CN111511102A - 在通孔中具有符合最小距离设计原则的桥结构的部件承载件 - Google Patents

Abstract

提供了部件承载件和制造该部件承载件的方法，该部件承载件包括：具有第一主表面和第二主表面的电绝缘层结构；通孔，其延伸穿过电绝缘层结构处于第一与第二主表面之间；以及导电桥结构，该导电桥结构连接界定通孔的相对侧壁，其中通孔具有从第一主表面延伸的第一渐缩部分以及从第二主表面延伸的第二渐缩部分。导电桥结构由面朝第一主表面的第一分界表面和面朝第二主表面的第二分界表面界定。中心桥平面被限定为平行于第一和第二主表面延伸并且在第一分界表面的最低点与第二分界表面的最高点之间的竖向中心处。第一相交点被限定为中心桥平面与界定通孔的侧壁中之一之间的第一相交部。从第一相交点到第一分界表面的最短距离的长度为至少8μm。

Description

在通孔中具有符合最小距离设计原则的桥结构的部件承载件

技术领域

本发明涉及一种部件承载件以及一种制造部件承载件的方法。

背景技术

在配备有一个或多个电子部件的部件承载件的产品功能增多且这类部件的日益小型化以及待安装在部件承载件诸如印刷电路板上的部件的数量增加的情况下，越来越多地采用具有若干部件的更强大的阵列状部件或封装件，这些部件或封装件具有多个接触件或连接件，这些接触件之间的空间甚至更小。操作期间移除由这种部件和部件承载件自身生成的热逐渐成为问题。同时，部件承载件应是机械稳固和电可靠的，以便甚至能在恶劣条件下运行。所有这些要求均与部件承载件及其组成部分的持续小型化息息相关。

特别地，可能有利的是有效地使导电层结构和/或安装在部件承载件上和/或嵌入该部件承载件中的部件以适合质量进行有效连接。对于该目的和其他目的，可能有利的是形成机械过孔和激光过孔，机械过孔和激光过孔可以用铜填充。

发明内容

可能需要制造具有适当电可靠性的部件承载件。

根据本发明的示例实施方式，提供了一种部件承载件，部件承载件包括：电绝缘层结构，该电绝缘层结构具有第一主表面和第二主表面；通孔(特别地为激光通孔)，该通孔延伸穿过电绝缘层结构处于第一主表面和第二主表面之间；以及导电桥结构，该导电桥结构连接界定通孔的相对侧壁(特别地，侧壁限定电绝缘层结构和通孔之间的边界)，其中，通孔具有从第一主表面延伸的第一渐缩部分以及从第二主表面延伸的第二渐缩部分，其中，导电桥结构由面朝第一主表面的第一分界表面以及面朝第二主表面的第二分界表面界定，其中，中心桥平面被限定成平行于第一主表面和第二主表面延伸并且在第一分界表面的最低点与第二分界表面的最高点之间的竖向中心处(或穿过或包括竖向中心)，其中，第一相交点被限定为中心桥平面与界定通孔的侧壁中的一个侧壁之间的第一相交部，并且其中，从第一相交点到第一分界表面的最短距离的长度(特别地第一垂直线的长度)为至少8μm。

根据本发明的另一示例实施方式，提供了一种制造部件承载件的方法，其中，方法包括：形成通孔(特别地为激光通孔)，该通孔在电绝缘层结构的第一主表面和第二主表面之间延伸，其中，通孔被形成为具有从第一主表面延伸的第一渐缩部分以及从第二主表面延伸的第二渐缩部分；形成连接界定通孔的相对侧壁的导电桥结构，其中，导电桥结构被形成为由面朝第一主表面的第一分界表面以及面朝第二主表面的第二分界表面界定；其中，将中心桥平面限定为平行于第一主表面和第二主表面延伸并且在第一分界表面的最低点与第二分界表面的最高点之间的竖向中心处，其中，将第一相交点限定为中心桥平面与界定通孔的侧壁中的一个侧壁之间的第一相交部，并且其中，将导电桥结构形成为使得从第一相交点到第一分界表面的最短距离的长度特别地第一垂直线的长度为至少8μm。

在本申请的上下文中，术语“部件承载件”可以特别地指能在其上和/或其中容纳一个或多个部件以提供机械支撑和/或电连接的任何支撑结构。换言之，部件承载件可以被构造为用于部件的机械承载件和/或电子承载件。特别地，部件承载件可以是印刷电路板、有机内插物和IC(集成电路)基板中的一个。部件承载件还可以是结合了上述类型的部件承载件中的不同部件承载件的混合板。

在本申请的上下文中，术语“层结构”可以特别地指公共平面内的连续层、图案化层或多个非连续岛状物。

在本申请的上下文中，术语“通孔”可以特别地指完全延伸穿过整个电绝缘层结构的孔，并且通孔可以特别地且优选地通过激光加工形成。因此，通孔可以是激光通孔。这种通孔可以具有例如从电绝缘层结构的两个相反主表面延伸的两个相对的渐缩部分。可以例如通过从电绝缘层结构的前侧和后侧即两个相反主表面进行的激光照射的组合来制造通孔。可以从这些侧中的每侧进行一次或多次激光照射。还可以从仅一个主表面通过激光加工形成通孔。此外，还可以通过除了激光加工以外的其他方法例如通过等离子处理进行通孔的形成。

在本申请的上下文中，术语“桥结构”可以特别地指在电绝缘层结构的界定通孔的相对侧壁之间大致水平地延伸的导电结构，特别地在通孔的最窄部分处或附近延伸。例如，可以在形成通孔后通过镀覆形成这种桥结构。在这种镀覆程序后，仅用构成桥结构的导电材料部分地填充先前形成的通孔，使得桥结构在向上方向上由第一分界表面界定，并且在下侧由第二分界表面界定。第一分界表面和第二分界表面均可以具有凹形形状。

在本申请的上下文中，术语“中心桥平面”可以特别地指水平地延伸——即与电绝缘层结构的两个相反主表面平行——并在第一分界表面的最低点与第二分界表面的最高点之间的中间的高度水平处延伸的虚拟平面。在本申请的上下文中，根据本发明的示例实施方式，考虑用中心桥平面定义最小距离原则。

在本申请的上下文中，根据本发明的示例实施方式，采用术语“相交点”作为用于制定最小距离设计原则的虚拟点。相应的相交点定义为截面图中的在前述中心桥平面与电绝缘层结构的界定通孔的侧壁中的一个侧壁之间的虚拟相交部。

在本申请的上下文中，术语“垂直线”可以特别地指下述直线，该直线从相应的相交点一直延伸到相应的分界表面并与该分界表面相交，使得在该直线与曲线形分界表面的在下述位置处的切线(特别地切面)之间形成直角：该位置处为直线与分界表面之间相交的位置。换言之，描述性地说，垂直线可以相当于相交点与分界表面之间的最短连线，并且可以以直角与分界表面相交。

