TWI415183B - 包含化學品表面的處理方法與裝置 - Google Patents

包含化學品表面的處理方法與裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI415183B
TWI415183B TW097104245A TW97104245A TWI415183B TW I415183 B TWI415183 B TW I415183B TW 097104245 A TW097104245 A TW 097104245A TW 97104245 A TW97104245 A TW 97104245A TW I415183 B TWI415183 B TW I415183B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
newtonian fluid
proximal joint
region
newtonian
Prior art date
Application number
TW097104245A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200921779A (en
Inventor
Katrina Mikhaylichenko
Mike Ravkin
Fritz Redeker
Larios John M De
Erik M Freer
Mikhail Korolik
Original Assignee
Lam Res Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Res Corp filed Critical Lam Res Corp
Publication of TW200921779A publication Critical patent/TW200921779A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI415183B publication Critical patent/TWI415183B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Description

包含化學品表面的處理方法與裝置 【相關申請案的交互參照】
本申請案係關於美國專利申請案第10/608871號，申請於2003年6月27日，以及標題為「Method and Apparatus for Removing a Target Layer from a Substrate Using Reactive Gases」；美國專利申請案第10/746114號，申請於2003年12月23日，以及標題為「Method and Apparatus for Cleaning Semiconductor Wafers using Compressed and/or Pressurized Foams,Bubbles,and/or Liquids」；美國專利申請案第11/532491號，申請於2006年9月15日，以及標題為「Method and Material for cleaning a substrate」；美國專利申請案第11/532493號，申請於2006年9月15日，以及標題為「Apparatus and System for cleaning a substrate」。為了所有目的，將這些相關申請案的揭露內容以參考文獻方式合併於此。
概括而言本發明係關於半導體基板處理，尤其係關於用以在製造操作過程從半導體基板表面移除微粒之包含化學品表面處理的系統與方法。
在基板製造處理的過程，基板的表面被連續曝露於不同的化學品。這些用於不同製造處理操作的化學品可為形成在基板表面上之一種或更多污染物的來源。這些污染物如微粒般沉積在基板的表面上，並且可能導致損壞位於污染物粒子鄰近區域內的裝置與特徵部。因此，必須以即時且有效的方式在沒有損壞特徵部與裝置的情況下，從基板表面消除污染物。
習知基板清潔方法仰賴機械力或化學品以從基板表面移除微粒污染物。因為裝置與特徵尺寸在尺寸上持續降低而變得容易損 壞，清潔方法所施加的機械力會增加引起這些特徵部以及裝置損壞的可能性。使用化學品移除污染物已證實另一個挑戰：(在其他問題中)化學品的施加與移除會引起未受控去濕(de－wetting)，此會導致在表面上產生水漬以及其他的缺陷。此外，習知清潔方法已無法在清潔操作過程於處理區域中提供實質上無氧或低氧的環境。於進行清潔過程在處理區域中氧的存在會引起銅以及其他用於在處理區域形成特徵部(例如互連)之金屬的氧化，而使這些互連所連接的特徵部與裝置無法運作。因此，在製造過程有效且無損壞的污染物移除係為持續的挑戰。
以上述觀點而言，在從基板表面移除污染物的方面上需要更有效且更少磨蝕的清潔技術。
本發明藉由提供從基板表面有效移除污染物的改善方法與裝置而滿足此需求。吾人應明白可以許多方式達成本發明，其包含裝置與方法。以下說明本發明之數個發明實施例。
在一實施例中，揭露一種使用近接頭製備基板表面的方法。此方法包含將非牛頓流體施加在基板表面與近接頭的頭表面之間。非牛頓流體沿著位於頭表面與基板表面之間的一個或更多側邊形成容納壁。以非牛頓流體所設置的一個或更多側邊，形成位於頭表面與基板表面之間的基板上的處理區域。透過近接頭將牛頓流體施加至基板的表面，以使施加的牛頓流體實質上被容納在容納壁所形成的處理區域內。牛頓流體可促進從基板表面實質上移除一種或更多的污染物。
在另一實施例中，揭露一種使用近接頭製備基板表面的方法。此方法包含將第一非牛頓流體施加在基板表面與近接頭的頭表面之間。第一非牛頓流體沿著位於頭表面與基板表面之間的一個或更多側邊形成容納壁。以第一非牛頓流體所設置的一個或更多側邊，形成位於頭表面與基板表面之間的基板上的處理區域。 透過近接頭將不同於第一非牛頓流體的第二非牛頓流體施加至基板表面，以使施加的第二非牛頓流體實質上被容納在容納壁所形成的處理區域內。第二非牛頓流體可促進從基板表面實質上移除一種或更多的污染物。
在另一實施例中，揭露一種使用近接頭製備基板表面的方法。此方法包含將非牛頓流體施加在基板表面與近接頭的頭表面之間。非牛頓流體沿著位於頭表面與基板表面之間的一個或更多側邊形成容納壁。以非牛頓流體所設置的一個或更多側邊，形成位於頭表面與基板表面之間的基板上的處理區域。透過近接頭將第一牛頓流體施加至基板表面，以使施加的第一牛頓流體實質上被容納在容納壁所形成之處理區域中的第一子區域內。透過近接頭將不同於第一牛頓流體的第二牛頓流體施加至基板表面，以使施加的第二牛頓流體實質上被容納在容納壁所形成之處理區域中的第二子區域內。第一與第二牛頓流體可與形成在處理區域所覆蓋之基板表面上之一種或更多的污染物發生作用，並且將其實質移除。
在一替代實施例中，將第一非牛頓流體施加在基板表面與近接頭的頭表面之間，俾能形成用以形成處理區域的容納壁，將第二與第三非牛頓流體施加在處理區域的第一與第二子區域內。第二與第三非牛頓流體係彼此相異並且異於第一非牛頓流體。第二與第三非牛頓流體可與形成在處理區域所覆蓋之基板表面上之一種或更多的污染物發生作用，並且將其實質移除。
在一替代實施例中，將第一非牛頓流體施加在基板表面與近接頭的頭表面之間，俾能形成用以形成處理區域的容納壁。將第二非牛頓流體以及牛頓流體施加至基板表面，以使第二非牛頓流體與牛頓流體實質上被容納在處理區域的第一與第二子區域內。處理區域內的牛頓流體與第二非牛頓流體可與形成在處理區域所覆蓋之基板表面上之一種或更多的污染物發生作用，並且將其實質移除。
在另一實施例中，揭露一種使用近接頭製備基板表面的方法。此方法包含將非牛頓流體施加在基板表面與近接頭的頭表面之間。非牛頓流體沿著位於頭表面與基板表面之間的一個或更多側邊形成容納壁。以非牛頓流體所設置的一個或更多側邊，形成位於頭表面與基板表面之間的基板上的處理區域，此處理區域藉由容納壁而實質上與外部未受控環境條件隔離。透過近接頭將惰性氣體施加至處理區域，以使施加的惰性氣體佔據處理區域而實質上置換既存的氣體與化學品，在處理區域中惰性氣體的施加可在處理區域中提供實質上低氧或無氧的環境，以促進額外的製造。
在又另一實施例中，揭露一種使用近接頭製備基板表面的裝置。此裝置包含：基板支撐裝置，用以沿著平面支撐並固持基板；近接頭，用以施加非牛頓流體與牛頓流體。此近接頭包含非牛頓流體施加器，以將非牛頓流體施加在基板表面與近接頭的頭表面之間。施加的非牛頓流體沿著位於頭表面與基板表面之間的一個或更多側邊形成容納壁。以非牛頓流體所設置的一個或更多側邊，形成位於頭表面與基板表面之間的基板上的處理區域。此近接頭更包含牛頓流體施加器，以將牛頓流體施加至基板表面，以使施加的牛頓流體實質上被容納在因容納壁而形成的處理區域中。牛頓流體可與形成在處理區域所覆蓋之基板表面上的污染物發生作用，並且將其移除。
在上述裝置的替代實施例中，第二非牛頓流體施加器用以將第二非牛頓流體施加至容納壁所形成的處理區域。第二非牛頓流體實質上被容納在處理區域內，並且與形成在基板表面上的污染物發生作用，而將其實質移除。
本發明之其他實施樣態與優點可從下列結合說明本發明範例之隨附圖式的詳細說明而更顯明白。
以下將說明從基板表面有效移除污染物的數個實施例。然
而，對於熟習本項技藝者，很明顯地，本發明可在沒有某些或所有這些特定細節的情況下被實施。此外，為了不使本發明產生不必要的混淆，已不詳述熟知的處理操作。
對於維持形成在基板上之特徵部的品質與功能性以及產生的半導體產品，例如微晶片，從基板表面有效移除污染物係重要的。在本發明之一實施例中，藉由使用近接頭將牛頓流體(典型為清潔化學品、去離子水、或流體混合物)施加至基板的表面而移除污染物。如在此所述，牛頓流體為黏度係取決於溫度與壓力(以及化學成分)而非取決於作用於其上之剪切應力的流體。牛頓流體遵守牛頓黏度定律的定義。
對於額外關於非牛頓與牛頓流體的資訊，可參考美國專利申請案第11/174080號，申請於2005年6月30日以及標題為「METHOD FOR REMOVING MATERIAL FROM SEMICONDUCTOR WAFER AND APPARATUS FOR PERFORMING THE SAME」。此專利申請案被受讓給為本案之受讓人的Lam Research Corporation，且藉由參考文獻方式合併於此。
如在此所述，近接頭係一種基板處理裝置，當近接頭被設置在相對靠近基板表面時可將精確的流體體積輸送至待處理的基板表面，並且可從表面移除流體。在一範例中，近接頭具有頭表面，並且將此頭表面設置成實質上平行於基板表面。彎液面被形成在頭表面與基板表面之間。近接頭亦可用以輸送複數流體，並且設有用以移除所輸送之複數流體的真空通口。
如在此所使用的「彎液面」係關於部份被近接頭之頭表面與基板之表面間之化學品表面張力所束縛及控制的化學品體積。以此方式所形成的彎液面可以受控制的形狀在表面上方進行移動，並且用以從基板表面移除污染物、微粒或不必要的物質。再者，彎液面形狀可被精確的流體輸送與移除系統加以控制，這些系統可更包含計算系統。對於彎液面形成以及應用於基板表面的更多資訊，可參考：(1)美國專利第6616772號，公告於2003年9月9 日以及標題為「METHODS FOR WAFER PROXIMITY CLEANING AND DRYING」；(2)美國專利申請案第10/330843號，申請於2002年12月24日以及標題為「MENISCUS,VACUUM,IPA VAPOR,DRYING MANIFOLD」；(3)美國專利第6988327號，公告於2005年1月24日以及標題為「METHODS AND SYSTEMS FOR PROCESSING A SUBSTRATE USING A DYNAMIC LIQUID MENISCUS」；(4)美國專利第6988326號，公告於2005年1月24日以及標題為「PHOBIC BARRIER MENISCUS SEPARATION AND CONTAINMENT」；以及美國專利第6488040號，公告於2002年12月3日以及標題為「CAPILLARY PROXIMITY HEADS FOR SINGLE WAFER CLEANING AND DRYING」，上述每一專利皆受讓給為本案受讓人的Lam Research Corporation，並且藉由參考文獻方式合併於此。
藉由控制成為彎液面之流體的輸送及移除，彎液面可被控制而在基板表面上方進行移動。在一些實施例中，吾人可移動基板而近接頭係靜止不動，以及在其他實施例中，於處理過程近接頭可移動而基板保持靜止不動。又，對於完整性而言，吾人應瞭解處理可發生在任何方向，並且就其本身而言，彎液面可被施加至非水平的表面(例如垂直的基板或以一角度所固持的基板)。
對於與近接頭相關的額外資訊，可參考如美國專利第6616772號所述的示範近接頭，此專利公告於2003年9月9日以及標題為「METHODS FOR WAFER PROXIMITY CLEANING AND DRYING」。此美國專利申請案被受讓給為本案之受讓人的Lam Research Corporation，且藉由參考文獻方式合併於此。
