JP7519243B2 - 搬送装置及び搬送方法 - Google Patents

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Description

本開示は、搬送装置及び搬送方法に関する。
特許文献１には、被処理物の搬入出を行う移載装置を内部に備えたハウジングと、前記ハウジングの側面に付設され、前記被処理物を内部に収容する収容部と、前記被処理物を処理するプラズマ処理装置と、を備えるプラズマ処理システムが開示されている。特許文献１に記載のプラズマ処理システムによれば、前記ハウジングの上面及び下面の対向位置には窓部が形成され、これら対向する窓部のハウジング外側には、被処理物の有無を検出するための光素子センサが配置されている。
実開平６－３４２５３号公報
本開示にかかる技術は、複数の基板を同時に搬送する搬送装置において、該搬送装置に保持される基板を適切に検知する。
本開示の一態様は、第１の基板及び第２の基板を平面視において重なるように保持して搬送する搬送装置であって、前記第１の基板を水平方向に保持する第１の保持アームと、前記第２の基板を水平方向に保持する第２の保持アームと、前記第１の保持アームに保持される前記第１の基板の有無を検知する第１の検知センサと、前記第２の保持アームに保持される前記第２の基板の有無を検知する第２の検知センサと、を有し、少なくとも前記第１の検知センサは、前記第２の保持アームを基準面として光軸を照射して、該基準面からの拡散反射光と基板からの拡散反射光の受光位置の違いを検知することで前記第１の基板の有無を検知するセンサで構成され、少なくとも前記第１の保持アームの先端部の内端には、前記第２の保持アームに照射される前記光軸を通過させるための切欠きが形成され、前記第１の検知センサから照射される前記光軸の水平方向に対する傾斜角度は、前記基準面からの拡散反射光を受光部により受光可能であり、前記第１の基板からの正反射光は前記受光部により受光されない角度に設定される。
本開示によれば、複数の基板を同時に搬送する搬送装置において、該搬送装置に保持される基板を適切に検知することができる。
実施形態にかかる真空処理装置の構成例を模式的に示す平面図である。 ウェハ搬送機構の構成例を示す斜視図である。 下部ピックへの切欠きの形成例を示す斜視図である。 実施形態にかかるウェハ検知機構の構成例を模式的に示す縦断面図である。 ウェハ検知機構の設置例を示す説明図である。 実施形態にかかるウェハの搬送方法の主な工程を示すフロー図である。 実施形態にかかるウェハの搬送方法の主な工程を示す説明図である。 実施形態にかかるウェハの搬送方法の主な工程を示すフロー図である。 実施形態にかかるウェハの搬送方法の主な工程を示す説明図である。 下部ピックに形成された切欠きの効果を示す説明図である。 ウェハ検知機構の他の構成例を示す説明図である。 ウェハ検知機構の他の構成例を示す説明図である。 ウェハ検知機構の他の構成例を示す説明図である。 ウェハ搬送機構の初期化動作の主な工程を示すフロー図である。 ウェハ搬送機構の初期化動作における動作例を示す説明図である。
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウェハ（基板：以下、「ウェハ」という。）を収納したプロセスモジュールの内部を減圧状態にし、当該ウェハに予め決められた様々な処理工程が行われる。これら処理工程は、プロセスモジュールを複数備えた真空処理装置を用いて行われ、該真空処理装置においては、ウェハの搬送に要する時間を短縮するため、搬送アームにより複数、例えば２枚のウェハを縦並びに搭載して同時に搬送することが行われている。
このように複数のウェハを同時に搬送する場合、各プロセスモジュールに対するウェハの搬入出を適切に行うため、搬送アームに搭載されたそれぞれのウェハの有無を個別に特定して検知することが求められる。
上述した特許文献１に記載のプラズマ処理システムは、ハウジングの内部でロボットハンド（搬送アーム）に保持されたウェハの有無を、該ハウジングの外部に設けられた透過型センサからの光を透光性の窓部を介して照射することにより検知する。しかしながら特許文献１には、上述のように、搬送アームに搭載された複数の基板のそれぞれを個別に特定して検知することについては記載がない。また、特許文献１に開示されるような透過型センサを用いて複数のウェハの有無を個別に検知することは、例えばセンサの取付位置や設置角度等の空間的な制約から困難性があり、かかる観点において改善の余地があった。
本開示にかかる技術は上記事情に鑑みてなされたものであり、複数の基板を同時に搬送する搬送装置において、該搬送装置に保持される基板を適切に検知する。以下、本実施形態にかかる搬送装置を備える真空処理装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
＜真空処理装置＞
先ず、真空処理装置の構成について説明する。図１は、真空処理装置１の構成の概略を模式的に示す平面図である。本実施形態においては、真空処理装置１が、プロセスモジュールとしてのＣＯＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｒｅｍｏｖａｌ）モジュール、ＰＨＴ（Ｐｏｓｔ Ｈｅａｔ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）モジュールを備える場合を例に説明する。なお、本開示の真空処理装置１のモジュール構成はこれに限られず、任意に選択され得る。
図１に示すように真空処理装置１は、大気部１０と減圧部１１がロードロックモジュール２０ａ、２０ｂを介して一体に接続された構成を有している。大気部１０は、大気圧雰囲気下においてウェハＷに所望の処理を行う複数の大気モジュールを備える。減圧部１１は、減圧雰囲気下においてウェハＷに所望の処理を行う複数の減圧モジュールを備える。
ロードロックモジュール２０ａは、大気部１０の後述するローダーモジュール３０から搬送されたウェハＷを、減圧部１１の後述するトランスファモジュール６０に引き渡すため、ウェハＷを一時的に保持する。ロードロックモジュール２０ａは、内部に複数、例えば２つのストッカ（図示せず）を有しており、これにより内部に２枚のウェハＷを同時に保持する。
