TWI409906B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI409906B
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Description

基板處理裝置
本發明係關於基板處理裝置。
作為基板處理裝置之一例，依晶圓盒承載器、加載互鎖真空室、輸送室、處理室之順序輸送晶圓，並在處理室中處理。
處理室係以閘門閥遮斷之獨立空間，在各處理室中可個別地進行晶圓處理。
通常，在基板保持台上進行處理的處理室中，一室只能進行一片晶圓的處理。專利文獻1揭示一種技術，在將未處理晶圓交互地輸送至處理室中，再分別從處理室返回處理完成晶圓基板支撐體時，可與下一處理之未處理晶圓進行交換。
[專利文獻1]特開2006-86180號公報
習知基板處理裝置係由二個儲放晶圓之加載互鎖真空室、一個具有將晶圓載移至各室的機器人的輸送室、及二個處理晶圓用之處理室所構成。在本裝置構成中，難以達到每一小時超過200片之生產能力。在進一步追求更高之生產能力的情況時，可單純地藉由在輸送室外周部追加處理室，實現生產能力之提高。然而，相對地亦會造成輸送室內之輸送用機器人的大型化，而且利用追加處理室，則無法避免面積過大。
本發明之目的在於提供一種基板處理裝置，可實現高生產能力化與省面積化兩相反條件的並立。
根據本發明之一態樣，提供一種基板處理裝置，係以輸送室為中心，配置有加載互鎖真空室及至少二個處理室，其中該輸送室具有在該加載互鎖真空室與該處理室之間輸送基板的基板輸送部；該基板輸送部具備設有第一手指及第二手指的第一臂，且各手指之前端構成為在水平方向上朝相同方向延伸；該處理室具有第一處理部及第二處理部，該第二處理部隔著該第一處理部而配置於遠離該輸送室處。
根據本發明，可實現高生產能力化與省面積化兩相反條件的並立。
以下，參照圖面，說明本發明之第一實施形態。
第1圖為本發明實施形態的基板處理裝置10之整體構成圖，其是從上面觀看裝置10所得的概念圖。
基板處理裝置10例如係以輸送室12為中心，配置有二個加載互鎖真空室14a,14b及二個處理室16a,16b，在加載互鎖真空室14a,14b之上游側配置有屬於前段模組的EFEM(Equipment Front End Module(設備前段模組))18。
EFEM18作成可搭載三台用以儲放晶圓1的晶圓輸送盒(25片)的構造。
在EFEM18內載置有可在大氣中同時移載複數片(5片)晶圓的大氣機器人(未圖示)，其可進行二個加載互鎖真空室14a,14b之間的晶圓移載。另外，本裝置具有控制各構成之控制器84。
如第2圖所示，在加載互鎖真空室14a,14b設有基板支撐體(晶舟)20，其於縱方向相隔一定間隔地收容有例如25片基板。基板支撐體20係由例如碳化矽或鋁構成，具有連接上部板22及下部板24之例如3根支柱26。在支柱26之長度方向內側平行地形成有例如25個載置部28。另外，基板支撐體20構成在加載互鎖真空室14a,14b內能沿垂直方向移動(於上下方向移動)，並能以沿垂直方向延伸之旋轉軸為軸進行旋轉。
在輸送室12設有屬於基板輸送部之第一基板輸送構件30，該基板輸送部係在加載互鎖真空室14a,14b與處理室16a,16b之間輸送晶圓1。第一基板輸送構件30具有臂34，臂34設有由上手指32a及下手指32b構成之一對手指32。上手指32a及下手指32b形成在上下方向以預定間隔隔開，且從臂34分別沿大致與水平方向相同的方向延伸，可分別支撐晶圓1。臂34形成以沿垂直方向延伸之旋轉軸為軸進行旋轉，並可朝水平方向移動。在輸送室12與加載互鎖真空室14a之間設有第一基板通過口13a，另在輸送室12與加載互鎖真空室14b之間設有第二基板通過口13b。又，在輸送室12與處理室16a之間設有第三基板通過口15a，在輸送室12與處理室16b之間設有第四基板通過口15b。在各個基板通過口處設有閘門閥35。加載互鎖真空室、輸送室及處理室經由該等之基板通過口而連通。又，該等之基板通過口被固定於裝置上。
因此，藉載置於輸送室12之第一基板輸送構件30，經由閘門閥35，將儲放於加載互鎖真空室14a,14b內的未處理晶圓，每次二片同時移載至處理室16a,16b，並藉第一基板輸送構件30將處理完成之晶圓，每次二片，從處理室16a,16b移載至加載互鎖真空室14a,14b(第一基板輸送機構)。
第3圖顯示處理室16之概要。
在處理室16配置有二個基板載置台，其中將輸送室12側之第一處理部36的基板載置台設為第一基板載置台37，並將另一之第二處理部38的基板載置台設為第二基板載置台41。
第一處理部36與第二處理部38形成為各自獨立的構造，從裝置整體觀之，在與晶圓處理流程方向相同方向上排成一列。
亦即，第二處理部38係隔著第一處理部36而配置於遠離該輸送室12處。
在第一處理部36與第二處理部38中，藉由相同製程，進行基板處理。
第一處理部36與第二處理部38相互連通，處理室16內可昇溫至300℃。
如第2圖所載，在第一基板載置台37與第二基板載置台41內插入加熱器64以加熱。另外，第一基板載置台37與第二基板載置台41例如由鋁(A5052、A5056等)形成。
為了達成省空間、低成本化的目的，亦可例如由鋁(A5052)零件形成加載互鎖真空室14a,14b、輸送室12及處理室16a,16b。
在處理室16內之第一處理部36與第二處理部38之間的內側、亦即靠近隔壁48側處，設有第二基板輸送構件40。
第二基板輸送構件40以軸部43e屬於中心旋轉，軸部43e配置於隔壁48側。
另一處理室中之第二基板輸送構件40隔著隔壁48與處理室之一的第二基板輸送構件40對比配置。藉由對比配置，可將控制各個第二基板輸送構件40用之配線，集中配設於處理室16之下部且在水平方向的裝置中央、亦即隔壁48附近。結果，在配線空間內，可按每個零件來集中設置配線，可使配線空間更具效率。另外，因為以配置於隔壁48附近之軸部43e為中心而旋轉，所以，可將處理室16之外側作成圓形。藉由作成圓形，可使裝置本體11之外廓11a形成為傾斜狀，結果可確保更大之保養者進入用保養空間17。假設，在將軸部43配置於處理室16外側情況下，即無法將外廓11a作成傾斜狀，無法確保更大之保養者進入用保養空間17。第二基板輸送構件40將藉第一基板輸送構件30輸送之二片未處理晶圓中的一片移載至第二處理部38之第二基板載置台41，再將第二基板載置台41之處理完成晶圓移載至第一基板輸送構件30的手指上(第二基板輸送機構)。
第4圖顯示處理部16內之第二基板輸送構件40在第二處理部38側處待機時(基板處理時)的狀況。
第二基板輸送構件40包括：比晶圓之外徑大的圓弧部43a；從圓弧部43a切開的缺口部43b；載置晶圓之爪部43c，係從圓弧部43a朝向圓弧部中心大致水平地設置；及臂47，設有支撐圓弧部43a之框架部43d。
圓弧部43a與框架部43d係連續形成，且自臂47大致水平地裝設，可透過爪部43c來支撐晶圓1。
臂47係形成能以沿垂直方向延伸之軸部43e屬於旋轉軸旋轉，並可於垂直方向進行昇降。
缺口部43b配置於當軸部43e旋轉而出現在第一處理部36側時，與設於輸送室12和處理室16間的閘門閥35相互面對的位置上。
因此，第二基板輸送構件40使屬於旋轉軸之軸部43e旋轉而進行昇降。藉由進行此種動作，可將藉第一基板輸送構件30輸送至處理室16內的二片晶圓中的一片晶圓，從第一處理部36上方輸送移載至處於離輸送室12較遠處的第二處理部38。
第二基板輸送構件40因來自第一基板載置台37及第二基板載置台41的熱幅射而而成為高溫(250℃左右)，所以，以第二基板輸送構件40由耐電漿性、耐高熱性的例如氧化鋁陶瓷(純度99.6%以上)、石英、SiC(碳化矽)、AIN(氮化鋁)等形成為較佳。利用以熱膨脹係數比金屬零件小的例如氧化鋁陶瓷(純度99.6%以上)來形成，可防止熱變形之歪曲等引起的輸送可靠性的劣化。但在第二基板輸送構件40之基部使用金屬零件以進行位置及高度調整。
第一基板載置台37及第二基板載置台41在處理室16內藉固定構件(未圖示)固定於裝置本體11。另外，在第一基板載置台37之外周，於垂直方向穿設有三根屬於基板保持部之第一基板保持銷39a，利用基板保持銷上下昇降，可使基板大致水平地昇降。另外，在第二基板載置台41之外周，於垂直方向穿設有三根屬於基板保持部之第二基板保持銷39b，藉基板保持銷上下昇降，可使基板大致水平地昇降。藉此，經閘門閥35而由第一基板輸送構件30輸送的晶圓透過基板保持銷39a，39b被載置於基板載置台上。亦即，藉由控制器84之控制，使馬達正反旋轉，以使第一基板保持銷39a、第二基板保持銷39b朝上下方向移動。
接著，參照第5至第12圖，說明晶圓從加載互鎖真空室經由輸送室供給/排出於處理室16的流程。
各圖進行如次說明。另外，第5至第12圖係連續之處理。
第5至第6圖：從加載互鎖真空室14a朝第一處理室16a輸送未處理晶圓的步驟。
第7至第8圖：從加載互鎖真空室14a朝第二處理室16b輸送未處理晶圓的步驟。
第9至第10圖：從第一處理室16a朝加載互鎖真空室14a輸送處理完成晶圓的步驟。
