TWI416749B - 固態攝影裝置 - Google Patents

Description

固態攝影裝置 (相關申請案的交互參考)

本申請案基於並主張於2008年10月7日提出申請的早期日本專利申請案第2008-260796號的優先權，其全部內容併入本文供參考。

本發明是有關於一種固態攝影裝置，且特別是有關於一種使用多個畫素陣列(pixel array)來取得多個顏色資訊的固態攝影裝置。

目前，以互補金氧半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)感測器為首的固態攝影元件被用於數位靜態相機(digital still camera)、電影視頻錄影機(video movie)、監視攝影機(security camera)等多種用途中。其中，使用單一的畫素陣列來取得多個顏色資訊的單板式固態攝影元件已成為主流。

近年來，因應多畫素化或攝影光學系統尺寸(size)的縮小等的要求，有畫素尺寸縮小的傾向。若畫素尺寸縮小，則攝影區域的面積會變小，攝影光學系統的面積隨之變小，從而可縮短焦點距離(focal length)，因此，可縮小攝影光學系統的高度。例如，近年來，數位相機等中廣泛使用的CMOS感測器的畫素尺寸為1.4μm至2.8μm左右。然而，此種微細畫素會產生如下所述的問題。

第一，若畫素尺寸縮小，則單位畫素可接收光的光子(photon)的數量會與單位畫素的面積成比例地減少，因此，相對於光子散粒雜訊(Photon shot noise)的S/N比(signal-to-noise ratio，信號雜訊比)降低。當無法維持S/N比時，再生畫面的畫質劣化，從而使再生圖像的品質降低。

第二，若畫素尺寸縮小，則相鄰畫素之間串擾(crosstalk)會增大。藉此，各畫素本應僅在各自固有的波長區域中具有感度(sensitivity)，但卻變得在原本不應具有感度的波長區域中具有感度。因此，產生混色(color mixture)，從而再生畫面上的色再現性顯著劣化。

因此，為了在畫素尺寸縮小的情形下仍維持高S/N比，則必須儘可能地使感度不下降，防止S/N比的降低。而且，為了在畫素尺寸縮小的情形下使色再現性不劣化，而必須儘可能地設法不產生混色。由於存在此種攝影元件的特性上的問題，故而難以減小畫素尺寸，因此，產生了無法充分地將攝影光學系統縮小的問題。

為了解決此種問題，特別是為了減小攝影光學系統的厚度，先前已開發出了例如日本專利特開2001-78212號公報、日本專利特開2006-246193號公報等所揭示的技術。在該技術中，將攝影元件劃分成多個攝影區域，並對應於各個攝影區域而設置成像光學系統，以利用各個攝影區域來接收不同的光譜分佈(spectral distribution)的入射光的方式，將光譜濾波器(spectral filter)設置於成像光學系統。於該情況下，多個攝影區域彼此接觸地配置。若以此方式將攝影區域分割成多個區域，則可縮小各個攝影區域的面積，因此，可使成像光學系統的光軸方向的高度變低，從而可實現低背化(low profile)的相機模組(camera module)。

然而，若使多個攝影區域相接觸地配置，則會產生如下所述的問題。亦即，由耦合光學系統所形成的像圈(image cycle)的大小會變得大於一個攝影區域的面積，來自對應於各攝影區域而配置的成像光學系統的光會伸至相鄰的攝影區域中，因此，該光成為頻疊信號(aliasing signal)，致使再生畫面的畫質顯著劣化。因此，在之前的兩個公報所揭示的攝影裝置中，於各個成像光學系統之間採用具有遮光效果的構造。

然而，對於此種方法而言，防止頻疊信號混入至相鄰接的攝影區域的效果不充分；或者因遮光壁而引起光反射，藉此，遮光壁所反射的光的暗角(vignetting)會引起眩光(flare)，從而再生圖像的畫質顯著劣化。

本發明的第1方面(aspect)提供一種固態攝影裝置，包括：多個攝影區域，由包含光電轉換部及信號掃描電路部的多個單位畫素在半導體基板內呈矩陣狀地配置而形成，且在上述半導體基板內彼此相隔地配置；攝影光學系統，在上述半導體基板的與配線層形成面為相反面的上述多個各攝影區域上成像出被寫體像(object image)；以及驅動電路區域，在上述半導體基板內配置於上述多個攝影區域相互之間，且形成著對上述信號掃描電路部進行驅動的驅動電路。

