TWM599067U - 具有前和後側窗口大小不同的通孔的低懸伸部件承載件 - Google Patents

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向忠淼
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Abstract

部件承載件(100)，包括：電絕緣層結構(102)，該電絕緣層結構具有前側(104)和後側(106)；第一導電層結構(108)，該第一導電層結構覆蓋該電絕緣層結構(102)的前側(104)；第二導電層結構(110)，該第二導電層結構覆蓋該電絕緣層結構(102)的後側(106)；以及通孔(112)，該通孔延伸穿過該第一導電層結構(108)的第一窗口(114)、該電絕緣層結構(102)和該第二導電層結構(110)的第二窗口(116)；其中，該第二窗口(116)的寬度(118)小於該第一窗口(114)的寬度(120)；以及其中，該第一導電層結構(108)和該第二導電層結構(110)中的至少一者超出該電絕緣層結構(102)的對該通孔(112)進行限界至少一個側壁(124)的懸伸(122)不超過10µm。

Description

具有前和後側窗口大小不同的通孔的低懸伸部件承載件
本新型涉及一種部件承載件以及一種製造部件承載件的方法。
在配備有一個或多個電子部件的部件承載件的產品功能增多、並且這樣的部件的小型化程度提高以及安裝在部件承載件(諸如印刷電路板)上的部件的數量增加的情況下，越來越多地採用具有若干部件的更強大的陣列狀部件或封裝件，這些部件或封裝件具有多個觸點或連接，這些觸點之間的間隔甚至更小。操作期間去除這樣的部件和部件承載件自身生成的熱逐漸成為問題。同時，部件承載件應具有機械魯棒性和電可靠性，以甚至能在惡劣的條件下運行。所有這些要求與部件承載件及其組成部分的持續小型化密切相關。 此外，可能有利的是以適當的品質有效地接觸導電層結構和/或嵌入部件承載件中的部件。對於該目的和其他目的，可能有利的是形成可以用銅填充的機械過孔和激光過孔。 可能需要製造具有適當的電可靠性的部件承載件。
根據本新型的示例性實施方式，提供了一種部件承載件，該部件承載件包括：電絕緣層結構，該電絕緣層結構具有前側和後側；第一導電層結構，該第一導電層結構覆蓋該電絕緣層結構的前側；第二導電層結構，該第二導電層結構覆蓋該電絕緣層結構的後側；以及通孔(特別是激光通孔)，該通孔延伸穿過該第一導電層結構的第一窗口、該電絕緣層結構和該第二導電層結構的第二窗口；其中，該第二窗口的寬度小於該第一窗口的寬度；以及，其中，該第一導電層結構和該第二導電層結構中的至少一個超出該電絕緣層結構的對該通孔進行限界的至少一個側壁的懸伸不超過10µm。 根據本新型的另一示例性實施方式，提供了一種製造部件承載件的方法，其中，該方法包括：提供電絕緣層結構，該電絕緣層結構具有前側和後側，其中，該前側被第一導電層結構覆蓋並且該後側被第二導電層結構覆蓋；穿過該第一導電層結構並且從該前側進入該電絕緣層結構來實施第一激光打孔，以由此在該電絕緣層結構中形成盲孔；以及，其後，穿過該第二導電層結構並且從該後側穿過該電絕緣層結構來實施第二激光打孔，以由此使該盲孔延伸到激光通孔中；其中，使用激光束實施該第一激光打孔，該激光束的寬度大於用於該第二激光打孔的另外的激光束的寬度。 在本申請的上下文中，術語“部件承載件”可以特別地指能夠在其上和/或其中容納一個或多個部件的任何支撐結構，以用於提供機械支撐和/或電連接。換言之，部件承載件可以被構造為用於部件的機械和/或電子承載件。特別地，部件承載件可以是印刷電路板、有機插入件以及IC(集成電路)基板中的一者。部件承載件還可以是結合了上述類型的部件承載件中的不同部件承載件的混合板。 在本申請的上下文中，術語“層結構”可以特別地指連續層、圖案化層或公共平面內的多個非連續島狀件。 在本申請的上下文中，術語“窗口”可以特別地指通孔，特別是圓形通孔，該通孔由於導電層結構的處理而延伸穿過這種導電層結構。從描述上講，激光束的能量可以去除窗口的區域中的導電層結構的材料。 在本申請的上下文中，術語“通孔”可以特別地指完全延伸穿過整個層結構的孔，並且“通孔”可以特別地並且優選地通過激光加工形成。因此，通孔可以是激光通孔。這種通孔可以具有例如從電絕緣層結構的兩個相對的主表面延伸的兩個相反的漸縮部分。可以例如通過結合從層結構的前側和後側即從其兩個相對的主表面進行的激光照射來製造通孔。可以從這些側中的每側進行一次或多次激光照射。還可以僅從一個主表面通過激光加工形成通孔。此外，還可以通過除激光加工以外的其他方法例如通過等離子體處理進行通孔的形成。 在本申請的上下文中，窗口和第一激光束或第二激光束各自的術語“寬度”可以分別特別指優選的圓形的窗口的直徑(特別是最大直徑)和優選的圓形的第一激光束或第二激光束的直徑(特別是最大直徑)。 在本申請的上下文中，術語“懸伸”可以特別地指導電層結構中緊鄰相應窗口的相應一個導電層結構的局部長度，導電層結構沿著該局部長度側向延伸超出(或以懸臂方式自由地懸置)電絕緣層結構。因此，由於在懸伸的導電層結構下方的袋區中存在通孔的一部分，相應導電層結構的懸伸材料在懸伸的延伸方向上可能局部地不由電絕緣層結構的材料支撐。關於上文所述的懸伸材料可能局部不受支撐，應該說懸伸可能涉及相應導電層結構下方基本無樹脂的區域。然而，本領域技術人員將理解，在與懸伸相關的間隙內甚至可能存在一些殘留樹脂。為了定量地確定或測量懸伸的值，可以測量在懸伸的導電層結構正下方的基本上不含樹脂(其中，樹脂可以指電絕緣層結構)的底切(特別地，即使其不是懸伸的導電層結構下方回退得最深的點或完全去除，例如銅層)的長度。換言之，為了測量懸伸，可以測量導電層結構正下方的底切。 在本申請的上下文中，術語“前側相對於後側偏移”可以特別地指在前側打孔和後側打孔期間激光束的中心之間的側向位移。因此，“偏移”還可以指電絕緣層結構中的激光通孔與在前側和後側上延伸穿過導電層結構的窗口的局部孔的中心之間的側向位移。利用足夠小的偏移值(優選地低於15µm)，可以實現填充有導電材料的激光通孔的高電可靠性。 根據本新型的示例性實施方式，提供了一種用於製造具有通孔的部件承載件的製造方法，其中該通孔(其可以至少部分地填充有導電材料)的的可靠性高。通常可能出現的是，在通過結合從電絕緣層結構的前側和後側的激光打孔的通孔形成期間，在電絕緣層結構的相對的主表面上的一個或兩個導電層結構出現顯著側向懸伸，該側向懸伸在電絕緣層結構中的通孔的相鄰側壁上方。