TWI400022B - 印刷配線板及其製造方法 - Google Patents

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Hiroyuki Sato
Tomohiko Murata
Fusaji Nagaya
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Ibiden Co Ltd
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Description

印刷配線板及其製造方法
本發明係關於一種印刷配線板及其製造方法。本發明之印刷配線板包括具有由第一開口部分及第二開口部分構成之穿透孔的核心基板、形成於該核心基板上之第一電路及第二電路以及形成於該穿透孔中且連接該第一電路與該第二電路之通孔導體。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張2010年3月25日申請之美國申請案第61/317,408號之優先權的權益。該申請案之內容以全文引用的方式併入本文中。
日本特許公開專利公開案2006-41463描述在介電層中形成由第一盲孔及第二盲孔構成之穿透孔。日本特許公開專利公開案2006-41463中所形成之穿透孔為沙漏狀且填充有導電材料。此公開案之內容以全文引用的方式併入本文中。
根據本發明之一個態樣，一種印刷配線板包括：一核心基板，其具有一第一表面及在該第一表面相反側上之一第二表面，該核心基板具有在該第一表面與該第二表面之間穿透該核心基板之一穿透孔；形成於該核心基板之該第一表面上的一第一電路；形成於該核心基板之該第二表面上的一第二電路；及形成於該核心基板之該穿透孔中且連接該第一電路與該第二電路之一通孔導體。該穿透孔具有一第一開口部分及一第二開口部分。該穿透孔之該第一開口部分自該第一表面朝該第二表面方向變細。該穿透孔之該第二開口部分自該第二表面朝該第一表面方向變細。該第一開口部分在該核心基板之該第一表面上具有一第一開口且具有包括該第一開口之一第一部分及鄰接於該第一開口部分之該第一部分的一第二部分。該第二開口部分在該核心基板之該第二表面上具有一第二開口且具有包括該第二開口之一第一部分及鄰接於該第二開口部分之該第一部分的一第二部分。該第一開口部分之第一部分及第二部分形成該第一開口部分之內壁，該等內壁在該第一開口部分之第一部分與第二部分之間的邊界處相對於該穿透孔之周邊向內彎曲。該第二開口部分之第一部分及第二部分形成該第二開口部分之內壁，該等內壁在該第二開口部分之第一部分與第二部分之間的邊界處相對於該穿透孔之周邊向內彎曲。
根據本發明之另一態樣，一種製造印刷配線板之方法包括：製備一核心基板，具有一第一表面及在該第一表面相反側上之一第二表面；在該核心基板中形成具有一第一開口部分及一第二開口部分之一穿透孔，以使得該第一開口部分自該核心基板之該第一表面朝該第二表面方向變細且該第二開口部分自該核心基板之該第二表面朝該第一表面方向變細；在該核心基板之該第一表面上形成一第一電路；在該核心基板之該第二表面上形成一第二電路；及在該穿透孔中形成一電鍍薄膜，以使得形成連接該第一電路與該第二電路之一通孔導體。該第一開口部分在該核心基板之該第一表面上具有一第一開口且具有包括該第一開口之一第一部分及鄰接於該第一開口部分之該第一部分的一第二部分。該第二開口部分在該核心基板之該第二表面上具有一第二開口且具有包括該第二開口之一第一部分及鄰接於該第二開口部分之該第一部分的一第二部分。該第一開口部分之第一部分及第二部分形成該第一開口部分之內壁，該等內壁在該第一開口部分之第一部分與第二部分之間的邊界處相對於該穿透孔之周邊向內彎曲。該第二開口部分之第一部分及第二部分形成該第二開口部分之內壁，該等內壁在該第二開口部分之第一部分與第二部分之間的邊界處相對於該穿透孔之周邊向內彎曲。
當結合隨附圖式考慮時，藉由參考以下[實施方式]，可易於更全面地瞭解本發明及其許多附帶優點，同時更好地理解本發明。
現將參考隨附圖式描述實施例，其中各圖式中相同參考數字始終指示相應或相同元件。
第一實施例
參考圖6描述第一實施例之多層印刷配線板10。圖6展示多層印刷配線板10之橫截面圖。在多層印刷配線板10中，第一電路(34A)形成於核心基板30之第一表面上，且第二電路(34B)形成於第二表面上。第一電路(34A)具有第一導電電路(34AC)及第一連接盤(land)(34AL)，且第二電路(34B)具有第二導電電路(34BC)及第二連接盤(34BL)。第一導電電路及第二導電電路由通孔導體36連接。第一連接盤及第二連接盤由通孔導體36連接。上層第一層間樹脂絕緣層(50A)形成於核心基板30之第一表面上及第一電路上。上層第一層間樹脂絕緣層(50A)具有第一表面及與該第一表面相對的第二表面。上層第一層間樹脂絕緣層(50A)之第二表面面向核心基板之第一表面。導電電路(58A)形成於上層第一層間樹脂絕緣層(50A)之第一表面上。上層第一層間樹脂絕緣層(50A)上之導電電路(58A)及第一電路或通孔導體由穿孔導體(60A)連接，該穿孔導體(60A)穿透上層第一層間樹脂絕緣層(50A)。
下層第一層間樹脂絕緣層(50B)形成於核心基板30之第二表面上及第二電路上。下層第一層間樹脂絕緣層(50B)具有第一表面及與該第一表面相對的第二表面。下層第一層間樹脂絕緣層(50B)之第二表面面向核心基板之第二表面。導電電路(58B)形成於下層第一層間樹脂絕緣層(50B)之第一表面上。下層第一層間樹脂絕緣層(50B)上之導電電路(58B)及第二電路或通孔導體由穿孔導體(60B)連接，該穿孔導體(60B)穿透下層第一層間樹脂絕緣層(50B)。
上層阻焊層(70A)形成於上層第一層間樹脂絕緣層(50A)之第一表面上，且下層阻焊層(70B)形成於下層第一層間樹脂絕緣層(50B)之第一表面上。上阻焊層(70A)及下阻焊層(70B)具有使穿孔導體(60A，60B)及導電電路(58A，58B)暴露之開口(71A，71B)。經由開口(71A，71B)暴露的穿孔導體及導電電路之頂表面充當焊墊(72A，72B)。焊料凸塊(78A，78B)形成於焊墊(72A，72B)上。
圖6中形成於核心基板30中之通孔導體36之放大視圖展示於圖10(B)中。
核心基板30具有具有主要表面(31A)及與該主要表面相對之第二表面(31B)的絕緣基板31、形成於絕緣基板31之主要表面上之第一樹脂絕緣層(32A)及形成於該第二表面下之第二樹脂絕緣層(32B)。核心基板30具有穿透核心基板之穿透孔33。第一樹脂絕緣層(32A)具有前表面及與該前表面相對之後表面，且後表面面向主要表面。第二樹脂絕緣層(32B)具有上表面及與該上表面相對之下表面，且上表面面向第二表面。核心基板具有第一表面及與該第一表面相對之第二表面，且第一表面對應於前表面且第二表面對應於下表面。絕緣基板31較佳含有增強材料，但第一樹脂絕緣層(32A)及第二樹脂絕緣層(32B)較佳不含增強材料。對於增強材料，可使用玻璃布、醯胺纖維或其類似物。第一樹脂絕緣層(32A)及第二樹脂絕緣層(32B)可含有諸如二氧化矽及氧化鋁之無機填料。通孔導體36由填充於穿透孔33中之電鍍金屬構成。圖11展示通孔導體之穿透孔33。穿透孔33具有藉由自核心基板30之第一表面(30A)照射雷射而形成之第一開口部分(33A)，及藉由自核心基板之第二表面(30B)照射雷射而形成之第二開口部分(33B)。圖11(A-1)為核心基板之第一表面之平面圖，且圖11(A-2)為核心基板之第二表面之平面圖。第一開口部分(33A)在核心基板之第一表面上具有第一開口(33A-A)，且第二開口部分(33B)在核心基板之第二表面上具有第二開口(33B-B)。第一開口部分(33A)與第二開口部分(33B)在絕緣基板31之內接合。第一開口部分(33A)自核心基板之第一表面朝第二表面方向變細；且第二開口部分(33B)自核心基板之第二表面朝第一表面方向變細。圖11為藉由沿通過第一開口之重力中心且包括垂直於核心基板之第一表面之直線(第一重力線)(G1)的平面切割穿透孔33而獲得之橫截面圖。如圖11所示，第一開口部分之內壁在第一樹脂絕緣層與絕緣基板之界面處向內彎曲；且第二開口部分之內壁在第二樹脂絕緣層與絕緣基板之界面處向內彎曲。該等彎曲方向指示朝向第一重力線之方向。
通過第一開口之重力中心且垂直於核心基板之第一表面的直線可能偏離通過第二開口之重力中心且垂直於核心基板之第一表面的直線(第二重力線)(G2)(圖11(B))。第一重力線與第二重力線無需重疊。在該種情況下，較易於藉由電鍍填充穿透孔。連接第一開口部分與第二開口部分之區域增大，且通孔導體之連接可靠性得以增強。
第一開口部分在(第一-1)開口部分與(第一-2)開口部分之接合處具有第三開口。第二開口部分在(第二-1)開口部分與(第二-2)開口部分之接合處具有第四開口。通過第三開口之重力中心且垂直於核心基板之第一表面的直線(第三重力線)(G3)可能偏離第一重力線。第一重力線與第三重力線無需重疊。通過第四開口之重力中心且垂直於核心基板之第一表面的直線(第四重力線)(G4)可能偏離第二重力線。第二重力線與第四重力線無需重疊。穿透孔33傾向於用電鍍薄膜填充，且通孔導體中不太可能存在空隙。通孔導體之可靠性增加。圖7展示在第一重力線與第三重力線偏離之情況下獲得之穿透孔的橫截面圖。穿透孔中彼此面對之內壁(X，Y)與核心基板之第一表面形成不同角度(θ1，θ2)。當用電鍍薄膜填充穿透孔時，自內壁X及內壁Y開始用電鍍薄膜逐漸填充穿透孔。若內壁X與核心基板之第一表面之間形成之角度(01)與內壁Y與核心基板之第一表面之間形成之角度(02)不同，則認為在內壁X上沿電鍍薄膜供應於穿透孔中之電鍍液及在內壁Y上沿電鍍薄膜供應於穿透孔中之電鍍液自不同方向進入穿透孔。又，認為電鍍液自不同方向供應於穿透孔中。穿透孔中之電鍍液傾向於循環，且穿透孔傾向於藉由電鍍填充。當用電解電鍍薄膜填充穿透孔時，因為電解電鍍中沈積速率較快，所以在電解電鍍薄膜中易於出現空隙。然而，當第一重力線與第三重力線偏離時，因為開口部分中之電鍍液傾向於循環，所以第一開口部分傾向於用電鍍薄膜填充。同樣，當第二重力線與第四重力線偏離時，第二開口部分傾向於用電鍍薄膜填充。