第11至第12圖：從第二處理室16b朝加載互鎖真空室14a輸送處理完成晶圓的步驟。
第5圖為說明從加載互鎖真空室14a(L/L 14a)搬出晶圓1的動作之說明圖。第5圖中，是從EFEM18將晶圓1輸送至基板支撐體20後，首先朝處理室16輸送晶圓1的狀態。藉此，搭載於基板支撐體20上之晶圓1全部是未處理晶圓。
〈第5圖　步驟a〉
首先，調整基板支撐體20之垂直方向的位置，將接下來需要處理之二片晶圓設定於比第一基板輸送構件30之臂34的上手指32a、下手指32b的高度略高的位置上。
亦即，屬於第一片晶圓之W1將垂直方向之位置調整為比下手指32b的垂直方向的位置還高。有關第二片晶圓W2與上手指32a之垂直方向的位置，亦成為相同之關係。
〈第5圖　步驟b〉
在調整垂直方向之位置後，使臂34插入基板支撐體20中。亦即，在W1之正下方配置下手指32b，在W2之正下方配置上手指32a。
〈第5圖　步驟c〉
在插入臂34後，基板支撐體20下降。
藉此，於各手指上搭載晶圓。
亦即，W1搭載於下手指32b上，W2搭載於上手指32a上。
〈第5圖　步驟d〉
在將晶圓搭載於手指上後，臂34在維持手指方向的狀態下，朝處理室方向移動。如此，未處理晶圓被從基板支撐體20搬出。
接著，使用第6圖，說明在第5圖中搬出之晶圓被搬入處理室16a(PC16a)的動作。第6圖之搬入動作與第5圖之搬出動作連續。
〈第6圖　步驟a〉
搭載晶圓之臂34旋轉以使各手指32a,32b之前端朝向處理室16a的方向。
〈第6圖　步驟b〉
在處理室16a中，第一基板保持銷39a及第二基板輸送構件40處於待機中。
旋轉後之臂34以晶圓被配置於處理室16a之第一基板載置台37上方，且各晶圓之垂直方向的位置分別位於第一基板保持銷39a及第二基板輸送構件40之正上方的方式，於水平方向插入處理室16a內。
亦即，搭載於下手指32b上之晶圓W1位於第一基板保持銷39a的正上方，而搭載於上手指32a上之晶圓W2則位於第二基板輸送構件40之正上方。
〈第6圖　步驟c〉
在各晶圓配置於第一基板載置台37上方後，第一基板保持銷39a及第二基板輸送構件40上昇，並托起各晶圓。
亦即，搭載於下手指32b上之晶圓W1被搭載於第一基板保持銷39a上，又，搭載於上手指32a上之晶圓W2被搭載於第二基板輸送構件40上。
〈第6圖　步驟d〉
從各手指將晶圓轉移至第一基板保持銷39a或第二基板輸送構件40後，臂34從處理室16a退出。
第7圖為說明從加載互鎖真空室14a(L/L 14a)搬出晶圓1的動作之說明圖。
〈第7圖　步驟a〉
首先，調整基板支撐體20之垂直方向的位置，將接下來需要處理之二片晶圓，設定於比臂34之上手指32a、下手指32b的高度略高的位置上。
亦即，將屬於第三片晶圓之W3之垂直方向位置調整成比下手指32b的垂直方向位置還高。有關第四片晶圓W4與上手指32a之垂直方向的位置，亦成為相同之關係。
〈第7圖　步驟b〉
在調整垂直方向之位置後，將臂34插入基板支撐體20中。亦即，在W3之正下方配置下手指32b，在W4之正下方配置上手指32a。
〈第7圖　步驟c〉
插入臂34後，基板支撐體20下降。
藉此，於各手指上搭載基板。
亦即，W3搭載於下手指32b上，W4搭載於上手指32a上。
〈第7圖　步驟d〉
在將晶圓搭載於手指上後，臂34在維持手指方向的狀態下，朝處理室方向移動。如此，未處理晶圓被從基板支撐體20搬出。
接著，使用第8圖，說明第7圖中搬出之晶圓被搬入處理室16b(PC16b)的動作。第8圖之搬入動作與第7圖之搬出動作連續。
〈第8圖　步驟a〉
搭載晶圓之臂34旋轉，以使各手指32a,32b之前端朝向處理室16b的方向。
〈第8圖　步驟b〉
在處理室16b中，第一基板保持銷39a及第二基板輸送構件40處於待機中。
旋轉後之臂34以使晶圓配置於處理室16b之第一基板載置台37上方，且各晶圓之垂直方向的位置分別配置於第一基板保持銷39a及第二基板輸送構件40之正上方的方式，於水平方向插入處理室16b內。
亦即，搭載於下手指32b上之晶圓W3位於第一基板保持銷39a的正上方，搭載於上手指32a上之晶圓W4位於第二基板輸送構件40之正上方。
〈第8圖　步驟c〉
在各晶圓配置於第一基板載置台37上方後，第一基板保持銷39a及第二基板輸送構件40上昇，並托起各晶圓。
亦即，搭載於下手指32b上之晶圓W3被搭載於第一基板保持銷39a上，搭載於上手指32a上之晶圓W4被搭載於第二基板輸送構件40上。
〈第8圖　步驟d〉
從各手指將晶圓轉移至第一基板保持銷39a或第二基板輸送構件40後，臂34從處理室16b退出。
後文將對將基板搬入處理室16a,16b後之處理動作加以說明。
接著，使用第9圖，說明從處理室16a搬出處理完成晶圓的步驟。
〈第9圖　步驟a〉
於處理室16a之第一處理部36處理完的晶圓W1，在基板搬出時被搭載於第一基板保持銷39a上。另外，於第二處理部38處理完的晶圓W2，被搭載於第二基板輸送構件40上。該等晶圓分別被保持於第一基板搭載台37的上方。
另一方面，從處理室16b退出之臂34旋轉以使手指的前端朝向處理室16a。
又，此時之垂直方向位置係使搭載於第二基板輸送構件40上的晶圓處於比上手指32a還高的位置，並使搭載於第一基板保持銷39a上的晶圓處於比下手指32b還高的位置。
〈第9圖　步驟b〉
將臂34插入處理室16a。
此時，將上手指32a配置於搭載於第二基板輸送構件40上的晶圓的正下方，並將下手指32b配置於搭載於第一基板保持銷39a上的晶圓的正下方。
〈第9圖　步驟c〉
第二基板輸送構件40及第一基板保持銷39a下降。藉此，將各晶圓搭載於手指上。
亦即，搭載於第二基板輸送構件40上的晶圓被移載至上手指32a，搭載於第一基板保持銷39a上的晶圓被移載至下手指32b。
〈第9圖　步驟d〉
在各晶圓轉移至各手指上後，臂34從處理室16a退出。
接著，使用第10圖，說明將從處理室16a搬出之處理完成晶圓搬入加載互鎖真空室14a，並載置於基板支撐體20上的動作。
〈第10圖　步驟a〉
從處理室16a退出之臂34旋轉，以使手指前端朝向加載互鎖真空室14a。
又，此時，基板支撐體20將其位置變更成為如下之位置。
亦即，設定成原載置部處於比各晶圓之垂直方向的位置低之位置，且晶圓之垂直方向的位置處於比原載置部上面一個的載置部低的位置，以使搬入之處理完成晶圓能搭載於原載置部28(在未處理狀態時，從EFEM18朝基板支撐體上搭載時被載置的載置部)上。
具體而言，調整基板支撐體20之位置，以設定W1的載置部28a的位置在比處理完成晶圓W1低之位置，且設定處理完成晶圓W於比W1之載置部28a上面一個的載置部28b低的位置。
又，基板支撐體20係以前面之動作(如第7圖之搬出W3,W4的動作)下降，所以，在供給W1,W2時，為了設定為如上述之位置而上昇。
另外，在此雖舉例說明W1,W2，但在其他之晶圓的搬入中，亦設定為如上述的位置。
〈第10圖　步驟b〉
在設定基板支撐體20之位置後，臂34朝基板支撐體20之方向插入。
亦即，搭載於下手指32b上之晶圓W1保持於載置部28a的上端與載置部28b下端之間的位置，又，搭載於上手指32a上之晶圓W2保持於載置部28b的上端與載置部28c下端之間的位置。
〈第10圖　步驟c〉
在插入臂34之後，基板支撐體20上昇。藉此，各載置部托起處理完成晶圓，將晶圓移載於載置部上。
〈第10圖　步驟d〉
在將晶圓從手指上移載至基板支撐體20後，臂34從加載互鎖真空室14a退出。
接著，使用第11圖，說明從處理室16b搬出處理完成晶圓的步驟。
〈第11圖　步驟a〉
於處理室16b之第一處理部36處理後的晶圓W3，在基板搬出時被搭載於第一基板保持銷39a上。又，在第二處理部38處理後的晶圓W4被搭載於第二基板輸送構件40上。該等晶圓分別保持於第一基板載置台37的上方。
另一方面，從加載互鎖真空室14a退出之臂34旋轉而使手指前端朝向處理室16b。
又，此時之垂直方向的位置設定為使搭載於第二基板輸送構件40上之晶圓位於比上手指32a還高的位置，搭載於第一基板保持銷39a上之晶圓位於比下手指32b還高的位置。
〈第11圖　步驟b〉
臂34插入處理室16b。
此時，在搭載於第二基板輸送構件40上之晶圓正下方配置上手指32a，在搭載於第一基板保持銷39a上之晶圓的正下方配置下手指32b。
〈第11圖步驟c〉
第二基板輸送構件40及第一基板保持銷39a下降。藉此，各晶圓被搭載於手指上。
亦即，搭載於第二基板輸送構件40上之晶圓移載於上手指32a，又，搭載於第一基板保持銷39a上之晶圓，移載於下手指32b。
〈第11圖步驟d〉
在晶圓移載至各手指上後，臂34從處理室16b退出。
接著，使用第12圖，說明將從處理室16b搬出之處理完成晶圓搬入加載互鎖真空室14a，並載置於基板支撐體20上的動作之步驟。
〈第12圖步驟a〉
從處理室16b退出之臂34旋轉，以使手指前端朝向加載互鎖真空室14a。
又，此時，基板支撐體20將其位置變更成為如下之位置。