當用導電材料填充通孔時，這通常可能引起可靠性問題。當這樣的懸伸過大時，特別地在相應的導電層結構與電絕緣層結構之間的界面處的喙形縫隙可以在用導電材料填充通孔的鍍覆程序等期間保持部分未填充。結果，由填充有金屬的通孔提供的電連接的可靠性可能較差。然而，本新型的示例性實施方式基於以下發現：當在後側打孔期間的激光直徑被選擇成小於在前側打孔期間的激光束直徑時，在前側上第一導電層結構中相應形成的窗口可以比在後側上導電層結構中的窗口更大。反過來，這可能對抑製過度的懸伸具有積極影響。加上必要的變更，這還可以應用於形成通孔的其他方法，例如使用等離子體。此外，當在前側上第一導電層結構中的第一窗口被選擇成大於在後側上第二導電層結構中的第二窗口時，在激光打孔期間從前側和後側相對於部件承載件的預製件精確對準激光設備的要求可以變得寬鬆。通常地，有利的是當在前側打孔和後側打孔期間時電絕緣層結構與激光設備之間的側向偏移盡可能小。否則，可能會產生過度的懸伸。然而，根據本新型的示例性實施方式，實施形成比後側窗口更大的前側窗口的製造架構，已經表明即使在前側打孔和後側打孔期間電絕緣層結構與激光設備之間也具有更大的偏移值，可以獲得10µm或更小的足夠小的懸伸。此外，在偏移控制方面的這種寬鬆的要求可以使得根據本新型的示例性實施方式的製造架構簡單且準確。 從描述上講，如果後側上的導電層結構的窗口小於前側上的導電層結構的窗口，甚至在分別從前側和後側打孔的通孔的部分之間的一定的前側相對於後側偏移不會導致明顯的懸伸，特別地不會在前側導致明顯的懸伸(還比較圖5和圖6)。結果，即使存在一定的偏移，也可以獲得高電可靠性。 根據示例性實施方式，調節延伸穿過導電層結構的頂部窗口和底部窗口的兩個不同直徑。優選地，底側處的直徑可以小於頂側處的直徑。通過採取這種措施，可以解決由於頂部-底部配準問題導致的潛在可靠性風險，並且甚至可以遵守嚴格的規格。甚至在不對用於通過前側打孔和後側打孔形成通孔的激光機器進行修改的情況下這也可以是可能的。特別地，通過在頂部處的窗口大小與底部處的窗口大小之間使用不同的直徑，相應的製造架構可以幫助減少來自配準移位問題的影響。因此，可以確保通孔仍保持在預定規格內。同時，可以提高所製造的部件承載件的可靠性。根據本新型的示例性實施方式採取的簡單措施可以減少製造部件承載件所需的工作量和時間，因為可以在處理方面經相對簡單的修改來使用現有硬件。有利地，本新型的示例性實施方式可以實施於基本上任何電子應用，其中通孔用於獲得所製造的部件承載件的可靠性改進。 在下文中，將解釋該部件承載件和該方法的另外的示例性實施方式。 在一實施方式中，第一窗口與第二窗口的寬度之間的差在介於5µm至50µm之間的範圍內，特別地在介於10µm中30µm之間的範圍內。相應地，實施第一激光打孔的第一激光束與實施第二激光打孔的第二激光束的寬度之間的差可以在介於5µm至50µm之間的範圍內，特別地在介於10µm至30µm之間的範圍內。當前側與後側上的導電層結構中的窗口寬度之間的差變得太小時，對減少的懸伸和對準精度方面的降低的要求的影響也變得太小。然而，當前側與後側上的導電層結構中的窗口之間的差變得太大時，激光通孔的形狀變得太不對稱，這可能劣化電可靠性並且也劣化所需的對準精確度降低方面的改進。因此，特別有利的是前側窗口大小與後側窗口大小之間的差為5µm至50µm，優選地在介於10µm至30µm之間。 在一實施方式中，第一窗口的寬度在介於50µm至200µm之間的範圍內，特別地在介於65µm至120µm之間的範圍內。相應地，第一激光束的寬度可以在介於50µm至200µm之間的範圍內，特別地在介於65µm至120µm之間的範圍內。當前側上的第一窗口的絕對值在上述範圍內時，由於第一窗口與第二窗口的大小之間的差導致的前述效果特別顯著。更通常地說，當一方面第一窗口和第二窗口的寬度的差與另一方面第一窗口的開口大小的絕對值之間的比率在介於10%至30%之間時，可以獲得對電可靠性的較大影響。 在一實施方式中，第二窗口的寬度在介於40µm至150µm之間的範圍內，特別地在介於45µm至100µm之間的範圍內。相應地，第二激光束的寬度可以在介於40µm至150µm之間的範圍內，特別地在介於45µm至100µm之間的範圍內。優選地，第一窗口的寬度與第二窗口的寬度之間的比率可以大於1且不大於1.6，優選地在介於1.1至1.5之間的範圍內，以便實現非常好的結果。 在一實施方式中，第一導電層結構和第二導電層結構中的每一者超出電絕緣層結構中的激光通孔的各個側壁的懸伸不超過20µm，特別地不超過15µm，更特別地不超過10µm。換言之，懸伸的上述值可以存在於第一導電層結構與電絕緣層結構之間的界面處以及第二導電層結構和電絕緣層結構之間的界面處，在兩種情況下，存在於激光通孔的圓周周圍。當前側和後側上的所有懸伸值小於20µm時，特別地可以獲得部件承載件的適當的電可靠性。然而，當所有這些懸伸值都低於15µm或甚至更優選地低於10µm時，可以獲得甚至更顯著的可靠性。因此，有利的是，相應地選擇在形成第一窗口和第二窗口期間的工藝參數。 在一實施方式中，第一導電層結構超過至少一個側壁、特別地超過各個側壁的懸伸不超過10µm。當在前側上在激光通孔的整個圓周周圍的懸伸小於10µm時，所獲得的部件承載件顯示出高電可靠性。已經表明，特別地前側懸伸對於可靠性而言是至關重要的，特別是在存在一定側向偏移的情況下。 在一實施方式中，部件承載件包括填充激光通孔的至少一部分的導電填充材料。優選地，導電材料可以包括銅或由銅組成。在一實施方式中，整個激光通孔填充有銅。在另一實施方式中，只有激光通孔的一部分填充有銅。用導電材料填充激光通孔可以通過首先在電絕緣層結構的對激光通孔進行限界的側壁上形成導電材料的薄種子層來實現。這樣的種子層可以例如通過無電沉積或濺射形成，以便為隨後的鍍覆程序準備激光通孔。隨後，可以實施一個或多個鍍覆程序，以首先利用導電材料來加厚側壁覆蓋度，然後形成在大致水平的方向上連接相對的側壁的橋。反過來，這之後可以在通過用諸如銅之類的另外的導電填充介質來填充橋結構上方和下方的剩餘凹部之後。 在一實施方式中，導電填充材料包括連接電絕緣層結構的對激光通孔進行限界的相對的側壁的橋結構。在本申請的上下文中，術語“橋結構”可以特別地指在電絕緣層結構的相對的側壁之間大致水平地延伸並且對激光通孔進行限界的導電結構，特別是在激光通孔的最窄部分處或者靠近其最窄部分處的導電結構。例如，這樣的橋結構可以通過在激光通孔形成之後進行鍍層來形成。