TWI511635B - 印刷佈線板 - Google Patents

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TWI511635B
TWI511635B TW102124408A TW102124408A TWI511635B TW I511635 B TWI511635 B TW I511635B TW 102124408 A TW102124408 A TW 102124408A TW 102124408 A TW102124408 A TW 102124408A TW I511635 B TWI511635 B TW I511635B
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Takashi Kariya
Toshiki Furutani
Takeshi Furusawa
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Ibiden Co Ltd
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Description

印刷佈線板 相關申請的交叉引用
本申請案係基於2012年7月10日申請之美國申請案第61/669,874號且主張其優先權，該案之全部內容以引用的方式併入本文。
本發明係關於一種印刷佈線板，其具有核心基板、在核心基板上之積累層以及在積累層上之阻焊層。
日本特許公開專利公開案第2002-198650號描述了一種多層佈線板，其具有基板主體以及在基板主體上之積累層。在日本特許公開專利公開案第2002-198650號中，基板主體之厚度經設定為小於500μm以減少迴路電感。該公開案之全部內容以引用的方式併入本文中。
根據本發明之一個態樣，一種印刷佈線板包括：核心基板；積累結構，其包括形成於核心基板之第一表面上之第一積累結構及形成於核心基板之第二表面上之第二積累結構，該第二表面相對於核心基板之第一表面在核心基板之第一表面之對置側上；以及阻焊層，其包括形成於第一積累結構上之第一阻焊層及形成於第二積累結構上之第二阻焊層。核心基板包括絕緣基板、形成於絕緣基板之第一表面上之第一導電層、形成於絕緣基板之第二表面上之第二導電層以及穿過絕緣基板且連接第一導電層與第二導電層的通孔導體，第一積累結構包 括層間樹脂絕緣層及形成於第一積累結構中之層間樹脂絕緣層上之導電層，第二積累結構包括層間樹脂絕緣層及形成於第二積累結構中之層間樹脂絕緣層上之導電層，第一阻焊層之外表面與第二阻焊層之外表面之間的厚度經設定為在150μm或150μm以上且小於380μm之範圍內，且核心基板、第一積累結構、第二積累結構、第一阻焊層及第二阻焊層中之至少一者包括補強材料，該補強材料之量使得印刷佈線板包括其量處於20體積百分比至35體積百分比之範圍內的補強材料。
20‧‧‧絕緣基板
20A‧‧‧雙面敷銅疊層
21‧‧‧金屬箔
22‧‧‧無電極電鍍膜
28‧‧‧穿透孔
28a‧‧‧第一開口
28b‧‧‧第二開口
30‧‧‧核心基板
32‧‧‧電解電鍍膜
33‧‧‧覆蓋膜
34A‧‧‧第一導電層
34B‧‧‧第二導電層
36‧‧‧通孔導體
36R‧‧‧連接盤
40‧‧‧抗蝕劑
50A‧‧‧上部層間樹脂絕緣層
50B‧‧‧下部層間樹脂絕緣層
51A‧‧‧導通孔導體開口
51B‧‧‧導通孔導體開口
52A‧‧‧無電極電鍍膜
52B‧‧‧無電極電鍍膜
54‧‧‧抗電鍍劑
56A‧‧‧電解電鍍膜
56B‧‧‧電解電鍍膜
58A‧‧‧上部導電層
58B‧‧‧下部導電層
60A‧‧‧上部導通孔導體
60B‧‧‧下部導通孔導體
70A‧‧‧上部阻焊層
70B‧‧‧下部阻焊層
71A‧‧‧開口
71B‧‧‧開口
71PA‧‧‧焊墊
71PB‧‧‧焊墊
72A‧‧‧鍍鎳層
72B‧‧‧鍍鎳層
74A‧‧‧鍍金層
74B‧‧‧鍍金層
76D‧‧‧焊料凸塊
76U‧‧‧焊料凸塊
130‧‧‧覆蓋膜
133‧‧‧覆蓋膜
150A‧‧‧最上層間樹脂絕緣層
150B‧‧‧最下層間樹脂絕緣層
151A‧‧‧導通孔導體開口
151B‧‧‧導通孔導體開口
152A‧‧‧無電極鍍銅膜
152B‧‧‧無電極鍍銅膜
154‧‧‧抗電鍍劑
156A‧‧‧電解鍍銅膜
156B‧‧‧電解鍍銅膜
158A‧‧‧最上導電層
158B‧‧‧最下導電層
160A‧‧‧最上導通孔導體
160B‧‧‧最下導通孔導體
F‧‧‧第一表面
S‧‧‧第二表面
當結合附圖考慮時，由於藉由參考以下詳細描述將較佳理解本發明之較完整評價及其許多附帶優點，所以將容易地獲得本發明之較完整評價及其許多附帶優點，在附圖中：圖1(A)至圖1(E)為示出根據本發明之實施例之製造印刷佈線板的方法步驟的圖；圖2(A)至圖2(C)為示出根據實施例之製造印刷佈線板之方法步驟的圖；圖3(A)至圖3(D)為示出根據實施例之製造印刷佈線板之方法步驟的圖；圖4(A)至圖4(B)為示出根據實施例之製造印刷佈線板之方法步驟的圖；圖5(A)至圖5(B)為示出根據實施例之製造印刷佈線板之方法步驟的圖；圖6(A)至圖6(C)為示出根據實施例之製造印刷佈線板之方法步驟的圖；圖7為根據實施例之印刷佈線板之橫截面圖；圖8為示出層間樹脂絕緣層之厚度及開口直徑的圖；圖9為示出印刷佈線板之厚度的圖； 圖10為示出覆蓋膜之圖；圖11(A)至圖11(B)為印刷佈線板之翹曲的實例；圖12(A)至圖12(C)為示出製造實例1中之印刷佈線板之方法步驟的圖；圖13(A)至圖13(C)為示出製造實例1中之印刷佈線板之方法步驟的圖；圖14(A)至圖14(C)為示出製造實例1中之印刷佈線板之方法步驟的圖；以及圖15為示出實例中之印刷佈線板之翹曲量及翹曲方向的表。
現在將參考附圖描述實施例，在附圖中相同參考數字表示對應的或相同的元件。
圖7示出根據本發明之實施例之印刷佈線板10的橫截面圖。實施例之印刷佈線板10具有核心基板30，其由以下各項形成：具有第一表面(F)及與第一表面對置之第二表面(S)的絕緣基板20；形成於絕緣基板之第一表面上之第一導電層(34A)；形成於第二表面(S)上之第二導電層(34B)；以及連接第一導電層(34A)與第二導電層(34B)之通孔導體36。核心基板之第一導電層及第二導電層之厚度(t1，t2)為5μm至13μm。印刷佈線板經製得較厚。此類厚度較佳為10μm或10μm以下。印刷佈線板之翹曲得以減少。
絕緣基板含有諸如玻璃布或有機纖維之補強材料。補強材料之熱膨脹係數較佳為6ppm或6ppm以下。當IC芯片安裝於印刷佈線板10上且具有IC芯片之印刷佈線板安裝於主機板上(二次安裝)時，減少了翹曲。含於絕緣基板中之補強材料之量(體積百分比)為22體積百分比至92體積百分比。絕緣基板之厚度(T0)為75μm至290μm。即使印刷佈線板較薄，印刷佈線板之翹曲亦得以減少。絕緣基板之厚度較佳為 200μm。即使印刷佈線板之厚度為300μm或300μm以下，亦能夠獲得翹曲較少之薄印刷佈線板。
在核心基板30之第一表面(F)且在第一導電層(34A)上形成上部積累層。上部積累層至少包括最上層間樹脂絕緣層(150A)、在最上層間樹脂絕緣層上之最上導電層(158A)以及穿過最上層間樹脂絕緣層且電連接核心基板之第一導電層與最上導電層的最上導通孔導體(160A)。上部積累層可包括在最上層間樹脂絕緣層與核心基板之間的上部層間樹脂絕緣層(50A)、在上部層間樹脂絕緣層上之上部導電層(58A)以及穿過上部層間樹脂絕緣層且連接上部導電層與第一導電層的上部導通孔導體(60A)。
在核心基板30之第二表面(S)上形成下部積累層。下部積累層至少包括最下層間樹脂絕緣層(150B)、在最下層間樹脂絕緣層上之最下導電層(158B)以及穿過最下層間樹脂絕緣層且電連接核心基板之最下導電層與第二導電層的最下導通孔導體(160B)。下部積累層可包括在最下層間樹脂絕緣層與核心基板之間的下部層間樹脂絕緣層(50B)、在下部層間樹脂絕緣層上之下部導電層(58B)以及穿過下部層間樹脂絕緣層且連接下部導電層與第二導電層的下部導通孔導體(60B)。核心基板之第一表面對應於絕緣基板之第一表面，且核心基板之第二表面對應於絕緣基板之第二表面。上部積累層及下部積累層較佳由兩個層間樹脂絕緣層及兩個導電層形成。獲得翹曲較少之薄印刷佈線板，從而允許安裝高功能IC芯片。
