該清除材料亦有具有一多層結構，其中一或多柔順層被配置或堆疊以獲得一整體柔順效能，使得當該等銷元件接觸且使該墊表面變形時，一預定對向力由該材料施加在該接觸區域及結構中，以增加該等碎屑及污染物被移除之效率。此外，該清除材料可具有一多層結構，其中該表面層設有多數均勻成形且規則地分開之輪廓微特徵，例如微管柱、微角錐體、或其他這種結構微特徵，該等微特徵具有一預定縱橫比(直徑對高度之比)、橫截面(方形、圓形、三角形等)及研磨顆粒負載，以改善碎屑移除與收集效率。該等微結構可由固態彈性材料或可包括橡膠及合成與天然聚合物以及聚胺基甲酸酯、丙烯酸酯等之多孔、閉口室或封閉發泡材料，或其他彈性黏著材製成。在其他實施形態中，該等微特徵可在該微特徵之本體內，或在該等微特徵之基部處，具有沿著該微特徵之長度附加在頂表面之研磨顆粒。特別地，一平均微特徵可具有等於或大於1.0-μm之橫截面寬度，且具有一等於或小於400-μm之高度及一等於或小於15.0-μm之平均研磨顆粒尺寸。可包含於且橫越該等材料層及微特徵之典型研磨物可包括氧化鋁、碳化矽及鑽石，但該等研磨顆粒亦可為具有等於或大於7之莫式硬度的其他習知研磨材料。
在其他實施例中，該等微特徵互相解耦且形成有一用於一第二區域或慣性矩之預定輪廓，以使用一“道(streets)”及“大道(avenues)”陣列來控制抗彎曲性，以消除不必要之交互作用與其他耦合效應且獲得一預定表面柔順性，使得當該等銷元件接觸該墊表面時，一預定對向力由該材料施加在該接觸元件尖端輪廓內之接觸區域中、及支持結構中，以增加該等碎屑及污染物被移除之效率。該等互相解耦之微特徵具有預定尺寸，以在該接觸元件陣列內之各測試探針及支持硬體上提供可預測且均勻之對向力。橫越該清除材料表面之解耦微特徵形成為可減少及消除“邊緣銷”效應、“鄰近銷間距”效應、及“鄰近銷方位”效應。
在該清除裝置之另一方面，該等微特徵可具有一特殊均勻表面精加工，使得該探針/測試器裝置可以檢測該清除墊之表面。該清除材料之表面紋路與粗糙度亦有助於該工作表面聚合物材料的清除效率。
在該方法之一方面，該清除介質可以手動地放置在例如，一晶圓探測器或封裝裝置處理器等自動化測試設備內的一預定位置處，使得該等銷元件及表面將與該清除介質週期性地互相作用，以移除碎屑及/或清除該等銷元件之接觸表面，且不會過度地磨耗該測試探針。在該方法之另一面，提供一種用以清除在一晶圓探測器或封裝裝置處理器上之銷元件的方法，其中該方法包含將該清除介質以一類似於被測試之一半導體晶圓、一經單獨化之IC裝置、或一經封裝之IC裝置之形態載入該晶圓探測器或封裝裝置處理器，且該清除介質具有一清除該等接觸元件及支持結構之頂表面，該頂表面具有例如抗磨性、黏性、硬度之預定性質。該方法更包句使該等接觸元件與該清除介質在一般測試操作時於晶圓探測器或封裝裝置處理器中接觸，使得所有碎屑在該晶圓探測器或封裝裝置處理器之一般操作時由該等銷元件移除。
當探針/測試器可以檢測該清除墊之表面時，該探針可接著被設定成一自動化清除模式。在該自動化清除模式中，該探針/測試器將自動地檢測何時清除該等測試探針接觸元件、定位該清除裝置、清除該探針端並接著返回測試操作。在該清除裝置之另一實施例中，該等清除介質之多數層可由導電材料形成，使得一使用導電性檢測一表面之探針/測試器可以檢測該清除介質之表面。
一典型IC半導體測試系統(示意地顯示在第2A與2B圖中)通常包括某種測試器10、一測試頭11、一測試器界面12(例如，探針卡或測試插座)、多數接觸元件13、及一晶圓或裝置處理器16。在該測試器界面內之該等電接觸元件13或測試探針由該測試器界面延伸，以容許與該DUT15直接接觸。DUT(晶圓、經單獨化之裝置、或經封裝之IC)利用自動化、半自動、或手動設備移入適當實體位置，使得探針墊14及/或焊料球16與該測試器界面12之接觸元件13對齊。一旦定位後，該DUT15抵靠該等接觸元件13移動或該等接觸元件13抵靠該DUT15移動以進行電氣測試。由於反覆著陸，該等接觸元件會被污染。不移除該測試界面以進行清除，一預定構造之清除介質將在一般測試操作時清除界定接觸元件之輪廓。
第3A、3B及3C圖顯示三種典型不同種類之清除裝置，其製造成具有一附加至各種不同基板材料、不同尺寸基板、不同形狀基板或在某些應用中沒有一基板的清除介質。如第3A與3B圖所示，清除裝置20與21可分別包括一基板23及一清除介質或墊24，該基板23及該清除介質或墊24分別固定、黏著或附加至一晶圓之一表面或至習知輪廓之基板。該基板23可以是塑膠、金屬、玻璃、矽、陶瓷或任何其他類似之材料。此外，一基板25可具有一近似於該經封裝之IC裝置或DUT22之輪廓的輪廓，藉此該清除介質24連接於承載該等測試探針及支持硬體之接觸元件的表面。
現在，將參照添附圖式及實施例更詳細地說明一具有一或多個中間柔順層之清除介質。在一實施例(顯示於第4A圖中)，一清除介質220可由一具有如硬度、彈性係數等有助於清除接觸該墊之接觸元件之預定性質的清除墊層202製成。該清除介質220亦可具有一或多個連接於且位於該清除墊層下方之中間柔順層203。該等層之組合產生無法由獨自構成材料獲得之材料性質，並且各種基質、研磨顆粒及輪廓可提供一必須選擇最佳組合以使清除效能達到最大之產品或結構。藉在一硬質清除層下方加入柔順或微孔隙發泡底層，該清除材料之整體研磨磨耗特性降低及/或該成形效能增強，以延長該探針元件之整體使用壽命，且不會減損該接觸輪廓之形狀或功能。例如，將該研磨顆粒層附加在一硬質聚酯膜上產生一具有用以產生及維持一探針接觸元件平坦接觸區域補廓之堆積物移除特性的拋光膜型清除材料。將相同之研磨顆粒層附加至一柔順未填充聚合物之表面或一微孔隙發泡體之“表皮”側，產生多層材料，該多層材料具有用以產生及維持一探針接觸元件具圓角或半圓角之選擇性堆積物移除特性。由於該(等)底層之整體柔順性系統性地增加(或剛性減少)，該清除材料之整體研磨磨耗特性由產生及維持一平坦端接觸區域輪廓轉變至產生及維持一圓角或半圓角接觸區域輪廓。
該清除介質220亦可具有一在欲用於進行接觸元件清除之前安裝之可移除保護層201，以隔離該表面清除墊層與與測試無關之污染物。該可移除保護層201保護該清除墊層202之工作表面不受碎屑/污染物之破壞，直到該清除裝置準備要用於在一清潔室內清除一測試器界面為止，該可移除保護層201可被移除以暴露出該清除墊層202之工作表面。該保護層可由一習知非反應性聚合膜材料製成，且以由一聚酯(PET)膜製成為佳。該保護層可具有一表面粗糙之精加工或其他“紋路化”特徵，以改善由該測試設備進行之清除裝置之光學檢測及/或改善清除效率。
將該清除裝置安裝在該預定基板材料上是藉移除一第二釋放襯層205(由與該第一釋放襯層相同之材料製成)，以暴露出該黏著層204，接著藉該黏著層204附加在該基板表面上來實施。然後，該黏著層204可被放置在一基板上，將該清除介質220黏至該基板上。該基板可以是如在先前技術中所述具有不同目的之各種材料。
前述清除墊層202與下述清除墊層可對該清除材料提供預定機械、材料及尺寸特性。例如，該清除墊層可提供抗磨性(以下將詳述)、一比重(例如，具有0.75至2.27之範圍)、彈性(例如，具有40-MPa至600-MPa之範圍)、黏性(例如，具有20至800克之範圍)、平面性、及厚度(例如，在25-μm與300-μm間之範圍)，其中比重是在一特殊溫度下密度 對水之密度的比)。
該一或多個中間層(可以如上述般為柔順的、如下述般為硬質的或如下述般為一柔順及硬質層之組合)可對該清除材料提供預定機械、材料及尺寸特性。例如該一或多個中間層可提供抗磨性(以下將詳述)、一比重(例如，具有0.75至2.27之範圍)、彈性(例如，具有40-MPa至600-MPa之範圍)、黏性(例如，具有20至800克之範圍)、平面性、厚度(例如，在25-μm與300-μm間之範圍)、及/或每英吋之平均數之孔隙度(例如，每英吋10至150個微孔之範圍)，其中比重是在一特殊溫度下密度對水之密度的比)。