本發明的第2方面提供一種固態攝影裝置，包括：多個攝影區域，由包含光電轉換部及信號掃描電路部的多個單位畫素在半導體基板內呈矩陣狀地配置而形成；攝影光學系統，在上述半導體基板的與配線層形成面為相反面的上述多個攝影區域上分別成像出被寫體像，上述多個攝影區域彼此僅相隔如下的距離而形成於上述半導體基板內，該距離是不會使藉由上述攝影光學系統而成像的上述多個被寫體像彼此重合的距離。

以下，參照附圖，藉由實施例來對本發明進行詳細說明。再者，在所有的圖中，對相對應的部位標記相同符號並省略重複說明。

(第1實施例)

圖1是第1實施例的固態攝影裝置的剖面圖。該固態攝影裝置包括使用Si半導體基板而經單晶片化的攝影元件晶片(chip)1、設置於攝影元件晶片1的上方的成像光學透鏡(lens)2、以及配置於攝影元件晶片1與成像光學透鏡2之間的光譜濾波器(彩色濾光片(color filter))3。再者，以下將要進行說明，光譜濾波器3實際上形成於攝影元件晶片1上。

圖2是表示圖1中的攝影元件晶片1的一例的平面圖。如圖2所示，攝影元件晶片1具有多個攝影區域(畫素陣列)，在本例中，該攝影元件晶片1具有4個攝影區域11～14。上述4個攝影區域11～14在Si半導體基板上排列成2行×2列的矩陣狀，且彼此相隔地配置著。以下將要進行說明，在上述4個攝影區域11～14的各個中，矩陣狀地配置並形成著包含光電轉換部及信號掃描電路部的多個單位畫素(單位晶胞(unit cells))。

與上述4個攝影區域11～14的各個相鄰接地配置著形成有多個A/D轉換器的A/D轉換電路區域15～18。形成於各A/D轉換電路區域15～18內的多個A/D轉換器，將在各攝影區域內的單位畫素中經光電轉換而成的類比信號(analog signal)轉換成數位信號(digital signal)。而且，與A/D轉換電路區域15～18的各個相鄰接地配置著形成有數位信號處理電路(Digital Signal Processor，DSP)的數位信號處理電路區域19～22，該數位信號處理電路(DSP)接收經相應的A/D轉換電路區域內的多個A/D轉換器轉換而成的數位信號並進行信號處理。

此外，在上述4個攝影區域11～14相互之間配置著形成有驅動電路的驅動電路區域23，該驅動電路對4個攝影區域11～14內的信號掃描電路部進行驅動。本例中，驅動電路區域23是以在縱方向延伸的方式，配置於排列於圖中的上下方向的2個攝影區域11、12及2個攝影區域13、14相互之間。

而且，於圖2中，在排列於圖中的左右方向的2個攝影區域11、13與2個攝影區域12、14相互之間，以在圖中的橫方向上相連續的方式，配置著多個電極墊(electrode pad)24。上述多個電極墊24是用於將在4個攝影區域11～14中獲得的信號輸出，且將用以供給至4個攝影區域11～14的電源電壓及/或驅動脈衝(pulse)信號予以輸入。在上述多個電極墊24上，亦可如圖3的剖面圖所示，形成由焊錫構成的球形電極25，或者亦可如圖4的剖面圖所示，與接線(bonding wire)26電性連接。

成像光學透鏡2例如是由玻璃(glass)、合成樹脂等所構成，在構成攝影元件晶片1的半導體基板的與配線層形成面為相反面的多個攝影區域11～14上分別成像出被寫體像。

光譜濾波器3對應於多個攝影區域11～14而設置有4個，如圖1所示，該光譜濾波器3配置於成像光學透鏡2與攝影元件晶片1之間。此處，例如，如圖2中的R所示，與攝影區域11相對應的光譜濾波器3主要使紅色的波長區域的光透過。圖2中，如圖2中的G所示，與配置於對角線上的2個攝影區域12、13相對應的2個光譜濾波器3主要使綠色的波長區域的光透過。此外，圖2中，如圖2中的B所示，與相對於攝影區域11而配置於對角線上的攝影區域14相對應的光譜濾波器3主要使藍色的波長區域的光透過。