上部積累層與下部積累層中之層間樹脂絕緣層較佳不含有補強材料。此減少了層間樹脂絕緣層之厚度。由於導通孔導體開口之大小減小，因此積累層中之層間樹脂絕緣層及導電層之數目減少。上部積累層及下部積累層中之層間樹脂絕緣層之厚度為5μm至20μm。層間樹脂絕緣層之厚度(T1、T2、T3、T4)各自為自其各別層間樹脂絕緣層 所覆蓋之導電層之上表面至層間樹脂絕緣層之上表面的距離(圖7及圖8)。在圖7中，(T1、T2、T3、T4)指示層間樹脂絕緣層之厚度，且(T5，T6)指示阻焊層之厚度。由於層間樹脂絕緣層很薄，因此佔據印刷佈線板之核心基板之比率較大。即使絕緣基板經製得較薄且層間樹脂絕緣層不含有補強材料，但印刷佈線板之強度仍得以增大且翹曲得以減小。層間樹脂絕緣層之厚度較佳為13μm或13μm以下。印刷佈線板之厚度經設定為小於380μm。當印刷佈線板很薄時，由補強材料控制印刷佈線板之翹曲。印刷佈線板之翹曲較不可能變化。在IC芯片與印刷佈線板之間以及印刷佈線板與主機板之間增強了連接可靠性。
當層間樹脂絕緣層不含有補強材料且其厚度為5μm至20μm時，導通孔導體開口(51A，151A)之直徑(D1，D2)經設定為30μm至55μm(圖8)。在層間樹脂絕緣層之上表面上量測導通孔導體開口之直徑(圖8)。在層間樹脂絕緣層之上表面與該層間樹脂絕緣層之上表面上的導電層之間的界面上量測開口直徑(圖8)。上部積累層及下部積累層中之層間樹脂絕緣層可含有由玻璃或類似物製成之無機顆粒以減小其熱膨脹係數。上部積累層及下部積累層中之導電層的厚度為5μm至13μm。印刷佈線板之厚度經設定為小於380μm。導電層之厚度較佳為10μm或10μm以下。難以在核心基板之上側及下側上將導電層之體積設定為相同。當導電層經製得較薄時，即使導電層之體積在核心基板之上側及下側上不同，印刷佈線板之翹曲仍較小。
在上部積累層上形成上部阻焊層(70A)，且在下部積累層上形成下部阻焊層(70B)。阻焊層(70A)包括用以曝露最上導電層或最上導通孔導體之開口(71A)，且阻焊層(70B)包括用以曝露最下導電層或最下導通孔導體之開口(71B)。經由此類開口而曝露之導體部分用作焊墊(71PA，71PB)。焊料凸塊(76U，76D)分別形成於彼等焊墊上。上部阻焊層及下部阻焊層之厚度(T5，T6)為5μm至15μm。印刷佈線板之 厚度得以減小。阻焊層不含有諸如玻璃布之補強材料。阻焊層之厚度各自為自導電層之上表面至阻焊層之上表面的距離，如圖7中所示。
在根據實施例之印刷佈線板中，印刷佈線板之厚度為150μm或150μm以上且小於380μm。印刷佈線板較薄。印刷佈線板之厚度(T)為自上部阻焊層之上表面至下部阻焊層之上表面的距離，如圖9中所示。實施例之印刷佈線板經製得較薄。含於印刷佈線板中之諸如玻璃布的補強材料之量(體積百分比)為20體積百分比至35體積百分比。因此，印刷佈線板之強度較高。另外，容易形成用於通孔導體之穿透孔及導通孔導體開口。因此，用於通孔導體之穿透孔及導通孔導體開口經製得較小，從而獲得較薄且較小之印刷佈線板。印刷佈線板之翹曲較小。當印刷佈線板發生翹曲或類似情況時，利用下述值來定義印刷佈線板之厚度。沿著印刷佈線板之對角線量測自上部阻焊層之上表面至下部阻焊層之上表面的距離。在多個距離當中，將最大值設定為印刷佈線板之厚度。當印刷佈線板之厚度小於380μm時，印刷佈線板較薄，且印刷佈線板之剛性較低。當印刷佈線板之剛性較低時，容易使用補強材料來控制印刷佈線板之翹曲方向。當含於印刷佈線板中之補強材料之量為20體積百分比至35體積百分比時，在每一印刷佈線板中，翹曲方向相同。當同時製造多個印刷佈線板時，即使每一印刷佈線板均發生翹曲，每一印刷佈線板仍在例如如圖11(A)中所示的方向上發生翹曲。因此，當在實施例之印刷佈線板上安裝半導體元件時，良率較高。二次安裝之良率較高。IC芯片與印刷佈線板之間以及印刷佈線板與主機板之間的連接可靠性較高。
積累層及阻焊層中之層間樹脂絕緣層不含有補強材料，且僅核心基板含有補強材料。如上所述，在實施例中，由於導電層、層間樹脂絕緣層及阻焊層之厚度較小，因此，絕緣基板之厚度與印刷佈線板之厚度的比率較大。薄積累層及阻焊劑層疊在厚且結實的絕緣基板之 兩個表面上。印刷佈線板之翹曲得以減小。當利用一個層間樹脂絕緣層及一個導電層形成上部積累層及下部積累層時，藉由將絕緣基板之厚度除以印刷佈線板之厚度而獲得的值(x)為2/3或2/3以上但在3/4或3/4以下。當利用兩個層間樹脂絕緣層及兩個導電層形成上部積累層及下部積累層時，上述值(x)為1/2或1/2以上但在2/3或2/3以下。由於值(x)存在於預定範圍內，因此減少了二次安裝期間的翹曲。當同時製造多個印刷佈線板時，每一印刷佈線板展示相同的翹曲。舉例而言，在印刷佈線板中發生翹曲以致上部阻焊側變為凸狀(圖11(A))。因此，改良了二次安裝之安裝良率。
在實施例之印刷佈線板中，層間樹脂絕緣層經製得較薄且不含有補強材料。因此，在積累層之導電層中形成了精細的導電電路。舉例而言，印刷佈線板經製造為具有8μm/8μm(線寬/間隔寬)之佈線。由於印刷佈線板經製得較小，因此，減少了其翹曲。
又，在實施例之印刷佈線板中，當將導電層之厚度除以層間樹脂絕緣層之厚度時，所獲得的值為0.5至0.9。將印刷佈線板之厚度設定為小於380μm。另外，絕緣可靠性在形成於不同層中之導電層之間得以增加。
在實施例之印刷佈線板中，當阻焊層之厚度除以層間樹脂絕緣層之厚度時，所獲得的值為0.9至1.1。由於阻焊層之厚度與層間樹脂絕緣層之厚度實質上相同，因此減少了翹曲。
可在絕緣基板、絕緣基板上之導電層以及通孔導體上形成絕緣覆蓋膜，從而對其進行覆蓋。以相同方式，可在層間樹脂絕緣層、層間樹脂絕緣層上之導電層以及導通孔導體上形成覆蓋膜(33，133)，從而對其進行覆蓋(圖10)。覆蓋膜之厚度為0.1μm至1μm。此類覆蓋膜可藉由濺鍍、真空沈積等等來形成。即使層間樹脂絕緣層經製得較薄，亦可藉由使用覆蓋膜來增加絕緣可靠性。
以下描述製造印刷佈線板10之方法。
(1)製備雙面敷銅疊層(20A)(圖1(A))。該雙面敷銅疊層含有補強材料及樹脂。絕緣基板20之厚度(T0)為75μm至290μm，且補強材料之體積佔據絕緣基板之體積的百分比(體積百分比)為22體積百分比至92體積百分比。可使用諸如玻璃布、醯胺纖維、玻璃纖維或有機纖維的補強材料。玻璃布為較佳的。除了樹脂及補強材料之外，絕緣基板較佳含有例如由玻璃製成之無機顆粒。其他無機顆粒之實例由氫氧化物製成。可使用諸如氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣或氫氧化鋇之金屬氫氧化物。當氫氧化物經熱分解時產生水。因此，認為，氫氧化物能夠自形成絕緣基板之材料奪取熱。亦即，當絕緣基板含有氫氧化物時，認為雷射處理之品質得到增強。
(2)自絕緣基板20之第一表面(F)(上表面)側使用CO2雷射，在絕緣基板20之第一表面(F)側形成第一開口(28a)(圖1(B))。
(3)自絕緣基板20之第二表面(S)(下表面)側使用CO2雷射，在核心基板之第二表面(S)側形成第二開口(28b)(圖1(C))。藉由在核心基板中連接第一開口(28a)與第二開口(28b)而形成穿透孔28。
接下來，將具有穿透孔28之絕緣基板20浸沒於含有預定濃度的高錳酸之溶液中以進行去污處理。此時，絕緣基板20之重量減少量較佳為1.0重量百分比或1.0重量百分比以下，更佳地為0.5重量百分比或0.5重量百分比以下。當樹脂經由去污處理而分解時，玻璃布突出至穿透孔中。當絕緣基板之重量減少量處於上述範圍內時，抑制了玻璃布之突出。結果，當藉由電鍍而填充穿透孔時，在電鍍膜中很少發生孔隙。
(4)將催化劑附於絕緣基板20之表面。然後，將絕緣基板20浸沒於無電極電鍍溶液中以在絕緣基板20之第一表面(F)及第二表面(S)上以及在穿透孔28之內壁上形成無電極電鍍膜22(圖1(D))。銅、鎳等等 經列出作為用於形成無電極電鍍膜22的材料。使用無電極電鍍膜作為晶種層，在無電極電鍍膜22上形成電解電鍍膜32。藉由電解電鍍膜來填充穿透孔28(圖1(E))。
(5)在電解電鍍膜32上形成具有預定圖案之抗蝕劑40(圖2(A))。
(6)移除自抗蝕劑40曝露之無電極電鍍膜22、電解電鍍膜32及金屬箔21(圖2(B))。
