TWM597419U - 在通孔中具有符合最小距離設計原則的橋結構的部件承載件 - Google Patents

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Abstract

提供了一種部件承載件，該部件承載件包括：具有第一主表面和第二主表面的電絕緣層結構；通孔，其延伸穿過電絕緣層結構處於第一與第二主表面之間；以及導電橋結構，該導電橋結構連接界定通孔的相對側壁，其中通孔具有從第一主表面延伸的第一漸縮部分以及從第二主表面延伸的第二漸縮部分。導電橋結構由面朝第一主表面的第一分界表面和麵朝第二主表面的第二分界表面界定。中心橋平面被限定為平行於第一和第二主表面延伸並且在第一分界表面的最低點與第二分界表面的最高點之間的豎向中心處。第一相交點被限定為中心橋平面與界定通孔的側壁中之一之間的第一相交部。從第一相交點到第一分界表面的最短距離的長度為至少8µm。

Description

在通孔中具有符合最小距離設計原則的橋結構的部件承載件
本創作涉及一種部件承載件。
在配備有一個或多個電子部件的部件承載件的產品功能增多且這類部件的日益小型化以及待安裝在部件承載件諸如印刷電路板上的部件的數量增加的情況下，越來越多地採用具有若干部件的更強大的陣列狀部件或封裝件，這些部件或封裝件具有多個接觸件或連接件，這些接觸件之間的空間甚至更小。操作期間移除由這種部件和部件承載件自身生成的熱逐漸成為問題。同時，部件承載件應是機械穩固和電可靠的，以便甚至能在惡劣條件下運行。所有這些要求均與部件承載件及其組成部分的持續小型化息息相關。 特別地，可能有利的是有效地使導電層結構和/或安裝在部件承載件上和/或嵌入該部件承載件中的部件以適合質量進行有效連接。對於該目的和其他目的，可能有利的是形成機械過孔和激光過孔，機械過孔和激光過孔可以用銅填充。
可能需要製造具有適當電可靠性的部件承載件。 根據本創作的示例實施方式，提供了一種部件承載件，部件承載件包括：電絕緣層結構，該電絕緣層結構具有第一主表面和第二主表面；通孔(特別地為激光通孔)，該通孔延伸穿過電絕緣層結構處於第一主表面和第二主表面之間；以及導電橋結構，該導電橋結構連接界定通孔的相對側壁(特別地，側壁限定電絕緣層結構和通孔之間的邊界)，其中，通孔具有從第一主表面延伸的第一漸縮部分以及從第二主表面延伸的第二漸縮部分，其中，導電橋結構由面朝第一主表面的第一分界表面以及面朝第二主表面的第二分界表面界定，其中，中心橋平面被限定成平行於第一主表面和第二主表面延伸並且在第一分界表面的最低點與第二分界表面的最高點之間的豎向中心處(或穿過或包括豎向中心)，其中，第一相交點被限定為中心橋平面與界定通孔的側壁中一個側壁之間的第一相交部，並且其中，從第一相交點到第一分界表面的最短距離的長度(特別地第一垂直線的長度)為至少8µm。 根據本創作的另一示例實施方式，提供了一種製造部件承載件的方法，其中，方法包括：形成通孔(特別地為激光通孔)，該通孔在電絕緣層結構的第一主表面和第二主表面之間延伸，其中，通孔被形成為具有從第一主表面延伸的第一漸縮部分以及從第二主表面延伸的第二漸縮部分；形成連接界定通孔的相對側壁的導電橋結構，其中，導電橋結構被形成為由面朝第一主表面的第一分界表面以及面朝第二主表面的第二分界表面界定；其中，將中心橋平面限定為平行於第一主表面和第二主表面延伸並且在第一分界表面的最低點與第二分界表面的最高點之間的豎向中心處，其中，將第一相交點限定為中心橋平面與界定通孔的側壁中的一個側壁之間的第一相交部，並且其中，將導電橋結構形成為使得從第一相交點到第一分界表面的最短距離的長度特別地第垂直線的長度為至少8µm。 在本申請的上下文中，術語“部件承載件”可以特別地指能在其上和/或其中容納一個或多個部件以提供機械支撐和/或電連接的任何支撐結構。換言之，部件承載件可以被構造為用於部件的機械承載件和/或電子承載件。特別地，部件承載件可以是印刷電路板、有機內插物和IC(集成電路)基板中的一個。部件承載件還可以是結合了上述類型的部件承載件中的不同部件承載件的混合板。 在本申請的上下文中，術語“層結構”可以特別地指公共平面內的連續層、圖案化層或多個非連續島狀物。 在本申請的上下文中，術語“通孔”可以特別地指完全延伸穿過整個電絕緣層結構的孔，並且通孔可以特別地且優選地通過激光加工形成。因此，通孔可以是激光通孔。這種通孔可以具有例如從電絕緣層結構的兩個相反主表面延伸的兩個相對的漸縮部分。可以例如通過從電絕緣層結構的前側和後側即兩個相反主表面進行的激光照射的組合來製造通孔。可以從這些側中的每側進行一次或多次激光照射。還可以從僅一個主表面通過激光加工形成通孔。此外，還可以通過除了激光加工以外的其他方法例如通過等離子處理進行通孔的形成。 在本申請的上下文中，術語“橋結構”可以特別地指在電絕緣層結構的界定通孔的相對側壁之間大致水平地延伸的導電結構，特別地在通孔的最窄部分處或附近延伸。例如，可以在形成通孔後通過鍍覆形成這種橋結構。在這種鍍覆程序後，僅用構成橋結構的導電材料部分地填充先前形成的通孔，使得橋結構在向上方向上由第一分界表面界定，並且在下側由第二分界表面界定。第一分界表面和第二分界表面均可以具有凹形形狀。 在本申請的上下文中，術語“中心橋平面”可以特別地指水平地延伸——即與電絕緣層結構的兩個相反主表面平行——並在第一分界表面的最低點與第二分界表面的最高點之間的中間的高度水平處延伸的虛擬平面。在本申請的上下文中，根據本創作的示例實施方式，考慮用中心橋平面定義最小距離原則。 在本申請的上下文中，根據本創作的示例實施方式，採用術語“相交點”作為用於製定最小距離設計原則的虛擬點。相應的相交點定義為截面圖中的在前述中心橋平面與電絕緣層結構的界定通孔的側壁中的一個側壁之間的虛擬相交部。 在本申請的上下文中，術語“垂直線”可以特別地指下述直線，該直線從相應的相交點一直延伸到相應的分界表面並與該分界表面相交，使得在該直線與曲線形分界表面的在下述位置處的切線(特別地切面)之間形成直角：該位置處為直線與分界表面之間相交的位置。換言之，描述性地說，垂直線可以相當於相交點與分界表面之間的最短連線，並且可以以直角與分界表面相交。 根據本創作的示例實施方式，提供了一種用於製造具有用導電材料填充的通孔(特別地為激光通孔)的部件承載件的製造方法，其中，被填充通孔的電可靠性是非常有利的。驚人地發現，當按照橋結構填充部件承載件的通孔的部分的特定設計原則時，所得部件承載件的電可靠性和機械可靠性高。