ロードロックモジュール２０ａは、ゲートバルブ（図示せず）が設けられたゲート（図示せず）を介して、後述するローダーモジュール３０及び後述するトランスファモジュール６０に接続されている。このゲートバルブにより、ロードロックモジュール２０ａと、ローダーモジュール３０及びトランスファモジュール６０の間の気密性の確保と互いの連通を両立する。
ロードロックモジュール２０ａにはガスを供給する給気部（図示せず）とガスを排出する排気部（図示せず）が接続され、当該給気部と排気部によって内部が大気圧雰囲気と減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。すなわちロードロックモジュール２０ａは、大気圧雰囲気の大気部１０と、減圧雰囲気の減圧部１１との間で、適切にウェハＷの受け渡しができるように構成されている。
ロードロックモジュール２０ｂはトランスファモジュール６０から搬送されたウェハＷをローダーモジュール３０に引き渡すため、ウェハＷを一時的に保持する。ロードロックモジュール２０ｂは、ロードロックモジュール２０ａと同様の構成を有している。すなわち、図示しないゲートバルブ、図示しないゲート、図示しない給気部、及び図示しない排気部を有している。
なお、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂの数や配置は、本実施形態に限定されるものではなく、任意に設定できる。
大気部１０は、後述するウェハ搬送機構４０を備えたローダーモジュール３０、複数のウェハＷを保管可能なフープ３１を載置するロードポート３２、ウェハＷを冷却するＣＳＴモジュール３３、及びウェハＷの水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール３４を有している。
ローダーモジュール３０は内部が矩形の筐体からなり、筐体の内部は大気圧雰囲気に維持されている。ローダーモジュール３０の筐体の長辺を構成する一側面には、複数、例えば３つのロードポート３２が並設されている。ローダーモジュール３０の筐体の長辺を構成する他側面には、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂが並設されている。ローダーモジュール３０の筐体の短辺を構成する一側面には、ＣＳＴモジュール３３が設けられている。ローダーモジュール３０の筐体の短辺を構成する他側面には、オリエンタモジュール３４が設けられている。
なお、ロードポート３２、ＣＳＴモジュール３３、及びオリエンタモジュール３４の数や配置は本実施形態に限定されるものではなく、任意に設計できる。また、大気部１０に設けられる大気モジュールの種類も本実施形態に限定されるものではなく、任意に選択できる。
フープ３１は複数、例えば１ロット２５枚のウェハＷを収容する。また、ロードポート３２に載置されたフープ３１の内部は、例えば、大気や窒素ガスなどで満たされて密閉されている。
ローダーモジュール３０の内部には、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構４０が設けられている。ウェハ搬送機構４０は、ウェハＷを保持して移動する搬送アーム４１ａ、４１ｂと、搬送アーム４１ａ、４１ｂを回転可能に支持する回転台４２と、回転台４２を搭載した回転載置台４３とを有している。ウェハ搬送機構４０は、ローダーモジュール３０の筐体の内部において長手方向に移動可能に構成されている。
減圧部１１は、２枚のウェハＷを各種プロセスモジュールに対して同時に搬送するトランスファモジュール６０と、ウェハＷにＣＯＲ処理を行うＣＯＲモジュール６１と、ウェハＷにＰＨＴ処理を行うＰＨＴモジュール６２とを有している。トランスファモジュール６０、ＣＯＲモジュール６１、及びＰＨＴモジュール６２の内部は、それぞれ減圧雰囲気に維持される。また、ＣＯＲモジュール６１及びＰＨＴモジュール６２は、トランスファモジュール６０に対して複数、例えばＣＯＲモジュール６１は４つ、ＰＨＴモジュール６２は２つ設けられている。
搬送装置としてのトランスファモジュール６０は内部が矩形の筐体からなり、上述したように図示しないゲートバルブを介してロードロックモジュール２０ａ、２０ｂに接続されている。トランスファモジュール６０は、ロードロックモジュール２０ａに搬入されたウェハＷを一のＣＯＲモジュール６１、一のＰＨＴモジュール６２に順次搬送してＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を施した後、ロードロックモジュール２０ｂを介して大気部１０に搬出する。
ＣＯＲモジュール６１の内部には、２枚のウェハＷを水平方向に並べて載置する２つのステージ６１ａ、６１ｂが設けられている。ＣＯＲモジュール６１は、ステージ６１ａ、６１ｂにウェハＷを並べて載置することにより、２枚のウェハＷに対して同時にＣＯＲ処理を行う。なお、ＣＯＲモジュール６１には、処理ガスやパージガスなどを供給する給気部（図示せず）とガスを排出する排気部（図示せず）が接続されている。
ＰＨＴモジュール６２の内部には、２枚のウェハＷを水平方向に並べて載置する２つのステージ６２ａ、６２ｂが設けられている。ＰＨＴモジュール６２は、ステージ６２ａ、６２ｂにウェハＷを並べて載置することにより、２枚のウェハＷに対して同時にＰＨＴ処理を行う。なお、ＰＨＴモジュール６２には、処理ガスやパージガスなどを供給する給気部（図示せず）とガスを排出する排気部（図示せず）が接続されている。
また、ＣＯＲモジュール６１及びＰＨＴモジュール６２は、ゲートバルブ（図示せず）が設けられたゲート（図示せず）を介して、トランスファモジュール６０に接続されている。このゲートバルブにより、トランスファモジュール６０とＣＯＲモジュール６１及びＰＨＴモジュール６２の間の気密性の確保と互いの連通を両立する。
なお、トランスファモジュール６０に設けられるプロセスモジュールの数や配置、及び種類は本実施形態に限定されるものではなく、任意に設定できる。
トランスファモジュール６０の内部には、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構７０が設けられている。ウェハ搬送機構７０は、２枚のウェハＷを縦並び、換言すれば平面視において重なるように保持して移動する搬送アーム７１ａ、７１ｂと、搬送アーム７１ａ、７１ｂを回転可能に支持する回転台７２と、回転台７２を搭載した回転載置台７３とを有している。また、トランスファモジュール６０の内部には、トランスファモジュール６０の長手方向に延伸するガイドレール７４が設けられている。回転載置台７３はガイドレール７４上に設けられ、ウェハ搬送機構７０をガイドレール７４に沿って移動可能に構成されている。
