CN111511103A - 具有前和后侧窗口大小不同的通孔的低悬伸部件承载件 - Google Patents

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Abstract

部件承载件(100)，包括：电绝缘层结构(102)，该电绝缘层结构具有前侧(104)和后侧(106)；第一导电层结构(108)，该第一导电层结构覆盖该电绝缘层结构(102)的前侧(104)；第二导电层结构(110)，该第二导电层结构覆盖该电绝缘层结构(102)的后侧(106)；以及通孔(112)，该通孔延伸穿过该第一导电层结构(108)的第一窗口(114)、该电绝缘层结构(102)和该第二导电层结构(110)的第二窗口(116)；其中，该第二窗口(116)的宽度(118)小于该第一窗口(114)的宽度(120)；以及其中，该第一导电层结构(108)和该第二导电层结构(110)中的至少一者超出该电绝缘层结构(102)的对该通孔(112)进行限界至少一个侧壁(124)的悬伸(122)不超过10μm。

Description

具有前和后侧窗口大小不同的通孔的低悬伸部件承载件
技术领域
本发明涉及一种部件承载件以及一种制造部件承载件的方法。
背景技术
在配备有一个或多个电子部件的部件承载件的产品功能增多、并且这样的部件的小型化程度提高以及安装在部件承载件(诸如印刷电路板)上的部件的数量增加的情况下，越来越多地采用具有若干部件的更强大的阵列状部件或封装件，这些部件或封装件具有多个触点或连接，这些触点之间的间隔甚至更小。操作期间去除这样的部件和部件承载件自身生成的热逐渐成为问题。同时，部件承载件应具有机械鲁棒性和电可靠性，以甚至能在恶劣的条件下运行。所有这些要求与部件承载件及其组成部分的持续小型化密切相关。
此外，可能有利的是以适当的品质有效地接触导电层结构和/或嵌入部件承载件中的部件。对于该目的和其他目的，可能有利的是形成可以用铜填充的机械过孔和激光过孔。
可能需要制造具有适当的电可靠性的部件承载件。
发明内容
根据本发明的示例性实施方式，提供了一种部件承载件，该部件承载件包括：电绝缘层结构，该电绝缘层结构具有前侧和后侧；第一导电层结构，该第一导电层结构覆盖该电绝缘层结构的前侧；第二导电层结构，该第二导电层结构覆盖该电绝缘层结构的后侧；以及通孔(特别是激光通孔)，该通孔延伸穿过该第一导电层结构的第一窗口、该电绝缘层结构和该第二导电层结构的第二窗口；其中，该第二窗口的宽度小于该第一窗口的宽度；以及，其中，该第一导电层结构和该第二导电层结构中的至少一个超出该电绝缘层结构的对该通孔进行限界的至少一个侧壁的悬伸不超过10μm。
根据本发明的另一示例性实施方式，提供了一种制造部件承载件的方法，其中，该方法包括：提供电绝缘层结构，该电绝缘层结构具有前侧和后侧，其中，该前侧被第一导电层结构覆盖并且该后侧被第二导电层结构覆盖；穿过该第一导电层结构并且从该前侧进入该电绝缘层结构来实施第一激光打孔，以由此在该电绝缘层结构中形成盲孔；以及，其后，穿过该第二导电层结构并且从该后侧穿过该电绝缘层结构来实施第二激光打孔，以由此使该盲孔延伸到激光通孔中；其中，使用激光束实施该第一激光打孔，该激光束的宽度大于用于该第二激光打孔的另外的激光束的宽度。
在本申请的上下文中，术语“部件承载件”可以特别地指能够在其上和/或其中容纳一个或多个部件的任何支撑结构，以用于提供机械支撑和/或电连接。换言之，部件承载件可以被构造为用于部件的机械和/或电子承载件。特别地，部件承载件可以是印刷电路板、有机插入件以及IC(集成电路)基板中的一者。部件承载件还可以是结合了上述类型的部件承载件中的不同部件承载件的混合板。
在本申请的上下文中，术语“层结构”可以特别地指连续层、图案化层或公共平面内的多个非连续岛状件。
在本申请的上下文中，术语“窗口”可以特别地指通孔，特别是圆形通孔，该通孔由于导电层结构的处理而延伸穿过这种导电层结构。从描述上讲，激光束的能量可以去除窗口的区域中的导电层结构的材料。
在本申请的上下文中，术语“通孔”可以特别地指完全延伸穿过整个层结构的孔，并且“通孔”可以特别地并且优选地通过激光加工形成。因此，通孔可以是激光通孔。这种通孔可以具有例如从电绝缘层结构的两个相对的主表面延伸的两个相反的渐缩部分。可以例如通过结合从层结构的前侧和后侧即从其两个相对的主表面进行的激光照射来制造通孔。可以从这些侧中的每侧进行一次或多次激光照射。还可以仅从一个主表面通过激光加工形成通孔。此外，还可以通过除激光加工以外的其他方法例如通过等离子体处理进行通孔的形成。
在本申请的上下文中，窗口和第一激光束或第二激光束各自的术语“宽度”可以分别特别指优选的圆形的窗口的直径(特别是最大直径)和优选的圆形的第一激光束或第二激光束的直径(特别是最大直径)。
在本申请的上下文中，术语“悬伸”可以特别地指导电层结构中紧邻相应窗口的相应一个导电层结构的局部长度，导电层结构沿着该局部长度侧向延伸超出(或以悬臂方式自由地悬置)电绝缘层结构。因此，由于在悬伸的导电层结构下方的袋区中存在通孔的一部分，相应导电层结构的悬伸材料在悬伸的延伸方向上可能局部地不由电绝缘层结构的材料支撑。关于上文所述的悬伸材料可能局部不受支撑，应该说悬伸可能涉及相应导电层结构下方基本无树脂的区域。然而，本领域技术人员将理解，在与悬伸相关的间隙内甚至可能存在一些残留树脂。为了定量地确定或测量悬伸的值，可以测量在悬伸的导电层结构正下方的基本上不含树脂(其中，树脂可以指电绝缘层结构)的底切(特别地，即使其不是悬伸的导电层结构下方回退得最深的点或完全去除，例如铜层)的长度。换言之，为了测量悬伸，可以测量导电层结构正下方的底切。
在本申请的上下文中，术语“前侧相对于后侧偏移”可以特别地指在前侧打孔和后侧打孔期间激光束的中心之间的侧向位移。因此，“偏移”还可以指电绝缘层结构中的激光通孔与在前侧和后侧上延伸穿过导电层结构的窗口的局部孔的中心之间的侧向位移。利用足够小的偏移值(优选地低于15μm)，可以实现填充有导电材料的激光通孔的高电可靠性。