對於額外關於頂部與底部彎液面的資訊，可參考如美國專利申請案第10/330843號所述的示範彎液面，此專利申請於2002年12月24日以及標題為「MENISCUS,VACUUM,IPA VAPOR,DRYING MANIFOLD」。此美國專利申請案被受讓給為本案之受讓人的Lam Research Corporation，且藉由參考文獻方式合併於此。
在一實施例中，近接頭首先用以將非牛頓流體施加至基板的 表面與近接頭的頭表面之間。如在此所述，非牛頓流體為黏度會隨所施加之剪切應力而改變的流體。非牛頓流體並不遵守牛頓黏度定律。剪切應力為剪切速率的非線性函數。根據表觀黏度如何隨著剪切速率而改變，非牛頓流體的流動行為亦會改變。非牛頓流體的範例為軟凝聚態物質，其位居介於固體與液體中間。此軟凝聚態物質易受外部應力而變形。此軟凝聚態物質的範例包含乳液、凝膠、膠體、泡沫等等。如在此所述，乳液為不可溶液體的混合物，例如牙膏、美奶滋、水中油等等。
對於更多關於非牛頓流體的資訊，可參考美國專利申請案第11/153957號，申請於2005年6月15日，以及標題為「METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING A SUBSTRATE USING NON－NEWTONIAN FLUIDS」；以及美國專利申請案第11/154129號，申請於2005年6月15日，以及標題為「METHOD AND APPARATUS FOR TRANSPORTING A SUBSTRATE USING NON－NEWTONIAN FLUID」。這些專利申請案被受讓給為本案之受讓人的Lam Research Corporation，且藉由參考文獻方式合併於此。
非牛頓流體沿著頭表面與基板表面之間的一個或更多側邊可形成容納壁(壁)。容納壁之一個或更多的側邊可形成基板上的處理區域。然後透過近接頭將牛頓流體的彎液面施加至基板表面，以使所施加的牛頓流體實質上被容納在由容納壁所形成的處理區域內。牛頓流體包含當牛頓流體在非牛頓流體容納壁內之處理區域中流動時可促進從基板表面實質移除污染物的化學品。
由非牛頓流體所形成之容納壁的用途為兩部份。第一，此容納壁可作為實質上防止處理區域中之牛頓流體流出的阻障或界面，藉以節省牛頓流體的使用。此外，這些牛頓流體的其中一些流體可能具有某種有害性質，故牛頓流體必須被謹慎地處理與處置。利用容納壁控制牛頓流體，當促進安全以及從基板表面有效移除污染物時，可消耗較少量的牛頓流體。第二，此容納壁可作為防止來自例如空氣、氧、氮等等之周圍環境之任何外來化學品 與污染物流入處理區域的阻障，俾能使高濃度且未受污染的牛頓流體可直接被施加至基板的表面。牛頓流體的控制施加可提供從基板表面有效且令人矚目的污染物移除。牛頓流體可以係用以移除污染物而施加至基板表面之實質上無氧的化學品或低氧化學品。利用非牛頓流體提供容納壁，可達成實質上無氧或低氧的化學處理區域。
於一實施例中，在處理區域中氧的存在會引起氧與半導體基板的膜層產生反應，而導致增加的介電常數、較差的後續層附著特性、以及其他對於用在製造過程之半導體材料的特性之改變。無氧或低氧的化學處理區域可防止處理區域內之金屬特徵部的氧化，因此，增強特徵部的功能性。
圖1係將非牛頓流體以及牛頓流體之彎液面施加至基板110之表面115以使牛頓流體被容納在非牛頓流體之一個或更多之容納壁140內之近接頭130的簡化示意圖。如同所示，在本發明之一實施例中，使用頂桿122將基板110支撐在載具120上。頂桿122從此載具伸出以形成下凹區域，在此下凹區域中基板110可完全被支撐與固持。在一實施例中，這些頂桿僅與沿著基板110外緣的邊緣除外區域113接觸。載具120與頂桿122係由化學惰性材料所構成或塗佈，俾能使此載具與頂桿122不與所施加之用以清潔或製備基板110的化學品產生反應。使用近接頭130施加非牛頓流體101。非牛頓流體101沿著一個或更多的側邊形成容納壁140。容納壁140可形成基板110上的處理區域。在本實施例中，沿著形成容納壁140的兩相對側邊形成非牛頓流體101，此容納壁140係沿著將通道包圍在中間的該兩相對側邊。
位於容納壁140之間的包圍通道可形成處理區域。當施加至基板110的表面115時，此種處理區域可佔基板110之表面115的部份或佔整個基板110的表面115。然後透過近接頭130施加牛頓流體102，以使牛頓流體102被容納在通道內，此通道用以形成由非牛頓流體101所形成的處理區域。當施加至基板110的表面 115時，容納在處理區域內的牛頓流體102可掃掠基板110的表面115，以提供基板110之表面115的處理。當污染物曝露於容納在處理區域內的牛頓流體102時，牛頓流體102可促進從基板110之表面115的污染物移除。
圖2顯示使用於將非牛頓流體101與牛頓流體102施加至基板110之表面115之單一近接頭130的示意圖。如同所示，具有邊緣除外區域113的基板110被支撐在載具120的頂桿122上。近接頭130被使用於施加非牛頓流體101的彎液面以及牛頓流體102。在本實施例中，吾人透過近接頭130將非牛頓流體101大約施加在邊緣除外區域113上，俾能使容納壁140沿著位於基板110之表面115與近接頭130之頭表面之間的基板邊緣部位而形成。雖然，在本實施例中，非牛頓流體101被施加在邊緣除外區域113上，但非牛頓流體(NNF，non－Newtonian fluid)101並不局限於此種區域。非牛頓流體101可被施加至基板110之表面115的任何部位。容納壁140可形成位於基板110之表面115上的處理區域205。在本實施例中，容納壁140係由形成處理區域205之通道的一對壁140所形成(或係由壁所包圍)。牛頓流體102透過近接頭130被施加至基板110的表面115。
施加牛頓流體102，以使牛頓流體102被容納在容納壁140所形成的處理區域205內。此通道可使牛頓流體102在非牛頓流體101所形成的容納壁140之間流動。在保護形成於基板110上之特徵部的功能性同時，在容納壁140之間流動的牛頓流體102可促進一種或更多之污染物的移除。容納壁140內之牛頓流體102的包含可協助在從基板110之表面115有效移除污染物的同時，消耗較少的牛頓流體102。
非牛頓流體101所形成之容納壁140的厚度可根據施加至基板表面之牛頓流體之一種或更多的特性而變化。可影響非牛頓流體101之厚度之牛頓流體102之這些特性的其中一些特性可包含黏度、溫度、牛頓流體102所施加的壓力、牛頓流體102的化學 性質等等。
如上所述，非牛頓流體101為黏度會隨所施加之剪切力而改變的流體。非牛頓流體101的範例為軟凝聚態物質，其位居介於固體與液體中間。此軟凝聚態物質易受外部應力而變形，以及此軟凝聚態物質的範例包含乳液、凝膠、膠體、泡沫等等。吾人應明白乳液為不可溶液體的混合物，例如牙膏、美奶滋、水中油等等。膠體為分散於水中的高分子，而凝膠為膠體的一種範例。泡沫為限於在液相基質(liquid matrix)的氣泡，而刮鬍膏為泡沫的一種範例。
選擇施加至基板表面的非牛頓流體101，以使其實質上與牛頓流體102互不混合。非牛頓流體101可為無水三態化合物，其包含固體成分、液體成分以及氣體成分。在一實施例中，此固體成分為脂肪酸。由下列各種酸的其中之一定義此脂肪酸：月桂酸(lauric acid)、棕櫚酸(palmitic acid)、硬脂酸(stearic acid)、油酸(oleic acid)、亞麻油酸(linoleic acid)、次亞麻油酸(linolenic acid)、花生油酸(arachidonic acid)、鱈油酸(gadoleic acid)、芥子酸(erucic acid)、丁酸(butyric acid)、己酸(caproic acid)、辛酸(caprylic acid)、肉豆蔻酸(myristic acid)、十七酸(margaric acid)、二十二酸(behenic acid)、肉豆蔻油酸(myristoleic acid)、棕櫚油酸(palmitoleic acid)、二十四烯酸(nervonic acid)、十八碳四烯酸(parinaric acid)、二十碳五烯酸(timnodonic acid)、油菜酸(brassic acid)、魚酸(clupanodonic acid)、二十四酸(lignoceric acid)、或蠟酸(cerotic acid)。
氣體成分被界定為佔三態化合物體積的5%至99.9%。在另一實施例中，氣體部份可佔三態體約15%與約40%之間，而在又另一實施例中，氣體部份可佔三態體約20%與約30%之間。界定氣體部份的氣體可為惰性，例如氮氣(N2 )氬(Ar)等等，或為反應性，例如氧氣(O2 )臭氧(O3 )、過氧化氫(H2 O2 )、空氣、氫氣(H2 )氨氣 (NH3 )氟化氫(HF)氯化氫(HCl)等等。在一實施例中，氣體部份僅包含單一類型的氣體，例如氮氣(N2 )。在另一實施例中，氣體部份為氣體混合物，此氣體混合物包含下列各種類型之氣體的混合物，例如：臭氧(O3 )、氧氣(O2 )、二氧化碳(CO2 )、氯化氫(HCl)、氟化氫(HF)、氮氣(N2 )、以及氬(Ar)；臭氧(O3 )與氮氣(N2 )；臭氧(O3 )與氬(Ar)；臭氧(O3 )、氧氣(O2 )與氮氣(N2 )；臭氧(O3 )、氧氣(O2 )與氬(Ar)；臭氧(O3 )、氧氣(O2 )、氮氣(N2 )與氬(Ar)；以及氧氣(O2 )、氬(Ar)與氮氣(N2 )。吾人應明白氣體部份可本質上包含任何氣體類型的組合，只要產生的氣體混合物可與液體部份及固體部份結合而形成可用於基板清潔或製備操作的三態化合物即可。
為連續介質的液體部份係去離子(DI，de－ionized)水、碳氫化合物、基液(base fluid)、氫氟酸(HF)溶液、檸檬酸、氨基溶液、或去離子水與化學品之混合物的其中之一。
雙態化合物係包含固體成分與液體成分的一體。對於三態化合物等等的更多資訊，可參考臨時申請案第60/755377號，申請於2005年12月30日，受讓給本案受讓人並且藉由參考文獻方式合併於此。
圖3A及3B顯示用以將非牛頓流體101及牛頓流體102施加至基板表面之近接頭以及相對於基板移動之近接頭移動的替代實施例。此可參考圖3A，施加至位於基板110之表面115與近接頭130之頭表面間之基板110之表面的非牛頓流體101，可沿著兩個側邊形成容納壁140。由容納壁140之兩個側邊所形成的處理區域可進一步形成通道，以容納透過此近接頭所施加的牛頓流體102。
在一實施例中，牛頓流體102可被施加在通道的一端點上，以使牛頓流體102在通道中流向另一個端點。在另一實施例中，牛頓流體102被施加在通道的中央，以使牛頓流體102從中央流至處理區域的外端。牛頓流體102可與曝露於處理區域之基板表面上的污染物產生反應，並且可實質上移除此污染物。
圖3B顯示圖3A的變化實施例。在圖3B所示的實施例中，非 牛頓流體101被施加在基板110之表面115與近接頭之頭表面之間，以使非牛頓流體101沿著三個側邊形成容納壁140。在本實施例中，如圖3B所示，容納壁140所形成的處理區域可容納透過近接頭所施加的牛頓流體102，以使牛頓流體102在處理區域中流動而離開非牛頓流體101的容納壁140。牛頓流體102可與位於被處理區域所覆蓋之基板110之表面115上的污染物產生反應，並且可實質上移除此污染物。
圖3C及3D顯示圖3A及3B所示的替代實施例。在圖3C所示的實施例中，沿著基板110之表面115與近接頭之頭表面間的邊緣除外區域施加非牛頓流體101，以使非牛頓流體101沿著基板110的邊緣除外區域形成容納壁140。在本實施例中，容納壁140可形成覆蓋基板110之整個表面115的處理區域。如圖3C所示，透過近接頭施加牛頓流體102，以使牛頓流體102在容納壁140內流過非牛頓流體101所形成的處理區域。牛頓流體102可與處理區域內之基板110之表面115上的污染物產生反應，並且可實質上移除此污染物。
在圖3D所示的替代實施例中，施加第二非牛頓流體101－A以取代圖3C所示的牛頓流體102。在本實施例中，由如圖3C所示之第一非牛頓流體101所形成的容納壁140可形成覆蓋基板110之整個表面115的處理區域。如圖3D所示，透過近接頭施加第二非牛頓流體101－A，以使第二非牛頓流體101－A在容納壁140內的處理區域中流動。第二非牛頓流體101－A可與處理區域內之基板110之表面115上的污染物產生反應，並且可實質上移除此污染物。