図２に示すように搬送アーム７１ａは、一端が回転台７２に対して回転自在に接続された第１アーム１００と、第１アーム１００の他端に対して一端が回転自在に接続された第２アーム１１０と、第２アーム１１０の他端に対して回転自在に接続される第３アーム１２０ａ、及び第４アーム１２０ｂとを有している。すなわち搬送アーム７１ａは、２軸で３種類のアームが連結されたリンクアーム構造を有している。
また、第３アーム１２０ａ及び第４アーム１２０ｂの他端には、それぞれウェハＷを保持するための上部ピック１２１ａ及び下部ピック１２１ｂが接続されている。そして搬送アーム７１ａは、上部ピック１２１ａ及び下部ピック１２１ｂにより、２枚のウェハＷを平面視において重なるよう保持して同時に搬送する。
また下部ピック１２１ｂの先端部の内端には、図２及び図３に示すように、後述の下ウェハ検知センサ８２から照射される光軸Ｙが通過する切欠き１２２が形成されている。なお、下部ピック１２１ｂに形成される切欠き１２２の形状は、図３に示すように、該切欠き１２２を通過した光軸Ｙを上部ピック１２１ａの上面に到達させることができれば、特に限定されるものではない。
搬送アーム７１ｂは搬送アーム７１ａと同様の構成を有している。すなわち搬送アーム７１ｂは、２軸で３種類のアームが連結されたリンクアーム構造を有しており、２枚のウェハＷを平面視において重なるよう保持して同時に搬送可能に構成されている。また、搬送アーム７１ｂの下部ピック１２１ｂの先端部の内端には切欠き１２２が形成されている。
そしてトランスファモジュール６０では、ロードロックモジュール２０ａに保持されたウェハＷを搬送アーム７１ａで受け取り、ＣＯＲモジュール６１に搬送する。また、ＣＯＲ処理が施されたウェハＷを、搬送アーム７１ａが保持し、ＰＨＴモジュール６２に搬送する。また更に、ＰＨＴ処理が施されたウェハＷを、搬送アーム７１ｂが保持し、ロードロックモジュール２０ｂに搬出する。
なお、以下の説明においては、搬送アーム７１ａ又は搬送アーム７１ｂに保持される２枚のウェハＷのうち、上部ピック１２１ａに保持されるウェハを「上ウェハＷｔ」、下部ピック１２１ｂに保持されるウェハを「下ウェハＷｂ」とそれぞれ呼称する場合がある。
また減圧部１１には、ウェハ搬送機構７０（搬送アーム７１ａ又は７１ｂの上部ピック１２１ａ及び下部ピック１２１ｂのそれぞれ）に搭載された２枚のウェハＷをそれぞれ個別に検知可能なウェハ検知機構８０が、各ＣＯＲモジュール６１、及び各ＰＨＴモジュール６２に対応して複数、本実施形態においては合計６つ設けられている。
なお、ウェハ検知機構８０の設置位置は図示の例には限定されず、例えばロードロックモジュール２０ａ、２０ｂに対応して更に設けられていてもよい。
図４に示すようにウェハ検知機構８０は、上部ピック１２１ａに搭載された上ウェハＷｔを検知する上ウェハ検知センサ８１と、下部ピック１２１ｂに搭載された下ウェハＷｂを検知する下ウェハ検知センサ８２と、を備えている。
上ウェハ検知センサ８１は、例えば投光部８１ａ及び受光部８１ｂを有する測距反射式センサで構成され、トランスファモジュール６０を構成する筐体の外部下方に設けられている。上ウェハ検知センサ８１は光透過窓８３を介してトランスファモジュール６０の天井面にセンサ光軸（図４の光軸Ｘを参照）を照射し、該天井面を基準面として搬送アーム７１ａの搭載されたウェハＷを検知する。
具体的には、投光部８１ａから照射された光軸Ｘの、天井面からの拡散反射光ｘ１の受光部８１ｂによる受光位置と、ウェハＷからの拡散反射光ｘ２の受光部８１ｂによる受光位置の違いを検知することにより、搬送アーム７１ａにウェハＷが搭載されているか否かを判断する。
なお、上ウェハ検知センサ８１は、このように天井面及びウェハＷからの拡散反射光ｘ１、ｘ２の受光位置を検知することにより搬送アーム７１ａ上のウェハＷの有無を検知するが、該受光部８１ｂが拡散反射光に加え正反射光をさらに受光した場合、搬送アーム７１ａ上のウェハＷの有無を誤検知するおそれがある。具体的には、光軸Ｘの照射面であるウェハＷは鏡面を有しているため、該ウェハＷにおいては照射された光軸Ｘが正反射する。そして、この正反射光が拡散反射光に加えさらに受光部８１ｂで受光されると、適切に拡散反射光ｘ１と拡散反射光ｘ２の受光位置の違いを検知できず、ウェハＷの有無を誤検知するおそれがある。
そこで本実施形態においては、上ウェハ検知センサ８１の取り付け角度、換言すれば、図５に示すような光軸Ｘの照射面に対する入射角度θｘ（本実施形態においては水平方向からの傾斜角度）は、少なくともトランスファモジュール６０の天上面、及びウェハＷの裏面からの拡散反射光ｘ１、ｘ２の一部を受光部８１ｂで受光でき、ウェハＷにおける正反射光が受光されない角度であることが必要となる。かかる入射角度θｘは、好ましくは２０°以上７０°以下、より好ましくは３０℃以上６０°以下である。入射角度が２０°より小さくなった場合、受光部８１ｂにより適切に拡散反射光ｘ１、ｘ２を検知することができない。一方、入射角度が７０°より大きくなった場合、ウェハＷからの正反射光が受光部８１ｂで受光され、該正反射光を拡散反射光ｘ１、ｘ２として誤検知するおそれがある。
下ウェハ検知センサ８２は、例えば投光部８２ａ及び受光部８２ｂを有する測距反射式センサで構成され、トランスファモジュール６０を構成する筐体の外部下方に設けられている。下ウェハ検知センサ８２は光透過窓８４を介して上部ピック１２１ａの裏面（上ウェハＷｔの非保持面）にセンサ光軸（図３及び図４の光軸Ｙを参照）を照射し、該上部ピック１２１ａの裏面を基準面として下部ピック１２１ｂ上のウェハＷを検知する。
具体的には、投光部８２ａから照射された光軸Ｙの、上部ピック１２１ａの裏面からの拡散反射光ｙ１の受光部８２ｂによる受光位置と、ウェハＷからの拡散反射光ｙ２の受光部８２ｂによる受光位置の違いを検知することにより、下部ピック１２１ｂに下ウェハＷｂが搭載されているか否かを判断する。
なお、下ウェハ検知センサ８２の取り付け角度、換言すれば、図５に示すような光軸Ｙの照射面に対する入射角度θｙ（本実施形態においては水平方向からの傾斜角度）は、上ウェハ検知センサ８１と同様に、好ましくは２０°以上７０°以下、より好ましくは３０℃以上６０°以下である。
なお、下ウェハ検知センサ８２の投光部８２ａから照射された光軸Ｙは、上述したように下部ピック１２１ｂの先端部の内端に形成された切欠き１２２を通過して上部ピック１２１ａの裏面に照射される。