亦即，設定成原載置部處於比各晶圓之垂直方向的位置低之位置，且晶圓之垂直方向的位置處於比原載置部上面一個的載置部低的位置之方式來設定，以使搬入之處理完成晶圓能搭載於原載置部28(在未處理狀態時，從EFEM18朝基板支撐體上搭載時被載置的載置部)上。
具體而言，調整基板支撐體20之位置，以設定W3的載置部28c的位置在比處理完成晶圓W3低之位置，且將處理完成晶圓W3設定於比W3之載置部28c上面一個的載置部28d低的位置。
又，基板支撐體20係以前面之動作(如第10圖之搬出W1,W2的動作)上昇，所以，在供給W3,W4時，為了設定為如上述之位置而下降。
另外，在此雖舉例說明了W3,W4，但在其他晶圓的搬入中，亦設定為如上述的位置。
〈第12圖　步驟b〉
在設定了基板支撐體20之位置後，臂34插入基板支撐體20內。
亦即，搭載於下手指32b上之晶圓W3保持於載置部28c的上端與載置部28d下端之間的位置搭載於上手指32a上之晶圓W4，保持於載置部28d的上端與載置部28e下端之間的位置。
〈第12圖　步驟c〉
在各構成之位置確定之後，基板支撐體20上昇。藉此，各載置部托起處理完成晶圓，將晶圓移載於載置部上。
〈第12圖　步驟d〉
在將晶圓從手指上移載至基板支撐體後，臂34從加載互鎖真空室14a退出。
第12圖之後，如第8圖所示，搬出下一處理用之晶圓，將未處理晶圓供至如第7圖所示剛搬出處理完成晶圓的處理室16a內。
如此，重複進行基板支撐體20、第一基板運送構件30(臂34)、第二基板輸送構件40及基板保持銷39等的協同作業，以進行晶圓輸送作業。
又，在本實施例中，雖採用加載互鎖真空室14a進行了說明，但並不限定於此，在另一加載互鎖真空室14b中，亦能以相同的動作進行處理。
其次，使用第13及第14圖，說明朝處理室16內供給之晶圓的移載流程。
在第13(a)～(d)及第14(e)～(h)圖中，上圖為處理室16之上面圖。下圖為以上圖之剖面作為印像的印像圖，為說明用之圖面。
下圖中，基板保持銷39a之一設置在第一處理部36內靠近閘門閥35之部位。但這只是為了便於說明用者而已。實際上，如上圖，在第一處理部36內靠近閘門閥35之部位、亦即如第13(c)圖之第一基板輸送構件30待機的部位處，未設置基板保持銷39a。
首先，處理室16內被真空處理成與輸送室12相同的壓力。又，於以下說明中，構成基板處理裝置10之各部的動作藉控制器84控制。
〈步驟1　第13(a)圖〉
閘門閥35開啟，第一處理部36之第一基板保持銷39a及第二處理部38的第二基板保持銷39b上昇。第二基板輸送構件40在第二處理部38側待機，第一基板保持銷39a與第二基板保持銷39b一起上昇。
〈步驟2　第13(b)圖〉
第二基板輸送構件40藉由軸部43e旋轉，大致水平地朝第一處理部36側移動。此時，第二基板輸送構件40之缺口部43b與閘門閥35相互面對。
〈步驟3　第13(c)圖〉
第一基板輸送構件30一面同時輸送載置於上手指32a及下手指32b上之二片晶圓，一面從輸送室12經閘門閥35移動至處理室16，並停止在第一處理部36上方。此時，第二基板輸送構件40在收容於手指對32之上手指32a與下手指32b之間的高度位置處進行待機。
〈步驟4　第13(d)圖〉
在第一基板輸送構件30維持目前不動作的狀態下，第一處理部36之第一基板保持銷39a上昇，將載置於下手指32b上之晶圓載置於第一基板保持銷39a上。又，藉由第二基板輸送構件40上昇，將載置於上手指32a上之晶圓載置於第二基板輸送構件40的爪部43c上。
〈步驟5　第14(e)圖〉
第一基板輸送構件30返回輸送室12內。
〈步驟6　第14(f)圖〉
在載置晶圓1之狀態下，第二基板輸送構件40藉由軸部43e旋轉，大致水平地朝第二處理部38側移動。
關閉閘門閥35。
〈步驟7　第14(g)圖〉
軸部43e下降，第二基板輸送構件40移動至第二處理部38之外周下方。
第二基板輸送構件40在晶圓處理中亦於處理室16內待機，所以，恐有阻礙從第二處理部38上方供給之處理氣體(例如，O2 自由基等)的氣體流動，使得晶圓面內之均勻性惡化的擔憂。因此，朝不妨礙第二處理部38之外周的氣體流動之高度移動。
〈步驟8　第14(h)圖〉
第一處理部36之第一基板保持銷39a及第二處理部38之第二基板保持銷39b在大致水平地保持晶圓1之狀態下同時下降，分別將晶圓1載置於第一基板載置台37及第二基板載置台41上。亦即，下降晶圓，使各個晶圓與對應於該等晶圓之基板載置台的距離彼此相等。
這是為了使第一處理部36及第二處理部38分別對晶圓的熱影響相同的緣故。藉由使熱影響相同，可使例如、各個晶圓之灰化率成為均勻。在基板處理為CVD(Chemical Vapor Deposition)情況下，可將各自的膜厚形成為大致相同的厚度。
又，並沒有使熱影響成為完全相同的必要，只要灰化率或膜厚均勻，即使略有誤差亦無妨。誤差例如2秒左右。
亦可大致同時下降第一基板保持銷39a及第二基板保持銷39b，個別地控制加熱器，以取代使熱影響相同的作法。
又，本裝置可為雖基板保持銷39a下降，基板載置台卻可上下移動之構成。
然後，將氣體供至處理室16內，執行電漿生成(灰化處理)處理，晶圓處理後，執行相反步序，並搬出晶圓。
接著，使用第15至第31圖，說明第二實施形態。
與第一實施形態之差異在於第一基板輸送構件。第一實施形態中之第一基板輸送構件30，其臂只為一個臂34而已，但第二實施形態中之第一基板輸送構件70，具有臂74,75之二個臂。另外，各臂分別具有二個手指。
以下，詳細說明第二實施形態。
又，由於與第一實施形態相同元件符號的構成係與第一實施形態相同的功能及構成，故而省略說明。
第15圖為第二實施形態的基板處理裝置。
如第15圖所示，在加載互鎖真空室14a,14b設有基板支撐體(晶舟)20，其於縱方向隔一定間隔地收容例如25片基板。基板支撐體20構成在加載互鎖真空室14a,14b內能沿垂直方向移動(上下方向移動)，並能以沿垂直方向延伸之旋轉軸為軸而旋轉。
在輸送室12設有屬於基板輸送部之第一基板輸送構件70，該基板輸送部係在加載互鎖真空室14a,14b與處理室16a,16b之間輸送晶圓1。第一基板輸送構件70具有上臂74及下臂75，該上臂74具有上手指72a及下手指72b，該下臂75具有上手指72c及下手指72d。上手指72a及下手指72b係形成為在上下方向以預定之間隔隔開，且從上臂74分別朝大致與水平方向相同的方向延伸，可分別支撐晶圓1。同樣地，上手指72c及下手指72d係形成為在上下方向以預定間隔隔開，且從臂75分別朝大致與水平方向相同的方向延伸，可分別支撐晶圓1。
上臂74及下臂75係層疊著，並可分別獨立地於水平方向移動。上臂74及下臂75形成以沿垂直方向延伸之旋轉軸為軸而旋轉，並可於水平方向移動。還可於垂直方向上下移動。
輸送晶圓時，在上臂74或下臂75之任一臂上搭載晶圓，進行各二片晶圓的輸送。
在輸送室12與加載互鎖真空室14a之間設有第一基板通過口13a，又，在輸送室12與加載互鎖真空室14b之間設有第二基板通過口13b。另外，在輸送室12與處理室16a之間設有第三基板通過口15a，又，在輸送室12與處理室16b之間設有第四基板通過口15b。在各個基板通過口設有閘門閥35。加載互鎖真空室、輸送室及處理室係經由該等基板通過口而連通。又，該等基板通過口被固定於裝置上。
因此，藉載置於輸送室12之第一基板輸送構件70，經閘門閥35，每次二片，同時將儲放於加載互鎖真空室14a,14b內的未處理晶圓朝處理室16a,16b移載，並藉第一基板輸送構件70，每次二片，將處理完成晶圓從處理室16a,16b移載至加載互鎖真空室14a,14b。
第16圖為從上方觀看上臂74之各手指的圖。
第16(a)圖顯示上臂74之上手指72a。並將上手指72a設為第一手指。
第一手指72a藉支撐部80固定支撐於臂上。晶圓載置部82挖平以載置晶圓。貫穿孔85係第一手指72a之第一貫穿孔，貫穿孔86係第一手指72a之第二貫穿孔，可使從後述之反射型位移感測器投射的光通過。又，此等貫穿孔設定為於晶圓載置時使晶圓載置部82側的一部分與晶圓重疊。
第一貫穿孔85設定成，於晶圓載置時，晶圓載置部82側的基板載置部第一貫穿孔85a與晶圓重疊。又，設定成一方之支撐部側的支撐部第一貫穿孔85b不與晶圓重疊。
同樣地，第二貫穿孔86設定成於晶圓載置時，晶圓載置部82側的基板載置第二貫穿孔86a與晶圓重疊。又，設定成一方之支撐部側的支撐部第二貫穿孔86b不與晶圓重疊。
第16(b)圖顯示上臂74之下手指72b。並將下手指72b設為第二手指。
第二手指72b係藉支撐部80固定支撐於臂上。晶圓載置部88載置晶圓。設於晶圓載置部88前端之缺口90在從設於下方之反射型位移感測器朝第二手指72b的下面投射光線時，使此光線通過。於晶圓載置時，在缺口90上載置晶圓。在將第一手指72a及第二手指72b重疊時，缺口90設定為與第一手指72a重疊。藉由形成此種構成，在未載置晶圓時，從反射型位移感測器投射的光會通過缺口90，在第一手指72a的下面被反射。利用檢測此反射光，可測量從反射型位移感測器至第一手指72a的距離。在測量到第一手指72a之距離的情況下，判斷為在第二手指72b上沒有晶圓。在測量到第二手指72b之距離的情況下，則判斷為在第二手指72b上有晶圓。