在第4B圖所示之另一實施例中，一清除介質220可由一清除墊層202製成，且一或多個中間硬質層206在該清除墊層202下方。就另一實施例(第4C圖)而言，該清除介質220可以使用在一預定性質之清除墊層202下方之一或多個中間硬質206與柔順203材料層之組合來構成。第4D圖顯示一實施例，其中該清除介質220係藉在一預定性質之清除墊層202下方使一或多個中間硬質206與柔順材料層203交替來構成。該清除墊層202與底層(203、206等)將具有有助於清除具有習知輪廓構形之接觸元件的抗磨性、密度、彈性、及/或黏性。該清除層與中間材料層性質之疊置可以依據接觸元件之特定構形與輪廓特徵來變化。
該清除墊層202之抗磨性將使碎屑由探針接觸元件鬆弛及剪切下來，使用研磨顆粒之預定體積與質量密度；該墊之抗磨性可被系統性地影響以使該探針端圓化或尖化。 載重於該清除材料層內之典型研磨材料與顆粒重量百分比可在30%至500%重量百分比之範圍。在此所述之重量百分比聚合物載重係定義為聚合物重量除以聚合物重量加該研磨顆粒重量，可被加入該等材料中之典型研磨物可包括氧化鋁、碳化矽及鑽石，但是該研磨材料亦可為其他習知研磨材料。該研磨物可包括立體地或選擇性地分布之氧化鋁、碳化矽或鑽石顆粒，但該等研磨顆粒亦可為具有等於或大於7之莫式硬度的其他習知研磨材料。該清除層之受控制表面黏性將使在該接觸元件上之碎屑選擇性地黏在該墊上，且因此在清除操作期間由該接觸元件上被移除。
在一實施例中，該清除材料層、及/或該中間硬質層、及/或中間柔順層(各為一“材料層”)可由一可包括橡膠或合成與天然聚合物兩者之實心或以發泡為基礎之具有開口或封閉室的彈性材料製成。各材料層可具有一範圍在大於40-MPa至小於600-MPa之間的彈性係數且該等層之厚度範圍可在等於或大於25-μm且小於或等於300-μm之間，各材料層可具有一在等於或大於30肖氏A(Shore A)且不超過30肖氏A之層硬度範圍。該等清除層與黏著層可具有一在-50C至+200C的使用範圍，各彈性材料可以是一製成為具有一立體地或選擇性地分布在該材料本體內之預定黏性或研磨顆粒的材料。各材料可具有一預定彈性、密度及表面張力，其可容許該等接觸元件貫穿該等彈性材料層且移除在該接觸元件上之碎屑且不會破壞該接觸元件之輪廓特徵，並且保持該彈性基質之完整性。各材料層將具有一大致在1至20 毫英吋厚之預定厚度，各層之厚度可以依據該探針端之特定構形改變。例如，一薄材料清除材料層(~1毫英吋厚)將適用於一如一平坦接觸物之“非貫穿”探針輪廓，且一厚材料清除材料層(~20毫英吋)將極適用於一如一矛尖端或尖狀彎折桿之“貫穿”探針輪廓。在自動化、半自動化或手動DUT處理裝置之一般操作時，由於該測試器界面之一或多個探針元件及支持硬體接觸該清除墊，所以一垂直接觸力驅使該接觸元件進入該墊，且在此處，在該等接觸元件上之碎屑將被移除且被該墊材料扣持。
在該清除介質221(顯示於第5A與5B圖)之其他實施例中，使用多數均勻成形且規則地分開之輪廓微特徵，例如微管柱212、微角錐體、或其他這種結構微特徵，該等微特徵具有一預定縱橫比(直徑對高度之比)、橫截面(方形、圓形、三角形等)，可以改善該清除材料之最大清除效率。在第5A圖中，該等分開微特徵係由一橫越多數具有預定性質之中間柔順或硬質層207之組合的單一層212構成。作為一微特徵構造之例子，第5A圖所示之方形微管柱可使用準確製造及受控制切割方法之組合產生，藉此該主軸具有一100微米之尺寸且該“道(streets)”及“大道(avenues)”寬度小於50-μm。該等“道”及“大道”之深度藉該等切割方法控制以獲得該縱橫比。在這例子中，該等特徵具有一100微米主軸寬度至一200微米深度(或高度)。在這構造中，該深度係不切割通過該清除材料層或進入該(等)底層而獲得。在第5B圖中，該等均勻分開之微特徵可以由多數層213具有預定性 質之中間柔順或硬質層207構成。該等微特徵之尺寸與輪廓可依據該等接觸元件之構形與材料改變，以達成一將移除該等碎屑但不會破壞該等探針元件之墊。如果該等微特徵相對於該接觸元件輪廓為大，則這將不利地影響該清除效能。如果該等微特徵相對於該接觸元件輪廓為小，則該對向力將不足以協助達成一高清除效能以移除黏附之污染物。
通常，該等微特徵可具有數種輪廓，包括圓柱形、方形、三角形、長方形等。在各微特徵之主軸中之橫截面尺寸可大於或等於25-μm且小於300-μm且各微特徵可具有一範圍在1：10至20：1之間的縱橫比(高度對寬度)。該微特徵輪廓可以在製造一清除層時調整，使得該材料可以重新成形、削尖或重新磨光該等探針元件端來使用。
在一實施例中，第6A圖及第6B圖顯示一具有微特徵(該等清除材料223、224之微管柱219及微角錐體319)之清除材料的放大截面圖。但是，這些特徵亦可為任何其他規則輪廓特徵。一微特徵在負載下之彎折不僅依負載而定，並且亦依該特徵之橫截面之輪廓而定。
在第6A圖中，依據該接觸元件及支持硬體之特定構形，該微管柱間隔或間距215；可被用來預測特徵之抗彎曲與彎折性之一形狀性質之區域慣性矩或第二慣性矩216；該清除墊長度217；該中間墊長度218；及微管柱219之總長度是預定的。對一尖形及/或矛形接觸元件之陣列而言，該微管柱輪廓使得該清除特徵可以嵌入該等接觸元件“之間”且與該等接觸元件實體地接觸，以沿著該等探針端提供清除作用與碎屑收集。在這例子中，對一360微米之暴露端長度而言，一接觸元件界面設計可具有125微米之接觸元件間隔(或間距)。對清除材料而言，該特徵主橫截面軸長度將小於125微米且高度將至少為60微米，以便超程移動至該清除材料中。該等特徵將提供一對向力至該等尖形及/或矛形接觸元件上，以啟動一清除及/或材料移除動作。第6B圖中，依據該接觸元件及支持硬體之特定構形，微角錐體頂點間隔或間距315及沿著高度之可變慣性矩316，清除墊角錐體長度317，角錐截頭高度318，及微角錐體319之總高度是預定的。舉例而言，對多點冠狀接觸元件來說，該微角錐體輪廓使得該清除材料可嵌合在該冠接頭之多數尖端內且實體接觸在該等接觸元件之間，以沿著該等探針端提供清除作用與碎屑收集。對多點冠狀接觸元件來說，該微特徵輪廓使得該清除特徵可嵌合在該等接觸元件“之間”與“之內”且實體接觸該等接觸元件，以沿著該等探針端提供清除作用與碎屑收集。如果使用一準確切割程序，則該微特徵之形狀將由截口(即，“道(street)寬度與形狀，及“大道(avenue)寬度與形狀”)來界定，而如果使用一鑄造程序，則透過一模製形狀來界定。舉例而言，一接觸元件界面設置可具有在該接觸元件內125微米之尖端至尖端間隔、300微米之暴露尖端長度、及125微米之接觸元件間隔(或間距)。對該清除材料之微特徵而言，該微特徵頂表面之主橫截面軸長度將小於125微米以便在接觸物清除內。總高度將為至少200微米以便超程移動至該清除材料中且提供一足夠對向力於該等接觸元件之多點冠狀端中，以啟動一清除及/或材料移除動作。
該等微特徵可具有沿著該微特徵，在該微特徵之本體內或在該微特徵之基部處，附加至該頂表面之多數研磨顆粒。在一實施例中，一平均微特徵可具有等於或大於1.0-μm之橫截面寬度，且具有400-μm之高度及小於15.0-μm之平均研磨顆粒尺手。可加入且橫越該等材料層及微特徵之典型研磨物可包括氧化鋁、碳化矽及鑽石，但該等研磨顆粒亦可為具有等於或大於7之莫式硬度的其他習知研磨材料。添加至該等微特徵之研磨材料的量及尺寸可依據該等接觸元件之構形及材料改變，以得到一將移除且收集該等碎屑但不會破壞該等接觸元件及支持硬體之墊。
第7A、7B及7C圖是分別顯示該清除材料224與324之實施例，其中該等微特徵使用預定道351、大道352及對角線353互相解耦且形成有一預定慣性矩，以去除不必要之交互作用及其他耦合效應並且得到一預定表面柔順性，使得當該等銷元件接觸該墊表面時，一對向力由該材料施加至在該接觸元件尖端輪廓內之接觸區域中，及支持結構，以增加該等碎屑及污染物被移除之效率。該等道、大道、及對角線之寬度可依據該等探針元件之構形及材料改變，以達成一解耦材料表面，以由該接觸元件之兩側且在該輪廓特徵接觸元件尖端內均勻地移除該等碎屑。該等道、大道、及對角線可具有均勻地且選擇性地橫越寬度分布之多數研磨顆粒，該等道、大道、及對角線之寬度以及橫越該寬度之研磨材料之尺寸可依據該等接觸元件之構形及材料改變。
