CN112584611A - 具有延伸穿过多个介电层的通孔的部件承载件 - Google Patents

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Abstract

提供了部件承载件(100)和制造部件承载件的方法。该部件承载件包括：堆叠体(102)，该堆叠体具有前侧(104)和后侧(106)并且包括多个堆叠的电绝缘层结构(108)；通孔(110)，通孔在其内部部分(185)比在其靠外部分(187、189)处窄，并且延伸穿过多个电绝缘层结构(108)，使得电绝缘层结构(108)中的每一个的侧壁(154)界定通孔(110)的相应部分；以及填充通孔(110)的至少一部分的导电填充介质(112)。

Description

具有延伸穿过多个介电层的通孔的部件承载件
技术领域
本发明涉及部件承载件和制造部件承载件的方法。
背景技术
在配备有一个或多个电子部件的部件承载件的产品功能不断增多和这种部件的日益微型化以及待安装在部件承载件诸如印刷电路板上的部件的数量不断增加的情况下，越来越多地采用具有若干部件的更强大的阵列状部件或封装件，这些部件或封装件具有多个触点或连接件，在这些触点之间的间隔不断减小。移除由这种部件和部件承载件自身在运行期间生成的热成为日益凸显的问题。同时，部件承载件应当是机械牢固的且电气可靠的，以便甚至在恶劣条件下也能够运行。所有这些要求与部件承载件及其构成的持续微型化密切相关。
而且，以适当的质量有效地接触嵌入在部件承载件中的导电层结构和/或部件可能是有利的。为此目的和其他目的，形成可以填充有铜的过孔可能是有利的。
发明内容
可能需要制造具有适当电可靠性的部件承载件。
根据本发明的示例性实施方式，提供了部件承载件，该部件承载件包括：堆叠体，该堆叠体具有前侧和后侧并且包括多个堆叠的电绝缘层结构(其中，电绝缘层结构中的不同电绝缘层结构可以是由相同材料制成或者可以由不同材料制成)；通孔(特别是通过激光处理制成的通孔，或者替代性地通过任何其他适合的方法诸如等离子体处理)，该通孔在其内部(inner，靠里面的，靠内的)部分比在其靠外(outer，外面的)部分窄(特别地是最窄的)并且延伸穿过多个电绝缘层结构(特别是完全延伸穿过所有的多个电绝缘层结构)。这可以以下述方式实现：电绝缘层结构中的每个电绝缘层结构的侧壁界定通孔的相应部分(特别是以这样的方式，使得电绝缘层结构中的每个电绝缘层结构直接有助于通孔的形成和限定)，并且导电填充介质(其可以由一个或多个镀覆的子结构构成，例如由铜制成)填充通孔的至少一部分。
根据本发明的另一示例性实施方式，提供了制造部件承载件的方法，其中，该方法包括：提供堆叠体，该堆叠体具有前侧和后侧并且包括多个堆叠的电绝缘层结构；执行从前侧到电绝缘层结构(特别是到电绝缘层结构的第一部分中)中的第一激光钻孔，从而在堆叠的电绝缘层结构中形成盲孔；此后执行从后侧到电绝缘层结构(特别是到电绝缘层结构的第二部分中)中的第二激光钻孔，从而使盲孔延伸成激光通孔。激光通孔可以被形成为在其内部部分比在其靠外部分处窄。此外，激光通孔可以延伸穿过多个电绝缘层结构，使得电绝缘层结构的每个电绝缘层结构的侧壁界定激光通孔的相应部分(或部分或部段)。该方法还可以包括用导电填充介质至少部分地填充激光通孔。
在本申请的上下文中，术语“部件承载件”可以特别地表示能够在其上和/或其中容纳一个或多个部件以用于提供机械支撑和/或电连接的任何支撑结构。换言之，部件承载件可以被配置为用于部件的机械和/或电子承载件。特别地，部件承载件可以是印刷电路板、有机内插件和IC(集成电路)基板中之一。部件承载件也可以是将上述类型的部件承载件中的不同部件承载件进行组合的混合板。
在本申请的上下文中，术语“层结构”可以特别地表示连续层、图案化层或公共平面内的多个非连续岛。
在本申请的上下文中，术语“堆叠体”可以特别地表示一个在另一个的顶部上平行地安装的多个平面层结构的布置。
在本申请的上下文中，术语“通孔”可以特别地表示完全延伸穿过整个层结构的孔，并且孔可以特别地并且优选地通过激光处理形成。因此，该通孔可以是激光通孔。这种通孔可以具有例如从电绝缘层结构的两个相反的主表面延伸的两个相反的渐缩部分。例如可以通过从层结构的前侧和后侧即从层结构的两个相反的主表面的激光照射的组合来制造通孔。可以从这些侧中的每侧执行一次或多次激光照射。从仅一个主表面通过激光处理形成通孔也是可以的。此外，也可以通过除激光处理之外的其他方法实现通孔的形成，例如通过等离子体处理来实现。
根据本发明的示例性实施方式，可以制造部分或全部填充有导电填充介质的通孔(优选地为激光通孔)，该通孔延伸穿过多个不同的电绝缘层结构。意想不到的是，将甚至由不同材料制成的和/或不同厚度的不同电绝缘层结构堆叠不会阻碍形成延伸穿过所有所述电绝缘层结构的公共通孔，特别是通过用对应的激光束首先从所述多介电层堆叠体的前侧并随后从后侧钻孔。因此，已经证明即使在具有异质特性的电绝缘层结构的堆叠体中也可以形成通孔。这是非常有利的，因为形成贯穿多个介电层的单个通孔并用导电填充介质填充该通孔显著地增加了电路设计者配置或调整部件承载件的特性的设计自由度。例如，各个介电层可以单独地被功能化，用于调整部件承载件和通孔的期望特性。这可以包括，例如，通过在钻孔(优选地激光钻孔)期间增强热量移除、减轻碳化、改进激光束或类似物对堆叠体的照射等来对介电层进行功能化。非常有利地，所产生的通孔在其内部部分可以比在其靠外部分处窄，即可以偏离完全柱形形状。利用通孔内部部分的这种局部变窄的瓶颈部，可以确保用导电填充介质填充通孔的程序适当地在堆叠体内部的通孔的变窄(或甚至最窄)部分周围创建桥结构。已经证明，这种几何形状适当地防止了在导电填充介质内形成不期望的空隙。这种空隙可能使这种导电填充介质的电和/或热性能劣化。此外，有利的是，开口的(特别是激光钻孔的)电绝缘层结构中的每个电绝缘层结构的内部侧壁都可以有助于直接界定或限定堆叠体中的通孔的相应部分。因此，特别地，可以在通孔形成(特别是激光钻孔)期间直接激光钻孔穿过堆叠的电绝缘层结构以形成通孔，而不需要在激光(或任何其他通孔形成实体)延伸所穿过的堆叠体中形成介电嵌体等。直接钻孔(优选地用激光束)穿过堆叠的电绝缘层结构来形成电绝缘层结构的内部侧壁——内部侧壁随后完全界定通孔的相应竖向部分——可以显著简化制造过程并且可以降低复杂性。
接下来，将解释部件承载件和方法的另外的示例性实施方式。
在一实施方式中，堆叠体包括芯部，该芯部特别包括完全固化的介电材料。这种芯部可以例如由FR4材料制成。芯部可以是完全固化的材料的厚介电层，其在温度升高或施加机械压力时不再凝固。
在一实施方式中，芯部不含铜箔。因此，纯粹的介电芯部可以是形成通孔的基础。
在一实施方式中，堆叠体的任一电绝缘层结构的介电材料包括下述中的一种或多种：
-树脂(特别是环氧树脂)和增强颗粒(特别是玻璃纤维)，特别是预浸材料；