第一、第二、第三及第四重力線可能均彼此偏離。第一、第二、第三及第四重力線無需全部重疊。如上實現相同效果。
當形成具有絕緣基板及將該絕緣基板夾在中間的第一樹脂絕緣層及第二樹脂絕緣層之核心基板時，第三開口傾向於形成於絕緣基板與第一樹脂絕緣層之界面上，且第四開口傾向於形成於絕緣基板與第二樹脂絕緣層之界面上。
第一開口部分由(第一-1)開口部分(33A-1)及(第一-2)開口部分(33A-2)構成。當(第一-1)開口部分自核心基板之第一表面朝第二表面方向變細之程度為(ΔW1)且(第一-2)開口部分自核心基板之第一表面朝第二表面方向變細之程度為(ΔW2)時，設定(ΔW1)小於(ΔW2)。又，第二開口部分由(第二-1)開口部分(33B-1)及(第二-2)開口部分(33B-2)構成。當(第二-1)開口部分(33B-1)自核心基板之第二表面朝第一表面方向變細之程度為(ΔW3)且(第二-2)開口部分自核心基板之第二表面朝第一表面方向變細之程度為(ΔW4)時，設定(ΔW3)小於(ΔW4)。
當形成具有絕緣基板及將該絕緣基板夾在中間的第一樹脂絕緣層及第二樹脂絕緣層之核心基板時，(第一-1)開口部分可能形成於第一樹脂絕緣層中，(第一-2)開口部分及(第二-2)開口部分可能形成於絕緣基板中，且(第二-1)開口部分可能形成於第二樹脂絕緣層中。在該等情況下，(ΔW1)為(第一-1)開口部分自第一樹脂絕緣層之前表面朝後表面方向變細之程度；(ΔW2)為(第一-2)開口部分自絕緣基板之主要表面朝第二表面方向變細之程度；(ΔW4)為(第二-2)開口部分自絕緣基板之第二表面朝主要表面方向變細之程度；且(ΔW3)為(第二-1)開口部分自第二樹脂絕緣層之下表面朝上表面方向變細之程度。
因此，直徑(Wmin)傾向於在第一開口部分接合第二開口部分之部分(接合)處(33c)增大。此外，可設定第一開口(33A-A)及第二開口(33B-B)之直徑較小。直徑(Wmin)指示穿透孔之最小直徑，對應於圖11中之「Wmin」。圖11中之「Wmin」為第一開口部分與第二開口部分相交之部分之間的距離。因為在第一實施例中穿透孔之最小直徑增大，所以在通孔導體中之接合處(33c)極少發生破裂。此外，可設定第一開口之直徑及第二開口之直徑較小。將第一開口之直徑及第二開口之直徑中的較大者設定為穿透孔之直徑。為在通孔導體直徑變小時防止通孔導體之可靠性降低，以高密度配置通孔導體。
圖8(A)展示參考實例之穿透孔。在參考實例中，第一開口部分(333A)之內壁呈直線變化。第二開口部分(333B)之內壁亦呈直線變化。在圖8(B)中，第一實施例之穿透孔與參考實例之穿透孔重疊。使用實線繪示參考實例之內壁，且使用虛線繪示第一實施例之內壁之部分。在第一實施例中，第一開口部分由(第一-1)開口部分及(第一-2)開口部分構成，且第一開口部分之內壁在預定點(a，b)彎曲。(第一-1)開口部分之內壁自核心基板之第一表面延伸至彎曲部分(a，b)。使用虛線「Z」繪示(第一-1)開口部分之內壁。(第一-2)開口部分之內壁自彎曲部分(a，b)延伸至彎曲部分(c，d)。參考實例之內壁與第一實施例中之(第一-2)開口部分之內壁重疊(參見圖8(B))。第一開口部分在(第一-1)開口部分與(第一-2)開口部分之間的邊界處朝向穿透孔內部彎曲。第二開口部分之內壁在預定點(e，f)彎曲。(第二-1)開口部分之內壁自核心基板之第二表面延伸至彎曲部分(e，f)。使用虛線「V」繪示(第二-1)開口部分之內壁。(第二-2)開口部分之內壁自彎曲部分(e，f)延伸至彎曲部分(c，d)。參考實例之內壁與第一實施例中之(第二-2)開口部分之內壁重疊(參見圖8(B))。第二開口部分在(第二-1)開口部分與(第二-2)開口部分之間的邊界處朝向穿透孔內部彎曲。
如圖8(B)所示，若穿透孔之最小直徑(Wmin)在參考實例中與在第一實施例中相同，則設定第一實施例中之第一開口(33A-A)之直徑(W2)小於參考實例中之第一開口之直徑(W1)；且設定第一實施例中之第二開口(33B-B)之直徑(W3)小於參考實例中之第二開口之直徑(W4)。即使參考實例中之穿透孔之最小直徑與第一實施例中之穿透孔之最小直徑相同，亦設定第一實施例中之穿透孔之直徑(WW)小於參考實例中之穿透孔之直徑。將W2及W3中之較大者設定為穿透孔之直徑(WW)。因此，在第一實施例中，可設定通孔導體之直徑(穿透孔之直徑)小於參考實例之通孔導體之直徑。與參考實例相比，第一實施例中可以較小間距設定通孔導體。在第一實施例中所形成之核心基板可能較小。第一實施例中之通孔導體之可靠性優於參考實例中之通孔導體之可靠性。
當比較第一實施例與參考實例時，因為第一實施例中穿透孔33之直徑(WW)與最小直徑(Wmin)之比率(Wmin/WW)較大，所以針對由熱收縮引起之核心基板翹曲或其類似情況，通孔導體之可靠性得以增強。
在圖8(C)中，第一實施例之穿透孔與參考實例之穿透孔重疊。使用虛線繪示參考實例中之內壁，且使用實線繪示第一實施例之內壁。第一實施例之第一開口部分(33A)由(第一-1)開口部分及(第一-2)開口部分構成，且第一開口部分之內壁在預定點彎曲。使用實線「Z'」繪示(第一-1)開口部分之內壁。第二開口部分(33B)之內壁在預定點彎曲。使用實線「V'」繪示(第二-1)開口部分之內壁。如圖8(C)所示，若穿透孔之第一開口之直徑(W1)在參考實例中與在第一實施例中相同，則第一實施例中之穿透孔之最小直徑(D1)大於參考實例中之穿透孔之最小直徑(D2)。亦即，在第一實施例中，因為穿透孔之最小直徑相對於第一開口之直徑增大，所以第一開口部分與第二開口部分得以高度精確地接合。此外，因為穿透孔之最小直徑增大，所以可抑制印刷配線板之翹曲。此外，填充於穿透孔中之通孔導體之可靠性得以增強。
圖9為藉由沿包括第一重力線之平面切割核心基板而獲得的橫截面圖。在核心基板左側標出之箭頭為Z軸，其垂直於核心基板之第一表面。正方向向上且負方向向下。在圖9(A)中，核心基板由一種材料製成。如圖9(A)所示，在第一實施例中，第一開口部分(33A)由(第一-1)開口部分(33A-1)及(第一-2)開口部分(33A-2)構成；且第二開口部分(33B)由(第二-1)開口部分(33B-1)及(第二-2)開口部分(33B-2)構成。穿透孔由在核心基板內部接合之第一開口部分及第二開口部分形成。(第一-1)開口部分為包括第一開口之開口部分，且(第一-2)開口部分為鄰接於核心基板中之(第一-1)開口部分之開口部分。(第二-1)開口部分為包括第二開口之開口部分，且(第二-2)開口部分為鄰接於核心基板中之(第二-1)開口部分之開口部分。第一開口部分之內壁在(第一-1)開口部分與(第一-2)開口部分之間的邊界處向第一重力線方向彎曲。第二開口部分之內壁在(第二-1)開口部分與(第二-2)開口部分之間的邊界處向第一重力線方向彎曲。第一開口部分，即(第一-1)開口部分及(第一-2)開口部分自核心基板之第一表面朝第二表面方向逐漸變細。當(第一-1)開口部分變細之程度為(ΔW1)且(第一-2)開口部分變細之程度為(ΔW2)時，設定(ΔW2)大於(ΔW1)。(ΔW1)及(ΔW2)為(第一-1)開口部分及(第一-2)開口部分沿Z軸負方向變細之程度。
圖9(A)中之(H1)為(第一-1)開口部分(33A-1)之內徑，且為(第一-1)開口部分中預定點處彼此面對之內壁之間的距離。(H1)之值自核心基板之第一表面朝第二表面方向減小((H1)之值沿Z軸負方向減小)。變化量為(ΔH1)。圖9(A)中之(H2)為(第一-2)開口部分(33A-2)之內徑，且為(第一-2)開口部分中預定點處彼此面對之內壁之間的距離。(H2)之值自核心基板之第一表面朝第二表面方向減小((H2)之值沿Z軸負方向減小)。變化量為(ΔH2)。設定(ΔH2)大於(ΔH1)。
第二開口部分(33B)，即(第二-1)開口部分(33B-1)及(第二-2)開口部分(33B-2)自核心基板之第二表面朝第一表面方向逐漸變細。當(第二-1)開口部分變細之程度為(ΔW3)且(第二-2)開口部分變細之程度為(ΔW4)時，設定(ΔW4)大於(ΔW3)。(ΔW3)及(ΔW4)為(第二-1)開口部分及(第二-2)開口部分沿Z軸正方向變細之程度。
圖9(A)中之(H3)為(第二-1)開口部分(33B-1)之內徑，且為(第二-1)開口部分中預定點處彼此面對之內壁之間的距離。(H3)之值自核心基板之第二表面朝第一表面方向減小((H3)之值沿Z軸正方向減小)。變化量為(ΔH3)。圖9(A)中之(H4)為(第二-2)開口部分(33B-2)之內徑，且為(第二-2)開口部分中預定點處彼此面對之內壁之間的距離。(H4)之值自核心基板之第二表面朝第一表面方向減小((H4)之值沿Z軸正方向減小)。變化量為(ΔH4)。設定(ΔH4)大於(ΔH3)。
圖9(B)展示核心基板由絕緣基板及將絕緣基板夾在中間的樹脂絕緣層構成之實例。(第一-1)開口部分為穿透第一樹脂絕緣層之開口，且(第一-2)開口部分為形成於絕緣基板之主要表面側部中之開口。(第一-1)開口部分以程度(ΔWI)自第一樹脂絕緣層之前表面朝後表面方向逐漸變細。(第一-2)開口部分以程度(ΔW2)自絕緣基板之主要表面朝第二表面方向逐漸變細。設定(ΔW2)大於(ΔW1)。(ΔW1)及(ΔW2)為(第一-1)開口部分及(第一-2)開口部分沿Z軸負方向變細之程度。圖9(B)中之(H1)為(第一-1)開口部分之內徑，且為(第一-1)開口部分中預定點處彼此面對之內壁之間的距離。(H1)之值自第一樹脂絕緣層之前表面朝後表面方向減小((H1)之值沿Z軸負方向減小)。圖9(B)中之(H2)為(第一-2)開口部分之內徑，且為(第一-2)開口部分中預定點處彼此面對之內壁之間的距離。(H2)之值自絕緣基板之主要表面朝第二表面方向減小((H2)之值沿Z軸負方向減小)。(第二-1)開口部分為穿透第二樹脂絕緣層之開口，且(第二-2)開口部分為形成於絕緣基板之第二表面側部中之開口。(第二-1)開口部分以程度(ΔW3)自第二樹脂絕緣層之下表面朝上表面方向逐漸變細。(第二-2)開口部分以程度(ΔW4)自絕緣基板之第二表面朝主要表面方向逐漸變細。設定(ΔW4)大於(ΔW3)。(ΔW3)及(ΔW4)為(第二-1)開口部分及(第二-2)開口部分沿Z軸正方向變細之程度。圖9(B)中之(H3)為(第二-1)開口部分之內徑，且為(第二-1)開口部分中預定點處彼此面對之內壁之間的距離。(H3)之值自第二樹脂絕緣層之下表面朝上表面方向減小((H3)之值沿Z軸正方向減小)。變化量為(ΔH3)。圖9(B)中之(H4)為(第二-2)開口部分之內徑，且為(第二-2)開口部分中預定點處彼此面對之內壁之間的距離。(H4)之值自絕緣基板之第二表面朝主要表面方向減小((H4)之值沿Z軸正方向減小)。變化量為(ΔH4)。設定(ΔH4)大於(ΔH3)。