該清除系統及清除墊不僅由該接觸元件及該等支持硬體表面移除及收集附著之微粒，而且維持該接觸表面之形狀及輪廓性質。將該測試器界面之接觸元件插入例如第3A圖中顯示之晶圓裝置20；第3B圖之基板裝置21；及第3C圖之假封裝裝置22等裝置的一清除裝置，將附著之碎屑由接觸元件及支持硬體移除，且不會留下必須在稍後以另一線上與離線程序移除之有機殘留物。此外，該接觸元件之整體電特性及該輪廓不會受影響；但是，可再現高產率與低接觸電阻所需之整體電效能。
現在，將說明一種用以清除多數探針元件及支持硬體之方法。該方法達成由接觸元件移除該等碎屑且不由該ATE移除該測試器界面，藉此增加該測試器之生產性。可具有與典型欲被該測試器測試之DUT相同尺寸與形狀之清除裝置可以被插入一預定清除托架，該裝置之清除材料層依據該測試器界面之接觸元件及支持硬體的構形與材料，具有預定物理、機械及輪廓性質。
一具有該等微特徵之清除材料的實施例適用於清除一晶圓級測試用測試器界面12之接觸元件13，該等接觸元件13為例如鎢針、垂直探針、眼鏡蛇狀探針、MEM型探針、柱塞型探針、彈性探針、滑動接頭、形成在一薄膜上之接觸凸塊探針等。對這說明例子而言，一標準懸臂式探針卡顯示於第8A圖中。該清除材料224安裝在一晶圓基板20或一清除區域基板500上，在一特定期間，當該清除材料224被驅動接觸該等接觸元件到達某預先設定垂直位置時，該等接觸元件被清除。該間隔215、慣性矩216、及微管柱之總長度219依據在此例中為懸臂式探針卡之接觸元件400的構形與材料構成。當運用該等接觸元件400進入該清除材料224時，碎屑由與該接觸元件之接觸表面且沿著該尖端長度之側被移除。該等微管柱之間隔、輪廓、及抗磨性使得在該等接觸元件上之對向壓力施加足夠之清除作用以由該等接觸元件移除及收集碎屑。
如上所述，這清除步驟可發生在該清除裝置被週期性地由定位在測試器界面之接觸元件下方之清除托架或每次由該晶圓匣安裝時，或每次在該ATE以安裝在該拋光板上之清除材料實行該等接觸元件之清除操作時。利用該清除裝置無論如何均不會中斷該ATE之操作，因為該等接觸元件之清除是在該測試機器之一般操作期間完成。依此方式，該清除裝置是便宜的且容許該接觸元件可被清除及/或成形，且不需由該ATE移除該等接觸元件或測試器界面。現在，將說明該清除裝置之另一實施例。
現在，將說明該清除裝置之另一實施例，其中該清除裝置可被用以清除被用來電氣測試該等DUT之接觸元件，在該DUT中，一來自晶圓之獨立半導體裝置已被包封入一如塑膠之材料中。上述實施例通常被用於一在被單獨化及/或包封入一已組裝封裝體之前測試該等晶圓或在一半導體晶圓上之一或多個晶片的系統。在這說明例中，該清除裝置亦可與一用以處理及測試已封裝積體電路(IC)之ATE及測試器一起使用。該IC封裝體可具有一或多條由該封裝體延伸出之導線或焊料球，該等導線或焊料球與該封裝體15之晶片內側進行如一電力信號、接地信號等之通訊。該測試器界面在這例子中被稱為測試插座12，且將具有多數接觸該封裝體之導線且測試該已封裝DUT之電氣特性的接觸元件13(類似於上述探針卡測試器)。一般而言，該等接觸元件安裝在受彈頂之測試探針上且具有單一矛狀特徵403或具多數尖端之冠狀特徵402的輪廓構形。
類似於該探針卡清除器實施例，該清除裝置可近似於一具有該清除墊已附加於其上之基板的DUT22形狀，使得該測試插座之接觸元件可週期地接觸該清除墊表面，以由該等探針元件之尖端移除碎屑。該清除裝置之尺寸可經修改以配合該特殊插座之尺寸及形狀或接近一特殊裝置之尺寸。在第8B圖中所示之具微特徵之實施例，可使用該微角錐體結構324，其中該清除裝置之輪廓特徵具有間隔、輪廓、及抗磨性使得在該等接觸元件上之對向壓力施加足夠之清除作用以由該等接觸元件405之中心內移除及收集碎屑。依據該等接觸元件之構形及材料，利用具有寬度及深度之道350、大道351及對角線352之該微角錐體結構326之解耦是預定的。該等微角錐體之間隔、輪廓、及抗磨性使得在該等接觸元件上之對向壓力施加足夠之清除作用以由該等接觸元件移除及收集碎屑。如此，墊/聚合物/基板層及表面微特徵之數目可以被控制以控制該清除裝置之總厚度及該清除之厚度的柔順性。這多層實施例亦將為該探針器之插座與接觸物內部提供“邊緣-側邊”清除。
該方法與設備提供一或多個優點，包括且不限於維持清潔接觸物及接觸銷。雖然本發明已參照某些說明性實施例說明過了，但是在此說明者不應被以一限制方式解釋。例如，在所示與所述之實施例中之步驟的變化或組合可在不偏離本發明之情形下使用在特殊情形中。發明所屬技術領域中具有通常知識者在參照圖式、說明及申請專利範圍後，可了解說明性實施例之各種修改與組合及本發明之其他優點與實施例。本發明之範疇應被在此附加之申請專利範圍及其等效物所界定。
雖然前述者已參照本發明之一特殊實施例，但是發明所屬技術領域中具有通常知識者應了解的是可在不偏離本發明之原理及精神、以下申請專利範圍所界定之範疇的情形下，對這實施例進行變化。
10．．．測試器
11．．．測試頭
12．．．測試器界面
13．．．接觸元件
14．．．探針墊
15．．．DUT
16．．．晶圓或裝置處理器；焊料球
20．．．晶圓基板
20,21．．．清除裝置
22．．．經封裝之IC裝置或DUT
23．．．基板
24．．．清除介質或墊
25．．．基板
101,102,103,104．．．資料曲線
201．．．可移除保護層
202．．．清除墊層
203．．．中間柔順層
204．．．黏著層
205．．．第二釋放襯層
206．．．中間硬質層
207．．．中間柔順或硬質層
212．．．微管柱
213．．．多數中間柔順或硬質層
215．．．微管柱間隔或間距
216．．．區域慣性矩或第二慣性矩
217．．．清除墊長度
218．．．中間墊長度
219．．．微管柱
220,221．．．清除介質
223,224．．．清除材料
315．．．微角錐體頂點間隔或間距
316．．．可變慣性矩
317．．．清除墊角錐體長度
318．．．角錐截頭高度
319．．．微角錐體
324．．．清除材料；微角錐體結構
351．．．道
352．．．大道
353．．．對角線
400．．．接觸元件
402．．．冠狀特徵
403．．．矛狀特徵
500．．．清除區域基板
第1圖顯示測試資料，該測試資料顯示行動電話終端重要尺寸減少為具有一3-μm顆粒尺寸之研磨顆粒上之“著陸”週期的函數，但材料柔順性具有受控制之選擇性；第2A圖顯示一具有探針墊之一DUT(晶圓級或封裝級)；電接觸元件及一ATE界面(探針卡或測試插座)之習知例；第2B圖是一具有探針墊之一DUT(晶圓級或封裝級)；電接觸元件及一ATE界面(探針卡或測試插座)之例的示意圖；
第3A圖是一典型清除裝置之俯視圖，該清除裝置具有附著於一晶圓表面之清除墊；
第3B圖是一典型清除裝置之截面圖，該清除裝置具有附著於一基板表面之清除墊；
第3C圖是一典型清除裝置之截面圖，該清除裝置具有附著於一IC封裝體之清除墊；
第4A圖是一在一清除墊層下方具有一或多個中間柔順材料層之清除介質的截面圖；
第4B圖是一在一預定性質之清除墊層下方具有一或多個中間硬質材料層之清除介質的截面圖；
第4C圖是一在一預定性質之清除墊層下方具有一或多個中間硬質及柔順材料層之清除介質的截面圖；
第4D圖是一在一預定性質之清除墊層下方具有一或多個交錯中間硬質及柔順材料層之清除介質的截面圖；
第5A圖是一柔順材料之截面圖，該柔順材料具有建構在預定性質之一或多個材料層上之一預定輪廓之多數均勻分開微管柱；
第5B圖是一柔順材料之截面圖，該柔順材料具有由預定性質之一或多個中間硬質及柔順材料層之組合構成之一預定輪廓之多數均勻分開微管柱；
第6A圖是一均勻分開微管柱之放大截面圖，該等微管柱由一或多個中間材料層之組合構成以獲得進入一測試探針之接觸區域之一致清除效率；
第6B圖是一均勻分開微角錐體之放大截面圖，該等微角錐體由一或多個中間材料層之組合構成以獲得進入一測試探針之接觸區域之一致清除效率；
第7A圖是互相解耦之微特徵之一部份的平面圖，該等互相解耦之微特徵使用一“道(streets)”陣列來產生第二區域或慣性矩，以控制抗彎曲性；
第7B圖是互相解耦之微特徵之一部份的平面圖，該等互相解耦之微特徵使用一“大道(avenues)”陣列來產生第二區域或慣性矩，以控制抗彎曲性；
第7C圖是互相解耦之微特徵之一部份的平面圖，該等互相解耦之微特徵使用一對角線陣列來產生第二區域或慣性矩，以控制抗彎曲性；