根据本发明的示例性实施方式，提供了一种用于制造具有通孔的部件承载件的制造方法，其中该通孔(其可以至少部分地填充有导电材料)的可靠性高。通常可能出现的是，在通过结合从电绝缘层结构的前侧和后侧的激光打孔的通孔形成期间，在电绝缘层结构的相对的主表面上的一个或两个导电层结构出现显著侧向悬伸，该侧向悬伸在电绝缘层结构中的通孔的相邻侧壁上方。当用导电材料填充通孔时，这通常可能引起可靠性问题。当这样的悬伸过大时，特别地在相应的导电层结构与电绝缘层结构之间的界面处的喙形缝隙可以在用导电材料填充通孔的镀覆程序等期间保持部分未填充。结果，由填充有金属的通孔提供的电连接的可靠性可能较差。然而，本发明的示例性实施方式基于以下发现：当在后侧打孔期间的激光直径被选择成小于在前侧打孔期间的激光束直径时，在前侧上第一导电层结构中相应形成的窗口可以比在后侧上导电层结构中的窗口更大。反过来，这可能对抑制过度的悬伸具有积极影响。加上必要的变更，这还可以应用于形成通孔的其他方法，例如使用等离子体。此外，当在前侧上第一导电层结构中的第一窗口被选择成大于在后侧上第二导电层结构中的第二窗口时，在激光打孔期间从前侧和后侧相对于部件承载件的预制件精确对准激光设备的要求可以变得宽松。通常地，有利的是当在前侧打孔和后侧打孔期间时电绝缘层结构与激光设备之间的侧向偏移尽可能小。否则，可能会产生过度的悬伸。然而，根据本发明的示例性实施方式，实施形成比后侧窗口更大的前侧窗口的制造架构，已经表明即使在前侧打孔和后侧打孔期间电绝缘层结构与激光设备之间也具有更大的偏移值，可以获得10μm或更小的足够小的悬伸。此外，在偏移控制方面的这种宽松的要求可以使得根据本发明的示例性实施方式的制造架构简单且准确。
从描述上讲，如果后侧上的导电层结构的窗口小于前侧上的导电层结构的窗口，甚至在分别从前侧和后侧打孔的通孔的部分之间的一定的前侧相对于后侧偏移不会导致明显的悬伸，特别地不会在前侧导致明显的悬伸(还比较图5和图6)。结果，即使存在一定的偏移，也可以获得高电可靠性。
根据示例性实施方式，调节延伸穿过导电层结构的顶部窗口和底部窗口的两个不同直径。优选地，底侧处的直径可以小于顶侧处的直径。通过采取这种措施，可以解决由于顶部-底部配准问题导致的潜在可靠性风险，并且甚至可以遵守严格的规格。甚至在不对用于通过前侧打孔和后侧打孔形成通孔的激光机器进行修改的情况下这也可以是可能的。特别地，通过在顶部处的窗口大小与底部处的窗口大小之间使用不同的直径，相应的制造架构可以帮助减少来自配准移位问题的影响。因此，可以确保通孔仍保持在预定规格内。同时，可以提高所制造的部件承载件的可靠性。根据本发明的示例性实施方式采取的简单措施可以减少制造部件承载件所需的工作量和时间，因为可以在处理方面经相对简单的修改来使用现有硬件。有利地，本发明的示例性实施方式可以实施于基本上任何电子应用，其中通孔用于获得所制造的部件承载件的可靠性改进。
在下文中，将解释该部件承载件和该方法的另外的示例性实施方式。
在一实施方式中，第一窗口与第二窗口的宽度之间的差在介于5μm至50μm之间的范围内，特别地在介于10μm中30μm之间的范围内。相应地，实施第一激光打孔的第一激光束与实施第二激光打孔的第二激光束的宽度之间的差可以在介于5μm至50μm之间的范围内，特别地在介于10μm至30μm之间的范围内。当前侧与后侧上的导电层结构中的窗口宽度之间的差变得太小时，对减少的悬伸和对准精度方面的降低的要求的影响也变得太小。然而，当前侧与后侧上的导电层结构中的窗口之间的差变得太大时，激光通孔的形状变得太不对称，这可能劣化电可靠性并且也劣化所需的对准精确度降低方面的改进。因此，特别有利的是前侧窗口大小与后侧窗口大小之间的差为5μm至50μm，优选地在介于10μm至30μm之间。
在一实施方式中，第一窗口的宽度在介于50μm至200μm之间的范围内，特别地在介于65μm至120μm之间的范围内。相应地，第一激光束的宽度可以在介于50μm至200μm之间的范围内，特别地在介于65μm至120μm之间的范围内。当前侧上的第一窗口的绝对值在上述范围内时，由于第一窗口与第二窗口的大小之间的差导致的前述效果特别显著。更通常地说，当一方面第一窗口和第二窗口的宽度的差与另一方面第一窗口的开口大小的绝对值之间的比率在介于10％至30％之间时，可以获得对电可靠性的较大影响。
在一实施方式中，第二窗口的宽度在介于40μm至150μm之间的范围内，特别地在介于45μm至100μm之间的范围内。相应地，第二激光束的宽度可以在介于40μm至150μm之间的范围内，特别地在介于45μm至100μm之间的范围内。优选地，第一窗口的宽度与第二窗口的宽度之间的比率可以大于1且不大于1.6，优选地在介于1.1至1.5之间的范围内，以便实现非常好的结果。
在一实施方式中，第一导电层结构和第二导电层结构中的每一者超出电绝缘层结构中的激光通孔的各个侧壁的悬伸不超过20μm，特别地不超过15μm，更特别地不超过10μm。换言之，悬伸的上述值可以存在于第一导电层结构与电绝缘层结构之间的界面处以及第二导电层结构和电绝缘层结构之间的界面处，在两种情况下，存在于激光通孔的圆周周围。当前侧和后侧上的所有悬伸值小于20μm时，特别地可以获得部件承载件的适当的电可靠性。然而，当所有这些悬伸值都低于15μm或甚至更优选地低于10μm时，可以获得甚至更显著的可靠性。因此，有利的是，相应地选择在形成第一窗口和第二窗口期间的工艺参数。
在一实施方式中，第一导电层结构超过至少一个侧壁、特别地超过各个侧壁的悬伸不超过10μm。当在前侧上在激光通孔的整个圆周周围的悬伸小于10μm时，所获得的部件承载件显示出高电可靠性。已经表明，特别地前侧悬伸对于可靠性而言是至关重要的，特别是在存在一定侧向偏移的情况下。
在一实施方式中，部件承载件包括填充激光通孔的至少一部分的导电填充材料。优选地，导电材料可以包括铜或由铜组成。在一实施方式中，整个激光通孔填充有铜。在另一实施方式中，只有激光通孔的一部分填充有铜。用导电材料填充激光通孔可以通过首先在电绝缘层结构的对激光通孔进行限界的侧壁上形成导电材料的薄种子层来实现。这样的种子层可以例如通过无电沉积或溅射形成，以便为随后的镀覆程序准备激光通孔。随后，可以实施一个或多个镀覆程序，以首先利用导电材料来加厚侧壁覆盖度，然后形成在大致水平的方向上连接相对的侧壁的桥。反过来，这之后可以在通过用诸如铜之类的另外的导电填充介质来填充桥结构上方和下方的剩余凹部之后。
在一实施方式中，导电填充材料包括连接电绝缘层结构的对激光通孔进行限界的相对的侧壁的桥结构。在本申请的上下文中，术语“桥结构”可以特别地指在电绝缘层结构的相对的侧壁之间大致水平地延伸并且对激光通孔进行限界的导电结构，特别是在激光通孔的最窄部分处或者靠近其最窄部分处的导电结构。例如，这样的桥结构可以通过在激光通孔形成之后进行镀层来形成。在这样的镀覆程序之后，先前形成的激光通孔仅部分地填充有构成桥结构的导电材料，使得桥结构可以在向上方向上通过第一分界表面来限界并且在下侧通过第二分界表面来限界。第一分界表面和第二分界表面都可以具有凹形形状。
在一实施方式中，桥结构的最窄竖向厚度为至少20μm。已经表明，特别地在100μm厚或更薄的厚度的薄型电绝缘层结构中存在激光通孔的部件承载件特别容易出现可靠性问题。这似乎是由于完全延伸穿过的这样的薄型电绝缘层结构(诸如薄芯)的激光通孔的形状。然而，已经惊人地发现，当连接电绝缘层结构的对激光通孔进行限界的相对的侧壁的桥结构的最窄竖向厚度为20μm或更大时，则不再出现这样的可靠性问题，即使是在厚度不超过100μm的薄型电绝缘层结构中形成激光通孔的情况下。因此，上述设计规则显著提高了铜填充的激光过孔——特别地但不限于薄芯——的可靠性。