貫穿孔係使從處於上方之反射型位移感測器投射的光通過之第二手指72b的貫穿孔。貫穿孔設定成於晶圓載置時使晶圓載置部88側的基板載置部貫穿孔92a與晶圓重疊。又，設定為使一方之支撐部側的支撐部貫穿孔92b不與晶圓重疊。
第17圖為從上方觀看下臂75之各手指的圖。
第17(a)圖顯示下臂75之上手指72c。並將上手指72c設為第三手指。
第三手指72c藉支撐部80固定支撐於臂上。晶圓載置部94挖平以載置晶圓。晶圓載置部94之前端係由第一前端部94a、第二前端部94b、第三前端部94c所構成。第一前端部94a處在離支撐部80最遠的位置。第二前端部94b與第一前端部94a相鄰，處在晶圓載置部94之內側。第三前端部94c與第二前端部94b相鄰，且處在晶圓載置部94之外側。另外，在與第一前端部94a及第三前端部94c分別相鄰的部位，且在晶圓載置部94之外側設有缺口部96。
第17(b)圖顯示下臂75之下手指72d。並將下手指72d設為第四手指。
第四手指72d藉支撐部80固定支撐於臂上。晶圓載置部98挖平以載置晶圓。晶圓載置部98之前端係由第一前端部98a、第二前端部98b所構成。第一前端部98a處在離支撐部80最遠的位置。第二前端部98b與第一前端部98a相鄰，處在靠近晶圓支撐部80之位置。另外，在與第一前端部98a及第二前端部98b分別相鄰的部位，且在晶圓載置部98外側設有缺口100。缺口100具有鄰接於第一前端部98a之第一缺口100a及鄰接於第二前端部98b之第二缺口100b。
缺口100形成能使從反射型感測器投射之光、從第三手指72c反射之反射型感測器的光通過。另外，缺口100b設定成與第三手指72c之第三前端部94c重疊。
接著，參照第18圖，針對本發明中之晶圓的檢測部進行說明。
第18(a)圖為從下側觀看基板處理裝置10之圖，第18(b)圖為從上側觀看基板處理裝置10之圖。
輸送室12的下面設有反射型位移感測器102a,102b、透射型感測器受光部104a,104b、反射型位移感測器106a,106b、及透射型感測器受光部108a,108b。
另外，輸送室12的上面設有透射型感測器投光部110a,110b、反射型位移感測器112a,112b、反射型位移感測器114a,114b、透射型感測器投光部116a,116b。
反射型位移感測器102a在將晶圓搬入搬出於加載互鎖真空室14a時，檢測有無晶圓，以確認在上臂74的第2手指72b上是否存在晶圓，檢測有無晶圓。反射型位移感測器102b亦相同，用以在將晶圓搬入搬出於加載互鎖真空室14b時，確認在上臂74的第2手指72b上是否存在晶圓者。
透射型感測器受光部104a及透射型感測器投光部110a係成對的裝置，並由受光部104a接收從投光部110a投射的光。
藉此透射型感測器受光部104a及透射型感測器投光部110a，用以在將晶圓搬入搬出於加載互鎖真空室14a時，確認在下臂75上是否存在晶圓者。
又，透射型感測器受光部104b及透射型感測器投光部110b，亦相同，用以確認在將晶圓搬入搬出於加載互鎖真空室14b時，在下臂75上是否存在晶圓者。
反射型位移感測器106a於將晶圓搬入搬出處理室16a時，檢測有無晶圓，以確認在下臂75的第4手指72d上是否存在晶圓，檢測有無晶圓。反射型位移感測器106b亦相同，用以在將晶圓搬入搬出於處理室16b時，確認在下臂75的第4手指72d上是否存在晶圓者。
透射型感測器受光部108a及透射型感測器投光部116a係成對的裝置，並由受光部108a接收從投光部116a投射的光。
藉透射型感測器受光部108a及透射型感測器投光部116a，在將晶圓搬入搬出於處理室16a時，確認在下臂75上是否存在晶圓者。
另外，透射型感測器受光部108b及透射型感測器投光部116b，亦相同，係在將晶圓搬入搬出於處理室16b時，用以確認在下臂75上是否存在晶圓者。
反射型位移感測器112a係在將晶圓搬入搬出於加載互鎖真空室14a時，為了確認在上臂74的第1手指72a上是否存在晶圓，而用以檢測有無晶圓者。反射型位移感測器112b亦相同，用以在將晶圓搬入搬出於加載互鎖真空室14b時，確認在上臂74的第1手指72a上是否存在晶圓者。
反射型位移感測器114a在將晶圓搬入搬出於處理室16a時，檢測有無晶圓，以確認於下臂75的第3手指72c上是否存在晶圓。反射型位移感測器114b亦相同，用以確認在將晶圓搬入搬出於處理室16b時，在下臂75的第3手指72c上是否存在晶圓者。
接著，使用第19至第31圖，說明晶圓從加載互鎖真空室經由輸送室供給/排出於處理室16的流程。
各圖中說明如下。另外，第19至第31圖係連續之處理。
第19至第22圖：從加載互鎖真空室朝第一處理室16a輸送未處理晶圓的步驟。
第23至第24圖：從加載互鎖真空室朝第二處理室16b輸送未處理晶圓的步驟。
第25至第31圖：從加載互鎖真空室朝第一處理室16a輸送未處理晶圓，將第一處理室16a之處理完成晶圓與未處理晶圓交換，然後將處理完成晶圓朝加載互鎖真空室輸送的步驟。
第19圖為說明從加載互鎖真空室14a(L/L 14a)搬出晶圓1的動作之說明圖。第19圖中，是從EFEM18將基板輸送至基板支撐體20後，首先朝基板處理裝置10輸送晶圓1的狀態。藉此，搭載於基板支撐體20上之晶圓1全部是未處理晶圓。
〈第19圖　步驟a〉
首先，調整基板支撐體20之垂直方向的位置，將接下來需要處理之二片晶圓設定於比第一基板輸送構件70之上臂74的第一手指72a、第二手指72b的高度略高的位置上。
在此，第一片晶圓W1係將其垂直方向之位置調整為比第二手指72b的垂直方向的位置還高。有關第二片晶圓W2與第一手指72a之垂直方向的位置，亦成為相同之關係。
〈第19圖　步驟b〉
在調整了垂直方向之位置後，將上臂74插入基板支撐體20中。亦即，在W1之正下方配置第二手指72b，在W2之正下方配置第一手指72a。
〈第19圖　步驟c〉
插入上臂74後，基板支撐體20下降。
藉此，於各手指上搭載基板。
亦即，W1搭載於第二手指72b上，W2搭載於第一手指72a上。
〈第19圖　步驟d〉
在將晶圓搭載於手指上後，上臂74在維持手指方向的狀態下，朝處理室方向移動。如此，未處理晶圓被從基板支撐體20搬出。
在此，參照第20圖，說明各感測器之晶圓檢測方法。在該等圖中，x標記表示感測器之光線的光路的光軸。
使用第20圖對從加載互鎖真空室14a朝輸送室12運送晶圓之情況時的晶圓檢測方法加以說明。
第20(a-1)圖為顯示為了從加載互鎖真空室14a搬出晶圓，第一基板輸送構件70在輸送室待機中的狀態之示意圖。此時，為了確認在加載互鎖真空室14a內待機中的移載有晶圓之第一手指72a、第二手指72b上未載有晶圓的情況，使用感測器來確認晶圓的有或無。
第20(a-2)圖為第20(a-1)圖之狀態時的手指與從感測器接收之光的關聯之示意圖。
以下，具體說明。
反射型位移感測器102a從第二手指72b之背面(未載置晶圓的面)方向朝第二手指缺口90投射光線。因為晶圓未載置於第二手指72b上，所以，光線通過第二手指缺口90照射至第一手指72a前端的背面。在此處被反射之光再度通過第二手指缺口90，由反射型位移感測器102a所接收。依此，測量距離。於此情況下，比較測量的距離與預先儲存於控制器84中之反射型位移感測器102a的基準值(第一手指72a與反射型位移感測器102a之距離)，若在誤差範圍內，則說明在第二手指72b上不存在晶圓。
此時，在反射型位移感測器102a與第一手指72a之距離落在基準值的誤差範圍內的情況下，判斷為存在有基板或產生異常。在此種判斷之後，亦可停止輸送室12的動作或對保養者輸出警示。
反射型感測器112a係朝第一手指72a之第二貫穿孔86投射光線。投射之光線通過第二貫穿孔86照射至第二手指72b的支撐部。在此處被反射之光通過第二貫穿孔86後，由反射型位移感測器112a所接收。依此，測量距離。於此情況下，測量反射型位移感測器112a與第二手指72b的距離。比較測量之距離與預先儲存於控制器84中之反射型位移感測器112a的基準值(第二手指72b與反射型位移感測器112a之距離)，若結果在誤差範圍內，則說明在第一手指72a上不存在晶圓。
此時，在基準值未落在誤差範圍內的情況下，判斷為存在有基板或產生異常。在此種判斷之後，亦可停止輸送室12的動作或對保養者輸出警示。
判斷為各手指上無基板之後，基板通過口13a之閘門閥35開啟。然後，如(b)圖所示，上臂74朝加載互鎖真空室14a之方向移動。
此時，利用基板支撐體20之相對移動，將基板移載至第一手指72a及第二手指72b。
在晶圓保持於上臂74後，上臂74朝輸送室12移動，並關閉閘門閥35。
當上臂74返回輸送室12時，確認上臂74上是否有移載了晶圓。(c-1)圖為其說明圖，(c-2)圖為(c-1)之狀態時的手指與從感測器接收之光線的關聯的示意圖。