(7)移除抗蝕劑40。因此，在絕緣基板20之第一表面(F)上形成第一導電層(34A)，且在絕緣基板20之第二表面(S)上形成第二導電層(34B)(圖2(C))。在穿透孔28中藉由通孔導體36連接第一導電層(34A)與第二導電層(34B)。完成核心基板30。
(8)第一導電層(34A)及第二導電層(34B)之厚度(t1，t2)為5μm至13μm(圖2(C))。第一導電層及第二導電層包括通孔導體之連接盤(land)(36R)。
(9)在絕緣基板20之第一表面(F)、第一導電層(34A)及通孔導體上形成藉由濺鍍SiN而製成的覆蓋膜33。以相同方式，在絕緣基板20之第二表面(S)、第二導電層(34B)及通孔導體上形成覆蓋膜33(圖3(A))。可選擇不形成此類覆蓋膜。製造成本得以降低。
(10)經由覆蓋膜33之層在核心基板30之兩個表面(F，S)上形成上部及下部層間樹脂絕緣層(50A，50B)(圖3(B))。層間樹脂絕緣層之厚度(T1，T2)為5μm至20μm。上部及下部層間樹脂絕緣層含有無機顆粒但不含有補強材料。
(11)接下來，使用CO2氣體雷射，在層間樹脂絕緣層(50A，50B)中分別形成導通孔導體開口(51A，51B)(圖3(C))。導通孔導體開口(51A，51B)之大小為30μm至55μm(圖9)。藉由蝕刻等等移除經由開口(51A，51B)曝露之導電層之上表面上形成的覆蓋膜。連接可靠性得以增強。
(12)在層間樹脂絕緣層(50A，50B)上以及開口(51A，51B)中形成無電極電鍍膜(52A，52B)(圖3(D))。
(13)在無電極電鍍膜52上形成抗電鍍劑54(圖4(A))。
(14)在自抗電鍍劑54曝露之無電極電鍍膜52上形成電解電鍍膜(56A，56B)(圖4(B))。
(15)移除抗電鍍劑54。藉由蝕刻掉電解電鍍膜之部分之間的無電極電鍍膜來形成上部及下部導電層(58A，58B)以及上部及下部導通孔導體(60A，60B)(圖5(A))。上部及下部導電層(58A，58B)之厚度為5μm至13μm(圖5(A))。由於層間樹脂絕緣層經製得較薄，因此，在層間樹脂絕緣層中形成精細開口。又，由於導通孔導體開口較小，因此，即使導電層經製得較薄，亦利用電鍍膜來填充開口。即使導電層之厚度為5μm至13μm，在開口中亦形成經填充導通孔。即使導電層之厚度為10μm或10μm以下，導通孔導體之上表面亦經製得為平坦的。
(16)與上述步驟(9)中相同，在上部層間樹脂絕緣層(50A)、上部導電層(58A)及上部導通孔導體上形成由SiN製成之覆蓋膜130。在下部層間樹脂絕緣層(50B)、下部導電層(58B)及下部導通孔導體上形成由SiN製成之覆蓋膜130(圖5(B))。即使層間樹脂絕緣層經製得較薄，亦藉由覆蓋膜來增強了層間絕緣可靠性。
(17)接下來，重複與上述步驟(10)至(15)相同的步驟以形成上部及下部積累層(圖6(A))。經由覆蓋膜130之層，在上部層間樹脂絕緣層、上部導電層及上部導通孔導體上形成最上層間樹脂絕緣層。類似地，經由覆蓋膜之層，在下部層間樹脂絕緣層、下部導電層及下部導通孔導體上形成最下層間樹脂絕緣層。最上及最下層間樹脂絕緣層之厚度為5μm至20μm。最上及最下層間樹脂絕緣層含有無機顆粒但不含有補強材料。
在最上層間樹脂絕緣層上形成最上導電層。在最下層間樹脂絕緣層上形成最下導電層。最上及最下導電層之厚度為5μm至13μm。導電層之厚度可藉由蝕刻來調整。
在最上層間樹脂絕緣層中形成最上導通孔導體以連接最上導電層與上部導電層或上部導通孔導體。在最下層間樹脂絕緣層中形成最下導通孔導體以連接最下導電層與下部導電層或下部導通孔導體。最上及最下導通孔導體之直徑為30μm至55μm。移除經由導通孔導體開口曝露之覆蓋層。在導通孔導體與導電層之間增強了連接可靠性。
(19)在上部積累層上形成具有開口(71A)之上部阻焊層(70A)，且在下部積累層上形成具有開口(71B)之下部阻焊層(70B)(圖6(B))。上部及下部阻焊層(70A，70B)之厚度為5μm至15μm。經由開口(71A，71B)曝露之最上及最下導通孔導體以及最上及最下導電層(158A，158B)之上表面用作焊墊。阻焊層可經由覆蓋膜之層形成在上部及下部積累層上。
(20)在焊墊上形成鍍鎳層(72A，72B)，且在鍍鎳層72上進一步形成鍍金層(74A，74B)(圖6(C))。亦可替代鎳金層而形成鎳鈀金層。
(21)在開口(71A，71B)中加載焊球且進行回焊，從而在上部積累層上形成焊料凸塊(76U)，且在下部積累層上形成焊料凸塊(76D)。完成了具有焊料凸塊之印刷佈線板10(圖7)。半導體元件經由焊料凸塊(76U)而安裝在實施例之印刷佈線板上。又，實施例之印刷佈線板經由焊料凸塊(76D)而安裝在主機板上。
實例1
圖1至圖6示出了製造實例1中之印刷佈線板10的方法。
(1)製備雙面敷銅疊層(20A)作為起始材料。雙面敷銅疊層之絕緣基板20由T玻璃製成之玻璃布(補強材料)、諸如環氧樹脂之樹脂及二氧化矽顆粒製成。雙面敷銅疊層之銅箔之厚度為3μm(圖1(A))。絕緣 基板具有第一表面(F)及與第一表面對置之第二表面(S)。Nitto Boseki有限公司出售由T玻璃製成之玻璃布。由T玻璃製成之玻璃布之熱膨脹係數大約為3ppm。絕緣基板20之厚度為100μm。絕緣基板中含有的補強材料之量(體積百分比)為30體積百分比。
(2)自絕緣基板20之第一表面(F)側使用CO2雷射，在雙面敷銅疊層(20A)之第一表面(F)側形成第一開口(28a)(圖1(B))。
(3)自絕緣基板20之第二表面(S)(下表面)側使用CO2雷射，在雙面敷銅疊層(20A)之第二表面(S)側形成第二開口(28b)(圖1(C))。藉由在絕緣基板中連接第一開口(28a)與第二開口(28b)而形成穿透孔28。接下來，將具有穿透孔28之雙面敷銅疊層(20A)浸沒於含有預定濃度之高錳酸的溶液中以進行去污處理。此時，絕緣基板20之重量減少量為0.5重量百分比至1.0重量百分比。
(4)在雙面敷銅疊層之兩個表面以及在穿透孔之內壁上執行無電極鍍銅以形成由無電極銅鍍製成之晶種層22。在晶種層22上形成電解鍍銅膜32。利用電解鍍銅膜填充穿透孔28(圖1(E))。經藉由機械拋光及蝕刻來減少電解鍍銅膜之膜厚度。
(5)在電解鍍銅膜32上形成具有預定圖案之抗蝕劑40(圖2(A))。
(6)移除自抗蝕劑40曝露之無電極鍍銅膜22、電解鍍銅膜32及銅箔(圖2(B))。
(7)移除抗蝕劑40。因此，在絕緣基板20之第一表面(F)上形成第一導電層(34A)，且在絕緣基板20之第二表面(S)上形成第二導電層(34B)(圖2(C))。在穿透孔28中藉由通孔導體36連接第一導電層(34A)與第二導電層(34B)。第一導電層(34A)及第二導電層(34B)之厚度為5μm(圖2(D))。完成核心基板。
(8)在絕緣基板20之第一表面(F)、第一導電層(34A)及通孔導體上形成藉由濺鍍SiN而製成之覆蓋膜。以相同方式，在絕緣基板20之第 二表面(S)、第二導電層(34B)及通孔導體上形成覆蓋膜33(圖3(A))。覆蓋膜33之厚度為0.3μm。
(9)經由覆蓋膜33之層在核心基板30之兩個表面(F，S)上形成最上及最下層間樹脂絕緣層(150A，150B)(圖12(A))。層間樹脂絕緣層之厚度(T1，T2)為10μm。最上及最下層間樹脂絕緣層含有二氧化矽顆粒但不含有補強材料。
(10)接下來，使用CO2氣體雷射，在層間樹脂絕緣層(150A，150B)中分別形成導通孔導體開口(151A，151B)(圖12(B))。導通孔導體開口(151A，151B)之大小為45μm(圖12(B))。
(11)在層間樹脂絕緣層(150A，150B)上以及開口(151A，151B)中形成無電極鍍銅膜(152A，152B)(圖12(C))。
(12)在無電極鍍銅膜152上形成抗電鍍劑154(圖13(A))。
(13)在自抗電鍍劑154曝露之無電極鍍銅膜(152A，152B)上形成電解鍍銅膜(156A，156B)(圖13(B))。
(14)移除抗電鍍劑154。藉由蝕刻掉電解鍍銅膜之部分之間的無電極鍍銅膜來形成最上及最下導電層(158A，158B)以及最上及最下導通孔導體(160A，160B)。最上及最下導電層(158A，158B)之厚度為5μm(圖13(C))。完成了上部及下部堆疊層。