在一实施方式中，激光通孔的至少一部分在截面图中是大致X形的。通过在前侧打孔期间实施单次激光照射并且在后侧打孔期间实施单次激光照射，可以获得大致X形的激光通孔。虽然常规地填充这样的X形激光通孔特别是在这样的激光通孔的最窄部分中是一个挑战，但是当从后侧实施具有更大打孔窗口的所描述的激光打孔时，与从前侧相比，这种挑战变得更加宽松。
相应地，第一激光打孔可以包括一次激光照射，第二激光打孔也可仅包括一次激光照射。采取这种措施可能特别适用于较薄的电绝缘层结构(例如具有低于100μm的厚度)。这样的两次激光照射的方法可以以较小的工作量产生X形的激光通孔(比较图2)。
在另一实施方式中，激光通孔的至少一部分在两个相反的渐缩部分之间具有大致柱形中心部分。通过这样的替代方法，通过从后侧进行的另外的第三激光照射，可以致使激光通孔的最窄部分变得更广或更宽。换言之，通过首先实施前侧打孔的一次激光照射，然后实施后侧打孔的两次激光照射，可以获得具有所描述的几何形状的激光通孔。这个方法可能能够进一步提高电可靠性(比较图3)。
相应地，第一激光打孔可以包括一次激光照射，并且第二激光打孔包括两次激光照射。采取这种措施可能特别适用于较厚的电绝缘层结构(例如具有高于100μm的厚度)。这样的三次激光照射的方法可以产生具有由激光通孔的直的中心部分连接的两个外部渐缩部分的几何形状。直的部分可以在不同的侧壁上具有不同的竖向长度。
在一实施方式中，激光通孔具有不超过20μm的前侧相对于后侧偏移，特别地在介于15μm至20μm之间的范围内。在本申请的上下文中，术语“前侧相对于后侧偏移”可以特别地指在前侧打孔和后侧打孔期间的激光束(以及因此激光通孔的局部孔的)的中心之间的侧向位移。利用甚至低于20μm的偏移值，由于在前侧打孔期间形成的与在后侧打孔期间形成的窗口相比更大的窗口，可以实现填充有导电材料的激光通孔的高电可靠性。例如通过在激光打孔期间将部件承载件(例如板件)的预制件夹紧到安装基座，可以保证较小的偏移。
特别是在部件(诸如具有焊盘的半导体芯片)的嵌入方面，部件承载件的电可靠性的要求特别显著，因为这样的嵌入式部件可能需要从前侧和/或从后侧进行的电连接。填充有导电材料的上述激光通孔可以有助于这样的电连接。因此，导电地填充激光通孔的改进的精度和可靠性转化为在部件承载件中的嵌入部件方面的改进的可靠性。
在一实施方式中，第一激光打孔以比第二激光打孔更低的激光功率进行。已经表面，当前侧打孔期间(其中较大的窗口大小形成)的激光功率被选择成低于在后侧较小的窗口的形成期间使用的激光功率时，对悬伸减少和因此电可靠性的改进的影响特别大。换言之，可以利用比较小窗口大小形成更小的激光功率来有利地实施大窗口形成。令人惊讶的是，这种参数组合(即在前侧打孔期间较大激光束大小与较低功率的组合，相较于在后侧打孔期间较高激光功率与较小激光束大小的组合)可能由于减少悬伸而导致电可靠性的进一步改进。
在一实施方式中，通孔的侧向最窄部分可以相对于前侧和后侧在竖向上不对称地定位，特别是可以定位成更靠近前侧而不是后侧，或者可以定位成更靠近后侧而不是前侧。相应地，可以实施第一激光打孔和第二激光打孔，使得通孔的侧向最窄部分相对于前侧和后侧在竖向上不对称地定位。因此，通孔的最窄部分可以是不对称的，即不在通孔的中间，而是在顶侧或底侧处。这可以通过相应地构造激光能量、激光直径和从前侧和后侧进行的照射的数量来调整：
-在一实施方式中，第一激光打孔是以比第二激光打孔更小的激光能量来实施的，使得通孔的侧向最窄部分定位成更靠近前侧而不是后侧。因此，在从具有较大直径的顶部主表面进行柔和的第一照射的情况下，通孔的最窄部分可以定位成更靠近顶部主表面，随后从具有较小直径的底部主表面进行更强的第二照射。结果，通孔的中心或最窄部分可以移位到底部。
-在另一实施方式中，利用第一激光照射从前侧实施第一激光打孔，并且第一激光打孔具有比从前侧进行的随后的第二激光照射更小的能量和更大的激光直径，然后利用激光直径小于第一激光照射的并且大于第二激光照射的另外的激光从后侧照射实施第二激光打孔，使得通孔的侧向最窄部分被定位成更靠近后侧而不是前侧。因此，具有大直径和低能量的第一顶部照射之后可以是具有更小直径和更高能量的第二顶部照射(其更深入而不会破坏敞开的腔体的侧壁并且不会产生更大的悬伸)。更随后地，可以使第三照射成为第一底部照射，其具有较小的直径以与先前形成的盲过孔连接。因此，通孔的中心或最窄部分可以移位到底部。
当实施镀层工艺时，通孔的这样的几何形状也可以导致在竖向高度水平上形成侧向连接电绝缘层结构的对通孔进行限界的相对的侧壁的桥结构，在该竖向高度上，到第一主表面的距离不同于到第二主表面的距离。这可以促进定位在通孔的竖向中心之外的自由悬置的、不对称的桥结构的形成。
在一实施方式中，第一激光打孔是以比第二激光打孔更短的激光照射来实施的。在这样的实施方式中，还可以在前侧打孔和后侧打孔期间保持激光功率相同，但是通过调节照射到部件承载件的预制件上的激光脉冲的时间长度来调节定时。
在一实施方式中，该部件承载件包括至少一个电绝缘层结构和至少一个导电层结构的叠置件。例如，部件承载件可以是所描述的一个或多个电绝缘层结构和一个或多个导电层结构的层压体，特别是通过施加机械压力和/或热能形成的层压体。上述叠置件可以提供能够为另外的部件提供大安装表面但仍然非常薄且紧凑的板状部件承载件。
在一实施方式中，部件承载件成形为板。这有助于紧凑设计，不过其中部件承载件提供用于在其上安装部件的大基底。此外，特别是作为嵌入式电子部件的示例的裸晶片由于其厚度小而可以方便地嵌入到薄板(诸如印刷电路板)中。
在一实施方式中，部件承载件被构造为由印刷电路板和基板(特别是IC基板)组成的组中的一者。
在本申请的上下文中，术语“印刷电路板”(PCB)可以特别地指板状部件承载件，其通过将若干导电层结构与若干电绝缘层结构进行层压——例如通过施加压力和/或通过供应热能——而形成。关于PCB技术的优选材料，导电层结构由铜制成，而电绝缘层结构可以包括树脂和/或玻璃纤维、所谓的预浸料(诸如FR4材料)。可以形成通过层压体的通孔——例如通过激光打孔或机械钻孔形成——并通过用导电材料(特别是铜)填充这些通孔来以期望的方式将各个导电层结构彼此连接，从而形成作为通孔连接的过孔。除了可以嵌入在印刷电路板中的一个或多个部件中之外，印刷电路板通常还被构造成在板状印刷电路板的一个或两个相对的表面上容纳一个或多个部件。部件可以通过焊接连接至相应的主表面。PCB的介电部分可以由具有增强纤维(诸如玻璃纤维)的树脂构成。