因為在第一開口部分中(ΔW1)之值與(ΔW2)之值不同，所以第一開口部分在(第一-1)開口部分與(第一-2)開口部分之間的邊界處彎曲。同樣，因為在第二開口部分中(ΔW3)之值與(ΔW4)之值不同，所以第二開口部分在(第二-1)開口部分與(第二-2)開口部分之間的邊界處彎曲。
因為在第一開口部分中(ΔH1)之值與(ΔH2)之值不同，所以第一開口部分在(第一-1)開口部分與(第一-2)開口部分之間的邊界處彎曲。同樣，因為在第二開口部分中(ΔH3)之值與(ΔH4)之值不同，所以第二開口部分在(第二-1)開口部分與(第二-2)開口部分之間的邊界處彎曲。
當在形成核心基板之絕緣基板及樹脂絕緣層中使用雷射以相同條件形成開口部分時，在樹脂絕緣層中形成開口部分較佳為比在絕緣基板中形成開口部分較容易進行。與由一種材料形成之核心基板(圖9(A))相比，可較容易地形成具有彎曲部分之第一開口部分及第二開口部分。
圖10展示藉由在第一實施例及參考實例中之穿透孔(圖8，9)中填充導體而獲得之通孔導體。圖10(A)展示參考實例之通孔導體360，且圖10(B)及圖10(E)展示第一實施例之通孔導體。在圖10(B)及10(E)中，第一重力線與第二重力線偏離。圖10(B)中之核心基板由絕緣基板及將絕緣基板夾在中間的第一樹脂絕緣層及第二樹脂絕緣層構成。圖10(E)中之核心基板由一種材料製成。作為用於填充穿透孔之導體，可使用電鍍金屬薄膜及導電膏。關於該等電鍍金屬薄膜，可列舉電解電鍍薄膜及無電極電鍍薄膜。關於該種通孔導體，較佳為由形成於穿透孔內壁上之種子層(seed layer)及種子層上之電解電鍍薄膜構成之金屬製品。該電解電鍍薄膜填充穿透孔。關於種子層，可列舉濺鍍薄膜及無電極電鍍薄膜。第一實施例之通孔導體36由填充於(第一-1)開口部分、(第一-2)開口部分、(第二-1)開口部分及(第二-2)開口部分中之導體構成。填充於(第一-1)開口部分中之導體以程度(δ1)自核心基板之第一表面朝第二表面方向變細。填充於(第一-2)開口部分中之導體以程度(δ2)自核心基板之第一表面朝第二表面方向變細。因為(δ1)之值與(δ2)之值不同，所以通孔導體在核心基板中彎曲。因此，第一開口部分中之通孔導體含有彎曲部分(36d)。填充於(第二-1)開口部分中之導體以程度(δ4)自核心基板之第二表面朝第一表面方向變細。填充於(第二-2)開口部分中之導體以程度(δ3)自核心基板之第二表面朝第一表面方向變細。因為(δ3)之值與(δ4)之值不同，所以通孔導體在核心基板中彎曲。因此，第二開口部分中之通孔導體含有彎曲部分(36e)。若核心基板由絕緣基板及將絕緣基板夾在中間的第一樹脂絕緣層及第二樹脂絕緣層構成，則彎曲部分(36d)位於第一樹脂絕緣層與絕緣基板之界面處，且彎曲部分(36e)位於第二樹脂絕緣層與絕緣基板之界面處。此外，第一實施例之通孔導體在第一開口部分與第二開口部分之接合處含有彎曲部分(36f)。相比之下，參考實例既不具有(第一-2)開口部分，亦不具有(第二-2)開口部分。因此，參考實例之通孔導體在第一開口部分與第二開口部分之接合處含有彎曲部分，但在(第一-1)開口部分與(第一-2)開口部分之間的邊界處或在(第二-1)開口部分與(第二-2)開口部分之間的邊界處不含彎曲部分。圖10(C)、(D)且(F)展示通孔導體彎曲之部分。環形部分為彎曲部分。圖10(C)展示參考實例之通孔導體360，且圖10(D)及圖10(F)為第一實施例之通孔導體36。當核心基板翹曲時，認為應力傾向於集中於彎曲部分中。若比較參考實例與第一實施例之橫截面圖，在參考實例中通孔導體之彎曲部分的數目為2，而第一實施例之通孔導體之彎曲部分的數目為6。第一實施例之通孔導體含有比參考實例之通孔導體多的彎曲部分。因此，當比較第一實施例與參考實例時，認為與參考實例相比，在第一實施例中通孔導體上之應力分散於較多部分。因此，認為第一實施例之通孔導體具有比參考實例之通孔導體高的可靠性。當比較圖10(D)與圖10(F)時，圖10(D)中可改良樹脂絕緣層及絕緣基板之強度。當比較通孔導體在(第一-1)開口部分與(第一-2)開口部分之間的邊界處彎曲之程度與通孔導體在第一開口部分與第二開口部分之接合處彎曲之程度時，後者較大。通孔導體傾向於在第一開口部分與第二開口部分之接合處受損。然而，因為藉由設定絕緣基板之強度高於樹脂絕緣層之強度來減小絕緣基板之變形，所以集中於第一開口部分與第二開口部分之接合處的應力減小。自該種觀點來看，較佳的是核心基板由絕緣基板及將絕緣基板夾在中間的第一樹脂絕緣層及第二樹脂絕緣層構成，且設定絕緣基板之強度大於第一樹脂絕緣層及第二樹脂絕緣層之強度。因此，與參考實例之通孔導體相比，認為第一實施例之通孔導體對翹曲核心基板或其類似物中產生之應力具有較高耐受性。
若核心基板由絕緣基板及將絕緣基板夾在中間的第一樹脂絕緣層及第二樹脂絕緣層構成，則第一樹脂絕緣層(32A)及第二樹脂絕緣層(32B)中可含有能溶解於化學物質中之成份。藉由使用化學物質在樹脂絕緣層表面上溶解可溶性組份，樹脂絕緣層表面可變粗糙。藉由在核心基板30表面上形成粗糙表面(32α)，可使用加法(additive method)在核心基板30之第一表面及第二表面上形成第一電路及第二電路。因為可使用加法而不使用減法(subtractive method)在核心基板上形成電路，所以可在核心基板上設定電路之寬度或電路之間的距離為較小。因此，核心基板上積聚層之數目得以減少。
在下文中，參考圖1至圖5描述一種製造多層印刷配線板10之方法。
(1)製備由增強材料及樹脂製成之絕緣基板31(圖1(A))。絕緣基板31之厚度設定為0.2-0.8 mm。可列舉玻璃布、醯胺纖維及玻璃纖維作為增強材料。自強度觀點出發，較佳以玻璃布作為增強材料。可列舉環氧樹脂及BT(雙順丁烯二醯亞胺三嗪)樹脂作為樹脂。氫氧化物顆粒可分散於樹脂中。對於氫氧化物，較佳為諸如Al(OH)3 、Mg(OH)2 、Ca(OH)2 、Ba(OH)2 及其類似物之金屬氫氧化物。可設定絕緣基板之熱膨脹係數為較小。當使用雷射在絕緣基板中形成(第一-2)開口部分及(第二-2)開口部分時，可設定(ΔW2)及(ΔW4)之值為較大。氫氧化物因熱而發生分解，從而產生水。因此，認為氫氧化物可自形成絕緣基板之材料搶奪熱。亦即，若絕緣基板含有氫氧化物，則認為難以用雷射處理絕緣基板。形成由(第一-1)開口部分及(第一-2)開口部分構成之第一開口部分以及形成由(第二-1)開口部分及(第二-2)開口部分構成之第二開口部分變得較容易。當使用CO2 雷射形成開口部分時，絕緣基板較佳含有氫氧化物。
在絕緣基板31之主要表面(31A)及第二表面(31B)上，層壓樹脂絕緣層32之樹脂薄膜(商標名稱：ABF-45SH，由Ajinomoto製造)。經由熱壓縮獲得由絕緣基板及樹脂絕緣層構成之核心基板(圖1(B))。該核心基板具有第一表面(30A)及與該第一表面相對的第二表面(30B)。形成於絕緣基板31之主要表面上的樹脂絕緣層為第一樹脂絕緣層(32A)。該第一樹脂絕緣層具有前表面及與該前表面相對的後表面。後表面面向主要表面。形成於絕緣基板31之第二表面下的樹脂絕緣層為第二樹脂絕緣層(32B)。該第二樹脂絕緣層具有上表面及與該上表面相對的下表面。第二表面面向上表面。樹脂絕緣層之樹脂薄膜含有能溶解於化學試劑中之成份及用於調節熱膨脹係數之無機顆粒。用於第一樹脂絕緣層及第二樹脂絕緣層之材料可與用於絕緣基板之材料相同。然而，第一樹脂絕緣層及第二樹脂絕緣層較佳不含增強材料，且絕緣基板較佳含有增強材料。可容易地改變(ΔW1)及(ΔW2)之值。可容易地改變(ΔW3)及(ΔW4)之值。可容易地改變(ΔH1)及(ΔH2)之值。可容易地改變(ΔH3)及(ΔH4)之值。
(2)　使用CO2 氣體雷射，藉由自核心基板30之第一表面(30A)照射雷射，在核心基板之第一表面側部中形成第一開口部分(33A)(圖1(C))。
(3)　使用CO2 氣體雷射，藉由自核心基板30之第二表面(30B)照射雷射，在核心基板之第二表面側部中形成第二開口部分(33B)。穿透孔33由該第一開口部分及該第二開口部分形成，該第一開口部分及該第二開口部分在絕緣基板31中接合(圖1(D))。
圖11及圖14展示圖1(D)中之穿透孔33之放大視圖。在圖11中，核心基板由樹脂絕緣層及絕緣基板構成。樹脂絕緣層及絕緣基板可由相同材料或不同材料形成。較佳為不同材料。在圖14中，核心基板由一個絕緣基板或一個樹脂絕緣層構成。圖11(A)及圖14(A)展示第一、第二、第三及第四重力線彼此重疊之實例。圖11(B)及圖14(B)展示第一重力線與第三重力線彼此重疊且第二重力線與第四重力線彼此重疊，但第一重力線與第二重力線彼此偏離之實例。圖11(C)及圖14(C)展示第二重力線與第四重力線彼此重疊但第一重力線、第二重力線及第三重力線彼此偏離之實例。圖11(D)及圖14(D)展示第一、第二、第三及第四重力線彼此偏離之實例。第一開口部分自核心基板之第一表面朝第二表面方向變細。在圖11中，第一開口部分之內壁在絕緣基板與第一樹脂絕緣層之界面處朝向第一開口部分內部彎曲。第二開口部分自核心基板之第二表面朝第一表面方向變細。第二開口部分之內壁在絕緣基板與第二樹脂絕緣層之界面處朝向開口部分內部彎曲。與第一樹脂絕緣層中相比，設定絕緣基板31中第一開口部分(33A)之直徑之減小程度較大。同樣，與第二樹脂絕緣層中相比，設定絕緣基板31中第二開口部分(33B)之直徑之減小程度較大。