(15)在上部積累層上形成具有開口(71A)之上部阻焊層(70A)，且在下部積累層上形成具有開口(71B)之下部阻焊層(70B)(圖14A))。上部及下部阻焊層(70A，70B)之厚度為10μm。經由開口(71A，71B)曝露之最上及最下導通孔導體以及最上及最下導電層(158A，158B)之上表面用作焊墊。上部及下部阻焊層含有二氧化矽顆粒但不含有補強材料。完成了印刷佈線板10(圖14(A))。
(16)在焊墊上形成鍍鎳層(72A，72B)，且在鍍鎳層72上進一步形成鍍金層(74A，74B)(圖14(B))。
(17)在開口(71A，71B)中加載焊球且進行回焊，從而在上部積累層上形成焊料凸塊(76U)，且在下部積累層上形成焊料凸塊(76D)(圖14(C))。印刷佈線板之大小為15平方毫米。印刷佈線板之厚度為0.15mm。印刷佈線板之體積中含有的諸如玻璃布之補強材料的體積百分比(體積百分比)為20體積百分比。絕緣基板之大小與印刷佈線板相同。藉由將印刷佈線板之大小乘以印刷佈線板之厚度來獲得實施例及實例中之印刷佈線板的體積。
實例2
以與實例1相同的方式製造實例2之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為45%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為30%。
實例3
以與實例1相同的方式製造實例3之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為52.5%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為35%。
實例4
以與實例1相同的方式製造實例4之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板之厚度為115μm，且絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為29.4%。積累層及核心基板中之導電層之厚度為7μm。印刷佈線板之厚度為169μm。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為20%。
實例5
以與實例4相同的方式製造實例5之印刷佈線板，不同之處如 下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為44.1%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為30%。
實例6
以與實例4相同的方式製造實例6之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為51.4%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為35%。
實例7
以與實例1相同的方式製造實例7之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板之厚度為100μm，且絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為51.2%。積累層及核心基板中之導電層的厚度為13μm。層間樹脂絕緣層之厚度為20μm。阻焊層之厚度為15μm。印刷佈線板之厚度為256μm。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為20%。
實例8
以與實例7相同的方式製造實例8之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為76.8%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為30%。
實例9
以與實例7相同的方式製造實例9之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為89.6%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為35%。
實例10
以與實例1相同的方式製造實例10之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板之厚度為150μm，且絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為40.8%。積累層及核心基板中之導電層的厚度為13μm。層間樹脂絕緣層之厚度為20μm。阻焊層之厚度為15μm。印刷佈線板之厚度為306μm。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為20%。
實例11
以與實例10相同的方式製造實例11之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為61.2%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為30%。
實例12
以與實例10相同的方式製造實例12之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為71.4%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為35%。
實例13
以與實例1相同的方式製造實例13之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板之厚度為250μm，且絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為22.4%。層間樹脂絕緣層之厚度為5μm。阻焊層之厚度為5μm。印刷佈線板之厚度為280μm。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為20%。
實例14
以與實例13相同的方式製造實例14之印刷佈線板，不同之處如下： 絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為33.6%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為30%。
實例15
以與實例13相同的方式製造實例15之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為39.2%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為35%。
實例16
以與實例1相同的方式製造實例16之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板之厚度為250μm，且絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為27.7%。積累層及核心基板中之導電層的厚度為13μm。層間樹脂絕緣層之厚度為20μm。阻焊層之厚度為15μm。印刷佈線板之厚度為346μm。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為20%。
實例17
以與實例16相同的方式製造實例17之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為41.5%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為30%。
實例18
以與實例16相同的方式製造實例18之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為48.4%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為35%。
實例19