-环氧衍生物(特别是
Figure BDA0002218129730000041
积层膜)；
-玻璃；
-陶瓷。
从该列表中可以得出，可以在多个介电层堆叠体中组合极其不同的介电材料，穿过该多个介电层堆叠体形成了公共通孔。因此，选择堆叠体材料的高自由度还允许适当调整部件承载件的特性，而不会损害甚至穿过作为整体的多个介电层形成镀覆通孔的自由度。
在一实施方式中，堆叠体额外地包括粘附促进层。这种粘附促进层可以被配置为用于促进堆叠体的由粘附促进层连接的两个电绝缘层和/或导电层之间的粘附。这种粘附促进层也可以是电绝缘的，并且可以是形成公共通孔所穿过的多个电绝缘层结构中的一个电绝缘层结构。所述粘附促进层可以具有在0.2μm至2μm之间的范围内的厚度。
在一实施方式中，堆叠体包括由FR4构成的芯部，由FR4构成的该芯部在其两个相反的主表面上覆盖有
Figure BDA0002218129730000051
积层膜层。FR4芯部可以提供稳定性。特别地，连接到这种芯部的ABF层作为形成公共通孔所穿过的多个电绝缘层结构中的一个电绝缘层结构可以是非常有利的。ABF可以具有卓越的电绝缘特性和导热特性，并且可以与高频应用适当兼容。此外，这种ABF材料可以不含玻璃纤维，这可以简化延伸穿过这种ABF层的通孔的形成。
在一实施方式中，堆叠体的电绝缘层结构在一起考虑时的总厚度在30μm至250μm之间的范围内，特别是在70μm至200μm之间的范围内。因此，即使具有相对厚的多介电层，也可以形成单个公共通孔。
在一实施方式中，堆叠体的电绝缘层结构中的每一个单独的电绝缘层结构具有至少10μm的厚度，特别地至少20μm的厚度。因此，不同的电绝缘层结构可以相对地薄，但是可以优选地厚于10μm或甚至20μm。
在一实施方式中，堆叠体至少在第一区域中由电绝缘层结构构成，该第一区域在通孔周围从前侧延伸直到后侧。换言之，整个通孔可以被形成在堆叠体的整个介电部分中，该整个介电部分仅由通孔延伸所穿过的所述电绝缘层结构构成。
仍然参考前述实施方式，在第二区域(不同于第一区域)中，电绝缘层结构可以由至少一个导电层结构分开。因此，堆叠体的一个或多个第二区域也可以设置有导电层结构，以改善部件承载件的电连接功能、以改进热性能和/或以改善机械稳定性。
在一实施方式中，部件承载件包括嵌入堆叠体中的部件。考虑到在形成公共通孔所穿过的堆叠体中将不同的介电材料进行组合的可能性，还可以调整部件承载件的特性，以便使部件能够同时嵌入。激光过孔形成可能会影响部件的嵌入。然而，该部件可以例如被电绝缘层结构中的一个或多个电绝缘层结构的弹性材料围绕，使得部件更容易承受在通孔形成期间施加的压力。
在一实施方式中，电绝缘层结构中的至少一个电绝缘层结构的材料被功能化。例如，电绝缘层结构中的至少一个电绝缘层结构的材料被功能化为由下述组成的组中的至少一种：机械缓冲件(其可以具有低杨氏模量值，例如小于10GPa)、热移除结构(其可以具有高导热率，例如大于2W/mK)以及低损耗高频电介质(其可以具有低DK值)。因此，不同的功能化介电材料可以进行组合来限定形成公共通孔所穿过的堆叠体。这增加了所获得的部件承载件的功能。
在一实施方式中，堆叠体的连接的电绝缘层结构之间的界面不含导电材料。例如，堆叠体可以被设置成多个堆叠的电绝缘层结构中的至少两个电绝缘层结构彼此至少部分地直接连接。特别地，不同材料的不同电绝缘层结构的介电材料可以在其之间没有金属材料的情况下彼此直接连接。
在一实施方式中，第一激光钻孔可以形成盲孔，该盲孔从前侧延伸穿过电绝缘层结构中的至少两个电绝缘层结构(例如上部电绝缘层结构和中心电绝缘层结构)的至少一部分。然后，第二激光钻孔可以延伸穿过电绝缘层结构中的至少两个电绝缘层结构(例如下部电绝缘层结构和中心电绝缘层结构)的至少一部分，从而通过从后侧连接到盲孔来完成通孔。因此，第一激光钻孔和第二激光钻孔中的每一个可以延伸穿过不止一个电绝缘层结构。
在一实施方式中，方法包括：执行延伸穿过整个第一电绝缘层结构并进入至第二电绝缘层结构的一部分中的第一激光钻孔；以及执行延伸穿过整个第三电绝缘层结构并进入至第二电绝缘层结构的另一部分中的第二激光钻孔，以便完成通孔。因此，激光钻孔穿过了三个(或甚至更多个)不同的电绝缘层结构是有可能的。在从前侧的第一钻孔过程中，激光照射可以延伸穿过整个第一电绝缘层并进入至第二电绝缘层结构的一部分中。利用从后侧的第二激光照射，激光通孔可以延伸穿过整个第三电绝缘层结构和第二电绝缘层结构的剩余部分。通过采取该措施，例如可以形成穿过中心预浸材料或FR4层的激光通孔，该中心预浸材料或FR4层在其两个相反的主表面上覆盖有ABF层。
在一实施方式中，该方法包括在前侧用第一导电层结构覆盖电绝缘层结构，并形成延伸穿过第一导电层结构的第一窗口，特别地通过激光钻孔或通过共型掩模形成。在本申请的上下文中，术语“窗口”可以特别地表示作为该导电层结构的处理结果的延伸穿过导电层结构的通孔，特别是圆形通孔。描述性地来说，激光束的能量可以移除在窗口区域中的导电层结构的材料。第一窗口的形成可以通过在第一钻孔程序中还创建盲孔的同一激光束来实现。或者，可以通过蚀刻穿过导电层结构的通孔来形成窗口。使用激光来形成窗口具有不需要额外的程序用于窗口形成的优点。使用蚀刻的窗口具有可以减少或甚至消除超出电绝缘层结构悬伸的导电层结构的优点。
在一实施方式中，该方法包括：在后侧处用第二导电层结构覆盖电绝缘层结构，以及形成延伸穿过第二导电层结构的第二窗口，特别地通过激光钻孔或通过共型掩模形成。因此，后侧上的第二窗口可以以与前侧上的第一窗口相对应的方式形成，即如上所述。
如已经提及的，部件承载件可以包括填充通孔的至少一部分的导电填充介质。优选地，导电填充介质可以包括铜或由铜构成。在一个实施方式中，整个通孔填充有铜。在另一实施方式中，通孔的仅一部分填充有铜。用导电材料填充通孔可以通过首先在界定通孔的电绝缘层结构的侧壁上形成导电材料的薄籽晶层来实现。这种籽晶层可以例如通过无电沉积或溅镀形成，以便为随后的镀覆程序制备通孔。随后，可以执行一个或多个镀覆程序以首先用导电材料加厚侧壁覆盖，随后在大致水平的方向上形成连接相反侧壁的桥。接下来依次通过用另外的导电填充介质诸如铜来填充桥结构上方和下方的剩余凹部。
特别地，导电填充材料可以包括连接电绝缘层结构的界定通孔的相对侧壁的桥结构。在本申请的上下文中，术语“桥结构”可以特别地表示下述导电结构：该导电结构在电绝缘层结构的界定通孔的相对侧壁之间大致水平地延伸，特别地处于通孔的最窄部分处或最窄部分的附近。例如，这种桥结构可以通过通孔形成之后的镀覆来形成。在这样的镀覆程序之后，先前形成的通孔仅部分地填充有构成桥结构的导电材料，使得桥结构在向上方向上由第一分界表面界定，并且在下侧由第二分界表面界定。第一分界表面和第二分界表面二者都可以具有凹形形状。通过与通孔的靠外部分相比在内部部分具有较窄部段的通孔的成型，可以促进这种桥结构的适当形成而在其内部中没有不期望的空隙。