第一開口部分自核心基板之第一表面朝第二表面方向變細。在圖14中，第一開口部分之內壁在(第一-1)開口部分與(第一-2)開口部分之間的邊界處朝向第一開口部分內部彎曲。第二開口部分自核心基板之第二表面朝第一表面方向變細。第二開口部分之內壁在(第二-1)開口部分與(第二-2)開口部分之間的邊界處朝向第二開口部分內部彎曲。與(第一-1)開口部分中相比，設定(第一-2)開口部分中第一開口部分(33A)之直徑之減小程度較大。同樣，與(第二-1)開口部分中相比，設定(第二-2)開口部分中第二開口部分(33B)之直徑之減小程度較大。
在下文中，展示一種形成圖11及圖14中所示之穿透孔之方法。
可藉由如下處理方法形成圖11及圖14中所示之穿透孔。若藉由具有多個脈衝之雷射照射形成第一開口部分及第二開口部分，則在預定脈衝數後設定雷射強度為較低。舉例而言，若藉由兩脈衝雷射照射形成第一開口部分及第二開口部分，則設定第二脈衝之雷射強度低於第一脈衝之雷射強度。藉由第一脈衝形成之開口為(第一-1)開口部分及(第二-1)開口部分，藉由第二脈衝形成之開口為(第一-2)開口部分及(第二-2)開口部分。藉此，藉由第一脈衝形成之開口可與藉由第二脈衝形成之開口不同地形成。因為第二脈衝與第一脈衝相比能量較弱，所以第一開口部分在(第一-1)開口部分與(第一-2)開口部分之間的邊界處向內彎曲。同樣，第二開口部分在(第二-1)開口部分與(第二-2)開口部分之間的邊界處向內彎曲。藉由調節雷射照射之位置來改變重力線位置。下文中將提供更詳細的描述。
下文中展示其他實例。若核心基板由難以藉由雷射處理之絕緣基板及將絕緣基板夾在中間的易於藉由雷射處理之樹脂絕緣層構成，則可形成圖11中所示之穿透孔。在該等實例中，當使用相同雷射強度處理樹脂絕緣層及絕緣基板時，樹脂絕緣層與絕緣基板中之處理量不同。樹脂絕緣層中之處理量大於絕緣基板中之處理量。藉此，樹脂絕緣層中形成之開口可與絕緣基板中形成之開口不同地形成。形成於樹脂絕緣層中之開口為(第一-1)開口部分及(第二-1)開口部分，且形成於絕緣基板中之開口為(第一-2)開口部分及(第二-2)開口部分。因為絕緣基板與樹脂絕緣層相比難以藉由雷射處理，所以第一開口部分在(第一-1)開口部分與(第一-2)開口部分之間的邊界處向內彎曲。同樣，第二開口部分在(第二-1)開口部分與(第二-2)開口部分之間的邊界處向內彎曲。在該等情況中，邊界最可能位於樹脂絕緣層與絕緣基板之界面處。然而，因為實現上述相同效果，所以第一開口部分及第二開口部分彎曲之位置可能在絕緣基板中。下文中將列舉絕緣基板與樹脂絕緣層之組合實例。絕緣基板由增強材料及樹脂製成，且樹脂絕緣層由無機顆粒及樹脂製成。因為絕緣基板含有增強材料，所以絕緣基板與樹脂絕緣層相比難以藉由雷射處理。第一開口部分及第二開口部分彎曲之位置較佳位於樹脂絕緣層與絕緣基板之界面與絕緣基板中之增強材料之間，包括開口部分在增強材料中彎曲之實例(參見圖12(C))。另一實例可為樹脂絕緣層含有氧化物顆粒且絕緣基板含有氫氧化物顆粒。因為絕緣基板含有氫氧化物顆粒，所以絕緣基板與樹脂絕緣層相比難以藉由雷射處理。關於氧化物顆粒，可列舉氧化鋁、二氧化矽、氧化鋇或其類似物。
絕緣基板由樹脂及增強材料製成，且樹脂絕緣層由無機顆粒及樹脂但無增強材料而製成。在該種實例中，亦獲得圖11中所示之穿透孔。此外，較佳為絕緣基板含有氫氧化物顆粒且樹脂絕緣層不含氫氧化物顆粒。
可藉由以下方法(方法實例1)形成圖11(A)及圖14(A)中所示之穿透孔。在核心基板之第一表面上之預定點照射第一脈衝雷射。該種位置設定為點(M)。在相同點照射第二脈衝雷射。第一雷射脈衝之能量大於第二雷射脈衝。因此，形成具有(第一-1)開口部分及(第一-2)開口部分之第一開口部分。接著，在核心基板之第二表面上照射第二脈衝雷射。與點(M)相對地定位第一脈衝之雷射位置(點(N))。亦即，第一脈衝之雷射位置(點(N))為通過點(M)且垂直於核心基板之第一表面之直線與核心基板之第二表面相交的點。在相同點處照射第二脈衝雷射。第一雷射脈衝之能量大於第二雷射脈衝。藉由使第一開口部分與第二開口部分接合來形成圖11(A)及圖14(A)中所示之穿透孔。可採用上述方法之核心基板為：由樹脂及無機顆粒製成之核心基板400；由樹脂及增強材料製成之核心基板400；由無機顆粒、樹脂及增強材料製成之核心基板400；由氫氧化物顆粒、樹脂及增強材料製成之核心基板400；及由絕緣基板及將絕緣基板夾在中間的樹脂絕緣層構成之核心基板30。若在絕緣基板及樹脂絕緣層中藉由雷射以相同條件形成開口，則在樹脂絕緣層中形成開口比在絕緣基板中形成開口容易。
可如下所述(方法實例2)形成圖11(B)中所示之穿透孔。圖11(B)中所示之核心基板由絕緣基板及將絕緣基板夾在中間的樹脂絕緣層形成，該絕緣基板由增強材料、金屬氫氧化物及樹脂製成且該等樹脂絕緣層由無機顆粒及樹脂製成。在核心基板之第一表面上的預定位置(點(O))處照射雷射以形成由(第一-1)開口部分及(第一-2)開口部分構成之第一開口部分(33A)(圖15(A))。接著，在核心基板之第二表面上的預定位置(點(P))處照射雷射以形成由(第二-1)開口部分及(第二-2)開口部分構成之第二開口部分(33B)(圖15(B))。點(O)及點(P)不彼此面對。亦即，點(P)位於距通過點(O)且垂直於核心基板之第一表面之直線與核心基板之第二表面相交的點預定距離處。相應地，圖11(B)中所示之穿透孔由在絕緣基板中接合之第一開口部分及第二開口部分形成。
可藉由修改方法實例1來形成圖11(C)及圖14(C)中所示之穿透孔(方法實例3)。藉由改變方法實例1中照射至核心基板之第一表面上的第一脈衝之雷射位置及第二脈衝之雷射位置(點(Q))，形成圖11(C)及圖14(C)中所示之穿透孔。藉由接合第一開口部分與第二開口部分來獲得圖11(C)中所示之穿透孔。此時，較佳設定第二脈衝雷射之直徑小於第一脈衝雷射之直徑。
可藉由修改方法實例2來形成圖11(C)中之穿透孔(方法實例4)。方法實例2中照射至核心基板之第一表面上的雷射脈衝數目與方法實例1中同樣為多個。藉由改變核心基板之第一表面上第一脈衝之雷射位置(點(O))及第二脈衝之雷射位置(點(S))(圖15(C))，獲得圖11(C)中所示之穿透孔。藉由在絕緣基板中接合第一開口部分與第二開口部分來獲得圖11(C)中所示之穿透孔。此時，較佳設定第二脈衝雷射之直徑小於第一脈衝雷射之直徑。
可藉由修改方法實例3來形成圖11(D)及圖14(D)中所示之穿透孔(方法實例5)。在方法實例5中，照射至核心基板之第二表面上的第二脈衝之雷射位置(點(R))位於距第一脈衝之雷射位置預定距離處。藉由接合第一開口部分與第二開口部分來獲得圖11(D)及圖14(D)中所示之穿透孔。此時，較佳設定第二脈衝雷射之直徑小於第一脈衝雷射之直徑。以下直線彼此不重疊：通過點(M)且垂直於核心基板之第一表面的直線(直線M)；通過點(N)且垂直於核心基板之第一表面的直線(直線N)；通過點(Q)且垂直於核心基板之第一表面的直線(直線Q)；及通過點(R)且垂直於核心基板之第一表面的直線(直線R)(圖15(D))。
可藉由修改方法實例4來形成圖11(D)中之穿透孔(方法實例6)。在方法實例6中，照射至核心基板之第二表面上的雷射脈衝數目為多個。照射至核心基板之第二表面上的第二脈衝之雷射位置(點(R))位於距第一脈衝之雷射位置預定距離處。此時，較佳設定第二脈衝之直徑小於第一脈衝之直徑。藉由接合第一開口部分與第二開口部分來獲得圖11(D)中所示之穿透孔。以下直線彼此不重疊：通過點(O)且垂直於核心基板之第一表面的直線(直線O)；通過點(P)且垂直於核心基板之第一表面的直線(直線P)；通過點(S)且垂直於核心基板之第一表面的直線(直線S)；及通過點(R)且垂直於核心基板之第一表面的直線(直線R)。
在任一方法實例中，較佳照射具有圖12(A)及圖12(B)中所示之能量強度的雷射。圖式中之長度示意性指示雷射強度。中心強度大於周邊強度。雷射強度自中心朝向周邊按指數規律或直線性降低。
當用於形成(第一-1)開口部分之雷射照射位置及用於形成(第一-2)開口部分之雷射照射位置位於距彼此預定距離處以偏移第一重力線及第三重力線時，較佳設定用於形成(第一-1)開口部分之雷射直徑大於用於形成(第一-2)開口部分之雷射直徑。
當用於形成(第二-1)開口部分之雷射照射位置及用於形成(第二-2)開口部分之雷射照射位置位於距彼此預定距離處以偏移第二重力線及第四重力線時，較佳設定用於形成(第二-1)開口部分之雷射直徑大於用於形成(第二-2)開口部分之雷射直徑。
(4)　將具有穿透孔33之核心基板30浸沒於含有60 g/L高錳酸之80℃溶液中10分鐘。在樹脂絕緣層32表面上形成粗糙表面(32α)(圖1(E))。核心基板之第一表面及第二表面變粗糙。
(5)　使鈀催化劑(由Atotech製造)附著至核心基板30之表面。接著，使核心基板浸沒於無電極電鍍液中。在核心基板之第一表面及第二表面以及穿透孔之內壁上形成無電極電鍍薄膜23(參見圖2(A))。關於該等無電極電鍍薄膜，可列舉無電極鍍銅薄膜及無電極鍍鎳薄膜。厚度為0.2 μm-0.6 μm。在無電極電鍍薄膜23上形成抗電鍍層(plating resist)25(圖2(B))。使用無電極電鍍薄膜作為種子層，在由抗電鍍層暴露之剩餘無電極電鍍薄膜上形成電解電鍍薄膜。用電解電鍍薄膜24填充穿透孔33(圖2(C))。替代無電極電鍍薄膜，可在穿透孔33之內壁上及核心基板表面上形成濺鍍薄膜。