圖5概略性地表示圖2中所示的攝影元件晶片1的電路功能的一例。畫素陣列(攝影區域)31相當於圖2中的4個攝影區域11～14，該畫素陣列31對經由成像光學透鏡2及光譜濾波器3而成像在4個攝影區域11～14上的被寫體像進行拍攝，藉由多個單位畫素來進行光電轉換，從而取得包含B、G、R的色信號。驅動電路32是配置於圖2中的驅動電路區域23，對畫素陣列31內的信號掃描電路部進行驅動，依序選擇畫素陣列31內的多個單位畫素，然後依序自畫素陣列31中取出色信號。A/D轉換電路33是分散地配置於圖2中的A/D轉換電路區域15～18，將在畫素陣列31中所取得的色信號轉換成數位信號。數位信號處理電路(DSP)34分散地配置於圖2中的數位信號處理電路區域19～22，並接收經A/D轉換電路33轉換而成的數位信號，對畫素陣列31所拍攝的圖像進行類型匹配(pattern matching)，然後進行圖像的合成等的信號處理。控制電路35對驅動電路32、A/D轉換電路33、以及數位信號處理電路34的動作進行控制。該控制電路35例如亦可配置並形成於圖2中的驅動電路區域23內。

圖6表示圖2所示的4個攝影區域11～14中的1個的等效電路的一例，且一併表示驅動電路32及A/D轉換電路的一部分。再者，4個攝影區域11～14全部具有相同的構成。在攝影區域中，多個單位畫素(單位晶胞)40排列成矩陣狀。再者，圖6中，為了簡化說明，僅表示2行×2列的合計4個單位晶胞40。然而，單位晶胞的數量並不限定於4個。在攝影區域中，進一步分別設置有多個水平位址線(address line)41、重設線(reset line)42、以及垂直信號線43。

在驅動電路32(表示在圖5中)內，設置著作為列選擇電路的垂直移位暫存器電路44、作為行選擇電路的水平移位暫存器電路45、多個負載電晶體(transistor)46、多個水平選擇電晶體47、以及一條水平信號線48。

單位晶胞40包括光二極體(photodiode)51、將光二極體51的輸出信號(光電轉換信號)讀出的讀出電晶體52、將讀出電晶體52的輸出信號放大的放大電晶體53、選擇將放大電晶體53的輸出信號讀出的垂直線的垂直選擇電晶體54、以及對光二極體51的輸出進行重設(reset)的重設電晶體55。垂直選擇電晶體54以及重設電晶體55的汲極(drain)或源極(source)共用地連接著，自電源電壓或驅動脈衝信號產生電路輸出的電源電壓或驅動脈衝信號被供給至該共用連接節點(node)。此處，在各單位晶胞40內，光二極體51構成光電轉換部，讀出電晶體52、放大電晶體53、垂直選擇電晶體54、以及重設電晶體55構成信號掃描電路部。

水平位址線41自垂直移位暫存器電路44起在水平方向上延長而進行配線，並指定將信號讀出的列。該水平位址線41共用地連接於一列的單位晶胞40內的垂直選擇電晶體54的各閘極(gate)。

重設線42自垂直移位暫存器電路44起在水平方向上延長而進行配線，並指定對信號進行重設的列。重設線42共用地連接於一列的單位晶胞40內的重設電晶體55的各閘極。

垂直信號線43共用地連接於一行的單位晶胞40內的放大電晶體53的各源極。負載電晶體46分別連接於垂直信號線43的一端。設置在A/D轉換電路33內的多個A/D轉換器49的各自一端連接於垂直信號線43的另一端。多個A/D轉換器49各自的另一端經由各水平選擇電晶體47而共用地連接於水平信號線48。水平選擇電晶體47藉由自水平移位暫存器電路45輸出的選擇脈衝而受到選擇驅動。

此處，簡單地對圖6的電路的動作進行說明。首先，自垂直移位暫存器電路44而對水平位址線41施加“H”位準(high level)的位址脈衝信號，一列的單位晶胞40內的垂直選擇電晶體54成為導通(on)狀態。藉此，利用由所選擇的列的各單位晶胞40內的放大電晶體53與負載電晶體46所構成的源極隨耦電路(follower circuit)，將放大電晶體53的閘極電壓、即與光二極體51的電壓大致相同的電壓輸出至垂直信號線43。藉由多個各A/D轉換器49來對出現在垂直信號線43中的電壓進行A/D轉換。

