CN111511104B - 部件承载件以及制造部件承载件的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了部件承载件(100)及其制造方法。部件承载件包括：具有第一主表面(104)和第二主表面(106)的电绝缘层结构(102)；通孔(108)，该通孔延伸穿过电绝缘层结构(102)处于第一主表面(104)与第二主表面(106)之间，并且具有从第一主表面(104)延伸的第一渐缩部分(114)和从第二主表面(106)延伸的第二渐缩部分(116)；以及连接电绝缘层结构(102)的界定通孔(108)的相对侧壁(112)的导电桥结构(110)，其中，电绝缘层结构(102)的厚度(H)不大于120μm，并且其中，通孔(108)的最窄直径(C)与通孔(108)在第一渐缩部分(114)和/或第二渐缩部分(116)中的最大开口直径(d、e)之间的比率在70％至90％之间的范围内，特别是在79％至86％之间的范围内。

Description

部件承载件以及制造部件承载件的方法
技术领域
本发明涉及部件承载件和制造部件承载件的方法。
背景技术
在配备有一个或多个电子部件的部件承载件的产品功能不断增多和这种部件的日益微型化以及待安装在部件承载件诸如印刷电路板上的部件的数量不断增加的背景下，日益采用具有若干部件的更强大的阵列状部件或封装件，这些部件或封装件具有多个触点或连接件，在这些触点之间的间隔不断减小。移除由这样的部件和部件承载件自身在运行期间产生的热成为日益凸显的问题。同时，部件承载件应当是机械牢固的且电气可靠的，以便甚至在恶劣条件下也能够运行。所有这些要求与部件承载件及其构成的持续微型化密切相关。
特别地，以适当的质量有效地接触安装在部件承载件上的和/或嵌入部件承载件中的部件和/或导电层结构可能是有利的。为此目的或其他目的，形成可以填充有铜的机械过孔和激光过孔可能是有利的。
发明内容
可能需要制造具有适当电可靠性的部件承载件。
根据本发明的示例性实施方式，提供了一种部件承载件，该部件承载件包括：具有第一主表面和第二主表面的电绝缘层结构；延伸穿过电绝缘层结构位于第一主表面与第二主表面之间的通孔，并且该通孔具有从第一主表面延伸的第一渐缩部分和从第二主表面延伸的第二渐缩部分，以及连接电绝缘层结构的界定通孔的相对侧壁的导电桥结构，其中电绝缘层结构的厚度不大于120μm，并且其中通孔的最窄直径与通孔在第一渐缩部分和/或第二渐缩部分中的最大开口直径之间的比率在70％至90％之间的范围内，特别是在79％至86％之间的范围内。
根据本发明的另一示例性实施方式，提供了一种制造部件承载件的方法，其中该方法包括：形成延伸穿过电绝缘层结构位于第一主表面与第二主表面之间的通孔(特别是激光通孔)，该通孔具有从第一主表面延伸的第一渐缩部分和从第二主表面延伸的第二渐缩部分，其中该电绝缘层结构的厚度不大于120μm，并且其中通孔的最窄直径与通孔在第一渐缩部分和/或第二渐缩部分中的最大开口直径之间的比率在70％至90％之间的范围内，特别是在79％至86％之间的范围内；以及形成连接电绝缘层结构的界定通孔的相对侧壁的导电桥结构。
在本申请的上下文中，术语“部件承载件”可以特别地表示能够在其上和/或其中容纳一个或多个部件以提供机械支撑和/或电连接的任何支撑结构。换言之，部件承载件可以被配置为用于部件的机械和/或电子承载件。特别地，部件承载件可以是印刷电路板、有机内插物和IC(集成电路)基板中之一。部件承载件也可以是组合上述类型的部件承载件中的不同部件承载件的混合板。
在本申请的上下文中，术语“层结构”可以特别地表示连续层、图案化层或公共平面内的多个非连续岛。
在本申请的上下文中，术语“通孔”可以特别地表示完全延伸穿过整个电绝缘层结构的孔，并且该孔可以特别地并且优选地通过激光加工数据形成。因此，该通孔可以是激光通孔。这种通孔可以具有例如从电绝缘层结构的两个相反的主表面延伸的两个相对的渐缩部分。可以从电绝缘层结构的前侧和背侧即从电绝缘层结构的两个相反的主表面例如通过激光照射的组合来制造通孔。可以从这些侧中的每一侧执行一次或多次激光照射。从仅一个主表面通过激光加工形成通孔也是可能的。此外，也可以通过除激光加工之外的其他方法执行通孔的形成，例如通过等离子体处理。
在本申请的上下文中，术语“桥结构”可以特别地表示在电绝缘层结构的界定通孔的相对侧壁之间大致水平地延伸的导电结构，特别地该导电结构在通孔的最窄部分出或附近。例如，这样的桥结构可以通过在继通孔形成之后进行镀覆来形成。在这样的镀覆程序之后，先前形成的通孔仅部分地填充有构成桥结构的导电材料，使得桥结构在向上方向上由第一分界表面界定，在下部侧由第二分界表面界定。第一分界表面和第二分界表面都可以具有凹形形状。
根据本发明的示例性实施方式，提供了一种用于制造具有填充有导电材料的通孔的部件承载件的制造方法，其中被填充的通孔的电可靠性是非常有利的。在这种情况下，应当说当电绝缘层结构(例如芯部)的厚度低于120μm时，填充有铜的过孔(特别是激光过孔)的电可靠性是特别关键的。出人意料的是，已经发现，即使在这样关键情形下，通孔的最窄直径和通孔在一个或两个渐缩部分中的最大开口直径之间的在70％至90％之间的范围内的比率在可靠性方面提供了非常有利的特性。首先，在对应部件承载件的通孔的导电填充物中形成不期望的裂缝的风险非常低，这通过至少部分填充金属的通孔确保了机械完整性和可靠的导电连接。第二，上述参数选择强烈地抑制了在至少部分地填充通孔的填充介质的内部形成不期望的空隙。这对通过填充有铜的过孔传输电信号和/或电功率的可靠性也具有积极影响。第三，当显著的温度变化/热循环影响部件承载件时，这种填充有铜的过孔也不易于发生机械故障。因此，通过所提及的参数组合可以有利地获得部件承载件的高电气可靠性、高机械可靠性和高热可靠性。
接下来，将解释部件承载件和方法的另外的示例性实施方式。
在一种实施方式中，通孔的最窄直径在55μm至70μm之间的范围内。已经证明，通孔的最窄直径的这种绝对值允许用导电填充介质填充通孔，而没有裂缝和空隙的风险。
在一种实施方式中，第一渐缩部分和/或第二渐缩部分中的最大开口直径在65μm至80μm的范围内。而且，该设计规则已经被证明是对所获得的部件承载件的可靠性具有积极影响。
在一种实施方式中，在第一主表面上的图案化的第一导电层结构可以设置有露出第一渐缩部分的第一窗口。对应地，在第二主表面上的图案化的第二导电层结构可以设置有露出第二渐缩部分的第二窗口。第一窗口的第一直径和第二窗口的第二直径可各自在65μm至80μm之间的范围内。这些关于窗口尺寸的设计规则结合上述关于激光通孔的最窄宽度的设计规则可以对所获得的部件承载件的可靠性具有特别明显的积极影响。
在另一实施方式(其中在电绝缘层结构的相反主表面的一个或两个上的导电层结构可以是不必要的)中，第一渐缩部分的在电绝缘层结构的第一主表面处的开口和第二渐缩部分的在电绝缘层结构的第二主表面处的开口可以各自在65μm至80μm之间的范围内。特别地，该方法可以包括：在电绝缘层结构的一个或两个主表面没有被导电层结构覆盖的情况下，在电绝缘层结构中形成激光通孔。因此，激光通孔可以直接钻通电绝缘层结构。利用所提及的参数选择，即使在这样的实施方式中也可以获得高可靠性。
在一种实施方式中，第一导电层结构的第一厚度不大于12μm，特别是在2μm至3μm之间的范围内。对应地，第二导电层结构的第二厚度可以不大于12μm，特别是在2μm至3μm之间的范围内。如上面关于薄的电绝缘层结构所提及的，使用在2μm至12μm之间的范围内的非常薄的导电层结构也在可靠性方面涉及特殊挑战。然而已经发现，通过所提及的用于形成激光通孔和用导电材料至少部分地填充激光通孔的设计参数的组合，甚至使用非常薄的导电层结构也成为可能，而没有可靠性问题。这对于获得竖向上紧凑的部件承载件特别有利。