(6)　移除抗電鍍層。蝕刻掉藉由移除抗電鍍層而暴露之無電極電鍍薄膜。在核心基板之第一表面上形成第一電路(34A)。在核心基板之第二表面上形成第二電路(34B)(參見圖3(A))。構成印刷配線板1000。第一電路具有第一導電電路(34AC)及第一通孔連接盤(第一連接盤)(34AL)。第一導電電路為形成於核心基板之第一表面上的電路，且第一通孔連接盤(34AL)由覆蓋通孔導體之電路及在核心基板之第一表面上環繞通孔導體形成的電路形成。第二電路具有第二導電電路(34BC)及第二通孔連接盤(第二連接盤)(34BL)。第二導電電路(34BC)為形成於核心基板之第二表面上的電路，且第二通孔連接盤(34BL)由覆蓋通孔導體之電路及在核心基板之第二表面上環繞通孔導體形成的電路形成。
在以上實例中，由樹脂絕緣層及絕緣基板形成核心基板。然而，可僅由絕緣基板或樹脂絕緣層形成核心基板。製造方法得到簡化。替代上述方法(圖1至圖3(A))，另一種製造印刷配線板之方法展示於圖13中。在該實例中，一個絕緣基板或一個樹脂絕緣層為起始材料(圖13(A))。在單一絕緣基板(400A)或單一樹脂絕緣層(400A)上層壓銅箔401(圖13(B))。在單一絕緣基板或單一樹脂絕緣層之第一表面(30A)上照射雷射。在單一絕緣基板或單一樹脂絕緣層之第一表面側部中形成第一開口部分(33A)(圖13(C))。在單一絕緣基板或單一樹脂絕緣層之第二表面(30B)上照射雷射。在單一絕緣基板或單一樹脂絕緣層之第二表面側部中形成第二開口部分(33B)。由在單一絕緣基板或單一樹脂絕緣層中接合之第一開口部分(33A)及第二開口部分(33B)形成穿透孔33(圖(D))。構成具有穿透孔之核心基板。可藉由任一種上述方法形成穿透孔。藉由無電極電鍍或其類似方法在核心基板表面上及穿透孔之內壁上形成種子層323。在種子層323上形成電解電鍍薄膜324。用電解電鍍薄膜324填充穿透孔33(圖13(E))。藉由利用蝕刻在核心基板上形成導電電路(34AC，34BC)及連接盤(34AL，34BL)，構成印刷配線板1000(圖13(F))。
(9)接著，在第一電路及第二電路(34A，34B)之表面上形成粗糙層(34β)(圖3(B))。
(10)在具有電路之核心基板30之兩表面上層壓層間樹脂絕緣層之樹脂薄膜(商標名稱：ABF-45SH，由Ajinomoto製造)。藉由使該薄膜固化，在核心基板之兩表面上形成層間樹脂絕緣層(50A，50B)(圖3(C))。
(11)使用CO2 氣體雷射在層間樹脂絕緣層(50A，50B)中形成延伸至導電電路或通孔連接盤之穿孔導體開口51(圖3(D))。
(12)將具有穿孔導體開口51之基板在含有60 g/L高錳酸之80℃溶液中浸沒10分鐘。在層間樹脂絕緣層(50A，50B)之表面(包括穿孔導體開口51之內壁)上形成粗糙表面(50α)(圖4(A))。藉由使基板浸沒於催化劑溶液中，使催化劑核(catalyst nuclei)附著於層間樹脂絕緣層表面上及穿孔導體開口之內壁表面上。
(13)接著，藉由使基板浸沒於由C. Uyemura Co.,Ltd.製造之無電極鍍銅溶液(Thru-Cup PEA)中，在層間樹脂絕緣層(50A，50B)之表面(包括穿孔導體開口51之內壁)上形成無電極鍍銅薄膜52(圖4(B))。
(14)在無電極鍍銅薄膜52上形成抗電鍍層54。在由抗電鍍層54暴露之剩餘無電極電鍍薄膜上形成電解鍍銅薄膜56(圖4(C))。
(15)　移除抗電鍍層54。藉由經由蝕刻移除電解鍍銅薄膜部分之間的無電極電鍍薄膜，形成獨立導電電路(58A，58B)及穿孔導體(60A，60B)(圖4(D))。獲得多層配線板300。
(16)　在導電電路(58A，58B)及穿孔導體(60A，60B)之表面上形成粗糙層(58α)(圖5(A))。
(18)　接著，在多層配線板300之兩表面上形成具有開口(71A，71B)之阻焊層(70A，70B)(圖5(B))。導電電路(58A，58B)及穿孔導體(60A，60B)之頂表面經由開口(71A，71B)暴露。經由開口(71A，71B)暴露之導電電路(58A，58B)及穿孔導體(60A，60B)之頂表面充當焊墊(72A，72B)。
(19)　在焊墊上形成鍍鎳層，且在鍍鎳層上形成鍍金層(圖5(C))。替代鎳-金層，亦可在焊墊上形成鎳-鈀-金層。
(21)　接著，在阻焊層中之開口部分(71A，71B)上裝載焊球且在230℃下回焊。相應地，在焊墊上形成焊料凸塊(78A，78B)(圖6)。
第一實例
(1)　製備由玻璃布、環氧樹脂及氫氧化鎂製成之絕緣基板31(圖1(A))。絕緣基板31之厚度為0.2 mm。絕緣基板31具有主要表面(31A)及與該主要表面相對的第二表面(31B)。在絕緣基板之兩表面上層壓樹脂絕緣層32之樹脂薄膜(商標名稱：ABF-45SH，由Ajinomoto製造)。藉由熱壓縮該薄膜，獲得由絕緣基板及樹脂絕緣層形成之核心基板(圖1(B))。樹脂絕緣層含有能溶解於KMnO4 溶液中之成份及用於調節熱膨脹係數之二氧化矽。第一樹脂絕緣層及第二樹脂絕緣層不含增強材料。
(2)　在核心基板30之第一表面(30A)上的預定位置(點1)處照射CO2 氣體雷射。照射之雷射脈衝數為4個。在核心基板之第一表面側部中形成由(第一-1)開口部分及(第一-2)開口部分構成之第一開口部分(33A)(圖1(C))。(第一-1)開口部分為形成於第一樹脂絕緣層中之開口部分，且(第一-2)開口部分為形成於絕緣基板中之開口部分。因為第一樹脂絕緣層(32A)傾向於比絕緣基板31更容易地藉由雷射來處理，所以第一開口部分在(第一-1)開口部分與(第一-2)開口部分之間的邊界處向內彎曲。彎曲位置實質上位於第一樹脂絕緣層(32A)與絕緣基板31之界面處。
(3)　在核心基板30之第二表面(30B)上的預定位置(點2)處照射CO2 氣體雷射。點2為通過點1且垂直於核心基板之第一表面之直線與核心基板之第二表面相交之處。第一重力線與第二重力線重疊。雷射脈衝數為4個。在核心基板之第二表面側部中形成由(第二-1)開口部分及(第二-2)開口部分構成之第二開口部分(33B)(圖1(D))。藉由接合第一開口部分與第二開口部分來形成穿透孔。(第二-1)開口部分為形成於第二樹脂絕緣層中之開口部分，且(第二-2)開口部分為形成於絕緣基板中之開口部分。因為第二樹脂絕緣層(32B)傾向於比絕緣基板31更容易地藉由雷射來處理，所以第二開口部分在(第二-1)開口部分與(第二-2)開口部分之間的邊界處向內彎曲。彎曲位置實質上位於第二樹脂絕緣層(32B)與絕緣基板31之界面處。形成圖11(A)中所示之穿透孔。
(4)　將具有穿透孔33之核心基板30在含有60 g/L高錳酸之80℃溶液中浸沒10分鐘。在樹脂絕緣層32表面上形成粗糙表面(32α)(圖1(E))。核心基板之第一表面及第二表面變粗糙。
(5)　使鈀催化劑(由Atotech製造)附著至核心基板30之表面。接著，使核心基板浸沒於無電極鍍銅溶液(由C. Uyemura Co.,Ltd.製造)中。在核心基板之第一表面及第二表面以及穿透孔之內壁上形成無電極鍍銅薄膜23(參見圖2(A))。無電極鍍銅薄膜之厚度為0.4 μm。在無電極電鍍薄膜23上形成抗電鍍層25(圖2(B))。使用無電極電鍍薄膜23作為種子層在由抗電鍍層25暴露之剩餘無電極電鍍薄膜上形成電解鍍銅薄膜24。用電解鍍銅薄膜24填充穿透孔33(圖2(C))。
(6)　移除抗電鍍層。蝕刻掉藉由移除抗蝕刻層(etching resist)而暴露之無電極鍍銅薄膜。在核心基板之第一表面上形成第一導電電路(34AC)及第一通孔連接盤(34AL)，且在核心基板之第二表面上形成第二導電電路(34BC)及第二通孔連接盤(34BL)。同時，形成連接第一導電電路與第二導電電路之通孔導體36(參見圖3(A))。電解鍍銅薄膜之厚度實質上為15 μm。構成第一實例之印刷配線板1000。
第二實例
(1)　製備由玻璃布及環氧樹脂製成之半固化片(Prepreg)400(圖13(A))。在半固化片之兩表面上層壓12 μm厚的銅箔401。藉由熱壓縮使半固化片固化且獲得具有銅箔之核心基板30(圖13(B))。
(2)　在核心基板30之第一表面(30A)上的預定位置(點10)處照射CO2 氣體雷射。照射之雷射脈衝數為4個。設定第一脈衝之雷射強度等於第二脈衝之雷射強度，且設定第三脈衝之雷射強度等於第四脈衝之雷射強度。設定第一脈衝之雷射強度高於第三脈衝之雷射強度。所有脈衝之照射位置(點10)均相同。在核心基板之第一表面側部中形成由(第一-1)開口部分(33A-1)及(第一-2)開口部分(33A-2)構成之第一開口部分(33A)(圖13(C))。因為自第三脈衝起設定雷射強度較低，所以第一開口部分(33A)在(第一-1)開口部分(33A-1)與(第一-2)開口部分(33A-2)之間的邊界處向內彎曲。
在核心基板30之第二表面(30B)上的預定位置(點11)處照射CO2 氣體雷射。照射之雷射脈衝數為4個。設定第一脈衝之雷射強度等於第二脈衝之雷射強度，且設定第三脈衝之雷射強度等於第四脈衝之雷射強度。設定第一脈衝之雷射強度大於第三脈衝之雷射強度。所有脈衝之照射位置(點11)均相同。在核心基板之第二表面側部中形成由(第二-1)開口部分(33B-1)及(第二-2)開口部分(33B-2)構成之第二開口部分(33B)。形成由第一開口部分及第二開口部分構成之穿透孔33(圖13(D))。通過點10且垂直於核心基板之第一表面的直線與核心基板之第二表面相交之點位於距點11預定距離處。因為自第三脈衝起設定雷射強度較低，所以第二開口部分在(第二-1)開口部分與(第二-2)開口部分之間的邊界處向內彎曲。如圖14(B)中所示形成穿透孔33。
藉由在核心基板之第一表面及第二表面及穿透孔之內壁上濺鍍來形成銅膜323。使用銅膜323作為種子層，在核心基板之第一表面及第二表面上形成電解鍍銅薄膜324。同時，用電解鍍銅薄膜324填充穿透孔33(圖13(E))。在電解鍍銅薄膜上形成抗蝕刻層。蝕刻掉由抗蝕刻層暴露之剩餘電解鍍銅薄膜、銅膜及銅箔。
在核心基板之第一表面上形成第一導電電路(34AC)及第一通孔連接盤(34AL)，且在核心基板之第二表面上形成第二導電電路(34BC)及第二通孔連接盤(34BL)。同時，形成連接第一導電電路與第二導電電路之通孔導體36。電解鍍銅薄膜之厚度實質上為15 μm。構成第二實例之印刷配線板1000(圖13(F))。
第三實例
根據第三實例製造印刷配線板之方法為自第一實例修改而成之實例。