圖4顯示容納用以在本發明之一實施例中將非牛頓流體101及牛頓流體102施加至基板110之表面115之雙近接頭之裝置的簡化示意圖。在結合圖7之處理操作而說明的本實施例中，如操作605所述，基板110被支撐且安裝在載具120上並且沿著平面移動。載具120用以沿著平面固持基板110，沿著橫軸移動基板 110並且沿著旋轉軸旋轉基板110，俾能使基板110之表面115的不同部位曝露於施加至基板110之表面115的牛頓流體102。基板110包含邊緣除外區域113。載具120包含：頂桿122，用以支撐及固持基板110；以及馬達與輪子(無顯示)，用以沿著橫軸移動基板110並且沿著旋轉軸旋轉基板110。載具120沿著橫軸移動，俾能將基板110之表面115的不同部位曝露於牛頓流體102。為了從基板110之表面115有效移除污染物，沿著橫軸之載具的速度可被調節，而使基板110的表面115實質曝露於牛頓流體102。
除了橫向移動之外，載具120用以沿著旋轉軸旋轉基板。為了從基板110之表面115有效移除污染物，以一速度旋轉基板，俾能將基板表面實質曝露於牛頓流體102。圖4所示之實施例更顯示牛頓流體102在處理區域中央的施加以及從處理區域末端的移動，以使牛頓流體102在處理區域內流動而從曝露於處理區域205的基板表面實質上移除污染物。
繼續參考圖4，安裝兩個近接頭130及135，以使其相互平行並且對沿著位於兩近接頭130與135之間的軸進行移動的載具120與基板110提供適當的空間，以使近接頭130與135分別覆蓋上下表面115至少一部份。如操作610所述，在近接頭130與135中的非牛頓流體施加器用以將非牛頓流體101施加至基板110之表面115與近接頭130及135之頭表面之間。非牛頓流體施加器(無顯示)包含用以容納非牛頓流體101的貯槽，此貯槽具有透過近接頭130及135而用以接收非牛頓流體101的入口與用以將非牛頓流體101供給至基板110之表面的出口。非牛頓流體施加器以流體彎液面的方式將非牛頓流體101供給至基板110的表面115。
非牛頓流體101形成容納壁140，此容納壁用以形成位於基板110之各自表面115上的處理區域205。在圖4所示的實施例中，藉由將非牛頓流體101施加在基板110之上下表面115的邊緣除外區域113上，而形成位於基板110之上下表面115上之覆蓋基板110之整個表面115的處理區域205。
在近接頭130與135中或與其連接的牛頓流體施加器用以將牛頓流體102施加至基板110之各自表面115與近接頭130及135之各自頭表面之間，如操作615所述，以使牛頓流體102實質上被容納在形成於基板110之上下表面115上的處理區域205內。牛頓流體施加器(無顯示)包含具有入口及一對出口之牛頓流體102用的貯槽。此入口用於將較乾淨及較新的牛頓流體102接收進入牛頓流體施加器內。
第一出口用於透過近接頭130及135將牛頓流體102供給至基板的表面。位於牛頓流體施加器上的第二出口用以移除與污染物混合的牛頓流體，為了更有效的清潔，俾能使較乾淨的牛頓流體102被導入。牛頓流體施加器以流體彎液面的方式將牛頓流體102供給至處理區域205內之基板110的表面115。由容納壁140所形成且形成在處理區域205內的通道可使牛頓流體102在非牛頓流體101的壁140之間流動。如操作620所述，在通道內流動的牛頓流體102與一種或更多的污染物發生作用，並且從位於處理區域205之基板110的上下表面115移除污染物。
運送基板110之載具120的速度可被調節，俾能在近接頭130與135的施加被載具120之移動所引起之非牛頓流體101的移位所抵消時，使牛頓流體102的壓力施加在非牛頓流體101上。同樣地，為了使非牛頓流體101實質上包含牛頓流體102，非牛頓流體101的厚度可根據牛頓流體102之一種或更多的特性而加以調節。
於另一實施例中，在載具120上位於正好在載具120所支撐之基板110的邊緣除外區域113外側的區域，將非牛頓流體101施加在載具120之表面與近接頭之頭表面之間，俾能使非牛頓流體101形成覆蓋基板110之整個上下表面115的處理區域205。在本實施例中，非牛頓流體彎液面的容納壁140正好在邊緣除外區域113外側之近接頭130之頭表面與載具120之上表面之間形成循環阻障。在上述關於圖4的實施例中，非牛頓流體101的容納 壁140在近接頭之頭表面與上下基板表面115之間形成循環阻障。
然而，基板110的整個上下表面115沒有必要被處理區域包圍。在另一實施例中，近接頭130與135可用以將非牛頓流體101施加至基板110的表面115，以使僅覆蓋基板110之一部份表面115的處理區域205形成在基板110的上下表面115。在本實施例中，基板110除了沿著橫軸移動之外，當基板110位於近接頭130及135的下方時可沿著旋轉軸旋轉，俾能使基板110之表面115的不同部位實質上曝露於容納在處理區域205內的牛頓流體102。
在本實施例中，近接頭在構造上可不、為「頭」，而可為任何適當的構造、形狀、及/或尺寸，例如歧管、圓形盤、棒、方塊、橢圓形圓盤、管、板等等，只要可以令受控、穩定、可管理之非牛頓流體101與牛頓流體102之流體彎液面產生的方式設置非牛頓流體施加器及牛頓流體施加器即可。
本發明之實施例並不限於將非牛頓流體101及牛頓流體102施加至基板的表面。圖4所示的本發明實施例亦可用以將一種或更多的非牛頓流體101施加至基板表面。在本實施例中，近接頭設有兩個非牛頓流體施加器。第一非牛頓流體施加器用以將第一非牛頓流體101供給至基板110之表面115與近接頭130及135之頭表面之間，以使第一非牛頓流體101在基板110的各自表面115上形成用以形成處理區域205的容納壁140。雖然圖4所示之實施例顯示覆蓋基板110之整個上下表面115的處理區域205，但處理區域205可僅覆蓋基板110之上下表面115的一部份。第二非牛頓流體施加器用以將不同於第一非牛頓流體101的第二非牛頓流體101－A施加至處理區域205，以使第二非牛頓流體101－A實質上被容納在形成於基板110之上下表面115上的處理區域內。在處理區域205內流動的第二非牛頓流體101－A可與存在於曝露至處理區域205之基板表面上的污染物產生反應，而實質上移除此污染物。
本發明之實施例並不限於將單一類型的牛頓流體102施加至 基板表面。本發明之實施例亦可用以將一種類型以上的牛頓流體102施加至基板表面。圖5顯示使用於將一種類型以上之牛頓流體102施加至基板110之表面115之近接頭130的變化實施例。
在圖5所示之實施例中，吾人使用近接頭130將非牛頓流體101施加至基板110之表面115與近接頭130之頭表面之間。施加的非牛頓流體101沿著頭表面與基板表面115之間的一個或更多側邊形成容納壁140。在本實施例中，沿著基板110的邊緣除外區域113施加非牛頓流體101，以使容納壁140包圍用以覆蓋剩餘之基板表面115的處理區域205。
吾人使用近接頭130將第一牛頓流體102－A施加至基板110的表面115，以使第一牛頓流體102－A實質上被容納在位於容納壁140所形成之基板110之處理區域205中的第一處理子區域207內。吾人使用近接頭130將第二牛頓流體102－B施加至表面115，俾能使第二牛頓流體102－B實質上被容納在位於基板110之處理區域205中的第二處理子區域209內。第一牛頓流體102－A以及第二牛頓流體102－B係彼此相異並且被加以選擇，以使其實質上與非牛頓流體101互不混合。吾人以非牛頓流體101將第一處理子區域207與第二處理子區域209加以分開。當在處理區域205施加時，兩牛頓流體102－A以及102－B可獨自與存在於基板110之表面115上的不同污染物發生作用，並且協助從基板110的表面115實質上移除污染物。
在圖5的替代實施例中，第二非牛頓流體101－A與第三非牛頓流體101－B被施加在處理區域205內，以取代第一牛頓流體102－A以及第二牛頓流體102－B。在本實施例中，吾人使用近接頭130將第一非牛頓流體101施加在基板110之表面115與近接頭130之頭表面之間。施加的非牛頓流體101沿著位於頭表面與基板表面115之間的一個或更多側邊形成容納壁140。在本實施例中，沿著基板110的邊緣除外區域113施加第一非牛頓流體101，以使容納壁140可包圍用以覆蓋剩餘之基板表面115的處理區域205。 吾人使用近接頭130將第二非牛頓流體101－A施加至基板110的表面115，以使第二非牛頓流體101－A實質上被容納在位於容納壁140所形成之基板110之處理區域205中的第一處理子區域207內。吾人使用近接頭130將第三非牛頓流體101－B施加至表面115，俾能使第三非牛頓流體101－B實質上被容納在位於中基板110之處理區域205的第二處理子區域209內。第二非牛頓流體101－A與第三非牛頓流體101－B係彼此相異且異於第一非牛頓流體101，並且被加以選擇，以使其實質上與第一非牛頓流體101互不混合。吾人以第一非牛頓流體101將第一處理子區域207與第二處理子區域209加以分開。位於處理區域內的兩非牛頓流體101－A以及101－B可獨自與存在於曝露至處理區域205之基板110之表面115上的不同污染物發生作用，並且協助從基板110的表面115實質上移除污染物。
在替代實施例中，第一非牛頓流體101被施加至位於近接頭之頭表面與基板110之表面115之間用以形成處理區域205的基板表面。在本實施例中，第二非牛流體101－A被施加至基板的表面，以使其被容納在處理區域205的第一子區域207內。牛頓流體102被施加至基板110的表面115，以使牛頓流體102實質上被容納在處理區域205的第二子區域209內。選擇第二非牛頓流體101－A以及牛頓流體102，以使其不同於第一非牛頓流體101，並且實質上與第一非牛頓流體101互不混合。吾人以第一非牛頓流體101將第一處理子區域207與第二處理子區域209加以分開。位於處理區域內的第二非牛頓流體101－A以及牛頓流體102可獨自與存在於曝露至處理區域205之基板110之表面115上的不同污染物發生作用，並且協助從基板110的表面115實質上移除污染物。
在圖6A所示的另一實施例中，處理區域205被僅覆蓋基板110之一部份表面115的容納壁140所形成。在本實施例中，藉由移動基板110的表面115及/或近接頭130，使基板110之表面115 的不同部位連續曝露於第一牛頓流體102－A以及第二牛頓流體102－B，俾能使兩牛頓流體102－A與102－B各自與存在於處理區域內之表面上的污染物獨自發生作用，而從基板110的表面115將其實質移除。
在圖6B所示的替代實施例中，第二非牛頓流體101－A以及第三非牛頓流體101－B被施加至基板110的表面115，以使第二非牛頓流體101－A以及第三非牛頓流體101－B實質上被容納在位於處理區域205中的第一子區域207以及第二子區域209內。如關於圖6A所述，藉由移動基板110的表面及/或近接頭130，使基板110的不同部位曝露於容納在處理區域205內的兩非牛頓流體101－A與101－B。兩非牛頓流體101－A與101－B可獨自與基板110之表面115上所發現的污染物發生作用，而將其實質移除。
在圖6C所示的又另一實施例中，第二非牛頓流體101－A被施加至位於處理區域205內的第一子區域207，而牛頓流體102被施加至位於處理區域205內的第二子區域209。在本實施例中，如關於圖6A及6B所述，藉由移動基板110的表面115及/或近接頭130，使基板110之表面115的不同部位連續曝露於第二非牛頓流體101－A以及牛頓流體102，俾能使第二非牛頓流體101－A與牛頓流體102各自與存在於處理區域內之表面上的污染物獨自發生作用，而從基板110的表面115將其實質移除。
在典型的基板製造過程中，在製造中所使用的化學品或外部未受控環境會引起形成在基板上之特徵部或膜層的氧化。此種氧化會影響後續的處理。例如，過度的氧化會妨礙一些膜層的適當附著或者會引起膜層或特徵部間之期望導電界面的減少。舉例而言，在金屬層的無電沉積中，無電電鍍處理係高度依賴基板110的表面特性與成分。當氧化發生在基板的表面上時，無電沉積處理會因氧的存在所形成之原子級薄金屬氧化層的形成而被抑制。必須在無電沉積處理之前進行移除氧化之(金屬氧化)膜層的額外步驟，此步驟會導致整個製造成本與時間的增加。在整個製造過 程中，於後續製造之前管理表面製備順序係其關鍵所在。
在圖8A－8D所示的實施例中，近接頭130被用於在基板上的處理區域內提供實質上無氧的環境，以促進在基板110的表面115上形成其他的特徵部、結構或膜層。參考圖8A，吾人使用近接頭130將非牛頓流體101施加在基板110之表面115與近接頭130之頭表面之間。施加的非牛頓流體101沿著位於頭表面與基板110之表面115之間的處理區域205形成容納壁140。在一實施例中，沿著基板110的邊緣除外區域113施加非牛頓流體101，以使容納壁140可包圍用以覆蓋基板110之整個活性表面115的處理區域205。
在一實施例中，吾人可使用近接頭130將惰性氣體施加至處理區域205、施加至基板110的表面115，以使此惰性氣體佔據處理區域205，而使可能存在於處理區域205內的任何化學品或氣體離開。對處理區域205的惰性氣體施加可在處理區域205中提供實質上無氣的環境，此處理區域實質上與外部未受控環境隔離。