在一种实施方式中，桥结构的最小竖向厚度为至少25μm。实验表明，当桥结构在其整个宽度上的最小竖向厚度为至少25μm时，可以进一步提高可靠性。
保持桥结构的最小厚度小于40μm也可能是有利的。出人意料的是，还发现，当桥结构的竖向厚度变得过大时，作为上部分界表面和下部分界表面界定桥结构的凹坑或凹形表面可能变得过浅。当随后通过镀覆用导电材料(诸如铜)填充一个或两个凹坑时，这可能引起问题，因为它可能具有导致填充有铜的激光过孔的不期望形状的趋势。因此，还优选的是遵守桥结构的最窄竖向厚度的上限不大于40μm。
在一种实施方式中，在电绝缘层结构与导电层结构中的至少一个之间的悬伸(overhang，悬伸部、悬伸长度)在10μm至15μm之间的范围内。在本申请的上下文中，术语“悬伸”可以特别地表示与延伸穿过导电层结构的窗口中的相应一个窗口直接相邻的导电层结构的部分长度，在该长度上，导电层结构的相应部分以相对于电绝缘层结构间隔开的悬臂的方式自由悬挂，并且该相应部分没有从下方由电绝缘层结构的材料沿着悬伸部的延伸支撑。以上所陈述的涉及悬伸材料在局部不被支撑的内容，应当说悬伸可以与相应导电层结构下面的基本上无树脂的区域相关。然而，本领域技术人员将理解，一些残留树脂甚至可能存在于与悬伸相关的间隙内。为了定量地确定或测量悬伸的值，可以测量直接在悬伸的导电层结构下方的基本上无树脂(其中树脂可以指电绝缘层结构)的底切的长度(特别地，即使它不是在悬伸的导电层结构例如铜层下面的最回缩点或总离隙(relief，缺口))。换言之，为了测量悬伸，可以测量直接在导电层结构下面的底切。已经发现，通过减小悬伸，可以提高部件承载件的可靠性。已经证明，通过在前侧钻孔期间精确地控制激光能量，在从前侧进行辐照的第一次激光照射期间防止激光已经移除电绝缘层结构的整个厚度，可以减少悬伸。如果第一激光照射从前侧延伸穿过整个电绝缘层结构直到背侧上的导电层结构，则激光可能被反射并且可能增加前侧上的悬伸。
在一种实施方式中，悬伸可以在电绝缘层结构的界定激光通孔的横向相对侧壁上不同。出人意料的是，沿着第一渐缩部分和/或第二渐缩部分的周缘的不对称悬伸已经被证明为促进填充有铜的激光过孔的适当可靠性。
在一种实施方式中，电绝缘层结构的厚度在40μm至120μm之间的范围内，特别是在40μm至60μm之间的范围内。特别地，在相对薄的电绝缘层结构即具有120μm或更小的厚度的情况下，关于激光通孔的导电填充的可靠性问题愈发成为问题。然而，在预期本文提及的设计规则时，已经证明即使对于这种薄芯部，也可以获得部件承载件的适当可靠性。
在一种实施方式中，第一渐缩部分的中心与第二渐缩部分的中心之间的横向偏移不大于20μm。在理想情况下(然而，对于部件承载件中的大量多个通孔中的每一个通孔而言，这是难以制造的)，完全没有偏移。在本申请的上下文中，术语“偏移”可以特别地表示激光束的中心、由激光束形成的在导电层结构中的窗口和/或由激光束在电绝缘层结构的前侧和背侧上形成的在电绝缘层结构中的部分孔的中心之间的空间失配或横向位移。更具体地，术语“偏移”可以指的是当在前侧与背侧比较所提及的中心时这些中心之间的空间距离。这种偏移的存在可能是在电绝缘层结构中制造激光通孔的过程的结果。在这种过程的背景下，首先可以使电绝缘层结构从前侧经受第一次激光加工，然后可以将电绝缘层结构翻转或转动180°，随后从电绝缘层结构的背侧完成对该电绝缘层结构的第二激光处理。由于在前侧和背侧激光加工期间关于激光源与电绝缘层结构之间的相互对准的空间失配，可能发生所提及的偏移。当采取措施保持该偏移较低时(例如，在从前侧和背侧激光钻孔期间夹紧部件承载件的板件或其他预成型件，使用对准标记进行适当对准，抑制部件承载件的板件或其他预成型件的翘曲)，该低偏移值也会产生所获得的部件承载件的高可靠性。
在一种实施方式中，导电桥结构由面朝第一主表面的第一分界表面和面朝第二主表面的第二分界表面界定，其中，下述两方面之间的距离为至少20μm，上述两方面中的一方面为在侧壁上于其处激光通孔的宽度为最小的点，上述两方面中的另一方面为第一分界表面的最低点和/或第二分界表面的最高点。如果根据本发明的优选实施方式遵守这种非常有利的设计规则，则可以获得无空隙且无裂缝的填充有铜的激光通孔，这是因为它确保了在激光通孔的瓶颈处的桥结构的关键位置处的铜填充的良好特性。描述性地来说，在所提及区域中足够量的导电材料有利于确保可靠性。
在一种实施方式中，导电桥结构由面朝第一主表面的第一分界表面和面朝第二主表面的第二分界表面界定。中心桥平面可以被限定为平行于第一主表面和第二主表面延伸并且穿过第一分界表面的最低点与第二分界表面的最高点之间的竖向中心。第一交叉点可以被定义为中心桥平面与电绝缘层结构的侧壁中的一个之间的第一交叉部。有利地，从第一交叉点到第一分界表面的最短距离的(特别是第一垂直线的)长度可以是至少20μm。在本申请的上下文中，术语“中心桥平面”可以特别地表示具有水平延伸的虚拟平面，即平行于电绝缘层结构的两个相反的主表面并且在第一分界表面的最低点与第二分界表面的最高点之间的中点的高度水平处延伸。在本申请的上下文中，中心桥平面被考虑用来限定根据本发明的示例性实施方式的最小距离规则。在本申请的上下文中，术语“交叉点”被引入作为虚拟点，用于制定根据本发明示例性实施方式的最小距离设计规则。相应交叉点被定义为截面图中在前述中心桥平面与电绝缘层结构的界定激光通孔的侧壁中的一个侧壁之间的虚拟交叉。在本申请的上下文中，术语“垂直线”可以特别地表示从相应的交叉点延伸到相应的分界表面的直线，该直线与该分界表面相交使得在该直线与分界表面之间的交叉位置处，在该直线与弯曲的分界表面上的切线(特别是切平面)之间形成直角。换言之且描述性地说，垂直线可以对应于交叉点与分界表面之间的最短连接线，并且可以以直角与分界表面相交。出人意料的是已发现，当满足用于部件承载件的激光通孔的桥结构填充部分的上述特定设计规则时，所获得的部件承载件的电可靠性和机械可靠性较高。这意味着当满足该设计规则时，能够可靠地防止或至少强烈地抑制不期望的现象，诸如填充激光通孔的导电填充介质中的裂缝和/或填充有导电材料的激光通孔的内部中的空隙。更具体地，所提及的设计规则涉及以下事实：激光通孔的在桥结构的中心平面的竖向水平处的侧壁与界定桥结构的相应分界表面之间的最短距离应当优选地为至少20μm。尽管优选的是对于一方面为侧壁和中心平面之间的两个或所有交叉点以及另一方面为两个分界表面，该设计规则均是满足的，但是当对于一个交叉点和一个分界表面已经满足该设计规则时，已经实现了良好的结果。
在一种实施方式中，电绝缘层结构是芯部。这种芯部可以是基本上完全固化的，即可以包含基本上不再能够交联但已经高度或完全交联的树脂。C-阶树脂可以是或可以不是100％交联的聚合物链，但可以至少具有高度交联的聚合物链的网络，使得最终产物不能被热重整并且是不可溶的。因此，在随后的层压程序中这种材料将不会再熔化或变得再次可流动，在该层压程序中，一个或多个导电层结构和/或电绝缘层结构可以被层压在具有填充有铜的激光通孔的芯部的顶表面和/或底表面上。例如，这种芯部可以由FR4材料即包括增强颗粒的树脂制成，上述增强颗粒诸如为玻璃纤维或玻璃球体。