根据本发明的示例实施方式，提供了一种用于制造具有用导电材料填充的通孔(特别地为激光通孔)的部件承载件的制造方法，其中，被填充通孔的电可靠性是非常有利的。惊人地发现，当按照桥结构填充部件承载件的通孔的部分的特定设计原则时，所得部件承载件的电可靠性和机械可靠性高。这意味着，当符合该设计原则时，可以可靠地防止或至少极大地抑制下述不期望的现象，诸如填充通孔的导电填充介质中有裂缝和/或用导电材料填充的通孔内部留有孔隙。更具体地，所提及的设计原则涉及下述事实，通孔的侧壁在桥结构的中心平面的竖向水平上与界定桥结构的相应分界表面之间的最短距离应至少为8μm。虽然优选的是，下述两方面之间的两个或者全部相交点都满足该设计规则：该两方面中的一方面为侧壁和中心平面，该两方面中的另一方面是两个分界表面，但一个相交点和一个分界表面满足该设计原则时就已实现良好结果。

根据本发明的示例实施方式，可以提供用导电材料部分或完全填充电绝缘层结构中的通孔，这使对应制造的部件承载件的可靠性高。考虑到所描述的激光过孔的金属填充层的形成，这种部件承载件甚至可以符合严格的可靠性要求。更具体地，通过控制用于形成导电填充结构(特别地为在通孔中大致水平延伸的铜结构)的桥镀覆，可以得到显著提高的可靠性能。描述性地说，通过控制通孔的角部的桥镀覆厚度，可以提高可靠性能。虽然常规上用中间玻璃化转变温度/中间热膨胀系数的材料经过10-20次的回流后就已出现故障，但根据本发明的示例实施方式，仅在用中间玻璃化转变温度/中间热膨胀系数的材料进行30次回流后才出现故障。实验表明，通过以至少8μm的控制极限控制从过孔壁和桥中心相交部到桥镀覆层的表面的最小距离，可以得到这种提高的可靠性。因此，可以得到稳健可靠的通孔芯工艺。这种工艺完全可以适用于改良半加成处理(mSAP)工艺流。

下面将解释部件承载件和方法的其他示例实施方式。

在一实施方式中，从第一相交点到第一分界表面的最短距离的长度特别地第一垂直线的长度为至少15μm。特别地，当所提及的最短距离具有的最小长度为15μm时，在电可靠性、机械可靠性和热可靠性方面就已实现适合的结果。

在一实施方式中，从第一相交点到第一分界表面的最短距离的长度特别地第一垂直线的长度在20μm至40μm之间的范围内，特别地在20μm至30μm之间的范围内。已证明当在所提及的范围内选择第一垂直线的长度时会得到最佳结果。如果最短距离的长度太小，则可能出现可靠性问题。如果最短距离变得太大，则可能较难完全填充整个通孔——如果需要完全填充，和/或较难得到性质均匀的无空隙桥结构。

在一实施方式中，从第一相交点到第二分界表面的最短距离的长度特别地第二垂直线的长度为至少8μm，特别地至少15μm，更特别地在20μm至40μm之间的范围内，优选地在20μm至30μm之间的范围内。因此，为了进一步提高部件承载件的可靠性，已有利地证明相对的第二交点也要符合上述最小距离的设计原则。

在一实施方式中，第二相交点被限定为中心桥平面与电绝缘层结构界定通孔的侧壁中的一个侧壁之间的第二交点，其中，从第二相交点到第一分界表面的最短距离的长度特别地第三垂直线的长度为至少8μm，特别地至少15μm，更特别地在20μm至40μm之间的范围内，优选地在20μm至30μm之间的范围内。因此，可以与第一相交点的限定对应地限定第二相交点，如本文所述。当部件承载件的截面图中与限定的第二相交点对应的第三垂直线/最短距离也满足上述关于第一和/或第二垂直线/最短距离的设计原则时，部件承载件以及特别地导电填充的通孔的可靠性可以进一步提高。

在一实施方式中，从第二相交点到第二分界表面的最短距离的长度特别地第四垂直线的长度为至少8μm，特别地至少15μm，更特别地在20μm至40μm之间的范围内，优选地在20μm至30μm之间的范围内。如果第四垂直线或最短距离也符合上述设计原则，则甚至可以使得不太可能有可靠性问题。

在一实施方式中，通过将与中心桥平面与电绝缘层结构的周向侧壁之间的相交部对应的所有相交点连接来限定周向相交线，其中，从周向相交线到第一分界表面的所有最短距离的长度特别地所有垂直线的长度为至少8μm，特别地至少15μm，更特别地在20μm至40μm之间的范围内，优选地在20μm至30μm之间的范围内。根据这种非常优选的实施方式，沿着通孔关于第一分界表面的整个周界遵循所述设计原则。描述性地讲，中心桥平面沿着平面环形相交线与界定通孔的三维侧壁表面相交。根据所述实施方式，该周向相交线上的每个独立点相对于第一分界表面均满足上述关于最小距离的设计原则。这可以确保在可靠性方面用导电材料填充的通孔中不会出现周向弱点。

在一实施方式中，从周向相交线到第二分界表面的所有最短距离的长度特别地所有垂直线的长度为至少8μm，特别地至少15μm，更特别地在20μm至40μm之间的范围内，优选地在20μm至30μm之间的范围内。仍然参照前述实施方式，因此整个周向相交线相对于第二分界表面也可以满足上述设计原则。这在可靠性方面对应于最优选的实施方式。

在一实施方式中，电绝缘层结构的厚度小于100μm，特别地小于60μm，更特别地在30μm至60μm之间的范围内。特别地，在相对薄的电绝缘层结构的情况下，即，厚度为100μm或以下，关于通孔的导电填充物的可靠性问题越来越成问题。然而，当预期上述最小距离设计原则时，证明即使对于这种薄芯，也可以得到部件承载件适当的可靠性。

在一实施方式中，电绝缘层结构是芯。这种芯可以大致上是完全固化的，即，可以包括基本上不能再交联而是已经高度或完全交联的树脂。C阶树脂可以是100％交联的聚合物链，也可以不是，但可以至少具有高度交联的聚合物链网络，使得最终产品不能再热重组而且不溶。因此，在之后的层压程序期间，这种材料不会再融或者可流动，在层压程序中，可以在具有铜填充通孔的芯的顶表面和/或底表面上层压一个或多个导电层结构和/或电绝缘层结构。例如，这种芯可以由FR4材料制成，即，包括增强颗粒诸如玻璃纤维或玻璃球的树脂。