藉由在處理區域中產生實質上無氣的環境並且以容納壁140實質上隔離處理區域205，當防止基板與外部未受控環境(例如具有較期望為多之氣或包含水份之其他不必要元素的環境)接觸時，在其他特徵部、膜層或結構的處理之後，立即清潔、製備、或製造不同膜層、特徵部、或結構(例如電鍍或無電電鍍、蝕刻等等)係可行的。
如在此所提及的惰性氣體可用以控制位於近接頭之頭表面與基板之表面之間的處理區域，於其中非牛頓流體產生密閉的處理區域205。在一實施例中，惰性氣體控制系統(無顯示)可經由歧管(無顯示)耦合至近接頭130之一個或更多的通口。這些歧管使用電腦控制或手動控制，以控制將何者透過這些通口導入處理區域。
在一範例中，惰性氣體控制系統可包含幫浦、量測儀器、控制器以及閥，該等元件用以計量與控制惰性氣體泵入處理區域，以及氧或化學品泵出處理區域。無塵室設施(無顯示)亦可耦合至 惰性氣體控制系統，俾能透過近接頭施加惰性氣體，因此可令惰性氣體將氧加以置換(即先前被氧或含氧化學品所佔據的空間現在被惰性氣體所充滿)。監視用以移除氧或其他化學品的幫浦，俾能在製造過程的任何階段過程維持適當的狀態。手動控制及/或電腦控制的量測儀器可監視並調節惰性氣體(例如但不限於N2 、Ar、He、Ne、Kr、Xe等等)的泵送與流動。
參考圖8B，可在處理區域形成阻障層820。阻障材料例如可為TaN、Ta、Ru其中之一。舉例而言，吾人可使用無電電鍍處理形成阻障層820。蝕刻化學品可被導入處理區域，以進行氧化物的移除，或進行阻障層820的進一步處理。然而，因為吾人將處理區域205保持實質上無氧，故阻障層820的清潔或蝕刻可於存在極少氧的情況下完成。如圖8C所示，可在製備阻障層820之後施加另一惰性氣體，俾能將用於形成阻障層820的化學品進行實質移除、處理、清潔等等。
除了在處理區域205內提供實質上無氧的環境之外，形成實施例可藉由控制處理區域內的環境而防止基板表面的未受控去濕(de－wetting)，藉以提供高效率的製造程序。
如圖8D所示，吾人可以另一個電鍍應用延伸此製造程序。此電鍍應用可使用電鍍或無電電鍍處理，以在基板110的膜層上沉積電鍍層。必須與基板接觸的電鍍處理，或者用於在基板表面上形成電鍍層的無電電鍍處理可設置成任何數量的形式。
用以進行電鍍操作的示範系統與處理被詳加說明於下列文獻中：(1)美國專利第6864181號，公告於2005年3月8日；(2)美國專利申請案第11/014527號，申請於2004年12月15日，以及標題為「WAFER SUPPORT APPARATUS FOR ELECTROPLATING PROCESS AND METHOD FOR USING THE SAME」；(3)美國專利申請案第10/879263號，申請於2004年6月28日，以及標題為「METHOD AND APPARATUS FOR PLATING SEMICONDUCTOR WAFERS」；(4)美國專利申請案第10/879396號，申請於2004年6月28日，以及標題為 「ELECTROPLATING HEAD AND METHOD FOR OPERATING THE SAME」；(5)美國專利申請案第10/882712號，申請於2004年6月30日，以及標題為「APPARATUS AND METHOD FOR PLATING SEMICONDUCTOR WAFERS」；(6)美國專利申請案第11/205532號，申請於2005年8月16日，以及標題為「REDUCING MECHANICAL RESONANCE AND IMPROVED DISTRIBUTION OF FLUIDS IN SMALL VOLUME PROCESSING OF SEMICONDUCTOR MATERIALS」；以及(7)美國專利申請案第11/398254號，申請於2006年4月4日，以及標題為「METHODS AND APPARATUS FOR FABRICATING CONDUCTIVE FEATURES ON GLASS SUBSTRATES USED IN LIQUID CRYSTAL DISPLAYS」；上述每一專利案藉由參考文獻方式合併於此。因此，本發明之實施例可用於在處理區域內提供實質上無氧的環境。
雖然上述發明已對於清楚瞭解之目的而作某程度的說明，但吾人可明白在隨附之申請專利範圍的範疇內可實施某種改變及修改。因此，本發明之實施例應被視為說明而非限制，以及本發明並不限於在此所提出的細節，而在隨附之申請專利範圍的範疇與等效設計內可進行修改。
101‧‧‧非牛頓流體
101－A‧‧‧第二非牛頓流體
101－B‧‧‧第三非牛頓流體
102‧‧‧牛頓流體
102－A‧‧‧第一牛頓流體
102－B‧‧‧第二牛頓流體
110‧‧‧基板
113‧‧‧邊緣除外區域
115‧‧‧表面
120‧‧‧載具
122‧‧‧頂桿
130‧‧‧近接頭
135‧‧‧近接頭
140‧‧‧容納壁
205‧‧‧處理區域
207‧‧‧第一處理子區域
209‧‧‧第二處理子區域
605‧‧‧支撐基板
610‧‧‧使用近接頭將非牛頓流體施加至位於基板表面與近接頭之頭表面之間的基板表面以形成容納壁
615‧‧‧使用近接頭將牛頓流體施加至位於容納壁所形成之處理區域的基板表面
620‧‧‧使用牛頓流體將污染物從處理區域所覆蓋的基板表面移除
820‧‧‧阻障層
吾人可藉由參考下列結合隨附圖式的說明而獲得本發明的最佳瞭解。這些圖式不應被認為係限制本發明的較佳實施例，而係僅為了示範及瞭解。
圖1係顯示在本發明之一實施例中用以施加非牛頓流體與牛頓流體之近接頭的簡化區塊圖；圖2顯示使用近接頭將非牛頓流體與牛頓流體施加至基板表面之替代實施例的側面示意圖；圖3A係顯示在本發明之一實施例中施加至基板表面之牛頓流體之相對移動的示意圖；圖3B係圖3A所示的替代實施例； 圖3C係圖3A與3B所示的替代實施例；圖3D係圖3C所示的替代實施例；圖4顯示在本發明之一實施例中使用於將非牛頓流體與牛頓流體施加至基板表面之雙近接頭的簡化示意圖；圖5顯示在本發明之一實施例中使用於將非牛頓流體與兩不同類型之牛頓流體施加至基板表面之近接頭的簡化示意圖；圖6A顯示在本發明之一實質例中將非牛頓流體與兩不同類型之牛頓流體施加至圖5所示的基板表面；圖6B係圖6A所示的替代實施例；圖6C係圖6A與6B所示的替代實施例；圖7顯示在本發明之一實施例中含有對基板表面提供包含化學品表面處理的不同操作；及圖8A至8D係本發明之一實施例中圖3A所示的替代實施例。
101‧‧‧非牛頓流體
102‧‧‧牛頓流體
110‧‧‧基板
113‧‧‧邊緣除外區域
115‧‧‧表面
120‧‧‧載具
122‧‧‧頂桿
130‧‧‧近接頭
140‧‧‧容納壁

Claims (27)

  1. 一種使用近接頭製備基板表面的方法，包含：將一非牛頓流體施加在該基板表面與該近接頭之一頭表面之間，該非牛頓流體沿著位於該頭表面與該基板表面之間的一個或更多側邊形成一容納壁，該非牛頓流體的該一個或更多側邊形成位於該頭表面與該基板表面之間的該基板上的一處理區域；及透過該近接頭將一牛頓流體施加至該基板表面，以使該牛頓流體實質上從該非牛頓流體所佔據的一區域被排除，並且由於該容納壁而實質上被維持在該處理區域內，該牛頓流體促進從該基板表面移除一種或更多的污染物。
  2. 如申請專利範圍第1項之使用近接頭製備基板表面的方法，更包含：將該非牛頓流體的該一個或更多側邊形成一對位於該頭表面與該基板表面之間的壁，該對壁形成該處理區域的一通道，該通道可使該牛頓流體在該通道內的該非牛頓流體間流動。
  3. 如申請專利範圍第1項之使用近接頭製備基板表面的方法，其中該一個或更多的容納壁包含一前壁及一後壁，該前壁係由該非牛頓流體所形成，而該後壁係由真空所形成，以使該牛頓流體被包圍在該非牛頓流體的前壁與真空的後壁之間。
  4. 如申請專利範圍第1項之使用近接頭製備基板表面的方法，更包含：將該非牛頓流體的該一個或更多側邊形成位於該頭表面與該基板表面之間的單一壁，該單一壁形成該處理區域，該單一壁可使該牛頓流體以一離開該非牛頓流體的方向流動。
  5. 如申請專利範圍第1項之使用近接頭製備基板表面的方法，更 包含：將該非牛頓流體的該一個或更多側邊形成位於該頭表面與該基板表面之間的一組三面壁，該組三面壁以一開放側形成該處理區域的一通道，該通道可使該牛頓流體在該非牛頓流體之間朝該開放側流動。
  6. 如申請專利範圍第1項之使用近接頭製備基板表面的方法，更包含：將該非牛頓流體的該一個或更多側邊形成位於該頭表面與該基板表面之間的一實質圓，該實質圓形成該處理區域的一通道，該通道可使該牛頓流體在該非牛頓流體之間流動。
  7. 如申請專利範圍第6項之使用近接頭製備基板表面的方法，其中在該基板的一邊緣除外區域形成該實質圓。
  8. 如申請專利範圍第6項之使用近接頭製備基板表面的方法，其中該實質圓形成在正好位於該基板之一邊緣除外區域的外側之一載具的一表面上，該載具可安裝及運送該基板。
  9. 如申請專利範圍第1項之使用近接頭製備基板表面的方法，其中形成該處理區域的該容納壁具有一由該容納之牛頓流體的一種或更多特性所定義的厚度。
  10. 如申請專利範圍第1項之使用近接頭製備基板表面的方法，其中該處理區域可使一無氧或一實質上低氧環境的其中之一能保護形成在該基板表面上的一個或更多的特徵部與膜層。
  11. 如申請專利範圍第1項之使用近接頭製備基板表面的方法，其中該非牛頓流體實質上與該牛頓流體互不混合，並且被形成一種 或更多的泡沫、膠體、凝膠以及乳液。
  12. 如申請專利範圍第1項之使用近接頭製備基板表面的方法，其中該非牛頓流體為三態化合物或雙態化合物其中之一。
  13. 如申請專利範圍第1項之使用近接頭製備基板表面的方法，其中根據在該基板表面所形成之一個或更多的特徵部或膜層的類型，該牛頓流體為酸或鹼，並且包含氫氟酸(HF)、去離子水(DIW，de－ionized water)、檸檬酸、含氨流體、或化學品與去離子水的混合物其中之一。
  14. 一種使用近接頭製備基板表面的方法，包含：將一非牛頓流體施加在該基板表面與該近接頭的一頭表面之間，該非牛頓流體沿著位於該頭表面與該基板表面之間的一個或更多側邊形成一容納壁，以該非牛頓流體所設置的該一個或更多側邊，形成位於該頭表面與該基板表面之間的該基板上的一處理區域，該處理區域包含複數的處理子區域；透過該近接頭將一第一牛頓流體施加至該基板表面，以使該施加的第一牛頓流體實質上被容納在該容納壁所形成之該處理區域中的一第一處理子區域內；及透過該近接頭將一第二牛頓流體施加至該基板表面，以使該施加的第二牛頓流體實質上被容納在該容納壁所形成之該處理區域中的一第二處理子區域內，其中該第二牛頓流體實質上與該第一牛頓流體相異，藉由位於該處理區域內的該非牛頓流體將該第一處理子區域與該第二處理子區域加以分開，該第一牛頓流體與該第二牛頓流體可促進從該基板表面實質移除一種或更多的污染物。
  15. 如申請專利範圍第14項之使用近接頭製備基板表面的方法， 其中該第一牛頓流體與該第二牛頓流體各自與該處理區域中所容納的該非牛頓流體實質上互不混合。
  16. 一種使用近接頭製備基板表面的裝置，包含：一基板支撐裝置，用以沿著一平面支撐並固持該基板；一近接頭，包含：一非牛頓流體施加器，用以將一非牛頓流體施加在該基板表面與該近接頭的一頭表面之間，該非牛頓流體沿著位於該頭表面與該基板表面之間的一個或更多側邊形成一容納壁，以該非牛頓流體所設置的該一個或更多側邊，形成位於該頭表面與該基板表面之間的該基板上的一處理區域；及一牛頓流體施加器，用以將一牛頓流體施加至該基板表面，以使該施加的牛頓流體實質上被容納在因該形成的容納壁所造成的該處理區域中，該牛頓流體可促進從該基板表面移除一種或更多的污染物。
  17. 如申請專利範圍第16項之使用近接頭製備基板表面的裝置，其中該基板支撐裝置為一載具裝置，該載具裝置沿著一平面移動該基板。
  18. 如申請專利範圍第17項之使用近接頭製備基板表面的裝置，其中位於該載具裝置上之該基板沿著該平面的移動被透過該非牛頓流體施加器之該非牛頓流體的一流動所平衡，俾能實質上維持該處理區域內的該牛頓流體。
  19. 如申請專利範圍第16項之使用近接頭製備基板表面的裝置，其中該基板支撐裝置與該基板相對於該近接頭而旋轉，以使該基板表面實質上曝露於容納在該處理區域內的該牛頓流體。
  20. 如申請專利範圍第16項之使用近接頭製備基板表面的裝置，其中該近接頭更包含一第二牛頓流體施加器，該施加器用以將一第二牛頓流體施加至該基板表面，以使該第二牛頓流體實質上被容納在形成於該頭表面與該基板表面之間的該處理區域內，該第二牛頓流體被容納在該處理區域內之不同於一既存的牛頓流體包含區域的一區域中，來自該非牛頓流體施加器的該非牛頓流體實質上將該既存的牛頓流體與該處理區域內的該第二牛頓流體加以分開，其中該第二牛頓流體係相異於該既存的牛頓流體。
