CN115942621A - 一种提高半导体加工精度的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体加工领域,且公开了一种提高半导体加工精度的方法,其包括以下步骤:步骤一、基板预制;步骤二、基板正定位;步骤三、基板正钻孔;步骤四、基板反定位;步骤五、基板反钻孔;步骤六、偏差确认。本发明,对PCB板的正面和反面进行靶点定位钻孔,使得正反面的钻孔相对应,正反面钻孔的中心坐标经过两种不同工具进行计算比对,使中心坐标偏差值控制在合理范围内,这样,可以有效解决定位孔偏钻和孔口毛刺的问题,提升钻孔对准度,从而提高产品品质。
Description
技术领域
本发明属于半导体加工领域,具体为一种提高半导体加工精度的方法。
背景技术
在半导体制作过程中,通常在钻孔前会先采用X-ray打孔的方式打定位孔,而定位孔是通过算法找到每一层板的中心位置,再根据每一层的位置计算出中心值,进行钻孔。正常情况下,采用一次钻穿的方式,从板的正面钻穿到板的反面。
由于板子多次压合,会出现层偏现象,因此每层的靶点中心值位置不同,导致打出来的定位孔会存在孔偏问题,一次钻穿也会出现孔口毛刺问题。
发明内容
要解决的技术问题:每层靶心不同导致定位孔偏差,且穿孔会有毛刺。
技术方案:本发明提供了一种提高半导体加工精度的方法,包括以下步骤:步骤一、基板预制,预制一PCB板,作为基板,留待钻孔;步骤二、基板正定位,对步骤一中的PCB板进行靶心定位,定位到PCB板正面最外层靶点的中心位置;步骤三、基板正钻孔,对步骤二中已经定位好靶点中心位置的PCB板进行钻孔,其中,钻孔深度为PCB板厚度的五分之一;步骤四、基板反定位,对步骤三中的PCB板的反面通过孔位检查机进行扫描,定位到与PCB板正面钻孔对应的中心位置;步骤五、基板反钻孔,对步骤四中的PCB板的反面进行钻孔,钻孔厚度与步骤三中的厚度相同;步骤六、偏差确认,将上述PCB板放置于钻机的垫板上,使用钻机的CCD扫描所述定位孔,获得定位孔的中心点坐标,计算孔位检查机得到的定位孔的中心点坐标和钻机的CCD扫描得到的定位孔的中心点坐标偏差值,确认偏差值在合理范围内。
进一步地,步骤二与步骤四中对PCB板的正面和反面进行靶心定位均采用激光定位的方式进行。
进一步地,步骤二与步骤四中对PCB板的正面和反面进行靶心定位均采用钻机扫描定位的方式进行。
进一步地,步骤三和步骤五中对PCB板的正面和反面进行钻孔均采用钻机进行钻孔。
进一步地,步骤三和步骤五中对PCB板的正面和反面进行钻孔时,在PCB板的待钻面覆盖涂层金属板,提取低损UC钻头,利用低损UC钻头对待钻PCB板上的涂层金属板进行钻孔。
进一步地,涂层金属板由金属铝、聚乙二醇、聚氨酯和碳酸钙组成,其中金属铝的占比为97.05%-98.0%、聚乙二醇的占比为0.75%-0.80%、聚氨酯的占比为1.10%-0.60%,碳酸钙的占比为1.10%-0.60%。
进一步地,低损UC钻头的直径为0.20-0.25mm,低损UC钻头的磨损量小于75um。
进一步地,步骤六中的孔位检查机得到的定位孔的中心点坐标和钻机的CCD扫描得到的定位孔的中心点坐标-5um<偏差值<5um。
技术效果:
本发明中,对PCB板的正面和反面进行靶点定位钻孔,使得正反面的钻孔相对应,正反面钻孔的中心坐标经过两种不同工具进行计算比对,使中心坐标偏差值控制在合理范围内,这样,可以有效解决定位孔偏钻和孔口毛刺的问题,提升钻孔对准度,从而提高产品品质。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1为本发明的现有技术结构示意图;
图2为本发明的现有技术的缺陷示意图;
图3为本发明的改进方式结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例;基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,在半导体制作过程中,通常在钻孔前会先采用X-ray打孔的方式打定位孔,而定位孔是通过算法找到每一层板的中心位置,再根据每一层的位置计算出中心值,进行钻孔。正常情况下,采用一次钻穿的方式,从板的正面钻穿到板的反面;如图2所示,由于板子多次压合,会出现层偏现象,因此每层的靶点中心值位置不同,导致打出来的定位孔会存在孔偏问题,一次钻穿也会出现孔口毛刺问题,针对这个问题,本具体实施方式提供的提高半导体加工精度的方法,如图3所示,包括以下步骤:
步骤一、基板预制,预制一PCB板,作为基板,留待钻孔;