第8A圖是一清除材料之截面圖，該清除材料具有多數用以清除一晶圓級測試用懸臂式測試探針之接觸端區域的微管柱；及
第8B圖是一清除材料之截面圖，該清除材料具有多數用以清除用於晶圓級、晶片級及封裝級測試之冠狀點及單點測試探針之接觸端內的微管柱。
201．．．可移除保護層
202．．．清除墊層
203．．．中間柔順層
204．．．黏著層
205．．．第二釋放襯層
220．．．清除介質

Claims (16)

  1. 一種用以清除用於晶圓級或封裝級IC半導體裝置功能測試之測試界面之接觸元件及支持結構的測試探針清除材料，該清除材料包含：一清除墊層，位在該清除墊層下方之一或多個中間層，及位在該一或多個中間層下方之一黏著層；該一或多個中間層支持該清除墊層且具有一組預定特性，其中一彈性係數具有在大於40-MPa至600-MPa之間的一範圍，各層具有在25-μm與300-μm之間的一厚度且各層具有在30肖氏A(Shore A)與90肖氏A之間的一硬度；且其中該一或多個中間層更包含具有等於或大於7之莫式硬度(Mohs Hardness)的多數研磨顆粒。
  2. 如申請專利範圍第1項之清除材料，其中該一或多個中間層更包含一或多個柔順層。
  3. 如申請專利範圍第1項之清除材料，其中該一或多個中間層更包含一或多個硬質層。
  4. 如申請專利範圍第1項之清除材料，其中該一或多個中間層更包含至少一硬質層及至少一柔順層。
  5. 如申請專利範圍第1項之清除材料，其中該一或多個中間層提供一抗磨性、一比重、一彈性、黏性、平面性、厚度及一孔隙度中之一或多個。
  6. 如申請專利範圍第5項之清除材料，其中該清除墊層提供一抗磨性、一比重、一彈性、黏性、平面性、厚度及 一孔隙度中之一或多個。
  7. 如申請專利範圍第2項之清除材料，其中各柔順層由具有每英吋10至150個微孔之一範圍內之一孔隙度之橡膠、合成聚合物及天然聚合物中的一或多個製成。
  8. 如申請專利範圍第3項之清除材料，其中各硬質層由具有每英吋10至150個微孔之一範圍內之一孔隙度之橡膠、合成聚合物及天然聚合物中的一或多個製成。
  9. 如申請專利範圍第1項之清除材料，其中該等多數研磨顆粒更包含一或多種選自於由氧化鋁、碳化矽及鑽石構成之群組的顆粒。
  10. 如申請專利範圍第1項之清除材料，其中該等多數研磨顆粒更包含一或多種顆粒之一混合物，該等顆粒選自於由氧化鋁、碳化矽及鑽石構成之群組。
  11. 如申請專利範圍第1項之清除材料，其中該等多數研磨顆粒更包含一或多個顆粒之一混合物，該等顆粒各具有選自於在0.05-μm與15-μm間之一尺寸範圍的尺寸。
  12. 如申請專利範圍第11項之清除材料，其中該等多數研磨顆粒更包含一或多種顆粒之一混合物，該等顆粒選自於由氧化鋁、碳化矽及鑽石構成之群組。
  13. 如申請專利範圍第1項之清除材料，其中該等多數研磨顆粒係立體地分布在該等中間材料層內。
  14. 如申請專利範圍第1項之清除材料，更包含一犧牲頂保護層，以保護及隔離該清除墊層不受污染。
  15. 如申請專利範圍第1項之清除材料，更包含一可移除釋 放襯，該可移除釋放襯被移除以暴露該黏著層。
  16. 如申請專利範圍第1項之清除材料，其中該清除墊層更包含多數具有預定輪廓與尺寸性質之輪廓微特徵。
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY137666A (en) * 2001-04-09 2009-02-27 Nitto Denko Corp Label sheet for cleaning and conveying member having cleaning function
US9833818B2 (en) 2004-09-28 2017-12-05 International Test Solutions, Inc. Working surface cleaning system and method
US10430491B1 (en) 2008-05-30 2019-10-01 On24, Inc. System and method for communication between rich internet applications
US8371316B2 (en) * 2009-12-03 2013-02-12 International Test Solutions, Inc. Apparatuses, device, and methods for cleaning tester interface contact elements and support hardware
US11438410B2 (en) 2010-04-07 2022-09-06 On24, Inc. Communication console with component aggregation
US8933906B2 (en) 2011-02-02 2015-01-13 3M Innovative Properties Company Patterned substrates with non-linear conductor traces
US9736928B2 (en) 2011-02-02 2017-08-15 3M Innovative Properties Company Patterned substrates with darkened conductor traces
CN103008265A (zh) * 2011-09-21 2013-04-03 旺矽科技股份有限公司 探针清洁装置以及使用其的在线探针清洁方法
TW201322125A (zh) * 2011-11-18 2013-06-01 Primax Electronics Ltd 自動測試方法
EP2674769B1 (de) 2012-06-13 2014-08-20 Multitest elektronische Systeme GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Entnehmen von geprüften Halbleiterbauelementen
KR102099359B1 (ko) * 2013-07-08 2020-04-09 엘에스산전 주식회사 전자접촉기 접점부 오염 제거 장치
CN105705258A (zh) * 2013-08-07 2016-06-22 国际测试技术公司 工作表面清理系统和方法
US11429781B1 (en) 2013-10-22 2022-08-30 On24, Inc. System and method of annotating presentation timeline with questions, comments and notes using simple user inputs in mobile devices
US9399313B1 (en) * 2013-12-06 2016-07-26 Astro Pneuematic Tool Company Method of manufacturing and composition of rubber wheels to remove adhesive
DE102014103262B3 (de) * 2014-03-11 2015-06-11 Multitest Elektronische Systeme Gmbh Vorrichtung zum Prüfen von elektronischen Bauteilen
WO2015179335A1 (en) * 2014-05-20 2015-11-26 3M Innovative Properties Company Abrasive material with different sets of plurality of abrasive elements
WO2016081951A1 (en) * 2014-11-23 2016-05-26 M Cubed Technologies Wafer pin chuck fabrication and repair