以與實例1相同的方式製造實例19之印刷佈線板，不同之處如 下：絕緣基板之厚度為290μm，且絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為24.8%。積累層及核心基板中之導電層的厚度為10μm。阻焊層之厚度為15μm。印刷佈線板之厚度為360μm。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為20%。
實例20
以與實例19相同的方式製造實例20之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為37.2%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為30%。
實例21
以與實例19相同的方式製造實例21之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為43.4%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為35%。
實例22
以與實例1相同的方式製造實例22之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板之厚度為290μm，且絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為26.2%。積累層及核心基板中之導電層的厚度為10μm。層間樹脂絕緣層之厚度為20μm。阻焊層之厚度為15μm。印刷佈線板之厚度為380μm。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為20%。
實例23
以與實例22相同的方式製造實例23之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為39.3%。印刷佈線板 中之補強材料的量(體積百分比)為30%。
實例24
以與實例22相同的方式製造實例24之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為45.9%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為35%。
實例25
圖1至圖6示出了製造實例25中之印刷佈線板10的方法。
(1)製備雙面敷銅疊層(20A)作為起始材料。雙面敷銅疊層之絕緣基板20由E玻璃之玻璃布(補強材料)、諸如環氧樹脂之樹脂及二氧化矽顆粒製成。雙面敷銅疊層之銅箔的厚度為3μm(圖1(A))。絕緣基板具有第一表面(F)及與第一表面對置之第二表面(S)。Nitto Boseki有限公司出售由E玻璃製成之玻璃布。由E玻璃製成之玻璃布之熱膨脹係數大約為6ppm。絕緣基板20之厚度(T0)為75μm。絕緣基板中含有的補強材料的量(體積百分比)為40體積百分比。
(2)自絕緣基板20之第一表面(F)側使用CO2雷射，在雙面敷銅疊層(20A)之第一表面(F)側形成第一開口(28a)(圖1(B))。
(3)自絕緣基板20之第二表面(S)(下表面)側使用CO2雷射，在雙面敷銅疊層(20A)之第二表面(S)側形成第二開口(28b)(圖1(C))。藉由在絕緣基板中連接第一開口(28a)與第二開口(28b)而形成穿透孔28。接下來，將具有穿透孔28之雙面敷銅疊層浸沒於含有預定濃度的高錳酸之溶液中以進行去污處理。此時，絕緣基板20之重量減少量為0.5重量百分比至1.0重量百分比。
(4)在雙面敷銅疊層之兩個表面上以及在穿透孔之內壁上執行無電極鍍銅以形成由無電極銅鍍製成之晶種層22(圖1(D))。在晶種層22上形成電解鍍銅膜32。利用電解鍍銅膜填充穿透孔28(圖1(E))。經由 機械拋光及蝕刻來減少電解鍍銅膜之膜厚度。
(5)在電解鍍銅膜32上形成具有預定圖案之抗蝕劑40(圖2(A))。
(6)移除自抗蝕劑40曝露之無電極鍍銅膜22、電解鍍銅膜32及銅箔(圖2(B))。
(7)移除抗蝕劑40。因此，在絕緣基板20之第一表面(F)上形成第一導電層(34A)，且在絕緣基板20之第二表面(S)上形成第二導電層(34B)(圖2(C))。在穿透孔28中藉由通孔導體36連接第一導電層(34A)與第二導電層(34B)。第一導電層(34A)及第二導電層(34B)之厚度為7.5μm(圖2(D))。完成核心基板。
(8)在絕緣基板20之第一表面(F)、第一導電層(34A)及通孔導體上形成藉由濺鍍SiN而製成之覆蓋膜33。以相同方式，在絕緣基板20之第二表面(S)、第二導電層(34B)及通孔導體上形成覆蓋膜33(圖3(A))。覆蓋膜之厚度為0.3μm。
(9)經由覆蓋膜33之層在核心基板30之兩個表面(F，S)上形成上部及下部層間樹脂絕緣層(50A，50B)(圖3(B))。層間樹脂絕緣層之厚度(T1，T2)為7.5μm。上部及下部層間樹脂絕緣層含有二氧化矽顆粒但不含有補強材料。
(10)接下來，使用CO2氣體雷射，分別在層間樹脂絕緣層(50A，50B)中形成導通孔導體開口(51A，51B)(圖3(C))。導通孔導體開口(51A，51B)之大小為45μm(圖10)。
(11)在層間樹脂絕緣層(50A，50B)上以及開口(51A，51B)中形成無電極鍍銅膜(52A，52B)(圖3(D))。
(12)在無電極鍍銅膜52上形成抗電鍍劑54(圖4(A))。
(13)在自抗電鍍劑54曝露之無電極鍍銅膜52上形成電解鍍銅膜(56A，56B)(圖4(B))。
(14)移除抗電鍍劑154。藉由蝕刻掉電解鍍銅膜之部分之間的無 電極鍍銅膜來形成上部及下部導電層(58A，58B)以及上部及下部導通孔導體(60A，60B)。上部及下部導電層(58A，58B)之厚度為7.5μm(圖5(A))。
(15)在上部層間樹脂絕緣層、上部導電層及上部導通孔導體上形成藉由濺鍍SiN而製成的覆蓋膜130。以相同方式，在下部層間樹脂絕緣層、下部導電層及下部導通孔導體上形成覆蓋膜130(圖5(B))。覆蓋膜之厚度為0.3μm。
(16)經由覆蓋膜之層在上部層間樹脂絕緣層、上部導電層及上部導通孔導體上形成最上層間樹脂絕緣層。經由覆蓋膜之層在下部層間樹脂絕緣層、下部導電層及下部導通孔導體上形成最下層間樹脂絕緣層。最上及最下層間樹脂絕緣層之厚度為7.5μm。
(17)進行實例25中之自(10)至(15)的程序。形成最上及最下導電層與最上及最下導通孔導體。最上及最下導電層之厚度為7.5μm。完成了上部及下部積累層。
(18)在上部積累層上形成具有開口(71A)之上部阻焊層(70A)，且在下部積累層上形成具有開口(71B)之下部阻焊層(70B)(圖6(B))。上部及下部阻焊層(70A，70B)之厚度為7.5μm。經由開口(71A，71B)曝露之最上及最下導通孔導體以及最上及最下導電層(158A，158B)之上表面用作焊墊。上部及下部阻焊層含有二氧化矽顆粒但不含有補強材料。
(19)在焊墊上形成鍍鎳層(72A，72B)，且在鍍鎳層72上進一步形成鍍金層(74A，74B)(圖6(C))。
(20)在開口(71A，71B)中加載焊球且進行回焊，從而在上部積累層上形成焊料凸塊(76U)，且在下部積累層上形成焊料凸塊(76D)(圖7)。印刷佈線板之大小為15平方毫米。印刷佈線板之厚度為0.15mm。印刷佈線板之體積中含有的諸如玻璃布之補強材料的體積百分 比(體積百分比)為20體積百分比。
實例26
以與實例25相同的方式製造實例26之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為60%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為30%。
實例27
以與實例25相同的方式製造實例27之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為70%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為35%。
實例28
以與實例25相同的方式製造實例28之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板之厚度為100μm，且絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為30%。積累層及核心基板中之導電層的厚度為5μm。層間樹脂絕緣層之厚度為5μm。阻焊層之厚度為5μm。印刷佈線板之厚度為150μm。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為20%。