在這樣的鍍覆程序之後，先前形成的激光通孔僅部分地填充有構成橋結構的導電材料，使得橋結構可以在向上方向上通過第一分界表面來限界並且在下側通過第二分界表面來限界。第一分界表面和第二分界表面都可以具有凹形形狀。 在一實施方式中，橋結構的最窄豎向厚度為至少20µm。已經表明，特別地在100µm厚或更薄的厚度的薄型電絕緣層結構中存在激光通孔的部件承載件特別容易出現可靠性問題。這似乎是由於完全延伸穿過的這樣的薄型電絕緣層結構(諸如薄芯)的激光通孔的形狀。然而，已經驚人地發現，當連接電絕緣層結構的對激光通孔進行限界的相對的側壁的橋結構的最窄豎向厚度為20µm或更大時，則不再出現這樣的可靠性問題，即使是在厚度不超過100µm的薄型電絕緣層結構中形成激光通孔的情況下。因此，上述設計規則顯著提高了銅填充的激光過孔——特別地但不限於薄芯——的可靠性。 在一實施方式中，激光通孔的至少一部分在截面圖中是大致X形的。通過在前側打孔期間實施單次激光照射並且在後側打孔期間實施單次激光照射，可以獲得大致X形的激光通孔。雖然常規地填充這樣的X形激光通孔特別是在這樣的激光通孔的最窄部分中是一個挑戰，但是當從後側實施具有更大打孔窗口的所描述的激光打孔時，與從前側相比，這種挑戰變得更加寬鬆。 相應地，第一激光打孔可以包括一次激光照射，第二激光打孔也可僅包括一次激光照射。採取這種措施可能特別適用於較薄的電絕緣層結構(例如具有低於100µm的厚度)。這樣的兩次激光照射的方法可以以較小的工作量產生X形的激光通孔(比較圖2)。 在另一實施方式中，激光通孔的至少一部分在兩個相反的漸縮部分之間具有大致柱形中心部分。通過這樣的替代方法，通過從後側進行的另外的第三激光照射，可以致使激光通孔的最窄部分變得更廣或更寬。換言之，通過首先實施前側打孔的一次激光照射，然後實施後側打孔的兩次激光照射，可以獲得具有所描述的幾何形狀的激光通孔。這個方法可能能夠進一步提高電可靠性(比較圖3)。 相應地，第一激光打孔可以包括一次激光照射，並且第二激光打孔包括兩次激光照射。採取這種措施可能特別適用於較厚的電絕緣層結構(例如具有高於100µm的厚度)。這樣的三次激光照射的方法可以產生具有由激光通孔的直的中心部分連接的兩個外部漸縮部分的幾何形狀。直的部分可以在不同的側壁上具有不同的豎向長度。 在一實施方式中，激光通孔具有不超過20µm的前側相對於後側偏移，特別地在介於15µm至20µm之間的範圍內。在本申請的上下文中，術語“前側相對於後側偏移”可以特別地指在前側打孔和後側打孔期間的激光束(以及因此激光通孔的局部孔的)的中心之間的側向位移。利用甚至低於20μm的偏移值，由於在前側打孔期間形成的與在後側打孔期間形成的窗口相比更大的窗口，可以實現填充有導電材料的激光通孔的高電可靠性。例如通過在激光打孔期間將部件承載件(例如板件)的預製件夾緊到安裝基座，可以保證較小的偏移。 特別是在部件(諸如具有焊盤的半導體芯片)的嵌入方面，部件承載件的電可靠性的要求特別顯著，因為這樣的嵌入式部件可能需要從前側和/或從後側進行的電連接。填充有導電材料的上述激光通孔可以有助於這樣的電連接。因此，導電地填充激光通孔的改進的精度和可靠性轉化為在部件承載件中的嵌入部件方面的改進的可靠性。 在一實施方式中，第一激光打孔以比第二激光打孔更低的激光功率進行。已經表面，當前側打孔期間(其中較大的窗口大小形成)的激光功率被選擇成低於在後側較小的窗口的形成期間使用的激光功率時，對懸伸減少和因此電可靠性的改進的影響特別大。換言之，可以利用比較小窗口大小形成更小的激光功率來有利地實施大窗口形成。令人驚訝的是，這種參數組合(即在前側打孔期間較大激光束大小與較低功率的組合，相較於在後側打孔期間較高激光功率與較小激光束大小的組合)可能由於減少懸伸而導致電可靠性的進一步改進。 在一實施方式中，通孔的側向最窄部分可以相對於前側和後側在豎向上不對稱地定位，特別是可以定位成更靠近前側而不是後側，或者可以定位成更靠近後側而不是前側。相應地，可以實施第一激光打孔和第二激光打孔，使得通孔的側向最窄部分相對於前側和後側在豎向上不對稱地定位。因此，通孔的最窄部分可以是不對稱的，即不在通孔的中間，而是在頂側或底側處。這可以通過相應地構造激光能量、激光直徑和從前側和後側進行的照射的數量來調整： - 在一實施方式中，第一激光打孔是以比第二激光打孔更小的激光能量來實施的，使得通孔的側向最窄部分定位成更靠近前側而不是後側。因此，在從具有較大直徑的頂部主表面進行柔和的第一照射的情況下，通孔的最窄部分可以定位成更靠近頂部主表面，隨後從具有較小直徑的底部主表面進行更強的第二照射。結果，通孔的中心或最窄部分可以移位到底部。 - 在另一實施方式中，利用第一激光照射從前側實施第一激光打孔，並且第一激光打孔具有比從前側進行的隨後的第二激光照射更小的能量和更大的激光直徑，然後利用激光直徑小於第一激光照射的並且大於第二激光照射的另外的激光從後側照射實施第二激光打孔，使得通孔的側向最窄部分被定位成更靠近後側而不是前側。因此，具有大直徑和低能量的第一頂部照射之後可以是具有更小直徑和更高能量的第二頂部照射(其更深入而不會破壞敞開的腔體的側壁並且不會產生更大的懸伸)。更隨後地，可以使第三照射成為第一底部照射，其具有較小的直徑以與先前形成的盲過孔連接。因此，通孔的中心或最窄部分可以移位到底部。 當實施鍍層工藝時，通孔的這樣的幾何形狀也可以導致在豎向高度水平上形成側向連接電絕緣層結構的對通孔進行限界的相對的側壁的橋結構，在該豎向高度上，到第一主表面的距離不同於到第二主表面的距離。這可以促進定位在通孔的豎向中心之外的自由懸置的、不對稱的橋結構的形成。 在一實施方式中，第一激光打孔是以比第二激光打孔更短的激光照射來實施的。在這樣的實施方式中，還可以在前側打孔和後側打孔期間保持激光功率相同，但是通過調節照射到部件承載件的預製件上的激光脈衝的時間長度來調節定時。 在一實施方式中，該部件承載件包括至少一個電絕緣層結構和至少一個導電層結構的疊置件。例如，部件承載件可以是所描述的一個或多個電絕緣層結構和一個或多個導電層結構的層壓體，特別是通過施加機械壓力和/或熱能形成的層壓體。上述疊置件可以提供能夠為另外的部件提供大安裝表面但仍然非常薄且緊湊的板狀部件承載件。 在一實施方式中，部件承載件成形為板。這有助於緊湊設計，不過其中部件承載件提供用於在其上安裝部件的大基底。此外，特別是作為嵌入式電子部件的示例的裸晶片由於其厚度小而可以方便地嵌入到薄板(諸如印刷電路板)中。 