在一种实施方式中，桥结构还覆盖电绝缘层结构的界定激光通孔的侧壁的至少一部分。在制造过程中，可能可以首先用导电材料——优选为铜——的薄籽晶层覆盖激光通孔的侧壁。随后，桥结构可以通过镀覆程序形成，例如通过电流镀覆。在这样的镀覆程序中，侧壁可以被覆盖有较厚的导电材料层，接着是在具有镀覆材料的侧壁之间形成连接，在许多情况下，在激光通孔的最窄部分处或附近形成该连接。因此，可以获得具有水平桥部分的大致H形的桥结构。
因此，该桥结构可以由覆盖有镀覆层的籽晶层构成。对应地，形成导电桥结构可以通过镀覆来执行，特别是在籽晶层形成之后。优选由铜制成的籽晶层可以例如通过无电沉积形成。在形成用导电材料诸如铜的薄层(例如，具有在0.1μm至1μm之间的厚度，例如0.5μm的厚度)覆盖侧壁的籽晶层之后，可以在该籽晶层上优选地通过镀覆或电流沉积形成大量的导电材料(优选为铜)(例如，具有在5μm至30μm之间的范围内的厚度)。用导电材料填充激光通孔的这一程序已经证明是特别有效的。
在一种实施方式中，部件承载件包括第一导电块结构，该第一导电块结构填充第一分界表面与第一主表面之间的容积的至少一部分，即填充在第一分界表面上方的凹坑的至少一部分。在一种实施方式中，部件承载件包括第二导电块结构，该第二导电块结构填充第二分界表面与第二主表面之间的至少一部分，即填充在第二分界表面下方的凹坑的至少一部分。对应地，该方法可以包括形成第一电导导块结构和/或第二电导块结构，该第一电导导块结构填充第一分界表面与第一主表面之间的至少一部分，该第二电导块结构填充第二分界表面与第二主表面之间的至少一部分。在完成形成桥结构的镀覆程序之后，激光通孔内在第一分界表面上方和/或第二分界表面下方的剩余空的空间可以部分地或完全地用另外的导电材料诸如铜填充。该填充被表示为第一和第二导电块结构。优选地，这种导电块结构可以在与形成桥结构的镀覆程序分开的镀覆程序中形成。如部件承载件制造领域的技术人员所知，在制造的部件承载件的截面图中可以看出桥结构与块结构之间的转变。因此，在部件承载件的截面图中，一方面的桥结构和另一方面的块结构可以在视觉上被分开。
在一种实施方式中，第一导电块结构和第二导电块结构中的至少一个是镀覆结构。对应地，该方法可以包括：，通过在继形成桥结构的至少一个在先镀覆程序之后的另外的镀覆程序，形成由第一导电块结构和第二导电块结构组成的组中的至少一个。还可以用多个后续镀覆结构的序列制造块结构中的相应一个块结构。在部件承载件的截面图中，与相应的块结构在一起形成的各个镀覆层在视觉上是可检查的并且可以在视觉上被分开。
在一种实施方式中，激光通孔的至少一部分是大致X形的。具有这种形状的激光通孔可以通过下述方式来形成，该方式即利用仅一次激光照射从第一主表面执行第一激光钻孔以及利用仅一次另外的激光照射从第二主表面执行第二激光钻孔。因此，大致的X形可以是从正面使用单次激光照射和从背面使用单次激光照射来形成激光通孔的制造过程的印迹(fingerprint，指纹)。
在另一实施方式中，激光通孔的至少一部分在两个相对的渐缩部段之间具有中心(例如大致柱形)的部段。具有这种形状的激光通孔可以通过下述方式来形成，该方式即用(例如仅)一次激光照射从第一主表面执行第一激光钻孔并且用(特别是精确地)两次激光照射从第二主表面执行第二次激光钻孔。对应形成的激光通孔可以包括连接第一渐缩部分和第二渐缩部分的中心连接部分，其中桥结构可至少部分地位于中心连接部分中。因此，通孔的形状可以在激光通孔的处于上端和下端处的两个相对的渐缩部分之间具有例如直的或大致直的中心连接部分。然后可以在该中心连接部分中形成桥结构。这种几何结构可以通过将从第一上部主表面进行单次激光照射与从第二主表面进行两次后续激光照射相组合来获得。
在一实施方式中，部件承载件包括至少一个电绝缘层结构和至少一个导电层结构的堆叠体。例如，部件承载件可以是所提及的电绝缘层结构和导电层结构的层压体，特别是通过施加机械压力和/或热能形成的。所提及的堆叠体可以提供板状部件承载件，该板状部件承载件能够为其他部件提供大的安装表面并且仍然非常薄且紧凑。术语“层结构”可以特别地表示连续层、图案化的层或共同平面内的多个非连续岛状件。
在一实施方式中，部件承载件被成形为板。这有助于紧凑设计，其中部件承载件仍然为在其上安装部件提供大的基础。此外，特别是作为嵌入的电子部件的示例的裸晶片得益于它较小的厚度可以方便地嵌入薄板诸如印刷电路板中。
在一实施方式中，部件承载件被配置为由印刷电路板、基板(特别是IC基板)和内插物构成的组中的一种。
在本申请的上下文中，术语“印刷电路板”(PCB)可以特别地表示板状部件承载件，该部件承载件通过将若干导电层结构与若干电绝缘层结构层压而形成，例如通过施加压力和/或通过施加热能形成。作为用于PCB技术的优选材料，导电层结构由铜制成，而电绝缘层结构可包括树脂和/或玻璃纤维，所谓的预浸料或FR4材料。通过形成穿过层压体的通孔，例如通过激光钻孔或机械钻孔，并且通过用导电材料(特别是铜)填充它们，从而形成作为通孔连接的过孔，来使各个导电层结构可以以期望的方式连接至彼此。除了可以嵌入印刷电路板中的一个或多个部件之外，印刷电路板通常被配置用于在板状印刷电路板的一个表面或两个相反表面上容纳一个或多个部件。部件可以通过焊接连接到相应的主表面。PCB的介电部分可以由具有增强纤维的树脂(例如玻璃纤维)构成。
在本申请的上下文中，术语“基板”可以特别地表示具有与待安装在其上的部件(特别是电子部件)基本相同尺寸的小型部件承载件。更具体地，基板可以被理解为用于电连接或电网络的承载件，以及与印刷电路板(PCB)相当的部件承载件，然而该基板具有相当高密度的横向和/或竖向布置的连接。横向连接为例如导电路径，而竖向连接可以是例如钻孔。这些横向和/或竖向连接被布置在基板内，并且可以用于提供所容置部件或未容置部件(例如裸晶片)特别是IC芯片与印刷电路板或中间印刷电路板的电连接和/或机械连接。因此，术语“基板”还包括“IC基板”。基板的介电部分可以由具有增强颗粒(例如增强球，特别是玻璃球)的树脂构成。
基板或内插物可以包括或由下述构成：至少玻璃层；硅(Si)；或可光成像的或可干蚀刻的有机材料，例如环氧基积层材料(例如环氧基积层膜)或聚合化合物例如聚酰亚胺、聚苯并恶唑、或苯并环丁烯。
在一实施方式中，该至少一个电绝缘层结构包括由下述构成的组中的至少一种：树脂(例如增强的或非增强的树脂，例如环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂)；氰酸酯；聚亚苯基衍生物；玻璃(特别是玻璃纤维、多层玻璃、玻璃状材料)；预浸材料(如FR-4或FR-5)；聚酰亚胺；聚酰胺；液晶聚合物(LCP)；环氧基积层膜；聚四氟乙烯(Teflon)；陶瓷和金属氧化物。也可以使用例如由玻璃(多层玻璃)制成的增强材料诸如网状物、纤维或球体。尽管对于刚性PCB，预浸料特别是FR4通常是优选的，但是也可以使用其他材料，特别是用于基板的环氧基积层膜。对于高频应用，高频材料如聚四氟乙烯、液晶聚合物和/或氰酸酯树脂、低温共烧陶瓷(LTCC)或其他低、极低或超低DK材料可以在部件承载件中作为电绝缘层结构被实施。
在一实施方式中，导电层结构中的至少一个包括由下述构成的组中的至少一种：铜、铝、镍、银、金、钯和钨。尽管铜通常是优选的，但是其他材料或其他材料的涂覆形式也是可以的，特别是涂覆有超导材料诸如石墨烯的。