實例29
以與實例28相同的方式製造實例29之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為45%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為30%。
實例30
以與實例28相同的方式製造實例30之印刷佈線板，不同之處如下： 絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為52.5%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為35%。
實例31
以與實例25相同的方式製造實例31之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板之厚度為100μm，且絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為52.4%。積累層及核心基板中之導電層的厚度為13μm。層間樹脂絕緣層之厚度為20μm。阻焊層之厚度為15μm。印刷佈線板之厚度為262μm。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為20%。
實例32
以與實例31相同的方式製造實例32之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為78.6%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為30%。
實例33
以與實例31相同的方式製造實例33之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為91.7%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為35%。
實例34
以與實例25相同的方式製造實例34之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板之厚度為190μm，且絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為31.6%。積累層及核心基板中之導電層的厚度為10μm。層間樹脂絕緣層之厚度為10μm。阻焊層之厚度為15μm。印刷佈線板之厚度為300μm。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為20%。
實例35
以與實例34相同的方式製造實例35之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為47.4%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為30%。
實例36
以與實例34相同的方式製造實例36之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為55.3%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為35%。
實例37
以與實例25相同的方式製造實例37之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板之厚度為190μm，且絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為35.8%。積累層及核心基板中之導電層的厚度為10μm。層間樹脂絕緣層之厚度為20μm。阻焊層之厚度為15μm。印刷佈線板之厚度為300μm。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為20%。
實例38
以與實例37相同的方式製造實例38之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為53.7%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為30%。
實例39
以與實例37相同的方式製造實例39之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為62.6%。印刷佈線板 中之補強材料的量(體積百分比)為35%。
實例40
以與實例25相同的方式製造實例40之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板之厚度為250μm，且絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為30.4%。積累層及核心基板中之導電層的厚度為13μm。層間樹脂絕緣層之厚度為13μm。阻焊層之厚度為13μm。印刷佈線板之厚度為380μm。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為20%。
實例41
以與實例40相同的方式製造實例41之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為45.6%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為30%。
實例42
以與實例40相同的方式製造實例42之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為53.2%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為35%。
實例43
以與實例25相同的方式製造實例43之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板之厚度為250μm，且絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為30.4%。積累層及核心基板中之導電層的厚度為10μm。層間樹脂絕緣層之厚度為15μm。阻焊層之厚度為15μm。印刷佈線板之厚度為380μm。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為20%。
實例44
以與實例43相同的方式製造實例44之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為45.6%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為30%。
實例45
以與實例43相同的方式製造實例45之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為53.2%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為35%。
實例46
以與實例25相同的方式製造實例46之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板之厚度為230μm，且絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為31.3%。積累層及核心基板中之導電層的厚度為10μm。層間樹脂絕緣層之厚度為15μm。阻焊層之厚度為15μm。印刷佈線板之厚度為360μm。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為20%。
實例47
以與實例46相同的方式製造實例47之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為47%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為30%。