CN106877107B (zh) * 2015-12-10 2018-11-23 创意电子股份有限公司 清洁装置
JP6625423B2 (ja) * 2015-12-17 2019-12-25 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査装置及びそのメンテナンス方法
US20180151532A1 (en) * 2015-12-25 2018-05-31 Kaijo Corporation Wire bonding apparatus
US9825000B1 (en) * 2017-04-24 2017-11-21 International Test Solutions, Inc. Semiconductor wire bonding machine cleaning device and method
JP6946776B2 (ja) * 2017-06-26 2021-10-06 株式会社リコー 回路基板
US11188822B2 (en) 2017-10-05 2021-11-30 On24, Inc. Attendee engagement determining system and method
US11281723B2 (en) 2017-10-05 2022-03-22 On24, Inc. Widget recommendation for an online event using co-occurrence matrix
WO2019152555A1 (en) * 2018-02-01 2019-08-08 Applied Materials, Inc. Cleaning components and methods in a plating system
US10705121B2 (en) * 2018-02-06 2020-07-07 Globalfoundries Inc. Probe card continuity testing and cleaning fixture comprising highly purified tungsten
WO2019165305A1 (en) * 2018-02-23 2019-08-29 International Test Solutions, Inc. Novel material and hardware to automatically clean flexible electronic web rolls
GB2574179B (en) * 2018-03-12 2021-06-30 Illinois Tool Works Contact cleaning surface assembly
CN109530345A (zh) * 2018-10-18 2019-03-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 探针清洁装置及探针清洁方法
CN114072682A (zh) * 2019-03-20 2022-02-18 塞莱敦体系股份有限公司 便携式探针卡组件
US10792713B1 (en) * 2019-07-02 2020-10-06 International Test Solutions, Inc. Pick and place machine cleaning system and method
US11756811B2 (en) 2019-07-02 2023-09-12 International Test Solutions, Llc Pick and place machine cleaning system and method
KR102187264B1 (ko) * 2019-09-23 2020-12-04 주식회사 아이에스시 검사용 소켓의 이물질 세정시트
US11865588B2 (en) 2019-11-12 2024-01-09 Alliance Material Co., Ltd. Probe pin cleaning pad and cleaning method for probe pin
US11318550B2 (en) * 2019-11-14 2022-05-03 International Test Solutions, Llc System and method for cleaning wire bonding machines using functionalized surface microfeatures
US11211242B2 (en) 2019-11-14 2021-12-28 International Test Solutions, Llc System and method for cleaning contact elements and support hardware using functionalized surface microfeatures
TWI707144B (zh) * 2019-12-13 2020-10-11 新唐科技股份有限公司 積體電路測試裝置的清潔方法
CN113050384A (zh) * 2020-04-23 2021-06-29 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体晶圆加工方法及清洁刷头
TWI738304B (zh) 2020-04-23 2021-09-01 台灣積體電路製造股份有限公司 半導體晶圓加工方法及清潔刷頭
US11035898B1 (en) 2020-05-11 2021-06-15 International Test Solutions, Inc. Device and method for thermal stabilization of probe elements using a heat conducting wafer
CN112122243B (zh) * 2020-09-02 2023-09-08 珠海泰坦新动力电子有限公司 一种在位清洗电流探针的清洗装置、化成装置及清洗方法
CN112462109B (zh) * 2020-11-28 2022-04-19 法特迪精密科技（苏州）有限公司 一种测试探针清洁装置及其夹持构件和测试基座
CN113539900B (zh) * 2021-07-16 2023-09-19 长江存储科技有限责任公司 用于干燥晶圆的方法和装置
CN113578872B (zh) * 2021-08-07 2022-04-19 武汉晟和自动化模冲有限公司 一种汽车冲压模具内腔面清洁处理机械及清洁处理方法
WO2023112116A1 (ja) * 2021-12-14 2023-06-22 日本電子材料株式会社 クリーニングシート及びクリーニングシートの製造方法
TWI811956B (zh) * 2022-01-14 2023-08-11 品捷精密股份有限公司 探針清潔板
JP7527045B1 (ja) 2023-04-28 2024-08-02 神興科技股▲フン▼有限公司 プローブクリーニングシートおよびその製造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5011513A (en) * 1989-05-31 1991-04-30 Norton Company Single step, radiation curable ophthalmic fining pad
TW366419B (en) * 1997-04-22 1999-08-11 Minnesota Mining & Mfg Abrasive material for the needle point of a probe card
TW409322B (en) * 1998-02-20 2000-10-21 Japan Electronic Materials Probe end cleaning sheet