至少一个部件可以表面安装在部件承载件上和/或可以嵌入部件承载件中，并且尤其可以选自由下述构成的组：非导电嵌体、导电嵌体(例如金属嵌体，优选地包括铜或铝)、热传递单元(例如热管)、光导元件(例如光波导或光导体连接)、电子部件或它们的组合。例如，该部件可以是有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储装置(例如DRAM或其他数据存储器)、滤波器、集成电路、信号处理部件、电源管理部件、光电接口元件、发光二极管，光电耦合器、电压转换器(例如DC/DC转换器或AC/DC转换器)、密码部件、发送器和/或接收器、机电换能器、传感器、致动器、微机电系统(MEMS)、微处理器、电容器、电阻器、电感、电池、开关、相机、天线、逻辑芯片和能量收集单元。然而，其他部件可以嵌入该部件承载件中。例如，磁性性元件可被用作部件。这种磁性元件可以是永磁元件(例如铁磁部件、反铁磁部件或多铁性元件或亚铁磁性元件，例如铁氧体磁芯)或者可以是顺磁元件。然而，该部件也可以是基板、内插物或另外的部件承载件，例如处于板中板配置的部件承载件。该部件可以表面安装在部件承载件上和/或可以嵌入部件承载件的内部。此外，其他部件，特别是生成和发射电磁辐射和/或对从环境传播的电磁辐射敏感的部件，也可以被用作部件。
在一实施方式中，部件承载件是层压型部件承载件。在这样的实施方式中，部件承载件是通过施加压力和/或热而堆叠并连接在一起的多层结构的复合物。
根据下文将描述的实施方式中的实施例，本发明的上述方面和其他方面是明显的，并且将参照这些实施方式的实施例对这些方面进行解释。
附图说明
图1至图6示出了根据本发明的示例性实施方式的在执行制造具有激光通孔的部件承载件的方法期间获得的结构的截面图，该具有激光通孔的部件承载件的制造是通过从相反侧进行多次激光照射处理并且随后利用导电填充介质至少部分地填充激光通孔而执行的。
图7示出了根据本发明示例性实施方式的具有激光通孔的部件承载件的截面图。
图7A示出了根据本发明另一示例性实施方式的具有激光通孔的部件承载件的截面图。
图8示出了根据本发明另一示例性实施方式的具有激光通孔的部件承载件的截面图。
具体实施方式
附图中的图示为示意性的。在不同的附图中，相似或相同的元件被提供有相同的附图标记。
在参照附图进一步详细地描述示例性实施方式之前，将概述发展本发明的示例性实施方式所基于的一些基本考虑。
根据本发明的示例性实施方式，提供了一种具有激光通孔的部件承载件，该激光通孔延伸穿过部件承载件的具有不超过120μm的厚度的薄电介质芯部，该具有激光通孔的部件承载件由于在制造激光通孔期间和在用导电材料至少部分地填充激光通孔期间形成的各种几何参数的有利组合而具有高可靠性。特别地，以下述方式设计激光钻孔窗口允许充分地抑制裂缝和空隙的风险，该方式即使得在通孔的最窄直径与通孔在第一渐缩部分和/或第二渐缩部分中的最大开口直径之间的比率处于在70％至90％之间的范围。而且，覆盖芯部的导电层结构具有在65μm至80μm之间的范围内的直径以及将激光通孔在电介质芯部中的最窄部分的直径保持在55μm至70μm之间的范围内的设计，已经被证明是对于获得高度可靠的部件承载件高度适当的几何参数组合。
激光通孔技术可以应用在PCB(印刷电路板)芯部或部件承载件的任何其他电绝缘层结构上。可以在需要高可靠性的情况下使用这种技术。特别地，难点在于过孔几何结构以及用于形成桥结构以在过孔的中间部位连接侧壁所执行的第一铜镀覆程序。这两项都对过孔可靠性具有直接影响。已证明，限定激光通孔或激光过孔的尺寸来确保芯部上的可靠连接和性能是非常有利的。特别地，可以如本文所述的来选择激光通孔的过孔尺寸，以改善或甚至优化铜桥接和铜填充性能，结果是对于最高达120μm的薄芯部厚度，具有高且稳定的过孔可靠性。
由于这样的制造架构，可以获得增加的和稳定的过孔可靠性。此外，可以减少或甚至最小化在镀覆过程期间在过孔中存在不期望夹杂物的风险。这种制造过程大体上可以应用于利用激光通孔芯部技术的、最高达120μm电介质芯部厚度的所有部件承载件，诸如PCB。
因此，本发明的示例性实施方式特别地适于激光通孔技术以增加过孔可靠性。这种技术在可靠性方面的表现取决于几个因素。这些特别地是激光过孔几何结构和铜桥接层的尺寸。利用根据本发明实施方式限定的过孔特性，变得可以生产高度可靠的部件承载件。
图1至图6示出了根据本发明的示例性实施方式的在执行制造如图6所示的具有激光通孔108的部件承载件100的方法期间获得的结构的截面图，该方法是通过从相反侧进行多次激光照射处理并且随后通过多次填充程序用所形成的导电填充介质填充激光通孔108来执行的。
参照图1，通过执行第一激光照射115形成在电绝缘层结构102的第一主表面104和第二主表面106之间延伸的激光通孔108的第一部分。参照图1至图3所描述的激光加工可以通过适当的激光源执行，例如通过准分子激光器和/或二氧化碳激光器执行。在所示实施方式中，电绝缘层结构102可以包括树脂(特别是环氧树脂)，可选地包括增强颗粒，诸如玻璃纤维或玻璃颗粒。电绝缘层结构102的竖向厚度H可以例如不大于120μm，特别是在40μm至60μm之间的范围内。
通过在电绝缘层结构102的上主表面104中的第一激光照射115形成盲孔113。盲孔113后来构成根据图2或图3完成的激光通孔108的第一渐缩部分114。第一激光照射115还形成延伸穿过第一导电层结构152的第一窗口181或通孔，该第一导电层结构可以是位于电绝缘层结构102的第一主表面104上的例如金属层诸如铜箔。第一导电层结构152可以具有小于5μm、特别是在2μm至3μm之间的范围内的厚度K。
就第一激光照射115的激光能量和持续时间的选择而言应当注意的是，第一激光照射115不会到达在电绝缘层结构102的第二主表面106上的第二导电层结构154，这是因为从第二导电层结构154对激光的反射可能导致所形成的激光通孔108具有不期望的形状。第二导电层结构154可以例如是金属层诸如铜箔，并且可以具有小于5μm、特别是在2μm至3μm之间的范围内的厚度I。
参照图2，在如参照图1所描述的用一次激光照射115从第一主表面104执行第一激光钻孔之后，通过下述方式继续形成激光通孔108的过程，该方式即：使用一次另外的激光照射117从第二主表面106执行第二激光钻孔，即总共通过两次激光照射115、117。由此，所示的激光通孔108被形成为具有：从第一主表面104延伸并由第一激光照射115产生的第一渐缩部分114，以及从第二主表面106延伸并由第二激光照射117产生的第二分116。第二激光照射117在第二导电层结构154中形成第二窗口183。
从图2可以得出，第二激光照射117是在第一激光照射115之后并且是从背侧执行的，即形成延伸穿过第二导电层结构154的第二窗口183形式的并将先前形成的盲孔113延伸成激光通孔108的通孔，该激光通孔延伸穿过电绝缘层结构102的整个厚度。在第一次激光照射115之后并在第二次激光照射117之前，图1中所示的结构可以翻转或转动180°，使得激光源(未示出)可以保持固定不动。
在一种实施方式中，所获得的如图2所示的具有大致X形的激光通孔108可以被制为经受利用导电材料诸如铜填充激光通孔108的程序。例如，参照部件承载件100或其预成型件的截面图，这种大致的X形可以通过对应于两个相对竖向弓状件的侧壁线来限定，这两个相对竖向弓状件在激光通孔108的中心部分中最大限度地面向彼此。因此，激光通孔108的形状也可以表示为竖向蝴蝶结或镜向截锥结构的形状。因此，下面参照图4至图6说明和描述的程序也可以在具有大致X形的激光通孔108——如图2所示——的基础上开始。可替代地，可以在用导电材料填充激光通孔108之前执行另外的激光照射119，如将参照图3描述的。