在一实施方式中，桥结构还覆盖电绝缘层结构的界定通孔的侧壁的至少一部分。在制造工艺期间，可以首先用导电材料优选地铜质的薄籽晶层覆盖通孔的侧壁。之后，可以通过镀覆程序形成桥结构，例如通过电流镀覆形成。在这种镀覆程序期间，可以用较厚的导电材料层覆盖侧壁，然后用镀覆材料在侧壁之间形成连接，在许多情况下是在通孔的最窄部分处或附近形成连接。因此，可以得到具有水平桥部分的大致H形的桥结构。

因此，桥结构可以由被镀覆层覆盖的籽晶层构成。对应地，可以通过镀覆特别是在形成籽晶层后进行镀覆来形成导电桥结构。籽晶层优选地由铜制成，可以例如通过无电沉积形成。用薄层(例如厚度在0.1μm至1μm之间的范围内，例如0.5μm)的导电材料诸如铜形成覆盖侧壁的这种籽晶层后，可以在该籽晶层上形成大量导电材料(优选地铜)，优选地通过镀覆或电流沉积形成(例如，厚度在5μm至30μm之间的范围内)。用导电材料填充通孔的这种程序经证明是特别高效的。

在一实施方式中，部件承载件包括填充第一分界表面与第一主表面之间的容积的至少一部分——即填充第一分界表面之上的窝部的至少一部分——的第一导电块结构。在一实施方式中，部件承载件包括填充第二分界表面与第二主表面之间的至少一部分——即，填充第二分界表面之下的窝部的至少一部分——的第二导电块结构。对应地，方法可以包括形成填充第一分界表面与第一主表面之间的至少一部分的第一导电块结构和/或填充第二分界表面与第二主表面之间的至少一部分的第二导电块结构。完成形成桥结构的镀覆程序后，可以用另外的导电材料诸如铜部分地或整体地填充通孔内第一分界表面之上和/或第二分界表面之下的剩余空白空间。这种填充物表示为第一导电块结构和第二导电块结构。优选地，可以在与形成桥结构的镀覆程序分开的镀覆程序中形成这种导电块结构。部件承载件制造领域的技术人员知道，在所制造部件承载件的截面图中可以看见桥结构和块结构之间的过渡。因此，在部件承载件的截面图中，可以在视觉上分开一方面的桥结构和另一方面的块结构。

在一实施方式中，第一导电块结构和第二导电块结构中的至少一个是镀覆结构。对应地，方法可以包括在先前形成桥结构的镀覆程序后通过另外的镀覆程序形成由第一导电块结构和第二导电块结构构成的组中的至少一个。还可以用一系列多个后续镀覆结构制造块结构中的相应块结构。在部件承载件的截面图中，一起形成相应块结构的各个镀覆层能目视检查并可以在视觉上分开。

在一实施方式中，部件承载件包括在第一主表面上的(例如图案化的)第一导电层结构(特别地为具有与延伸穿过电绝缘层结构的通孔的第一渐缩部分对齐的第一窗口的第一金属箔)和/或在第二主表面上的(例如图案化的)第二导电层结构(特别地为具有与延伸穿过电绝缘层结构的通孔的第二渐缩部分对齐的第二窗口的第二金属箔)。因此，电绝缘层结构的两个相反主表面中的每个均可以附接相应的导电层。优选地，导电层结构可以是铜箔。通过从电绝缘层结构的第一主表面进行的第一激光照射，可以在第一导电层结构中形成第一窗口。对应地，通过从电绝缘层结构的第二主表面进行的第二激光照射可以在第二导电层结构中形成第二窗口。

在另一实施方式中，方法包括在电绝缘层结构的主表面中的一个或两个未用导电层结构覆盖的情况下，在电绝缘层结构中形成通孔。在这种实施方式中(其中在电绝缘层结构的相反主表面中的一个或两个上的导电层结构可以不是必须的)，通孔可以钻削为直接通过仅电绝缘层结构。

在一实施方式中，通孔的至少一部分大致为X形。可以通过以仅一次激光照射从第一主表面进行第一激光钻孔并以仅一次另外的激光照射从第二主表面进行第二激光钻孔来形成具有这种形状的通孔。因此，大致的X形可以是使用从前侧进行的单次激光照射以及从后侧进行的单次激光照射形成通孔的制造程序的印迹(fingerprint，指纹)。

在另一实施方式中，通孔的至少一部分在两个相对的渐缩区段之间具有中心(例如大致柱形的)区段。具有这种形状的激光通孔可以通过下述方式来形成，该方式即用(例如仅)一次激光照射从第一主表面进行第一激光钻孔并用(特别地刚好)两次激光照射从第二主表面进行第二激光钻孔。对应形成的通孔可以包括连接第一渐缩部分和第二渐缩部分的中心连接部分，其中，桥结构可以至少部分地位于中心连接部分中。因此，通孔的形状在通孔的处于上端和下端处的两个相对的渐缩部分之间可以具有例如直的或大致直的中心连接部分。然后可以在该中心连接部分中形成这样的桥结构。通过结合从第一上主表面进行的单次激光照射与从第二主表面进行的两次后续激光照射可以得到这种几何结构。

在一实施方式中，桥结构的最窄竖向厚度为至少20μm。惊人地发现如果连接电绝缘层结构界定通孔的相对侧壁的桥结构的最窄竖向厚度为20μm或以上时，则不再出现可靠性问题，即使是在厚度不超过200μm的薄电绝缘层结构中形成通孔的情况下。因此，所提及的设计原则显著提高了薄芯中铜填充的激光过孔的可靠性。

在一实施方式中，通孔的最窄水平宽度不小于30μm，特别地不小于45μm。惊人地发现通孔的最小水平宽度对于得到具有至少部分地用导电填充介质填充的通孔的部件承载件的适当可靠性也是重要的设计参数。此外，特别是对于厚度不超过200μm的薄芯，使通孔的最窄部分(且因此桥结构存在于通孔的该最窄部分中的最窄宽度)保持在30μm或以上优选地保持在45μm或以上对可靠性可能有进一步的积极影响。这样就可以保证甚至可以完全填充通孔的该最窄部分。这对于所制造的部件承载件的电可靠性以及机械可靠性均有积极的影响。按照上述设计原则，可以显著降低裂缝的风险。

在一实施方式中，通孔的最窄水平宽度不超过100μm，特别地不超过75μm。还发现，对于厚度不超过200μm的薄电绝缘层结构，通孔的最窄水平宽度以及对应地通常在通孔的最窄部分处填充通孔的桥结构的最窄水平宽度不应超过100μm。甚至更优选的是通孔的最窄水平宽度的上限为75μm。发现当明显超过所提及的值时，在镀覆程序期间可能妨碍桥的形成。