在实施方式中，部件承载件被配置为内插件。然而由于具有多个(特别是不同的)电绝缘层结构的堆叠体相对薄，因此可以获得具有稳定形状的部件承载件，该部件承载件最佳地适合于被配置为内插件。例如，可以在堆叠体中形成上述类型的多个彼此平行地延伸并且每个延伸穿过多个电绝缘层结构并且至少部分地填充有导电填充介质的通孔，以获得具有多个竖向导电路径的内插件。
在一实施方式中，第一激光钻孔包括一次激光照射，并且第二激光钻孔包括仅一次激光照射。这对于较薄的电绝缘层结构而言可能是有利的方法，并且可以得到X形的激光通孔。因此，激光通孔的至少一部分在截面视图中基本上为X形。基本上X形的激光通孔可以通过在前侧钻孔期间执行单次激光照射并且在后侧钻孔期间执行单次激光照射来获得。
在另一实施方式中，第一激光钻孔包括一次激光照射，并且第二激光钻孔包括两次激光照射。这对于较厚的电绝缘层结构而言是优选的，并且可以得到通过激光通孔的直的内部部分连接两个靠外渐缩部分。直的部分可以在不同侧壁上具有不同的竖向长度。在这种实施方式中，激光通孔的至少一部分可以在两个相反的渐缩部段之间具有中心的基本上为柱形的部分。通过这种替代方法，激光通孔的最窄部段可以通过从后侧的额外的第三激光照射而被熔化的更宽广或更宽阔。换言之，具有所述几何形状的激光通孔可以通过首先对前侧钻孔执行一次激光照射，随后在后侧钻孔期间执行两次激光照射来获得。该方法能够进一步改进电可靠性。
在一实施方式中，部件承载件包括电绝缘层结构和至少一个导电层结构的堆叠体。例如，部件承载件可以是所提及的电绝缘层结构和导电层结构的层压体，特别是通过施加机械压力和/或热能形成的。所提及的堆叠体可以提供板状的部件承载件，该部件承载件能够为部件提供大的安装表面并且仍然非常薄且紧凑。
在一实施方式中，部件承载件被成型为板。这有助于紧凑设计，其中，部件承载件仍然为在其上安装部件提供大的基础。此外，特别地作为嵌入的或表面安装的电子部件的示例的裸晶片得益于它较小的厚度可以方便地被组装到薄板中或被安装在薄板上，诸如印刷电路板。
在一实施方式中，部件承载件被配置为由印刷电路板和基板(特别是IC基板)组成的组中的一种。
在本申请的上下文中，术语“印刷电路板”(PCB)可以特别地表示板状部件承载件，该部件承载件通过将若干导电层结构与若干电绝缘层结构层压而形成，例如通过施加压力和/或通过施加热能形成。作为用于PCB技术的优选材料，导电层结构由铜制成，而电绝缘层结构可以包括树脂和/或玻璃纤维、所谓的预浸材料诸如FR4材料。通过例如通过激光钻孔和/或机械钻孔形成穿过层压体的通孔，并且通过用导电材料(特别是铜)填充通孔，从而形成作为通孔连接的过孔，来使各个导电层结构可以以期望的方式连接至彼此。除了可以嵌入印刷电路板中的一个或多个部件之外，印刷电路板通常被配置为用于在板状印刷电路板的一个表面或两个相反表面上容纳一个或多个部件。部件可以通过焊接连接到相应的主表面。PCB的介电部分可以由具有增强纤维(诸如玻璃纤维)的树脂构成。
在本申请的上下文中，术语“基板”可以特别地表示小的部件承载件。基板可以是与PCB同等小的部件承载件，在该基板上可以安装一个或多个部件，并且该基板可以充当一个或多个芯片与另外的PCB之间的连接介质。例如，基板可以具有与待安装在其上的部件(特别是电子部件)基本上相同的尺寸(例如，在芯片尺寸封装(CSP)的情况下)。更特别地，基板可以被理解为用于电连接或电网络的承载件，以及与印刷电路板(PCB)相当的部件承载件，然而该基板具有相当高密度的横向和/或竖向布置的连接。横向连接例如是导电路径，而竖向连接可以是例如钻孔。这些横向和/或竖向连接被布置在基板内，并且可以用于提供所容置的部件或未容置的部件(诸如裸晶片)特别是IC芯片与印刷电路板或中间印刷电路板的电连接和/或机械连接。因此，术语“基板”还包括“IC基板”。基板的介电部分可以由具有增强球(诸如玻璃球)的树脂构成。
在一实施方式中，电绝缘层结构包括由下述组成的组中的至少一种：树脂(诸如增强的或非增强的树脂，例如环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂)；氰酸酯；聚亚苯基衍生物；玻璃(特别是玻璃纤维、多层玻璃、玻璃状材料)；预浸材料(诸如FR-4或FR-5)；聚酰亚胺；聚酰胺；液晶聚合物(LCP)；环氧基积层膜；聚四氟乙烯(Teflon)；陶瓷和金属氧化物。也可以使用例如由玻璃(多层玻璃)制成的增强材料诸如网状物、纤维或球体。尽管对于刚性PCB，预浸材料特别是FR4通常是优选的，但是也可以使用其他材料，特别是用于基板的环氧基积层膜。对于高频应用，高频材料诸如聚四氟乙烯、液晶聚合物和/或氰酸酯树脂、低温共烧陶瓷(LTCC)或其他低、极低或超低DK材料可以在部件承载件中作为电绝缘层结构被实施。
在一实施方式中，至少一个导电层结构包括由下述组成的组中的至少一种：铜、铝、镍、银、金、钯和钨。尽管通常优选铜，但是其他材料或其他材料的涂覆形式也是可以的，特别是涂覆有超导材料诸如石墨烯的。
至少一个部件可以被表面安装和/或可以被嵌入，并且可以选自由下述组成的组：非导电嵌体、导电嵌体(诸如金属嵌体，优选地包括铜或铝)、热传递单元(例如热管)、光导元件(例如光波导或光导体连接、电子部件或它们的组合)。例如，该部件可以是有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储装置(例如DRAM或其他数据存储器)、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、发光二极管、光电耦合器、电压转换器(例如DC/DC转换器或AC/DC转换器)、密码部件、发射器和/或接收器、机电换能器、传感器、致动器、微机电系统(MEMS)、微处理器、电容器、电阻器、电感、电池、开关、相机、天线、逻辑芯片和能量收集单元。然而，其他部件也可以嵌入该部件承载件中。例如，磁性元件可以用作部件。这种磁性元件可以是永磁元件(诸如铁磁元件、反铁磁元件、多铁性元件或亚铁磁性元件，例如铁氧体磁芯部)或者可以是顺磁元件。然而，该部件也可以是基板、内插件或另外的部件承载件，例如处于板中板配置的部件承载件。该部件可以表面安装在部件承载件上和/或可以嵌入该部件承载件的内部。
在一实施方式中，部件承载件是层压型部件承载件。在这样的实施方式中，部件承载件是通过施加压力和/或热而堆叠并连接在一起的多层结构的复合物。
基板或内插件可以由下述组成：至少一层玻璃；硅(Si)；或感光性的或可干蚀刻的有机材料，像环氧基积层膜或聚合化合物、像聚酰亚胺或苯并环丁烯。
在加工了部件承载件的内部层结构之后，可以用一个或多个另外的电绝缘层结构和/或导电层结构对称地或非对称地覆盖(特别是通过层压)经加工的层结构相反主表面的一个或两个。换言之，可以继续积层直到获得所需数量的层。