参照图3的替代方案，形成激光通孔108包括：除了利用一次激光照射115从第一主表面104进行第一激光钻孔和除了利用第二激光照射117从第二主表面106进行第二激光钻孔之外，还通过第三激光照射119从背侧进行第三激光钻孔。图3示出了如何在继参照图2所描述的程序之后从背侧或从电绝缘层结构102的第二主表面106执行第三激光照射119。通过采取这种措施，可以进一步操纵激光通孔108的形状，使得激光通孔108的最窄部分在空间上加宽，并且在渐缩部分114、116之间形成例如大致圆柱形的中心连接部分134。
激光通孔108的几个几何尺寸在图2和图3中分别用C、d、D、e和E表示。优选地，通孔108的最窄直径C与通孔108在电绝缘层结构102中的第一渐缩部分114中的最大开口直径d之间的比率应当在70％至90％之间的范围内，特别是在79％至86％之间的范围内。进一步优选地，通孔108的最窄直径C与通孔108在电绝缘层结构102的第二渐缩部分116中的最大开口直径e之间的比率也应当在70％至90％之间的范围内，特别是在79％至86％的范围内。已经证明，特别地，这些尺寸C、d、D、e和E的组合对易于制造的部件承载件100的可靠性具有强烈影响，这是因为对这些参数适当选择引起用导电材料诸如镀覆铜对对应限定的激光通孔108的适当填充。第一渐缩部分114的第一最大直径d和第二渐缩部分116的第二最大直径e都可以优选地在近似65μm至近似80μm之间的范围内。当没有悬伸时，如图2和图3所示，d＝D且e＝E。而且第一窗口181的第一直径D和第二窗口183的第二直径E可以优选地在近似65μm至近似80μm之间的范围内。此外，激光通孔108的最窄直径C可以在近似55μm至近似70μm之间的范围内。特别地，通过对应地调适参照图1至图3描述的激光加工，可以调整这些参数的值。例如，对激光源的类型的选择、对激光束的直径的和/或对用于激光照射115、117和可选的119的激光脉冲的时间长度的选择是对C、D、E具有影响的参数。此外，如下面将特别地参照图7和图8所描述的，与其他几何参数组合可能是非常有利的。
为了获得图4所示的层结构，根据图3的激光通孔108被制为经受用导电填充介质诸如铜来填充它的第一程序。为了实现这一点，优选地首先执行无电沉积程序，以由此形成直接覆盖电绝缘层结构102的界定通孔108的侧壁112的、铜的薄籽晶层144。这可以在图4中的细节121中看到。籽晶层144的厚度可以是例如0.5μm。然而，籽晶层还可以具有高于1μm的厚度，和/或可以提供几个累积的籽晶层。例如，籽晶层的厚度或多个籽晶层的累积厚度可以在0.5μm至5μm之间的范围内。当提供多个籽晶层时，它们可包括有机(例如聚合物)层、钯层和/或铜层。
随后，可以通过镀覆程序特别是通过电流镀覆在籽晶层144上沉积另外的导电材料(诸如铜)。因此，侧壁112以及导电层结构152、154被导电填充介质诸如铜的较厚镀覆层146覆盖。例如，镀覆层146可以具有10μm的厚度。
参照图5，继续参照图4描述的镀覆程序以便形成连接激光通孔108的相对的侧壁112的具有基本水平的部分的导电桥结构110。如所示出的，导电桥结构110被形成为由向上定向或面朝第一主表面104的上部第一分界表面118和由向下定向或面朝第二主表面106的下部第二分界表面120界定。形成导电桥结构110可以通过电流镀覆来执行，优选地在继参照图4所描述的籽晶层144的形成之后执行。因此，桥结构110由覆盖有镀覆层146并且在电绝缘层结构102的界定激光通孔108的相对侧壁112之间形成基本上水平的桥的籽晶层144构成。
因此，图5示出了当继续参照图4描述的镀覆程序时获得的层结构。在激光通孔108的最窄部分的区域中，形成了连接相对的侧壁112的基本水平的桥结构110。上部凹形限制表面对应于第一分界表面118，而桥结构110的下部凹形限制表面对应于第二分界表面120。
尽管未在图5中示出，但是当执行镀覆过程时，通孔108的几何结构会引起在一竖向水平处形成横向连接电绝缘层结构102的界定通孔108的相对侧壁112的桥结构110，在该竖向水平处，到第一主表面104的距离与到第二主表面106的距离不同。这可以促进形成位于通孔108的竖向中心之外的自由悬挂的不对称桥结构110。
参照图6，形成了填充第一分界表面118与第一主表面104之间的主要部分的第一导电块结构148以及填充第二分界表面120与第二主表面106之间的主要部分的第二导电块结构150。这可以通过在继形成桥结构110的在先镀覆程序之后执行一个或多个另外的电流镀覆程序来完成。
因此，可以通过执行一个或多个另外的镀覆程序来获得根据图6的部件承载件100。由此，可以获得块结构148、150，其可以例如由铜构成。在所示实施方式中，在所示部件承载件100的上侧或下侧分别保留小凹陷部125、127。在其他实施方式中，块结构148、150几乎完全填充在第一分界表面118上方和在第二分界表面120下方的剩余凹部。应当说，本领域技术人员公知的是，当对部件承载件100的截面成像时，分界表面118、120是清晰可见的。
图7示出了根据本发明示例性实施方式的具有激光通孔108的部件承载件100的截面图。
在所示实施方式中，所示的部件承载件100可以是层压型板状部件承载件100，例如印刷电路板(PCB)。部件承载件100可以包括由中心电绝缘层结构102构成的层堆叠体，该中心电绝缘层结构在其相反的主表面104、106中的每一个上由两个导电层结构152、154中的相应一个导电层结构覆盖。优选地，电绝缘层结构102由完全固化的材料诸如FR4制成。导电层结构152、154可以是图案化的铜箔。
延伸穿过电绝缘层结构102处于第一主表面104与第二主表面106之间的激光通孔108在其中心部分中填充有导电填充介质，诸如铜。该导电填充介质包括连接电绝缘层结构102的界定通孔108的相对侧壁112的导电桥结构110。在图7的配置中，桥结构110的水平部段位于大致为X形的激光通孔108的最窄部分周围。除了其大致水平的部段之外，该桥结构110还覆盖侧壁112并因此具有大致H形，在图7和图8中两者中均如此。
如图7所示，激光通孔108包括从第一主表面104延伸的第一渐缩部分114和从第二主表面106延伸的第二渐缩部分116。第一主表面104上的图案化的第一导电层结构152具有其第一窗口181，该第一窗口露出第一渐缩部分114。对应地，第二主表面106上的图案化的第二导电层结构154具有其第二窗口183，该第二窗口露出第二渐缩部分116。
电绝缘层结构102的竖向厚度H(其也可以表示为电介质厚度)不大于120μm(例如，其在40μm至60μm之间的范围内)，使得电绝缘层结构102被实施为薄芯部。在这种薄芯部中形成填充铜的激光过孔通常是非常关键的。然而，利用下面描述的参数集合，也可以利用这种薄芯部获得高通孔可靠性。
作为有利的设计参数集合之一，第一窗口181的第一直径D(其也可以表示为上部过孔开口直径，或上部的基铜到基铜距离)和第二窗口183的第二直径E(其也可以表示为下部过孔开口直径或下部的基铜到基铜距离)都在65μm至80μm之间的范围内。第一直径D和第二直径E可以相同或可以不同。
作为有利设计参数集合中的另一个，激光通孔108的最窄水平直径C(其也可以表示为过孔中间直径)在55μm至70μm之间的范围内。考虑到根据图7的激光通孔108的大致X形，满足等式C＞D和C＞E。
第一导电层结构152的第一厚度K(其也可以表示为上部基铜厚度)在2μm至3μm之间的范围内。对应地，第二导电层结构154的第二厚度I(其也可以表示为下部基铜厚度)在2μm至3μm之间的范围内。因此，实现了极薄的导电层结构152、154。虽然这种非常薄的箔在过孔可靠性方面通常是关键的，但是所描述的参数集合结合所制造的部件承载件100的紧凑竖向设计实现了高性能可靠性。