  21. 一種使用近接頭製備基板表面的方法，包含：將一非牛頓流體施加在該基板表面與該近接頭之一頭表面之間，該非牛頓流體沿著位於該頭表面與該基板表面之間的一個或更多側邊形成一容納壁，該非牛頓流體的該一個或更多側邊形成位於該頭表面與該基板表面之間的該基板上的一處理區域，該處理區域藉由該容納壁而實質上與外部未受控環境條件隔離；及將一惰性氣體施加至該處理區域，以使該惰性氣體佔據該處理區域而置換既存的氣體與化學品，在該處理區域中該惰性氣體之施加可在該處理區域中提供實質上低氧或無氧環境其中之一，以促進額外的製造。
  22. 如申請專利範圍第21項之使用近接頭製備基板表面的方法，其中額外的製造步驟包含施加一蝕刻化學品以蝕刻位於該處理區域內之該基板表面上的一特徵部，或者施加一清潔化學品以清潔該處理區域內的該基板表面。
  23. 如申請專利範圍第22項之使用近接頭製備基板表面的方法，更包含將一惰性氣體施加至該處理區域，以實質上從該處理區域置換該蝕刻化學品或該清潔化學品，俾能在下一個製備階段提供 一實質上無氧的環境。
  24. 如申請專利範圍第21項之使用近接頭製備基板表面的方法，其中額外的製造步驟包含：使用電鍍或無電電鍍其中之一，將一金屬材料施加在該基板表面上，或施加一清潔化學品以清潔該基板表面，其中該處理區域提供一實質上無氧或無氧環境。
  25. 一種使用近接頭製備基板表面的方法，包含：將一第一非牛頓流體施加在該基板表面與該近接頭之一頭表面之間，該第一非牛頓流體沿著位於該頭表面與該基板表面之間的一個或更多側邊形成一容納壁，該第一非牛頓流體的該一個或更多側邊形成位於該頭表面與該基板表面之間的該基板上的一處理區域；及透過該近接頭將一第二非牛頓流體施加至該基板表面，以使該第二非牛頓流體實質上從該第一非牛頓流體所佔據的一區域被排除，並且由於該容納壁而使該第二非牛頓流體實質上被維持在該處理區域中的一處理子區域內，該第二非牛頓流體促進從該基板表面移除一種或更多的污染物，其中該第二非牛頓流體實質上與該第一非牛頓流體互不混合。
  26. 如申請專利範圍第25項之使用近接頭製備基板表面的方法，更包含：透過該近接頭將一第三非牛頓流體施加至該基板表面，以使該第三非牛頓流體實質上從該第一非牛頓流體所佔據的一區域被排除，並且使該第三非牛頓流體實質上被維持在該處理區域中的一第二處理子區域內，該第二處理子區域係不同於該第二非牛頓 流體的該處理子區域，該第三非牛頓流體可促進從該基板表面移除一種或更多的污染物，其中該第三非牛頓流體實質上與該第一非牛頓流體互不混合，並且異於該第一非牛頓流體以及該第二非牛頓流體。
  27. 如申請專利範圍第25項之使用近接頭製備基板表面的方法，更包含：透過該近接頭將一牛頓流體施加至該基板表面，以使該牛頓流體實質上從該第一非牛頓流體所佔據的一區域被排除，並且使該牛頓流體實質上被維持在該處理區域中的一第二處理子區域內，該第二處理子區域係不同於該第二非牛頓流體的該處理子區域，該牛頓流體可促進從該基板表面移除一種或更多的污染物，其中該牛頓流體實質上與該第一非牛頓流體互不混合。
TW097104245A 2007-02-08 2008-02-04 包含化學品表面的處理方法與裝置 TWI415183B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/704,435 US7897213B2 (en) 2007-02-08 2007-02-08 Methods for contained chemical surface treatment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200921779A TW200921779A (en) 2009-05-16
TWI415183B true TWI415183B (zh) 2013-11-11

Family

ID=39682003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097104245A TWI415183B (zh) 2007-02-08 2008-02-04 包含化學品表面的處理方法與裝置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7897213B2 (zh)
JP (1) JP4956624B2 (zh)
KR (1) KR20090117732A (zh)
CN (1) CN101606230B (zh)
TW (1) TWI415183B (zh)
WO (1) WO2008097438A1 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100015731A1 (en) * 2007-02-20 2010-01-21 Lam Research Corporation Method of low-k dielectric film repair
US8739805B2 (en) 2008-11-26 2014-06-03 Lam Research Corporation Confinement of foam delivered by a proximity head
US8246755B2 (en) * 2009-11-05 2012-08-21 Lam Research Corporation In situ morphological characterization of foam for a proximity head
US9111729B2 (en) 2009-12-03 2015-08-18 Lam Research Corporation Small plasma chamber systems and methods
US9190289B2 (en) 2010-02-26 2015-11-17 Lam Research Corporation System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas
ITMI20100407A1 (it) 2010-03-12 2011-09-13 Rise Technology S R L Cella foto-voltaica con regioni di semiconduttore poroso per ancorare terminali di contatto
US9155181B2 (en) 2010-08-06 2015-10-06 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9449793B2 (en) 2010-08-06 2016-09-20 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction
US8999104B2 (en) 2010-08-06 2015-04-07 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for separate plasma source control
US9967965B2 (en) 2010-08-06 2018-05-08 Lam Research Corporation Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US20120260517A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-18 Lam Research Corporation Apparatus and Method for Reducing Substrate Pattern Collapse During Drying Operations
JP2013033925A (ja) * 2011-07-01 2013-02-14 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システム
US9177762B2 (en) * 2011-11-16 2015-11-03 Lam Research Corporation System, method and apparatus of a wedge-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing
US10283325B2 (en) 2012-10-10 2019-05-07 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9083182B2 (en) 2011-11-21 2015-07-14 Lam Research Corporation Bypass capacitors for high voltage bias power in the mid frequency RF range
US8872525B2 (en) 2011-11-21 2014-10-28 Lam Research Corporation System, method and apparatus for detecting DC bias in a plasma processing chamber
US9396908B2 (en) 2011-11-22 2016-07-19 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling a plasma edge region
US10586686B2 (en) 2011-11-22 2020-03-10 Law Research Corporation Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery
US9263240B2 (en) 2011-11-22 2016-02-16 Lam Research Corporation Dual zone temperature control of upper electrodes
US8898889B2 (en) 2011-11-22 2014-12-02 Lam Research Corporation Chuck assembly for plasma processing
SG11201402447TA (en) 2011-11-24 2014-06-27 Lam Res Corp Plasma processing chamber with flexible symmetric rf return strap
KR102116534B1 (ko) * 2018-06-25 2020-05-28 주식회사 에이치에스하이테크 기판 세정용 노즐 및 그 제조 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6527870B2 (en) * 2000-10-05 2003-03-04 Lam Research Corporation Wafer cleaning module and method for cleaning the surface of a substrate
US6532976B1 (en) * 1995-07-10 2003-03-18 Lg Semicon Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus
US6594847B1 (en) * 2000-03-28 2003-07-22 Lam Research Corporation Single wafer residue, thin film removal and clean
US6851435B2 (en) * 1997-09-24 2005-02-08 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec, Vzw) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
US6946396B2 (en) * 2003-10-30 2005-09-20 Nissan Chemical Indusries, Ltd. Maleic acid and ethylene urea containing formulation for removing residue from semiconductor substrate and method for cleaning wafer
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US20060283486A1 (en) * 2005-06-15 2006-12-21 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-newtonian fluids