US20050255796A1 (en) * 2004-05-14 2005-11-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Probe cleaning sheet and cleaning method
TWI268569B (en) * 2002-01-18 2006-12-11 Formfactor Inc Apparatus and method for cleaning test probes
US7202683B2 (en) * 1999-07-30 2007-04-10 International Test Solutions Cleaning system, device and method
US20070178814A1 (en) * 2001-05-02 2007-08-02 Nihon Micro Coating Co., Ltd. Method of cleaning a probe
TW200819753A (en) * 2006-08-09 2008-05-01 Nippon Micro Coating Kk Probe cleaning sheet

Family Cites Families (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2971208A (en) 1958-06-06 1961-02-14 Harry E Moore Apparatus for scrubbing automobile floor mats
US3453677A (en) 1968-04-15 1969-07-08 Bertie Burger Cutler Dry mop
US3675265A (en) 1969-12-12 1972-07-11 Int Silver Co Brush construction
US4104755A (en) 1976-08-02 1978-08-08 Smith Judson L Vehicle floor mat washer
US4334780A (en) 1979-06-29 1982-06-15 Grumman Aerospace Corporation Optical surface roughness detection method and apparatus
US4590422A (en) 1981-07-30 1986-05-20 Pacific Western Systems, Inc. Automatic wafer prober having a probe scrub routine
JPS58131743A (ja) 1982-01-29 1983-08-05 Shinkawa Ltd ワイヤボンダにおけるボ−ル形成方法及びその装置
JP2827060B2 (ja) 1991-05-20 1998-11-18 株式会社新川 ボンデイング装置
JPH04364746A (ja) 1991-06-12 1992-12-17 Tokyo Electron Yamanashi Kk プローブ装置
JP3334139B2 (ja) * 1991-07-01 2002-10-15 ソニー株式会社 研磨装置
US5192455A (en) 1991-08-26 1993-03-09 Marcel Jr Raymond C Pollution pad reconditioning/recycling system
JPH05211195A (ja) 1991-11-29 1993-08-20 Nec Corp ワイヤーボンディング装置
US5444265A (en) 1993-02-23 1995-08-22 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for detecting defective semiconductor wafers during fabrication thereof
JP2511806B2 (ja) 1994-03-03 1996-07-03 日本電子材料株式会社 プロ―ブ先端クリ―ニング部材
JP3188935B2 (ja) 1995-01-19 2001-07-16 東京エレクトロン株式会社 検査装置
JP2813147B2 (ja) 1995-02-14 1998-10-22 三菱電機株式会社 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法
JP3417721B2 (ja) 1995-04-04 2003-06-16 三菱電機株式会社 走査プローブ顕微鏡の使用方法
DE69625020T2 (de) 1995-04-19 2003-07-24 Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven Verfahren zum reinigen von nadelkartenprüfspitzen
US5685043A (en) 1995-07-24 1997-11-11 Xerox Corporation Removal of particulates from cylindrical members
JP2808261B2 (ja) 1995-10-31 1998-10-08 株式会社コバックス 研磨シートおよびその製造方法
KR100392730B1 (ko) 1995-12-28 2003-10-30 주식회사 하이닉스반도체 캐필러리클리닝장치및방법
US5690749A (en) 1996-03-18 1997-11-25 Motorola, Inc. Method for removing sub-micron particles from a semiconductor wafer surface by exposing the wafer surface to clean room adhesive tape material
TW377482B (en) 1997-04-08 1999-12-21 Tokyo Electron Ltd Cleaner with protuberances for inspection, inspection apparatus and inspection method for integrated circuits
JP3430213B2 (ja) * 1997-04-08 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 ソフトクリーナ及びクリーニング方法
US6820987B1 (en) * 1997-04-11 2004-11-23 Jimmie L. Lewis Extendable rearview mirror
US6306187B1 (en) 1997-04-22 2001-10-23 3M Innovative Properties Company Abrasive material for the needle point of a probe card
US6118290A (en) 1997-06-07 2000-09-12 Tokyo Electron Limited Prober and method for cleaning probes provided therein
EP1351060B1 (en) 1997-07-24 2005-10-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a test probe for semiconductor devices
JPH1187438A (ja) 1997-09-03 1999-03-30 Mitsubishi Electric Corp プローブ先端のクリーニング部材ならびにクリーニング方法、および半導体ウェーハのテスト方法