實例48
以與實例46相同的方式製造實例48之印刷佈線板，不同之處如下：絕緣基板中之補強材料的量(體積百分比)為54.8%。印刷佈線板中之補強材料的量(體積百分比)為35%。
藉由將下述內容輸入至軟體中來計劃每一實例中之翹曲的量及翹曲的方向：絕緣基板之厚度、印刷佈線板之厚度、導電層之厚度、層間樹脂絕緣層之厚度、阻焊層之厚度及印刷佈線板中之補強材料的量。
圖11(A)中所示之印刷佈線板示出了在正(+)方向上之翹曲，且圖11(B)中所示之印刷佈線板示出了在負(-)方向上之翹曲。當將IC芯片安裝於印刷佈線板上時，安裝有IC芯片之印刷佈線板之翹曲的量(WA)得以計劃。在圖11(A)及圖11(B)中示出了翹曲的量(WA)。
圖15為經計劃之翹曲的量及翹曲的方向之總結。當經計劃之翹曲的量為100μm或100μm以下時，指定為「B」；且當為80μm或80μm以下時，指定為「A」。「A」比「B」好。使用實例1及實例13來描述圖15中之翹曲的方向。實例1中之翹曲的方向為正(+)。當藉由與實例1相同的方法來製造多個印刷佈線板時，每一印刷佈線板中之翹曲的方向經計劃為處於正方向上。
實例13中之翹曲之方向可以為正(+)或負(-)。當藉由與實例13中相同的方法製造多個印刷佈線板時，計劃能夠觀察到圖11(A)中所示之印刷佈線板及圖11(B)中所示之印刷佈線板兩者。當正(+)方向與負(-)方向共存時，難以安裝IC芯片。又，更難以在二次安裝期間在主機板上安裝彼等印刷佈線板。
在實例7、實例10及實例31之印刷佈線板中，由於佔據印刷佈線板之核心基板的體積較小，因此，認為翹曲較大。
在實例13、實例19及實例22之印刷佈線板中，由於佔據印刷佈線板之核心基板的體積較大，因此，認為難以使用補強材料控制印刷佈線板之方向。
根據本發明之實施例之印刷佈線板具有下述組件：核心基板，其由絕緣基板形成且具有第一表面及與第一表面對置之第二表面；第 一導電層，其形成於絕緣基板之第一表面上；第二導電層，其形成於絕緣基板之第二表面上；以及通孔導體，其穿過絕緣基板且連接第一導電層與第二導電層；上部積累層，其層疊在絕緣基板之第一表面上以及第一導電層上，且由最上層間樹脂絕緣層、在最上層間樹脂絕緣層上之最上導電層以及形成於最上層間樹脂絕緣層中且電連接最上導電層與第一導電層之最上導通孔導體形成；下部積累層，其層疊在絕緣基板之第二表面上及第二導電層上，且由最下層間樹脂絕緣層、在最下層間樹脂絕緣層上之最下導電層以及形成於最下層間樹脂絕緣層中且電連接最下導電層與第二導電層之最下導通孔導體形成；上部阻焊層，其形成於上部積累層上；以及下部阻焊層，其形成於下部積累層上。在此類印刷佈線板中，印刷佈線板之厚度經設定為150μm或150μm以上但小於380μm，且印刷佈線板含有20體積百分比至35體積百分比的補強材料。
顯而易見的，鑒於上述教示，可能獲得本發明之多種修改及變化。因此，將理解，在所附申請專利範圍之範疇內，本發明可以除了此處具體描述之方式之外的方式來實踐。
20‧‧‧絕緣基板
20A‧‧‧雙面敷銅疊層
21‧‧‧金屬箔
22‧‧‧無電極電鍍膜
28‧‧‧穿透孔
28a‧‧‧第一開口
28b‧‧‧第二開口
32‧‧‧電解電鍍膜
36‧‧‧通孔導體
F‧‧‧第一表面
S‧‧‧第二表面

Claims (19)

  1. 一種印刷佈線板，其包含：一核心基板；複數個積累結構，其包括形成於該核心基板之一第一表面上之一第一積累結構及形成於該核心基板之一第二表面上之一第二積累結構，該第二表面相對於該核心基板之該第一表面在該核心基板之該第一表面之一對置側；以及複數個阻焊層，其包括形成於該第一積累結構上之一第一阻焊層及形成於該第二積累結構上之一第二阻焊層，其中該核心基板包括一絕緣基板、形成於該絕緣基板之一第一表面上之一第一導電層、形成於該絕緣基板之一第二表面上之一第二導電層以及穿過該絕緣基板且連接該第一導電層與該第二導電層之一通孔導體，該第一積累結構包括位於該第一積累結構中之一層間樹脂絕緣層及形成於該層間樹脂絕緣層上之一導電層，該第二積累結構包括位於該第二積累結構中之一層間樹脂絕緣層及形成於該層間樹脂絕緣層上之一導電層，該第一阻焊層之一外表面與該第二阻焊層之一外表面之間的一厚度經設定為處於150μm或150μm以上且小於380μm之一範圍內，且該核心基板、該第一積累結構、該第二積累結構、該第一阻焊層及該第二阻焊層中之至少一者包括一補強材料，該補強材料之一量使得該印刷佈線板包括20體積百分比至35體積百分比之一範圍內之一量的該補強材料；且該第一積累結構具有一導通孔導體，該導通孔導體形成於第一積累結構中之該層間樹脂絕緣層中且在該第一積累結構中之該層間樹脂絕緣層之一外表面上具有處於30μm至55μm之一範 圍內之一直徑，且該第二積累結構具有一導通孔導體，該導通孔導體形成於第二積累結構中之該層間樹脂絕緣層中且在該第二積累結構中之該層間樹脂絕緣層之一外表面上具有處於30μm至55μm之一範圍內之一直徑。
  2. 如請求項1之印刷佈線板，其中該絕緣基板包括該補強材料，該第一積累結構及該第二積累結構不含有該補強材料，且該第一阻焊層及該第二阻焊層不含有該補強材料。
  3. 如請求項1之印刷佈線板，其中該補強材料為一玻璃布。
  4. 如請求項1之印刷佈線板，其中該絕緣基板具有一厚度，該厚度在除以該第一阻焊層之該外表面與該第二阻焊層之該外表面之間的該厚度時具有2/3或2/3以上但在3/4或3/4以下之一比率。
  5. 如請求項1之印刷佈線板，其中該第一積累結構包括複數個層間樹脂絕緣層，該複數個層間樹脂絕緣層包括在該第一積累結構中之該層間樹脂絕緣層，該第二積累結構包括在該第二積累結構中之複數個層間樹脂絕緣層，且該絕緣基板具有一厚度，該厚度在除以該第一阻焊層之該外表面與該第二阻焊層之該外表面之間的該厚度時具有1/2或1/2以上但在2/3或2/3以下之一比率。
  6. 如請求項1之印刷佈線板，其中該第一積累結構中之該導電層具有處於5μm至13μm之一範圍內之一厚度，該第二積累結構中之該導電層具有處於5μm至13μm之一範圍內之一厚度，該第一積累結構中之該層間樹脂絕緣層具有處於5μm至20μm之一範圍內之一厚度，該第二積累結構中之該層間樹脂絕緣層具有處於5μm至20μm之一範圍內之一厚度，該第一阻焊層具有處於5μm至15μm之一範圍內之一厚度，且該第二阻焊層具有處於5μm至15μm之一範圍內之一厚度。
  7. 如請求項6之印刷佈線板，其中該第一積累結構中之該導電層具有處於10μm或10μm以下之一範圍內之一厚度，且該第二積累結構中之該導電層具有處於10μm或10μm以下之一範圍內之一厚度。
  8. 如請求項6之印刷佈線板，其中該第一積累結構中之該導電層具有一厚度，該厚度在除以該第一積累結構中之該層間樹脂絕緣層之一厚度時具有0.5至0.9之一比率，且該第二積累結構中之該導電層具有一厚度，該厚度在除以該第二積累結構中之該層間樹脂絕緣層之一厚度時具有0.5至0.9之一比率。
  9. 如請求項6之印刷佈線板，其中該第一阻焊層具有一厚度，該厚度在除以該第一積累結構中之該等層間樹脂絕緣層之一厚度時具有0.9至1.1之一比率，且該第二阻焊層具有一厚度，該厚度在除以該第二積累結構中之該等層間樹脂絕緣層之一厚度時具有0.9至1.1之一比率。
  10. 如請求項1之印刷佈線板，其中該補強材料具有6ppm或6ppm以下之一熱膨脹係數。
  11. 如請求項1之印刷佈線板，其中該第一積累結構中之該層間樹脂絕緣層及該導電層為該第一積累結構中之一最外層間樹脂絕緣層及形成於該最外層間樹脂絕緣層上之一最外導電層，該第一積累結構包括一導通孔導體，該導通孔導體形成於該第一積累結構中之該最外層間樹脂絕緣層中且連接該第一積累結構中之該最外導電層與該核心基板中之該第一導電層，該第二積累結構中之該層間樹脂絕緣層及該導電層為該第二積累結構中之一最外層間樹脂絕緣層及形成於該最外層間樹脂絕緣層上之一最外導電層，且該第二積累結構包括一導通孔導體，該導通孔導體形成於該第二積累結構中之該最外層間樹脂絕緣層中且連接 該第二積累結構中之該最外導電層與該核心基板中之該第二導電層。
  12. 如請求項11之印刷佈線板，其中該絕緣基板包括該補強材料，該第一積累結構及該第二積累結構不含有該補強材料，且該第一阻焊層及該第二阻焊層不含有該補強材料。