在完成电绝缘层结构和导电层结构的堆叠体的形成之后，可以继续进行对所获得的层结构或部件承载件的表面处理。
特别地，在表面处理方面，可以将电绝缘阻焊剂施加到层堆叠体或部件承载件的相反的主表面的一个主表面或两个上。例如，可以在整个主表面上形成诸如阻焊剂并随后对阻焊剂层进行图案化以便暴露一个或多个导电表面部分，该导电表面部分将用于将部件承载件电耦合到电子周缘。可以有效地防止部件承载件的保持覆盖有阻焊剂的表面部分，特别是包含铜的表面部分被氧化或腐蚀。
在表面处理方面，还可以将表面涂层选择性地施加到部件承载件的暴露的导电表面部分。这种表面涂层可以是部件承载件的表面上暴露的导电层结构(诸如焊盘、导电轨迹等，特别是包括铜或由铜构成)上的导电覆盖材料。如果让这种暴露的导电层结构是未防护的，则该暴露的导电部件承载件材料(特别是铜)可能氧化，使得部件承载件不可靠。然后例如可以将表面涂层形成为表面安装元件与部件承载件之间的界面。表面涂层具有保护暴露的导电层结构(特别是铜电路)的功能，并且使得与一个或多个部件的连接处理能够实现，例如通过焊接。用于表面涂层的适当材料的示例是OSP(有机可焊性保护剂)、ENIG(无电镀镍浸金)、金(特别是硬金)、化学镀锡、镍-金、镍-钯等。
根据下文将描述的实施方式的示例，本发明的以上所描述的方面和另外的方面是明显的，并且参考实施方式的这些示例进行解释。
附图说明
图1例示了根据本发明示例性实施方式的部件承载件的截面视图。
图2至图5例示了在执行根据本发明示例性实施方式的方法期间获得的结构的截面视图，该方法通过从相反侧进行的多次激光照射处理以及通过随后的用导电材料填充激光通孔的程序来制造具有图5中示出的镀覆的激光通孔的部件承载件。
图6例示了根据本发明的又一示例性实施方式的部件承载件的截面视图。
具体实施方式
附图中的例示是示意性的。在不同的附图中，相似或相同的元件设置有相同的附图标记。
在参考附图进一步详细描述示例性实施方式之前，将先总结提出本发明的示例性实施方式所基于的一些基本考量。
根据本发明的示例性实施方式，可以提供钻孔穿过多个介电层，特别是穿过多层芯部的通孔。电绝缘层结构中的每个电绝缘层结构可以由均质介电材料制成，该介电材料可以与电绝缘层结构中的另一个电绝缘层结构的介电材料相同或不同。因此，与传统方法相比，通孔钻孔(特别是激光通孔钻孔)可以延伸穿越一个以上的芯部介电层。这可以有助于封装件厚度的减小和材料的灵活性(例如，可以在芯部堆叠体中混合不同的材料)。因此，可以穿越多个芯部层执行通孔钻孔，多个芯部层的每一个均可以形成公共通孔的侧壁的一部分。
特别地，这可以提供芯部封装件，其中低CTE(热膨胀系数)芯部与其他介电材料诸如ABF材料组合。各个电绝缘层结构的功能化是可能的。特别是当电绝缘层结构包括低杨氏模量材料(诸如ABF)时，可以形成穿过多个电绝缘层结构的并将部件嵌入堆叠体中的激光通孔。描述性地来说，这种低杨氏模量材料可以充当机械缓冲件，用于在激光处理期间防止部件受到应力。而且，为了生产超平整部件承载件，一个或多个ABF层的实施是有利的，因为它抑制了翘曲。因此，激光通孔的形成完全不受影响。还可行的是，形成公共激光通孔所穿过的多个电绝缘层结构中的一个电绝缘层结构特别地被配置为用于热移除，即由具有高导热率的材料制成。也可以实施具有高散热性的功能化材料。这种由于高导热率而具有高散热性的材料可以例如具有大于0.8W/mK的导热率，特别是大于5W/mK的导热率。例如，可以根据本发明的示例性实施方式实施的具有高导热率的材料是罗杰斯(Rogers)材料，特别地是罗杰斯92ML系列的介电材料。
激光通孔钻孔甚至可以延伸穿越整个封装件。这可以实现设置具有较薄的芯部封装件的部件承载件。当适当地选择激光通孔的最窄部分的直径时，在激光通孔的内部中设置较窄部分可以简化用导电填充介质填充激光通孔，该导电填充介质可以特别地包括连接变窄部分中的相对侧壁的水平桥结构，而没有在导电填充介质中形成空隙和裂缝的风险。
有利地，这种穿过多个电绝缘层结构的激光通孔钻孔可以有利地与将部件嵌入这种堆叠体中相结合。另一个优点在于包括一个芯部封装件中混合材料系统的组合，以及在于将芯部材料与例如底漆树脂层相组合。根据本发明的示例性实施方式的概念可以提供进一步的芯部厚度减小，特别是在封装件中。在示例性实施方式中，芯部可以使用底漆树脂或若干(不同或相同)预浸材料层。
有利地，可以形成延伸穿过多个直接或间接堆叠的电绝缘层结构的公共激光通孔。例如，FR4芯部可以在其相反的两个主表面上覆盖有相应的ABF层。可以用前侧钻孔和后侧钻孔形成延伸穿过所有这三个电绝缘层的激光通孔。在激光钻孔时，多个电绝缘层结构的堆叠体可以在一个主表面或相反的两个主表面上覆盖铜箔或不覆盖铜箔。
当在包括多个电绝缘层结构的堆叠体上存在导电层结构诸如铜箔时，可以在形成延伸穿过多个介电层结构的激光通孔之前首先在导电层结构中形成窗口。这种窗口可以通过激光钻孔加工本身形成，或者可以通过对导电层结构图案化而形成，例如通过蚀刻形成。
尽管根据本发明示例性实施方式的部件承载件的通孔也可以通过除激光钻孔之外的其他加工(例如通过等离子体加工)来创建，但是下面参考附图描述的示例性实施方式示出了激光通孔：
图1例示了根据本发明示例性实施方式的部件承载件100的截面视图。
所例示的部件承载件100包括具有前侧104和后侧106的层压堆叠体102。堆叠体102包括多个(在所示出的实施方式中为三个)堆叠的电绝缘层结构108，多个堆叠的电绝缘层结构可以由相同或不同的介电材料制成。平面层状电绝缘层结构108中的每个电绝缘层结构可以由均质介电材料制成。如所示出的，公共的单个激光通孔110延伸穿过多个电绝缘层结构108。如图1所示出的，通孔110基本上是X形。
如所示出的，激光通孔110在其内部部分185(例如中心部分，即在竖向方向上的中心)比在其靠外部分187、189(即，激光通孔110在前侧104处和在后侧106处的部分)处窄。激光通孔110的这种形状可以例如通过下面参照图2和图3描述的制造方法来实现。导电填充介质112诸如铜填充激光通孔110。特别参考图5，还将描述如何将导电填充介质112填充到激光通孔110中而没有过多的空隙(空隙可能使导电率和/或导热率劣化并且可能促使形成不期望的裂缝)。描述性地来说，用导电填充介质112填充激光通孔110特别涉及形成桥结构(对照图5中的附图标记181)。在堆叠体102中心为激光通孔110设置最窄部分显著地简化了桥结构181的适当成型，并因此促进了用导电填充介质112基本上无空隙地填充激光通孔110。
可以连接(例如，层压或镀覆)在部件承载件100的顶侧和底侧上的导电层结构130(例如铜箔)。