反射型位移感測器102a從第二手指72b之背面(未載置晶圓的面)方向朝第二手指缺口90投射光線。因為晶圓載置於第二手指72b上，且載置於缺口90上，所以，光軸被晶圓遮斷，結果光線由晶圓背面反射。在晶圓背面反射之光線由反射型位移感測器102a所接收。依此，測量距離。於此情況下，測量反射型位移感測器102a與第二手指72b之距離。因測量的距離與前述反射型位移感測器102a的基準值(反射型位移感測器102a與第一手指72a之距離)相異，所以，說明在第二手指72b上存在晶圓。
此時，在與基準相異且反射型位移感測器與第二手指72b之距離相差很大時，判斷為不存在基板或產生異常。在此種判斷之後，亦可停止輸送室12的動作或對保養者輸出警示。
反射型位移感測器112a朝第一手指72a之第二貫穿孔86投射光線。投射之光線照射至第一手指72a所載置的晶圓上。在此處被反射之光線由反射型位移感測器112a所接收。依此，測量距離。於此情況下，因測量之距離與前述反射型位移感測器112a的基準值(反射型位移感測器112a與第二手指72b之距離)相異，所以，說明在第一手指72a上存在晶圓。
此時，在與基準值相異且反射型位移感測器與第一手指72a之距離相差很大時，判斷為不存在基板或產生異常。在此種判斷之後，亦可停止輸送室12的動作或對保養者輸出警示。
接著，使用第21圖，說明在第19圖中搬出之晶圓被搬入處理室16a(PC16a)的動作。第21圖之搬入動作與第19圖之搬出動作係連續進行。
〈第21圖　步驟a〉
搭載晶圓之上臂74與下臂75一起旋轉，以使第一手指72a、第二手指72b各自之前端朝向處理室16a之方向。
〈第21圖　步驟b〉
在處理室16a中，第一基板保持銷39a及第二基板輸送構件40處於待機中。
旋轉後之上臂74於水平方向插入處理室16a內，使晶圓配置於處理室16a之第一基板載置台37上方，且各晶圓之垂直方向的位置分別位於第一基板保持銷39a及第二基板輸送構件40之正上方。
亦即，搭載於第二手指72b上之晶圓W1位於第一基板保持銷39a的正上方，搭載於第一手指72a上之晶圓W2位於第二基板輸送構件40之正上方。
〈第21圖　步驟c〉
在各晶圓配置於第一基板載置台37上方後，第一基板保持銷39a及第二基板輸送構件40上昇，並托起各晶圓。
亦即，搭載於第二手指72b上之晶圓W1被搭載於第一基板保持銷39a上，搭載於第一手指72a上之晶圓W2被搭載於第二基板輸送構件40上。
〈第21圖　步驟d〉
從各手指將晶圓轉移至第一基板保持銷39a或第二基板輸送構件40後，上臂74從處理室16a退出。
接著，使用第22圖，對將從加載互鎖真空室14a搬出之基板搬入處理室16a之情況時的晶圓檢測方法進行說明。
於第20(c)圖中，從加載互鎖真空室搬出晶圓之上臂74與下臂一起旋轉，以使手指前端朝向基板通過口15a的方向。結果在第22(a)圖之狀態下，在輸送室12中待機。
然後，開啟閘門閥35，上臂74朝處理室16a方向移動，成為第22(b)圖之狀態。
此時，藉由處理室內之第一基板保持銷39a及上臂74的協同作業，將基板載置於處理室16a內。
在晶圓移載至處理室16a內之後，上臂74朝輸送室12方向移動。移動後，關閉閘門閥35，成為第22(c-1)圖之狀態。
在第22(c-1)圖之狀態下，依如下方式確認上臂74上有無晶圓。亦即，從透射型感測器投光部116a朝透射型感測器受光部108a投射光線。如(c-2)圖，光線係通過各手指之兩前端之間進行投射。若透射型感測器受光部108a接收到光線，即確認在各臂上沒有晶圓。
於此，在透射型感測器受光部108a未接收到光線之情況時，判斷晶圓載置於各臂之至少一方、或裝置異常。在此種判斷之後，亦可停止輸送室12的動作或對保養者輸出警示。
第23圖為說明從加載互鎖真空室14a(L/L14a)搬出晶圓1的動作之說明圖。
〈第23圖　步驟a〉
首先，調整基板支撐體20之垂直方向的位置，將接下來需要處理之二片晶圓設定於比上臂74之第一手指72a、第二手指72b的高度略高的位置上。
在此，將第三片晶圓W3之垂直方向的位置調整為比第二手指72b的垂直方向的位置還高。有關第四片晶圓W4與第一手指72a之垂直方向的位置，亦成為相同之關係。
〈第23圖　步驟b〉
在調整了垂直方向之位置後，將上臂74插入基板支撐體20中。亦即，在W3之正下方配置第二手指72b，在W4之正下方配置第一手指72a。
〈第23圖　步驟c〉
在插入上臂74後，基板支撐體20下降。
藉此，於各手指上搭載晶圓。
亦即，W3搭載於第二手指72b上，W4搭載於第一手指72a上。
〈第23圖　步驟d〉
在將晶圓搭載於手指上後，上臂74在維持手指方向的狀態下，朝處理室方向移動。如此，未處理晶圓被從基板支撐體20搬出。
接著，使用第24圖，說明在第23圖中搬出之晶圓被搬入處理室16b(PC16b)的動作。第24圖之搬入動作與第23圖之搬出動作係連續進行。
〈第24圖　步驟a〉
搭載晶圓之上臂74與下臂75一起旋轉，以使第一手指72a、第二手指72b各手指之前端朝向處理室16b的方向。
〈第24圖　步驟b〉
在處理室16b中，第一基板保持銷39a及第二基板輸送構件40處於待機中。
旋轉後之上臂74於水平方向插入處理室16b內，使晶圓配置於處理室16b之第一基板載置台37上方，且各晶圓之垂直方向的位置分別位於第一基板保持銷39a及第二基板輸送構件40之正上方。
亦即，搭載於第二手指72b上之晶圓W3位於第一基板保持銷39a的正上方，搭載於第一手指72a上之晶圓W4位於第二基板輸送構件40之正上方。
〈第24圖　步驟c〉
在各晶圓配置於第一基板載置台37上方後，第一基板保持銷39a及第二基板輸送構件40上昇，並托起各晶圓。
亦即，搭載於第二手指72b上之晶圓W3被搭載於第一基板保持銷39a上，搭載於第一手指72a上之晶圓W4被搭載於第二基板輸送構件40上。
〈第24圖　步驟d〉
在從各手指將晶圓轉移至第一基板保持銷39a或第二基板輸送構件40後，上臂74從處理室16b退出。
有關將基板搬入處理室16a,16b後之處理動作，與第一實施形態之第13圖及第14圖的動作相同，故而省略說明。
第25圖為說明在晶圓處於處理室16a內之狀態下，從加載互鎖真空室14a(L/L14a)搬出晶圓1的動作之說明圖。
〈第25圖　步驟a〉
首先，調整基板支撐體20之垂直方向的位置，將接下來需要處理之二片晶圓設定於比上臂74的第一手指72a、第二手指72b的高度略高的位置上。
在此，第五片晶圓W5係將其垂直方向之位置調整為比第二手指72b的垂直方向的位置還高。有關第六片晶圓W6與第一手指72a之垂直方向的位置，亦成為相同之關係。
〈第25圖　步驟b〉
在調整了垂直方向之位置後，將上臂74插入基板支撐體20中。亦即，在W5之正下方配置第二手指72b，在W6之正下方配置第一手指72a。
〈第25圖　步驟c〉
插入上臂74後，基板支撐體20下降。
藉此，於各手指上搭載晶圓。
亦即，W5搭載於第二手指72b上，W6搭載於第一手指72a上。
〈第25圖　步驟d〉
在將晶圓搭載於手指上後，上臂74在維持手指方向的狀態下，朝處理室方向移動。如此，未處理晶圓被從基板支撐體20搬出。
接著，參照第26圖，說明未處理基板與處理完成基板之交換動作。如前述，未處理基板係搭載於上臂74之第一手指72a及第二手指72b上的W5,W6。處理完成基板係搭載於第二基板輸送構件40上的W2，及搭載於第一基板保持銷39a上之W1。
〈第26圖　步驟a〉
在處理室16a之第一處理部處理完的晶圓W1，在基板搬出時被搭載於第一基板保持銷39a上。另外，在第二處理部處理完的晶圓W2，被搭載於第二基板輸送構件40上。該等之晶圓分別保持於第一基板搭載台37的上方。
另一方面，從加載互鎖真空室14a搬出基板之上臂74與下臂75一起旋轉，以使各手指的前端朝向處理室16a。另外，與此旋轉同時，上臂74與下臂75一體上昇。這是為了使臂之垂直方向高度與基板通過口15a的高度對準，以使接收處理完成晶圓之下臂75及上臂74的各手指能快速通過基板通過口15a的緣故。如此，利用在旋轉時來對準臂與基板通過口的高度，不需要之後的垂直方向之位置調整，結果可迅速地搬出基板。
又，此時之垂直方向的位置係使搭載於第二基板輸送構件40上的晶圓處於比上臂75的第三手指72c高的位置，並使搭載於第一基板保持銷39a上的晶圓處於比第四手指72d高的位置。
〈第26圖　步驟b〉
將下臂75插入處理室16a。
此時，將第三手指72c配置於搭載於第二基板輸送構件40上的晶圓的正下方，並將第四手指72d配置於搭載於第一基板保持銷39a上的晶圓的正下方。
〈第26圖　步驟c〉
第二基板輸送構件40及第一基板保持銷39a下降。藉此，將各晶圓搭載於手指上。
亦即，搭載於第二基板輸送構件40上的晶圓被移載至第三手指72c，搭載於第一基板保持銷39a上的晶圓被移載至第四手指72d。
〈第26圖　步驟d〉
在各晶圓轉移至各手指上後，臂75從處理室16a退出。
接著，參照第27圖，針對將收容於處理室16a內之處理完成晶圓朝輸送室12移動之情況時的晶圓檢測方法進行說明。
第27(a-1)圖為搭載於上臂74之未處理基板在輸送室12待機中的狀態之示意圖。為了將處理完成晶圓搭載於下臂75上，下臂75係與基板通過口15a設定為相同之高度。另外，(a-2)圖為從此時之感測器投射的光(光軸)與手指的關係之示意圖。