第三實例之形成核心基板之方法與第一實例相同。在核心基板之第一表面上的預定位置(點10)處照射第一雷射脈衝及第二雷射脈衝。接著，在位於距點10預定距離處的位置(點100)處照射第三雷射脈衝及第四雷射脈衝。設定第一脈衝之雷射強度等於第二脈衝之雷射強度，且設定第三脈衝之雷射強度等於第四脈衝之雷射強度。設定第一脈衝之雷射強度大於第三脈衝之雷射強度。第一雷射脈衝之直徑等於第二雷射脈衝之直徑，且第三雷射脈衝之直徑等於第四雷射脈衝之直徑。設定第一雷射脈衝之直徑大於第三雷射脈衝之直徑。
在核心基板之第二表面上的預定位置(點20)處照射第一至第四雷射脈衝。通過點10且垂直於核心基板之第一表面之直線與核心基板之第二表面相交的點(交點1)位於距點20預定距離處。此外，通過點100且垂直於核心基板之第一表面之直線與核心基板之第二表面相交的點(交點2)位於距點20預定距離處。交點1、交點2及點20不重疊。設定第一脈衝之雷射強度等於第二脈衝之雷射強度，且設定第三脈衝之雷射強度等於第四脈衝之雷射強度。設定第一脈衝之雷射強度大於第三雷射脈衝之強度。形成圖11(C)中所示之穿透孔。
第四實例
根據第四實例製造印刷配線板之方法為自第三實例修改而成之實例。
第四實例之形成核心基板之方法與第一實例相同。在核心基板之第一表面上的預定位置(點10)處照射第一雷射脈衝及第二雷射脈衝。接著，在位於距點10預定距離處的位置(點100)處照射第三雷射脈衝及第四雷射脈衝。設定第一脈衝之雷射強度等於第二脈衝之雷射強度，且設定第三脈衝之雷射強度等於第四脈衝之雷射強度。設定第一脈衝之雷射強度大於第三脈衝之雷射強度。第一雷射脈衝之直徑等於第二雷射脈衝之直徑，且第三雷射脈衝之直徑等於第四雷射脈衝之直徑。第一雷射脈衝之直徑大於第三雷射脈衝之直徑。
在核心基板之第二表面上的預定位置(點20)處照射第一雷射脈衝及第二雷射脈衝。接著，在位於距點20預定距離處的位置(點200)處照射第三雷射脈衝及第四雷射脈衝。通過點10且垂直於核心基板之第一表面之直線與核心基板之第二表面相交的點(交點1)位於距點20及點200預定距離處。此外，通過點100且垂直於核心基板之第一表面之直線與核心基板之第二表面相交的點(交點2)位於距點20及點200預定距離處。交點1、交點2、點20及點200不重疊。設定第一脈衝之雷射強度等於第二脈衝之雷射強度，且設定第三脈衝之雷射強度等於第四脈衝之雷射強度。設定第一脈衝之雷射強度大於第三脈衝之雷射強度。設定第一雷射脈衝之直徑大於第三雷射脈衝之直徑。形成圖11(D)中所示之穿透孔。
積聚配線板之實例
根據第一至第四實例中任一者之印刷配線板1000可用作積聚配線板中之核心基板。
在根據第一至第四實例中任一者之印刷配線板之兩表面上層壓層間樹脂絕緣層之樹脂薄膜(商標名稱：ABF-45SH，由Ajinomoto製造)。藉由使該薄膜固化，在核心基板之兩表面上形成層間樹脂絕緣層(50A，50B)(圖3(C))。
(11)　使用CO2 氣體雷射在層間樹脂絕緣層(50A，50B)中形成延伸至導電電路或通孔連接盤之穿孔導體開口51(圖3(D))。
(12)　使具有穿孔導體開口51之基板在含有60 g/L高錳酸之80℃溶液中浸沒10分鐘。在層間樹脂絕緣層(50A，50B)之表面(包括穿孔導體開口51之內壁)上形成粗糙表面(50α)(圖4(A))。藉由使基板浸沒於催化劑溶液中，使催化劑核附著至層間樹脂絕緣層表面上及穿孔導體開口之內壁表面上。
(13)　接著，藉由使基板浸沒於由C. Uyemura Co.,Ltd.製造之無電極鍍銅溶液(Thru-Cup PEA)中，在層間樹脂絕緣層(50A，50B)之表面(包括穿孔導體開口51之內壁)上形成無電極鍍銅薄膜52(圖4(B))。
(14)　在無電極鍍銅薄膜52上形成抗電鍍層54。在由抗電鍍層54暴露之剩餘無電極電鍍薄膜上形成電解鍍銅薄膜56(圖4(C))。
(15)　移除抗電鍍層54。藉由蝕刻掉電解鍍銅薄膜部分之間的無電極電鍍薄膜，形成獨立導電電路(58A，58B)及穿孔導體(60A，60B)(圖4(D))。獲得多層配線板300。
(16)接著，在導電電路(58A，58B)及穿孔導體(60A，60B)之表面上形成粗糙表面(58α)(圖5(A))。
(18)接著，在多層配線板之兩表面上形成具有開口(71A，71B)之阻焊層(70A，70B)(圖5(B))。導電電路(58A，58B)及穿孔導體(60A，60B)之頂表面經由開口(71A，71B)暴露。經由開口(71A)暴露之導電電路(58A，58B)及穿孔導體(60A，60B)之頂表面充當焊墊。
(19)　在焊墊上形成鍍鎳層，且在鍍鎳層上形成鍍金層(圖5(C))。
(21)　接著，在阻焊層中之開口部分(71A，71B)上裝載焊球且在230℃下回焊。相應地，在焊墊上形成焊料凸塊(78A，78B)(圖6)。構成積聚配線板。
第二實施例
參考圖16描述根據本發明之第二實施例的多層印刷配線板。在根據第一實施例之多層印刷配線板中，在核心基板之穿透孔33中填充電鍍材料。相比之下，在第二實施例中，在穿透孔33之側壁上形成通孔導體36，且用填充樹脂37填充通孔導體36內部。在如第二實施例所示於通孔導體中填充樹脂之印刷配線板中通孔導體之可靠性亦得到增強。
本發明之印刷配線板具有以下項：一核心基板，其具有一第一表面及一與該第一表面相對的第二表面且具有一由形成於第一表面側部中且自第一表面朝向第二表面變細之第一開口部分及形成於第二表面側部中且自第二表面朝向第一表面變細之第二開口部分構成的穿透孔；形成於核心基板之第一表面上的一第一電路；形成於核心基板之第二表面上的一第二電路；及形成於穿透孔中且連接第一電路與第二電路之一通孔導體。在該種印刷配線板中，第一開口部分在核心基板之第一表面上具有第一開口，第一開口部分由包括第一開口之(第一-1)開口部分及鄰接於(第一-1)開口部分之(第一-2)開口部分構成，第二開口部分在核心基板之第二表面上具有第二開口，第二開口部分由包括第二開口之(第二-1)開口部分及鄰接於(第二-1)開口部分之(第二-2)開口部分構成，第一開口部分之內壁在(第一-1)開口部分與(第一-2)開口部分之間的邊界處朝向穿透孔內部彎曲，且第二開口部分之內壁在(第二-1)開口部分與(第二-2)開口部分之間的邊界處朝向穿透孔內部彎曲。
顯而易見，根據以上教示，本發明之許多修改及變化均為有可能的。因此應瞭解，在隨附申請專利範圍之範疇內，可與本文中之特定描述不同地實施本發明。
10．．．多層印刷配線板
23．．．無電極電鍍薄膜/無電極鍍銅薄膜
24．．．電解電鍍薄膜/電解鍍銅薄膜
25．．．抗電鍍層
30．．．核心基板
30A．．．第一表面
30B．．．第二表面
31．．．絕緣基板
31A．．．主要表面
31B．．．第二表面
32．．．樹脂絕緣層
32A．．．第一樹脂絕緣層
32B．．．第二樹脂絕緣層
32α．．．粗糙表面
33．．．穿透孔
33A．．．第一開口部分
33A-1．．．(第一-1)開口部分
33A-2．．．(第一-2)開口部分
33A-A．．．第一開口
33B-B．．．第二開口
33B-1．．．(第二-1)開口部分
33B-2．．．(第二-2)開口部分
33c．．．接合處
34A．．．第一電路
34B．．．第二電路
34AC．．．第一導電電路
34BC．．．第二導電電路
34AL．．．第一連接盤/第一通孔連接盤
34BL．．．第二連接盤/第二通孔連接盤
34β．．．粗糙層
36．．．通孔導體
36a．．．彎曲部分
36b．．．彎曲部分
36c．．．彎曲部分
36d．．．彎曲部分
36e．．．彎曲部分
36f．．．彎曲部分
37．．．填充樹脂
50A．．．上層第一層間樹脂絕緣層
50B．．．下層第一層間樹脂絕緣層
50α．．．粗糙表面
51．．．穿孔導體開口
52．．．無電極鍍銅薄膜
54．．．抗電鍍層
56．．．電解鍍銅薄膜
58A．．．導電電路
58B．．．導電電路
58α．．．粗糙層/粗糙表面
60A．．．穿孔導體
60B．．．穿孔導體
70A．．．上阻焊層
70B．．．下阻焊層
71A．．．開口/開口部分
71B．．．開口/開口部分
72A．．．焊墊
72B．．．焊墊
78A．．．焊料凸塊
78B．．．焊料凸塊
300．．．多層配線板
323．．．銅膜/種子層
324．．．電解電鍍薄膜/電解鍍銅薄膜
333A．．．第一開口部分
333B．．．第二開口部分
360．．．通孔導體
400．．．半固化片/核心基板
400A．．．單一絕緣基板/單一樹脂絕緣層
401．．．銅箔
1000．．．印刷配線板
a．．．預定點/彎曲部分
b．．．預定點/彎曲部分
c．．．預定點/彎曲部分
d．．．預定點/彎曲部分
e．．．預定點/彎曲部分
f．．．預定點/彎曲部分
D1．．．第一實施例中之穿透孔之最小直徑
D2．．．參考實例中之穿透孔之最小直徑
G1．．．第一重力線
G2．．．第二重力線
G3．．．第三重力線
G4．．．第四重力線
H1．．．(第一-1)開口部分之內徑
H2．．．(第一-2)開口部分之內徑
H3．．．(第二-1)開口部分之內徑
H4．．．(第二-2)開口部分之內徑
M．．．點/直線
N．．．點/第一脈衝之雷射位置/直線
O．．．點/第一脈衝之雷射位置/直線
P．．．點/直線
Q．．．點/直線
R．．．點/直線
S．．．點/第二脈衝之雷射位置/直線
V．．．虛線
V'．．．實線
Wmin．．．穿透孔之最小直徑
w1．．．參考實例中之第一開口之直徑
w2．．．第一實施例中之第一開口之直徑
w3．．．第一實施例中之第二開口之直徑
w4．．．參考實例中之第二開口之直徑
X．．．內壁
Y．．．內壁
Z．．．虛線
Z'．．．實線
θ1．．．穿透孔中內壁X與核心基板之第一表面形成之角度
θ2．．．穿透孔中內壁Y與核心基板之第一表面形成之角度
圖1(A)至圖1(E)為展示製造根據第一實施例之多層印刷配線板之方法之步驟的視圖；
圖2(A)至圖2(C)為展示製造根據第一實施例之多層印刷配線板之方法之步驟的視圖；
圖3(A)至圖3(D)為展示製造根據第一實施例之多層印刷配線板之方法之步驟的視圖；