作为有利参数集合中的另一个，桥结构110的最小竖向厚度B(其也可以表示为总的桥接铜厚度)为至少25μm。已经证明，足够厚的桥结构110对过孔可靠性具有非常积极的影响。
作为有利参数集合中的另一个，在导电层结构152、154中的相应一个导电层结构与电绝缘层结构102之间的竖向界面处，下述两方面之间的横向悬伸F、G(在树脂之上的基铜悬伸)在10μm至15μm之间的范围内，上述两方面中的一方面为导电层结构152、154中的相应一个导电层结构，上述两方面中的另一方面为电绝缘层结构102。第一导电层结构152与第二导电层结构154相比，悬伸F、G可以相同或可以不同。
在电绝缘层结构102的界定激光通孔108的横向上相对的侧壁112上的悬伸F、G可以不同。因此，对应的设计规则是F≠G，即基铜悬伸与在过孔截面的相对侧上的相比较低。
如图7所示，当存在悬伸F、G时，d＞D且e＞E。特别地，根据图7，e＝E+F+G。
作为有利参数集合中的又一个，在第一渐缩部分114的中心与第二渐缩部分116的中心之间的横向偏移J(其也可以表示为前侧与底侧之间的过孔偏移)不超过20μm。更具体地，横向偏移J可以被定义为第一渐缩部分114(或第一窗口181的)的竖向中心轴线191与第二渐缩部分116(或第二窗口183的)的竖向中心轴线193之间的水平距离。优选地，偏移J的值不大于20μm。这进一步降低了裂缝和空隙的风险。
如上所述，导电桥结构110在上部侧由面朝第一主表面104的第一分界表面118界定，并且在下部侧由面朝第二主表面106的第二分界表面120界定。在下述两方面之间的距离A为至少20μm，上述两方面中的一方面为侧壁112上激光通孔108于其处具有最窄直径C的点177，上述两方面中的另一方面为第一分界表面118的最低点126。尽管未在图7中示出，但是另外地或可替代地，点177与第二分界表面120的最高点128之间的距离也可以为至少20μm。另外地或可替代地，侧壁112上激光通孔108于其处具有最窄直径C的点179(与点177相对)与第一分界表面118的最低点126和/或第二分界表面120的最高点128之间的距离也可以是至少20μm。在图7中仅针对第一分界表面118关于点177绘制出这些设计规则。已经证明，在所描述的位置处的足够厚度的导电填充介质对于部件承载件100的良好可靠性是非常有利的。
图7A示出了根据本发明另一示例性实施方式的具有激光通孔108的部件承载件100的截面图。
图7A的实施方式与图7的实施方式之间的主要区别在于，根据图7A，在形成激光通孔108时，电绝缘层结构102的主表面104、106尚未被导电层结构152、154覆盖。因此，与图7A的实施方式有关的制造方法包括：在电绝缘层结构102的主表面104、106尚未被导电层结构152、154诸如铜箔覆盖的情况下，在电绝缘层结构102中形成激光通孔108。关于随后用导电填充介质填充激光通孔108以及覆盖主表面104、106的内容，这可以通过下述来执行：形成可选的籽晶层144，随后可选地形成覆盖主表面104、106的至少一部分和激光通孔108的侧壁112的至少一部分的镀覆层(未示出)，随后形成桥接相对的侧壁112并具有例如大致H形的桥结构110，以及可选地通过一个或多个块结构148、150(其可以是另外的镀覆结构或镀覆结构的序列)填充在桥结构110上方和/或下方的一个或两个容积。参照图4至图7的对应描述。
参照图7A，激光通孔108的第一渐缩部分114在电绝缘层结构102的第一主表面104处的开口d和激光通孔108的第二渐缩部分116在电绝缘层结构102的第二主表面106处的开口e各自均在65μm至80μm之间的范围内。
除了这种差异之外，关于图7的上述公开内容也适用于图7A。
图8示出了根据本发明又一示例性实施方式的具有激光通孔108的部件承载件100的截面图。根据图8，激光通孔108的两个相对的外部部分是渐缩的，而激光通孔108的中心部分为大致柱形。在图8的配置中，激光通孔108包括将第一渐缩部分114与第二渐缩部分116相连接的中心连接部分134(关于附图标记，对照图3)。根据图8，桥结构110的水平部段位于中心连接部分134中。关于参照图7解释的各种尺寸的一些或所有设计规则也可以在根据图8的实施方式中实现，但是为了简明起见将不再解释。
在下文中，将参照图8来解释另一个非常有利的设计规则：在第一分界表面118的底端(对照最低点126)与第二分界表面120的顶端(对照最高点128)之间的竖向中间位置处，获得作为虚拟平面的中心桥平面122，该中心桥平面平行于第一主表面104和第二主表面106使得上述所有三个平面根据图8的纸平面水平地延伸，即垂直于待制造的部件承载件100的层结构102、152、154的堆叠方向。
当虚拟中心桥平面122与限定界定激光通孔108的侧壁112的三维区域相交时，形成周向交叉线。中心桥平面122与侧壁112之间的一个交叉点在图8中用附图标记130表示。当将交叉点130与第一分界表面118虚拟地连接使得对应的连接线——参见垂直线132——垂直于弯曲的第一分界表面118的切线(特别是切平面)时，获得设计参数l1。为了获得部件承载件100的适当可靠性，如果最小距离l1为至少8μm，优选至少15μm，则是非常有利的。最优选地，长度l1在20μm至30μm之间的范围内以在部件承载件100的电可靠性方面获得非常好的结果。虚拟中心桥平面122被限定为平行于第一主表面104并且平行于第二主表面106延伸，并且处于与与第一分界表面118的最低点126与第二分界表面120的最高点128之间的竖向中心124或中点对应的高度。
对应地，从第一交叉点130到第二分界表面120的最短距离或第二垂直线136的长度l2为至少8μm，优选地至少15μm，并且最优选地在20μm至30μm之间。
相应地，虚拟第二交叉点138被定义为中心桥平面122与图8右手侧上的电绝缘层结构102的侧壁112之间的第二交叉部。从第二交叉点138到第一分界表面118的最短距离或第三垂直线140的长度l3为至少8μm，优选地至少15μm，并且最优选地在20μm至30μm之间。对应地，从第二交叉点138到第二分界表面120的最短距离或第四垂直线142的长度l4为至少8μm，优选地至少15μm，并且最优选地在20μm至30μm之间。
在垂直于图8的纸平面的虚拟中心桥平面122中，通过连接与中心桥平面122和电绝缘层结构102的周向侧壁112之间的交叉部对应的所有交叉点(130、138等)限定了虚拟周向交叉线(未示出)。当从周向交叉线到第一分界表面118的所有最短距离或垂直线的长度为至少8μm、优选地至少15μm、并且最优选地在20μm至30μm之间时，可以在部件承载件100的电可靠性方面获得特别令人满意的结果。对应地，从周向交叉线到第二分界表面120的所有最短距离或所有垂直线的长度可以是至少8μm，优选地至少15μm，并且最优选地在20μm至30μm之间，以获得在可靠性方面特别显著的优点。
图8中的细节135示例性地示出了如何为了在部件承载件100的改进的可靠性方面定义所描述的设计规则来构造第一垂直线132。搜索交叉点130与第一分界表面118之间的最短连接，并且通过交叉点130和第一分界表面118之间的垂直于(参见细节135中的直角)第一分界表面118的连接线找到该最短连接。换言之，因此可以构造第一分界表面118的切线133(参见交叉点137处的辅助圆131)。当长度l1大于8μm时，满足设计规则。