反射型位移感測器106a係從第四手指72d之背面方向朝第四手指72d之缺口100b投射光線。投射之光線通過缺口100b照射至第三手指72c的背面。在此被反射之光再度通過缺口100b後，由反射型位移感測器106a所接收。
比較藉此測量的距離與預先設定之基準值(搬出預先設定之處理完成晶圓時的第三手指72c與反射型位移感測器106a之距離)，若在誤差範圍內，則說明在第四手指72d上不存在晶圓。
在與基準值之差異很大的情況時，則判斷為在第四手指72d上保持有晶圓或產生異常。在此種判斷之後，亦可停止輸送室12的動作或對保養者輸出警示。
反射型位移感測器114a係從第一手指72a之表面方向朝第一手指的第一貫穿孔85投射光線。如(a-2)圖，投射之光線通過第一手指72a的支撐部第一貫穿孔85b及第二手指72b的支撐部貫穿孔92b，照射至第三手指72c的支撐部80。在該支撐部80反射之光，同樣通過支撐部第一貫穿孔85b及支撐部貫穿孔92b後，由反射型位移感測器114a所接收。
比較依此測量之距離與預先設定的基準值(搬出預先設定之處理完成晶圓時的第三手指72c與反射型位移感測器114a之距離)，若在誤差範圍內，則說明在第三手指72c上不存在晶圓。
在與基準值之差異很大的情況時，則判斷為在第三手指72c上保持有晶圓或產生異常。在此種判斷之後，亦可停止輸送室12的動作或對保養者輸出警示。
判斷為第三及第四手指上無晶圓之後，開啟閘門閥35，如(b)圖所示，下臂75朝處理室16a之方向移動。移動後，藉由與第一基板保持銷39a之協同作業，將處理室16a內之處理完成晶圓移載至下臂75之各手指上。
在移載至下臂75之各手指上之後，如(c-1)圖，下臂75朝輸送室12移動。移動後，藉由感測器確認晶圓是否搭載於下臂75之各手指上。(c-2)圖為從此時之感測器投射的光線(光軸)與手指之關係的示意圖。
反射型位移感測器106a，係從第四手指72d之背面方向朝第四手指72d的缺口100b投射光線。投射之光線照射至保持於第四手指72d上之晶圓的背面。從晶圓背面反射之光，則由反射型位移感測器106a所接收。
比較依此測量的距離與預先設定之基準值(搬出預先設定之處理完成晶圓時的第三手指72c與反射型位移感測器106之距離)，若與基準值有差異時，則判斷在第四手指72d上保持有晶圓。
在與基準值之差異很大且第四手指72d與反射型位移感測106a之距離相異時，則判斷為沒有保持晶圓或產生異常。在此種判斷之後，亦可停止輸送室12的動作或對保養者輸出警示。
反射型位移感測器114a係從第一手指72a之表面方向朝第一手指的第一貫穿孔85投射光線。如(c-2)圖所示，投射之光線通過第一手指72a的支撐部第一貫穿孔85b及第二手指72b的支撐部貫穿孔92b照射至保持於第三手指72c的晶圓上。由該晶圓反射之光，同樣通過支撐部第一貫穿孔85b及支撐部貫穿孔92b後，由反射型位移感測器114a所接收。
比較依此測量之距離與預先設定的基準值(搬出預先設定之處理完成晶圓時的第三手指72c與反射型位移感測器114a之距離)，若距離差超出誤差範圍時，則說明在第三手指72c上保持著晶圓。
在與基準值之差異很大的情況時，則判斷為在第三手指72c上沒有保持晶圓或產生異常。在此種判斷之後，亦可停止輸送室12的動作或對保養者輸出警示。
接著，參照第28圖，說明在第26圖中搬出之晶圓被搬入處理室16a(PC16a)的動作。第28圖之搬入動作與第26圖之搬出動作係連續進行。
〈第28圖　步驟a〉
在搭載處理完成晶圓之下臂75退避時，上臂及下臂同時下降。
這是為了使上臂74之垂直方向高度與基板通過口15a的高度對準，以使搬入未處理晶圓之上臂74及下臂75的各手指能通過基板通過口15a的緣故。
下降後，將搭載有未處理晶圓之上臂74插入處理室16a。
又，此時之垂直方向的位置係設定為使搭載於第一手指72a上的晶圓處於比第二基板輸送構件40還高的位置，並使搭載於第二手指72b上的晶圓比第一基板保持銷39a處於還高的位置。
〈第28圖　步驟b〉
上臂74係以晶圓被配置於處理室16b之第一基板載置台37的上方，且各晶圓之垂直方向的位置位於第一基板保持銷39a及第二基板輸送構件40之正上方的方式，於水平方向插入處理室16a內。
亦即，搭載於第二手指72b上之晶圓W5，位於第一基板保持銷39a的正上方，搭載於第一手指72a上之晶圓W6，位於第二基板輸送構件40之正上方。
〈第28圖　步驟c〉
在各晶圓配置於第一基板載置台37上方之後，第一基板保持銷39a及第二基板輸送構件40上昇，托起各晶圓。
亦即，搭載於第二手指72b上之晶圓W5被搭載於第一基板保持銷39a上，搭載於第一手指72a上之晶圓W6被搭載於第二基板輸送構件40上。
〈第28圖　步驟d〉
從各手指將晶圓轉移至第一基板保持銷39a或第二基板輸送構件40後，上臂74從處理室16a退出。
接著，參照第29圖，針對將從處理室16a搬出之處理完成晶圓搬入加載互鎖真空室14a的動作進行說明。
〈第29圖　步驟a〉
從處理室16a退出之上臂74及下臂75進行旋轉，以使手指前端朝向加載互鎖真空室14a。
另外，此時，基板支撐體20係將其位置變更成為如下之位置。
亦即，以原載置部處於比各晶圓之垂直方向的位置低之位置，且晶圓之垂直方向的位置處於比原載置部上面一個的載置部低的位置之方式來設定，以使搬入之處理完成晶圓能搭載於原載置部28(在未處理狀態時，從EFEM18朝基板支撐體上搭載時被載置的載置部)上。
具體而言，以在比處理完成晶圓W1低之位置設定有W1的載置部28a的位置，且將處理完成晶圓W1設定於比W1之載置部28a上面一個的載置部28b低的位置之方式，來調整基板支撐體之位置。
又，基板支撐體20係以前面之動作(如第7圖之搬出W3,W4的動作)下降，所以，在供給W1,W2時，為了設定為如上述之位置而進行上昇。
另外，為了將保持著處理完成晶圓之下臂75對準於加載互鎖真空室14a與輸送室12之間的基板通過口13a之垂直方向的位置，下臂75與上臂74一起上昇。
在此雖舉例說明了W1,W2，但在其他之晶圓的搬入中，當然亦設定為如上述的位置。
〈第29圖　步驟b〉
在設定了基板支撐體20之位置後，下臂75朝基板支撐體20之方向移動。
亦即，搭載於第四手指72d上之晶圓W1被保持於載置部28a的上端與載置部28b下端之間的位置處，搭載於第三手指72c上之晶圓W2被保持於載置部28b的上端與載置部28c下端之間的位置處。
〈第29圖　步驟c〉
在確定了各構成之位置後，基板支撐體20上昇。藉此，各載置部托起處理完成晶圓，將晶圓移載於載置部上。
〈第29圖　步驟d〉
在將晶圓從手指移載至基板支撐體上後，下臂75從加載互鎖真空室14a退出。
在第29圖之動作後，如第25圖所示，搬出下一處理之晶圓，如第26及第28圖所示，進行處理完成晶圓與未處理晶圓之交換。
如此，重複進行基板支撐體20、第一基板運送構件70(臂74,75)、第二基板輸送構件40及基板保持銷39a等的協同作業，進行晶圓輸送作業。
接著，參照第30圖，說明從處理室16a搬出處理完成晶圓之步驟的晶圓檢測方法。收容於處理室16a中之處理完成晶圓，係收容於加載互鎖真空室14a之基板支撐體20的最後之晶圓。因此，在上臂74沒有搭載未處理晶圓。
第30(a-1)圖顯示接下來將要保持處理完成晶圓的下臂75在輸送室12待機中的狀態。為了將處理完成晶圓移載於下臂75上，下臂75係與基板通過口15a設定為相同之高度。另外，(a-2)圖為從此時之感測器投射的光(光軸)與手指的關係之示意圖。
反射型位移感測器106a係從第四手指72d之背面方向朝第四手指72d之缺口部底部100b投射光線。投射之光線通過缺口100b照射至第三手指72c的背面。在此被反射之光再度通過缺口100b後，由反射型位移感測器106a所接收。
比較依此測量的距離與預先設定之基準值(搬出預先設定之處理完成晶圓時的第三手指72c與反射型位移感測器106a之距離)，若在誤差範圍內，則說明在第四手指72d上不存在晶圓。
在與基準值之差異很大的情況時，則判斷為在第四手指72d上保持有晶圓或產生異常。在此種判斷之後，亦可停止輸送室12的動作或對保養者輸出警示。
反射型位移感測器114a係從第一手指72a之表面方向朝第一手指的第一貫穿孔85投射光線。如(a-2)圖，投射之光線通過第一手指72a的支撐部第一貫穿孔85b及第二手指72b的支撐部貫穿孔92b照射至第三手指72c的支撐部80。在該支撐部80反射之光，同樣通過支撐部第一貫穿孔85b及支撐部貫穿孔92b後，由反射型位移感測器114a所接收。
比較依此測量之距離與預先設定的基準值(搬出預先設定之處理完成晶圓時的第三手指72c與反射型位移感測器114a之距離)，若在誤差範圍內，則說明在第三手指72c上不存在晶圓。
在與基準值之差異很大的情況時，則判斷為在第三手指72c上保持有晶圓或產生異常。在此種判斷之後，亦可停止輸送室12的動作或對保養者輸出警示。