以上の真空処理装置１には、制御部９０が設けられている。制御部９０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、真空処理装置１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種プロセスモジュールや搬送機構などの駆動系の動作を制御して、真空処理装置１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部９０にインストールされたものであってもよい。
本実施形態にかかる真空処理装置１は以上のように構成されている。次に、本実施形態にかかる基板の搬送方法を含むウェハ処理方法について説明する。図６及び図７は、ウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１ａ、７１ｂから各種プロセスモジュールに対するウェハＷの搬送方法の主な工程を示すフロー図、及び説明図である。また図８及び図９は、各種プロセスモジュールからウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１ａ、７１ｂに対するウェハＷの搬送方法の主な工程を示すフロー図、及び説明図である。
＜ウェハ処理方法＞
先ず、複数（例えば１ロット２５枚）のウェハＷを収納したフープ３１が、ロードポート３２に搬入される。ロードポート３２にフープ３１が配置されると、フープ３１に対してウェハ搬送機構４０がアクセスし、フープ３１から２枚のウェハＷが取り出される。フープ３１から搬出された２枚のウェハＷは、オリエンタモジュール３４により水平方向の向きが調節された後、ロードロックモジュール２０ａのストッカ（図示せず）に搬送される。
ロードロックモジュール２０ａに２枚のウェハＷが搬送されると、該ロードロックモジュール２０ａの内部が大気圧雰囲気から減圧雰囲気に切り替えられた後、トランスファモジュール６０の内部と連通される。続いて２枚のウェハＷは、搬送アーム７１ａの上部ピック１２１ａ、下部ピック１２１ｂに対してこの順で受け渡され、トランスファモジュール６０に搬入される。
なお、このロードロックモジュール２０ａから搬送アーム７１ａに対するウェハＷの受け渡しに際しては、搬送アーム７１ａに対して適切にウェハＷの受渡しが行われたか否かの検知を行ってもよい。かかる場合、ウェハＷの受渡しの検知方法は特に限定されず、例えばロードロックモジュール２０ａの内部に設けられた検知センサ（図示せず）により行ってもよいし、前述したようにロードロックモジュール２０ａに対応するウェハ検知機構８０を設けることで行ってもよい。なお、ウェハ検知機構８０を用いて行われる場合の検知方法の詳細については後述する。
２枚のウェハＷを保持したウェハ搬送機構７０は、次に、一のＣＯＲモジュール６１の前に移動する。続いて、搬送アーム７１ａに保持された２枚のウェハＷが、上部ピック１２１ａ及び下部ピック１２１ｂからＣＯＲモジュール６１のステージ６１ａ、６１ｂにそれぞれ受け渡される。
搬送アーム７１ａからＣＯＲモジュール６１へのウェハＷの受け渡しに際しては、上述したように、先ず、トランスファモジュール６０の内部においてＣＯＲモジュール６１との間でウェハＷの受け渡しを行うための位置（以下、「第１の初期化位置」という場合がある。）に、ウェハ搬送機構７０が移動される（図６のステップＳ１）。
ウェハ搬送機構７０がＣＯＲモジュール６１の第１の初期化位置に移動すると、該ウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１ａに２枚のウェハＷが搭載されていることが、ＣＯＲモジュール６１に対応して設けられたウェハ検知機構８０により検知される（図６のステップＳ２）。具体的には、図７（ａ）に示すように上ウェハ検知センサ８１及び下ウェハ検知センサ８２の投光部８１ａ、８２ａからそれぞれ照射された光軸Ｘ、Ｙは、それぞれ下ウェハＷｂで拡散反射する。これにより、受光部８１ｂ、８２ｂにおいては拡散反射光ｘ２、ｙ２が受光され、該拡散反射光ｘ２、ｙ２の受光位置を検知することで、少なくとも下部ピック１２１ｂに下ウェハＷｂが搭載されていることが検知される。
ここで上ウェハ検知センサ８１は、図７（ａ）に示したように、投光部８１ａからの光軸Ｘの、下ウェハＷｂからの拡散反射光ｘ２を検知することで、搬送アーム７１ａに少なくとも下ウェハＷｂが搭載されていることを検知する。換言すれば、搬送アーム７１ａに上ウェハＷｔ及び下ウェハＷｂの両方が搭載されている場合、光軸Ｘは上ウェハＷｔに到達する前に下ウェハＷｂにより反射するため、上部ピック１２１ａによる上ウェハＷｔの搭載を個別に検知することができない。しかしながら本実施形態によれば、上述したようにロードロックモジュール２０ａからのウェハＷの受渡しに際して、下部ピック１２１ｂに先行して上部ピック１２１ａに上ウェハＷｔを搭載する。また後述するように、プロセスモジュールに対するウェハＷの受渡しに際しては、上部ピック１２１ａに先行して下部ピック１２１ｂに下ウェハＷｂを搭載する。すなわち本実施形態にかかる搬送方法によれば、図７及び後述の図９にも示すように、搬送アーム７１ａに下ウェハＷｂのみが保持される状態を作らず、下部ピック１２１ｂに下ウェハＷｂが保持されている際には、上部ピック１２１ａに上ウェハＷｔが必ず保持されているように、ウェハＷの搬送動作を制御する。これにより本実施形態においては、このように上ウェハ検知センサ８１により上ウェハＷｔの搭載を個別に検知できない場合であっても、疑似的に上部ピック１２１ａに上ウェハＷｔが搭載されていることを検知することができる。
次に、ＣＯＲモジュール６１に対して搬送アーム７１ａの下部ピック１２１ｂがアクセスし、該下部ピック１２１ｂからＣＯＲモジュール６１に下ウェハＷｂが受け渡される（図６のステップＳ３）。
下部ピック１２１ｂから下ウェハＷｂが受け渡されると、該下部ピック１２１ｂからＣＯＲモジュール６１に対して下ウェハＷｂが適切に受け渡されたか否かが、下ウェハ検知センサ８２により検知される（図６のステップＳ４）。具体的には、図７（ｂ）に示すように、下ウェハ検知センサ８２の投光部８２ａから照射された光軸Ｙの、上部ピック１２１ａの裏面からの拡散反射光ｙ１の少なくとも一部が受光部８２ｂで受光されることで、下部ピック１２１ｂに下ウェハＷｂが保持されていないこと、すなわち下ウェハＷｂがＣＯＲモジュール６１に適切に受け渡されたことが検知される。