US6573702B2 (en) 1997-09-12 2003-06-03 New Wave Research Method and apparatus for cleaning electronic test contacts
JPH11133116A (ja) 1997-11-04 1999-05-21 Mitsubishi Electric Corp プローブカード用プローブ針の研磨部材およびクリーニング装置
JP3366239B2 (ja) 1997-11-07 2003-01-14 松下電器産業株式会社 プローブカードの洗浄装置
JP3429995B2 (ja) 1997-11-10 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法
JPH11230989A (ja) 1997-12-10 1999-08-27 Mitsubishi Electric Corp プローブカード用プローブ針のクリーニング方法およびクリーニング装置とそれに用いる洗浄液
US6121058A (en) 1998-01-02 2000-09-19 Intel Corporation Method for removing accumulated solder from probe card probing features
DE69906478T2 (de) 1998-01-09 2003-12-24 Beamech Group Ltd., Manchester Verfahren zum herstellen von polyurethanschaum
US6019663A (en) 1998-02-20 2000-02-01 Micron Technology Inc System for cleaning semiconductor device probe
US6246250B1 (en) 1998-05-11 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Probe card having on-board multiplex circuitry for expanding tester resources
TW436635B (en) 1998-07-24 2001-05-28 Makoto Matsumura Polishing plate
JP2000232125A (ja) 1999-02-12 2000-08-22 Fujitsu Ten Ltd ワイヤボンデイング装置
JP4152040B2 (ja) * 1999-05-21 2008-09-17 株式会社日本マイクロニクス 接触子先端のクリーニング部材
US6777966B1 (en) 1999-07-30 2004-08-17 International Test Solutions, Inc. Cleaning system, device and method
US6193587B1 (en) 1999-10-01 2001-02-27 Taiwan Semicondutor Manufacturing Co., Ltd Apparatus and method for cleansing a polishing pad
US6733876B1 (en) 1999-10-20 2004-05-11 3M Innovative Properties Company Flexible abrasive article
US6280298B1 (en) 1999-11-24 2001-08-28 Intel Corporation Test probe cleaning
JP3463043B2 (ja) 2001-01-24 2003-11-05 Ｎｅｃセミコンダクターズ九州株式会社 ワイヤボンディング装置のキャピラリを洗浄する洗浄方法及び洗浄装置
US6714295B2 (en) 2001-10-23 2004-03-30 Beyond 3, Inc. Optical inspection method and apparatus having an enhanced height sensitivity region and roughness filtering
KR100857642B1 (ko) 2001-04-09 2008-09-08 니혼 미크로 코팅 가부시끼 가이샤 접촉자 선단 및 측면 클리닝 용구
JP4832664B2 (ja) * 2001-05-21 2011-12-07 日本ミクロコーティング株式会社 接触子クリーニングシート及び方法
JP3888197B2 (ja) 2001-06-13 2007-02-28 三菱電機株式会社 プローブ先端付着異物の除去部材、プローブ先端付着異物のクリーニング方法およびプロービング装置
US6817052B2 (en) 2001-11-09 2004-11-16 Formfactor, Inc. Apparatuses and methods for cleaning test probes
US6813804B2 (en) * 2002-06-06 2004-11-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for cleaning probe card contacts
US7306849B2 (en) 2002-07-01 2007-12-11 Formfactor, Inc. Method and device to clean probes
WO2004048008A1 (ja) 2002-11-25 2004-06-10 Nitto Denko Corporation クリーニングシートおよび基板処理装置のクリーニング方法
JP2004174314A (ja) * 2002-11-25 2004-06-24 Nitto Denko Corp クリーニングシートおよび基板処理装置のクリーニング方法
JP2004305936A (ja) 2003-04-08 2004-11-04 Mitsubishi Electric Corp プローブピン洗浄装置
US6899602B2 (en) 2003-07-30 2005-05-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Nc Porous polyurethane polishing pads
JP2005091213A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Inoac Corp クリーニングパッドおよびその製造方法
US7411157B2 (en) 2003-09-26 2008-08-12 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Electronic flame-off electrode with ball-shaped tip
JP2005249409A (ja) 2004-03-01 2005-09-15 Oki Electric Ind Co Ltd プローブ針用クリーニングシート
JP2006013185A (ja) 2004-06-28 2006-01-12 Nitto Denko Corp 半導体装置用クリーニング部材の再生方法
US20060065290A1 (en) 2004-09-28 2006-03-30 Jerry Broz Working surface cleaning system and method
JP2006165395A (ja) 2004-12-09 2006-06-22 Jsr Corp プローブクリーニングフィルム及びプローブクリーニング部材
JP2006186133A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の検査装置および検査方法