Family Cites Families (127)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL251243A (zh) * 1959-05-04
US3212762A (en) * 1960-05-23 1965-10-19 Dow Chemical Co Foam generator
US3436262A (en) * 1964-09-25 1969-04-01 Dow Chemical Co Cleaning by foam contact,and foam regeneration method
US3617095A (en) 1967-10-18 1971-11-02 Petrolite Corp Method of transporting bulk solids
US3978176A (en) * 1972-09-05 1976-08-31 Minnesota Mining And Manufacturing Company Sparger
GB1507472A (en) * 1974-05-02 1978-04-12 Bunker Ramo Foamable coating remover composition
US4156619A (en) * 1975-06-11 1979-05-29 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for cleaning semi-conductor discs
US4133773A (en) * 1977-07-28 1979-01-09 The Dow Chemical Company Apparatus for making foamed cleaning solutions and method of operation
US4238244A (en) 1978-10-10 1980-12-09 Halliburton Company Method of removing deposits from surfaces with a gas agitated cleaning liquid
US4838289A (en) * 1982-08-03 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for edge cleaning
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
WO1988000081A1 (en) * 1986-07-08 1988-01-14 Kohlensäurewerk Deutschland Gmbh Process for separating volatile substances
NL8601939A (nl) 1986-07-28 1988-02-16 Philips Nv Werkwijze voor het verwijderen van ongewenste deeltjes van een oppervlak van een substraat.
US4962776A (en) * 1987-03-26 1990-10-16 Regents Of The University Of Minnesota Process for surface and fluid cleaning
US4817652A (en) * 1987-03-26 1989-04-04 Regents Of The University Of Minnesota System for surface and fluid cleaning
US4849027A (en) * 1987-04-16 1989-07-18 Simmons Bobby G Method for recycling foamed solvents
US5105556A (en) * 1987-08-12 1992-04-21 Hitachi, Ltd. Vapor washing process and apparatus
US5048549A (en) * 1988-03-02 1991-09-17 General Dynamics Corp., Air Defense Systems Div. Apparatus for cleaning and/or fluxing circuit card assemblies
US5181985A (en) * 1988-06-01 1993-01-26 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for the wet-chemical surface treatment of semiconductor wafers
US5000795A (en) * 1989-06-16 1991-03-19 At&T Bell Laboratories Semiconductor wafer cleaning method and apparatus
US5102777A (en) * 1990-02-01 1992-04-07 Ardrox Inc. Resist stripping
US5271774A (en) 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
DE69102311T2 (de) * 1990-03-07 1994-09-29 Hitachi Ltd Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenreinigung.
DE4038587A1 (de) 1990-12-04 1992-06-11 Hamatech Halbleiter Maschinenb Transportvorrichtung fuer substrate
US5306350A (en) * 1990-12-21 1994-04-26 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Methods for cleaning apparatus using compressed fluids
US5261966A (en) * 1991-01-28 1993-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of cleaning semiconductor wafers using mixer containing a bundle of gas permeable hollow yarns
US5175124A (en) 1991-03-25 1992-12-29 Motorola, Inc. Process for fabricating a semiconductor device using re-ionized rinse water
US5242669A (en) * 1992-07-09 1993-09-07 The S. A. Day Mfg. Co., Inc. High purity potassium tetrafluoroaluminate and method of making same
US5288332A (en) * 1993-02-05 1994-02-22 Honeywell Inc. A process for removing corrosive by-products from a circuit assembly
US5336371A (en) * 1993-03-18 1994-08-09 At&T Bell Laboratories Semiconductor wafer cleaning and rinsing techniques using re-ionized water and tank overflow
US5911837A (en) * 1993-07-16 1999-06-15 Legacy Systems, Inc. Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5464480A (en) 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5472502A (en) 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
US5950645A (en) 1993-10-20 1999-09-14 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5656097A (en) * 1993-10-20 1997-08-12 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5518542A (en) 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
US5938504A (en) * 1993-11-16 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
US5417768A (en) * 1993-12-14 1995-05-23 Autoclave Engineers, Inc. Method of cleaning workpiece with solvent and then with liquid carbon dioxide
DE69523208T2 (de) * 1994-04-08 2002-06-27 Texas Instruments Inc Verfahren zur Reinigung von Halbleiterscheiben mittels verflüssigter Gase
US5498293A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US6081650A (en) * 1994-06-30 2000-06-27 Thomson Licensing S.A. Transport processor interface and video recorder/playback apparatus in a field structured datastream suitable for conveying television information
US5705223A (en) * 1994-07-26 1998-01-06 International Business Machine Corp. Method and apparatus for coating a semiconductor wafer
US5772784A (en) * 1994-11-14 1998-06-30 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner
US5660642A (en) * 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
JP3504023B2 (ja) * 1995-05-26 2004-03-08 株式会社ルネサステクノロジ 洗浄装置および洗浄方法
US5968285A (en) 1995-06-07 1999-10-19 Gary W. Ferrell Methods for drying and cleaning of objects using aerosols and inert gases
US5964958A (en) 1995-06-07 1999-10-12 Gary W. Ferrell Methods for drying and cleaning objects using aerosols
DE19622015A1 (de) * 1996-05-31 1997-12-04 Siemens Ag Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage
TW416987B (en) * 1996-06-05 2001-01-01 Wako Pure Chem Ind Ltd A composition for cleaning the semiconductor substrate surface
JPH1055993A (ja) 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
WO1998013149A1 (fr) * 1996-09-25 1998-04-02 Shuzurifuresher Kaihatsukyodokumiai Systeme de lavage utilisant un gaz liquefie de haute densite