接著，將“H”位準的水平選擇脈衝信號自水平移位暫存器電路45依序施加至水平選擇電晶體47，使一列的信號依序輸出至水平信號線48。該動作依序在下一列、再下一列中持續進行，藉此，可將二維狀的全部的單位晶胞的信號讀出。

圖7表示圖2所示的攝影元件晶片1中的攝影區域的詳細的剖面構造，且一併表示光譜濾波器3。在Si半導體基板61內形成著多個單位晶胞62。在半導體基板61的表面上的絕緣膜中，例如形成著由鋁、銅等構成的多個配線層63。而且，在半導體基板61的背面上，隔著用以降低入射光的反射率而使更多的光入射的抗反射膜64，且與多個單位晶胞62相對應地配置並形成著多個微透鏡65。而且，在微透鏡65的上方，配置著使紅、綠、藍的任一個波長區域的光透過的光譜濾波器3。光譜濾波器3、抗反射膜64、以及多個微透鏡65與成像光學透鏡2一併構成攝影光學系統。

此處，如圖7中的箭頭所示，圖1中所示的成像光學透鏡2是在半導體基板61的與配線層63的形成面為相反面的攝影區域上成像出被寫體像。

在第1實施例的固態攝影裝置中，相對於多個各攝影區域11～14，獨立地藉由成像光學透鏡2來成像，且獨立地配置著光譜濾波器3。若以上述方式，設為針對每種顏色來配置攝影區域的構成，則僅同色的單位晶胞彼此鄰接。因此，在單位晶胞間不會產生串擾，可獲得無混色的良好的光譜特性。結果，可在再生畫面上獲得優良的色再現性。

圖8是表示圖2所示的攝影元件晶片1、以及藉由成像光學透鏡2而形成於攝影元件晶片1的4個攝影區域11～14上的被寫體像的平面圖。再者，圖8中，攝影區域11～14上的各被寫體像表示為像圈70。

如圖8所示，在第1實施例的固態攝影裝置中，使各攝影區域相隔充分的距離而形成，以防止分別形成於攝影區域11～14的像圈70伸出至其他攝影區域上。結果，可避免被寫體像映入至原本不應成像出被寫體像的攝影區域的問題。再者，原本，固態攝影裝置所需的驅動電路32、A/D轉換電路33、數位信號處理電路34、控制電路35、以及電極墊24等配置於攝影區域11～14相互之間，該些電路並不配置於攝影區域11～14的外周部。藉此，可與先前同等程度地將單位晶胞的尺寸縮小。

而且，在第1實施例的固態攝影裝置中，藉由成像光學透鏡2而於半導體基板的與配線層53的形成面為相反面的各攝影區域11～14上成像出被寫體像。藉此，可使入射光入射至Si半導體基板而不會被配線層53遮擋。結果，可獲得較高的光利用效率。

而且，由於在光照射面的相反面配置著接線，故即便於攝影區域相互之間配置著電極墊，無論自哪一個位置將接線連接於電極墊，均不會阻礙入射光。

(第2實施例)

圖9是表示第2實施例的固態攝影裝置中所使用的攝影元件晶片1、以及形成於攝影元件晶片1內的4個攝影區域11～14上的被寫體像的平面圖。於該情況下，該攝影區域11～14上的各被寫體像亦表示為像圈70。

在該實施例的固態攝影裝置中，於圖中的左右方向(橫方向)上，將圖2所示的攝影元件晶片1的驅動電路區域23分割成兩個區域，在該兩個區域之間的區域中，亦將多個電極墊24連續地配置於縱方向上。

亦即，在該實施例的固態攝影裝置中，電極墊24不僅排列在晶片上的一個方向上，而且亦排列在與該方向正交的方向上，其中該電極墊24是用於將在攝影區域11～14中所獲得的信號輸出，且將用以供給至攝影區域11～14的電源電壓及/或驅動脈衝信號輸入。

再者，即便於該情況下，亦與第1實施例同樣，可在多個電極墊24上形成球形電極25，或者亦可與接線26電性連接。

即使在該實施例中，亦可獲得與第1實施例相同的效果。

(第3實施例)

圖10是表示第3實施例的固態攝影裝置中所使用的攝影元件晶片1、以及形成於攝影元件晶片1的4個攝影區域11～14上的被寫體像的平面圖。於該情況下，攝影區域11～14上的各被寫體像亦表示為像圈70。