這意味著，當符合該設計原則時，可以可靠地防止或至少極大地抑制下述不期望的現象，諸如填充通孔的導電填充介質中有裂縫和/或用導電材料填充的通孔內部留有孔隙。更具體地，所提及的設計原則涉及下述事實，通孔的側壁在橋結構的中心平面的豎向水平上與界定橋結構的相應分界表面之間的最短距離應至少為8µm。雖然優選的是，下述兩方面之間的兩個或者全部相交點都滿足該設計規則：該兩方面中的一方面為側壁和中心平面，該兩方面中的另一方面是兩個分界表面，但一個相交點和一個分界表面滿足該設計原則時就已實現良好結果。 根據本創作的示例實施方式，可以提供用導電材料部分或完全填充電絕緣層結構中的通孔，這使對應製造的部件承載件的可靠性高。考慮到所描述的激光過孔的金屬填充層的形成，這種部件承載件甚至可以符合嚴格的可靠性要求。更具體地，通過控制用於形成導電填充結構(特別地為在通孔中大致水平延伸的銅結構)的橋鍍覆，可以得到顯著提高的可靠性能。描述性地說，通過控制通孔的角部的橋鍍覆厚度，可以提高可靠性能。雖然常規上用中間玻璃化轉變溫度/中間熱膨脹係數的材料經過10-20次的回流後就已出現故障，但根據本創作的示例實施方式，僅在用中間玻璃化轉變溫度/中間熱膨脹係數的材料進行30次回流後才出現故障。實驗表明，通過以至少8µm的控制極限控制從過孔壁和橋中心相交部到橋鍍覆層的表面的最小距離，可以得到這種提高的可靠性。因此，可以得到穩健可靠的通孔芯工藝。這種工藝完全可以適用於改良半加成處理(mSAP)工藝流。 下面將解釋部件承載件和方法的其他示例實施方式。 在一實施方式中，從第一相交點到第一分界表面的最短距離的長度特別地第一垂直線的長度為至少15µm。特別地，當所提及的最短距離具有的最小長度為15µm時，在電可靠性、機械可靠性和熱可靠性方面就已實現適合的結果。 在一實施方式中，從第一相交點到第一分界表面的最短距離的長度特別地第一垂直線的長度在20µm至40µm之間的範圍內，特別地在20µm至30µm之間的範圍內。已證明當在所提及的範圍內選擇第一垂直線的長度時會得到最佳結果。如果最短距離的長度太小，則可能出現可靠性問題。如果最短距離變得太大，則可能較難完全填充整個通孔——如果需要完全填充，和/或較難得到性質均勻的無空隙橋結構。 在一實施方式中，從第一相交點到第二分界表面的最短距離的長度特別地第二垂直線的長度為至少8µm，特別地至少15µm，更特別地在20µm至40µm之間的範圍內，優選地在20µm至30µm之間的範圍內。因此，為了進一步提高部件承載件的可靠性，已有利地證明相對的第二交點也要符合上述最小距離的設計原則。 在一實施方式中，第二相交點被限定為中心橋平面與電絕緣層結構界定通孔的側壁中的一個側壁之間的第二交點，其中，從第二相交點到第一分界表面的最短距離的長度特別地第三垂直線的長度為至少8µm，特別地至少15µm，更特別地在20µm至40µm之間的範圍內，優選地在20µm至30µm之間的範圍內。因此，可以與第一相交點的限定對應地限定第二相交點，如本文所述。當部件承載件的截面圖中與限定的第二相交點對應的第三垂直線/最短距離也滿足上述關於第一和/或第二垂直線/最短距離的設計原則時，部件承載件以及特別地導電填充的通孔的可靠性可以進一步提高。 在一實施方式中，從第二相交點到第二分界表面的最短距離的長度特別地第四垂直線的長度為至少8µm，特別地至少15µm，更特別地在20µm至40µm之間的範圍內，優選地在20µm至30µm之間的範圍內。如果第四垂直線或最短距離也符合上述設計原則，則甚至可以使得不太可能有可靠性問題。 在一實施方式中，通過將與中心橋平面與電絕緣層結構的周向側壁之間的相交部對應的所有相交點連接來限定周向相交線，其中，從周向相交線到第一分界表面的所有最短距離的長度特別地所有垂直線的長度為至少8µm，特別地至少15µm，更特別地在20µm至40µm之間的範圍內，優選地在20µm至30µm之間的範圍內。根據這種非常優選的實施方式，沿著通孔關於第一分界表面的整個周界遵循所述設計原則。描述性地講，中心橋平面沿著平面環形相交線與界定通孔的三維側壁表面相交。根據所述實施方式，該周向相交線上的每個獨立點相對於第一分界表面均滿足上述關於最小距離的設計原則。這可以確保在可靠性方面用導電材料填充的通孔中不會出現周向弱點。 在一實施方式中，從周向相交線到第二分界表面的所有最短距離的長度特別地所有垂直線的長度為至少8µm，特別地至少15µm，更特別地在20µm至40µm之間的範圍內，優選地在20µm至30µm之間的範圍內。仍然參照前述實施方式，因此整個周向相交線相對於第二分界表面也可以滿足上述設計原則。這在可靠性方面對應於最優選的實施方式。 在一實施方式中，電絕緣層結構的厚度小於100µm，特別地小於60µm，更特別地在30µm至60µm之間的範圍內。特別地，在相對薄的電絕緣層結構的情況下，即，厚度為100µm或以下，關於通孔的導電填充物的可靠性問題越來越成問題。然而，當預期上述最小距離設計原則時，證明即使對於這種薄芯，也可以得到部件承載件適當的可靠性。 在一實施方式中，電絕緣層結構是芯。這種芯可以大致上是完全固化的，即，可以包括基本上不能再交聯而是已經高度或完全交聯的樹脂。C階樹脂可以是100%交聯的聚合物鏈，也可以不是，但可以至少具有高度交聯的聚合物鍊網絡，使得最終產品不能再熱重組而且不溶。因此，在之後的層壓程序期間，這種材料不會再融或者可流動，在層壓程序中，可以在具有銅填充通孔的芯的頂表面和/或底表面上層壓一個或多個導電層結構和/或電絕緣層結構。例如，這種芯可以由FR4材料製成，即，包括增強顆粒諸如玻璃纖維或玻璃球的樹脂。 在一實施方式中，橋結構還覆蓋電絕緣層結構的界定通孔的側壁的至少一部分。在製造工藝期間，可以首先用導電材料優選地銅質的薄籽晶層覆蓋通孔的側壁。之後，可以通過鍍覆程序形成橋結構，例如通過電流鍍覆形成。在這種鍍覆程序期間，可以用較厚的導電材料層覆蓋側壁，然後用鍍覆材料在側壁之間形成連接，在許多情況下是在通孔的最窄部分處或附近形成連接。因此，可以得到具有水平橋部分的大致H形的橋結構。 因此，橋結構可以由被鍍覆層覆蓋的籽晶層構成。對應地，可以通過鍍覆特別是在形成籽晶層後進行鍍覆來形成導電橋結構。籽晶層優選地由銅製成，可以例如通過無電沉積形成。用薄層(例如厚度在0.1µm至1µm之間的範圍內，例如0.5µm)的導電材料諸如銅形成覆蓋側壁的這種籽晶層後，可以在該籽晶層上形成大量導電材料(優選地銅)，優選地通過鍍覆或電流沉積形成(例如，厚度在5µm至30µm之間的範圍內)。