同样可以从图1中看出，激光通孔110延伸穿过多个电绝缘层结构108，使得电绝缘层结构108中的每个电绝缘层结构的侧壁154界定了激光通孔110的相应部分。描述性地来说，不同的电绝缘层结构108(电绝缘层结构中的每个电绝缘层结构由均质介电材料制成)的不同介电材料可以界定激光通孔110的侧壁154的不同部分。换言之，激光通孔110可以通过由于利用激光的照射(对照图2和图3)直接移除电绝缘层结构108的介电材料而直接形成在平面电绝缘层结构108中。非常有利地，在开始激光钻孔之前在电绝缘层结构108中繁琐地形成介电嵌体可能是不必要的。这可以利用延伸穿过多个电绝缘层结构108的激光通孔的成型显著简化部件承载件的制造。
在所示出的实施方式中，堆叠体102包括由完全固化的介电材料诸如FR4制成的芯部114。芯部114的材料包括在其中具有增强颗粒诸如玻璃纤维的完全固化的(即交联的)环氧树脂。如所示出的，芯部114不含铜箔，并且仅由介电材料构成。因此，堆叠体102的中心电绝缘层结构108的介电材料可以包括固化的预浸材料，即FR4。
与此相反，两个外部导电层结构108可以由环氧衍生物诸如
Figure BDA0002218129730000171
积层膜制成。然而，电绝缘层结构108的其他材料可以是玻璃或陶瓷。在电绝缘层结构108的相邻的电绝缘层结构之间，堆叠体102可以包括一个或多个粘附促进层116(如以细节183示出的)。
如所示出的，堆叠体102因此包括作为中心电绝缘层结构108的、由例如FR4制成的芯部114，该芯部在其相反的两个主表面上覆盖有相应的其他电绝缘层结构108，该其他电绝缘层结构例如由
Figure BDA0002218129730000172
积层膜制成。
例如，堆叠体102的电绝缘层结构108在一起考虑时的总厚度D可以优选地在70μm至200μm之间的范围内。堆叠体102的电绝缘层结构108中的每一个单独的电绝缘层结构依次具有厚度d1、d2、d3。例如，d2可以在50μm至100μm之间的范围内。与此相反，d1和d3(特别地d1＝d3)可以在10μm至50μm之间的范围内，但是可以小于d2。
如所示出的，部件122嵌入在堆叠体102中。例如，部件122可以是半导体晶片。在所示出的实施方式中，部件122嵌入在芯部114中。例如，部件122可以被柔性机械缓冲结构179包围，即具有低杨氏模量值(例如在10GPa以下)的介电材料。这可以在例如激光钻孔期间减少施加到部件122的应力。
电绝缘层结构108中的至少一个电绝缘层结构的材料也可以被功能化。优选地，不同的电绝缘层结构108可以以不同的方式被功能化。例如，一个电绝缘层结构108的材料可以被配置为机械缓冲件。可以将另一电绝缘层结构108功能化以有助于热移除。又一电绝缘层结构108可以被功能化以便在高频下实现低损耗。单个电绝缘层结构108也可以包括一个以上的功能。
图1中示出的部件承载件具有的优点是激光通孔110被形成为穿过三个直接连接的电绝缘层结构108。例如，中心并且最厚的电绝缘层结构108可以是由FR4制成的芯部114。附接到最厚的中心电绝缘层结构108的两个相反主表面的两个较薄的电绝缘层结构108可以例如是ABF层。例如，可以使用具有尺寸小于5μm的填充物的RCC(树脂涂覆的铜)层。激光钻孔加工(下面参照图2至图4对其更详细地描述)以及用导电填充介质112填充激光通孔110的加工(下面参照图5对其更详细地描述)不受三个电绝缘层结构108的损坏，该三个电绝缘层结构由不同的介电材料制成并且因此在它们之间形成介电材料界面。非常有利地，可以执行钻孔首先穿过ABF层然后穿过FR4层(或反之亦然)，以实施ABF层用于稳定性和缓冲。然而，为整个芯部使用具有相同特性的材料可能使通孔的创建更耗能、耗时和/或浪费。
图2至图4例示了在执行根据本发明的示例性实施方式的方法期间获得的结构的截面视图，该方法通过从相反侧进行的多次激光照射的处理制造具有图3和图4中所示出的延伸穿过两个堆叠的电绝缘层结构108的激光通孔112的部件承载件100。图5示出了在用导电填充介质126优选为铜填充激光通孔112之后对应地形成的部件承载件100。
参照图2，对应于第一激光束168的第一激光照射从前侧104被引导到双层电绝缘层结构108上，该双层电绝缘层结构在其两个相反的主表面上覆盖有相应的导电层结构130。在界面处彼此直接连接的各个电绝缘层结构108的介电材料可以是不同的或相同的。
因此，提供了双层的两个电绝缘层结构108，其可以包括树脂(诸如环氧树脂)和可选的增强颗粒诸如玻璃纤维或玻璃球。电绝缘层结构108可以例如由完全固化的FR4材料制成，即具有已经完全交联(或至少基本上完全交联，例如交联至少95％)的树脂的材料制成，并且不能通过施加机械压力和/或热再熔化或变得可流动。电绝缘层结构108在前侧104上由第一导电层结构130覆盖。第一导电层结构130可以是金属层诸如铜箔。电绝缘层结构108在后侧106上可以由第二导电层结构130覆盖。第二导电层结构130也可以是金属层诸如铜箔。
电绝缘层结构108一起的竖向厚度D可以相对小，例如可以小于100μm(更具体地可以在40μm至60μm之间的范围内)。单独的电绝缘层结构108可以具有甚至更小的单独厚度d1和d2。已经发现，穿过这种薄的电绝缘层结构108形成激光通孔在可靠性问题方面是特别困难的，这可能由现象诸如过度悬伸152导致，这将在下面进一步详细描述。在前侧上的第一导电层结构130和在后侧上的第二导电层结构130可以是金属层，每个具有例如小于5μm，特别是在2μm至4μm之间的厚度l1和l2。
可以使由层结构108、130构成的堆叠体102经受从前侧104穿过第一导电层结构130、穿过整个上部电绝缘层结构108并且进入至下部电绝缘层结构108中的第一激光钻孔。更具体地，第一激光钻孔延伸穿过整个上部电绝缘层结构108并进入至下部电绝缘层结构108的一部分中。结果，第一窗口138形成为在第一导电层结构130中的通孔。替代性地，也可以通过蚀刻特别是使用共型掩模来形成第一窗口138。此外，在电绝缘层结构108中与第一窗口138相邻的区域中形成盲孔134。盲孔134由电绝缘层结构108的侧壁154界定。可以使用具有直径或宽度148的第一激光束168来执行该第一激光钻孔，该直径或宽度优选地在65μm至120μm之间的范围内。作为第一激光钻孔的结果，用附图标记152示意性指示的横向悬伸可以被创建为盲孔134中的喙形凹穴。悬伸152定位于下述两者之间的界面处：在图案化的第一导电层结构130中形成的第一窗口138，以及上部电绝缘层结构108的上部部分。描述性地来说，图案化的第一导电层结构130利用其第一窗口138可以横向延伸超出电绝缘层结构108一定量，该量对应于悬伸152。
如图2中所示出的，通过具有宽度148且由激光源生成的第一激光束168，在第一导电层结构130中将通孔形成为具有横向宽度150例如在65μm至120μm之间的第一窗口138。该第一激光照射还在电绝缘层结构108中形成盲孔134。在从前侧104进行的激光处理期间，应当注意选择足够小的激光功率和/或使第一激光照射足够短，以使盲孔134不会延伸直到第二导电层结构130。在这种情况(盲孔延伸直到第二导电层结构的情况)下，可能发生不期望的现象诸如激光在第二导电层结构130上反射，这可能使所制造的部件承载件100的电子性能劣化。