在一實施方式中，部件承載件被構造為由印刷電路板和基板(特別是IC基板)組成的組中的一者。 在本申請的上下文中，術語“印刷電路板”(PCB)可以特別地指板狀部件承載件，其通過將若干導電層結構與若干電絕緣層結構進行層壓——例如通過施加壓力和/或通過供應熱能——而形成。關於PCB技術的優選材料，導電層結構由銅製成，而電絕緣層結構可以包括樹脂和/或玻璃纖維、所謂的預浸料(諸如FR4材料)。可以形成通過層壓體的通孔——例如通過激光打孔或機械鑽孔形成——並通過用導電材料(特別是銅)填充這些通孔來以期望的方式將各個導電層結構彼此連接，從而形成作為通孔連接的過孔。除了可以嵌入在印刷電路板中的一個或多個部件中之外，印刷電路板通常還被構造成在板狀印刷電路板的一個或兩個相對的表面上容納一個或多個部件。部件可以通過焊接連接至相應的主表面。PCB的介電部分可以由具有增強纖維(諸如玻璃纖維)的樹脂構成。 在本申請的上下文中，術語“基板”可以特別地指與待安裝在其上的部件(特別是電子部件)具有大致相同的大小的小型部件承載件。更具體地，基板可以理解為用於電連接或電網絡的承載件以及與印刷電路板(PCB)相當的部件承載件，但側向和/或豎向佈置的連接的密度高得多。側向連接例如為傳導路徑，而豎向連接可以為例如鑽孔。這些側向和/或豎向連接佈置在基板內，並可以用於提供容置部件或未容置部件(例如裸晶片)(特別是IC芯片)與印刷電路板或中間印刷電路板的電和/或機械連接。因此，術語“基板”還包括“IC基板”。基板的介電部分可以由具有增強顆粒(諸如玻璃顆粒)的樹脂構成。 在一實施方式中，過至少一個電絕緣層結構包括由樹脂(諸如增強或非增強樹脂，例如環氧樹脂或雙馬來酰亞胺-三嗪樹脂、氰酸酯)、聚亞苯基衍生物、玻璃(特別是玻璃纖維、多層玻璃、玻璃狀材料)、預浸料材料(諸如FR-4或FR-5)、聚酰亞胺、聚酰胺、液晶聚合物(LCP)、環氧基增強膜、聚四氟乙烯(Teflon)、陶瓷和金屬氧化物組成的組中的至少一者。也可以使用增強材料，諸如幅材、纖維或球體，例如由玻璃(多層玻璃)製成。雖然剛性PCB通常優選使用預浸材料，特別是FR4，但基板也可以使用其他材料，特別是環氧基增強膜。對於高頻應用，可以在部件承載件中實施高頻材料諸如聚四氟乙烯，液晶聚合物和/或氰酸酯樹脂，低溫共燒陶瓷(LTCC)或其他低、非常低或超低DK材料作為電絕緣層結構。 在一實施方式中，該導電層結構中的至少一者包括由銅、鋁、鎳、銀、金、鈀和鎢組成的組中的至少一者。儘管通常優選的是銅，但其他材料或其塗覆形式也是可能的，特別是塗覆有諸如石墨烯之類的超導材料。 該至少一個部件可以選自由不導電嵌體、導電嵌體(諸如金屬嵌體，優選地包括銅或鋁)、傳熱單元(例如熱管)、光導元件(例如光波導或光導體連接件、電子部件或其組合)組成的組。例如，部件可以是有源電子部件、無源電子部件、電子芯片、存儲設備(例如DRAM或另一數據存儲器)、濾波器、集成電路、信號處理部件、功率管理部件、光電接口元件、發光二極管、光電耦合器、電壓轉換器(例如DC/DC轉換器或AC/DC轉換器)、密碼部件、發射器和/或接收器、機電換能器、傳感器、致動器、微機電系統(MEMS)、微處理器、電容器、電阻器、電感、電池、開關、攝像機、天線、邏輯芯片和能量收集單元。然而，可以在部件承載件中嵌入其他部件。例如，可以將磁性元件用作部件。這種磁性元件可以是永磁元件(諸如鐵磁元件、反鐵磁性元件、多鐵性元件或鐵淦氧磁元件例如鐵氧體芯)、或者可以是順磁性元件。然而，部件還可以是基板、插入件或另外的部件承載件，例如板中板構造。該部件可以表面安裝在部件承載件上和/或可以嵌入其內部。 在一實施方式中，部件承載件是層壓型部件承載件。在這種實施方式中，部件承載件是通過施加壓緊力和/或熱堆疊並連接在一起的多層結構的複合物。 基板或插入件可以由至少一層玻璃、矽(Si)、或者可光成像或可干法蝕刻的有機材料(如環氧基增強膜)或高分子化合物(如聚酰亞胺、聚苯並噁唑或苯並環丁烯)組成。 根據下文描述的實施方式的實例將理解本新型的上述方面和其他方面，參考這些實施方式的實例對這些方面進行解釋。
在參考附圖進一步詳細地描述示例性實施方式之前，將先概述發展本新型的示例性實施方式所基於的一些基本考慮。 根據本新型的示例性實施方式，可以利用經激光打孔的通孔的形狀實現可靠性提高，從而允許解決頂部到底部的配準問題。後者可能通常是由於與激光通孔一起形成的局部孔的中心之間的側向不匹配而產生的。這樣的側向不匹配也可以表示為偏移。本新型的示例性實施方式的要點是解決通常由頂部到底部過孔移位問題引起的、並且通常可能導致易於製造的部件承載件的可靠性風險的小的中間直徑。 一般而言，電絕緣層結構的底側的導電層結構中的窗口的直徑通常與在頂側處的相應導電層結構中的相應窗口的相應直徑相同。通常已經假設這樣的設計可以在銅鍍層期間產生優選的X橋形成。然而，這需要在頂側與底側之間的非常高的配準精度。 根據本新型的示例性實施方式，延伸穿過在底側上的導電層結構的窗口的直徑可以選擇為小於延伸穿過在頂側上的另一導電層結構的窗口的直徑。已經表明，這樣的製造架構可以允許獲得配準要求的更寬的窗口。即使激光通孔在頂側上的錐形部分的中心與激光通孔在底側上的錐形部分的中心之間存在例如15μm的頂部相對於底部偏移，激光通孔可以仍然形成為適當的形狀，而沒有由於大的懸伸或小的中間直徑引起的填充激光通孔的導電填充介質(諸如銅)內的夾雜物或空隙的風險。因此，本新型的示例性實施方式引入了上述窗口的底側開口直徑，該底側開口直徑選擇性地比頂側開口直徑更小(特別是在公差之外)。從描述上講，這樣的製造架構可以表示為非中心X形的孔。 已經表明，這樣的更寬的配準操作窗口可以顯著降低不期望的夾雜物的風險並且可以顯著提高電可靠性。有利地，這可以在基本上不對現有機器的苛刻的硬件修改或軟件修改的方式來完成。 特別地，本新型的示例性實施方式可以用於具有芯的HDI(高密度集成)任何層設計。在激光打孔之後，可以執行利用銅鍍層填充通孔。有利地，可以實施任何常規的激光機器以進行激光通孔技術而無需硬件升級。此外，本新型的示例性實施方式可以允許每個面板具有更高的激光打孔數，而不會增加可靠性風險。 隨著將激光通孔技術引入到部件承載件的生產中，頂部相對於底部偏移的問題已經成為影響所製造的印刷電路板或其他類型的部件承載件的品質的關鍵因素。對於常規可獲得的設備，將頂部相對於底部偏移控制在10μm內或更小的要求一直是一個挑戰。採取諸如在前側激光打孔和/或偏移激光打孔期間將板件夾持在適當位置的機械夾具的措施，以避免翹曲並因此減少頂部相對於底部偏移，可以有助於減少上述問題。