优选地，通孔的最窄直径在55μm至70μm之间的范围内。惊人地发现，即使在非常薄的芯的情况下，通孔在55μm至70μm之间的范围内的最窄宽度也在可靠性方面提供非常有利的性质。首先，对应部件承载件的通孔的导电填充物中形成不期望裂缝的风险非常低，其至少部分金属填充的通过确保了机械完整性和可靠的导电连接。其次，所提及的参数选择极大地抑制至少部分填充通孔的填充介质的内部中不期望孔隙的形成。通过铜填充的激光过孔，这对传输电信号和/或电力的可靠性也有积极影响。再次，当显著的温度变化/热循环对部件承载件造成影响时，这种铜填充的过孔也不容易出现机械故障。因此，通过所述的参数组合，部件承载件可以有利地得到高电可靠性、高机械可靠性和高热可靠性。

在一实施方案中，部件承载件包括由至少一个电绝缘层结构和至少一个导电层结构的堆叠体。例如，部件承载件可以是所提及电绝缘层结构和导电层结构的层压体，特别地通过施加机械压力和/或热能形成。所提及的堆叠体可以提供能够为另外的部件提供大安装表面但仍然非常薄且紧凑的板状部件承载件。术语“层结构”可以特别地指公共平面内的连续层、图案化层或多个非连续岛状物。

在一实施方式中，部件承载件被成形为板。这有助于紧凑设计，不过其中部件承载件提供用于在其上安装部件的大基底。此外，特别是作为嵌入式电子部件的示例的裸晶片得益于厚度小可以方便地嵌入到薄板诸如印刷电路板中。

在一实施方式中，部件承载件被构造成由印刷电路板、基板(特别地IC基板)和内插物构成的组中的一个。

在本申请的上下文中，术语“印刷电路板(PCB)”可以特别地指板状部件承载件，其通过将若干导电层结构与若干电绝缘层结构进行层压——例如通过施加压力和/或通过供应热能——而形成。作为用于PCB技术的优选材料，导电层结构由铜制成，而电绝缘层结构可以包括树脂和/或玻璃纤维，所谓的预浸料或FR4材料。可以形成通过层压体的通孔——例如通过激光钻孔或机械钻孔形成——并用导电材料(特别是铜)填充通孔，从而形成作为通孔连接件的过孔，使各个导电层结构以期望的方式彼此连接。除了可以嵌入印刷电路板的一个或多个部件，印刷电路板通常被构造成在板状印刷电路板的一个表面或两个相反表面上容纳一个或多个部件。部件可以通过焊接连接至相应的主表面。PCB的介电部分可以由具有增强纤维(诸如玻璃纤维)的树脂构成。

在本申请的上下文中，术语“基板”可以特别地指与待安装在其上的部件(特别地电子部件)具有大致相同的大小的小型部件承载件。更具体地，基板可以理解为用于电连接件或电网络以及与印刷电路板(PCB)相当的部件承载件，但横向和/或竖向布置的连接件的密度高得多的承载件。横向连接件例如为导电路径，而竖向连接件可以为例如钻孔。这些横向和/或竖向连接件布置在基板内，并可以用于提供容置部件或未容置部件(诸如裸晶片)特别地IC芯片与印刷电路板或中间印刷电路板的电连接和/或机械连接。因此，术语“基板”还包括“IC基板”。基板的介电部分可以包括具有增强颗粒(诸如增强球体，特别地玻璃球)的树脂。

基板或内插物可以包括下述或由下述构成：至少玻璃层；硅(Si)；或光可成像或可干法蚀刻的有机材料如环氧基积层材料(诸如，环氧基积层膜)，或高分子化合物如聚酰亚胺、聚苯并恶唑或苯并环丁烯，或由其组成。

在一实施方式中，该至少一个电绝缘层结构包含由下述构成的组中的至少一种：树脂(诸如增强或非增强树脂，例如环氧树脂或双马来酰亚胺三嗪树脂)、氰酸酯、聚亚苯基衍生物、玻璃(特别地玻璃纤维、多层玻璃、玻璃类材料)、预浸材料(诸如FR-4或FR-5)、聚酰亚胺、聚酰胺、液晶聚合物(LCP)、环氧基积层膜、聚四氟乙烯(Teflon)、陶瓷和金属氧化物。也可以使用增强材料，诸如幅材、纤维或球体，例如由玻璃制成(多层玻璃)。虽然对于刚性PCB通常优选的是预浸料，特别是FR4，但基板也可以使用其他材料，特别是环氧基积层膜。对于高频率应用，可以在部件承载件中实施高频率材料诸如聚四氟乙烯、液晶聚合物和/或氰酸酯树脂、低温共烧陶瓷(LTCC)或其他低、非常低或超低DK材料作为电绝缘层结构。

在一实施方式中，导电层结构中的至少一个包括由下述构成的组中的至少一种：铜、铝、镍、银、金、钯和钨。虽然通常优选的是铜，但其他材料或其涂覆形式也是可以的，特别是涂覆有超导材料诸如石墨烯。

部件承载件上可以表面安装和/或嵌入至少一个部件，并且该至少一个部件可以特别地选自由下述构成的组：不导电嵌体、导电嵌体(诸如金属嵌体，优选地包括铜或铝)、热传递单元(例如热管)、光导元件(例如光波导或光导管连接件)、电子部件或它们的组合。例如，部件可以是有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储装置(例如DRAM或另一数据存储器)、过滤器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电子接口元件、发光二极管、光电耦合器、电压转换器(例如DC/DC转换器或AC/DC转换器)、加密部件、发射器和/或接收器、机电换能器、传感器、致动器、微机电系统(MEMS)、微处理器、电容器、电阻器、电感、电池、开关、摄像机、天线、逻辑芯片和能量采集单元。然而，可以在部件承载件中嵌入其他部件。例如，可以将磁性元件用作部件。这种磁性元件可以是永磁元件(诸如铁磁元件、反铁磁元件、多铁元件或铁淦氧磁元件例如铁氧体芯)或者可以是顺磁性元件。然而，部件还可以是基板、内插物或另外的部件承载件，例如处于板中板构造的部件承载件。部件可以表面安装在部件承载件上以及/或者可以嵌入其内部。此外，其他部件特别是生成并发出电磁辐射和/或对于从环境传播的电磁辐射敏感的那些部件也可以用作部件。

在一实施方式中，部件承载件是层压型部件承载件。在这种实施方式中，部件承载件为通过施加压紧力和/或热堆叠并连接在一起的多层结构的复合体。

根据下文描述的实施方式的实施例，本发明的上述方面和其他方面是明显的，并且参考这些实施方式的实施例对这些方面进行解释。

附图说明

图1至图6示出了在根据本发明的示例实施方式的方法期间得到的结构的截面图，该方法通过从相反侧进行多次激光照射处理并且然后用导电填充介质至少部分地填充通孔来制造具有通孔的部件承载件。

图2A示出了根据另一示例实施方式的部件承载件的预成型件的截面图，该另一示例实施方式与图2相关但不同之处在于，在形成通孔时，在电绝缘层结构的相反主表面上未设置导电层结构。