步骤二、基板正定位,对步骤一中的PCB板进行靶心定位,定位到PCB板正面最外层靶点的中心位置,其中,靶心定位采用激光定位的方式进行或采用钻机扫描定位的方式进行;
步骤三、基板正钻孔,对步骤二中已经定位好靶点中心位置的PCB板进行钻孔,其中,钻孔深度为PCB板厚度的五分之一,钻孔采用钻机进行钻孔,钻孔时,在PCB板的待钻面覆盖涂层金属板,提取低损UC钻头,利用低损UC钻头对待钻PCB板上的涂层金属板进行钻孔,并且,涂层金属板由金属铝、聚乙二醇、聚氨酯和碳酸钙组成,其中金属铝的占比为97.05%-98.0%、聚乙二醇的占比为0.75%-0.80%、聚氨酯的占比为1.10%-0.60%,碳酸钙的占比为1.10%-0.60%,低损UC钻头的直径为0.20-0.25mm、磨损量小于75um;
步骤四、基板反定位,对步骤三中的PCB板的反面通过孔位检查机进行扫描,定位到与PCB板正面钻孔对应的中心位置,其中,靶心定位采用激光定位的方式进行或采用钻机扫描定位的方式进行;
步骤五、基板反钻孔,对步骤四中的PCB板的反面进行钻孔,钻孔厚度与步骤三中的厚度相同,钻孔采用钻机进行钻孔,钻孔的具体方式与步骤三中的相同;
步骤六、偏差确认,将上述PCB板放置于钻机的垫板上,使用钻机的CCD扫描所述定位孔,获得定位孔的中心点坐标,计算孔位检查机得到的定位孔的中心点坐标和钻机的CCD扫描得到的定位孔的中心点坐标偏差值,确认偏差值在合理范围内,这个中心点坐标偏差值范围应在-5um-5um之间。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
在本装置空闲处,安置所有电器件与其相匹配的驱动器,并且通过本领域人员,将上下述中所有驱动件,其指代动力元件、电器件以及适配的电源通过导线进行连接,具体连接手段,应参考上述表述中,各电器件之间先后工作顺序完成电性连接,其详细连接手段,为本领域公知技术。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (8)
1.一种提高半导体加工精度的方法,其特征在于,方法包括以下步骤:
步骤一、基板预制,预制一PCB板,作为基板,留待钻孔;
步骤二、基板正定位,对步骤一中的PCB板进行靶心定位,定位到PCB板正面最外层靶点的中心位置;
步骤三、基板正钻孔,对步骤二中已经定位好靶点中心位置的PCB板进行钻孔,其中,钻孔深度为PCB板厚度的五分之一;
步骤四、基板反定位,对步骤三中的PCB板的反面通过孔位检查机进行扫描,定位到与PCB板正面钻孔对应的中心位置;
步骤五、基板反钻孔,对步骤四中的PCB板的反面进行钻孔,钻孔厚度与步骤三中的厚度相同;
步骤六、偏差确认,将上述PCB板放置于钻机的垫板上,使用钻机的CCD扫描所述定位孔,获得定位孔的中心点坐标,计算孔位检查机得到的定位孔的中心点坐标和钻机的CCD扫描得到的定位孔的中心点坐标偏差值,确认偏差值在合理范围内。
2.根据权利要求1所述的提高半导体加工精度的方法,其特征在于,步骤二与步骤四中对PCB板的正面和反面进行靶心定位均采用激光定位的方式进行。
3.根据权利要求1所述的提高半导体加工精度的方法,其特征在于,步骤二与步骤四中对PCB板的正面和反面进行靶心定位均采用钻机扫描定位的方式进行。
4.根据权利要求1所述的提高半导体加工精度的方法,其特征在于,步骤三和步骤五中对PCB板的正面和反面进行钻孔均采用钻机进行钻孔。
5.根据权利要求1或4所述的提高半导体加工精度的方法,其特征在于,步骤三和步骤五中对PCB板的正面和反面进行钻孔时,在PCB板的待钻面覆盖涂层金属板,提取低损UC钻头,利用低损UC钻头对待钻PCB板上的涂层金属板进行钻孔。
6.根据权利要求5所述的提高半导体加工精度的方法,其特征在于,涂层金属板由金属铝、聚乙二醇、聚氨酯和碳酸钙组成,其中金属铝的占比为97.05%-98.0%、聚乙二醇的占比为0.75%-0.80%、聚氨酯的占比为1.10%-0.60%,碳酸钙的占比为1.10%-0.60%。
7.根据权利要求5所述的提高半导体加工精度的方法,其特征在于,低损UC钻头的直径为0.20-0.25mm,低损UC钻头的磨损量小于75um。
8.根据权利要求1所述的提高半导体加工精度的方法,其特征在于,步骤六中的孔位检查机得到的定位孔的中心点坐标和钻机的CCD扫描得到的定位孔的中心点坐标-5um<偏差值<5um。
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