第一导电块结构148填充第一分界表面118与第一主表面104之间的主要部分。第二导电块结构150填充第二分界表面120与第二主表面106之间的主要部分，其中可以保留小的凹陷部125、127。第一导电块结构148和第二导电块结构150都可以通过执行一个或多个电流镀覆程序来形成，该电流镀覆程序可以在形成桥结构110的镀覆程序之后并且与该形成桥结构的镀覆程序分开执行。
应当注意，术语“包括”不排除其他元件或步骤，并且“一(a或an)”不排除多个的情况。关于不同实施方式描述的元件也可以相结合。
还应注意，权利要求中的附图标记不应被解释为限制权利要求的范围。
本发明的实现不限于附图和上文所述的优选实施方式。相反，即使在基本上不同的实施方式的情况下，使用所示出的方案和根据本发明的原理的各种变型也是可能的。

Claims (47)

1.部件承载件(100)，其中，所述部件承载件(100)包括：
仅一个电绝缘层结构(102)，所述电绝缘层结构具有第一主表面(104)和第二主表面(106)；
通孔(108)，所述通孔延伸穿过所述电绝缘层结构(102)处于所述第一主表面(104)与所述第二主表面(106)之间，并且所述通孔具有从所述第一主表面(104)延伸的第一渐缩部分(114)和从所述第二主表面(106)延伸的第二渐缩部分(116)；
导电桥结构(110)，所述导电桥结构连接所述电绝缘层结构(102)的界定所述通孔(108)的相对侧壁(112)；
其中，所述电绝缘层结构(102)的厚度(H)不大于120μm；
其中，所述通孔(108)的最窄直径(C)与所述通孔(108)在所述第一渐缩部分(114)和/或所述第二渐缩部分(116)中的最大开口直径(d、e)之间的比率在70％至90％之间的范围内；
其中，所述导电桥结构(110)由面朝所述第一主表面(104)的凹形的第一分界表面(118)和面朝所述第二主表面(106)的凹形的第二分界表面(120)界定；以及
其中，下述两方面之间的距离(A)为至少20μm，上述两方面中的一方面为在所述侧壁(112)上所述通孔(108)于其处具有最窄直径(C)的点(177、179)，上述两方面中的另一方面为凹形的所述第一分界表面(118)的最低点(126)和/或凹形的所述第二分界表面(120)的最高点(128)。
2.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，其中，所述通孔(108)的所述最窄直径(C)在55μm至70μm之间的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100)，其中，在所述第一渐缩部分(114)和/或所述第二渐缩部分(116)中的所述最大开口直径(d、e)在65μm至80μm之间的范围内。
4.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100)，其中，所述部件承载件(100)包括：
图案化的第一导电层结构(152)，所述图案化的第一导电层结构在所述第一主表面(104)上并且具有露出所述第一渐缩部分(114)的第一窗口(181)；
图案化的第二导电层结构(154)，所述图案化的第二导电层结构在所述第二主表面(106)上并且具有露出所述第二渐缩部分(116)的第二窗口(183)；
其中，所述第一窗口(181)的第一直径(D)和所述第二窗口(183)的第二直径(E)各自都在65μm至80μm之间的范围内。
5.根据权利要求4所述的部件承载件(100)，其中，所述第一导电层结构(152)的第一厚度(K)不大于12μm。
6.根据权利要求4所述的部件承载件(100)，其中，所述第二导电层结构(154)的第二厚度(I)不大于12μm。
7.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100)，其中，所述导电桥结构(110)的最小竖向厚度(B)为至少25μm。
8.根据权利要求4所述的部件承载件(100)，其中，所述第一导电层结构(152)和所述第二导电层结构(154)中的至少一个的超出所述电绝缘层结构(102)的横向悬伸(F、G)在10μm至15μm之间的范围内。
9.根据权利要求4所述的部件承载件(100)，其中，所述第一导电层结构(152)和所述第二导电层结构(154)中的至少一个的超出所述电绝缘层结构(102)的横向悬伸(F、G)在所述电绝缘层结构(102)的界定所述通孔(108)的在横向上相对的侧壁(112)上是不同的。
10.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100)，其中，所述电绝缘层结构(102)的厚度(H)在40μm至120μm之间的范围内。
11.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100)，
其中，所述导电桥结构(110)由面朝所述第一主表面(104)的第一分界表面(118)和面朝所述第二主表面(106)的第二分界表面(120)界定；
其中，中心桥平面(122)被限定为平行于所述第一主表面(104)和所述第二主表面(106)延伸并且穿过所述第一分界表面(118)的最低点(126)与所述第二分界表面(120)的最高点(128)之间的竖向中心(124)；
其中，第一交叉点(130)被定义为所述中心桥平面(122)与所述电绝缘层结构(102)的侧壁(112)中的一个侧壁之间的第一交叉部；
其中，从所述第一交叉点(130)到所述第一分界表面(118)的最短距离的长度(l1)为至少20μm。
12.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100)，其中，所述电绝缘层结构(102)是芯部。
13.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100)，其中，所述导电桥结构(110)还覆盖所述侧壁(112)的至少一部分。
14.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100)，其中，所述导电桥结构(110)由被镀覆层(146)覆盖的籽晶层(144)构成。
15.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100)，其中，所述部件承载件(100)包括：第一导电块结构(148)，所述第一导电块结构填充向上地界定所述导电桥结构(110)的第一分界表面(118)与所述第一主表面(104)之间的容积的至少一部分。
16.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100)，其中，所述部件承载件(100)包括：第二导电块结构(150)，所述第二导电块结构填充向下地界定所述导电桥结构(110)的第二分界表面(120)与所述第二主表面(106)之间的容积的至少一部分。
17.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100)，其中，所述通孔(108)的至少一部分为X形。
18.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100)，其中，所述通孔(108)的至少一部分在两个相对的渐缩部分之间具有中心部分(134)。