  13. 如請求項11之印刷佈線板，其中該補強材料為一玻璃布。
  14. 如請求項11之印刷佈線板，其中該第一積累結構中之該最外導電層具有處於5μm至13μm之一範圍內之一厚度，該第二積累結構中之該最外導電層具有處於5μm至13μm之一範圍內之一厚度，該第一積累結構中之該最外層間樹脂絕緣層具有處於5μm至20μm之一範圍內之一厚度，該第二積累結構中之該最外層間樹脂絕緣層具有處於5μm至20μm之一範圍內之一厚度，該第一阻焊層具有處於5μm至15μm之一範圍內之一厚度，且該第二阻焊層具有處於5μm至15μm之一範圍內之一厚度。
  15. 如請求項14之印刷佈線板，其中該第一積累結構中之該最外導電層具有處於10μm或10μm以下之一範圍內之一厚度，且該第二積累結構中之該最外導電層具有處於10μm或10μm以下之一範圍內之一厚度。
  16. 如請求項11之印刷佈線板，其中該補強材料具有6ppm或6ppm以下之一熱膨脹係數。
  17. 一種印刷佈線板，其包含：一核心基板；複數個積累結構，其包括形成於該核心基板之一第一表面上之一第一積累結構及形成於該核心基板之一第二表面上之一第二積累結構，該第二表面相對於該核心基板之該第一表面在該核心基板之該第一表面之一對置側；及 複數個阻焊層，其包括形成於該第一積累結構上之一第一阻焊層及形成於該第二積累結構上之一第二阻焊層，其中該核心基板包括一絕緣基板、形成於該絕緣基板之一第一表面上之一第一導電層、形成於該絕緣基板之一第二表面上之一第二導電層以及穿過該絕緣基板且連接該第一導電層與該第二導電層之一通孔導體，該第一積累結構包括位於該第一積累結構中之一層間樹脂絕緣層及形成於該層間樹脂絕緣層上之一導電層，該第二積累結構包括位於該第二積累結構中之一層間樹脂絕緣層及形成於該層間樹脂絕緣層上之一導電層，該第一阻焊層之一外表面與該第二阻焊層之一外表面之間的一厚度經設定為處於150μm或150μm以上且小於380μm之一範圍內，且該核心基板、該第一積累結構、該第二積累結構、該第一阻焊層及該第二阻焊層中之至少一者包括一補強材料，該補強材料之一量使得該印刷佈線板包括20體積百分比至35體積百分比之一範圍內之一量的該補強材料；該第一積累結構中之該導電層具有處於5μm至13μm之一範圍內之一厚度，該第二積累結構中之該導電層具有處於5μm至13μm之一範圍內之一厚度，該第一積累結構中之該層間樹脂絕緣層具有處於5μm至20μm之一範圍內之一厚度，該第二積累結構中之該層間樹脂絕緣層具有處於5μm至20μm之一範圍內之一厚度，該第一阻焊層具有處於5μm至15μm之一範圍內之一厚度，且該第二阻焊層具有處於5μm至15μm之一範圍內之一厚度；該第一積累結構中之該導電層具有處於10μm或10μm以下之一範圍內之一厚度，且該第二積累結構中之該導電層具有處於10μm或10μm以下之一範圍內之一厚度；且該第一積累結構中之該層間樹脂絕緣層具有處於13μm或13 μm以下之一範圍內之一厚度，且該第二積累結構中之該層間樹脂絕緣層具有處於13μm或13μm以下之一範圍內之一厚度。
  18. 一種印刷佈線板，其包含：一核心基板；複數個積累結構，其包括形成於該核心基板之一第一表面上之一第一積累結構及形成於該核心基板之一第二表面上之一第二積累結構，該第二表面相對於該核心基板之該第一表面在該核心基板之該第一表面之一對置側；及複數個阻焊層，其包括形成於該第一積累結構上之一第一阻焊層及形成於該第二積累結構上之一第二阻焊層，其中該核心基板包括一絕緣基板、形成於該絕緣基板之一第一表面上之一第一導電層、形成於該絕緣基板之一第二表面上之一第二導電層以及穿過該絕緣基板且連接該第一導電層與該第二導電層之一通孔導體，該第一積累結構包括位於該第一積累結構中之一層間樹脂絕緣層及形成於該層間樹脂絕緣層上之一導電層，該第二積累結構包括位於該第二積累結構中之一層間樹脂絕緣層及形成於該層間樹脂絕緣層上之一導電層，該第一阻焊層之一外表面與該第二阻焊層之一外表面之間的一厚度經設定為處於150μm或150μm以上且小於380μm之一範圍內，且該核心基板、該第一積累結構、該第二積累結構、該第一阻焊層及該第二阻焊層中之至少一者包括一補強材料，該補強材料之一量使得該印刷佈線板包括20體積百分比至35體積百分比之一範圍內之一量的該補強材料；該第一積累結構中之該層間樹脂絕緣層及該導電層為該第一積累結構中之一最外層間樹脂絕緣層及形成於該最外層間樹脂絕緣層上之一最外導電層，該第一積累結構包括一導通孔導 體，該導通孔導體形成於該第一積累結構中之該最外層間樹脂絕緣層中且連接該第一積累結構中之該最外導電層與該核心基板中之該第一導電層，該第二積累結構中之該層間樹脂絕緣層及該導電層為該第二積累結構中之一最外層間樹脂絕緣層及形成於該最外層間樹脂絕緣層上之一最外導電層，且該第二積累結構包括一導通孔導體，該導通孔導體形成於該第二積累結構中之該最外層間樹脂絕緣層中且連接該第二積累結構中之該最外導電層與該核心基板中之該第二導電層；該第一積累結構中之該最外導電層具有處於5μm至13μm之一範圍內之一厚度，該第二積累結構中之該最外導電層具有處於5μm至13μm之一範圍內之一厚度，該第一積累結構中之該最外層間樹脂絕緣層具有處於5μm至20μm之一範圍內之一厚度，該第二積累結構中之該最外層間樹脂絕緣層具有處於5μm至20μm之一範圍內之一厚度，該第一阻焊層具有處於5μm至15μm之一範圍內之一厚度，且該第二阻焊層具有處於5μm至15μm之一範圍內之一厚度；該第一積累結構中之該最外導電層具有處於10μm或10μm以下之一範圍內之一厚度，且該第二積累結構中之該最外導電層具有處於10μm或10μm以下之一範圍內之一厚度；且該第一積累結構中之該最外層間樹脂絕緣層具有處於13μm或13μm以下之一範圍內之一厚度，且該第二積累結構中之該最外層間樹脂絕緣層具有處於13μm或13μm以下之一範圍內之一厚度。
  19. 一種印刷佈線板，其包含：一核心基板；複數個積累結構，其包括形成於該核心基板之一第一表面上 之一第一積累結構及形成於該核心基板之一第二表面上之一第二積累結構，該第二表面相對於該核心基板之該第一表面在該核心基板之該第一表面之一對置側；及複數個阻焊層，其包括形成於該第一積累結構上之一第一阻焊層及形成於該第二積累結構上之一第二阻焊層，其中該核心基板包括一絕緣基板、形成於該絕緣基板之一第一表面上之一第一導電層、形成於該絕緣基板之一第二表面上之一第二導電層以及穿過該絕緣基板且連接該第一導電層與該第二導電層之一通孔導體，該第一積累結構包括位於該第一積累結構中之一層間樹脂絕緣層及形成於該層間樹脂絕緣層上之一導電層，該第二積累結構包括位於該第二積累結構中之一層間樹脂絕緣層及形成於該層間樹脂絕緣層上之一導電層，該第一阻焊層之一外表面與該第二阻焊層之一外表面之間的一厚度經設定為處於150μm或150μm以上且小於380μm之一範圍內，且該核心基板、該第一積累結構、該第二積累結構、該第一阻焊層及該第二阻焊層中之至少一者包括一補強材料，該補強材料之一量使得該印刷佈線板包括20體積百分比至35體積百分比之一範圍內之一量的該補強材料；該第一積累結構中之該層間樹脂絕緣層及該導電層為該第一積累結構中之一最外層間樹脂絕緣層及形成於該最外層間樹脂絕緣層上之一最外導電層，該第一積累結構包括一導通孔導體，該導通孔導體形成於該第一積累結構中之該最外層間樹脂絕緣層中且連接該第一積累結構中之該最外導電層與該核心基板中之該第一導電層，該第二積累結構中之該層間樹脂絕緣層及該導電層為該第二積累結構中之一最外層間樹脂絕緣層及形成於該最外層間樹脂絕緣層上之一最外導電層，且該第二積累 結構包括一導通孔導體，該導通孔導體形成於該第二積累結構中之該最外層間樹脂絕緣層中且連接該第二積累結構中之該最外導電層與該核心基板中之該第二導電層；且形成於第一積累結構中之該最外層間樹脂絕緣層中之該導通孔導體在該第一積累結構中之該最外層間樹脂絕緣層之一外表面上具有處於30μm至55μm之一範圍內之一直徑，且形成於第二積累結構中之該最外層間樹脂絕緣層中之該導通孔導體在該第二積累結構中之該最外層間樹脂絕緣層之一外表面上具有處於30μm至55μm之一範圍內之一直徑。
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