TW357406B (en) 1996-10-07 1999-05-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning and drying a substrate
US5858283A (en) * 1996-11-18 1999-01-12 Burris; William Alan Sparger
US6896826B2 (en) * 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US5900191A (en) * 1997-01-14 1999-05-04 Stable Air, Inc. Foam producing apparatus and method
US5800626A (en) * 1997-02-18 1998-09-01 International Business Machines Corporation Control of gas content in process liquids for improved megasonic cleaning of semiconductor wafers and microelectronics substrates
US6701941B1 (en) * 1997-05-09 2004-03-09 Semitool, Inc. Method for treating the surface of a workpiece
JPH10321572A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Toshiba Corp 半導体ウェーハの両面洗浄装置及び半導体ウェーハのポリッシング方法
JPH1126423A (ja) * 1997-07-09 1999-01-29 Sugai:Kk 半導体ウエハ等の処理方法並びにその処理装置
US6152805A (en) 1997-07-17 2000-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Polishing machine
US5932493A (en) * 1997-09-15 1999-08-03 International Business Machines Corporaiton Method to minimize watermarks on silicon substrates
US5904156A (en) * 1997-09-24 1999-05-18 International Business Machines Corporation Dry film resist removal in the presence of electroplated C4's
EP0905746A1 (en) 1997-09-24 1999-03-31 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of removing a liquid from a surface of a rotating substrate
US6491764B2 (en) 1997-09-24 2002-12-10 Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate
JP3039493B2 (ja) 1997-11-28 2000-05-08 日本電気株式会社 基板の洗浄方法及び洗浄溶液
US6270584B1 (en) * 1997-12-03 2001-08-07 Gary W. Ferrell Apparatus for drying and cleaning objects using controlled aerosols and gases
US6049996A (en) * 1998-07-10 2000-04-18 Ball Semiconductor, Inc. Device and fluid separator for processing spherical shaped devices
US5944581A (en) * 1998-07-13 1999-08-31 Ford Motor Company CO2 cleaning system and method
JP3003684B1 (ja) * 1998-09-07 2000-01-31 日本電気株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄液
JP2000100801A (ja) 1998-09-25 2000-04-07 Sumitomo Electric Ind Ltd エピタキシャルウェハおよびその製造方法ならびにそれに用いられる化合物半導体基板の表面清浄化方法
JP2000141215A (ja) * 1998-11-05 2000-05-23 Sony Corp 平坦化研磨装置及び平坦化研磨方法
US6090217A (en) 1998-12-09 2000-07-18 Kittle; Paul A. Surface treatment of semiconductor substrates
JP2000260739A (ja) * 1999-03-11 2000-09-22 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US6290780B1 (en) * 1999-03-19 2001-09-18 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing a wafer
US6272712B1 (en) * 1999-04-02 2001-08-14 Lam Research Corporation Brush box containment apparatus
JP4247587B2 (ja) 1999-06-23 2009-04-02 Ｊｓｒ株式会社 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法
US6562726B1 (en) * 1999-06-29 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Acid blend for removing etch residue
US20020121290A1 (en) * 1999-08-25 2002-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers
US6734121B2 (en) * 1999-09-02 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Methods of treating surfaces of substrates
US6228563B1 (en) * 1999-09-17 2001-05-08 Gasonics International Corporation Method and apparatus for removing post-etch residues and other adherent matrices
US7122126B1 (en) 2000-09-28 2006-10-17 Materials And Technologies Corporation Wet processing using a fluid meniscus, apparatus and method
US6858089B2 (en) * 1999-10-29 2005-02-22 Paul P. Castrucci Apparatus and method for semiconductor wafer cleaning
US6576066B1 (en) * 1999-12-06 2003-06-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Supercritical drying method and supercritical drying apparatus
US6286231B1 (en) * 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
US6276459B1 (en) * 2000-02-01 2001-08-21 Bradford James Herrick Compressed air foam generator
US6457199B1 (en) 2000-10-12 2002-10-01 Lam Research Corporation Substrate processing in an immersion, scrub and dry system
ATE366299T1 (de) * 2000-05-17 2007-07-15 Henkel Kgaa Wasch- oder reinigungsmittelformkörper
US6927176B2 (en) * 2000-06-26 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
US6488040B1 (en) * 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
KR100366623B1 (ko) * 2000-07-18 2003-01-09 삼성전자 주식회사 반도체 기판 또는 ｌｃｄ 기판의 세정방법
WO2002015255A1 (en) * 2000-08-11 2002-02-21 Chem Trace Corporation System and method for cleaning semiconductor fabrication equipment parts
US20020094684A1 (en) * 2000-11-27 2002-07-18 Hirasaki George J. Foam cleaning process in semiconductor manufacturing
US6525009B2 (en) * 2000-12-07 2003-02-25 International Business Machines Corporation Polycarboxylates-based aqueous compositions for cleaning of screening apparatus
US6493902B2 (en) 2001-02-22 2002-12-17 Chung-Yi Lin Automatic wall cleansing apparatus
JP2002280343A (ja) 2001-03-15 2002-09-27 Nec Corp 洗浄処理装置、切削加工装置
JP2002280330A (ja) 2001-03-21 2002-09-27 Lintec Corp チップ状部品のピックアップ方法
US6627550B2 (en) * 2001-03-27 2003-09-30 Micron Technology, Inc. Post-planarization clean-up
JP2002309638A (ja) 2001-04-17 2002-10-23 Takiron Co Ltd 建物の排水管路における通気性掃除口
JP3511514B2 (ja) * 2001-05-31 2004-03-29 エム・エフエスアイ株式会社 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
US6802911B2 (en) 2001-09-19 2004-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for cleaning damaged layers and polymer residue from semiconductor device
JP4003441B2 (ja) 2001-11-08 2007-11-07 セイコーエプソン株式会社 表面処理装置および表面処理方法
WO2003044147A1 (en) * 2001-11-19 2003-05-30 Unilever N.V. Improved washing system