19.根据权利要求4所述的部件承载件(100)，其中，所述部件承载件(100)包括下述特征中至少之一：
其中，所述部件承载件(100)的所述第一导电层结构(152)和所述第二导电层结构(154)中的至少一个包括由下述组成的组中的至少一种：铜、铝、镍、银、金、钯和钨；
其中，所述电绝缘层结构(102)包括由下述组成的组中的至少一种：树脂；聚亚苯基衍生物；玻璃；预浸材料；陶瓷和金属氧化物；
其中，所述部件承载件(100)被成形为板；
其中，所述部件承载件(100)被配置为层压型部件承载件(100)。
20.根据权利要求4所述的部件承载件(100)，其中，所述部件承载件(100)包括至少一个部件，所述至少一个部件被表面安装到所述部件承载件(100)上和/或嵌入到所述部件承载件中。
21.根据权利要求20所述的部件承载件(100)，其中，所述至少一个部件为有源电子部件或无源电子部件。
22.根据权利要求20所述的部件承载件(100)，其中，所述至少一个部件为另外的部件承载件。
23.根据权利要求19所述的部件承载件(100)，其中，所述树脂为氰酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺、液晶聚合物、环氧基积层材料或聚四氟乙烯。
24.根据权利要求19所述的部件承载件(100)，其中，所述预浸材料为FR-4或FR-5。
25.根据权利要求19所述的部件承载件(100)，其中，所述部件承载件(100)被配置为印刷电路板。
26.根据权利要求19所述的部件承载件(100)，其中，所述部件承载件(100)被配置为基板。
27.根据权利要求4所述的部件承载件(100)，其中，所述第一导电层结构(152)的第一厚度(K)在2μm至3μm之间的范围内。
28.根据权利要求4所述的部件承载件(100)，其中，所述第二导电层结构(154)的第二厚度(I)在2μm至3μm之间的范围内。
29.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100)，其中，所述电绝缘层结构(102)的厚度(H)在40μm至60μm之间的范围内。
30.根据权利要求11所述的部件承载件(100)，其中，从所述第一交叉点(130)到所述第一分界表面(118)的最短距离是第一垂直线(132)。
31.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100)，其中，所述电绝缘层结构(102)是完全固化的芯部。
32.根据权利要求18所述的部件承载件(100)，其中，所述中心部分(134)是柱形的。
33.根据权利要求19所述的部件承载件(100)，其中，所述树脂是增强树脂或非增强树脂。
34.根据权利要求19所述的部件承载件(100)，其中，所述树脂是环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂。
35.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，其中，所述第一渐缩部分(114)的竖向中心轴线(191)与所述第二渐缩部分(116)的竖向中心轴线(193)之间的横向偏移(J)是不可避免的且不大于20μm。
36.制造部件承载件(100)的方法，其中，所述方法包括：
形成通孔(108)，所述通孔延伸穿过仅一个电绝缘层结构(102)处于第一主表面(104)与第二主表面(106)之间，并且所述通孔具有从所述第一主表面(104)延伸的第一渐缩部分(114)和从所述第二主表面(106)延伸的第二渐缩部分(116)，其中，所述电绝缘层结构(102)的厚度(H)不大于120μm，并且其中，所述通孔(108)的最窄直径(C)与所述通孔(108)在所述第一渐缩部分(114)和/或所述第二渐缩部分(116)中的最大开口直径(d、e)之间的比率在70％至90％之间的范围内；以及
形成导电桥结构(110)，所述导电桥结构连接所述电绝缘层结构(102)的界定所述通孔(108)的相对侧壁(112)；
其中，所述导电桥结构(110)由面朝所述第一主表面(104)的凹形的第一分界表面(118)和面朝所述第二主表面(106)的凹形的第二分界表面(120)界定；以及
其中，下述两方面之间的距离(A)为至少20μm，上述两方面中的一方面为在所述侧壁(112)上所述通孔(108)于其处具有最窄直径(C)的点(177、179)，上述两方面中的另一方面为凹形的所述第一分界表面(118)的最低点(126)和/或凹形的所述第二分界表面(120)的最高点(128)。
37.根据权利要求36所述的方法，其中，所述方法包括将所述通孔(108)的所述最窄直径(C)形成为处于55μm至70μm之间的范围内。
38.根据权利要求36或37所述的方法，其中，所述方法包括将所述第一渐缩部分(114)和/或所述第二渐缩部分(116)中的所述最大开口直径(d、e)形成为处于65μm至80μm之间的范围内。
39.根据权利要求36或37所述的方法，其中，所述方法包括：
对所述第一主表面(104)上的第一导电层结构(152)图案化，以由此形成露出所述第一渐缩部分(114)的第一窗口(181)，其中，所述第一窗口(181)的第一直径(D)在65μm至80μm之间的范围内；
对所述第二主表面(106)上的第二导电层结构(154)图案化，以由此形成露出所述第二渐缩部分(116)的第二窗口(183)，其中，所述第二窗口(183)的第二直径(E)在65μm至80μm之间的范围内。
40.根据权利要求36或37所述的方法，其中，所述方法包括：在所述电绝缘层结构(102)的所述第一主表面(104)与第二主表面(106)中的一者或两者没有被导电层结构覆盖的情况下，在所述电绝缘层结构(102)中形成所述通孔(108)。
41.根据权利要求36或37所述的方法，其中，形成所述通孔(108)包括：利用一次激光照射从所述第一主表面(104)执行第一激光钻孔，并且利用一次激光照射从所述第二主表面(106)执行第二激光钻孔。
42.根据权利要求36或37所述的方法，其中，形成所述通孔(108)包括：利用一次激光照射从所述第一主表面(104)执行第一激光钻孔，并且利用两次激光照射从所述第二主表面(106)执行第二激光钻孔。
43.根据权利要求36或37所述的方法，其中，通过镀覆来执行形成所述导电桥结构(110)。
44.根据权利要求36或37所述的方法，其中，所述方法包括：形成第一导电块结构(148)和/或第二导电块结构(150)，所述第一导电块结构填充在向上地界定所述导电桥结构(110)的第一分界表面(118)和所述第一主表面(104)之间的至少一部分，所述第二导电块结构填充在向下界定所述导电桥结构(110)的第二分界表面(120)和所述第二主表面(106)之间的至少一部分。
45.根据权利要求44所述的方法，其中，所述方法包括：通过继形成所述导电桥结构(110)的在先镀覆程序之后的至少一个另外的镀覆程序，形成由所述第一导电块结构(148)和所述第二导电块结构(150)组成的组中的至少一个。
46.根据权利要求36所述的方法，其中，所述通孔(108)为激光通孔。
47.根据权利要求43所述的方法，其中，继籽晶层形成之后，通过镀覆来执行形成所述导电桥结构(110)。
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