参照图3，可以使用激光源朝向堆叠体102的底侧发射第二激光束170来执行第二激光照射，用于从底侧打开第二导电层结构130并且用于进一步移除下部电绝缘层结构108的介电材料。因此，第二激光钻孔从后侧106延伸到电绝缘层结构108中，从而使盲孔134延伸成激光通孔110，该激光通孔延伸穿过两个电绝缘层结构108。换言之，第二激光钻孔延伸到下部电绝缘层结构108的下部部分，以完成通孔110。
尽管未在图中示出，但是在参照图2描述的过程之后，在执行从后侧106穿过第二导电层结构130并且穿过电绝缘层结构108的第二激光钻孔之前，可以将堆叠体102翻转(即，可以转动180°)。通过采取该措施，可以防止激光源必需从堆叠体102的顶侧移动到底侧。
通过第二激光照射，形成了延伸穿过第二导电层结构130的第二窗口140。替代性地，可以通过蚀刻例如使用共型掩模形成第二窗口140。此外，可以通过第二激光照射移除电绝缘层结构108的额外材料，以使盲孔134延伸成延伸穿过电绝缘层结构108的整个厚度的激光通孔110。如所示出的，第二窗口140具有的横向宽度148小于第一窗口138的横向宽度150。这是由于下述事实：第二激光束170具有的横向宽度180小于第一激光束168的横向宽度148。例如，宽度148和宽度180可以各自在45μm至100μm之间的范围内。
有利地，使用比第二激光钻孔(参考图3所描述的)宽的第一激光束168来执行第一激光钻孔(参照图2所描述的)，该第二激光钻孔使用较窄的第二激光束170来执行。执行第一激光钻孔的第一激光束168与执行第二激光钻孔的第二激光束170的宽度148、180之间的差异可以优选地在10μm至30μm之间的范围内。对应地，在第一导电层结构130中的第一窗口138与在第二导电层结构130中的第二窗口140的宽度150、148之间的差异可以优选地在10μm至30μm之间的范围内。有利地，第二激光束170的宽度180可以小于第一激光束168的宽度148。对应地，第一窗口138的宽度150可以大于第二窗口140的宽度148。
作为所描述的制造程序的结果，在第二窗口140的区域中在下述两方面之间的界面处也可以产生一定的悬伸152：该两方面中的一方面为第二导电层结构130，该两方面中的另一方面为下部电绝缘层结构108。第一导电层结构130和第二导电层结构130超出电绝缘层结构108的界定激光通孔110的侧壁154的悬伸152可以优选地不大于10μm。
此外，可以生成横向偏移作为在第一窗口138的中心与第二窗口140的中心之间的横向距离。这种横向偏移也可以存在于下述两者之间：位于电绝缘层结构108中且由第一激光钻孔引起的第一渐缩部段126的中心，以及位于电绝缘层结构108中且由第二激光钻孔引起的第二渐缩部段128的中心。
已经证明，当第二窗口140形成为具有的宽度150小于第一窗口138的宽度148时，即使一定的偏移也不会导致过度的悬伸152，特别是在第一导电层结构130处。因此，在用具有比用于前侧钻孔的激光束168的宽度148小的宽度180的第二激光束170执行后侧激光钻孔的情况下，在用导电填充介质112填充激光通孔110之后(参见图5)，可以获得已制造好的部件承载件100的高电可靠性(电可靠性可能受到过度悬伸152的负面影响)。
意想不到的，在试图保持悬伸152较小的方面，已经证明当用比第二激光钻孔低的激光功率执行第一激光钻孔时是非常有用的。
在已经用从前侧的一次激光照射完成第一激光照射(参见图2)和用从后侧的仅一次另外的激光照射完成第二激光钻孔(参见图3)之后，随后可以用导电填充介质112部分地或完全地填充如在图3中所示出的基本上X形的激光通孔110(参见图5)。可以使用在图3中所示出的结构作为起点，通过无电沉积与镀覆相结合来形成导电填充介质112。当期望简单的制造方法时，图3的实施方式特别有利，因为仅两次激光照射就足以形成基本上X形的激光通孔110。
替代性地，可以从底侧执行第二激光照射，从而得到在图4中所示出的激光通孔110的形状。这种结构可以在替代实施方式中用作使用导电填充介质112填充激光通孔110的基础。具有这种几何形状的激光通孔110的成型将在下面参考图4进一步详细描述。
参照图4，可以从底侧执行额外的第三激光照射(或从后侧106的第二激光照射)以进一步打开激光通孔110的中部直径。描述性地来说，可以用第三激光照射加宽图3的激光通孔110的最窄部段，如在图4中所示出的。这可以有助于进一步改进电可靠性，因为它简化了用导电填充介质112填充激光通孔110。因此，在图4的实施方式中，从前侧104的第一激光钻孔(参见图2)包括仅一次激光照射或由仅一次激光照射组成，并且从后侧106的第二激光钻孔(参见图3和图4)包括两次激光照射或由两次激光照射组成。由于在图4中所例示的额外的第三激光照射，所获得的激光通孔110具有在两个相反的渐缩部段126、128之间的中心基本上柱形的部段124。
因此，图4的实施方式与图3的实施方式的不同在于，从后侧106执行了额外的第三激光照射。该第三激光照射具有如下效果：图3中所示出的大体X形被延伸成图4中所示出的形状，其中激光通孔110的基本上柱形的中心部段124分别被连接至在前侧104和在后侧106上的两个相反的渐缩部段126、128。
图5例示了，基于在图4中所示出的预成型件，在用导电填充介质112填充激光通孔110之后所获得的部件承载件100的截面视图。尽管下面将参考图4中所示出的激光通孔110的几何形状来描述用导电填充介质112填充激光通孔110的程序，但是替代性地可以使用根据图3的X形激光通孔110作为用于以对应方式的该填充程序的基础。因此，接下来将描述如何在图4中所示出的激光通孔110中形成导电填充介质112，优选地为铜。
为了实现这一点，优选地首先执行无电沉积程序，从而形成直接覆盖电绝缘层结构108的界定激光通孔110的侧壁154的铜的薄籽晶层144。这可以在图5中的细节121中看到。籽晶层144的厚度可以是例如0.5μm。然而，籽晶层144还可以具有在1μm以上的厚度和/或还可以设置若干个累积的籽晶层。例如，一籽晶层的厚度或多个籽晶层的累积厚度可以在0.5μm至5μm之间的范围内。当设置多个籽晶层时，它们可包括有机(例如聚合物)层、钯层和/或铜层。籽晶层144的形成可以促进随后的电镀程序，如下所述。
随后，可以通过镀覆程序，特别是通过电镀或电流镀覆，在籽晶层144上沉积另外的导电材料(诸如铜)。因此，在侧壁154上的籽晶层144以及导电层结构130可以被导电填充介质112诸如铜的镀覆层146覆盖。例如，镀覆层146可以具有10μm的最小厚度。