在本申请的上下文中，术语“基板”可以特别地指与待安装在其上的部件(特别是电子部件)具有大致相同的大小的小型部件承载件。更具体地，基板可以理解为用于电连接或电网络的承载件以及与印刷电路板(PCB)相当的部件承载件，但侧向和/或竖向布置的连接的密度高得多。侧向连接例如为传导路径，而竖向连接可以为例如钻孔。这些侧向和/或竖向连接布置在基板内，并可以用于提供容置部件或未容置部件(例如裸晶片)(特别是IC芯片)与印刷电路板或中间印刷电路板的电和/或机械连接。因此，术语“基板”还包括“IC基板”。基板的介电部分可以由具有增强颗粒(诸如玻璃颗粒)的树脂构成。
在一实施方式中，过至少一个电绝缘层结构包括由树脂(诸如增强或非增强树脂，例如环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂、氰酸酯)、聚亚苯基衍生物、玻璃(特别是玻璃纤维、多层玻璃、玻璃状材料)、预浸料材料(诸如FR-4或FR-5)、聚酰亚胺、聚酰胺、液晶聚合物(LCP)、环氧基增强膜、聚四氟乙烯(Teflon)、陶瓷和金属氧化物组成的组中的至少一者。也可以使用增强材料，诸如幅材、纤维或球体，例如由玻璃(多层玻璃)制成。虽然刚性PCB通常优选使用预浸材料，特别是FR4，但基板也可以使用其他材料，特别是环氧基增强膜。对于高频应用，可以在部件承载件中实施高频材料诸如聚四氟乙烯，液晶聚合物和/或氰酸酯树脂，低温共烧陶瓷(LTCC)或其他低、非常低或超低DK材料作为电绝缘层结构。
在一实施方式中，该导电层结构中的至少一者包括由铜、铝、镍、银、金、钯和钨组成的组中的至少一者。尽管通常优选的是铜，但其他材料或其涂覆形式也是可能的，特别是涂覆有诸如石墨烯之类的超导材料。
该至少一个部件可以选自由不导电嵌体、导电嵌体(诸如金属嵌体，优选地包括铜或铝)、传热单元(例如热管)、光导元件(例如光波导或光导体连接件、电子部件或其组合)组成的组。例如，部件可以是有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储设备(例如DRAM或另一数据存储器)、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、发光二极管、光电耦合器、电压转换器(例如DC/DC转换器或AC/DC转换器)、密码部件、发射器和/或接收器、机电换能器、传感器、致动器、微机电系统(MEMS)、微处理器、电容器、电阻器、电感、电池、开关、摄像机、天线、逻辑芯片和能量收集单元。然而，可以在部件承载件中嵌入其他部件。例如，可以将磁性元件用作部件。这种磁性元件可以是永磁元件(诸如铁磁元件、反铁磁性元件、多铁性元件或铁淦氧磁元件例如铁氧体芯)、或者可以是顺磁性元件。然而，部件还可以是基板、插入件或另外的部件承载件，例如板中板构造。该部件可以表面安装在部件承载件上和/或可以嵌入其内部。
在一实施方式中，部件承载件是层压型部件承载件。在这种实施方式中，部件承载件是通过施加压紧力和/或热堆叠并连接在一起的多层结构的复合物。
基板或插入件可以由至少一层玻璃、硅(Si)、或者可光成像或可干法蚀刻的有机材料(如环氧基增强膜)或高分子化合物(如聚酰亚胺、聚苯并噁唑或苯并环丁烯)组成。
根据下文描述的实施方式的实例将理解本发明的上述方面和其他方面，参考这些实施方式的实例对这些方面进行解释。
附图说明
图1至图4示出了根据本发明的示例性实施方式在实施通过从相对的侧进行的多次激光照射处理并且随后通过利用导电材料填充激光通孔来制造在图4中示出的具有经镀层的激光通孔的部件承载件的方法期间获得的结构的截面图。
图5示出了在实施常规制造方法时获得的具有激光通孔的部件承载件的截面图。
图6示出了在实施常规制造方法和根据本发明的示例性实施方式的制造方法时获得的具有激光通孔的部件承载件的截面图。
附图中的图示是示意性的。在不同的附图中，相似或相同的元件设置有相同的附图标记。
具体实施方式
在参考附图进一步详细地描述示例性实施方式之前，将先概述发展本发明的示例性实施方式所基于的一些基本考虑。
根据本发明的示例性实施方式，可以利用经激光打孔的通孔的形状实现可靠性提高，从而允许解决顶部到底部的配准问题。后者可能通常是由于与激光通孔一起形成的局部孔的中心之间的侧向不匹配而产生的。这样的侧向不匹配也可以表示为偏移。本发明的示例性实施方式的要点是解决通常由顶部到底部过孔移位问题引起的、并且通常可能导致易于制造的部件承载件的可靠性风险的小的中间直径。
一般而言，电绝缘层结构的底侧的导电层结构中的窗口的直径通常与在顶侧处的相应导电层结构中的相应窗口的相应直径相同。通常已经假设这样的设计可以在铜镀层期间产生优选的X桥形成。然而，这需要在顶侧与底侧之间的非常高的配准精度。
根据本发明的示例性实施方式，延伸穿过在底侧上的导电层结构的窗口的直径可以选择为小于延伸穿过在顶侧上的另一导电层结构的窗口的直径。已经表明，这样的制造架构可以允许获得配准要求的更宽的窗口。即使激光通孔在顶侧上的锥形部分的中心与激光通孔在底侧上的锥形部分的中心之间存在例如15μm的顶部相对于底部偏移，激光通孔可以仍然形成为适当的形状，而没有由于大的悬伸或小的中间直径引起的填充激光通孔的导电填充介质(诸如铜)内的夹杂物或空隙的风险。因此，本发明的示例性实施方式引入了上述窗口的底侧开口直径，该底侧开口直径选择性地比顶侧开口直径更小(特别是在公差之外)。从描述上讲，这样的制造架构可以表示为非中心X形的孔。
已经表明，这样的更宽的配准操作窗口可以显著降低不期望的夹杂物的风险并且可以显著提高电可靠性。有利地，这可以在基本上不对现有机器的苛刻的硬件修改或软件修改的方式来完成。
特别地，本发明的示例性实施方式可以用于具有芯的HDI(高密度集成)任何层设计。在激光打孔之后，可以执行利用铜镀层填充通孔。有利地，可以实施任何常规的激光机器以进行激光通孔技术而无需硬件升级。此外，本发明的示例性实施方式可以允许每个面板具有更高的激光打孔数，而不会增加可靠性风险。
随着将激光通孔技术引入到部件承载件的生产中，顶部相对于底部偏移的问题已经成为影响所制造的印刷电路板或其他类型的部件承载件的品质的关键因素。对于常规可获得的设备，将顶部相对于底部偏移控制在10μm内或更小的要求一直是一个挑战。采取诸如在前侧激光打孔和/或偏移激光打孔期间将板件夹持在适当位置的机械夹具的措施，以避免翘曲并因此减少顶部相对于底部偏移，可以有助于减少上述问题。然而，随着部件承载件制造技术的发展，芯厚度进一步减少并且每个板件所需激光通孔数量增加，控制顶部相对于底部偏移可能随着板件在激光打孔工艺期间收缩而变得更具挑战性。本发明的示例性实施方式可以允许更宽的操作窗口并且可以在有或没有机械夹具的情况下增加所制造的部件承载件的电可靠性。通过本发明的示例性实施方式，可以显著减小顶侧和/或底侧上的悬伸的值。
图1至图3示出了根据本发明的示例性实施方式在实施通过从相对的侧进行的多次激光照射处理制造具有图2和图3中示出的激光通孔112的部件承载件100的方法期间获得的结构的截面图。图4示出了在用导电填充介质126优选铜填充激光通孔112之后相应形成的部件承载件100。
参考图1，对应于第一激光束138的第一激光照射从前侧引导到电绝缘层结构102上，该电绝缘层结构在其相对的两个主表面104、106上覆盖有相应的导电层结构108、110。
因此，提供电绝缘层结构102，该电绝缘层结构可以包括树脂(诸如环氧树脂)和可选的增强颗粒(诸如玻璃纤维或玻璃球)。电绝缘层结构102可以例如由完全固化的FR4材料制成，即具有已经完全交联化并且不能通过施加机械压力和/或热重新熔化或变得可流动的树脂的材料。电绝缘层结构102的前侧上的第一主表面104被第一导电层结构108覆盖，该第一导电层结构108可以是诸如铜箔之类的金属层。在电绝缘层结构102的后侧上的相对的第二主表面106可以被第二导电层结构110覆盖，该第二导电层结构110也可以是诸如铜箔之类的金属层。
电绝缘层结构102的竖向厚度D可以相对较小，例如可以小于100μm(更具体地，可以在介于40μm至60μm之间的范围内)。已经发现，穿过这样薄的电绝缘层结构102或芯的激光通孔形成在可靠性问题方面特别地困难，该可靠性问题可能由诸如过度的悬伸122的现象引起，这将在下面进一步详细描述。第一导电层结构108和第二电绝缘层结构110可以是金属层，每个金属层具有例如小于5μm、特别地在介于2μm与4μm之间的厚度d1和d2。
由层结构102、108、110组成的叠置件159可以成为穿过第一导电层结构108并从前侧进入电绝缘层结构102的第一激光打孔的对象。结果，在第一导电层结构108中第一窗口114被形成为通孔。此外，在与第一主表面104相邻的区域中的电绝缘层结构102中形成盲孔136。盲孔136由电绝缘层结构102的侧壁124来限界。可以使用具有优选地在介于65μm至120μm之间的范围内的直径或宽度148的第一激光束138来实施该第一激光打孔。作为第一激光打孔的结果，用附图标记122示意性指示出的侧向悬伸可以在盲孔136中创造为喙形袋区。悬伸122位于在图案化的第一导电层结构108中形成的第一窗口114与电绝缘层结构102的上部部分之间的界面处。从描述上讲，具有其第一窗口114的图案化的第一导电层结构108可以以与悬伸122相对应的量侧向延伸超出电绝缘层结构122。
如图1中所示，通过具有宽度148并且由激光源产生的第一激光束138，通孔在第一导电层结构108中形成为具有例如在65μm和120μm之间的侧向宽度120的第一窗口114。该第一激光照射还在电绝缘层结构102中形成盲孔136。在从前侧或第一主表面104进行激光加工期间，应注意选择足够小的激光功率和/或使得第一激光照射足够短以至于盲孔136不会向上延伸到第二导电层结构110。在这样的情况下，可能出现诸如激光反射到第二导电层结构110上的不期望的现象，这可能使所制造的部件承载件100的电性能劣化。
参考图2，可以利用激光源实施第二激光照射，该激光源朝向叠置件159的底侧发射第二激光束140，以打开第二导电层结构110并且用于从底侧移除电绝缘层底结构102的另外的介电材料。
尽管未在图中示出，但是在参考图1描述的工艺之后，在从后侧或第二主表面106穿过第二导电层结构110并穿过电绝缘层结构102来实施第二激光打孔之前，可以翻转(即，可以转向180°)叠置件159。通过采取这种措施，可以防止激光源必须从叠置件159的顶侧移动到底侧。
通过第二激光照射，形成延伸穿过第二导电层结构110的第二窗口116。此外，可以通过第二激光照射移除电绝缘层结构102的附加材料，以使盲孔136延伸到延伸穿过电绝缘层结构102的整个厚度的激光通孔112中。如所示出的，第二窗口116的侧向宽度118小于第一窗口114的侧向宽度120。这是由于第二激光束140的侧向宽度150小于第一激光束138的侧向宽度148。例如，宽度118和宽度150可以都在介于45μm至100μm之间的范围内。
有利地，使用比第二激光打孔(参考图2描述)更宽的第一激光束138来实施第一激光打孔(参考图1描述)，使用更窄的第二激光束140实施该第二激光打孔。实施第一激光打孔的第一激光束138的宽度148和实施第二激光打孔的第二激光束140的宽度150可以优选地在介于10μm至30μm之间的范围内。相应地，第一导电层结构108中的第一窗口114的宽度118与第二导电层结构110中的第二窗口116的宽度120之间的差可以优选地在介于10μm至30μm之间的范围内。有利地，第二激光束140的宽度150可以小于第一激光束138的宽度148。相应地，第一窗口114的宽度120可以大于第二窗口160的宽度118。
作为所描述的制造程序的结果，在第二窗口116的区域中也可以在一方面的第二导电层结构110与在另一方面的电绝缘层结构102之间的界面处产生某一悬伸122。第一导电层结构108的悬伸122和超出电绝缘层结构102的对激光通孔112进行限界的侧壁124的第二导电层结构110可以优选地不超过10μm。细节175示出了图2的左手侧的示例的悬伸122。悬伸122的对应定义也可以应用于图2的右手侧和下侧。
此外，可以产生作为第一窗口114的中心与第二窗口116的中心之间的侧向距离的侧向偏移(比较图6中的附图标记134)。这样的侧向偏移134也可以存在于电绝缘层结构102中的第一渐缩部分130的中心与电绝缘层结构102中的第二渐缩部分132的中心之间，并且该第一渐缩部分的中心由第一激光打孔导致，该第二渐缩部分的中心由第二激光打孔导致。
已经表明，当第二窗口116形成的宽度118小于第一窗口114的宽度120时，即使某一偏移134也将不会导致过度的悬伸122，特别是在第一导电层结构108处。结果，在用导电填充介质126填充激光通孔112之后(参见图4)，可以获得易于制造的部件承载件100的高电可靠性(这可能受到过度的悬伸122的负面影响)，当利用具有较小宽度150的第二激光束140实施后侧激光打孔时，则激光束138的宽度148用于前侧打孔。
令人惊讶的是，为了保持小的悬伸122，已经表明当以比第二激光打孔更低的激光功率进行第一激光打孔时是非常有用的。
在利用一次激光照射从前侧完成第一激光打孔(见图1)和利用仅一次另外的激光照射从后侧完成第二激光打孔(见图2)后，如图2所示的大致X形的激光通孔112随后可以部分地或完全地填充有导电填充介质126(参见图4)。使用图2中所示的结构作为起点，导电填充介质126可以通过无电沉积与电化学镀覆相结合来形成。当需要简单的制造方法时，图2的实施方式特别有利，因为仅两次激光照射足以形成大致X形的激光通孔112。
可替代地，可以从底侧实施第二激光照射，产生图3中所示的激光通孔112的形状。这样的结构可以在替代实施方式中用作利用导电填充介质126填充激光通孔112的基础。具有这样的几何形状的激光通孔112的形成将在下面参考图3被进一步详细描述。
参考图3，可以从底侧实施另外的第三激光照射(或从后侧实施的第二激光照射)以进一步打开激光通孔112的中间直径。从描述上讲，图2的激光通孔112的最窄部分可以利用如图3中所示的第三激光照射加宽。这可以有助于进一步提高电可靠性，因为它简化了用导电填充介质126填充激光通孔112。因此，在图3的实施方式中，从前侧进行的第一激光打孔(参见图1)仅包括一次激光照射或仅由一次激光照射组成，并且从后侧进行的第二激光打孔(参见图2和图3)包括两次激光照射或由两次激光照射组成。由于图3中所示的另外的第三激光照射，所获得的激光通孔112在两个相反的渐缩部分130、132之间具有大致柱形的中心部分128。
因此，图3的实施方式与图2的实施方式的不同之处在于，从后侧或第二主表面106实施另外的第三激光照射。该第三激光照射具有图2中所示的大致X形延伸到图3中所示的形状中的效果，激光通孔112的大致柱形的中心部分128分别连接到在前侧104和在后侧106上的两个相反的渐缩部分130、132。
图4示出了在用导电填充介质126填充激光通孔112之后基于图3中所示的预制件获得的部件承载件100的截面。尽管通过导电填充介质126填充激光通孔112的程序下面将参考图3中所示的激光通孔112的几何形状来描述，但是可替代地，可以使用根据图2的X形激光通孔112以相应的方式作为该填充程序的基础。因此，接下来将描述如何在图3中所示的激光通孔112中形成优选铜的导电填充介质126。
为了实现这一点，优选地首先实施无电沉积程序，以由此形成直接覆盖电绝缘层结构102的对激光通孔112进行限界的侧壁124的铜的薄的种子层144。这在图4中的细节121中可见。种子层144的厚度可以是例如0.5μm。然而，还可以提供种子层144的厚度超过1μm和/或若干累积的种子层。例如，种子层的厚度或多个种子层的累积厚度可以在介于0.5μm至5μm之间的范围内。当提供多个种子层时，它们可以包括有机(例如聚合物)层、钯层和/或铜层。种子层144的形成可以促进随后的电镀程序，如下所述。
随后，可以通过镀覆程序，特别是通过镀覆或电化学镀覆，在种子层144上沉积另外的导电材料(诸如铜)。因此，侧壁124上的种子层144以及导电层结构108、110可以被导电填充介质126的镀层146(诸如铜)覆盖。例如，镀层146可以具有10μm的最小厚度。
在所描述的形成镀层146的镀覆程序中，导电桥结构180可以与镀层146整体形成，作为连接激光通孔112的相对的侧壁124的大致水平的部分。如所示出的，导电桥结构180形成为由向上定向的或面向的第一主表面104定向的凹形的上部第一分界表面182和向下定向的或面向第二主表面106定向的凹形的下部第二分界表面184来限界。可以通过电化学镀层与镀层146一起实施形成导电桥结构180，优选地在形成种子层144之后实施。桥结构180在电绝缘层结构102的对激光通孔112进行限界的相对的侧壁124之间、在激光通孔108的最窄部分形成大致水平的桥。
优选地，桥结构180的最窄的竖向厚度w至少为20μm。特别地，当电绝缘层结构102的厚度D较小(特别是低于100μm)时，桥结构180的20μm的最小竖向厚度w确保了所获得的部件承载件100的适当的可靠性。
此外，形成了填充第一分界表面182与第一主表面104之间的主要部分的第一导电块体结构186和填充第二分界表面184与第二主表面106之间的主要部分的第二导电块体结构188。这可以通过在形成桥结构180的先前的镀覆程序之后执行一个或多个另外的电化学镀覆程序来完成。
因此，可以通过实施一个或多个另外的镀覆程序来获得根据图4的部件承载件100。由此，可以获得可以例如由铜构成的块体结构186、188。在所示实施方式中，小沉降部190、192分别保持在所示部件承载件100的上侧或下侧。在其他实施方式中，块体结构186、188几乎完全地填充了第一分界表面182上方的和第二分界表面184下方的剩余凹部。应该说技术人员所知的是，当绘制部件承载件100的截面时，该分界表面182、184清晰可见。
由于所描述的制造程序并且在图4中示出的部件承载件100因此包括：电绝缘层结构102，该电绝缘层结构102具有前侧104和后侧106；图案化的第一导电层结构108，该第一导电层结构108覆盖电绝缘层结构102的前侧104；图案化的第二导电层结构110，该第二导电层结构110覆盖电绝缘层结构102的后侧106；以及激光通孔112，该激光通孔112延伸穿过第一导电层结构108的第一窗口114、电绝缘层结构102、以及第二导电层结构110的第二窗口116。激光通孔112填充有导电填充介质126。作为所描述的制造程序的结果，第二窗口116的宽度118小于第一窗口114的宽度120。第一窗口114与第二窗口116的宽度118、120之间的差可以优选地在介于10μm至30μm之间。第一窗口114的宽度118可以优选地在介于65μm至120之间的范围内并且大于第二窗口116的宽度120，该第二窗口的宽度优选地在介于45μm至100μm之间的范围内。
作为所描述的制造程序的结果，第一导电层结构108和第二导电层结构110两者超出电绝缘层结构102中的激光通孔112的侧壁124的悬伸122可以为10μm或更少。非常有利地，即使在存在某一偏移134的情况下，前侧104上和后侧106上的悬伸122也可以维持足够小。这是由于激光处理被调整为使得在第一导电层结构108中形成的第一窗口114大于在后侧106上的第二窗口116。
图5示出了在实施常规制造方法时获得的具有激光通孔202的部件承载件200的截面图。从描述上讲，图5示出了常规的经激光打孔的通孔202的缺点和问题。更具体地，图5示出了根据常规制造程序形成的部件承载件200的电可靠性方面的问题。如所示出的，激光通孔202形成为延伸穿过第一导电层结构204、电绝缘层结构206和第二导电层结构208。
如图5的左手侧所示，仅在不太可能的前侧激光打孔与后侧激光打孔之间零偏移的情况下，获得具有高性能的激光通孔202。然而，不能实现在批处理程序中所制造的所有或甚至许多部件承载件200的零偏移。因此，图5的左手侧示出了在优选或理想条件下激光通孔202的形成，这在实践中并不总是能够被满足。
图5的中心部分示出了与显著的顶部相对于底部偏移212相关的常规的部件承载件200的问题。特别地，在底部激光照射期间过量的激光能量可能导致在顶侧处的长的悬伸210，从而在导电填充介质被填充到激光通孔202中时在导电填充介质(参见图4中的附图标记126)内部中引入不期望的空隙或夹杂物的潜在风险。如图5的中心部分所示，在前侧打孔与后侧打孔之间的明显的偏移212的情况下，所描述的常规制造架构导致特别是在前侧上的大的悬伸210。因此，用导电材料填充图5的中心部分中所示的激光通孔202并且没有剩余的空隙是一个严峻的挑战。
图5的右手侧示出了由于激光能量不足并且导致小的中间直径的情形，参见附图标记214。因此，激光能量不足可能导致电绝缘层结构206内部的明显的瓶颈，在部件承载件200填充有导电填充介质时，对所制造的部件承载件200的可靠性具有甚至更不期望的影响。
图6示出了在实施常规制造方法(左手侧)和根据本发明的示例性实施方式的制造方法(中心部分、右手侧)时获得的具有激光通孔202、112的部件承载件200、100的截面图。
在图6的左手侧，示出了常规的激光通孔202，该激光通孔202具有明显的顶部相对于底部偏移212和相同宽度的在前侧和后侧上的导电层结构204、208中的窗口。偏移212可以是例如15μm至20μm。如图6的左手侧所示，通过前侧打孔和后侧打孔形成在前侧和后侧上具有相同的窗口大小的激光通孔202可能导致差的性能。
有利地，可以调节在图6的中心部分和右手侧示出的根据本发明的示例性实施方式的工艺，以便获得第一窗口114的顶侧直径或宽度120为70μm，但是将第二窗口116的底侧直径或宽度118减小到50μm。
如图6的中心部分所示，当通过前侧的激光打孔在第一导电层结构108中形成的第一窗口114具有与在第二导电层结构110中后侧打孔期间形成的第二窗口116的宽度118相比更大的尺寸或宽度120(在本示例中为70μm)时，当偏移134为零(如竖向线187所指示的)时，则仅获得非常小的悬伸122。
图6的右手侧示出了在具有向左约15μm的偏移134/偏移移位——即有限的顶部相对于底部偏移的性能——的更关键的情形下本发明的示例性实施方式。然而，即使存在这种顶部相对于底部偏移134，也将非常有利地没有过度的悬伸122，并且因此没有夹杂物的风险。此外，如在左手侧示出的常规方法中那样，没有由小的中间直径引起的可靠性风险。这些有利效果可以与另外的有利效果相结合，该另外的有利效果是：根据本发明的示例性实施方式，在前侧打孔和偏移打孔期间的偏移控制方面的精度要求不是非常严格，因为即使某一偏移134也可能产生仍然确保高电可靠性的激光通孔112几何形状。
图6在右手侧示意性地示出了填充大部分的激光通孔112的导电填充介质126。例如，图6中所示的填充介质126可以以与如以上参考图4所描述的相应的方式形成。
为了获得适当的可靠性，优选的是，第一导电层结构108处的最大悬伸122(即，沿着第一窗口114的周边的悬伸122的最大值)与第一窗口114的宽度120之间的比率小于20％。相应地，优选的是，第二导电层结构110处的最大悬伸122(即，沿着第二窗口116的周边的悬伸122的最大值)与第二窗口116的宽度118之间的比率小于20％。当激光通孔112已填充有导电填充介质126时，这强烈地抑制了空隙的出现。例如，开口直径的标称值可以在介于70μm至85μm之间的范围内(然而，悬伸122可以基于例如70μm的标称值来计算)。上述设计规则在细节199中示出，该细节199示出了具有附图标记b的最大悬伸122的值。在该实例中，上述比率将是b与50μm之间的比率。
应注意，术语“包括”不排除其他元件或步骤，并且“一”或“一种”不排除复数。另外，可以将结合不同的实施方式描述的元件进行组合。
还应注意，权利要求中的附图标记不应理解为限制权利要求的范围。
本发明的实现不限于在附图中示出的和以上所描述的优选的实施方式。相反，即使在根本不同的实施方式中，使用所示出的方案和根据本发明的原理的各种变型也是可能的。

Claims (27)

1.一种部件承载件(100)，其中，所述部件承载件(100)包括：
电绝缘层结构(102)，所述电绝缘层结构(102)具有前侧(104)和后侧(106)；
第一导电层结构(108)，所述第一导电层结构(108)覆盖所述电绝缘层结构(102)的所述前侧(104)；
第二导电层结构(110)，所述第二导电层结构(110)覆盖所述电绝缘层结构(102)的所述后侧(106)；
通孔(112)，特别是激光通孔(112)，所述通孔(112)延伸穿过所述第一导电层结构(108)的第一窗口(114)、所述电绝缘层结构(102)、和所述第二导电层结构(110)的第二窗口(116)；
其中，所述第二窗口(116)的宽度(118)小于所述第一窗口(114)的宽度(120)；以及
其中，所述第一导电层结构(108)和所述第二导电层结构(110)中的至少一者超出所述电绝缘层结构(102)的对所述通孔(112)进行限界的至少一个侧壁(124)的悬伸(122)不超过10μm。
2.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，其中，所述第一窗口(114)的宽度(120)与所述第二窗口(116)的宽度(118)之间的差在介于5μm至50μm之间的范围内，特别地在介于10μm至30μm之间的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100)，其中，所述第一窗口(114)的宽度(120)在介于50μm至200μm之间的范围内，特别地在介于65μm至120μm之间的范围内。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述第二窗口(116)的宽度(118)在介于40μm至150μm之间的范围内，特别地在介于45μm至100μm之间的范围内。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述第一导电层结构(108)和所述第二导电层结构(110)中的每一者超出所述电绝缘层结构(102)的对所述通孔(112)进行限界的各个侧壁(124)的所述悬伸(122)不超过20μm，特别地不超过15μm，更特别地不超过10μm。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述第一导电层结构(108)超出至少一个侧壁(124)、特别地超过各个所述侧壁(124)的悬伸(122)不超过10μm。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的部件承载件(100)，包括填充所述通孔(112)的至少一部分的导电填充材料(126)。
8.根据权利要求7所述的部件承载件(100)，其中，所述导电填充材料(126)包括桥结构(180)，所述桥结构(180)连接所述电绝缘层结构(102)的对所述通孔(112)进行限界的相对的侧壁(124)。
9.根据权利要求8所述的部件承载件(100)，其中，所述桥结构(180)的最窄竖向厚度(w)为至少20μm。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述第一导电层结构(108)处的最大悬伸(122)与所述第一窗口(114)的宽度(120)之间的比率小于20％。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述第二导电层结构(110)处的最大悬伸(122)与所述第二窗口(116)的宽度(118)之间的比率小于20％。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述通孔(112)的至少一部分呈大致X形。
13.根据权利要求1至12中的任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述通孔(112)的至少一部分具有位于两个相反的渐缩部分(130、132)之间的大致柱形的中心部分(128)。
14.根据权利要求1至13中的任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述通孔(112)的前侧相对于后侧的偏移(134)不超过20μm，特别地在介于15μm至20μm之间的范围内。
15.根据权利要求1至14中的任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述通孔(112)的侧向最窄部分是相对于所述前侧(104)和所述后侧(106)在竖向上不对称地定位的，特别地是定位成更靠近所述前侧(104)而不是所述后侧(106)，或者是定位成更靠近所述后侧(106)而不是所述前侧(104)。
16.根据权利要求1至15中的任一项所述的部件承载件(100)，包括以下特征中的至少一者：
所述部件承载件(100)包括表面安装在所述部件承载件(100)上和/或嵌入所述部件承载件(100)中的至少一个部件，其中，所述至少一个部件特别地选自由电子部件、非导电嵌体和/或导电嵌体、传热单元、光导元件、能量收集单元、有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储装置、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、电压转换器、密码部件、发射器和/或接收器、机电换能器、致动器、微机电系统、微处理器、电容器、电阻器、电感、蓄电池、开关、摄像机、天线、磁性元件、另外的部件承载件以及逻辑芯片组成的组；
其中，所述导电层结构(108、110)中的至少一者包括由铜、铝、镍、银、金、钯和钨组成的组中的至少一者，所提到的材料中的任何一种可选地涂覆有诸如石墨烯之类的超导材料；
其中，所述电绝缘层结构(102)包括由树脂，特别是增强树脂或非增强树脂例如环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂；FR-4；FR-5；氰酸酯；聚亚苯基衍生物；玻璃；预浸材料；聚酰亚胺；聚酰胺；液晶聚合物；环氧基增强膜；聚四氟乙烯；陶瓷以及金属氧化物组成的组中的至少一者；
其中，所述部件承载件(100)被成形为板；
其中，所述部件承载件(100)被构造为由印刷电路板和基板组成的组中的一者；
其中，所述部件承载件(100)被构造为层压型部件承载件。
17.一种制造部件承载件(100)的方法，其中，所述方法包括：
提供电绝缘层结构(102)，所述电绝缘层结构具有前侧(104)和后侧(106)，其中，所述前侧(104)被第一导电层结构(108)覆盖并且所述后侧(106)被第二导电层结构(110)覆盖；
实施如下第一激光打孔：从所述前侧(104)穿过所述第一导电层结构(108)并且进入到所述电绝缘层结构(102)中，以由此在所述电绝缘层结构(102)中形成盲孔(136)；
其后，实施如下第二激光打孔：从所述后侧(106)穿过所述第二导电层结构(110)并且穿过所述电绝缘层结构(102)，以由此使所述盲孔(136)延伸成激光通孔(112)；
其中，使用如下激光束(138)来实施所述第一激光打孔：所述激光束(138)的宽度(148)大于用于所述第二激光打孔的另外的激光束(140)的宽度(150)。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，实施所述第一激光打孔的第一激光束(138)的宽度(148)与实施所述第二激光打孔的第二激光束(140)的宽度(150)之间的差在介于5μm至50μm之间的范围内，特别地在介于10μm至30μm之间的范围内。
19.根据权利要求17或18所述的方法，其中，所述第一激光束(138)的宽度(148)在介于50μm至200μm之间的范围内，特别地在介于65μ至120μm之间的范围内。
20.根据权利要求17至19中的任一项所述的方法，其中，所述第二激光束(140)的宽度(150)在介于40μm至150μm之间的范围内，特别地在介于45μm至100μm之间的范围内。
21.根据权利要求17至20中的任一项所述的方法，其中，所述第一激光打孔是以比所述第二激光打孔更低的激光功率来实施的。
22.根据权利要求17至21中的任一项所述的方法，其中，所述第一激光打孔是以比所述第二激光打孔更短时间的激光辐射来实施的。
23.根据权利要求17至22中的任一项所述的方法，其中，所述第一激光打孔包括一次激光照射，并且所述第二激光打孔仅包括一次激光照射。
24.根据权利要求17至22中的任一项所述的方法，其中，所述第一激光打孔包括一次激光照射，并且所述第二激光打孔包括两次激光照射。
25.根据权利要求17至23中的任一项所述的方法，其中，所述第一激光打孔和所述第二激光打孔被实施成使得所述通孔(112)的侧向最窄部分是相对于所述前侧(104)和所述后侧(106)在竖向上不对称地定位的。
26.根据权利要求25所述的方法，其中，所述第一激光打孔是以比所述第二激光打孔更小的激光能量来实施的，使得所述通孔(112)的侧向最窄部分定位成更靠近所述前侧(104)而不是所述后侧(106)。
27.根据权利要求25所述的方法，其中，所述第一激光打孔是从所述前侧(104)用第一激光照射来实施的，并且所述第一激光照射具有比从所述前侧(104)进行的随后的第二激光照射更小的能量以及更大的激光直径，在所述第二激光照射之后从所述后侧(104)用激光直径小于所述第一激光照射的激光直径且大于所述第二激光照射的激光直径的另外的激光照射来实施所述第二激光打孔，使得所述通孔(112)的侧向最窄部分定位成更靠近所述后侧(106)而不是所述前侧(104)。
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