然而，隨著部件承載件製造技術的發展，芯厚度進一步減少並且每個板件所需激光通孔數量增加，控制頂部相對於底部偏移可能隨著板件在激光打孔工藝期間收縮而變得更具挑戰性。本新型的示例性實施方式可以允許更寬的操作窗口並且可以在有或沒有機械夾具的情況下增加所製造的部件承載件的電可靠性。通過本新型的示例性實施方式，可以顯著減小頂側和/或底側上的懸伸的值。 圖1至圖3示出了根據本新型的示例性實施方式在實施通過從相對的側進行的多次激光照射處理製造具有圖2和圖3中示出的激光通孔112的部件承載件100的方法期間獲得的結構的截面圖。圖4示出了在用導電填充介質126優選銅填充激光通孔112之後相應形成的部件承載件100。 參考圖1，對應於第一激光束138的第一激光照射從前側引導到電絕緣層結構102上，該電絕緣層結構在其相對的兩個主表面104、106上覆蓋有相應的導電層結構108、110。 因此，提供電絕緣層結構102，該電絕緣層結構可以包括樹脂(諸如環氧樹脂)和可選的增強顆粒(諸如玻璃纖維或玻璃球)。電絕緣層結構102可以例如由完全固化的FR4材料製成，即具有已經完全交聯化並且不能通過施加機械壓力和/或熱重新熔化或變得可流動的樹脂的材料。電絕緣層結構102的前側上的第一主表面104被第一導電層結構108覆蓋，該第一導電層結構108可以是諸如銅箔之類的金屬層。在電絕緣層結構102的後側上的相對的第二主表面106可以被第二導電層結構110覆蓋，該第二導電層結構110也可以是諸如銅箔之類的金屬層。 電絕緣層結構102的豎向厚度D可以相對較小，例如可以小於100μm(更具體地，可以在介於40μm至60μm之間的範圍內)。已經發現，穿過這樣薄的電絕緣層結構102或芯的激光通孔形成在可靠性問題方面特別地困難，該可靠性問題可能由諸如過度的懸伸122的現象引起，這將在下面進一步詳細描述。第一導電層結構108和第二電絕緣層結構110可以是金屬層，每個金屬層具有例如小於5μm、特別地在介於2μm與4μm之間的厚度d1和d2。 由層結構102、108、110組成的疊置件159可以成為穿過第一導電層結構108並從前側進入電絕緣層結構102的第一激光打孔的對象。結果，在第一導電層結構108中第一窗口114被形成為通孔。此外，在與第一主表面104相鄰的區域中的電絕緣層結構102中形成盲孔136。盲孔136由電絕緣層結構102的側壁124來限界。可以使用具有優選地在介於65μm至120μm之間的範圍內的直徑或寬度148的第一激光束138來實施該第一激光打孔。作為第一激光打孔的結果，用附圖標記122示意性指示出的側向懸伸可以在盲孔136中創造為喙形袋區。懸伸122位於在圖案化的第一導電層結構108中形成的第一窗口114與電絕緣層結構102的上部部分之間的界面處。從描述上講，具有其第一窗口114的圖案化的第一導電層結構108可以以與懸伸122相對應的量側向延伸超出電絕緣層結構122。 如圖1中所示，通過具有寬度148並且由激光源產生的第一激光束138，通孔在第一導電層結構108中形成為具有例如在65μm和120μm之間的側向寬度120的第一窗口114。該第一激光照射還在電絕緣層結構102中形成盲孔136。在從前側或第一主表面104進行激光加工期間，應注意選擇足夠小的激光功率和/或使得第一激光照射足夠短以至於盲孔136不會向上延伸到第二導電層結構110。在這樣的情況下，可能出現諸如激光反射到第二導電層結構110上的不期望的現象，這可能使所製造的部件承載件100的電性能劣化。 參考圖2，可以利用激光源實施第二激光照射，該激光源朝向疊置件159的底側發射第二激光束140，以打開第二導電層結構110並且用於從底側移除電絕緣層底結構102的另外的介電材料。 儘管未在圖中示出，但是在參考圖1描述的工藝之後，在從後側或第二主表面106穿過第二導電層結構110並穿過電絕緣層結構102來實施第二激光打孔之前，可以翻轉(即，可以轉向180°)疊置件159。通過採取這種措施，可以防止激光源必須從疊置件159的頂側移動到底側。 通過第二激光照射，形成延伸穿過第二導電層結構110的第二窗口116。此外，可以通過第二激光照射移除電絕緣層結構102的附加材料，以使盲孔136延伸到延伸穿過電絕緣層結構102的整個厚度的激光通孔112中。如所示出的，第二窗口116的側向寬度118小於第一窗口114的側向寬度120。這是由於第二激光束140的側向寬度150小於第一激光束138的側向寬度148。例如，寬度118和寬度150可以都在介於45μm至100μm之間的範圍內。 有利地，使用比第二激光打孔(參考圖2描述)更寬的第一激光束138來實施第一激光打孔(參考圖1描述)，使用更窄的第二激光束140實施該第二激光打孔。實施第一激光打孔的第一激光束138的寬度148和實施第二激光打孔的第二激光束140的寬度150可以優選地在介於10μm至30μm之間的範圍內。相應地，第一導電層結構108中的第一窗口114的寬度118與第二導電層結構110中的第二窗口116的寬度120之間的差可以優選地在介於10μm至30μm之間的範圍內。有利地，第二激光束140的寬度150可以小於第一激光束138的寬度148。相應地，第一窗口114的寬度120可以大於第二窗口160的寬度118。 作為所描述的製造程序的結果，在第二窗口116的區域中也可以在一方面的第二導電層結構110與在另一方面的電絕緣層結構102之間的界面處產生某一懸伸122。第一導電層結構108的懸伸122和超出電絕緣層結構102的對激光通孔112進行限界的側壁124的第二導電層結構110可以優選地不超過10μm。細節175示出了圖2的左手側的示例的懸伸122。懸伸122的對應定義也可以應用於圖2的右手側和下側。 此外，可以產生作為第一窗口114的中心與第二窗口116的中心之間的側向距離的側向偏移(比較圖6中的附圖標記134)。這樣的側向偏移134也可以存在於電絕緣層結構102中的第一漸縮部分130的中心與電絕緣層結構102中的第二漸縮部分132的中心之間，並且該第一漸縮部分的中心由第一激光打孔導致，該第二漸縮部分的中心由第二激光打孔導致。 已經表明，當第二窗口116形成的寬度118小於第一窗口114的寬度120時，即使某一偏移134也將不會導致過度的懸伸122，特別是在第一導電層結構108處。結果，在用導電填充介質126填充激光通孔112之後(參見圖4)，可以獲得易於製造的部件承載件100的高電可靠性(這可能受到過度的懸伸122的負面影響)，當利用具有較小寬度150的第二激光束140實施後側激光打孔時，則激光束138的寬度148用於前側打孔。 