在形成镀覆层146的所描述的镀覆程序期间，导电桥结构181可以与镀覆层146一体形成，作为连接电绝缘层结构108的界定激光通孔110的相对侧壁154的基本上水平的部分。如所示出的，导电桥结构181被形成为由下述所界定：向上定向或面向前侧104的凹形上部第一分界表面182，以及向下定向或面向后侧106的凹形下部第二分界表面184。形成导电桥结构181可以通过电流镀覆与镀覆层146一起执行，优选地在形成籽晶层144之后。桥结构181在激光通孔110的最窄部分中、在电绝缘层结构108的界定激光通孔110的相对侧壁154之间形成大致水平的桥。
优选地，桥结构181的最窄竖向厚度w为至少20μm。特别地，当电绝缘层结构108的厚度D相对小(特别是低于100μm)时，桥结构181的20μm的最小竖向厚度w确保了所获得的部件承载件100的适当可靠性。
此外，形成了填充第一分界表面182与前侧104之间的主要部分的第一导电块状结构186以及填充第二分界表面184与后侧106之间的主要部分的第二导电块状结构188。这可以通过在先前形成桥结构181的镀覆程序之后执行一个或多个另外的电流镀覆程序来完成。
因此，可以通过执行一个或多个另外的镀覆程序来获得根据图5的部件承载件100。由此，可以获得的可以例如由铜构成的块状结构186、188。在所示实施方式中，在所示部件承载件100的上侧或下侧分别保留较小凹陷部190、192。在其他实施方式中，块状结构186、188几乎完全填充第一分界表面182上方和第二分界表面184下方的剩余凹部。应当说，本领域技术人员公知的是，当对部件承载件100的截面成像时，分界表面182、184是清晰可见的。
由于所描述的制造程序所获得的并在图5中例示的部件承载件100因此包括：在前侧104与后侧106之间的电绝缘层结构108、在前侧104上覆盖上部电绝缘层结构108的图案化的第一导电层结构130、在后侧106上覆盖下部电绝缘层结构108的图案化的第二导电层结构130、以及激光通孔110，该激光通孔从第一导电层结构130的第一窗口138延伸穿过电绝缘层结构108并且直到第二导电层结构130的第二窗口140。激光通孔110填充有导电填充介质112。
尽管已经基于两个电绝缘层结构108——激光通孔110和导电填充介质112延伸穿过两个电绝缘层结构——描述了根据图2至图5的过程，但是本领域技术人员将理解，还可以用相同或不同材料和/或相同和/或不同厚度的三个或更多个中的任何其他数量的电绝缘层结构108执行这种过程。各电绝缘层结构108的材料和厚度的自由选择可以允许适当地调整部件承载件100的功能。
图6例示了根据本发明的又一示例性实施方式的部件承载件100的截面视图。
图6的实施方式不同于图1的实施方式，特别地在于，根据图6，堆叠体102仅在第一区域197中由电绝缘层结构108构成。第一区域197从前侧104竖向地延伸直到后侧106，并且在横向上在激光通孔110及其导电填充介质112的周围延伸。因此，整个通孔110可以形成在堆叠体102的整个介电部分中，该堆叠体在第一区域197中仅由通孔110延伸所穿过的所述电绝缘层结构108构成。此外，在不同于第一区域197的第二区域199中，电绝缘层结构108由导电层结构195(这里体现为图案化的铜箔)分开。因此，第二区域199设置有导电层结构195，以有助于部件承载件100的电连接功能等。
应当注意，术语“包括”不排除其他元件或步骤，并且冠词“一(a)”或“一(an)”不排除多个的情况。关于不同实施方式描述的元件也可以结合。
还应注意，权利要求中的附图标记不应被解释为限制权利要求的范围。
本发明的实施不限于附图所示和上文所述的优选实施方式。相反，即使在基本上不同的实施方式的情况下，使用所示出的方案和根据本发明的原理的各种变型也是可能的。

Claims (27)

1.一种部件承载件(100)，其中，所述部件承载件(100)包括：
堆叠体(102)，所述堆叠体具有前侧(104)和后侧(106)并且包括多个堆叠的电绝缘层结构(108)；
通孔(110)，所述通孔在其内部部分(185)比在其靠外部分(187、189)处窄，并且所述通孔延伸穿过多个电绝缘层结构(108)，使得所述电绝缘层结构(108)中的每个电绝缘层结构的侧壁(154)界定所述通孔(110)的相应部分；以及
导电填充介质(112)，所述导电填充介质填充所述通孔(110)的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，其中，所述堆叠体(102)包括芯部(114)，所述芯部特别地包括基本上完全固化的介电材料。
3.根据权利要求2所述的部件承载件(100)，其中，所述芯部(114)不含铜箔。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述电绝缘层结构(108)包括下述中的一种或多种：
-树脂和增强颗粒，特别是预浸材料；
-环氧衍生物；
-玻璃；
-陶瓷；
-干膜材料；
-光-液基材料；以及
-功能化介电材料。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述堆叠体(102)包括粘附促进层(116)。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述堆叠体(102)包括由FR4构成的芯部(114)，由FR4构成的所述芯部在其两个相反的主表面上覆盖有环氧衍生物层。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述堆叠体(102)的所述电绝缘层结构(108)的总厚度(D)在30μm至250μm之间的范围内，特别地在70μm至200μm之间的范围内。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述堆叠的电绝缘层结构(108)中的每一个单独的电绝缘层结构具有的厚度(d1、d2、d3)为至少10μm，特别是至少20μm。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述堆叠体(102)至少在第一区域(197)中由所述电绝缘层结构(108)构成，所述第一区域在所述通孔(110)周围从所述前侧(104)延伸直到所述后侧(106)。
10.根据权利要求9所述的部件承载件(100)，其中，在第二区域(199)中，所述电绝缘层结构(108)通过至少一个导电层结构(195)分开。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的部件承载件(100)，包括嵌入所述堆叠体(102)中的部件(122)，特别是嵌入所述堆叠的电绝缘层结构(108)中的至少一个电绝缘层结构中的部件。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述电绝缘层结构(108)中的至少一个电绝缘层结构的材料被功能化。