圖4(A)至圖4(D)為展示製造根據第一實施例之多層印刷配線板之方法之步驟的視圖；
圖5(A)至圖5(C)為展示製造根據第一實施例之多層印刷配線板之方法之步驟的視圖；
圖6為根據第一實施例之多層印刷配線板之橫截面圖；
圖7為展示核心基板之第一表面與穿透孔之內壁之間的角度的視圖；
圖8(A)、(B)為展示參考實例中及第一實施例中之穿透孔之截面的視圖；
圖9(A)、(B)為展示第一實施例中之穿透孔之內徑的視圖；
圖10(A)及圖10(C)展示參考實例中之通孔導體，且圖10(B)、圖10(D)、圖10(E)及圖10(F)展示第一實施例中之通孔導體；
圖11(A)、圖11(B)、圖11(C)及圖11(D)展示第一實施例中之穿透孔，圖(A-1)為展示第一實施例中之核心基板之第一表面的平面圖，且圖(A-2)為展示第一實施例中之核心基板之第二表面的平面圖；
圖12(A)及圖12(B)為示意性展示雷射之能量強度的視圖，且圖12(C)為展示穿透孔在增強材料中彎曲之實例的視圖；
圖13(A)至(F)為展示製造第一實施例之印刷配線板之其他步驟的視圖；
圖14(A)至(D)為展示第一實施例中之穿透孔之橫截面圖；
圖15(A)至(D)為說明照射雷射束之位置的視圖；及
圖16為展示根據第二實施例之多層印刷配線板的橫截面圖。
10．．．多層印刷配線板
30．．．核心基板
31．．．絕緣基板
32A．．．第一樹脂絕緣層
32B．．．第二樹脂絕緣層
33．．．穿透孔
34A．．．第一電路
34B．．．第二電路
34AC．．．第一導電電路
34BC．．．第二導電電路
34AL．．．第一連接盤/第一通孔連接盤
34BL．．．第二連接盤/第二通孔連接盤
36．．．通孔導體
50A．．．上層第一層間樹脂絕緣層
50B．．．下層第一層間樹脂絕緣層
58A．．．導電電路
58B．．．導電電路
60A．．．穿孔導體
60B．．．穿孔導體
70A．．．上阻焊層
70B．．．下阻焊層
71A．．．開口/開口部分
71B．．．開口/開口部分
72A．．．焊墊
72B．．．焊墊
78A．．．焊料凸塊
78B．．．焊料凸塊

Claims (17)

  1. 一種印刷配線板，其包含：一核心基板，其具有一第一表面及在該第一表面之一相反側上之一第二表面，該核心基板具有在該第一表面與該第二表面之間穿透該核心基板之一穿透孔；形成於該核心基板之該第一表面上的一第一電路；形成於該核心基板之該第二表面上的一第二電路；及形成於該核心基板之該穿透孔中且連接該第一電路與該第二電路之一通孔導體，其中該穿透孔具有一第一開口部分及一第二開口部分，該穿透孔之該第一開口部分自該第一表面朝該第二表面方向變細，該穿透孔之該第二開口部分自該第二表面朝該第一表面方向變細，該第一開口部分在該核心基板之該第一表面上具有一第一開口且具有包括該第一開口之一第一部分及鄰接於該第一開口部分之該第一部分的一第二部分，該第二開口部分在該核心基板之該第二表面上具有一第二開口且具有包括該第二開口之一第一部分及鄰接於該第二開口部分之該第一部分的一第二部分，該第一開口部分之該第一部分及該第二部分形成該第一開口部分之內壁，該等內壁在該第一開口部分之該第一部分與該第二部分之間的一邊界處相對於該穿透孔之一周邊向內彎曲，且該第二開口部分之該第一部分及該第二部分形成該第二開口部分之內壁，該等內壁在該第二開口部分之該第一部分與該第二部分之間的一邊界處相對於該穿透孔之該周邊向內彎曲。
  2. 如請求項1之印刷配線板，其中該核心基板包含：一絕緣基板，其具有一主要表面及在該主要表面之一相反側上之一第二表面；一第一樹脂絕緣層，其形成於該絕緣基板之該主要表面上以至於該第一絕緣層面向該絕緣基板之該主要表面；及一第二樹脂絕緣層，其形成於該絕緣基板之該第二表面上以至於該第二樹脂絕緣層面向該絕緣基板之該第二表面。
  3. 如請求項1之印刷配線板，其中當該第一開口部分之該第一部分以ΔW1之程度自該核心基板之該第一表面朝該第二表面方向變細且該第一開口部分之該第二部分以ΔW2之程度自該核心基板之該第一表面朝該第二表面方向變細時，該ΔW1與該ΔW2具有經設定為ΔW1<ΔW2之關係，且當該第二開口部分之該第一部分以ΔW3之程度自該核心基板之該第二表面朝該第一表面方向變細且該第二開口部分之該第二部分以ΔW4之程度自該核心基板之該第二表面朝該第一表面方向變細時，該ΔW3與該ΔW4具有經設定為ΔW3<ΔW4之關係。
  4. 如請求項2之印刷配線板，其中該第一樹脂絕緣層包含當對於該第一樹脂絕緣層及該絕緣基板以相同之雷射條件形成該第一開口部分時比該絕緣基板之材料更易於藉由雷射處理之材料，且該第二樹脂絕緣層包含當對於該第二樹脂絕緣層及該絕緣基板以相同之雷射條件形成該第二開口部分時比該絕緣基板之該材料更易於藉由雷射處理之材料。
  5. 如請求項2之印刷配線板，其中該第一開口部分之該第一部分及該第二部分在該第一樹脂絕緣層與該絕緣基板之一界面處形成一界面，且該第二開口部分之該第一部分及該第二部分在該第二樹脂絕緣層與該絕緣基板之一界面處形成一界面。
  6. 如請求項1之印刷配線板，其中使用CO2 氣體雷射形成該第一開口部分及該第二開口部分。
  7. 如請求項2之印刷配線板，其中該絕緣基板包括增強材料。
  8. 如請求項7之印刷配線板，其中該第一樹脂絕緣層及該第二樹脂絕緣層包括無機填料。
  9. 如請求項8之印刷配線板，其中該第一樹脂絕緣層及該第二樹脂絕緣層不包括增強材料。
  10. 如請求項7之印刷配線板，其中該增強材料為玻璃布。
  11. 如請求項1之印刷配線板，其中通過該第一開口之重力中心且垂直於該核心基板之該第一表面的一直線與通過該第二開口之重力中心且垂直於該核心基板之該第一表面的一直線偏離。
  12. 如請求項1之印刷配線板，其中該第一開口部分在該第一開口部分之該第一部分與該第二部分之接合處具有一第三開口，該第二開口部分在該第二開口部分之該第一部分與該第二部分之接合處具有一第四開口，且通過該第三開口之重力中心且垂直於該核心基板之該第一表面的一直線與通過該第四開口之重力中心且垂直於該核心基板之該第一表面的一直線偏離。
  13. 如請求項11之印刷配線板，其中該第一開口部分在該第一開口部分之該第一部分與該第二部分之接合處具有一第三開口，該第二開口部分在該第二開口部分之該第一部分與該第二部分之接合處具有一第四開口，且通過該第三開口之重力中心且垂直於該核心基板之該第一表面的一直線與通過該第四開口之重力中心且垂直於該核心基板之該第一表面的一直線偏離。
  14. 如請求項1之印刷配線板，其中該通孔導體由填充於該穿透孔中之一電鍍薄膜構成。
  15. 一種製造印刷配線板之方法，其包含：製備一核心基板，其具有一第一表面及在該第一表面之一相反側上之一第二表面；在該核心基板中形成具有一第一開口部分及一第二開口部分之一穿透孔，以至於該第一開口部分自該核心基板之該第一表面朝該第二表面方向變細且該第二開口部分自該核心基板之該第二表面朝該第一表面方向變細；在該核心基板之該第一表面上形成一第一電路；在該核心基板之該第二表面上形成一第二電路；及在該穿透孔中形成一電鍍薄膜，以至於形成連接該第一電路與該第二電路之一通孔導體，其中該第一開口部分在該核心基板之該第一表面上具有一第一開口且具有包括該第一開口之一第一部分及鄰接於該第一開口部分之該第一部分的一第二部分，該第二開口部分在該核心基板之該第二表面上具有一第二開口且具有包括該第二開口之一第一部分及鄰接於該第二開口部分之該第一部分的一第二部分，該第一開口部分之該第一部分及該第二部分形成該第一開口部分之內壁，該等內壁在該第一開口部分之該第一部分與該第二部分之間的一邊界處相對於該穿透孔之一周邊向內彎曲，且該第二開口部分之該第一部分及該第二部分形成該第二開口部分之內壁，該等內壁在該第二開口部分之該第一部分與該第二部分之間的一邊界處相對於該穿透孔之該周邊向內彎曲。
  16. 如請求項15之製造印刷配線板之方法，其中該核心基板之該製備包含：提供一絕緣基板，其具有一主要表面及在該主要表面之一相反側上之一第二表面；層壓一第一樹脂絕緣層以至於該第一樹脂絕緣層面向該絕緣基板之該主要表面；及層壓一第二樹脂絕緣層以至於該第二樹脂絕緣層面向該絕緣基板之該第二表面。
  17. 如請求項15之製造印刷配線板之方法，其中該穿透孔之該形成包含藉由在該核心基板之該第一表面上照射一雷射來形成該第一開口部分及藉由在該核心基板之該第二表面上照射一雷射來形成該第二開口部分。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5021216B2 (ja) * 2006-02-22 2012-09-05 イビデン株式会社 プリント配線板およびその製造方法
US20110253439A1 (en) * 2010-04-20 2011-10-20 Subtron Technology Co. Ltd. Circuit substrate and manufacturing method thereof
KR101167466B1 (ko) * 2010-12-30 2012-07-26 삼성전기주식회사 다층 인쇄회로기판 그 제조방법
US20120247818A1 (en) * 2011-03-29 2012-10-04 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board
US8780576B2 (en) * 2011-09-14 2014-07-15 Invensas Corporation Low CTE interposer
JP5865771B2 (ja) 2012-04-26 2016-02-17 日本特殊陶業株式会社 多層配線基板
KR20130139655A (ko) * 2012-06-13 2013-12-23 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP2014007339A (ja) * 2012-06-26 2014-01-16 Ibiden Co Ltd インダクタ部品、その製造方法及びプリント配線板