用導電材料填充通孔的這種程序經證明是特別高效的。 在一實施方式中，部件承載件包括填充第一分界表面與第一主表面之間的容積的至少一部分——即填充第一分界表面之上的窩部的至少一部分——的第一導電塊結構。在一實施方式中，部件承載件包括填充第二分界表面與第二主表面之間的至少一部分——即，填充第二分界表面之下的窩部的至少一部分——的第二導電塊結構。對應地，方法可以包括形成填充第一分界表面與第一主表面之間的至少一部分的第一導電塊結構和/或填充第二分界表面與第二主表面之間的至少一部分的第二導電塊結構。完成形成橋結構的鍍覆程序後，可以用另外的導電材料諸如銅部分地或整體地填充通孔內第一分界表面之上和/或第二分界表面之下的剩餘空白空間。這種填充物表示為第一導電塊結構和第二導電塊結構。優選地，可以在與形成橋結構的鍍覆程序分開的鍍覆程序中形成這種導電塊結構。部件承載件製造領域的技術人員知道，在所製造部件承載件的截面圖中可以看見橋結構和塊結構之間的過渡。因此，在部件承載件的截面圖中，可以在視覺上分開一方面的橋結構和另一方面的塊結構。 在一實施方式中，第一導電塊結構和第二導電塊結構中的至少一個是鍍覆結構。對應地，方法可以包括在先前形成橋結構的鍍覆程序後通過另外的鍍覆程序形成由第一導電塊結構和第二導電塊結構構成的組中的至少一個。還可以用一系列多個後續鍍覆結構製造塊結構中的相應塊結構。在部件承載件的截面圖中，一起形成相應塊結構的各個鍍覆層能目視檢查並可以在視覺上分開。 在一實施方式中，部件承載件包括在第一主表面上的(例如圖案化的)第一導電層結構(特別地為具有與延伸穿過電絕緣層結構的通孔的第一漸縮部分對齊的第一窗口的第一金屬箔)和/或在第二主表面上的(例如圖案化的)第二導電層結構(特別地為具有與延伸穿過電絕緣層結構的通孔的第二漸縮部分對齊的第二窗口的第二金屬箔)。因此，電絕緣層結構的兩個相反主表面中的每個均可以附接相應的導電層。優選地，導電層結構可以是銅箔。通過從電絕緣層結構的第一主表面進行的第一激光照射，可以在第一導電層結構中形成第一窗口。對應地，通過從電絕緣層結構的第二主表面進行的第二激光照射可以在第二導電層結構中形成第二窗口。 在另一實施方式中，方法包括在電絕緣層結構的主表面中的一個或兩個未用導電層結構覆蓋的情況下，在電絕緣層結構中形成通孔。在這種實施方式中(其中在電絕緣層結構的相反主表面中的一個或兩個上的導電層結構可以不是必須的)，通孔可以鑽削為直接通過僅電絕緣層結構。 在一實施方式中，通孔的至少一部分大致為X形。可以通過以僅一次激光照射從第一主表面進行第一激光鑽孔並以僅一次另外的激光照射從第二主表面進行第二激光鑽孔來形成具有這種形狀的通孔。因此，大致的X形可以是使用從前側進行的單次激光照射以及從後側進行的單次激光照射形成通孔的製造程序的印跡(fingerprint，指紋)。 在另一實施方式中，通孔的至少一部分在兩個相對的漸縮區段之間具有中心(例如大致柱形的)區段。具有這種形狀的激光通孔可以通過下述方式來形成，該方式即用(例如僅)一次激光照射從第一主表面進行第一激光鑽孔並用(特別地剛好)兩次激光照射從第二主表面進行第二激光鑽孔。對應形成的通孔可以包括連接第一漸縮部分和第二漸縮部分的中心連接部分，其中，橋結構可以至少部分地位於中心連接部分中。因此，通孔的形狀在通孔的處於上端和下端處的兩個相對的漸縮部分之間可以具有例如直的或大致直的中心連接部分。然後可以在該中心連接部分中形成這樣的橋結構。通過結合從第一上主表面進行的單次激光照射與從第二主表面進行的兩次後續激光照射可以得到這種幾何結構。 在一實施方式中，橋結構的最窄豎向厚度為至少20µm。驚人地發現如果連接電絕緣層結構界定通孔的相對側壁的橋結構的最窄豎向厚度為20µm或以上時，則不再出現可靠性問題，即使是在厚度不超過200µm的薄電絕緣層結構中形成通孔的情況下。因此，所提及的設計原則顯著提高了薄芯中銅填充的激光過孔的可靠性。 在一實施方式中，通孔的最窄水平寬度不小於30µm，特別地不小於45µm。驚人地發現通孔的最小水平寬度對於得到具有至少部分地用導電填充介質填充的通孔的部件承載件的適當可靠性也是重要的設計參數。此外，特別是對於厚度不超過200µm的薄芯，使通孔的最窄部分(且因此橋結構存在於通孔的該最窄部分中的最窄寬度)保持在30µm或以上優選地保持在45µm或以上對可靠性可能有進一步的積極影響。這樣就可以保證甚至可以完全填充通孔的該最窄部分。這對於所製造的部件承載件的電可靠性以及機械可靠性均有積極的影響。按照上述設計原則，可以顯著降低裂縫的風險。 在一實施方式中，通孔的最窄水平寬度不超過100µm，特別地不超過75µm。還發現，對於厚度不超過200µm的薄電絕緣層結構，通孔的最窄水平寬度以及對應地通常在通孔的最窄部分處填充通孔的橋結構的最窄水平寬度不應超過100µm。甚至更優選的是通孔的最窄水平寬度的上限為75µm。發現當明顯超過所提及的值時，在鍍覆程序期間可能妨礙橋的形成。 優選地，通孔的最窄直徑在55µm至70µm之間的範圍內。驚人地發現，即使在非常薄的芯的情況下，通孔在55µm至70µm之間的範圍內的最窄寬度也在可靠性方面提供非常有利的性質。首先，對應部件承載件的通孔的導電填充物中形成不期望裂縫的風險非常低，其至少部分金屬填充的通過確保了機械完整性和可靠的導電連接。其次，所提及的參數選擇極大地抑制至少部分填充通孔的填充介質的內部中不期望孔隙的形成。通過銅填充的激光過孔，這對傳輸電信號和/或電力的可靠性也有積極影響。再次，當顯著的溫度變化/熱循環對部件承載件造成影響時，這種銅填充的過孔也不容易出現機械故障。因此，通過所述的參數組合，部件承載件可以有利地得到高電可靠性、高機械可靠性和高熱可靠性。 在一實施方案中，部件承載件包括由至少一個電絕緣層結構和至少一個導電層結構的堆疊體。例如，部件承載件可以是所提及電絕緣層結構和導電層結構的層壓體，特別地通過施加機械壓力和/或熱能形成。所提及的堆疊體可以提供能夠為另外的部件提供大安裝表面但仍然非常薄且緊湊的板狀部件承載件。術語“層結構”可以特別地指公共平面內的連續層、圖案化層或多個非連續島狀物。 在一實施方式中，部件承載件被成形為板。這有助於緊湊設計，不過其中部件承載件提供用於在其上安裝部件的大基底。此外，特別是作為嵌入式電子部件的示例的裸晶片得益於厚度小可以方便地嵌入到薄板諸如印刷電路板中。 在一實施方式中，部件承載件被構造成由印刷電路板、基板(特別地IC基板)和內插物構成的組中的一個。 