图7示出了根据本发明的示例实施方式的具有通孔的部件承载件的示意截面图。

图8示出了根据本发明的示例实施方式的具有通孔的部件承载件的实际截面图的示例。

图9示出了按照根据本发明的示例实施方式的制造方法制造的部件承载件的预成型件的截面图。

具体实施方式

附图中的图示是示意性的。在不同的附图中，类似或相同的元件设置有相同的附图标记。

图1至图6示出了在根据本发明的示例实施方式的方法期间得到的结构的截面图，该方法通过从相反侧进行多次激光照射处理并且然后通过用由多次填充程序形成的导电填充介质填充通孔108来制造图6中所示的具有通孔108的部件承载件100。

参照图1，通过进行第一激光照射115形成通孔108的在电绝缘层结构102的第一主表面104与第二主表面106之间延伸的第一部分。可以通过适合的激光源进行，例如通过准分子激光和/或二氧化碳激光进行如参照图1至图3描述的激光处理。在所示实施方式中，电绝缘层结构102可以包括树脂(特别地环氧树脂)，树脂可选地包括增强颗粒，诸如玻璃纤维或玻璃球。电绝缘层结构102的竖向厚度D可以例如不超过100μm，特别地在40μm至60μm之间的范围内。

通过在电绝缘层结构102的上主表面104中进行第一激光照射115形成盲孔113。随后盲孔113构成根据图2或图3完成的通孔108的第一渐缩部分114。第一激光照射115还形成延伸穿过电绝缘层结构102的第一主表面104上的第一导电层结构152的窗口或通孔，该第一导电层结构可以例如是金属层，诸如铜箔。第一导电层结构152具有的厚度d1可以小于5μm，特别地在2μm至3μm之间的范围内。

在选择第一激光照射115的激光能量和持续时间方面要注意，第一激光照射115不会到达电绝缘层结构102的第二主表面106上的第二导电层结构154，因为激光从第二导电层结构154反射可能会造成所形成通孔108的形状不理想。第二导电层结构154可以例如是金属层，诸如铜箔，并具有的厚度d2可以小于5μm，特别地在2μm至3μm之间的范围内。

参照图2，在如参照图1描述的利用一次激光照射115从第一主表面104进行第一激光钻孔后，通过利用一次另外的激光照射117从第二主表面106进行第二激光钻孔，即通过总共两次激光照射115、117，来继续形成通孔108的过程。因此，所示通孔108形成有第一渐缩部分114和第二渐缩部分116，该第一渐缩部分从第一主表面104延伸并且由第一激光照射115形成，该第二渐缩部分从第二主表面106延伸并且由第二激光照射117形成。

如从图2可以看出的，在第一激光照射115之后并且从后侧进行第二激光照射117，即，形成通过第二导电层结构154的通孔，并使先前形成的盲孔113延伸成延伸穿过电绝缘层结构102的整个厚度的通孔108。在第一激光照射115后且在第二激光照射117前，可以将图1中所示结构翻转或转动180°，使得激光源(未示出)可以保持不动。

在一个实施方式中，如图2中所示的具有大致X形的所得通孔108可以经受用导电材料诸如铜填充通孔108的程序。因此，下文参照图4至图6所示出和描述的程序也可以在如图2中所示的具有大致X形的通孔108的基础上开始。可替代地，可以在用导电材料填充通孔108之前进行另一次激光照射119，如将参照图3描述的。

参照图3的替代方案，形成通孔108除了利用一次激光照射115从第一主表面104进行第一激光钻孔以及利用第二激光照射117从第二主表面106进行第二激光钻孔以外，还包括利用第三激光照射119从后侧进行第三激光钻孔。图3示出了在参照图2描述的程序之后如何从电绝缘层结构102的后侧或第二主表面106进行第三激光照射119。通过采取这种措施，可以进一步控制通孔108的形状，使得通孔108的最窄部分在空间上加宽，并在渐缩部分114、116之间形成例如大致圆柱形的中心连接部分134。

为了得到图4中所示的层结构，根据图3的通孔108经受利用导电填充介质诸如铜填充该通孔的第一程序。为了完成这一点，优选的是首先进行无电沉积程序，从而形成直接覆盖电绝缘层结构102的界定通孔108的侧壁112的铜制的薄籽晶层144。这可以在图4的细节图121中看见。籽晶层144的厚度可以例如为0.5μm。然而，还可能的是籽晶层144具有1μm以上的厚度和/或设置了若干累积籽晶层。例如，籽晶层144的厚度或多个籽晶层的累积厚度可以在0.5μm至5μm之间的范围内。当设置多个籽晶层时，其可以包括有机(例如聚合物)层、钯层和/或铜层。

随后，可以通过镀覆程序特别地通过电流镀覆在籽晶层144上沉积另外的导电材料(诸如铜)。因此，利用由导电填充介质诸如铜制成的较厚镀覆层146覆盖侧壁112和导电层结构152、154。例如，镀覆层146可以具有10μm的厚度。

参照图5，继续参照图4描述的镀覆程序，以便形成具有大致水平部分的导电桥结构110，该水平部分连接通孔108的相对侧壁112。如所示出的，导电桥结构110形成为由向上定向或面朝第一主表面104的上部第一分界表面118以及由向下定向或面朝第二主表面106的下部第二分界表面120界定。可以通过电流镀覆形成导电桥结构110，优选地在参照图4描述的形成籽晶层144之后形成。因此，桥结构110由被镀覆层146覆盖的籽晶层144构成，并在电绝缘层结构102的界定通孔108的相对侧壁112之间形成大致水平的桥。

虚拟的中心桥平面122被限定为平行于第一主表面104并平行于第二主表面106延伸并且在与第一分界表面118的最低点126与第二分界表面120的最高点128之间的竖向中心124或中点的高度处。此外，虚拟的第一相交点130被限定为中心桥平面122与电绝缘层结构102的侧壁112中的一个侧壁之间的第一相交部。根据得到高度可靠的部件承载件100的非常有利的设计原则，导电桥结构110形成为使得从第一相交点130到第一分界表面118的最短距离或第一垂直线132的长度l1为至少8μm，优选地至少15μm。

因此，图5示出了在继续参照图4描述的镀覆程序时得到的层结构。在通孔108的最窄部分的区域中，形成连接相对侧壁112的大致水平的桥结构110。桥结构110的凹形上限制表面对应于第一分界表面118，而下凹形限制表面对应于第二分界表面120。在第一分界表面118的底端与第二分界表面120的顶端之间的竖向中间位置处，得到作为虚拟平面的中心桥平面122，该虚拟平面平行于第一主表面104和第二主表面106，使得所提到的所有三个平面均按照图5的纸面水平地延伸，即，垂直于待制造的部件承载件100的层结构102、152、154的堆叠方向延伸。