US20030171239A1 (en) * 2002-01-28 2003-09-11 Patel Bakul P. Methods and compositions for chemically treating a substrate using foam technology
JP2003282513A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Seiko Epson Corp 有機物剥離方法及び有機物剥離装置
JP4570008B2 (ja) 2002-04-16 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US20040159335A1 (en) * 2002-05-17 2004-08-19 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus for removing organic layers
US6846380B2 (en) * 2002-06-13 2005-01-25 The Boc Group, Inc. Substrate processing apparatus and related systems and methods
US20040002430A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-01 Applied Materials, Inc. Using a time critical wafer cleaning solution by combining a chelating agent with an oxidizer at point-of-use
US7329321B2 (en) * 2002-09-30 2008-02-12 Lam Research Corporation Enhanced wafer cleaning method
US6733596B1 (en) * 2002-12-23 2004-05-11 Lam Research Corporation Substrate cleaning brush preparation sequence, method, and system
US20040163681A1 (en) * 2003-02-25 2004-08-26 Applied Materials, Inc. Dilute sulfuric peroxide at point-of-use
US6951042B1 (en) 2003-02-28 2005-10-04 Lam Research Corporation Brush scrubbing-high frequency resonating wafer processing system and methods for making and implementing the same
US7648584B2 (en) * 2003-06-27 2010-01-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing contamination from substrate
US20040261823A1 (en) 2003-06-27 2004-12-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing a target layer from a substrate using reactive gases
KR20050044085A (ko) * 2003-11-07 2005-05-12 삼성전자주식회사 집적회로 소자의 세정액 및 그 세정액을 이용한 세정방법
US7353560B2 (en) * 2003-12-18 2008-04-08 Lam Research Corporation Proximity brush unit apparatus and method
US8323420B2 (en) * 2005-06-30 2012-12-04 Lam Research Corporation Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same
US7568490B2 (en) * 2003-12-23 2009-08-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids
US7416370B2 (en) 2005-06-15 2008-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid
JP2005194294A (ja) 2003-12-26 2005-07-21 Nec Electronics Corp 洗浄液及び半導体装置の製造方法
CN1654617A (zh) * 2004-02-10 2005-08-17 捷时雅株式会社 清洗用组合物和半导体基板的清洗方法及半导体装置的制造方法
US20050183740A1 (en) * 2004-02-19 2005-08-25 Fulton John L. Process and apparatus for removing residues from semiconductor substrates
US8062471B2 (en) * 2004-03-31 2011-11-22 Lam Research Corporation Proximity head heating method and apparatus
US8136423B2 (en) * 2005-01-25 2012-03-20 Schukra of North America Co. Multiple turn mechanism for manual lumbar support adjustment
US20080148595A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying substrates using a surface tensions reducing gas
US20080149147A1 (en) * 2006-12-22 2008-06-26 Lam Research Proximity head with configurable delivery
US20100015731A1 (en) * 2007-02-20 2010-01-21 Lam Research Corporation Method of low-k dielectric film repair

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6532976B1 (en) * 1995-07-10 2003-03-18 Lg Semicon Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus
US6851435B2 (en) * 1997-09-24 2005-02-08 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec, Vzw) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
US6594847B1 (en) * 2000-03-28 2003-07-22 Lam Research Corporation Single wafer residue, thin film removal and clean
US6527870B2 (en) * 2000-10-05 2003-03-04 Lam Research Corporation Wafer cleaning module and method for cleaning the surface of a substrate
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6946396B2 (en) * 2003-10-30 2005-09-20 Nissan Chemical Indusries, Ltd. Maleic acid and ethylene urea containing formulation for removing residue from semiconductor substrate and method for cleaning wafer
US20060283486A1 (en) * 2005-06-15 2006-12-21 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-newtonian fluids

Also Published As

Publication number Publication date
CN101606230B (zh) 2012-09-05
KR20090117732A (ko) 2009-11-12
TW200921779A (en) 2009-05-16
JP4956624B2 (ja) 2012-06-20
US20110061687A1 (en) 2011-03-17
CN101606230A (zh) 2009-12-16
US7897213B2 (en) 2011-03-01
US20090114249A1 (en) 2009-05-07
WO2008097438A1 (en) 2008-08-14
JP2010518621A (ja) 2010-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI415183B (zh) 包含化學品表面的處理方法與裝置
US8522799B2 (en) Apparatus and system for cleaning a substrate
CN1319130C (zh) 半导体基片处理装置及处理方法
JP3944368B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US10699920B2 (en) Substrate treating method and substrate treating apparatus
JP4992981B2 (ja) シリコンウェーハ洗浄方法
TW201624532A (zh) 基板液體處理方法、基板液體處理裝置及記錄媒體
KR20110112195A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
EP3340280A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
US7967960B2 (en) Fluid-confining apparatus
US7337663B2 (en) Sonic energy process chamber
TW201430941A (zh) 基板洗淨裝置及基板洗淨方法
WO2008143798A1 (en) An apparatus, a system and a method of preventing premature drying
JP2008118065A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2005194613A (ja) 基板の湿式処理方法及び処理装置
JP2001316878A (ja) 液処理装置および液処理システムならびに液処理方法
JP4060700B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2004179323A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7065622B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP5561137B2 (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
US20150040947A1 (en) Method and Systems for Cleaning A Substrate
JP2024047257A (ja) 基板処理方法、基板処理装置及び基板処理液
JP2003320539A (ja) ラジカル反応による超精密バリ除去方法及びその装置、並びにラジカル反応による表面処理方法
JP2010050221A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees