CN113133184A - 部件承载件及其制造方法和使用部件承载件的方法 - Google Patents

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拉克纳·塞巴斯蒂安
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Abstract

本申请涉及部件承载件、制造部件承载件的方法、使用部件承载件用于高频应用的方法。部件承载件(100)包括叠置件(102)，叠置件包括多个电传导层结构(104)和至少一个电绝缘层结构(106)；电传导层结构(104)包括电传导的竖向贯通连接件(108)和水平延伸的电传导迹线(110)，所述水平延伸的电传导迹线(110)与竖向贯通连接件(108)的端部部分(116)电联接；背钻孔(112)，该背钻孔(112)穿过至少一个电绝缘层结构(106)的至少一部分朝着端部部分(116)延伸；以及蚀刻颈部(114)，该蚀刻颈部(114)将背钻孔(112)与竖向贯通连接件(108)的端部部分(116)连接。

Description

部件承载件及其制造方法和使用部件承载件的方法
技术领域
本公开涉部件承载件、制造部件承载件的方法以及使用方法。
背景技术
在配备有一个或更多个电子部件的部件承载件的产品功能不断增加并且这些电子部件的逐步小型化以及要安装在比如印刷电路板之类的部件承载件上的电子部件的数量不断增多的情况下，采用了具有多个电子部件的越来越强大的阵列状部件或封装件，这些阵列状部件或封装件具有多个接触部或连接部，其中，这些接触部之间的间隔越来越小。在操作期间，由这种电子部件和部件承载件自身产生的热的移除成为越来越严重的问题。同时，部件承载件应具有机械强度和电气可靠性，以便即使在恶劣条件下也能够操作。
此外，当高频信号沿着部件承载件的布线结构传播时，可能会发生寄生效应(如插入损耗、失真等)。这可能会大幅度降低移动通信系统的整体性能等。
发明内容
本发明的目的是提供一种在信号传输方面具有高性能的部件承载件。
为了实现上述目的，提供了根据独立权利要求的部件承载件、制造部件承载件的方法以及使用方法。
根据本发明的示例性实施方式，提供了一种部件承载件，其中，该部件承载件包括：叠置件，该叠置件包括多个电传导层结构和至少一个电绝缘层结构，其中，电传导层结构包括电传导的竖向贯通连接件和水平延伸的电传导迹线，该水平延伸的电传导迹线与竖向贯通连接件的端部部分电联接；背钻孔，该背钻孔穿过所述至少一个电绝缘层结构的至少一部分朝着端部部分延伸；以及蚀刻颈部，该蚀刻颈部将背钻孔与竖向贯通连接件的端部部分连接。
根据本发明的另一示例性实施方式，提供了一种制造部件承载件的方法，其中，该方法包括提供包括多个电传导层结构和至少一个电绝缘层结构的叠置件；形成具有电传导的竖向贯通连接件和水平延伸的电传导迹线的电传导层结构，电传导迹线与竖向贯通连接件电联接；穿过至少一个电绝缘层结构的至少一部分并且钻入竖向贯通连接件中而钻出背钻孔；以及在背钻孔与竖向贯通连接件的端部部分之间蚀刻出蚀刻颈部。
根据本发明的又一示例性实施方式，具有上述特征的部件承载件的电传导布线结构用于高频应用，特别是用于传导射频(RF)信号，特别地是用于传导频率高于1GHz的射频信号。
根据本发明的又一示例性实施方式，提供一种部件承载件，其中，该部件承载件包括叠置件，该叠置件包括多个电传导层结构和至少一个电绝缘层结构；其中，电传导层结构包括电传导的竖向贯通连接件和水平延伸的电传导迹线，水平延伸的电传导迹线与竖向贯通连接件的端部部分电联接；背钻孔，该背钻孔穿过至少一个电绝缘层结构的至少一部分朝着端部部分延伸；以及测试结构，该测试结构包括至少一个水平延伸的电传导虚迹线，该电传导虚迹线位于背钻孔的竖向高度处并且连接至背钻孔，以及/或者电传导虚迹线位于可选的蚀刻颈部的竖向高度处并且连接至可选的蚀刻颈部，可选的蚀刻颈部将背钻孔与竖向贯通连接件的端部部分连接。
在本申请的上下文中，术语“部件承载件”可以特别地表示任何支撑结构，该支撑结构能够在该支撑结构上和/或支撑结构中容纳一个或更多个部件从而用于提供机械支撑和/或电连接。换言之，部件承载件可以被构造为用于部件的机械和/或电子承载件。特别地，部件承载件可以是印刷电路板、有机中介层和IC(集成电路)基板中的一者。部件承载件也可以是将上述类型的部件承载件中的不同的部件承载件组合的混合板。
在本申请的上下文中，术语“层结构”可以特别地表示在同一平面内的连续层、图案化层或多个非连续的岛状件。
在本申请的上下文中，术语“高频应用”可以特别地表示由部件承载件完成的或部件承载件有贡献的任务，其中，该任务可以与射频信号的处理有关。这样的无线电信号或高频信号可以是在用于通信或其他信号的频率范围内沿着布线结构(其可以包含迹线和竖向贯通连接件)传播的电或电磁信号。特别地，射频(RF)信号可以例如具有在3kHz与300GHz之间的范围内的频率。
在本申请的上下文中，术语“竖向贯通连接件”可以特别地表示沿着部件承载件的叠置件的层结构的叠置方向延伸的电传导结构。这样的部件承载件可以是扁平体，并且竖向贯通连接件可以沿着这样的部件承载件的最薄方向延伸。例如，这种竖向贯通连接件可以是镀覆的过孔。对应的通孔可以例如通过机械钻孔或通过激光钻孔而形成。
在本申请的上下文中，术语“水平延伸的电传导迹线”可以特别表示垂直于竖向贯通连接件或在部件承载件的叠置层序列的水平面内延伸的电传导结构。例如，至少一个电传导迹线可以电连接在部件承载件内，以便在水平面内承载电流或电信号，特别是在水平面内承载高频信号。为了形成这样的水平迹线，形成叠置件的一部分的金属层(例如铜片)可以被图案化。
在本申请的上下文中，术语“背钻孔”可以特别表示在部件承载件的叠置件中钻出并且从部件承载件的(例如，后主表面)主表面延伸到叠置件内部的孔。特别地，背钻孔可以通过钻孔形成，特别地通过机械钻穿层叠置件的一部分而形成。背钻孔可以从部件承载件的外部主表面延伸到竖向贯通连接件的端部或端部部分。事实证明，这种背钻孔的形成可以改善部件承载件的性能，特别是在处理高频信号、例如射频信号方面改善部件承载件的性能，因为背钻孔的形成可以减少竖向地延伸超过竖向贯通连接件的竖向连接位置以及水平迹线的寄生桩形部的长度。
在本申请的上下文中，术语“蚀刻颈部”可以特别地表示背钻孔的侧向变窄的部分或延伸部，与背钻孔相比，该蚀刻颈部在水平面中具有更小的直径(特别是更小的最大直径)。特别地，蚀刻颈部可以形成且定尺寸成通过蚀刻可形成或通过蚀刻形成。从描述上讲，局部变窄的蚀刻颈部可以提供背钻孔的竖向延伸部，该竖向延伸部部分地或全部地桥接在背钻孔的端部部分与至少一个电传导迹线的竖向位置之间的空间。
根据本发明的示例性实施方式，可以提供一种部件承载件，该部件承载件在处理高频信号方面具有优异的特性。根据示例性实施方式，这不仅可以通过在已经改善了高频特性的部件承载件的叠置件中形成背钻孔来实现，而且还可以通过局部变窄部分来额外地扩展所钻出的背钻孔来实现。局部变窄部分可以通过蚀刻适当地形成，该局部变窄部分可以使延伸到叠置件中的孔的长度延长，以进一步减小在竖向贯通连接件与水平的电传导迹线之间的接合部处的电传导材料的寄生桩形部的长度。常规地，这样的桩形部可以在叠置件中保持相当长的长度，因为背钻孔可能不会竖向地完全向上延伸到迹线，以确保维持电传导迹线与竖向贯通连接件之间的电连接。由于难以在钻孔过程中精确限定背钻孔的长度，因此通常应考虑相应的误差，这可能会导致相对长的剩余桩形部。但是，由于可以适当地控制蚀刻工艺，因此在钻出背钻孔之后执行精确控制的蚀刻过程可以通过形成背钻孔的局部变窄的延伸部来减小桩形部的长度。这可以进一步减小桩形部的长度，这可以显著改善高频特性。同时，由于用于形成蚀刻颈部的蚀刻工艺的高精度和可控制性，可以安全地防止由于过长的背部孔而引起的迹线与竖向贯通连接件的不期望的断开连接。从描述上来说，通过形成局部变窄的蚀刻颈部，可以缩短或者甚至消除由于寄生效应而竖向延伸超过竖向贯通连接件的目标端部的填充有铜的盲孔的长度。有利地，这可以实现，而没有无意地分离竖向贯通连接件与水平迹线形式的连接的电传导结构的风险。由此，可以将高电气可靠性与部件承载件的优异的高频特性相结合。同时，可以为HF(高频)板创建一个或更多个背钻孔，而孔内无毛刺。在钻孔过程之后去除残留的任何毛刺是为用于形成蚀刻颈部而实施的蚀刻工艺的另一特征优点。同样，通过提到的附加的蚀刻过程，可以防止不期望的内层连接，该不期望的内层连接可能常规地由太短的背钻孔来得到，其中，附加的蚀刻过程形成蚀刻颈部并有助于将不期望的内层连接分离。
根据本发明的另一示例性实施方式，可以提供具有一体形成的测试结构的部件承载件。当正确地形成背钻孔时，与背钻孔连接的虚迹线将不能接收施加到电传导迹线或竖向贯通连接件(或沿着相反的方向施加)的电信号，因为背钻孔将对应的电气路径断开连接。相应地，当蚀刻颈部被正确地形成时，与蚀刻颈部连接的虚迹线将不能接收施加到电传导迹线或竖向贯通连接件(或沿着相反方向施加)的电信号，因为蚀刻颈部将对应的电气路径断开连接。然而，将测试信号施加到与竖向贯通连接件连接的迹线或者迹线之间(例如，在顶侧部处和底侧部处)，应该允许当在竖向贯通连接件与所述迹线之间的连接被适当地建立时允许对响应信号进行检测。因此，所描述的测试结构允许通过使用所描述的硬件测试结构执行非破坏性测试过程来可靠地测试背钻孔(以及在蚀刻颈部存在的情况下可靠地测试所连接的蚀刻颈部)的功能。
在下文中，将解释部件承载件和方法的其他示例性实施方式。
示例性实施方式的要点是进行背钻孔，以从印刷电路板(PCB)或其他类型的部件承载件中的镀覆的通孔中去除铜筒形部的未使用部分(也称为桩形部)。高度有利的是，用于去除这种未使用部分的钻孔过程之后可以进行附加的蚀刻过程。当高速信号通过路径在各层之间行进时，高速信号可能会失真。如果信号层的使用引起桩形部，并且桩形部太长，则失真会变得很明显。此外，由于无法控制毛刺，因此通常在孔内会产生钻孔毛刺，从而可能对性能造成影响。另一方面，由于必须考虑深度钻孔的公差，因此在钻孔之后，剩余的桩形部可能仍具有相当长的长度。为了避免这样的问题，本发明的示例性实施方式在背钻孔之后增加了蚀刻过程(例如碱性蚀刻过程、酸性蚀刻过程或干蚀刻步骤)以部分地或完全地去除毛刺，并附加地减少了剩余的桩形部长度，而不会损坏孔的功能部分。有利地，根据示例性实施方式，可以防止在背钻孔中产生不受控制的毛刺。附加地，减少剩余桩形部的长度可以确保HF特征的更稳定且可重复的性能。
在实施方式中，竖向贯通连接件是镀覆的过孔。因此，可以通过以下方式形成竖向贯通连接件：通过机械处理或通过激光钻孔或者甚至通过蚀刻来钻孔，然后通过电镀至少部分地用诸如铜的电传导填充介质来至少部分地填充所形成的通孔。例如，镀覆可以包括形成例如所产生的孔的大致筒形侧壁的种子层衬里(seed layer lining)的形成。这种种子层的形成可以例如通过化学沉积或溅射来实现。然后可以可选地在所述过程之后进行至少一种另外的镀覆过程，例如电镀。通过电镀，可以在孔中填充大量的电传导填充介质。
在实施方式中，部件承载件包括将电传导迹线与竖向贯通连接件电连接的盘或垫。从描述上讲，这样的盘或垫可以平衡电传导迹线与竖向贯通连接件之间的公差。如果例如这样的公差导致竖向贯通连接件与电传导迹线的相互位置不充分匹配，则可能发生在迹线与竖向贯通连接件之间建立电连接的物理接触不存在或者仅部分存在。然而，通过提供盘作为连接到电传导迹线的竖向贯通连接件的水平延伸的垫部分，可以补偿这种公差。例如，这种盘可以是连接到迹线和竖向贯通连接件两者的圆形、矩形或环形电传导片部分。
在实施方式中，竖向贯通连接件包括在蚀刻颈部与电传导迹线之间的电传导桩形部。这样的桩形部可以是竖向贯通连接件的突出超过迹线的竖向水平部的短电传导延伸部。这种寄生桩形部构成了用于高频信号的损耗机构，该高频信号沿着迹线和竖向贯通连接件传播并且部分传播到由桩形部形成的盲孔中。因此，这种桩形部是寄生效应，并且桩形部使部件承载件的RF性能劣化，因此桩形部应保持尽可能短。根据本发明的示例性实施方式，蚀刻颈部形成为使背钻孔以精确可控制的尺寸延伸可以将剩余的桩形部的尺寸减小到较小的值。优选地，在对蚀刻颈部进行蚀刻之后残留的桩形部的竖向长度可能不大于0.2mm，特别地不大于0.1mm。从描述上来说，蚀刻颈部可能会蚀刻掉桩形部的一部分。由此，可以显著改善部件承载件的RF特性。
在另一实施方式中，部件承载件在蚀刻颈部与电传导迹线之间完全没有电传导桩形部。在这样的优选实施方式中，蚀刻颈部的延伸部非常长，以至于在已经制造的部件承载件中根本没有颈部残留。这可以通过控制蚀刻颈部的长度以使蚀刻颈部的长度对应于背钻孔的端部部分与电传导迹线的竖向位置之间的距离来实现。
在实施方式中，竖向贯通连接件的端部部分是无毛刺的。在本申请的上下文中，术语“毛刺”可以特别地表示在用于形成背钻孔的钻孔过程之后保持附接到竖向贯通连接件的端部的升高边缘或小块电传导材料。就部件承载件的高频施加而言，这种毛刺是不期望的材料件，并且可以通过形成蚀刻颈部的蚀刻过程而部分地或全部去除，从而用于对竖向贯通连接件进行去毛刺。事实证明，通过对背钻孔的后续形成部进行蚀刻之后，通过对竖向贯通连接件进行去毛刺可以显著减少信号损失并且改善RF任务方面的信号质量。
在实施方式中，背钻孔包括筒形部分。背钻孔可以例如通过激光钻孔或机械钻孔形成。在这两种制造过程中，都可以获得背钻孔的大致筒形的延伸部。在机械钻孔的情况下，这可能是钻头的旋转轴形状所获得的结果。
在实施方式中，背钻孔包括在筒形部分与蚀刻颈部之间的锥形或截头锥形的部分。当通过机械钻孔形成时，上述筒形部分可以与由钻头的渐缩端部部分得到的截头锥形或者甚至锥形的端部部分连接，该钻头可以用于形成背钻孔。然而，即使在截头锥形的端部部分具有渐缩的几何形状的情况下，在叠置件中形成的盲孔的最窄部分也可以由蚀刻颈部限定。
在实施方式中，蚀刻颈部具有筒形形状和截头锥形中的一者。因为颈部优选地通过蚀刻形成，颈部的形状也由蚀刻过程限定。在基本上各向异性的蚀刻工艺的情况下，蚀刻颈部的侧壁可以是大致竖向的，并且蚀刻颈部的形状可以是大致筒形的。然而，当蚀刻工艺涉及一些非各向异性的贡献时，蚀刻可能无法在竖向方向上完全进行，从而蚀刻颈部的侧壁可能会稍微渐缩。
在实施方式中，蚀刻颈部的直径(特别是最大直径)小于背钻孔的直径(特别是最小直径)。因此，即使蚀刻颈部的最大直径也可以小于背钻孔的最小直径。例如，可以在背钻孔与蚀刻颈部之间的竖向接合部处形成叠置件。
特别地，由背钻孔和蚀刻颈部在叠置件的主表面中形成的孔可以包括具有第一直径的外部筒形部分，随后是直接连接的截头锥形部分，该截头锥形部分又连接至具有第二直径的内部筒形部分，该第二直径小于第一直径。例如，图3中示出了这种几何形状。
在实施方式中，竖向贯通连接件被构造成筒形电传导结构和中空筒形电传导结构中的一者。例如，仅在叠置件中形成的用于形成竖向贯通连接件的盲孔的侧壁可以被诸如铜之类的电传导材料覆盖。在这样的实施方式中，竖向贯通连接件的内部可以保持是中空的。在另一个实施方式中，形成为用于产生竖向贯通连接件的整个盲孔可以被诸如铜之类的电传导填充介质完全填充。
在实施方式中，部件承载件被构造成用于高频应用。特别地，部件承载件可以包括至少一个电子部件，电子部件特别是至少一个射频半导体芯片，射频半导体芯片配置成用于发射和/或接收射频信号、安装在叠置件上和/或嵌入在叠置件中并且与电传导迹线和竖向贯通连接件电联接。
在实施方式中，该方法包括通过湿蚀刻对蚀刻颈部进行蚀刻。事实证明，湿蚀刻是一种简单且充分确定的过程，湿蚀刻允许通过调节蚀刻参数来精确地限定蚀刻颈部的尺寸。因此，湿蚀刻是形成蚀刻颈部的高度优选的方法，因为湿蚀刻可以确保同时可靠地改善部件承载件的高频特性，并确保迹线与竖向贯通连接件之间的可靠电连接。
在实施方式中，该方法包括通过碱性蚀刻、酸性蚀刻等来对蚀刻颈部进行蚀刻。因此，用酸性或碱性蚀刻剂两者进行蚀刻都可以是通过湿蚀刻形成蚀刻颈部的高度合适的方法。可以使用酸和碱进行湿蚀刻，这两种方法都可以称为湿蚀刻(湿碱性或湿酸性蚀刻)。
在另一实施方式中，该方法包括通过干蚀刻来对蚀刻颈部进行蚀刻。特别地，该方法可以包括通过等离子体蚀刻来对蚀刻颈部进行蚀刻。作为湿蚀刻的替代方法，也可以采用干刻蚀过程来形成蚀刻颈部，以保持对叠置件的影响很小。特别地，等离子体蚀刻、即用等离子体处理叠置件以形成蚀刻颈部，非常适合于限定蚀刻颈部以改善RF性能，同时确保所获得的部件承载件的适当电可靠性。可以用等离子体进行干蚀刻。其他可能的干蚀刻方法是反应离子蚀刻(RIE)或激光烧蚀。
在实施方式中，该方法包括通过冲洗、例如高压冲洗来清洁背钻孔。通过冲洗、特别地在形成蚀刻颈部之前，对背钻孔进行清洁可以改善所获得的部件承载件的高频性能。这可以进一步减少在桩形部处的毛刺，并且因此可以与颈部的蚀刻以协同作用的方式配合。
在实施方式中，部件承载件包括测试结构，该测试结构包括至少一个水平延伸的电传导虚迹线，水平延伸的电传导虚迹线在背钻孔的竖向高度处并且连接至背钻孔的竖向高度，以及/或者连接在蚀刻颈部的水平面处并且连接至蚀刻颈部。特别地，测试结构可以被配置为使得将电测试信号施加到电传导迹线和至少一个水平延伸的电传导虚迹线中的一者，以及对在电传导迹线和至少一个水平延伸的电传导虚迹线中的另一者处的响应信号进行检测，以指示背钻孔和/或蚀刻颈部的功能。对应地，该方法可以包括将电测试信号施加到电传导迹线和至少一个水平延伸的电传导虚迹线中的一者，所述至少一个水平延伸的电传导虚迹线设置在背钻孔和/或蚀刻颈部的竖向高度处以及连接至背钻孔和/或蚀刻颈部；对电传导迹线和至少一个水平延伸的电传导虚迹线中的另一者处的响应信号进行检测；以及基于所检测到的响应信号对指示背钻孔和/或蚀刻颈部的功能的信息进行确定。从描述上讲，正确地形成背钻孔时，与背钻孔连接的虚迹线将无法接收施加到电传导迹线或竖向贯通连接件(或沿着相反方向施加)的电信号，因为背钻孔将对应的电气路径断开连接。对应地，当正确形成蚀刻颈部时，与蚀刻颈部连接的虚迹线将不能接收施加到电传导迹线或竖向贯通连接件(或沿着相反的方向施加)的电信号，因为蚀刻颈部将相应的电气路径断开连接。然而，将测试信号施加到通过竖向贯通连接部连接(例如在顶侧部或在底侧部处)的迹线或者施加到迹线之间，应该允许在竖向贯通连接件与所述迹线之间的连接被适当地建立时对响应信号进行检测。因此，所描述的实施方式允许通过使用所描述的硬件测试结构执行非破坏性测试过程来可靠地测试背钻孔和已连接的蚀刻颈部的功能。
在实施方式中，叠置件包括中央电绝缘层结构，该中央电绝缘层结构在其两个相反的主表面上覆盖有至少一个电传导层结构中的相应的一个电传导层结构。例如，叠置件可能是芯部。这样的芯部可以具有中央介电层，该中央介电层可以包括树脂，树脂可选地包括诸如玻璃纤维之类的增强颗粒。例如，中央介电层可以是预浸料层。中央介电层可以在两个相反的主表面上被覆盖有相应的铜箔等。
在实施方式中，叠置件包括至少一个通孔，该通孔至少部分地填充有电传导填充介质(例如镀铜)，以用于将叠置件的相反的主表面电连接。例如，通孔可以通过激光加工或通过机械钻孔形成。填充介质可以是铜，该铜可以例如通过化学沉积和/或镀覆而插入通孔中。通过这样的镀覆过孔，可以在部件承载件的两个相反的主表面之间获得短的竖向连接路径，这也抑制了信号损失。
在实施方式中，部件承载件用于5G(或更高版本，例如6G)。根据5G标准的移动无线通信涉及在单位时间的高传输数据量的情况下的高频传输，并且因此在高频行为方面需要良好的性能。根据本发明的示例性实施方式的部件承载件满足这些苛刻的要求。第五代(5G)网络具有更高的移动数据速率，特别地明显高于100Mb/s。当实现根据本发明的示例性实施方式的部件承载件时，第五代通信网络可以经历优异的网络传输保真度。
在实施方式中，部件承载件用于1GHz以上、特别地大约100GHz以上的高频应用。特别地对于这样的高频，信号传输对桩形部引起的寄生效应特别敏感。根据本发明示例性实施方式的部件承载件的高RF性能即使在具有这种高频值的情况下也允许低损耗信号传输。
在实施方式中，部件承载件包括叠置件，叠置件包括至少一个电绝缘层结构和至少一个电传导层结构。例如，部件承载件可以是所提及的电绝缘层结构和电传导层结构的层压件，该层压件特别地通过施加机械压力和/或热能而形成。所提到的叠置件可以提供能够为另外的部件提供大安装表面并且仍然非常薄且紧凑的板状部件承载件。术语“层结构”可以特别地表示在共用平面内的连续层、图案化层或多个非连续的岛状件。
在实施方式中，部件承载件被成形为板。这有助于紧凑的设计，其中尽管如此，部件承载件仍为部件承载件上的安装部件提供了大的基底。此外，特别地，作为嵌入的电子部件的示例的裸晶片由于其较小的厚度可以方便地嵌入诸如印刷电路板之类的薄板中。
在实施方式中，部件承载件构造为印刷电路板、基板(特别是IC基板)和中介层中的一者。
在本申请的上下文中，术语“印刷电路板”(PCB)可以特别地表示通过例如经由施加压力和/或供给热能而将多个电传导层结构与多个电绝缘层结构层压而形成的板状部件承载件。作为用于PCB技术的优选材料，电传导层结构由铜制成，而电绝缘层结构可以包括树脂和/或玻璃纤维、所谓的预浸料或FR4材料。通过例如以激光钻孔或机械钻孔的方式形成穿过层压件的通孔，并且通过用电传导材料(特别是铜)填充该通孔从而形成作为通孔连接部的过孔，可以以期望的方式将各电传导层结构连接至彼此。除了可以嵌入在印刷电路板中的一个或更多个部件以外，印刷电路板通常被构造为在板状印刷电路板的一个表面或相反的两个表面上容置一个或更多个部件。所述一个或更多个部件可以通过焊接连接至相应的主表面。PCB的介电部分可以包括具有增强纤维(比如玻璃纤维)的树脂。
在本申请的上下文中，术语“基板”可以特别地表示小的部件承载件。相对于PCB，基板可以是相对较小的部件承载件，该部件承载件上可以安装有一个或更多个部件，并且该部件承载件可以用作一个或更多个芯片与另一PCB之间的连接介质。例如，基板可以具有与待安装在基板上的部件(特别是电子部件)大致相同的尺寸(例如在芯片尺寸封装(CSP)的情况下)。更具体地，基板可以被理解为用于电连接件或电网络的承载件以及与印刷电路板(PCB)相当但具有相当高密度的横向和/或竖向布置的连接件的部件承载件。横向连接件例如是传导通道，而竖向连接件可以是例如钻孔。这些横向连接件和/或竖向连接件布置在基板内，并且可以用于提供容置部件或未容置部件(诸如裸晶片)——特别是IC芯片——与印刷电路板或中间印刷电路板的电连接、热连接和/或机械连接。因此，术语“基板”还包括“IC基板”。基板的介电部分可以包括具有增强颗粒(比如为增强球体，特别是玻璃球体)的树脂。
基板或中介层可以包括下述各者或由下述各者构成：至少一层玻璃、硅(Si)、可光成像或可干蚀刻的有机材料如环氧基积层材料(比如环氧基积层膜)、或聚合物化合物如聚酰亚胺、聚苯并恶唑或苯并环丁烯-功能聚合物。
在实施方式中，至少一个电绝缘层结构包括下述各者中的至少一者：树脂(比如增强树脂或非增强树脂，例如环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂)、氰酸酯、聚亚苯基衍生物、玻璃(特别是玻璃纤维、多层玻璃、玻璃状材料)、预浸材料(比如FR-4或FR-5)、聚酰亚胺、聚酰胺、液晶聚合物(LCP)、环氧基积层膜、聚四氟乙烯(PTFE、特氟隆)、陶瓷以及金属氧化物。也可以使用例如由玻璃(多层玻璃)制成的增强结构，比如网状物、纤维或球体。尽管对于刚性PCB而言，预浸料、特别是FR4通常是优选的，但是也可以使用其他材料，特别是环氧基积层膜或可光成像的介电材料。对于高频的应用，诸如聚四氟乙烯、液晶聚合物和/或氰酸酯树脂之类的高频材料、低温共烧陶瓷(LTCC)或其他低、极低或超低DK材料可以在部件承载件中被实现为电绝缘层结构。
在实施方式中，电传导层结构中的至少一个电传导层结构包括铜、铝、镍、银、金、钯和钨中的至少一者。尽管铜通常是优选的，但是其他的材料或其涂覆的其他类型也是可以的，特别是涂覆有诸如石墨烯之类的超导材料。
可以可选地表面安装在叠置件和/或嵌入在叠置件中的至少一个部件可以选自非导电嵌体、导电嵌体(例如金属嵌体，优选地包括铜或铝)、热传递单元(例如热管)、光引导元件(例如光波导或光导体连接件)、光学元件(例如透镜)、电子部件或其组合。例如，该部件可以是有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储设备(例如DRAM或其他数据存储器)、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、发光二极管、光耦合器、电压转换器(例如DC/DC转换器或AC/DC转换器)、密码部件、发送器和/或接收器、机电转换器、传感器、致动器、微机电系统(MEMS)、微处理器、电容器、电阻器、电感、电池、开关、相机、天线、逻辑芯片和能量收集单元。但是，其他部件也可以嵌入在部件承载件中。例如，磁性元件可以用作部件。这种磁性元件可以是永磁性元件(诸如铁磁性元件、反铁磁性元件、多铁性元件或亚铁磁性元件，例如铁氧体芯)或者可以是顺磁性元件。然而，该部件还可以是例如呈板中板构型的基板、中介层或另外的部件承载件。部件可以表面安装在部件承载件上和/或可以嵌入在部件承载件内部。此外，还可以使用其他的部件作为部件，特别是那些产生和发射电磁辐射和/或对从环境传播的电磁辐射敏感的部件。
在实施方式中，部件承载件是层压式部件承载件。在这样的实施方式中，部件承载件是通过施加压力和/或热而叠置并连接在一起的多层结构的化合物。
在对部件承载件的内部层结构进行处理之后，可以用一个或更多个另外的电绝缘层结构和/或电传导层结构对称地或不对称地覆盖(特别是通过层压)经处理的层结构的一个主表面或相反的两个主表面。换句话说，可以持续堆积，直到获得期望的层数为止。
在电绝缘层结构和电传导层结构的叠置件的形成完成之后，可以进行对所获得的层结构或部件承载件的表面处理。
特别地，在表面处理方面，可以将电绝缘的阻焊剂施加至层叠置件或部件承载件的一个主表面或相反的两个主表面。例如，可以在整个主表面上形成该阻焊剂并且随后对阻焊剂层进行图案化以暴露一个或更多个电传导表面部分，这些电传导表面部分将用于将部件承载件电耦接至电子外围件。部件承载件的保持被阻焊剂覆盖的表面部分、特别是包含铜的表面部分可以被有效地保护以免受氧化或腐蚀。
就表面处理而言，还可以选择性地将表面修整部施加到部件承载件的暴露的电传导表面部分。这样的表面修整部可以是部件承载件的表面上的暴露的电传导覆盖结构(诸如垫、电传导迹线等，特别是包括铜或由铜构成)上的电传导覆盖材料。如果不保护这样的暴露的电传导层结构，暴露的电传导部件承载件材料(特别是铜)就可能会氧化，从而使部件承载件的可靠性较低。然后，可以将表面修整部形成为例如表面安装的部件与部件承载件之间的接合部。表面修整部具有保护暴露的电传导层结构(特别是铜电路)并且例如通过焊接来实现与一个或更多个部件的结合过程的功能。用于表面修整部的合适材料的示例是有机可焊性防腐剂(OSP)、化学镍浸金(ENIG)、金(特别是硬金)、化学锡、镍金、镍钯、化学镍浸钯浸金(ENIPIG)等。
根据下面将描述的实施方式的示例，本发明的以上限定的方面和其他方面变得明显，并且参考实施方式的这些示例来说明。
附图说明
图1至图3示出了在执行根据本发明的示例性实施方式的制造如图3所示的部件承载件的方法期间获得的结构的三维视图。
图4示出了根据本发明的示例性实施方式的制造部件承载件的方法的流程图。
图5示出了根据本发明的另一示例性实施方式的没有任何桩形部的部件承载件。
图6示出了根据本发明的又一示例性实施方式的部件承载件，该部件承载件包括用于对部件承载件的完整性进行无损测试的测试结构。
图7示出了根据本发明的又一示例性实施方式的部件承载件，该部件承载件包括用于执行电测试来对部件承载件的完整性进行测试的测试结构。
附图中的图示是示意性的。在不同的附图中，相似或相同的元件具有相同的附图标记。
具体实施方式
在参照附图之前，将更详细地描述示例性实施方式，将基于已经开发了本发明的示例性实施方式的一些基本考虑进行总结。
根据本发明的示例性实施方式，可以为HF板(高频板)创建背钻孔而在孔内没有毛刺。这可以通过形成背钻孔的颈状延伸部、特别地通过蚀刻来实现。
桩形部可能会对部件承载件的高频性能产生很大影响。为了减少桩形部长度并提高性能，对剩余桩形部进行背钻孔是有利的。然而，在孔内可能会发生由(特别是机械)背钻孔过程引起的不受控制的铜毛刺，这会对性能产生附加的不期望的影响。根据本发明的示例性实施方式，蚀刻颈部形成为使背钻孔延伸以减小桩形部的长度，优选地减小到零。
背钻孔是一种从诸如印刷电路板(PCB)之类的部件承载件的镀覆的通孔中去除铜筒形部中的未使用的部分(所谓的桩形部)的技术。当高速信号通过路径在各层之间行进时，高速信号可能会失真。如果信号层的使用产生了桩形部以及桩形部太长，则失真可能会变得很显著。在常规工艺中，钻孔毛刺可能会出现在孔内，这可能会对性能产生影响，因为这种毛刺无法得到正确控制。另一方面，由于还需要考虑深度钻孔的公差，所以剩余的桩形部可能是较长的一侧。为了避免该问题，本发明的示例性实施方式另外产生了蚀刻颈部，该蚀刻颈部可以通过(例如碱性)蚀刻工艺形成。这样的附加蚀刻过程可以在机械背钻之后作为单独的阶段实施。高度有利地，这可以部分或全部去除毛刺，另外减少剩余的桩形部长度，并且可以安全地防止对孔自身的功能部分的不期望的损坏。
另外，可以用高压冲洗来清洁背钻孔，这也可以减少毛刺。然而，为了获得最佳结果，可以将这种清洁工艺与用于形成蚀刻颈部的所述蚀刻工艺相组合或被替换为用于形成蚀刻颈部的所述蚀刻工艺。特别地，本发明的示例性实施方式允许去除桩形部和毛刺的至少大部分。因此，可以安全地防止在背钻孔中存在非常不期望的不受控制的过多毛刺。此外，还可以减少剩余的桩形部的长度，从而获得更稳定和可重复的HF特征。
本发明的示例性实施方式的示例性应用是具有高频应用的部件承载件，其中，背钻是有利的，可以冲洗背钻孔，并且可以通过形成蚀刻颈部来减少桩形部的长度以及去除毛刺。
例如，根据本发明示例性实施方式的部件承载件可以利用具有至少20GHz的频率的信号来操作。特别地，在该频域中，通常会发生激光通孔中的干涉。
根据本发明的示例性实施方式，可以实现对HF板的无毛刺背钻。通过稳定地增加带宽需求和必须处理的数据量来驱动，根据本发明的示例性实施方式，PCB内的传输信道可以得到改善或者甚至优化。
特别地，可以考虑部件承载件的三个主要参数，以减少插入损耗。这些参数与材料(优选地低k材料)的使用、铜损耗(通过使用经过低处理的箔片)以及过孔结构有关。过孔结构可能会对插入损耗曲线产生巨大的负面影响，特别是如果过孔明显地延伸超过需要被电连接的层时，过孔结构可能会对插入损耗曲线产生巨大的负面影响。背钻孔是从PCB或其他部件承载件中的镀覆的通孔中去除铜筒形部的未使用部分(可能表示为桩形部)的技术。当高速信号通过路径在各层之间行进时，高速信号可能会失真。如果信号层的使用产生桩形部，并且桩形部太长，则失真会变得明显。
鉴于前述内容，本发明的示例性实施方式提供了一种制造方法，该制造方法允许(部分或优选地完全)去除背钻的镀覆通孔内的毛刺。
在现有工艺中，钻孔毛刺可能会在孔内产生，这会对性能产生不良影响，因为这种毛刺无法得到正确控制。另一方面，由于必须考虑深度钻孔的公差，所以剩余的桩形部可能在较长的一侧处。常规部件承载件的截面示出了存在不期望的内层连接部和显著的钻孔毛刺。
根据本发明的示例性实施方式，可以执行(特别是碱性)蚀刻工艺以至少减少上述缺点。为了避免这些和/或其他问题，可以在背钻之后实施(例如碱性)蚀刻步骤，以部分地或完全地去除毛刺，并且至少附加地减少剩余的桩形部长度，而不损坏孔本身的功能部分。
利用附加的碱性蚀刻工艺实施所述的背钻的本发明的示例性实施方式的工艺流程可以如下：在形成叠置件的最后压制循环之后，可以进行机械钻空，然后进行铜工艺。此后，可以进行光学加工(可能涉及层压、曝光和显影)和电镀锡堆积工艺。此后，可以完成背钻。随后可以进行碱性蚀刻工艺以用于形成蚀刻颈部。之后，可以以常规方式继续制造部件承载件。
图1至图3示出了在执行根据本发明的示例性实施方式的制造图3中所示的部件承载件100的方法期间获得的结构的三维视图。
参照图1，示出了层压的叠置件102，该叠置件102由电传导层结构104和电绝缘层结构106组成。例如，电传导层结构104可以包括图案化的铜箔和竖向贯通连接件，该竖向贯通连接件例如为铜填充的激光过孔。电绝缘层结构106可以包括树脂(例如环氧树脂)，可选地在电绝缘层结构中包括增强颗粒(例如玻璃纤维或玻璃球)。例如，电绝缘层结构106可以由预浸料或FR4制成。层结构104、106可以通过层压来连接，即通过施加压力和/或热来连接。
如所示出的，电传导层结构104包括电传导的竖向贯通连接件108和水平延伸的电传导迹线110，电传导迹线110在不同的竖向高度上与竖向贯通连接件108电联接。此外，垫118设置在不同的竖向高度上，垫118与竖向贯通连接件108和迹线110中的相应的一个迹线电连接。因此，图1示出了竖向贯通连接件108的由盘或垫118横穿的各个部分的横向叠置的布置结构。相应的迹线110经由分配的盘或垫118连接至竖向贯通连接件108的相应部分。在图3中所示的容易制造的部件承载件100中，电信号(特别地高频信号，优选地具有20GHz或更高的频率)应当通过两个电传导迹线110之间的竖向贯通连接件108而在两个电传导迹线110之间传导。在根据图1的下部迹线110下方的竖向贯通连接件108的底侧处，示出了竖向贯通连接件108的寄生部分，该寄生部分具有竖向延伸部H。如果图1中所示的结构用于传输高频信号，则由于创建了用附图标记138表示的寄生传播路径，所述寄生部分将显著降低信号质量。
参照图2，背钻孔112可以从叠置件102的背侧部朝向竖向贯通连接件108的端部部分116钻穿电绝缘层结构106的一部分，并且还可以去除竖向贯通连接件108的材料(特别是铜)的一部分。由此，竖向贯通连接件108的寄生部分的长度可以被减小为剩余的金属桩形部120的长度h，其中H＞h。这种背钻孔可以改善当前制造的部件承载件100的高频性能。例如，可以通过旋转钻头来以机械的方式钻出背钻孔112，该旋转钻头具有基本柱形的轴和锥形或截头锥形的梢部(未示出)。如果背钻孔112是通过机械钻孔而形成的，则背钻孔112可以具有所示的形状，即具有大的筒形部分122和竖向较小的锥形或截头锥形的延伸部124。形成从叠置件102的背侧延伸到上述过孔桩形部120的背钻孔112可以改善将被制造的部件承载件100的高频性能，因为与图1相比，剩余桩形部120的竖向延伸部h已经可以显著减小。然而，如附图标记132所指示的，以机械的方式钻出背钻孔112可能在剩余桩形部120与背钻孔112之间的接合部处产生不期望的铜材料毛刺。毛刺132以及长度为h的剩余桩形部120两者可能劣化RF性能，因为毛刺132以及长度为h的剩余桩形部120可能会干扰信号沿着通过竖向贯通连接件108连接的迹线110之间的期望路径传播。
随后，可选地，可以用高压冲洗来清洁背钻孔112。这可能已经对高频特性产生了积极影响。
参照图3，通过在背钻孔之后(并且在可选的冲洗之后)执行的附加蚀刻过程，在背钻孔112与竖向贯通连接件108的端部部分116之间形成蚀刻颈部114。更具体地，可以通过湿蚀刻来形成蚀刻颈部114，例如通过碱性蚀刻来形成蚀刻颈部114。
如图所示，通过背钻孔和颈部刻蚀而在叠置件102中形成的孔可以包括具有第一直径D的外部筒形部分122，跟随着外部筒形部分122的是直接连接的截头锥形延伸部124，该直接连接的截头锥形延伸部124又直接连接至内部筒形部分，该内部筒形部分呈具有第二直径d的蚀刻颈部114的形式，该第二直径d小于第一直径D，即d＜D。
可选地，部件126(例如，高频半导体芯片)可以被嵌入到叠置件102中，并且可以被电连接至迹线110和竖向贯通连接件108。例如，具有嵌入式RF的部件承载件100部件126可以用于根据5G(或更高的，例如6G)的无线通信。
作为该制造方法的结果，可以获得图3中所示的部件承载件100。所述部件承载件100包括由电传导层结构104和电绝缘层结构106构成的叠置件102。如图所示，电传导层结构104包括电传导的竖向贯通连接件108和水平延伸的电传导迹线110，竖向贯通连接件108和水平延伸的电传导迹线110中的一者与竖向贯通连接件108的端部部分116电联接。背钻孔112延伸穿过叠置件100的一部分。刻蚀颈部114形成为将背钻孔112与竖向贯通连接件108的端部部分116连接。竖向贯通连接件108是镀覆的过孔。竖向贯通连接件108可以构造为筒形电传导结构或构造为中空的筒形电传导结构，该中空的筒形电传导结构优选地由铜制成。盘或垫118将电传导迹线110与竖向贯通连接件108电连接。
此外，竖向贯通连接件108包括现在位于蚀刻颈部114与下部盘或垫118之间缩短的电传导桩形部120。缩短桩形部120是形成蚀刻颈部114的结果。此外，形成蚀刻颈部114部分地或全部地去除了毛刺132，参照图3中的附图标记134。鉴于这种构型，部件承载件100被配置为非常适合于信号频率高于1GHz的高频应用。如图3中的附图标记136所指示的，沿着竖向贯通连接件108在迹线110之间传播的高频信号现在可以被传导，而基本上不受参照图1和图2描述的寄生效应(parasitic effects)的干扰。
根据图3的部件承载件100可以通过以下方式获得：首先冲洗背钻孔112，然后从叠置件102的下侧部开始进行碱性蚀刻过程，从而形成背钻孔112的呈蚀刻颈部114的形式的狭窄的向上延伸部。该部件承载件的优点体现在两方面：首先，图2中所示的毛刺132可以被移除，如图3中的附图标记134示意性指示的。此外，可选地剩余的桩形部120的竖向尺寸可以进一步减小为值b＜h。因此，部件承载件100的RF性能是非常良好的，因为基本上不允许RF信号不期望地传播到部件承载件100的不期望的部分。因此，RF信号基本上沿着图3中示意性指示的期望传播路径136传播。因此，可以防止如图1中附图标记138示意性指示的不期望的信号路径。从描述上来说，图1中长度为H的寄生部分和图2中长度为h的桩形部可能用作寄生天线，因此可能会显著干扰信号。在图3中所示的实施方式中，桩形部120的剩余长度b可以例如小于0.2mm，特别地小于0.1mm。当以相应的方式控制蚀刻工艺时，剩余长度b甚至可以基本为零(例如，与图5相比较)。
尽管图3中未示出，但是也可以用优选地由电绝缘塞材料制成的塞子来填充背钻孔112的至少一部分，背钻孔112可选地包括蚀刻颈部114的至少一部分。这可以防止材料不期望地进入部件承载件100的内部。
图4示出了根据本发明的示例性实施方式的制造部件承载件100的方法的流程图。
如附图标记200所示，层结构104、106的叠置件102可能已经经历了最后的压制循环。如附图标记202所示，然后可以进行机械钻孔过程。如附图标记204所示，然后可以执行铜沉积工艺以用于形成竖向贯通连接件108。这之后可以是光学工艺，参见附图标记210，光学工艺可以涉及层压、曝光和显影。此后，可以执行电镀锡沉积工艺，参见附图标记212。如框214所示，然后可以执行背钻孔工艺以通过机械钻孔形成背钻孔112。随后，可以执行碱性蚀刻工艺(请参见框216)以形成蚀刻颈部114。然后可以根据框218以常规方式继续进行部件承载件的制造。
图5示出了根据本发明的另一示例性实施方式的没有任何桩形部的部件承载件100。如附图标记140所示，背钻孔112的下部可以具有竖向侧壁。背钻孔112的上部部分可以具有可向内渐缩的倾斜的侧壁部分，参见附图标记142。这可产生背钻孔112的截头锥形部分124。经蚀刻的蚀刻颈部114可以具有竖向侧壁，参见附图标记144。然而，当蚀刻工艺不是理想的各向异性时，蚀刻颈部114的侧壁也可能向内渐缩，参见附图标记146。相应地，当背钻孔112不是通过机械钻孔形成的，而是例如通过激光钻孔而形成，背钻孔也可以具有倾斜的侧壁，参见附图标记148。在背钻孔112通过激光钻孔形成的情况下，还可能的是，背钻孔112整体上具有截头锥形的形状。
图6示出了根据本发明的又一示例性实施方式的部件承载件100，部件承载件100包括用于对部件承载件100的完整性进行无破坏性测试的测试结构150。
在所示的实施方式中，测试结构150具有两个水平延伸的电传导虚迹线130。下部虚迹线130布置在背钻孔112的竖向高度处，并连接至背钻孔112。另一个上部虚迹线130布置在蚀刻颈部114的竖向高度处并且连接至蚀刻颈部114。此外，测试结构150被配置为用于将电测试信号施加到电传导迹线110中的一个电传导迹线并且用于对相应的虚迹线130处的响应信号进行检测。已测量的响应信号指示背钻孔112和蚀刻颈部114的功能。然后可以基于检测到的响应信号对指示背钻孔112和/或蚀刻颈部114的功能的信息进行确定。例如，如果适当地形成背钻孔112，则在连接至背钻孔112的虚迹线130处将不会检测到信号。如果蚀刻颈部114适当地形成，则在连接至蚀刻颈部114的虚迹线130处将不会检测到信号。
因此，图6的具有高频能力的PCB部件承载件100可以经受功能测试。如图所示，除了功能迹线110之外，可以在上面所示的实施方式中以及在背钻孔112处，在叠置件102的不同的竖向高度处还可以设置多个测试迹线或虚迹线130。通过测试迹线130或虚迹线来执行电测试，可以在不破坏部件承载件100的情况下确保背钻孔112的正确的形成或蚀刻颈部114的正确形成。在示出的实施方式中，可以在下部测试迹线或虚迹线130与功能迹线110之间不传输测试信号，由于下部测试迹线或虚迹线130在背钻孔112处终止，因此无法使用上述电测试路径。以相应的方式，由于上部测试或虚迹线130在蚀刻颈部114处终止，因为蚀刻凹部114被适当地形成并且由此禁用了所描述的电气测试路径，测试信号可能不在上部测试迹线或虚迹线130与功能迹线110之间传递。因此，可以使用参照图6描述的测试结构150以非破坏性的方式对背钻孔112和蚀刻颈部114的正确形成进行测试以及特别地对背钻孔112和蚀刻颈部114的高度进行测试。
图7示出了根据本发明的又一示例性实施方式的包括测试结构150的部件承载件100，该测试结构150用于执行电测试以测试部件承载件100的完整性。
还参照图6的类似实施方式，示出的测试结构150使得可以测试在具有背钻孔112的参考钻孔结构230与强制性连接结构200之间是否建立了适当的电连接。仅如果电流沿着迹线110流动，则部件承载件100可以被认为工作正常。此外，所示的测试结构150使得可以测试在无连接允许的结构220与参考钻孔结构230之间是否缺少电连接。只有当没有电流沿着第一虚迹线130a流动时，部件承载件100才能被认为工作正常。此外，电流不应沿着第二虚迹线130b在参考钻孔结构230与目标层结构210之间流动。因此，根据图7的部件承载件100允许提供电测试基准后部/深钻孔结构。
应当注意，术语“包括”不排除其他元件或步骤，并且“一”或“一种”不排除多个。而且，可以对与不同实施方式相关联地描述的元件进行组合。
还应当指出，权利要求中的附图标记不应被解释为限制权利要求的范围。
本发明的实施不限于附图中所示和上面描述的优选实施方式。相反，使用示出的解决方案和根据本发明的原理的多种变型也是可行的，即使在根本不同的实施方式的情况下，也可以进行多种变型。

Claims (15)

1.一种部件承载件(100)，其中，所述部件承载件(100)包括：
叠置件(102)，所述叠置件(102)包括多个电传导层结构(104)和至少一个电绝缘层结构(106)；
其中，所述电传导层结构(104)包括电传导的竖向贯通连接件(108)和水平延伸的电传导迹线(110)，所述水平延伸的电传导迹线(110)与所述竖向贯通连接件(108)的端部部分(116)电联接；
背钻孔(112)，所述背钻孔(112)穿过所述至少一个电绝缘层结构(106)的至少一部分而朝着所述端部部分(116)延伸；以及
蚀刻颈部(114)，所述蚀刻颈部(114)将所述背钻孔(112)与所述竖向贯通连接件(108)的所述端部部分(116)连接。
2.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，包括以下特征中的至少一者：
其中，所述竖向贯通连接件(108)是镀覆的过孔；
所述部件承载件包括垫(118)，所述垫(118)将所述电传导迹线(110)与所述竖向贯通连接件(108)电连接；
其中，所述竖向贯通连接件(108)包括位于所述蚀刻颈部(114)与所述电传导迹线(110)之间的电传导桩形部(120)，其中，特别地，所述桩形部(120)的竖向长度(b)不大于0.2mm，特别地不大于0.1mm；
其中，所述部件承载件(100)在所述蚀刻颈部(114)与所述电传导迹线(110)之间没有电传导桩形部；
其中，所述竖向贯通连接件(108)的所述端部部分(116)没有毛刺；
其中，所述背钻孔(112)包括筒形部分(122)，特别地，所述背钻孔(112)包括位于所述筒形部分(122)与所述蚀刻颈部(114)之间的锥形或截头锥形部分(124)；
其中，所述蚀刻颈部(114)呈筒形形状和截头锥形状中的一者；
其中，所述蚀刻颈部(114)的直径(d)小于所述背钻孔(112)的直径(D)；
其中，所述竖向贯通连接件(108)被构造为筒形电传导结构和中空筒形电传导结构中的一者；
其中，所述部件承载件(100)被构造成用于高频应用；
所述部件承载件(100)包括至少一个电子部件(126)，所述电子部件(126)特别是至少一个射频半导体芯片，所述射频半导体芯片配置成用于发射和/或接收射频信号、安装在所述叠置件(102)上和/或嵌入在所述叠置件(102)中，并且所述射频半导体芯片与所述电传导迹线(110)和所述竖向贯通连接件(108)电联接；
其中，所述部件承载件(100)包括测试结构(150)，所述测试结构(150)包括至少一个水平延伸的电传导虚迹线(130)，所述至少一个水平延伸的电传导虚迹线(130)位于所述背钻孔(112)的竖向高度处并且连接至所述背钻孔(112)，以及/或者，所述至少一个水平延伸的电传导虚迹线(130)位于所述蚀刻颈部(114)的竖向高度处并且连接至所述蚀刻颈部(114)，其中，特别地，所述测试结构(150)构造成使得：将电测试信号施加到所述至少一个水平延伸的电传导虚迹线(130)和所述电传导迹线(110)中的一者并且对所述至少一个水平延伸的电传导虚迹线(130)和所述电传导迹线(110)中的另一者处的响应信号进行检测，以指示所述背钻孔(112)和/或所述蚀刻颈部(114)的功能。