13.根据权利要求12所述的部件承载件(100)，其中，所述电绝缘层结构(108)中的至少一个电绝缘层结构的材料被功能化为由下述组成的组中的至少一种：机械缓冲件、热移除结构和低损耗高频电介质。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述堆叠体(102)的相互连接的电绝缘层结构(108)之间的界面不含导电材料。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述通孔(110)为基本上X形。
16.根据权利要求1至14中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述通孔(110)具有在两个相反的渐缩部段(126、128)之间的内部基本上柱形的部段(124)。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述导电填充介质(112)包括桥结构(181)，在所述通孔(110)的较窄的特别是最窄的内部部分(185)中，所述桥结构在所述电绝缘层结构(108)的界定所述通孔(110)的相反侧壁(154)之间形成基本上水平的桥。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的部件承载件(100)，所述部件承载件被配置为内插件。
19.根据权利要求1至18中任一项所述的部件承载件(100)，包括下述特征中的至少一种：
所述通孔(110)是激光通孔；
所述部件承载件(100)包括表面安装在所述堆叠体(102)上和/或嵌入所述堆叠体中的至少一个部件(122)，其中，所述至少一个部件(122)特别地选自由下述组成的组：电子部件、非导电和/或导电嵌体、传热单元、导光元件、能量收集单元、有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储装置、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、电压转换器、密码部件、发射器和/或接收器、机电换能器、致动器、微机电系统、微处理器、电容器、电阻器、电感、累加器、开关、相机、天线、磁性元件、另外的部件承载件(100)和逻辑芯片；
其中，所述堆叠体(102)的至少一个导电层结构(130、195)包括由下述组成的组中的至少一种：铜、铝、镍、银、金、钯和钨，所提及材料中的任一种可选地涂覆有超导材料诸如石墨烯；
其中，所述电绝缘层结构(108)中的至少一个电绝缘层结构包括由下述组成的组中的至少一种：树脂，特别是增强或非增强树脂，例如环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂、FR-4、FR-5；氰酸酯；聚亚苯基衍生物；玻璃；预浸材料；聚酰亚胺；聚酰胺；液晶聚合物；环氧基积层膜；聚四氟乙烯；陶瓷和金属氧化物；
其中，所述部件承载件(100)被成型为板；
其中，所述部件承载件(100)被配置为由印刷电路板和基板组成的组中的一种；
其中，所述部件承载件(100)被配置为层压型部件承载件(100)。
20.一种制造部件承载件(100)的方法，其中，所述方法包括：
提供堆叠体(102)，所述堆叠体具有前侧(104)和后侧(106)并且包括多个堆叠的电绝缘层结构(108)；
执行从所述前侧(104)到所述电绝缘层结构(108)中的第一激光钻孔，从而在所述堆叠的电绝缘层结构(108)中形成盲孔(134)；
此后，执行从所述后侧(106)到所述电绝缘层结构(108)中的第二激光钻孔，从而将所述盲孔(134)延伸成激光通孔(110)，所述激光通孔在其内部部分(185)比在其靠外部分(187、189)处窄，并且所述激光通孔延伸穿过多个电绝缘层结构(108)，使得所述电绝缘层结构(108)中的每个电绝缘层结构的侧壁(154)界定所述激光通孔(110)的相应部分；以及
用导电填充介质(112)至少部分地填充所述激光通孔(110)。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述方法包括：
执行所述第一激光钻孔，以延伸穿过整个第一电绝缘层结构(108)并进入到第二电绝缘层结构(108)的一部分中；
执行所述第二激光钻孔，以延伸穿过整个第三电绝缘层结构(108)并进入到所述第二电绝缘层结构(108)的另一部分中，以完成所述通孔(110)。
22.根据权利要求20或21所述的方法，其中，所述方法包括：
在所述前侧(104)处用第一导电层结构(130)覆盖所述电绝缘层结构(108)；以及
形成延伸穿过所述第一导电层结构(130)的第一窗口(138)，特别地通过激光钻孔或通过共型掩模形成所述第一窗口。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述方法包括：
在所述后侧(106)处用第二导电层结构(130)覆盖所述电绝缘层结构(108)；以及
形成延伸穿过所述第二导电层结构(130)的第二窗口(140)，特别地通过激光钻孔或通过共型掩模形成所述第二窗口。
24.根据权利要求20至23中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：通过一次激光照射执行所述第一激光钻孔，以及通过仅一次另外的激光照射执行所述第二激光钻孔。
25.根据权利要求20至23中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：通过一次激光照射执行所述第一激光钻孔，以及通过两次激光照射执行所述第二激光钻孔。
26.根据权利要求20至25中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：
执行所述第一激光钻孔，以延伸穿过所述电绝缘层结构(108)中的至少两个电绝缘层结构的至少一部分，以便在所述堆叠体(102)中形成所述盲孔(134)；
执行所述第二激光钻孔，以延伸穿过所述电绝缘层结构(108)中的至少两个电绝缘层结构的至少一部分，以便通过连接到所述盲孔(134)来完成所述通孔(110)。
27.根据权利要求20至26中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：将所述堆叠体(102)设置成所述多个堆叠的电绝缘层结构(108)中的至少两个电绝缘层结构彼此至少部分地直接连接。
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