在本申請的上下文中，術語“印刷電路板(PCB)”可以特別地指板狀部件承載件，其通過將若干導電層結構與若干電絕緣層結構進行層壓——例如通過施加壓力和/或通過供應熱能——而形成。作為用於PCB技術的優選材料，導電層結構由銅製成，而電絕緣層結構可以包括樹脂和/或玻璃纖維，所謂的預浸料或FR4材料。可以形成通過層壓體的通孔——例如通過激光鑽孔或機械鑽孔形成——並用導電材料(特別是銅)填充通孔，從而形成作為通孔連接件的過孔，使各個導電層結構以期望的方式彼此連接。除了可以嵌入印刷電路板的一個或多個部件，印刷電路板通常被構造成在板狀印刷電路板的一個表面或兩個相反表面上容納一個或多個部件。部件可以通過焊接連接至相應的主表面。PCB的介電部分可以由具有增強纖維(諸如玻璃纖維)的樹脂構成。 在本申請的上下文中，術語“基板”可以特別地指與待安裝在其上的部件(特別地電子部件)具有大致相同的大小的小型部件承載件。更具體地，基板可以理解為用於電連接件或電網絡以及與印刷電路板(PCB)相當的部件承載件，但橫向和/或豎向佈置的連接件的密度高得多的承載件。橫向連接件例如為導電路徑，而豎向連接件可以為例如鑽孔。這些橫向和/或豎向連接件佈置在基板內，並可以用於提供容置部件或未容置部件(諸如裸晶片)特別地IC芯片與印刷電路板或中間印刷電路板的電連接和/或機械連接。因此，術語“基板”還包括“IC基板”。基板的介電部分可以包括具有增強顆粒(諸如增強球體，特別地玻璃球)的樹脂。 基板或內插物可以包括下述或由下述構成：至少玻璃層；矽(Si)；或光可成像或可干法蝕刻的有機材料如環氧基積層材料(諸如，環氧基積層膜)，或高分子化合物如聚酰亞胺、聚苯並噁唑或苯並環丁烯，或由其組成。 在一實施方式中，該至少一個電絕緣層結構包含由下述構成的組中的至少一種：樹脂(諸如增強或非增強樹脂，例如環氧樹脂或雙馬來酰亞胺三嗪樹脂)、氰酸酯、聚亞苯基衍生物、玻璃(特別地玻璃纖維、多層玻璃、玻璃類材料)、預浸材料(諸如FR-4或FR-5)、聚酰亞胺、聚酰胺、液晶聚合物(LCP)、環氧基積層膜、聚四氟乙烯(Teflon)、陶瓷和金屬氧化物。也可以使用增強材料，諸如幅材、纖維或球體，例如由玻璃製成(多層玻璃)。雖然對於剛性PCB通常優選的是預浸料，特別是FR4，但基板也可以使用其他材料，特別是環氧基積層膜。對於高頻率應用，可以在部件承載件中實施高頻率材料諸如聚四氟乙烯、液晶聚合物和/或氰酸酯樹脂、低溫共燒陶瓷(LTCC)或其他低、非常低或超低DK材料作為電絕緣層結構。 在一實施方式中，導電層結構中的至少一個包括由下述構成的組中的至少一種：銅、鋁、鎳、銀、金、鈀和鎢。雖然通常優選的是銅，但其他材料或其塗覆形式也是可以的，特別是塗覆有超導材料諸如石墨烯。 部件承載件上可以表面安裝和/或嵌入至少一個部件，並且該至少一個部件可以特別地選自由下述構成的組：不導電嵌體、導電嵌體(諸如金屬嵌體，優選地包括銅或鋁)、熱傳遞單元(例如熱管)、光導元件(例如光波導或光導管連接件)、電子部件或它們的組合。例如，部件可以是有源電子部件、無源電子部件、電子芯片、存儲裝置(例如DRAM或另一數據存儲器)、過濾器、集成電路、信號處理部件、功率管理部件、光電子接口元件、發光二極管、光電耦合器、電壓轉換器(例如DC/DC轉換器或AC/DC轉換器)、加密部件、發射器和/或接收器、機電換能器、傳感器、致動器、微機電系統(MEMS)、微處理器、電容器、電阻器、電感、電池、開關、攝像機、天線、邏輯芯片和能量採集單元。然而，可以在部件承載件中嵌入其他部件。例如，可以將磁性元件用作部件。這種磁性元件可以是永磁元件(諸如鐵磁元件、反鐵磁元件、多鐵元件或鐵淦氧磁元件例如鐵氧體芯)或者可以是順磁性元件。然而，部件還可以是基板、內插物或另外的部件承載件，例如處於板中板構造的部件承載件。部件可以表面安裝在部件承載件上以及/或者可以嵌入其內部。此外，其他部件特別是生成並發出電磁輻射和/或對於從環境傳播的電磁輻射敏感的那些部件也可以用作部件。 在一實施方式中，部件承載件是層壓型部件承載件。在這種實施方式中，部件承載件為通過施加壓緊力和/或熱堆疊並連接在一起的多層結構的複合體。 根據下文描述的實施方式的實施例，本創作的上述方面和其他方面是明顯的，並且參考這些實施方式的實施例對這些方面進行解釋。
附圖中的圖示是示意性的。在不同的附圖中，類似或相同的元件設置有相同的附圖標記。 圖1至圖6示出了在根據本創作的示例實施方式的方法期間得到的結構的截面圖，該方法通過從相反側進行多次激光照射處理並且然後通過用由多次填充程序形成的導電填充介質填充通孔108來製造圖6中所示的具有通孔108的部件承載件100。 參照圖1，通過進行第一激光照射115形成通孔108的在電絕緣層結構102的第一主表面104與第二主表面106之間延伸的第一部分。可以通過適合的激光源進行，例如通過準分子激光和/或二氧化碳激光進行如參照圖1至圖3描述的激光處理。在所示實施方式中，電絕緣層結構102可以包括樹脂(特別地環氧樹脂)，樹脂可選地包括增強顆粒，諸如玻璃纖維或玻璃球。電絕緣層結構102的豎向厚度D可以例如不超過100µm，特別地在40µm至60µm之間的範圍內。 通過在電絕緣層結構102的上主表面104中進行第一激光照射115形成盲孔113。隨後盲孔113構成根據圖2或圖3完成的通孔108的第一漸縮部分114。第一激光照射115還形成延伸穿過電絕緣層結構102的第一主表面104上的第一導電層結構152的窗口或通孔，該第一導電層結構可以例如是金屬層，諸如銅箔。第一導電層結構152具有的厚度d1可以小於5µm，特別地在2µm至3µm之間的範圍內。 在選擇第一激光照射115的激光能量和持續時間方面要注意，第一激光照射115不會到達電絕緣層結構102的第二主表面106上的第二導電層結構154，因為激光從第二導電層結構154反射可能會造成所形成通孔108的形狀不理想。第二導電層結構154可以例如是金屬層，諸如銅箔，並具有的厚度d2可以小於5µm，特別地在2µm至3µm之間的範圍內。 參照圖2，在如參照圖1描述的利用一次激光照射115從第一主表面104進行第一激光鑽孔後，通過利用一次另外的激光照射117從第二主表面106進行第二激光鑽孔，即通過總共兩次激光照射115、117，來繼續形成通孔108的過程。因此，所示通孔108形成有第一漸縮部分114和第二漸縮部分116，該第一漸縮部分從第一主表面104延伸並且由第一激光照射115形成，該第二漸縮部分從第二主表面106延伸並且由第二激光照射117形成。 