判斷為第三及第四手指上無晶圓之後，開啟閘門閥35，如(b)圖所示，下臂75朝處理室16a之方向移動。移動後，藉由與第一基板保持銷39a之協同作業，將處理室16a內之處理完成晶圓移載至下臂75之各手指上。
在移載至下臂75之各手指上之後，如(c-1)圖，下臂75朝輸送室12移動。移動後，藉由感測器確認晶圓是否搭載於下臂75之各手指上。(c-2)圖為從此時之感測器投射的光線(光軸)與手指之關係的示意圖。
反射型位移感測器106a，係從第四手指72d之背面方向朝第四手指72d的缺口部底部100b投射光線。投射之光線照射至保持於第四手指72d上之晶圓的背面。從晶圓背面反射之光，則由反射型位移感測器106a所接收。
比較依此測量的距離與預先設定之基準值(搬出預先設定之處理完成晶圓時的第三手指72c與反射型位移感測器106a之距離)，若與基準值有差異時，則判斷在第四手指72d上保持有晶圓。
在與基準值之差異很大且第四手指72d與反射型位移感測106a之距離相異時，則判斷為沒有保持晶圓或產生異常。在此種判斷之後，亦可停止輸送室12的動作或對保養者輸出警示。
反射型位移感測器114a係從第一手指72a之表面方向朝第一手指的第一貫穿孔85投射光線。如(c-2)圖所示，投射之光線通過第一手指72a的支撐部第一貫穿孔85b及第二手指72b的支撐部貫穿孔92b照射至保持於第三手指72c的晶圓上。由該晶圓反射之光，同樣通過支撐部第一貫穿孔85b及支撐部貫穿孔92b後，由反射型位移感測器114a所接收。
比較依此測量之距離與預先設定的基準值(搬出預先設定之處理完成晶圓時的第三手指72c與反射型位移感測器114a之距離)，若距離之差超出誤差範圍的情況時，則說明在第三手指72c上保持有晶圓。
在與基準值之差異很大的情況時，則判斷為在第三手指72c上沒有保持晶圓或產生異常。在此種判斷之後，亦可停止輸送室12的動作或對保養者輸出警示。
接著，參照第31圖，說明將在第30圖中移載至下臂75上的處理完成晶圓移載至加載互鎖真空室的方法。
從第30(c-1)圖之各手指的前端朝向處理室16a的狀態開始，第一基板輸送構件70與上臂74及下臂75一起旋轉，以使各手指的前端朝向加載互鎖真空室14a，而成為第31(a)圖之狀態。
接著，開啟閘門閥35，保持有處理完成晶圓之下臂75朝加載互鎖真空室14a移動，成為(b)圖的狀態。藉由與基板支撐體20的協同作業，將處理完成晶圓移載至基板支撐體20上。
依此，從EFEM18移載至加載互鎖真空室14a之所有晶圓，均在處理室中被處理後，返回加載互鎖真空室14a。
晶圓移載至基板支撐體20上後，如(c-1)圖，下臂74朝輸送室12移動。
此時，確認在所有之臂(手指)上沒有晶圓。亦即，從透射型感測器投光部110a朝第四手指72d的手指前端間投射光線，若在各臂(手指)上不存在晶圓，則透射型感測器受光部104a會接收到光線。
依此，可確認在臂上沒有晶圓。
在此，在透射型感測器受光部104a沒有接收到光線的情況時，則判斷為在至少一臂上載置有晶圓或裝置異常。在此種判斷之後，亦可停止輸送室12的動作或對保養者輸出警示。
再者，參照第32圖，說明比較例。
第32圖為比較例之基板處理裝置50之整體構成圖，其是從裝置50上面觀察的概念圖。
比較例之基板處理裝置50包括二個存放晶圓之加載互鎖真空室52、一個具有使晶圓移載至各室的機器人之輸送室54、及二個處理晶圓用之處理室56，在一個處理室中只能進行一片晶圓的處理。
第33圖顯示比較例之基板處理裝置50的處理室56內之晶圓移載流程的概要。
又，以下之說明中，構成比較例之基板處理裝置50的各部分的動作，係由控制器84所控制。
首先，使處理室56內與輸送室54成為同壓真空。
(步驟1)
開啟閘門閥62。
(步驟2)
第三基板輸送構件60一面輸送晶圓1，一面從輸送室54經過閘門閥62朝處理室56內移動，並停止在基板保持台66的上方。在此，第三基板輸送構件60係可各一片地輸送晶圓者。
(步驟3)
在第三基板輸送構件60維持不動作之狀態下，基板保持銷68上昇，將晶圓1載置於基板保持銷68上。
(步驟4)
第三基板輸送構件60返回輸送室54內。
(步驟5)
在大致水平地保持晶圓1之狀態下，基板保持銷68下降，將晶圓1載置於基板保持台66上，從而完成晶圓載置。
關閉閘門閥62。
然後，將氣體供應給處理室56內，進行電漿產生(灰化處理)處理，基板處理後，執行相反的步序，並搬出基板。
如上述，根據本發明，屬於四反應室保持裝置，與比較例之基板處理裝置50比較，可達成省面積化之配置。另外，根據本發明，除了從輸送室輸送晶圓之第一基板輸送構件30外，還具有第二基板輸送構件40，所以，第一基板輸送構件30及第二基板輸送構件40，可同時執行不同的動作，可應對高生產能力化。另外，根據第一基板輸送構件70，利用設置具有一對手指對之二個手臂，可更進一步地應對高生產能力化。另外，第二基板輸送構件40配置於處理室16內，所以，可在處理室16內部以維持減壓及高溫的狀態來進行晶圓的輸送，在第二基板輸送構件40為例如氧化鋁陶瓷製的情況時，可在第二基板輸送構件40保持留在處理室16內的狀態下進行處理。又，因為沿用已有之基板處理裝置，所以可減少變更部分。
因此，根據本發明，可在維持省面積化配置的狀態下提高生產能力。
另外，本發明係關於半導體製造技術、尤其是關於在處理室內收容被處理基板並在藉由加熱器加熱的狀態下進行處理之熱處理技術，其可有效地利用於基板處理裝置，該基板處理裝置係使用於例如、對製入了半導體積體電路裝置(半導體裝置)之半導體晶圓進行氧化處理、擴散處理、離子植入後之載體活性化或平坦化用的迴焊或緩冷及根據CVD之成膜處理等。
根據本發明之一個態樣，提供一種基板處理裝置，係以輸送室為中心，配置有加載互鎖真空室及至少二個處理室，該輸送室具有在該加載互鎖真空室與該處理室之間輸送基板的基板輸送部；該基板輸送部具備設有第一手指及第二手指的第一臂，且各手指之前端係構成為在水平方向上朝相同方向延伸；該處理室具有第一處理部及第二處理部，該第二處理部係隔著該第一處理部而配置於遠離該輸送室處。藉此，可同時進行至少二片之基板的搬入搬出。
其中以該基板輸送部具備設有第三手指及第四手指的第二臂，且該第一、第二、第三、第四手指之前端係構成為在水平方向上朝相同方向延伸為較佳。藉此，因為存在輸送未處理晶圓之臂及輸送處理完成晶圓的臂，所以，在從處理室搬出處理完成基板之後，可立即搬入未處理基板。亦即，可提高處理之生產能力。
其中以在該手指上分別設有載置基板的載置部，成對之手指之一的載置部前端與另一手指之載置部前端構成為不會重疊為較佳。藉此，即使在各臂上搭載有基板，仍可利用基板檢測器來檢測有無未處理基板或有無處理完成基板等。
以該手指具有：載置基板之載置部；及將該載置部固定支撐於臂上的支撐部；並具有：第一臂，利用固定該支撐部，沿垂直方向配置複數個該手指；及第二臂，利用固定該支撐部，沿垂直方向配置複數個手指，並將該載置部前端配置成與該第一臂的手指不重疊為較佳。藉此，即使在各臂上搭載有基板，仍可利用基板檢測器來檢測有無未處理基板或有無處理完成基板等。
以在固定於該第二臂之手指內設於該第一臂側的該手指的載置部前端設有缺口部為較佳。
根據本發明之另一態樣，提供一種基板輸送裝置，其包含：第一臂用手指，具有載置基板之載置部，及將該載置部固定支撐於臂上的支撐部；第一臂，利用固定該支撐部，沿垂直方向配置複數個該第一臂用手指；第二臂用手指，具有載置基板之載置部，及支撐部，具有於垂直方向貫穿之貫穿孔，用以將該載置部固定支撐於臂上；及第二臂，利用固定該支撐部，沿垂直方向配置複數個該第二臂用手指，並將該貫穿孔配置成與該第一臂用手指之支撐部重疊。
其中以該複數個第二臂用手指之貫穿孔及該第一臂用手指之支撐部係配置成直線狀為較佳。
其中以在該支撐部內與該貫穿孔成為直線狀的部分上載置基板為較佳。
根據本發明之另一態樣，提供一種基板處理裝置，係以輸送室為中心，配置有加載互鎖真空室及處理室，該輸送室具有在該加載互鎖真空室與該處理室之間輸送基板的基板輸送部及基板檢測部；該基板輸送部包括：手指，具有載置基板之載置部，及將該載置部固定支撐於臂上的支撐部；第一臂，利用固定該支撐部，沿垂直方向配置複數個該手指；及第二臂，利用固定該支撐部，沿垂直方向配置複數個該手指，並將該載置部之前端配置成不與該第一臂的手指重疊；從該第二臂觀察時，該基板檢測部係設於夾著該第一臂之該輸送室的壁面上。
其中以該基板檢測部係設置成與基板背面側對向，且在配設於該第二臂之手指內設於該一臂側的手指載置部前端設有缺口部為較佳。
根據本發明之另一態樣，提供一種基板處理裝置，係以輸送室為中心，配置有加載互鎖真空室及處理室，該輸送室具有在該加載互鎖真空室與該處理室之間輸送基板的基板輸送部及基板檢測部；該基板輸送部包括：第一臂用手指，具有載置基板之載置部，及將該載置部固定支撐於臂上的支撐部；第一臂，利用固定該支撐部，沿垂直方向配置複數個該第一臂用手指；第二臂用手指，具有載置基板之載置部，及支撐部，具有於垂直方向貫穿之貫穿孔，用以將該載置部固定支撐於臂上；及第二臂，利用固定該支撐部，沿垂直方向配置複數個該第二臂用手指，並將該貫穿孔配置成與該第一臂用手指之支撐部重疊；從該第一臂觀察時，該基板檢測部係設於夾著該第二臂之該輸送室的壁面上。