在該實施例的攝影元件晶片1中，並未設置圖2中所示的數位信號處理電路區域19～22。因此，亦省略了圖5中所示的數位信號處理電路34。於本例的情況下，在晶片外部進行圖像的合成等的信號處理。

即使在該實施例中，亦可獲得與第1實施例相同的效果。

再者，在上述各實施例中，對將光譜濾波器3配置於成像光學透鏡2與攝影元件晶片1之間的情形進行了說明，但亦可變形為將該光譜濾波器3配置於成像光學透鏡2與被寫體之間，或配置於作為攝影元件晶片1的半導體基板上。而且，圖7所示的光譜濾波器3亦可形成於微透鏡65與抗反射膜64之間。或者，上述光譜濾波器3亦可配置於多個微透鏡65的上部與多個微透鏡65之間，或配置於多個微透鏡65的上部與抗反射膜64之間。

而且，在上述各實施例中，對與攝影區域31相接觸地配置A/D轉換電路區域15～18的情形進行了說明，但亦可將該A/D轉換電路區域15～18配置於其他區域，例如配置於驅動電路區域23內或晶片周邊區域。

在本發明的固態攝影裝置中，攝影區域的光照射面是與形成著配線層的基板表面為相反側的基板表面，因此，不會因配線層而阻礙入射光。因此，即便將畫素尺寸縮小，亦可維持較高的量子效率，從而可獲得S/N優良的高畫質的再生圖像。

而且，多個各攝影區域內的多個單位畫素的各個都接收透過相同的光譜濾波器的入射光，因此，即便將畫素尺寸縮小，亦不會產生混色，可使再生畫面的色再現性顯著提高。而且，在多個攝影區域相互之間，配置著用以對攝影區域進行驅動的驅動電路、電極墊、以及對來自攝影區域的輸出信號進行處理的數位信號處理電路，其中，設置上述電極墊是為了供給用以供給至攝影元件的電源電壓及/或驅動脈衝信號、及將信號自攝影元件輸出，各個攝影區域是配置於保持充分的間隔而分離的位置。因此，來自不同的耦合光學系統的入射光不會彼此交織，從而可獲得無頻疊信號的良好的再生圖像。

而且，為了將電源電壓及/或驅動脈衝信號供給至攝影區域並將信號自攝影區域輸出而設置的電極墊，可設置於光照射面的相反側。因此，自電極墊引出的接線不會進入至成像光學系統與攝影區域之間，從而可獲得無頻疊信號的良好的再生圖像。

本領域技術人員容易想到其他優勢及變更。因此，本發明在其更廣泛的形態中並不限於本文所示及描述的特定細節及代表性實施例。因此，本發明在不偏離由隨附的申請專利範圍及其等效體所界定的普遍的發明概念的精神或範疇內，可進行各種變更。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術區域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1．．．攝影元件晶片