如從圖2可以看出的，在第一激光照射115之後並且從後側進行第二激光照射117，即，形成通過第二導電層結構154的通孔，並使先前形成的盲孔113延伸成延伸穿過電絕緣層結構102的整個厚度的通孔108。在第一激光照射115後且在第二激光照射117前，可以將圖1中所示結構翻轉或轉動180°，使得激光源(未示出)可以保持不動。 在一個實施方式中，如圖2中所示的具有大致X形的所得通孔108可以經受用導電材料諸如銅填充通孔108的程序。因此，下文參照圖4至圖6所示出和描述的程序也可以在如圖2中所示的具有大致X形的通孔108的基礎上開始。可替代地，可以在用導電材料填充通孔108之前進行另一次激光照射119，如將參照圖3描述的。 參照圖3的替代方案，形成通孔108除了利用一次激光照射115從第一主表面104進行第一激光鑽孔以及利用第二激光照射117從第二主表面106進行第二激光鑽孔以外，還包括利用第三激光照射119從後側進行第三激光鑽孔。圖3示出了在參照圖2描述的程序之後如何從電絕緣層結構102的後側或第二主表面106進行第三激光照射119。通過採取這種措施，可以進一步控制通孔108的形狀，使得通孔108的最窄部分在空間上加寬，並在漸縮部分114、116之間形成例如大致圓柱形的中心連接部分134。 為了得到圖4中所示的層結構，根據圖3的通孔108經受利用導電填充介質諸如銅填充該通孔的第一程序。為了完成這一點，優選的是首先進行無電沉積程序，從而形成直接覆蓋電絕緣層結構102的界定通孔108的側壁112的銅製的薄籽晶層144。這可以在圖4的細節圖121中看見。籽晶層144的厚度可以例如為0.5µm。然而，還可能的是籽晶層144具有1µm以上的厚度和/或設置了若干累積籽晶層。例如，籽晶層144的厚度或多個籽晶層的累積厚度可以在0.5µm至5µm之間的範圍內。當設置多個籽晶層時，其可以包括有機(例如聚合物)層、鈀層和/或銅層。 隨後，可以通過鍍覆程序特別地通過電流鍍覆在籽晶層144上沉積另外的導電材料(諸如銅)。因此，利用由導電填充介質諸如銅製成的較厚鍍覆層146覆蓋側壁112和導電層結構152、154。例如，鍍覆層146可以具有10µm的厚度。 參照圖5，繼續參照圖4描述的鍍覆程序，以便形成具有大致水平部分的導電橋結構110，該水平部分連接通孔108的相對側壁112。如所示出的，導電橋結構110形成為由向上定向或面朝第一主表面104的上部第一分界表面118以及由向下定向或面朝第二主表面106的下部第二分界表面120界定。可以通過電流鍍覆形成導電橋結構110，優選地在參照圖4描述的形成籽晶層144之後形成。因此，橋結構110由被鍍覆層146覆蓋的籽晶層144構成，並在電絕緣層結構102的界定通孔108的相對側壁112之間形成大致水平的橋。 虛擬的中心橋平面122被限定為平行於第一主表面104並平行於第二主表面106延伸並且在與第一分界表面118的最低點126與第二分界表面120的最高點128之間的豎向中心124或中點的高度處。此外，虛擬的第一相交點130被限定為中心橋平面122與電絕緣層結構102的側壁112中的一個側壁之間的第一相交部。根據得到高度可靠的部件承載件100的非常有利的設計原則，導電橋結構110形成為使得從第一相交點130到第一分界表面118的最短距離或第一垂直線132的長度l1為至少8µm，優選地至少15µm。 因此，圖5示出了在繼續參照圖4描述的鍍覆程序時得到的層結構。在通孔108的最窄部分的區域中，形成連接相對側壁112的大致水平的橋結構110。橋結構110的凹形上限製表面對應於第一分界表面118，而下凹形限製表面對應於第二分界表面120。在第一分界表面118的底端與第二分界表面120的頂端之間的豎向中間位置處，得到作為虛擬平面的中心橋平面122，該虛擬平面平行於第一主表面104和第二主表面106，使得所提到的所有三個平面均按照圖5的紙面水平地延伸，即，垂直於待製造的部件承載件100的層結構102、152、154的堆疊方向延伸。 當虛擬的中心橋平面122與限定界定通孔108的側壁112的三維區域相交時，形成周向相交線。圖5中用附圖標記130表示中心橋平面122與側壁112之間的一個相交點。當將相交點130與第一分界表面118虛擬連接使得對應連線——參見垂直線132——垂直於曲線形的第一分界表面118的切線(特別是切面)時，得到設計參數l1。如下文參照圖7和圖8中的另外的細節描述的，最小距離l1應至少為8µm，優選地至少15µm，以得到製造好的部件承載件100非常良好的可靠性結果。 雖然圖5中未示出，但在進行鍍覆工藝時，通孔108的幾何結構可以在下述豎向水平處形成橫向連接電絕緣層結構102的界定通孔108的相對側壁112的橋結構110，在該豎向水平處到第一主表面104的距離與到第二主表面106的距離不同。這可以促進形成位於通孔108的豎向中心以外的自由懸掛的不對稱橋結構110。 參照圖6，形成了填充第一分界表面118與第一主表面104之間的主要部分的第一導電塊結構148以及填充第二分界表面120與第二主表面106之間的主要部分的第二導電塊結構150。這可以在先前形成橋結構110的鍍覆程序之後進行一次或多次另外的電流鍍覆程序來完成。 因此，通過進行一次或多次另外的鍍覆程序可以得到根據圖6的部件承載件100。從而可以得到塊結構148、150，該塊結構可以例如由銅構成。在所示實施方式中，在所示部件承載件100的上側或下側分別留下小的下沉部125、127。在其他實施方式中，塊結構148、150幾乎完全填充第一分界表面118之上以及第二分界表面120之下留下的凹部。應該說技術人員熟知當對部件承載件100的截面進行成像時可以清楚地看見分界表面118、120。 圖7示出了根據本創作的示例實施方式的具有通孔108的部件承載件100的示意截面圖。根據圖7，通孔108大致為X形。例如，參照部件承載件100或其預成型件的截面圖，可以通過與頂點在通孔108的中心部分面向彼此的兩個在豎向上相對的弓部對應的側壁線來限定這種大致的X形。因此，通孔108的形狀還可以表示為豎向蝴蝶結或鏡像截錐結構的形狀。圖8示出了根據本創作的示例實施方式的具有通孔108的部件承載件100的實際截面圖。根據圖8，通孔108的兩個相反外部部分是漸縮的，而通孔180的中心部分大致為柱形。 在所示實施方式中，所示部件承載件100可以是層壓型板狀部件承載件100，諸如印刷電路板(PCB)。