令人驚訝的是，為了保持小的懸伸122，已經表明當以比第二激光打孔更低的激光功率進行第一激光打孔時是非常有用的。 在利用一次激光照射從前側完成第一激光打孔(見圖1)和利用僅一次另外的激光照射從後側完成第二激光打孔(見圖2)後，如圖2所示的大致X形的激光通孔112隨後可以部分地或完全地填充有導電填充介質126(參見圖4)。使用圖2中所示的結構作為起點，導電填充介質126可以通過無電沉積與電化學鍍覆相結合來形成。當需要簡單的製造方法時，圖2的實施方式特別有利，因為僅兩次激光照射足以形成大致X形的激光通孔112。 可替代地，可以從底側實施第二激光照射，產生圖3中所示的激光通孔112的形狀。這樣的結構可以在替代實施方式中用作利用導電填充介質126填充激光通孔112的基礎。具有這樣的幾何形狀的激光通孔112的形成將在下面參考圖3被進一步詳細描述。 參考圖3，可以從底側實施另外的第三激光照射(或從後側實施的第二激光照射)以進一步打開激光通孔112的中間直徑。從描述上講，圖2的激光通孔112的最窄部分可以利用如圖3中所示的第三激光照射加寬。這可以有助於進一步提高電可靠性，因為它簡化了用導電填充介質126填充激光通孔112。因此，在圖3的實施方式中，從前側進行的第一激光打孔(參見圖1)僅包括一次激光照射或僅由一次激光照射組成，並且從後側進行的第二激光打孔(參見圖2和圖3)包括兩次激光照射或由兩次激光照射組成。由於圖3中所示的另外的第三激光照射，所獲得的激光通孔112在兩個相反的漸縮部分130、132之間具有大致柱形的中心部分128。 因此，圖3的實施方式與圖2的實施方式的不同之處在於，從後側或第二主表面106實施另外的第三激光照射。該第三激光照射具有圖2中所示的大致X形延伸到圖3中所示的形狀中的效果，激光通孔112的大致柱形的中心部分128分別連接到在前側104和在後側106上的兩個相反的漸縮部分130、132。 圖4示出了在用導電填充介質126填充激光通孔112之後基於圖3中所示的預製件獲得的部件承載件100的截面。儘管通過導電填充介質126填充激光通孔112的程序下面將參考圖3中所示的激光通孔112的幾何形狀來描述，但是可替代地，可以使用根據圖2的X形激光通孔112以相應的方式作為該填充程序的基礎。因此，接下來將描述如何在圖3中所示的激光通孔112中形成優選銅的導電填充介質126。 為了實現這一點，優選地首先實施無電沉積程序，以由此形成直接覆蓋電絕緣層結構102的對激光通孔112進行限界的側壁124的銅的薄的種子層144。這在圖4中的細節121中可見。種子層144的厚度可以是例如0.5μm。然而，還可以提供種子層144的厚度超過1μm和/或若干累積的種子層。例如，種子層的厚度或多個種子層的累積厚度可以在介於0.5μm至5μm之間的範圍內。當提供多個種子層時，它們可以包括有機(例如聚合物)層、鈀層和/或銅層。種子層144的形成可以促進隨後的電鍍程序，如下所述。 隨後，可以通過鍍覆程序，特別是通過鍍覆或電化學鍍覆，在種子層144上沉積另外的導電材料(諸如銅)。因此，側壁124上的種子層144以及導電層結構108、110可以被導電填充介質126的鍍層146(諸如銅)覆蓋。例如，鍍層146可以具有10μm的最小厚度。 在所描述的形成鍍層146的鍍覆程序中，導電橋結構180可以與鍍層146整體形成，作為連接激光通孔112的相對的側壁124的大致水平的部分。如所示出的，導電橋結構180形成為由向上定向的或面向的第一主表面104定向的凹形的上部第一分界表面182和向下定向的或面向第二主表面106定向的凹形的下部第二分界表面184來限界。可以通過電化學鍍層與鍍層146一起實施形成導電橋結構180，優選地在形成種子層144之後實施。橋結構180在電絕緣層結構102的對激光通孔112進行限界的相對的側壁124之間、在激光通孔108的最窄部分形成大致水平的橋。 優選地，橋結構180的最窄的豎向厚度w至少為20μm。特別地，當電絕緣層結構102的厚度D較小(特別是低於100μm)時，橋結構180的20μm的最小豎向厚度w確保了所獲得的部件承載件100的適當的可靠性。 此外，形成了填充第一分界表面182與第一主表面104之間的主要部分的第一導電塊體結構186和填充第二分界表面184與第二主表面106之間的主要部分的第二導電塊體結構188。這可以通過在形成橋結構180的先前的鍍覆程序之後執行一個或多個另外的電化學鍍覆程序來完成。 因此，可以通過實施一個或多個另外的鍍覆程序來獲得根據圖4的部件承載件100。由此，可以獲得可以例如由銅構成的塊體結構186、188。在所示實施方式中，小沉降部190、192分別保持在所示部件承載件100的上側或下側。在其他實施方式中，塊體結構186、188幾乎完全地填充了第一分界表面182上方的和第二分界表面184下方的剩餘凹部。應該說技術人員所知的是，當繪製部件承載件100的截面時，該分界表面182、184清晰可見。 由於所描述的製造程序並且在圖4中示出的部件承載件100因此包括：電絕緣層結構102，該電絕緣層結構102具有前側104和後側106；圖案化的第一導電層結構108，該第一導電層結構108覆蓋電絕緣層結構102的前側104；圖案化的第二導電層結構110，該第二導電層結構110覆蓋電絕緣層結構102的後側106；以及激光通孔112，該激光通孔112延伸穿過第一導電層結構108的第一窗口114、電絕緣層結構102、以及第二導電層結構110的第二窗口116。激光通孔112填充有導電填充介質126。作為所描述的製造程序的結果，第二窗口116的寬度118小於第一窗口114的寬度120。第一窗口114與第二窗口116的寬度118、120之間的差可以優選地在介於10μm至30μm之間。第一窗口114的寬度118可以優選地在介於65μm至120之間的範圍內並且大於第二窗口116的寬度120，該第二窗口的寬度優選地在介於45μm至100μm之間的範圍內。 作為所描述的製造程序的結果，第一導電層結構108和第二導電層結構110兩者超出電絕緣層結構102中的激光通孔112的側壁124的懸伸122可以為10μm或更少。非常有利地，即使在存在某一偏移134的情況下，前側104上和後側106上的懸伸122也可以維持足夠小。這是由於激光處理被調整為使得在第一導電層結構108中形成的第一窗口114大於在後側106上的第二窗口116。 