当虚拟的中心桥平面122与限定界定通孔108的侧壁112的三维区域相交时，形成周向相交线。图5中用附图标记130表示中心桥平面122与侧壁112之间的一个相交点。当将相交点130与第一分界表面118虚拟连接使得对应连线——参见垂直线132——垂直于曲线形的第一分界表面118的切线(特别是切面)时，得到设计参数l1。如下文参照图7和图8中的另外的细节描述的，最小距离l1应至少为8μm，优选地至少15μm，以得到制造好的部件承载件100非常良好的可靠性结果。

虽然图5中未示出，但在进行镀覆工艺时，通孔108的几何结构可以在下述竖向水平处形成横向连接电绝缘层结构102的界定通孔108的相对侧壁112的桥结构110，在该竖向水平处到第一主表面104的距离与到第二主表面106的距离不同。这可以促进形成位于通孔108的竖向中心以外的自由悬挂的不对称桥结构110。

参照图6，形成了填充第一分界表面118与第一主表面104之间的主要部分的第一导电块结构148以及填充第二分界表面120与第二主表面106之间的主要部分的第二导电块结构150。这可以在先前形成桥结构110的镀覆程序之后进行一次或多次另外的电流镀覆程序来完成。

因此，通过进行一次或多次另外的镀覆程序可以得到根据图6的部件承载件100。从而可以得到块结构148、150，该块结构可以例如由铜构成。在所示实施方式中，在所示部件承载件100的上侧或下侧分别留下小的下沉部125、127。在其他实施方式中，块结构148、150几乎完全填充第一分界表面118之上以及第二分界表面120之下留下的凹部。应该说技术人员熟知当对部件承载件100的截面进行成像时可以清楚地看见分界表面118、120。

图7示出了根据本发明的示例实施方式的具有通孔108的部件承载件100的示意截面图。根据图7，通孔108大致为X形。例如，参照部件承载件100或其预成型件的截面图，可以通过与顶点在通孔108的中心部分面向彼此的两个在竖向上相对的弓部对应的侧壁线来限定这种大致的X形。因此，通孔108的形状还可以表示为竖向蝴蝶结或镜像截锥结构的形状。图8示出了根据本发明的示例实施方式的具有通孔108的部件承载件100的实际截面图。根据图8，通孔108的两个相反外部部分是渐缩的，而通孔180的中心部分大致为柱形。

在所示实施方式中，所示部件承载件100可以是层压型板状部件承载件100，诸如印刷电路板(PCB)。部件承载件100可以包括由中心电绝缘层结构102构成的层堆叠体，该中心电绝缘层结构在其相反主表面104、106的每个上被两个导电层结构152、154中相应的一个导电层结构覆盖。优选地，电绝缘层结构102由完全固化的材料诸如FR4制成。导电层结构152、154可以是图案化的铜箔。

在第一主表面104与第二主表面106之间延伸穿过电绝缘层结构102的通孔108在其中心部分中用导电填充介质诸如铜填充。该导电填充介质构成连接通孔108的相对侧壁112的导电桥结构110。在图8的构造中，通孔108包括连接第一渐缩部分114与第二渐缩部分116的中心连接部分134，并且桥结构110的水平区段位于中心连接部分134(关于附图标记，对照图3)中。在图7的构造中，桥结构110的水平区段位于大致X形的通孔108的最窄部分周围。除了其大致水平的区段，桥结构110还覆盖侧壁112，且因此具有大致的H形，在图7和图8中均是如此。

如上所述，导电桥结构110在上侧由面朝第一主表面104的第一分界表面118界定，且在下侧由面朝第二主表面106的第二分界表面120界定。虚拟的中心桥平面122被限定为平行于第一主表面104和第二主表面106延伸，并且在第一分界表面118的最低点126与第二分界表面120的最高点128之间的竖向中心124处。最低点126与竖向中心124之间的竖向距离等于最高点128与竖向中心124之间的竖向距离。虚拟的第一相交点130被限定为中心桥平面122与电绝缘层结构102在图7和图8的左手侧的侧壁112之间的第一相交部。

有利地，从第一相交点130到第一分界表面118的最短距离或第一垂直线132的长度l1为至少8μm，优选地至少15μm，且最优选地长度l1在20μm至30μm之间的范围内，以在部件承载件100的电可靠性方面得到非常良好的结果。对应地，从第一相交点130到第二分界表面120的最短距离或第二垂直线136的长度l2为至少8μm，优选地至少15μm，且最优选地在20μm至30μm之间。

相应地，虚拟的第二相交点138被限定为中心桥平面122与电绝缘层结构102在图8的右手侧的侧壁112之间的第二相交部。从第二相交点138到第一分界表面118的最短距离或第三垂直线140的长度l3为至少8μm，优选地至少15μm，且最优选地在20μm至30μm之间。对应地，从第二相交点138到第二分界表面120的最短距离或第四垂直线142的长度l4为至少8μm，优选地至少15μm，且最优选地在20μm至30μm之间。

在垂直于图7和图8的纸面的虚拟中心桥平面122中，通过将和中心桥平面122与电绝缘层结构102的周向侧壁112之间的相交部对应的所有相交点(130、138等)连接来限定虚拟的周向相交线(未示出)。当从周向相交线到第一分界表面118的所有最短距离或垂直线的长度为至少8μm、优选地至少15μm且最优选地在20μm至30μm之间时，在部件承载件100的电可靠性方面可以得到特别满意的结果。对应地，从周向相交线到第二分界表面120的所有最短距离或所有垂直线的长度可以至少为8μm，优选地至少15μm，最优选地在20μm至30μm之间，以在可靠性方面得到特别显著的优势。

如上所述，电绝缘层结构102的厚度D优选地小于100μm，使得电绝缘层结构102形成非常薄的完全固化的芯。

第一导电块结构148填充第一分界表面118与第一主表面104之间的主要部分。第二导电块结构150填充第二分界表面120与第二主表面106之间的主要部分，其中，可以留下小的下沉部125、127。第一导电块结构148和第二导电块结构150二者均可以通过进行一次或多次电流镀覆程序来形成，电流镀覆程序可以在用于形成桥结构110的镀覆程序之后单独进行。

图8中的细节图135示意地示出了如何可以构建第一垂直线132，以便限定关于提高部件承载件100的可靠性所描述的设计原则。寻找相交点130与第一分界表面118之间的最短连接，并且发现最短连接是相交点130与第一分界表面118之间垂直于(见细节图135中的直角)第一分界表面118的连线。换言之，因此可以构建第一分界表面118的切线133(见相交点137处的辅助圆131)。当长度l1大于8μm时满足该设计原则。