部件承載件100可以包括由中心電絕緣層結構102構成的層堆疊體，該中心電絕緣層結構在其相反主表面104、106的每個上被兩個導電層結構152、154中相應的一個導電層結構覆蓋。優選地，電絕緣層結構102由完全固化的材料諸如FR4製成。導電層結構152、154可以是圖案化的銅箔。 在第一主表面104與第二主表面106之間延伸穿過電絕緣層結構102的通孔108在其中心部分中用導電填充介質諸如銅填充。該導電填充介質構成連接通孔108的相對側壁112的導電橋結構110。在圖8的構造中，通孔108包括連接第一漸縮部分114與第二漸縮部分116的中心連接部分134，並且橋結構110的水平區段位於中心連接部分134(關於附圖標記，對照圖3)中。在圖7的構造中，橋結構110的水平區段位於大致X形的通孔108的最窄部分周圍。除了其大致水平的區段，橋結構110還覆蓋側壁112，且因此具有大致的H形，在圖7和圖8中均是如此。 如上所述，導電橋結構110在上側由面朝第一主表面104的第一分界表面118界定，且在下側由面朝第二主表面106的第二分界表面120界定。虛擬的中心橋平面122被限定為平行於第一主表面104和第二主表面106延伸，並且在第一分界表面118的最低點126與第二分界表面120的最高點128之間的豎向中心124處。最低點126與豎向中心124之間的豎向距離等於最高點128與豎向中心124之間的豎向距離。虛擬的第一相交點130被限定為中心橋平面122與電絕緣層結構102在圖7和圖8的左手側的側壁112之間的第一相交部。 有利地，從第一相交點130到第一分界表面118的最短距離或第一垂直線132的長度l1為至少8µm，優選地至少15µm，且最優選地長度l1在20µm至30µm之間的範圍內，以在部件承載件100的電可靠性方面得到非常良好的結果。對應地，從第一相交點130到第二分界表面120的最短距離或第二垂直線136的長度l2為至少8µm，優選地至少15µm，且最優選地在20µm至30µm之間。 相應地，虛擬的第二相交點138被限定為中心橋平面122與電絕緣層結構102在圖8的右手側的側壁112之間的第二相交部。從第二相交點138到第一分界表面118的最短距離或第三垂直線140的長度l3為至少8µm，優選地至少15µm，且最優選地在20µm至30µm之間。對應地，從第二相交點138到第二分界表面120的最短距離或第四垂直線142的長度l4為至少8µm，優選地至少15µm，且最優選地在20µm至30µm之間。 在垂直於圖7和圖8的紙面的虛擬中心橋平面122中，通過將和中心橋平面122與電絕緣層結構102的周向側壁112之間的相交部對應的所有相交點(130、138等)連接來限定虛擬的周向相交線(未示出)。當從周向相交線到第一分界表面118的所有最短距離或垂直線的長度為至少8µm、優選地至少15µm且最優選地在20µm至30µm之間時，在部件承載件100的電可靠性方面可以得到特別滿意的結果。對應地，從周向相交線到第二分界表面120的所有最短距離或所有垂直線的長度可以至少為8µm，優選地至少15µm，最優選地在20µm至30µm之間，以在可靠性方面得到特別顯著的優勢。 如上所述，電絕緣層結構102的厚度D優選地小於100µm，使得電絕緣層結構102形成非常薄的完全固化的芯。 第一導電塊結構148填充第一分界表面118與第一主表面104之間的主要部分。第二導電塊結構150填充第二分界表面120與第二主表面106之間的主要部分，其中，可以留下小的下沉部125、127。第一導電塊結構148和第二導電塊結構150二者均可以通過進行一次或多次電流鍍覆程序來形成，電流鍍覆程序可以在用於形成橋結構110的鍍覆程序之後單獨進行。 圖8中的細節圖135示意地示出瞭如何可以構建第一垂直線132，以便限定關於提高部件承載件100的可靠性所描述的設計原則。尋找相交點130與第一分界表面118之間的最短連接，並且發現最短連接是相交點130與第一分界表面118之間垂直於(見細節圖135中的直角)第一分界表面118的連線。換言之，因此可以構建第一分界表面118的切線133(見相交點137處的輔助圓131)。當長度l1大於8µm時滿足該設計原則。 為了得到圖8中所示的部件承載件100的適當可靠性，還可以遵循下述設計原則中的一個或多個：橋結構110的最小豎向厚度B可以為至少20µm。相對側壁112之間的最小水平距離C可以在55µm至70µm之間的範圍內。第一導電層結構152中的窗口的水平尺寸E1可以在65µm至80µm之間的範圍內。對應地，第二導電層結構154中的窗口的水平尺寸E2也可以在65µm至80µm之間的範圍內。第一導電層結構152與圖8的左手側的側壁112之間的橫向懸伸部(overhang，懸伸、懸伸長度)F1可以在10µm至15µm之間的範圍內。第一導電層結構152與圖8的右手側的側壁112之間的橫向懸伸部G1可以在10µm至15µm之間的範圍內。第二導電層結構154與圖8的左手側的側壁112之間的橫向懸伸部F2可以在10µm至15µm之間的範圍內。第二導電層結構154與圖8的右手側的側壁112之間的橫向懸伸部G2可以在10µm至15µm之間的範圍內。此外，當滿足F1≠F2和/或G1≠G2的條件時，在可靠性方面可以得到特別良好的結果。此外，經證明，當第一導電層結構152中的窗口的中心與第二導電層結構154中的窗口的中心之間的橫向偏移不大於20µm時，有利於得到良好的可靠性。 關於可以局部未被支撐的懸伸材料的上述懸伸部F1、F2、G1、G2，應該說相應的懸伸部可以與相應的導電層結構152、154之下大致無樹脂的區域相關。然而，本領域技術人員將理解，與懸伸部相關的間隙內甚至可能存在一些殘留樹脂。為了定量地確定或測量懸伸部的值，可以測量在懸伸導電層結構152、154正下方的大致不含樹脂(其中，樹脂可以指電絕緣層結構102)的底切的長度(特別地，即使其不是懸伸導電層結構152、154例如銅層之下的最回縮點或總離隙(relief，缺口))。換言之，為了測量懸伸部，可以測量在導電層結構102正下方的底切。 圖9示出了按照根據本創作的示例實施方式的製造方法製造的部件承載件100的預成型件的截面圖。更具體地，圖9示出了根據本創作的示例實施方式的當前製造的部件承載件100的一系列截面圖，示出了符合設計原則的橋結構110的連續形成。 