3.根据权利要求1至2中的任一项所述的部件承载件(100)，所述部件承载件(100)包括以下特征中的至少一者：
所述部件承载件(100)包括表面安装在所述部件承载件(100)上和/或嵌入在所述部件承载件(100)中的至少一个部件(126)，其中，特别地，所述至少一个部件(126)选自：电子部件、非导电嵌体和/或导电嵌体、热传递单元、光引导元件、光学元件、桥接件、能量收集单元、有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储装置、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、电压转换器、密码部件、发送器和/或接收器、机电换能器、致动器、微机电系统、微处理器、电容器、电阻器、电感、蓄能器、开关、相机、天线、磁性元件、另外的部件承载件、和逻辑芯片；
其中，所述部件承载件(100)的所述电传导层结构(104)中的至少一个电传导层结构包括铜、铝、镍、银、金、钯和钨中的至少一者，所述铜、铝、镍、银、金、钯和钨中的任一者可选地被涂覆有超导材料，所述超导材料比如为石墨烯；
其中，所述至少一个电绝缘层结构(106)包括树脂、特别是增强树脂或非增强树脂、例如环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂、FR-4、FR-5、氰酸酯基树脂、聚亚苯基衍生物、玻璃、预浸材料、聚酰亚胺、聚酰胺、液晶聚合物、环氧基积层膜、聚四氟乙烯、陶瓷和金属氧化物中的至少一者：；
其中，所述部件承载件(100)被成形为板；
其中，所述部件承载件(100)被构造为印刷电路板、基板和中介层中的一者；
其中，所述部件承载件(100)被构造为层压式部件承载件。
4.一种制造部件承载件(100)的方法，其中，所述方法包括：
提供包括多个电传导层结构(104)和至少一个电绝缘层结构(106)的叠置件(102)；
形成具有电传导的竖向贯通连接件(108)和水平延伸的电传导迹线(110)的电传导层结构(104)，所述电传导迹线(110)与所述竖向贯通连接件(108)电联接；
穿过所述至少一个电绝缘层结构(106)的至少一部分并且钻入到所述竖向贯通连接件(108)中而钻出背钻孔(112)；以及
在所述背钻孔(112)与所述竖向贯通连接件(108)的端部部分(116)之间蚀刻出蚀刻颈部(114)。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述方法包括通过湿蚀刻来蚀刻出所述蚀刻颈部(114)。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述方法包括通过碱性蚀刻或通过酸性蚀刻来蚀刻出所述蚀刻颈部(114)。
7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述方法包括通过干蚀刻来蚀刻出所述蚀刻颈部(114)。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述方法包括通过等离子体蚀刻来蚀刻出所述蚀刻颈部(114)。
9.根据权利要求5至8中的任一项所述的方法，其中，所述方法包括通过冲洗来清洁所述背钻孔(112)，特别地，通过高压冲洗来清洁所述背钻孔(112)。
10.根据权利要求5至9中的任一项所述的方法，其中，所述方法包括以机械的方式钻出所述背钻孔(112)。
11.根据权利要求5至10中的任一项所述的方法，其中，所述方法包括：将电测试信号施加到至少一个水平延伸的电传导虚迹线(130)和所述电传导迹线(110)中的一者，所述至少一个水平延伸的电传导虚迹线(130)设置在所述背钻孔(112)的竖向高度处并且连接至所述背钻孔(112)，以及/或者，所述至少一个水平延伸的电传导虚迹线(130)设置在所述蚀刻颈部(114)的竖向高度处并且连接至所述蚀刻颈部(114)；
对所述至少一个水平延伸的电传导虚迹线(130)和所述电传导迹线(110)中的另一者处的响应信号进行检测；以及
基于检测到的响应信号来确定指示所述背钻孔(112)和/或所述蚀刻颈部(114)的功能的信息。
12.一种将根据权利要求1至3中的任一项所述的部件承载件(100)用于高频应用的方法。
13.根据权利要求12所述的方法，包括以下特征中的至少一者：
其中，所述部件承载件(100)用于无线通信，特别地，所述部件承载件(100)用于根据5G进行无线通信；
其中，所述部件承载件(100)用于1GHz以上的高频应用，特别地，所述部件承载件(100)用于100GHz以上的高频应用。
14.一种部件承载件(100)，其中，所述部件承载件(100)包括：
叠置件(102)，所述叠置件(102)包括多个电传导层结构(104)和至少一个电绝缘层结构(106)；
其中，所述电传导层结构(104)包括电传导的竖向贯通连接件(108)和水平延伸的电传导迹线(110)，所述水平延伸的电传导迹线(110)与所述竖向贯通连接件(108)的端部部分(116)电联接；
背钻孔(112)，所述背钻孔(112)穿过所述至少一个电绝缘层结构(106)的至少一部分而朝着所述端部部分(116)延伸；以及
测试结构(150)，所述测试结构(150)包括至少一个水平延伸的电传导虚迹线(130)，所述至少一个电传导虚迹线(130)位于所述背钻孔(112)的竖向高度处并且连接至背钻孔(112)，以及/或者，所述电传导虚迹线(130)位于可选的蚀刻颈部(114)的竖向高度处并且连接至所述蚀刻颈部(114)，所述蚀刻颈部(114)将所述背钻孔(112)与所述竖向贯通连接件(108)的所述端部部分(116)连接。
15.根据权利要求14所述的部件承载件(100)，其中，所述测试结构(150)被配置为使得：将电测试信号施加到所述至少一个电传导虚迹线(130)和所述电传导迹线(110)中的一者并且对所述至少一个电传导虚迹线(130)和所述电传导迹线(110)中的另一者处的响应信号进行检测，以指示所述背钻孔(112)和/或所述蚀刻颈部(114)的功能。
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