1．．．晶圓
10．．．基板處理裝置
12．．．輸送室
13a．．．第一基板通過口
13b．．．第二基板通過口
14a．．．加載互鎖真空室
15a．．．第三基板通過口
15b．．．第四基板通過口
16a．．．處理室
17．．．保養空間
18．．．設備前段模組
20．．．基板支撐體
22．．．上部板
24．．．下部板
26．．．支柱
28．．．載置部
30．．．第一基板輸送構件
32．．．手指
32a．．．上手指
32b．．．下手指
34．．．臂
35．．．閘門閥
36．．．第一處理部
37．．．第一基板載置台
38．．．第二處理部
39a．．．第一基板保持銷
39b．．．第二基板保持銷
41．．．第二基板載置台
43a．．．圓弧部
43b．．．缺口部
43c．．．爪部
43d．．．框架部
43e．．．軸部
48．．．隔壁
64．．．加熱器
70‧‧‧第一基板輸送構件
72a‧‧‧上手指
72b‧‧‧下手指
72c‧‧‧上手指
72d‧‧‧下手指
74‧‧‧上臂
75‧‧‧下臂
80‧‧‧支持部
82‧‧‧晶圓載置部
84‧‧‧控制器
85‧‧‧貫穿孔
85a‧‧‧第一貫穿孔
85b‧‧‧第二貫穿孔
86‧‧‧貫穿孔
88‧‧‧晶圓載置部
90‧‧‧缺口
92‧‧‧貫穿孔
92a‧‧‧基板載置部貫穿孔
92b‧‧‧支持部貫穿孔
94‧‧‧晶圓載置部
94a‧‧‧第一前端部
94b‧‧‧第二前端部
94c‧‧‧第三前端部
96‧‧‧缺口
98‧‧‧晶圓載置部
98a．．．第一前端部
98b．．．第二前端部
98c．．．第三前端部
100．．．缺口
100a．．．第一缺口
100b．．．第二缺口
100c．．．第三缺口
102a,102b．．．反射型位移感測器
104a,104b．．．透射型感測器受光部
106a,106b．．．反射型位移感測器
108s.108b．．．透射型感測器受光部
110a,10b．．．透射型感測器投光部
112a,112b．．．反射型位移感測器
114a,114b．．．反射型位移感測器
116a,116b．．．透射型感測器投光部
第1圖為本發明實施形態所用基板處理裝置之整體構成圖，其是從上面觀看的概念圖。
第2圖為本發明第一實施形態所用基板處理裝置之整體構成圖的縱剖視圖。
第3圖為顯示本發明實施形態之基板處理裝置之處理室的立體圖。
第4圖為從上面觀看本發明實施形態中的基板處理時之第二基板輸送構件周邊的圖。
第5圖為本發明第一實施形態的基板輸送方法之說明圖。
第5圖為本發明第一實施形態的基板輸送方法之說明圖。
第6圖為本發明第一實施形態的基板輸送方法之說明圖。
第7圖為本發明第一貫施形態的基板輸送方法之說明圖。
第8圖為本發明第一實施形態的基板輸送方法之說明圖。
第9圖為本發明第一實施形態的基板輸送方法之說明圖。
第10圖為本發明第一實施形態的基板輸送方法之說明圖。
第11圖為本發明第一實施形態的基板輸送方法之說明圖。
第12圖為本發明第一實施形態的基板輸送方法之說明圖。
第13圖為從上面觀看本發明實施形態的處理室內之圖，其顯示晶圓移載流程。
第14圖為從上面觀看本發明實施形態的處理室內之圖，其顯示第13圖之晶圓移載流程的連續部分。
第15圖為本發明第二實施形態的基板處理裝置之整體構成圖的縱剖視圖。
第16圖為顯示本發明第二實施形態的第一基板輸送構件之上臂的上面圖。
第17圖為顯示本發明第二實施形態的第一基板輸送構件之下臂的上面圖。
第18圖為顯示本發明實施形態的基板處理裝置之上面圖及下面圖。
第19圖為本發明第二實施形態的基板輸送方法之說明圖。
第20圖為本發明第二實施形態的基板處理裝置之剖視圖。
第21圖為本發明第二實施形態的基板輸送方法之說明圖。
第22圖為本發明第二實施形態的基板處理裝置之剖視圖。
第23圖為本發明第二實施形態的基板輸送方法之說明圖。
第24圖為本發明第二實施形態的基板輸送方法之說明圖。
第25圖為本發明第二實施形態的基板輸送方法之說明圖。
第26圖為本發明之第二實施形態的基板輸送方法之說明圖。
第27圖為本發明第二實施形態的基板處理裝置之剖視圖。
第28圖為本發明第二實施形態的基板輸送方法之說明圖。
第29圖為本發明第二實施形態的基板輸送方法之說明圖。
第30圖為本發明第二實施形態的基板處理裝置之剖視圖。
第31圖為本發明第二實施形態的基板處理裝置之剖視圖。
第32圖為比較例之基板處理裝置之整體構成圖，其是從上面觀看的概念圖。
第33圖為從上面觀看比較例之基板處理裝置的處理室內之圖，其顯示晶圓移載流程。
1．．．晶圓
12．．．輸送室
13a．．．第一基板通過口
13b．．．第二基板通過口
14a．．．加載互鎖真空室
15a．．．第三基板通過口
15b．．．第四基板通過口
16a．．．處理室
20．．．基板支撐體
22．．．上部板
24．．．下部板
26．．．支柱
28．．．載置部
30．．．第一基板輸送構件
32．．．手指
32a．．．上手指
32b．．．下手指
34．．．臂
36．．．第一處理部
37．．．第一基板載置台
38．．．第二處理部
41．．．第二基板載置台
64．．．加熱器

Claims (5)

  1. 一種基板處理裝置，係以輸送室為中心，配置有加載互鎖真空室及至少二個處理室，其特徵為：該輸送室具有在該加載互鎖真空室與該處理室之間輸送基板的基板輸送部；該基板輸送部具備設有第一手指及第二手指的第一臂，和設有第三手指及第四手指的第二臂，該第一臂和該第二臂被層疊，該第一、第二、第三及第四手指之前端係在水平方向上朝相同方向延伸；該第一及該第二手指係藉支撐部分別固定於該第一臂且在上下方向以預定間隔隔開，該第三手指及該第四手指係藉支撐部分別固定於該第二臂且在上下方向以預定間隔隔開，在該第一、第二、第三及第四手指分別設有載置該基板的載置部，在該第二手指的該載置部的前端之和該第一手指重疊的位置設有缺口，在該第三手指的該載置部的前端設有缺口，在該第四手指的該載置部的前端之和該第三手指的該前端重疊的位置設有缺口，該處理室具有第一處理部及第二處理部，該第二處理部係隔著該第一處理部而配置於遠離該輸送室處。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中在第一臂所具有的該第一手指和第二手指，設置跨手指的支撐部和基板載置部的貫穿孔。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其具有：第一反射型位移感測器，設在該輸送室下面或上面當中的靠近該第一臂的面，且位於在向該處理室搬入搬出晶圓時該第一臂和該第二臂的前端與該處理室對向的狀態下，該第一手指的貫穿孔和該第二手指的貫穿孔及該第三手指的支撐部是配置在被投射光的光之光軸上那樣的位置；及第二反射型位移感測器，設在該輸送室下面或上面當中的和該第一反射型位移感測器相異的面，且位於在向該處理室搬入搬出晶圓時該第一臂和該第二臂的前端與該處理室對向的狀態下，該第四手指的缺口和該第三手指的背面是配置在被投射光的光之光軸上那樣的位置。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其進一步具有控制器，該控制器控制成：在從該處理室搬出處理完成基板之際，於該第一臂和該第二臂的前端與該處理室呈對向的狀態下，該第一反射型位移感測器透過該第一手指的貫穿孔和該第二手指的貫穿孔向該第三手指的支撐部投射光，接收所反射的光而測量第一距離，且該第二反射型位移感測器透過該第四手指的缺口向該第三手指的背面投射光，接收所反射的光而測量第二距離，當該第 一距離是所預設的在該第三手指沒有基板時的距離之距離值的誤差範圍內，該第二距離是所預設的在該第四手指沒有基板時的距離之距離值的誤差範圍內時，則判斷在該第三手指和該第四手指沒有基板，之後使用該第三手指和該第四手指從該處理室搬出基板。
  5. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其進一步具有控制器，該第一手指和第二手指各自載置有未處理基板，該處理室載置有處理完成基板，在向該處理室搬入該未處理基板之際，於該第一臂和該第二臂的前端與該處理室對向的狀態下，該控制器控制成：在該第三手指和該第四手指插入於該處理室，進行從處理室移載處理完成基板動作之後，使該第三手指和該第四手指分別朝該輸送室移動，該第一反射型位移感測器透過該第一手指的貫穿孔和該第二手指的貫穿孔向該第三手指的支撐部投射光，接收所反射的光而測量第一距離，且該第二反射型位移感測器透過向該第四手指的缺口和該第三手指的背面投射光，接收所反射的光而測量第二距離，當該第一距離是所預設的在該第三手指有基板時的距離之距離值的誤差範圍內，該第二距離是所預設的在該第四手指有基板時的距離之距離值的誤差範圍內時，則判斷在該第三手指和該第四手指有基板，之後該第一手指和該第二手指插入於該處理室，向該處理室搬入該未處理基板。
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