圖2A示出了根據的部件承載件100的預成型件的截面圖，該另一示例實施方式與圖2相關但不同之處在於，在形成通孔108時，電絕緣層結構102的相反主表面104、106上未設置導電層結構152、154。 圖1至圖6的實施方式與圖2A的實施方式之間的主要區別在於，根據圖2A，在形成通孔108時，電絕緣層結構102的主表面104、106未被導電層結構152、154覆蓋。因此，與圖2A的實施方式相關的製造方法包括：在電絕緣層結構102的主表面104、106未被導電層結構152、154諸如銅箔覆蓋的情況下在電絕緣層結構102中形成通孔108。 關於後續用導電填充介質填充通孔108並覆蓋主表面104、106，這可以通過下述進行：形成可選的籽晶層144；之後可選地形成覆蓋主表面104、106和通孔108的側壁112的至少一部分的鍍覆層(未示出)；之後形成橋結構110，該橋結構橋接相對側壁112並具有例如大致的H形；並用一個或多個塊結構148、150(其可以是另外的鍍覆結構或一系列鍍覆結構)可選地填充橋結構110之上和/或之下的一個或兩個容積。參照圖4至圖8對應的描述。 除了這一差異，上文關於圖1至圖6的公開也適用於圖2A。根據圖3的通孔的形成也可以在電絕緣層結構102上沒有銅箔的情況下進行。 應注意的是，術語“包括(comprising)”不排除其他元素或步驟，“一(a)”或“一(an)”不排除複數。另外，可以組合與不同實施方式相關的元件。 還應注意的是，申請專利範圍中的附圖標記不應理解為限制申請專利範圍的範圍。 本創作的實施不限於附圖中的和上述的優選實施方式。相反，可以有使用根據本創作的所示方案和原理的多種變型，即使是在基礎不同的實施方式的情況下。
100:部件承載件 102:電絕緣層結構 104:第一主表面 106:第二主表面 108:通孔 110:導電橋結構 112:側壁 113:盲孔 114:第一漸縮部分 115:激光照射 116:第二漸縮部分 117:激光照射 118:第一分界表面 119:激光照射 120:第二分界表面 122:中心橋平面 124:豎向中心 125:下沉部 126:最低點 127:下沉部 128:最高點 130:第一相交點 131:輔助圓 132:第一垂直線 133:切線 134:中心區段 135:細節圖 136:第二垂直線 138:第二相交點 140:第三垂直線 142:第四垂直線 144:籽晶層 146:鍍覆層 148:塊結構 150:塊結構 152:第一導電層結構 154:第二導電層結構 B:最窄豎向厚度 D:豎向厚度 E1:窗口的水平尺寸 E2:窗口的水平尺寸
[圖1]至[圖6]示出了在根據本創作的示例實施方式的方法期間得到的結構的截面圖，該方法通過從相反側進行多次激光照射處理並且然後用導電填充介質至少部分地填充通孔來製造具有通孔的部件承載件。 [圖2A]示出了根據另一示例實施方式的部件承載件的預成型件的截面圖，該另一示例實施方式與圖2相關但不同之處在於，在形成通孔時，在電絕緣層結構的相反主表面上未設置導電層結構。 [圖7]示出了根據本創作的示例實施方式的具有通孔的部件承載件的示意截面圖。 [圖8]示出了根據本創作的示例實施方式的具有通孔的部件承載件的實際截面圖的示例。 [圖9]示出了按照根據本創作的示例實施方式的製造方法製造的部件承載件的預成型件的截面圖。
102:電絕緣層結構
104:第一主表面
106:第二主表面
113:盲孔
114:第一漸縮部分
115:激光照射
152:第一導電層結構
154:第二導電層結構

Claims (25)

  1. 一種部件承載件(100)，所述部件承載件(100)包括： 電絕緣層結構(102)，所述電絕緣層結構具有第一主表面(104)和第二主表面(106)； 通孔(108)，特別地為激光通孔(108)，所述通孔延伸穿過所述電絕緣層結構(102)處於所述第一主表面(104)和所述第二主表面(106)之間； 導電橋結構(110)，所述導電橋結構連接界定所述通孔(108)的相對側壁(112)； 其中，所述通孔(108)具有從所述第一主表面(104)延伸的第一漸縮部分(114)以及從所述第二主表面(106)延伸的第二漸縮部分(116 )； 其中，所述導電橋結構(110)由面朝所述第一主表面(104)的第一分界表面(118)以及面朝所述第二主表面(106)的第二分界表面(120)界定； 其中，中心橋平面(122)被限定成平行於所述第一主表面(104)和所述第二主表面(106)延伸，並且在所述第一分界表面(118)的最低點(126 )與所述第二分界表面(120)的最高點(128)之間的豎向中心(124)處； 其中，第一相交點(130)被限定為所述中心橋平面(122)與界定所述通孔(108)的所述側壁(112)中的一個側壁之間的第一相交部； 其中，從所述第一相交點(130)到所述第一分界表面(118)的最短距離的長度(l1)特別是第一垂直線(132)的長度(l1)為至少8µm。
  2. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，從所述第一相交點(130)到所述第一分界表面(118)的所述最短距離的長度(l1)特別是所述第一垂直線(132)的長度(l1)為至少15µm。
  3. 根據請求項1或2所述的部件承載件(100)，其中，從所述第一相交點(130)到所述第一分界表面(118)的所述最短距離的長度(l1)特別是所述第一垂直線(132)的長度(l1)在20µm至40µm之間的範圍內，特別地在20µm至30µm之間的範圍內。
  4. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，從所述第一相交點(130)到所述第二分界表面(120)的最短距離的長度( l2)特別是第二垂直線(136)的長度(l2)為至少8µm，特別地至少15µm，更特別地在20µm至40µm之間的範圍內，優選地在20µm至30µm之間的範圍內。
  5. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，第二相交點(138)被限定為所述中心橋平面(122)與界定所述通孔(108 )的所述側壁(112)中的另一個側壁之間的第二相交部，其中，從所述第二相交點(138)到所述第一分界表面(118)的最短距離的長度(l3)特別是第三垂直線(140)的長度(l3)為至少8µm，特別地至少15µm，更特別地在20µm至40µm之間的範圍內，優選地在20µm至30µm之間的範圍內。