为了得到图8中所示的部件承载件100的适当可靠性，还可以遵循下述设计原则中的一个或多个：桥结构110的最小竖向厚度B可以为至少20μm。相对侧壁112之间的最小水平距离C可以在55μm至70μm之间的范围内。第一导电层结构152中的窗口的水平尺寸E1可以在65μm至80μm之间的范围内。对应地，第二导电层结构154中的窗口的水平尺寸E2也可以在65μm至80μm之间的范围内。第一导电层结构152与图8的左手侧的侧壁112之间的横向悬伸部(overhang，悬伸、悬伸长度)F1可以在10μm至15μm之间的范围内。第一导电层结构152与图8的右手侧的侧壁112之间的横向悬伸部G1可以在10μm至15μm之间的范围内。第二导电层结构154与图8的左手侧的侧壁112之间的横向悬伸部F2可以在10μm至15μm之间的范围内。第二导电层结构154与图8的右手侧的侧壁112之间的横向悬伸部G2可以在10μm至15μm之间的范围内。此外，当满足F1≠F2和/或G1≠G2的条件时，在可靠性方面可以得到特别良好的结果。此外，经证明，当第一导电层结构152中的窗口的中心与第二导电层结构154中的窗口的中心之间的横向偏移不大于20μm时，有利于得到良好的可靠性。

关于可以局部未被支撑的悬伸材料的上述悬伸部F1、F2、G1、G2，应该说相应的悬伸部可以与相应的导电层结构152、154之下大致无树脂的区域相关。然而，本领域技术人员将理解，与悬伸部相关的间隙内甚至可能存在一些残留树脂。为了定量地确定或测量悬伸部的值，可以测量在悬伸导电层结构152、154正下方的大致不含树脂(其中，树脂可以指电绝缘层结构102)的底切的长度(特别地，即使其不是悬伸导电层结构152、154例如铜层之下的最回缩点或总离隙(relief，缺口))。换言之，为了测量悬伸部，可以测量在导电层结构102正下方的底切。

图9示出了按照根据本发明的示例实施方式的制造方法制造的部件承载件100的预成型件的截面图。更具体地，图9示出了根据本发明的示例实施方式的当前制造的部件承载件100的一系列截面图，示出了符合设计原则的桥结构110的连续形成。

图2A示出了根据的部件承载件100的预成型件的截面图，该另一示例实施方式与图2相关但不同之处在于，在形成通孔108时，电绝缘层结构102的相反主表面104、106上未设置导电层结构152、154。

图1至图6的实施方式与图2A的实施方式之间的主要区别在于，根据图2A，在形成通孔108时，电绝缘层结构102的主表面104、106未被导电层结构152、154覆盖。因此，与图2A的实施方式相关的制造方法包括：在电绝缘层结构102的主表面104、106未被导电层结构152、154诸如铜箔覆盖的情况下在电绝缘层结构102中形成通孔108。

关于后续用导电填充介质填充通孔108并覆盖主表面104、106，这可以通过下述进行：形成可选的籽晶层144；之后可选地形成覆盖主表面104、106和通孔108的侧壁112的至少一部分的镀覆层(未示出)；之后形成桥结构110，该桥结构桥接相对侧壁112并具有例如大致的H形；并用一个或多个块结构148、150(其可以是另外的镀覆结构或一系列镀覆结构)可选地填充桥结构110之上和/或之下的一个或两个容积。参照图4至图8对应的描述。

除了这一差异，上文关于图1至图6的公开也适用于图2A。根据图3的通孔的形成也可以在电绝缘层结构102上没有铜箔的情况下进行。

应注意的是，术语“包括(comprising)”不排除其他元素或步骤，“一(a)”或“一(an)”不排除复数。另外，可以组合与不同实施方式相关的元件。

还应注意的是，权利要求中的附图标记不应理解为限制权利要求的范围。

本发明的实施不限于附图中的和上述的优选实施方式。相反，可以有使用根据本发明的所示方案和原理的多种变型，即使是在基础不同的实施方式的情况下。

Claims (33)

1.一种部件承载件(100)，其中，所述部件承载件(100)包括：

电绝缘层结构(102)，所述电绝缘层结构具有第一主表面(104)和第二主表面(106)；

通孔(108)，特别地为激光通孔(108)，所述通孔延伸穿过所述电绝缘层结构(102)处于所述第一主表面(104)和所述第二主表面(106)之间；

导电桥结构(110)，所述导电桥结构连接界定所述通孔(108)的相对侧壁(112)；

其中，所述通孔(108)具有从所述第一主表面(104)延伸的第一渐缩部分(114)以及从所述第二主表面(106)延伸的第二渐缩部分(116)；

其中，所述导电桥结构(110)由面朝所述第一主表面(104)的第一分界表面(118)以及面朝所述第二主表面(106)的第二分界表面(120)界定；

其中，中心桥平面(122)被限定成平行于所述第一主表面(104)和所述第二主表面(106)延伸，并且在所述第一分界表面(118)的最低点(126)与所述第二分界表面(120)的最高点(128)之间的竖向中心(124)处；

其中，第一相交点(130)被限定为所述中心桥平面(122)与界定所述通孔(108)的所述侧壁(112)中的一个侧壁之间的第一相交部；

其中，从所述第一相交点(130)到所述第一分界表面(118)的最短距离的长度(l1)特别是第一垂直线(132)的长度(l1)为至少8μm。

2.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，其中，从所述第一相交点(130)到所述第一分界表面(118)的所述最短距离的长度(l1)特别是所述第一垂直线(132)的长度(l1)为至少15μm。

3.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100)，其中，从所述第一相交点(130)到所述第一分界表面(118)的所述最短距离的长度(l1)特别是所述第一垂直线(132)的长度(l1)在20μm至40μm之间的范围内，特别地在20μm至30μm之间的范围内。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的部件承载件(100)，其中，从所述第一相交点(130)到所述第二分界表面(120)的最短距离的长度(l2)特别是第二垂直线(136)的长度(l2)为至少8μm，特别地至少15μm，更特别地在20μm至40μm之间的范围内，优选地在20μm至30μm之间的范围内。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的部件承载件(100)，其中，第二相交点(138)被限定为所述中心桥平面(122)与界定所述通孔(108)的所述侧壁(112)中的另一个侧壁之间的第二相交部，其中，从所述第二相交点(138)到所述第一分界表面(118)的最短距离的长度(l3)特别是第三垂直线(140)的长度(l3)为至少8μm，特别地至少15μm，更特别地在20μm至40μm之间的范围内，优选地在20μm至30μm之间的范围内。

6.根据权利要求5所述的部件承载件(100)，其中，从所述第二相交点(138)到所述第二分界表面(120)的最短距离的长度(l4)特别是第四垂直线(142)的长度(l4)为至少8μm，特别地至少15μm，更特别地在20μm至40μm之间的范围内，优选地在20μm至30μm之间的范围内。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的部件承载件(100)，

其中，通过将和所述中心桥平面(122)与界定所述通孔(108)的周向侧壁(112)之间的相交部对应的所有相交点(130、138…...)连接来限定周向相交线；

其中，从所述周向相交线到所述第一分界表面(118)的所有最短距离的长度(l1、l3…...)特别是所有垂直线的长度(l1、l3…...)为至少8μm，特别地至少15μm，更特别地在20μm至40μm之间的范围内，优选地在20μm至30μm之间的范围内。