2．．．成像光學透鏡

3．．．光譜濾波器

11～14．．．攝影區域

15～18．．．A/D轉換電路區域

19～22．．．數位信號處理電路區域

23．．．驅動電路區域

24．．．電極墊

25．．．球形電極

26．．．接線

31．．．畫素陣列

32．．．驅動電路

33．．．A/D轉換電路

34．．．數位信號處理電路

35．．．控制電路

40、62．．．單位晶胞

41．．．水平位址線

42．．．重設線

43．．．垂直信號線

44．．．垂直移位暫存器電路

45．．．水平移位暫存器電路

46．．．負載電晶體

47．．．水平選擇電晶體

48．．．水平信號線

49．．．A/D轉換器

51．．．光二極體

52．．．讀出電晶體

53．．．放大電晶體

54．．．垂直選擇電晶體

55．．．重設電晶體

61．．．Si半導體基板

63．．．配線層

64．．．抗反射膜

65．．．微透鏡

70．．．像圈

圖1是第1實施例的固態攝影裝置的剖面圖。

圖2是表示圖1中的攝影元件晶片的一例的平面圖。

圖3是在電極墊上形成著球形電極的圖1的固態攝影裝置的剖面圖。

圖4是在電極墊上電性連接著接線的圖1的固態攝影裝置的剖面圖。

圖5是概略性地表示圖2所示的攝影元件晶片的電路功能的一例的方塊圖。

圖6是將圖2所示的攝影區域的等效電路的一例與驅動電路及A/D轉換器一併表示的電路圖。

圖7是將圖2所示的攝影元件晶片中的攝影區域的詳細的剖面與光譜濾波器一併表示的剖面圖。

圖8是表示圖2所示的攝影元件晶片及藉由成像光學透鏡而形成於攝影元件晶片的4個攝影區域上的被寫體像的平面圖。

圖9是表示第2實施例的固態攝影裝置中所使用的攝影元件晶片及形成於攝影元件晶片的4個攝影區域上的被寫體像的平面圖。

圖10是表示第3實施例的固態攝影裝置中所使用的攝影元件晶片及形成於攝影元件晶片的4個攝影區域上的被寫體像的平面圖。

1．．．攝影元件晶片

2．．．成像光學透鏡

3．．．光譜濾波器

Claims (8)

1. 一種固態攝影裝置，包括：半導體基板，具有第1主表面及第2主表面；多個攝影區域，在上述半導體基板內呈第1矩陣狀地配置而形成且彼此相隔地配置著，並且具有各自包含光電轉換部及信號掃描電路部而呈第2矩陣狀地的單位畫素；攝影光學系統，在上述半導體基板的上述第1主表面的上述多個攝影區域上成像出被寫體像；驅動電路區域，在上述半導體基板內且在行方向，配置於相鄰的上述多個攝影區域相互之間，且形成著對上述信號掃描電路部進行驅動的驅動電路；多個A/D轉換電路區域，在列方向並配置於上述相鄰的多個攝影區域的相互之間，且配置著對在上述多個攝影區域中獲得的信號進行A/D轉換的多個A/D轉換器；多個數位信號處理電路區域，在上述列方向並配置於上述相鄰的多個攝影區域的相互之間，且配置著接收經上述多個A/D轉換電路區域內的A/D轉換器轉換而成的數位信號並進行信號處理的多個信號處理電路；配線層，形成於與上述攝影光學系統形成面為相反面的上述半導體基板的上述第2主表面；以及多個電極墊，在上述第2主表面且在上述列方向並配置於上述相鄰的多個攝影區域的相互之間，將在上述多個數位信號處理電路區域中經處理的信號予以輸出，且輸入有用以供給至上述多個攝影區域的電源電壓及/或驅動脈 衝信號，其中上述多個攝影區域是彼此僅相隔如下的距離而形成於上述半導體基板內，該距離是不會使藉由上述攝影光學系統所成像的上述多個被寫體像彼此重合的距離，上述多個電極墊是形成於上述半導體基板的與上述配線層形成面為相同側的表面上，以及入射光是照射向在與形成上述配線層的上述半導體基板的上述第2主表面相反的上述半導體基板的上述第1主表面所形成的上述攝影區域。
2. 如申請專利範圍第1項所述之固態攝影裝置，其中形成於上述驅動電路區域的上述驅動電路，包括對配置於上述多個各攝影區域的多個單位畫素的列進行選擇的列選擇電路、及對行進行選擇的行選擇電路。
3. 如申請專利範圍第1項所述之固態攝影裝置，其中上述多個攝影區域是配置成2行×2列的4個攝影區域。
4. 如申請專利範圍第1項所述之固態攝影裝置，其中上述攝影光學系統包括對應於上述多個攝影區域而成像出上述被寫體像的成像光學透鏡。
5. 如申請專利範圍第1項所述之固態攝影裝置，其中上述攝影光學系統更包括在上述多個攝影區域上分別配置的多個光譜濾波器，而且上述多個攝影區域被曝曬於通過上述多個光譜濾波器傳達的光，並接收到上述被寫體像之不同光譜的光。
6. 如申請專利範圍第1項所述之固態攝影裝置，其中上述攝影光學系統更包括在上述多個攝影區域上分別配置的多個微透鏡及抗反射膜。
7. 如申請專利範圍第1項所述之固態攝影裝置，更包括：多個第1電極墊，在上述列方向並配置於上述相鄰的多個攝影區域之間，且在形成上述配線層的上述半導體基板的相同表面上形成。
8. 如申請專利範圍第7項所述之固態攝影裝置，更包括：多個第2電極墊，在上述行方向並配置於上述相鄰的多個攝影區域之間，且在形成上述配線層的上述半導體基板的相同表面上形成。