なお、この下ウェハＷｂの受渡しの検知（ステップＳ４）に際しては、同時に上部ピック１２１ａに上ウェハＷｔが確かに保持されていることを検知してもよい。上述したように、下部ピック１２１ｂに下ウェハＷｂが搭載されている場合、上ウェハ検知センサ８１によっては直接的に上部ピック１２１ａの上ウェハＷｔを検知することができない。そこで、かかる下ウェハＷｂがＣＯＲモジュール６１に受け渡されたタイミングで受光部８１ｂによる拡散反射光ｘ２の受光を確認することで、拡散反射光ｘ１の受光位置との違いから、上部ピック１２１ａに上ウェハＷｔが搭載されていることを適切に検知できる。
下ウェハＷｂがＣＯＲモジュール６１に受け渡されると、次に、ＣＯＲモジュール６１に対して搬送アーム７１ａの上部ピック１２１ａがアクセスし、該上部ピック１２１ａから上ウェハＷｔが受け渡される（図６のステップＳ５）。
上部ピック１２１ａから上ウェハＷｔが受け渡されると、該上部ピック１２１ａからＣＯＲモジュール６１に対して上ウェハＷｔが適切に受け渡されたか否かが、上ウェハ検知センサ８１により検知される（図６のステップＳ６）。具体的には、図７（ｃ）に示すように、上ウェハ検知センサ８１の投光部８１ａから照射された光軸Ｘの、トランスファモジュール６０の天井面からの拡散反射光ｘ１の少なくとも一部が受光部８１ｂで受光されることで、上部ピック１２１ａに上ウェハＷｔが保持されていないこと、すなわち上ウェハＷｔがＣＯＲモジュール６１に適切に受け渡されたことが検知される。
２枚のウェハＷがＣＯＲモジュール６１のステージ６１ａ、６１ｂにそれぞれ載置されると、該ＣＯＲモジュール６１のゲートバルブ（図示せず）が閉じられ、２枚のウェハＷに対してＣＯＲ処理が行われる。
ＣＯＲモジュール６１によるＣＯＲ処理が終了すると、ゲートバルブ（図示せず）が開放され、ＣＯＲモジュール６１のステージ６１ａ、６１ｂからウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１ａに２枚のウェハＷがそれぞれ受け渡される。
ＣＯＲモジュール６１から搬送アーム７１ａへのウェハＷの受け渡しに際しては、先ず、トランスファモジュール６０の内部においてＣＯＲモジュール６１との間でウェハＷの受け渡しを行うための第１の初期化位置に、ウェハ搬送機構７０が移動される（図８のステップＰ１）。
ウェハ搬送機構７０がＣＯＲモジュール６１の第１の初期化位置に移動すると、該ウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１ａにウェハＷが搭載されていないことが、ＣＯＲモジュール６１に対応して設けられたウェハ検知機構８０により検知される（図８のステップＰ２）。具体的には、図９（ａ）に示すように上ウェハ検知センサ８１及び下ウェハ検知センサ８２の投光部８１ａ、８２ａからそれぞれ照射された光軸Ｘ、Ｙは、それぞれトランスファモジュール６０の天井面、及び上部ピック１２１ａの裏面で拡散反射する。これにより、受光部８１ｂ、８２ｂにおいては拡散反射光ｘ１、ｙ１の少なくとも一部が受光され、これにより、搬送アーム７１ａにウェハＷが搭載されていないことが検知される。
次に、ＣＯＲモジュール６１に対して搬送アーム７１ａの上部ピック１２１ａがアクセスし、該上部ピック１２１ａに上ウェハＷｔが受け渡される（図８のステップＰ３）。
上部ピック１２１ａに上ウェハＷｔが受け渡されると、該上部ピック１２１ａに上ウェハＷｔが適切に受け渡されたか否かが、上ウェハ検知センサ８１により検知される（図８のステップＰ４）。具体的には、図９（ｂ）に示すように、受光部８１ｂにより受光されていたトランスファモジュール６０の天上面からの拡散反射光ｘ１の受光位置が、上ウェハＷｔの搭載により、該上ウェハＷｔからの拡散反射光ｘ２の受光位置に変わったことを検知することで、上部ピック１２１ａに上ウェハＷｔが受け渡されたことが検知される。
上部ピック１２１ａに上ウェハＷｔが受け渡されると、次に、ＣＯＲモジュール６１に対して搬送アーム７１ａの下部ピック１２１ｂがアクセスし、該下部ピック１２１ｂに下ウェハＷｂが受け渡される（図８のステップＰ５）。
下部ピック１２１ｂに下ウェハＷｂが受け渡されると、該下部ピック１２１ｂに下ウェハＷｂが適切に受け渡されたか否かが、下ウェハ検知センサ８２により検知される（図８のステップＰ６）。具体的には、図９（ｃ）に示すように、受光部８２ｂにより検知されていた上部ピック１２１ａの裏面からの拡散反射光ｙ１の受光位置が、下ウェハＷｂの搭載により、該下ウェハＷｂからの拡散反射光ｙ２の受光位置に変わったことを検知することで、下部ピック１２１ｂに下ウェハＷｂが受け渡されたことが検知される。
２枚のウェハＷが搬送アーム７１ａに受け渡されると、次に、ウェハ搬送機構７０が一のＰＨＴモジュールの第１の初期化位置に移動した後、該２枚のウェハＷが該ＰＨＴモジュール６２のステージ６２ａ、６２ｂにそれぞれ受け渡される。
ＰＨＴモジュール６２に対するウェハＷの受け渡し方法は、図６及び図７に示したＣＯＲモジュール６１に対するウェハＷの受け渡し方法と同様である。すなわち、上述したようにウェハ搬送機構７０がＰＨＴモジュール６２の第１の初期化位置に移動し（図６のステップＳ１）、ウェハＷの保持状態が確認された後（図６のステップＳ２）、下部ピック１２１ｂ、上部ピック１２１ａがそれぞれこの順でＰＨＴモジュール６２にアクセスし、下ウェハＷｂ及び上ウェハＷｔが受け渡される（図６のステップＳ３、Ｓ５）。またこの時、下部ピック１２１ｂ、上部ピック１２１ａから下ウェハＷｂ及び上ウェハＷｔが適切に受け渡されたか否かが検知される（図６のステップＳ４、Ｓ６）。
２枚のウェハＷがＰＨＴモジュール６２のステージ６２ａ、６２ｂにそれぞれ載置されると、該ＰＨＴモジュール６２のゲートバルブ（図示せず）が閉じられ、２枚のウェハＷに対してＰＨＴ処理が行われる。
ＰＨＴモジュール６２によるＰＨＴ処理が終了すると、ゲートバルブ（図示せず）が開放され、ＰＨＴモジュール６２のステージ６２ａ、６２ｂからウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１ｂに２枚のウェハＷがそれぞれ受け渡される。