8.根据权利要求7所述的部件承载件(100)，其中，从所述周向相交线到所述第二分界表面(120)的所有最短距离的长度(l2、l4…...)特别是所有垂直线的长度(l2、l4…...)为至少8μm，特别地至少15μm，更特别地在20μm至40μm之间的范围内，优选地20μm至30μm之间的范围内。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述电绝缘层结构(102)的厚度(D)小于100μm，特别地小于60μm，更特别地在30μm至60μm之间的范围内。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述电绝缘层结构(102)为芯，特别地为完全固化的芯。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述桥结构(110)还覆盖所述侧壁(112)的至少一部分。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述桥结构(110)由用镀覆层(146)覆盖的籽晶层(144)构成。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的部件承载件(100)，包括填充所述第一分界表面(118)与所述第一主表面(104)之间的容积的至少一部分的第一导电块体结构(148)。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的部件承载件(100)，包括填充所述第二分界表面(120)与所述第二主表面(106)之间的容积的至少一部分的第二导电块结构(150)。

15.根据权利要求13或14所述的部件承载件(100)，其中，所述第一导电块结构(148)和所述第二导电块结构(150)中的至少一个为镀覆结构。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的部件承载件(100)，包括在所述第一主表面(104)上的图案化的第一导电层结构(152)和/或在所述第二主表面(106)上的图案化的第二导电层结构(154)。

17.根据权利要求1至16中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述通孔(108)的至少一部分为大致X形。

18.根据权利要求1至16中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述通孔(108)的至少一部分具有在两个相对的渐缩区段(114、116)之间的中心区段(134)，特别是大致柱形的中心区段。

19.根据权利要求1至18中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述第一分界表面(118)和所述第二分界表面(120)中的至少一个具有凹形形状。

20.根据权利要求1至19中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述桥结构(110)的截面为大致H形。

21.根据权利要求1至20中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述桥结构(110)的最窄竖向厚度(B)为至少20μm。

22.根据权利要求1至21中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述通孔(108)的最窄水平宽度不超过100μm，特别地不超过75μm。

23.根据权利要求1至22中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述通孔(108)的最窄水平宽度不低于30μm，特别地不低于45μm。

24.根据权利要求1至23中任一项所述的部件承载件(100)，其中，所述通孔(108)的最窄直径在55μm至70μm之间的范围内。

25.根据权利要求1至24中任一项所述的部件承载件(100)，包括下述特征中至少之一：

所述部件承载件(100)包括嵌入所述部件承载件(100)中的至少一个部件，其中，所述至少一个部件特别地选自由下述构成的组：电子部件、不导电和/或导电嵌体、热传递单元、光导元件、能量收集单元、有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储装置、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、电压转换器、加密部件、发射器和/或接收器、机电换能器、致动器、微机电系统、微处理器、电容器、电阻器、电感、蓄电池、开关、相机、天线、磁性元件、另外的部件承载件和逻辑芯片；

其中，所述部件承载件(100)的至少一个导电层结构(152、154)包括由下述构成的组中的至少一种：铜、铝、镍、银、金、钯和钨，所提及材料中的任何一种均可选地涂覆有超导材料诸如石墨烯；

其中，所述电绝缘层结构(102)包括由下述构成的组中的至少一种：树脂，特别是增强或非增强树脂，例如环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂、FR-4、FR-5；氰酸酯；聚亚苯基衍生物；玻璃；预浸材料；聚酰亚胺；聚酰胺；液晶聚合物；环氧基积层材料；聚四氟乙烯；陶瓷以及金属氧化物；

其中，所述部件承载件(100)被成型为板；

其中，所述部件承载件(100)被构造为由印刷电路板和基板构成的组中的一种；

其中，所述部件承载件(100)被构造为层压型部件承载件(100)。

26.一种制造部件承载件(100)的方法，其中，所述方法包括：

形成通孔(108)，特别地为激光通孔(108)，所述通孔在电绝缘层结构(102)的第一主表面(104)与第二主表面(106)之间延伸，其中，所述通孔(108)被形成为具有从所述第一主表面(104)延伸的第一渐缩部分(114)以及从所述第二主表面(106)延伸的第二渐缩部分(116)；

形成导电桥结构(110)，所述导电桥结构连接界定所述通孔(108)的相对侧壁(112)，其中，所述导电桥结构(110)被形成为由面朝所述第一主表面(104)的第一分界表面(118)以及面朝所述第二主表面(106)的第二分界表面(120)界定；

其中，将中心桥平面(122)限定为平行于所述第一主表面(104)和所述第二主表面(106)延伸并且在所述第一分界表面(118)的最低点(126)与所述第二分界表面(120)的最高点(128)之间的竖向中心(124)处；

其中，将第一相交点(130)限定为所述中心桥平面(122)与界定所述通孔(108)的所述侧壁(112)中的一个侧壁之间的第一相交部；

其中，将所述导电桥结构(110)形成为使得从所述第一相交点(130)到所述第一分界表面(118)的最短距离的长度(l1)特别是第一垂直线(132)的长度(l1)为至少8μm。

27.根据权利要求26所述的方法，其中，形成所述通孔(108)包括：利用一次激光照射(115)从所述第一主表面(104)起进行第一激光钻孔，以及利用一次激光照射(117)从所述第二主表面(106)起进行第二激光钻孔。

28.根据权利要求26所述的方法，其中，形成所述通孔(108)包括：利用一次激光照射(115)从所述第一主表面(104)起进行第一激光钻孔，以及利用两次激光照射(117、119)从所述第二主表面(106)起进行第二激光钻孔。

29.根据权利要求26至28中任一项所述的方法，其中，通过镀覆来进行形成所述导电桥结构(110)，特别是在形成籽晶层之后。

30.根据权利要求26至29中任一项所述的方法，其中，所述方法包括形成第一导电块结构(148)和/或第二导电块结构(150)，所述第一导电块结构对所述第一分界表面(118)之上的容积的至少一部分进行填充，所述第二导电块结构对所述第二分界表面(120)之下的容积的至少一部分进行填充。

31.根据权利要求30所述的方法，其中，所述方法包括：通过在继形成所述桥结构(110)的在先镀覆程序之后的至少一个另外的镀覆程序，形成由所述第一导电块结构(148)和所述第二导电块结构(150)构成的组中的至少一种。

32.根据权利要求26至31中任一项所述的方法，其中，所述方法包括在形成所述通孔(108)之前：

在所述第一主表面(104)上设置第一导电层结构(152)；和/或

在所述第二主表面(106)上设置第二导电层结构(154)。

33.根据权利要求26至31中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：在所述电绝缘层结构(102)的所述主表面(104、106)中的一者或两者没有被导电层结构(152、154)覆盖的情况下，在所述电绝缘层结构(102)中形成所述通孔(108)。

Images