US20060219754A1 (en) 2005-03-31 2006-10-05 Horst Clauberg Bonding wire cleaning unit and method of wire bonding using same
KR100686793B1 (ko) 2005-06-23 2007-02-26 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 캐필러리로부터 파티클을 제거할 수 있는 와이어 본딩 머신 및 캐필러리 하단 팁의 클리닝 방법
US7345466B2 (en) * 2005-08-02 2008-03-18 Electroglas, Inc. Method and apparatus for cleaning a probe card
JP3947795B2 (ja) * 2005-12-27 2007-07-25 東京エレクトロン株式会社 クリーニング部材及びプローブ装置
US7641739B2 (en) 2006-06-13 2010-01-05 The Boeing Company Friction stir welding tool cleaning method
JP4700570B2 (ja) 2006-07-14 2011-06-15 株式会社新川 ボンディング装置並びにボンディングツール先端部の洗浄方法及びプログラム
JP5027468B2 (ja) 2006-09-15 2012-09-19 日本ミクロコーティング株式会社 プローブクリーニング用又はプローブ加工用シート、及びプローブ加工方法
JP4840118B2 (ja) 2006-12-13 2011-12-21 株式会社デンソー ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置
JP2008270270A (ja) 2007-04-16 2008-11-06 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2008281413A (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Micronics Japan Co Ltd プローブのためのクリーニング装置
US7530887B2 (en) 2007-08-16 2009-05-12 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with controlled wetting
KR100925181B1 (ko) * 2007-10-16 2009-11-05 주식회사 퓨리텍 프로브용 크리닝 시트
JP4369507B2 (ja) 2007-12-07 2009-11-25 株式会社新川 ボンディング装置及びボンディング方法
TW200937019A (en) 2008-02-21 2009-09-01 Ipworks Technology Corp Probes of cantilever probe card
KR100889297B1 (ko) 2008-09-12 2009-03-18 주식회사 코스마 와이어 본딩용 캐필러리의 크리닝 지그, 와이어 본딩용 캐필러리의 크리닝 장치, 그의 제조 방법 및 그를 이용한 캐필러리 크리닝 방법
TWM364268U (en) * 2008-12-01 2009-09-01 Jtron Technology Corp Adhesive cleaning device of test chip base
EP2419929B8 (en) 2009-04-14 2021-08-18 International Test Solutions, LLC. Wafer manufacturing cleaning apparatus, process and method of use
US8371316B2 (en) 2009-12-03 2013-02-12 International Test Solutions, Inc. Apparatuses, device, and methods for cleaning tester interface contact elements and support hardware
US7866530B1 (en) 2010-06-28 2011-01-11 Valeri Riachentsev Clean tip soldering station
US8790406B1 (en) 2011-04-01 2014-07-29 William D. Smith Systems and methods for performing spine surgery
US8876983B2 (en) 2011-09-01 2014-11-04 Ford Global Technologies, Llc In-line cleaning method for ultrasonic welding tools
KR101473811B1 (ko) 2012-11-23 2014-12-17 일진엘이디(주) 와이어 본딩 장치용 세정 키트, 이를 포함하는 와이어 본딩 장치 및 이를 이용한 캐필러리 세정 방법
US9318362B2 (en) 2013-12-27 2016-04-19 Asm Technology Singapore Pte Ltd Die bonder and a method of cleaning a bond collet

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5011513A (en) * 1989-05-31 1991-04-30 Norton Company Single step, radiation curable ophthalmic fining pad
TW366419B (en) * 1997-04-22 1999-08-11 Minnesota Mining & Mfg Abrasive material for the needle point of a probe card
TW409322B (en) * 1998-02-20 2000-10-21 Japan Electronic Materials Probe end cleaning sheet
US7202683B2 (en) * 1999-07-30 2007-04-10 International Test Solutions Cleaning system, device and method
US20070178814A1 (en) * 2001-05-02 2007-08-02 Nihon Micro Coating Co., Ltd. Method of cleaning a probe
TWI268569B (en) * 2002-01-18 2006-12-11 Formfactor Inc Apparatus and method for cleaning test probes
US20050255796A1 (en) * 2004-05-14 2005-11-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Probe cleaning sheet and cleaning method
TW200819753A (en) * 2006-08-09 2008-05-01 Nippon Micro Coating Kk Probe cleaning sheet

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Publication number Publication date
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