ＰＨＴモジュール６２から搬送アーム７１ｂに対するウェハＷの受け渡し方法は、図８及び図９に示したＣＯＲモジュール６１から搬送アーム７１ａに対するウェハＷの受け渡し方法と同様である。すなわち、上述したようにウェハ搬送機構７０がＰＨＴモジュール６２の第１の初期化位置に移動し（図８のステップＰ１）、ウェハＷの保持状態が確認された後（図８のステップＰ２）、上部ピック１２１ａ、下部ピック１２１ｂがそれぞれこの順でＰＨＴモジュール６２にアクセスし、上ウェハＷｔ及び下ウェハＷｂが受け渡される（図８のステップＰ３、Ｐ５）。またこの時、上部ピック１２１ａ、下部ピック１２１ｂから上ウェハＷｔ及び下ウェハＷｂが適切に受け渡されたか否かが検知される（図８のステップＰ４、Ｐ６）。
その後、ロードロックモジュール２０ｂのゲートバルブ（図示せず）が開放され、ウェハ搬送機構７０によって２枚のウェハＷが該ロードロックモジュール２０ｂのストッカ（図示せず）に搬送される。
ロードロックモジュール２０ｂに２枚のウェハＷが搬送されると、該ロードロックモジュール２０ｂの内部が減圧雰囲気から大気圧雰囲気に切り替えられた後、ローダーモジュール３０の内部と連通される。続いて２枚のウェハＷは、ウェハ搬送機構４０に受け渡され、ＣＳＴモジュール３３により冷却された後、ロードポート３２のフープ３１に収容される。こうして、真空処理装置１における一連のウェハ処理が終了する。
＜本実施形態にかかる基板検知方法の効果＞
以上、本実施形態にかかるトランスファモジュール６０は、ウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１ａ、７１ｂに搭載されたウェハＷを検知するための上ウェハ検知センサ８１、及び下ウェハ検知センサ８２として、測距反射式センサを備えている。これにより、特許文献１にも開示される透過型センサをウェハ検知機構として用いる場合と比較して、該ウェハ検知機構の設置スペースを省略することができる。具体的には、透過型センサのように光軸の投光部と受光部とを対向して設ける必要がないため、ウェハ検知機構の設置にかかる空間的制約の困難性を低減することができる。
また本実施形態によれば、下ウェハＷｂを保持するための下部ピック１２１ｂの先端部の内端に、下ウェハ検知センサ８２から照射される光軸Ｙを通過させるための切欠き１２２が形成されている。これにより、図１０に示すように、切欠き１２２が形成されていない場合と比較して、下部ピック１２１ｂに搭載された下ウェハＷｂの外端部Ｗｅと光軸Ｙの中心部とのマージンＭを長く設定することができる。
上述したように下部ピック１２１ｂに搭載された下ウェハＷｂは、下ウェハ検知センサ８２から照射される光軸Ｙが、上部ピック１２１ａの裏面からの拡散反射光ｙ１と、下ウェハＷｂからの拡散反射光ｙ２の受光部８２ｂにおける受光位置の違いを検知することにより下ウェハＷｂの有無を検知する。ここで、下ウェハＷｂが下部ピック１２１ｂに対して位置ずれして搭載された場合や、下ウェハＷｂの搬送中において搭載位置がずれた場合、下ウェハ検知センサ８２が下ウェハＷｂの有無を誤検知するおそれがある。具体的には、下部ピック１２１ｂに対して下ウェハＷｂが位置ズレして搭載されることにより、光軸Ｙが適切に下ウェハＷｂに対して照射されず、下ウェハＷｂを搭載しているにもかかわらず、上部ピック１２１ａの裏面からの拡散反射光ｙ１を受光してしまうおそれがある。
この点、本実施形態によれば、下ウェハ検知センサ８２の光軸Ｙの基準面を上部ピック１２１ａの裏面に設定し、更に下部ピック１２１ｂの先端部の内端に切欠き１２２を形成することで、下ウェハＷｂの外端部と光軸Ｙの中心部とのマージンＭを長く設定できる。換言すれば、下ウェハＷｂの位置ズレに対する誤検知の範囲を小さく（下ウェハＷｂに対して光軸Ｙを照射できる範囲を大きく）設定できるため、搬送中の下ウェハＷｂの位置ズレに対する信頼性を向上できる。
また、本実施形態においては上ウェハ検知センサ８１及び下ウェハ検知センサ８２の取り付け角度、換言すれば、光軸Ｘ、Ｙの照射面に対する入射角度θｘ、θｙを、少なくともトランスファモジュール６０の天上面、及び上部ピック１２１ａの裏面からの拡散反射光ｘ１、ｙ１の一部を受光部８１ｂ、８２ｂで受光でき、ウェハＷからの正反射光が受光部８１ｂ、８２ｂで受光されない角度に設定している。これにより、受光部８１ｂ、８２ｂにより適切に拡散反射光ｘ１、ｙ１と、拡散反射光ｘ２、ｙ２との受光位置の違いを検知することができ、すなわち、適切に搬送アーム上のウェハＷの有無を検知することができる。
なお、以上の実施形態においてはウェハ検知機構８０（上ウェハ検知センサ８１及び下ウェハ検知センサ８２）をトランスファモジュール６０の外部下方に設けたが、ウェハ検知機構８０の設置位置はこれに限定されるものではない。
具体的には、例えば図１１に示すように、上ウェハ検知センサ８１及び下ウェハ検知センサ８２が、それぞれトランスファモジュール６０の外部上方に設けられてもよい。かかる場合、例えば上ウェハ検知センサ８１は下部ピック１２１ｂの上面を基準面として光軸Ｘを照射し、下ウェハ検知センサ８２はトランスファモジュール６０の床面を基準面として光軸Ｙを照射することができる。またかかる場合、搬送中の上ウェハＷｔの位置ズレに対する信頼性を向上させるため、上部ピック１２１ａの先端部の内端に切り欠き１２２が形成されていてもよい。
なお、このように上ウェハ検知センサ８１及び下ウェハ検知センサ８２がそれぞれトランスファモジュール６０の外部上方に設けられた場合、搬送アーム７１ａに上ウェハＷｔ及び下ウェハＷｂの両方が搭載されていると、光軸Ｙは下ウェハＷｂに到達する前に上ウェハＷｔにより正反射するため、下部ピック１２１ｂによる下ウェハＷｂの搭載を個別に検知することができない。かかる観点から、上ウェハ検知センサ８１及び下ウェハ検知センサ８２をトランスファモジュール６０の外部上方に設ける場合には、搬送アーム７１ａに上ウェハＷｔのみが保持される状態を作らず、上部ピック１２１ａに上ウェハＷｔが保持されている際には、下部ピック１２１ｂに下ウェハＷｂが必ず保持されているように、ウェハＷの搬送動作を制御することが望ましい。これにより、下ウェハ検知センサ８２により下ウェハＷｂの搭載を個別に検知できない場合であっても、疑似的に下部ピック１２１ｂに下ウェハＷｂが搭載されていることを検知することができる。
また例えば図１２に示すように、上ウェハ検知センサ８１をトランスファモジュール６０の外部上方、下ウェハ検知センサ８２をトランスファモジュール６０の外部下方にそれぞれ設けてもよい。かかる場合、例えば上ウェハ検知センサ８１は下部ピック１２１ｂの上面を基準面として光軸Ｘを照射し、下ウェハ検知センサ８２は上部ピック１２１ａの裏面を基準面として光軸Ｙを照射することができる。またかかる場合、搬送中の上ウェハＷｔ及び下ウェハＷｂの位置ズレに対する信頼性を向上させるため、上部ピック１２１ａ及び下部ピック１２１ｂのそれぞれの先端部の内端に切り欠き１２２が形成されていてもよい。