圖5示出了在實施常規製造方法時獲得的具有激光通孔202的部件承載件200的截面圖。從描述上講，圖5示出了常規的經激光打孔的通孔202的缺點和問題。更具體地，圖5示出了根據常規製造程序形成的部件承載件200的電可靠性方面的問題。如所示出的，激光通孔202形成為延伸穿過第一導電層結構204、電絕緣層結構206和第二導電層結構208。 如圖5的左手側所示，僅在不太可能的前側激光打孔與後側激光打孔之間零偏移的情況下，獲得具有高性能的激光通孔202。然而，不能實現在批處理程序中所製造的所有或甚至許多部件承載件200的零偏移。因此，圖5的左手側示出了在優選或理想條件下激光通孔202的形成，這在實踐中並不總是能夠被滿足。 圖5的中心部分示出了與顯著的頂部相對於底部偏移212相關的常規的部件承載件200的問題。特別地，在底部激光照射期間過量的激光能量可能導致在頂側處的長的懸伸210，從而在導電填充介質被填充到激光通孔202中時在導電填充介質(參見圖4中的附圖標記126)內部中引入不期望的空隙或夾雜物的潛在風險。如圖5的中心部分所示，在前側打孔與後側打孔之間的明顯的偏移212的情況下，所描述的常規製造架構導致特別是在前側上的大的懸伸210。因此，用導電材料填充圖5的中心部分中所示的激光通孔202並且沒有剩餘的空隙是一個嚴峻的挑戰。 圖5的右手側示出了由於激光能量不足並且導緻小的中間直徑的情形，參見附圖標記214。因此，激光能量不足可能導致電絕緣層結構206內部的明顯的瓶頸，在部件承載件200填充有導電填充介質時，對所製造的部件承載件200的可靠性具有甚至更不期望的影響。 圖6示出了在實施常規製造方法(左手側)和根據本新型的示例性實施方式的製造方法(中心部分、右手側)時獲得的具有激光通孔202、112的部件承載件200、100的截面圖。 在圖6的左手側，示出了常規的激光通孔202，該激光通孔202具有明顯的頂部相對於底部偏移212和相同寬度的在前側和後側上的導電層結構204、208中的窗口。偏移212可以是例如15μm至20μm。如圖6的左手側所示，通過前側打孔和後側打孔形成在前側和後側上具有相同的窗口大小的激光通孔202可能導致差的性能。 有利地，可以調節在圖6的中心部分和右手側示出的根據本新型的示例性實施方式的工藝，以便獲得第一窗口114的頂側直徑或寬度120為70μm，但是將第二窗口116的底側直徑或寬度118減小到50μm。 如圖6的中心部分所示，當通過前側的激光打孔在第一導電層結構108中形成的第一窗口114具有與在第二導電層結構110中後側打孔期間形成的第二窗口116的寬度118相比更大的尺寸或寬度120(在本示例中為70μm)時，當偏移134為零(如豎向線187所指示的)時，則僅獲得非常小的懸伸122。 圖6的右手側示出了在具有向左約15μm的偏移134/偏移移位——即有限的頂部相對於底部偏移的性能——的更關鍵的情形下本新型的示例性實施方式。然而，即使存在這種頂部相對於底部偏移134，也將非常有利地沒有過度的懸伸122，並且因此沒有夾雜物的風險。此外，如在左手側示出的常規方法中那樣，沒有由小的中間直徑引起的可靠性風險。這些有利效果可以與另外的有利效果相結合，該另外的有利效果是：根據本新型的示例性實施方式，在前側打孔和偏移打孔期間的偏移控制方面的精度要求不是非常嚴格，因為即使某一偏移134也可能產生仍然確保高電可靠性的激光通孔112幾何形狀。 圖6在右手側示意性地示出了填充大部分的激光通孔112的導電填充介質126。例如，圖6中所示的填充介質126可以以與如以上參考圖4所描述的相應的方式形成。 為了獲得適當的可靠性，優選的是，第一導電層結構108處的最大懸伸122(即，沿著第一窗口114的周邊的懸伸122的最大值)與第一窗口114的寬度120之間的比率小於20%。相應地，優選的是，第二導電層結構110處的最大懸伸122(即，沿著第二窗口116的周邊的懸伸122的最大值)與第二窗口116的寬度118之間的比率小於20%。當激光通孔112已填充有導電填充介質126時，這強烈地抑制了空隙的出現。例如，開口直徑的標稱值可以在介於70μm至85μm之間的範圍內(然而，懸伸122可以基於例如70μm的標稱值來計算)。上述設計規則在細節199中示出，該細節199示出了具有附圖標記b的最大懸伸122的值。在該實例中，上述比率將是b與50μm之間的比率。 應注意，術語“包括”不排除其他元件或步驟，並且“一”或“一種”不排除複數。另外，可以將結合不同的實施方式描述的元件進行組合。 還應注意，申請專利範圍中的附圖標記不應理解為限制申請專利範圍的範圍。 本新型的實現不限於在附圖中示出的和以上所描述的優選的實施方式。相反，即使在根本不同的實施方式中，使用所示出的方案和根據本新型的原理的各種變型也是可能的。
100:部件承載件 102:電絕緣層結構 104:主表面 106:主表面 108:導電層結構 110:導電層結構 112:激光通孔 114:第一窗口 116:第二窗口 118:側向寬度 120:側向寬度 122:懸伸 124:側壁 126:導電填充介質 128:中心部分 130:漸縮部分 132:漸縮部分 136:盲孔 138:第一激光束 140:第二激光束 144:種子層 146:鍍層 148:側向寬度 150:側向寬度 159:疊置件 180:導電橋結構 182:第一分界表面 184:第二分界表面 186:第一導電塊體結構 188:第二導電塊體結構 190:小沉降部 192:小沉降部 200:部件承載件 202:激光通孔 204:第一導電層結構 206:電絕緣層結構 208:第二導電層結構 210:懸伸 212:偏移
[圖1]至[圖4]示出了根據本新型的示例性實施方式在實施通過從相對的側進行的多次激光照射處理並且隨後通過利用導電材料填充激光通孔來製造在圖4中示出的具有經鍍層的激光通孔的部件承載件的方法期間獲得的結構的截面圖。 [圖5]示出了在實施常規製造方法時獲得的具有激光通孔的部件承載件的截面圖。 [圖6]示出了在實施常規製造方法和根據本新型的示例性實施方式的製造方法時獲得的具有激光通孔的部件承載件的截面圖。 附圖中的圖示是示意性的。在不同的附圖中，相似或相同的元件設置有相同的附圖標記。
102:電絕緣層結構
104:主表面
106:主表面
108:導電層結構
110:導電層結構
114:第一窗口
120:側向寬度
122:懸伸
124:側壁
136:盲孔
138:第一激光束
148:側向寬度
159:疊置件