JP6117492B2 (ja) * 2012-07-06 2017-04-19 シャープ株式会社 構造体
KR101412225B1 (ko) * 2012-08-10 2014-06-25 이비덴 가부시키가이샤 배선판 및 그 제조 방법
CN103687339B (zh) * 2012-09-26 2017-03-01 碁鼎科技秦皇岛有限公司 电路板及其制作方法
JP2014072324A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Ibiden Co Ltd プリント配線板及びその製造方法
KR20140064329A (ko) * 2012-11-20 2014-05-28 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
CN103857180A (zh) * 2012-12-05 2014-06-11 欣兴电子股份有限公司 基板结构及其制作方法
JP2014116465A (ja) * 2012-12-10 2014-06-26 Ibiden Co Ltd インダクタ部品、その製造方法及びプリント配線板
US20150313018A1 (en) * 2012-12-11 2015-10-29 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring substrate and production method therefor
KR101483875B1 (ko) * 2013-07-31 2015-01-16 삼성전기주식회사 글라스 코어기판 및 그 제조방법
JP6170790B2 (ja) * 2013-09-13 2017-07-26 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
US20150257281A1 (en) * 2014-03-10 2015-09-10 Marvell World Trade Ltd. Method for forming a via structure using a double-side laser process
JP6914656B2 (ja) 2014-10-03 2021-08-04 日本板硝子株式会社 貫通電極付ガラス基板の製造方法、導電部付ガラス基板、及び貫通電極付ガラス基板
KR102538908B1 (ko) * 2015-09-25 2023-06-01 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP2017220502A (ja) * 2016-06-06 2017-12-14 イビデン株式会社 インダクタ部品、インダクタ部品の製造方法
JP6341245B2 (ja) 2016-09-05 2018-06-13 大日本印刷株式会社 貫通電極基板の製造方法、貫通電極基板および半導体装置
WO2018181678A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 太陽誘電株式会社 配線基板及びその製造方法
JP6809511B2 (ja) * 2018-07-06 2021-01-06 大日本印刷株式会社 貫通電極基板および半導体装置
CN110937567B (zh) * 2018-09-21 2022-12-13 国家纳米科学中心 硅基四棱台状微型通孔阵列、其制备方法和应用
EP3709779A1 (en) * 2019-03-12 2020-09-16 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Component carrier and method of manufacturing the same
CN112584611A (zh) * 2019-09-27 2021-03-30 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 具有延伸穿过多个介电层的通孔的部件承载件
CN113015343B (zh) * 2021-04-27 2022-07-22 四会富仕电子科技股份有限公司 一种层间交叉线连接结构的制作方法及电路板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200605738A (en) * 2004-07-27 2006-02-01 Unimicron Technology Corp Process of conductive column and circuit board with conductive column
TW200738092A (en) * 2006-02-22 2007-10-01 Ibiden Co Ltd Printed wiring board and process for producing the same
TW200928044A (en) * 2007-12-21 2009-07-01 Silk Scissors Machine Co Ltd Rag removing method for fabric cutting machine and device thereof

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6631558B2 (en) * 1996-06-05 2003-10-14 Laservia Corporation Blind via laser drilling system
AU5238898A (en) * 1996-11-08 1998-05-29 W.L. Gore & Associates, Inc. Method for reducing via inductance in an electronic assembly and device
DE69918205T2 (de) * 1998-03-18 2005-06-30 Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc. Ein Verfahren zur Herstellung von Durchgangslöchern mittels Laser, kupferkaschiertes Laminat geeignet zur Herstellung von Löchern, und Zusatzmaterial zur Herstellung von Löchern
JP2000223810A (ja) 1999-02-01 2000-08-11 Kyocera Corp セラミックス基板およびその製造方法
WO2001045477A1 (fr) * 1999-12-15 2001-06-21 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd Carte de formation de circuit et procede de fabrication de carte de formation de circuit
JP3807312B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-09 富士通株式会社 プリント基板とその製造方法
JP2005050877A (ja) 2003-07-29 2005-02-24 Kyocera Corp 配線基板
KR20110054348A (ko) * 2009-11-17 2011-05-25 삼성전기주식회사 전자소자 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200605738A (en) * 2004-07-27 2006-02-01 Unimicron Technology Corp Process of conductive column and circuit board with conductive column
TW200738092A (en) * 2006-02-22 2007-10-01 Ibiden Co Ltd Printed wiring board and process for producing the same
TW200928044A (en) * 2007-12-21 2009-07-01 Silk Scissors Machine Co Ltd Rag removing method for fabric cutting machine and device thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US20130008702A1 (en) 2013-01-10
CN102202462A (zh) 2011-09-28
KR20110107769A (ko) 2011-10-04
CN102202462B (zh) 2013-11-06
US8304657B2 (en) 2012-11-06
JP2011205069A (ja) 2011-10-13
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KR101211447B1 (ko) 2012-12-12
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US20110232948A1 (en) 2011-09-29

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