また更に、以上の実施形態においては上ウェハ検知センサ８１及び下ウェハ検知センサ８２の両方を測距反射式センサにより構成したが、上ウェハ検知センサ８１、下ウェハ検知センサ８２のいずれか一方を他の種類の検知センサにより構成してもよい。
具体的には、例えば図１３に示すように、上ウェハ検知センサ１８１を透過型センサにより構成し、下ウェハ検知センサ８２を測距反射式センサにより構成してもよい。かかる場合、透過型センサである上ウェハ検知センサ１８１は、投光部１８１ａから照射された光軸Ｘが受光部１８１ｂで受光される場合には搬送アーム７１ａにウェハＷが搭載されていないと検知する。一方、光軸ＸがウェハＷにより遮られて受光部１８１ｂで受光されない場合には、搬送アーム７１ａに少なくともウェハＷが搭載されていると検知する。
このように、ウェハ検知機構８０を構成する上ウェハ検知センサ８１、又は下ウェハ検知センサ８２の少なくともいずれか一方を測距反射式センサにより構成することで、搬送アームに搭載された複数のウェハＷを個別に特定して検知することができる。またこれと共に、ウェハ検知機構として透過型センサのみを用いる場合と比較して、該ウェハ検知機構の設置にかかる空間的制約が軽減される。またこの時、測距反射式センサの光軸が照射される基準面を上部ピック１２１ａ、又は下部ピック１２１ｂのいずれかに設定し、更に他方のピックに切欠き１２２を形成することで、ウェハＷの位置ズレに対するウェハ検知機構の信頼性を向上できる。
なお以上の実施形態においては、ウェハ検知機構８０により、搬送アーム７１ａ、７１ｂに搭載されたウェハＷのプロセスモジュールに対する搬入出を行う際において、搭載されたウェハＷの有無を検知（ウェハ検知動作）したが、該ウェハ検知動作が行われるタイミングは、以上の実施形態に限定されるものではない。例えばウェハ検知機構８０は、真空処理装置１の緊急停止等により、搬送アーム７１ａ、７１ｂにおけるウェハＷの保持状態がわからなくなった際に、搬送アーム７１ａ、７１ｂに搭載されたウェハＷの有無を検知（初期化動作）してもよい。
図１４及び図１５は、ウェハ搬送機構７０の初期化動作の主な工程を示すフロー図、及び説明図である。なお、以下の説明においては一のＰＨＴモジュール６２の第１の初期化位置においてウェハ搬送機構７０の初期化動作を行う場合を例に説明するが、後述する「第２の初期化位置」を設定できれば、任意のプロセスモジュールの第１の初期化位置において初期化動作を行うことができる。また、以下の説明においては搬送アーム７１ａの初期化動作（ウェハＷの保持状態の確認）を行う場合を例に説明を行うが、搬送アーム７１ｂの初期化方法は、搬送アーム７１ａの初期化動作と同様の方法により行われる。
ウェハ搬送機構７０の初期化動作においては、先ず、搬送アーム７１ａによるウェハＷの保持状態が不明となったウェハ搬送機構７０を、一のＰＨＴモジュール６２の第１の初期化位置へと移動させる（図１４のステップＵ１）。
次に、ＰＨＴモジュール６２に対応して設けられたウェハ検知機構８０の下ウェハ検知センサ８２を用いて、搬送アーム７１ａの下部ピック１２１ｂに下ウェハＷｂが保持されているか否かを検知する（図１４のステップＵ２）。具体的には、投光部８２ａから上部ピック１２１ａの裏面に対して光軸Ｙを照射し、受光部８２ｂにより、基準となる上部ピック１２１ａの裏面からの拡散反射光ｙ１の受光位置と、下ウェハＷｂの裏面からの拡散反射光ｙ２との受光位置との違いから、下ウェハＷｂが搭載されているか否かを判断する。より具体的には、拡散反射光が基準となる拡散反射光ｙ１の受光位置で検知された場合には下ウェハＷｂが搭載されておらず、基準となる受光位置からズレた位置で拡散反射光ｙ２が検知された場合には下ウェハＷｂが搭載されていると判断する。
次に、ウェハ検知機構８０の上ウェハ検知センサ８１を用いて、搬送アーム７１ａの上部ピック１２１ａに上ウェハＷｔが保持されているか否かを検知する。
ここで上述したように、通常、搬送アーム７１ａに上ウェハＷｔ及び下ウェハＷｂの両方が搭載されていると、光軸Ｘが上ウェハＷｔに到達する前に下ウェハＷｂにより正反射するため、上部ピック１２１ａによる上ウェハＷｔの搭載を個別に検知することができない。
そこで本実施形態にかかる初期化動作においては、回転台７２又は搬送アーム７１ａの動作によりウェハ搬送機構７０を鉛直軸周りに回転させる（図１４のステップＵ３）。このようにウェハ搬送機構７０を鉛直軸周りに回転させることで、図１５に示すように、上ウェハ検知センサ８１から照射される光軸Ｘが、下ウェハＷｂに当たらずに上ウェハＷｔへと照射される位置（以下、「第２の初期化位置」という。）に、ウェハ搬送機構７０が到達する。
ウェハ搬送機構７０が第２の初期化位置に移動されると、次に、搬送アーム７１ａの上部ピック１２１ａに上ウェハＷｔが保持されているか否かを検知する（図１４のステップＵ４）。具体的には、投光部８１ａからトランスファモジュール６０の天上面に対して光軸Ｘを照射し、受光部８１ｂにより、基準となる天井面からの拡散反射光ｘ１の受光位置と、上ウェハＷｔの裏面からの拡散反射光ｘ２との受光位置との違いから、上ウェハＷｔが搭載されているか否かを判断する。より具体的には、拡散反射光が基準となる拡散反射光ｘ１の受光位置で検知された場合には上ウェハＷｔが搭載されておらず、基準となる受光位置からズレた位置で拡散反射光ｘ２が検知された場合には上ウェハＷｔが搭載されていると判断する。
このように本実施形態にかかる真空処理装置１においては、一のプロセスモジュールの第１の初期化位置においてウェハ搬送機構７０を鉛直軸周りに回転させることで、該ウェハ搬送機構７０を、光軸Ｘが下ウェハＷｂには当たらずに上ウェハＷｔへと照射される第２の初期化位置へと移動することができる。これにより、搬送アーム７１ａ、７１ｂにおけるウェハＷの保持状態がわからなくなった場合であっても、適切に上部ピック１２１ａ、及び下部ピック１２１ｂにウェハＷが搭載されているか否かを、個別に検知することができる。
また、本実施形態にかかる真空処理装置１においては、このようにウェハ搬送機構７０の初期化位置が２つある点においても、従来の真空処理装置とは異なる。すなわち、従来の真空処理装置においてはウェハＷの搬送、検知を行うためのウェハ搬送機構７０の初期化位置が、上記した第１の初期化位置の１箇所のみであったところ、本実施形態においては上ウェハＷｔを個別に検知するための第２の初期化位置が設定されている。