Claims (16)

  1. 一種部件承載件(100)，其中，所述部件承載件(100)包括： 電絕緣層結構(102)，所述電絕緣層結構(102)具有前側(104)和後側(106)； 第一導電層結構(108)，所述第一導電層結構(108)覆蓋所述電絕緣層結構(102)的所述前側(104)； 第二導電層結構(110)，所述第二導電層結構(110)覆蓋所述電絕緣層結構(102)的所述後側(106)； 通孔(112)，特別是激光通孔(112)，所述通孔(112)延伸穿過所述第一導電層結構(108)的第一窗口(114)、所述電絕緣層結構(102)、和所述第二導電層結構(110)的第二窗口(116)； 其中，所述第二窗口(116)的寬度(118)小於所述第一窗口(114)的寬度(120)；以及 其中，所述第一導電層結構(108)和所述第二導電層結構(110)中的至少一者超出所述電絕緣層結構(102)的對所述通孔(112)進行限界的至少一個側壁(124)的懸伸(122)不超過10µm。
  2. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述第一窗口(114)的寬度(120)與所述第二窗口(116)的寬度(118)之間的差在介於5µm至50µm之間的範圍內，特別地在介於10µm至30µm之間的範圍內。
  3. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述第一窗口(114)的寬度(120)在介於50µm至200µm之間的範圍內，特別地在介於65µm至120µm之間的範圍內。
  4. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述第二窗口(116)的寬度(118)在介於40µm至150µm之間的範圍內，特別地在介於45µm至100µm之間的範圍內。
  5. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述第一導電層結構(108)和所述第二導電層結構(110)中的每一者超出所述電絕緣層結構(102)的對所述通孔(112)進行限界的各個側壁(124)的所述懸伸(122)不超過20µm，特別地不超過15µm，更特別地不超過10µm。
  6. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述第一導電層結構(108)超出至少一個側壁(124)、特別地超過各個所述側壁(124)的懸伸(122)不超過10µm。
  7. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，包括填充所述通孔(112)的至少一部分的導電填充材料(126)。
  8. 根據請求項7所述的部件承載件(100)，其中，所述導電填充材料(126)包括橋結構(180)，所述橋結構(180)連接所述電絕緣層結構(102)的對所述通孔(112)進行限界的相對的側壁(124)。
  9. 根據請求項8所述的部件承載件(100)，其中，所述橋結構(180)的最窄豎向厚度(w)為至少20µm。
  10. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述第一導電層結構(108)處的最大懸伸(122)與所述第一窗口(114)的寬度(120)之間的比率小於20%。
  11. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述第二導電層結構(110)處的最大懸伸(122)與所述第二窗口(116)的寬度(118)之間的比率小於20%。
  12. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述通孔(112)的至少一部分呈大致X形。
  13. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述通孔(112)的至少一部分具有位於兩個相反的漸縮部分(130、132)之間的大致柱形的中心部分(128)。
  14. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述通孔(112)的前側相對於後側的偏移(134)不超過20µm，特別地在介於15µm至20µm之間的範圍內。
  15. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述通孔(112)的側向最窄部分是相對於所述前側(104)和所述後側(106)在豎向上不對稱地定位的，特別地是定位成更靠近所述前側(104)而不是所述後側(106)，或者是定位成更靠近所述後側(106)而不是所述前側(104)。
  16. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，包括以下特徵中的至少一者： 所述部件承載件(100)包括表面安裝在所述部件承載件(100)上和/或嵌入所述部件承載件(100)中的至少一個部件，其中，所述至少一個部件特別地選自由電子部件、非導電嵌體和/或導電嵌體、傳熱單元、光導元件、能量收集單元、有源電子部件、無源電子部件、電子芯片、存儲裝置、濾波器、集成電路、信號處理部件、功率管理部件、光電接口元件、電壓轉換器、密碼部件、發射器和/或接收器、機電換能器、致動器、微機電系統、微處理器、電容器、電阻器、電感、蓄電池、開關、攝像機、天線、磁性元件、另外的部件承載件以及邏輯芯片組成的組； 其中，所述導電層結構(108、110)中的至少一者包括由銅、鋁、鎳、銀、金、鈀和鎢組成的組中的至少一者，所提到的材料中的任何一種可選地塗覆有諸如石墨烯之類的超導材料； 其中，所述電絕緣層結構(102)包括由樹脂，特別是增強樹脂或非增強樹脂例如環氧樹脂或雙馬來酰亞胺-三嗪樹脂；FR-4；FR-5；氰酸酯；聚亞苯基衍生物；玻璃；預浸材料；聚酰亞胺；聚酰胺；液晶聚合物；環氧基增強膜；聚四氟乙烯；陶瓷以及金屬氧化物組成的組中的至少一者； 其中，所述部件承載件(100)被成形為板； 其中，所述部件承載件(100)被構造為由印刷電路板和基板組成的組中的一者； 其中，所述部件承載件(100)被構造為層壓型部件承載件。
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