  6. 根據請求項5所述的部件承載件(100)，其中，從所述第二相交點(138)到所述第二分界表面(120)的最短距離的長度(l4)特別是第四垂直線(142)的長度(l4)為至少8µm，特別地至少15µm，更特別地在20µm至40µm之間的範圍內，優選地在20µm至30µm之間的範圍內。
  7. 根據請求項1所述的部件承載件(100)， 其中，通過將和所述中心橋平面(122)與界定所述通孔(108)的周向側壁(112)之間的相交部對應的所有相交點(130、138…...)連接來限定周向相交線； 其中，從所述周向相交線到所述第一分界表面(118)的所有最短距離的長度(l1、l3…...)特別是所有垂直線的長度(l1、l3…...)為至少8µm，特別地至少15µm，更特別地在20µm至40µm之間的範圍內，優選地在20µm至30µm之間的範圍內。
  8. 根據請求項7所述的部件承載件(100)，其中，從所述周向相交線到所述第二分界表面(120)的所有最短距離的長度(l2、l4…...)特別是所有垂直線的長度(l2、l4…...)為至少8µm，特別地至少15µm，更特別地在20µm至40µm之間的範圍內，優選地20µm至30µm之間的範圍內。
  9. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述電絕緣層結構(102)的厚度(D)小於100µm，特別地小於60µm，更特別地在30µm至60µm之間的範圍內。
  10. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述電絕緣層結構(102)為芯，特別地為完全固化的芯。
  11. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述橋結構(110)還覆蓋所述側壁(112)的至少一部分。
  12. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述橋結構(110)由用鍍覆層(146)覆蓋的籽晶層(144)構成。
  13. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，包括填充所述第一分界表面(118)與所述第一主表面(104)之間的容積的至少一部分的第一導電塊體結構(148)。
  14. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，包括填充所述第二分界表面(120)與所述第二主表面(106)之間的容積的至少一部分的第二導電塊結構(150)。
  15. 根據請求項13或14所述的部件承載件(100)，其中，所述第一導電塊結構(148)和所述第二導電塊結構(150)中的至少一個為鍍覆結構。
  16. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，包括在所述第一主表面(104)上的圖案化的第一導電層結構(152)和/或在所述第二主表面(106)上的圖案化的第二導電層結構(154)。
  17. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述通孔(108)的至少一部分為大致X形。
  18. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述通孔(108)的至少一部分具有在兩個相對的漸縮區段(114、116)之間的中心區段(134)，特別是大致柱形的中心區段。
  19. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述第一分界表面(118)和所述第二分界表面(120)中的至少一個具有凹形形狀。
  20. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述橋結構(110)的截面為大致H形。
  21. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述橋結構(110)的最窄豎向厚度(B)為至少20µm。
  22. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述通孔(108)的最窄水平寬度不超過100µm，特別地不超過75µm。
  23. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述通孔(108)的最窄水平寬度不低於30µm，特別地不低於45µm。
  24. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，其中，所述通孔(108)的最窄直徑在55µm至70µm之間的範圍內。
  25. 根據請求項1所述的部件承載件(100)，包括下述特徵中至少之一： 所述部件承載件(100)包括嵌入所述部件承載件(100)中的至少一個部件，其中，所述至少一個部件特別地選自由下述構成的組：電子部件、不導電和/或導電嵌體、熱傳遞單元、光導元件、能量收集單元、有源電子部件、無源電子部件、電子芯片、存儲裝置、濾波器、集成電路、信號處理部件、功率管理部件、光電接口元件、電壓轉換器、加密部件、發射器和/或接收器、機電換能器、致動器、微機電系統、微處理器、電容器、電阻器、電感、蓄電池、開關、相機、天線、磁性元件、另外的部件承載件和邏輯芯片； 其中，所述部件承載件(100)的至少一個導電層結構(152、154)包括由下述構成的組中的至少一種：銅、鋁、鎳、銀、金、鈀和鎢，所提及材料中的任何一種均可選地塗覆有超導材料諸如石墨烯； 其中，所述電絕緣層結構(102)包括由下述構成的組中的至少一種：樹脂，特別是增強或非增強樹脂，例如環氧樹脂或雙馬來酰亞胺-三嗪樹脂、 FR-4、FR-5；氰酸酯；聚亞苯基衍生物；玻璃；預浸材料；聚酰亞胺；聚酰胺；液晶聚合物；環氧基積層材料；聚四氟乙烯；陶瓷以及金屬氧化物； 其中，所述部件承載件(100)被成型為板； 其中，所述部件承載件(100)被構造為由印刷電路板和基板構成的組中的一種； 其中，所述部件承載件(100)被構造為層壓型部件承載件(100)。
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