なお、例えば図１４のステップＵ２に示した下部ピック１２１ｂのウェハ保持状態の検知において、該下部ピック１２１ｂに下ウェハＷｂが搭載されていないと判断された場合には、ステップＵ３の上ウェハＷｔの検知において、必ずしもウェハ搬送機構７０を第２の初期化位置に移動させる必要はない。すなわち、下部ピック１２１ｂに下ウェハＷｂが搭載されていないため、ウェハ搬送機構７０を第２の初期化位置に移動させなくとも、上ウェハ検知センサ８１からの光軸Ｘを上ウェハＷｔに対して直接的に照射することができる。
なお、本開示の技術にかかるウェハＷの搬送方法（検知方法）が適用される真空処理装置１の構成は上記実施形態に限られるものではない。すなわち、ウェハ搬送機構により複数のウェハＷを同時に搬送、処理するものであれば、任意の処理システムにおいて、本開示にかかるウェハＷの搬送方法（検知方法）を適用することができる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
６０ トランスファモジュール
７０ ウェハ搬送機構
８１ 上ウェハ検知センサ
８１ａ 投光部
８１ｂ 受光部
８２ 下ウェハ検知センサ
８２ａ 投光部
８２ｂ 受光部
１２１ａ 上部ピック
１２１ｂ 下部ピック
１２２ 切欠き
Ｗｂ 下ウェハ
Ｗｔ 上ウェハ
Ｘ 光軸
ｘ１ 拡散反射光
ｘ２ 拡散反射光
Ｙ 光軸
ｙ１ 拡散反射光
ｙ２ 拡散反射光

Claims (9)

  1. 第１の基板及び第２の基板を平面視において重なるように保持して搬送する搬送装置であって、
    前記第１の基板を水平方向に保持する第１の保持アームと、
    前記第２の基板を水平方向に保持する第２の保持アームと、
    前記第１の保持アームに保持される前記第１の基板の有無を検知する第１の検知センサと、
    前記第２の保持アームに保持される前記第２の基板の有無を検知する第２の検知センサと、を有し、
    少なくとも前記第１の検知センサは、前記第２の保持アームを基準面として光軸を照射して、該基準面からの拡散反射光と基板からの拡散反射光の受光位置の違いを検知することで前記第１の基板の有無を検知するセンサで構成され、
    少なくとも前記第１の保持アームの先端部の内端には、前記第２の保持アームに照射される前記光軸を通過させるための切欠きが形成され、
    前記第１の検知センサから照射される前記光軸の水平方向に対する傾斜角度は、前記基準面からの拡散反射光を受光部により受光可能であり、前記第１の基板からの正反射光は前記受光部により受光されない角度に設定される、搬送装置。
  2. 前記傾斜角度は２０°以上７０°以下である、請求項１に記載の搬送装置。
  3. 前記第２の検知センサは、搬送装置を構成する筐体の内壁面を基準面として光軸を照射して前記第２の基板の有無を検知する、請求項１又は２のいずれか１項に記載の搬送装置。
  4. 第１の基板及び第２の基板を平面視において重なるように保持して搬送する搬送装置であって、
    前記第１の基板を水平方向に保持する第１の保持アームと、
    前記第２の基板を水平方向に保持する第２の保持アームと、
    前記第１の保持アームに保持される前記第１の基板の有無を検知する第１の検知センサと、
    前記第２の保持アームに保持される前記第２の基板の有無を検知する第２の検知センサと、を有し、
    少なくとも前記第１の検知センサは、前記第２の保持アームを基準面として光軸を照射して、該基準面からの拡散反射光と基板からの拡散反射光の受光位置の違いを検知することで前記第１の基板の有無を検知するセンサで構成され、
    少なくとも前記第１の保持アームの先端部の内端には、前記第２の保持アームに照射される前記光軸を通過させるための切欠きが形成され、
    前記第２の検知センサは、搬送装置を構成する筐体の内壁面を基準面として光軸を照射して前記第２の基板の有無を検知する、搬送装置。
  5. 前記第１の検知センサ又は前記第２の検知センサの少なくともいずれかは、測距反射式センサにより構成される、請求項１～４のいずれか一項に記載の搬送装置。
  6. 前記第２の検知センサは透過型センサにより構成される、請求項１又は２のいずれか１項に記載の搬送装置。
  7. 第１の基板及び第２の基板を平面視において重なるように保持して搬送する搬送装置における基板の搬送方法であって、
    前記搬送装置は、
    前記第１の基板を水平方向に保持する第１の保持アームと、
    前記第１の保持アームの上方に配置され、前記第２の基板を水平方向に保持する第２の保持アームと、
    前記第１の保持アームに保持される前記第１の基板の有無を検知する第１の検知センサと、
    前記第２の保持アームに保持される前記第２の基板の有無を検知する第２の検知センサと、を有し、
    少なくとも前記第１の検知センサは、前記第２の保持アームを基準面として光軸を照射して、該基準面からの拡散反射光と基板からの拡散反射光の受光位置の違いを検知することで前記第１の基板の有無を検知するセンサで構成され、
    前記搬送方法は、
    前記第１の保持アームに保持された前記第１の基板を、前記搬送装置に付設して設けられた処理装置との間で受け渡す工程と、
    前記第１の検知センサにより、前記第１の保持アームによる前記第１の基板の保持状態を確認する工程と、
    前記第２の保持アームに保持された前記第２の基板を、前記処理装置との間で受け渡す工程と、
    前記第２の検知センサにより、前記第２の保持アームによる前記第２の基板の保持状態を確認する工程と、を含み、
    前記処理装置に対する基板の搬入に際しては、前記第１の基板の搬入が前記第２の基板の搬入に先行して行われ、
    前記処理装置からの基板の搬出に際しては、前記第２の基板の搬出が前記第１の基板の搬出に先行して行われる、搬送方法。
  8. 少なくとも前記第１の保持アームの先端部の内端には切欠きが形成され、
    前記第１の検知センサによる前記第１の基板の検知に際しては、該切欠きを通過させるように、前記光軸を前記第２の保持アームに対して照射する、請求項７に記載の搬送方法。
  9. 前記第１の検知センサ又は前記第２の検知センサの少なくともいずれかを、測距反射式センサにより構成する、請求項７又は８のいずれか一項に記載の搬送方法。
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