TWI398503B - A polystyrene material for optical semiconductor devices and an optical semiconductor device using the same - Google Patents

A polystyrene material for optical semiconductor devices and an optical semiconductor device using the same Download PDF

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Description

光半導體裝置用黏晶材及使用其之光半導體裝置
本發明係關於一種使用於黏接發光二極體(LED)元件等光半導體元件之光半導體裝置用黏晶材、以及使用該光半導體裝置用黏晶材之光半導體裝置。
發光二極體(LED)元件等光半導體元件現廣泛用於顯示裝置之光源等。使用光半導體元件之光半導體裝置之消耗電力較低且壽命較長。又，光半導體裝置於嚴酷之環境下亦可使用。因此，光半導體裝置現用於行動電話用背光、液晶電視用背光、汽車用燈、照明器具及招牌等廣泛用途。
下述專利文獻1中揭示有於基板上安裝有LED元件之光半導體裝置。於該光半導體裝置中，LED元件係使用黏晶材而接合於基板之上表面。該黏晶材含有含烯基之聚有機矽氧烷、具有3個以上鍵結於矽原子上之氫原子的聚有機氫化矽氧烷、鉑觸媒、以及接著性賦予劑。上述含烯基之聚有機矽氧烷包括：鍵結於矽原子上之羥基量為50~3000 ppm，平均具有1個以上鍵結於矽原子上之烯基，且具有SiO4/2 單元之聚有機矽氧烷。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-114365號公報
於上述光半導體裝置中，自光半導體元件發出光時，會產生較高之熱量。因此，利用黏晶材接合之光半導體元件有時會發生熱劣化。為了抑制光半導體元件之熱劣化，需要經由黏晶材充分散發所產生之熱。
然而，專利文獻1中所記載之先前之黏晶材無法充分散熱。
又，一般而言，作為填料之氧化鋁及氧化鋅由於熱導率較高，故而作為散熱性優異之材料而為人所知。然而，氧化鋁及氧化鋅之比重相對較大。因此，假設將氧化鋁及氧化鋅添加至黏晶材中之情形時，存在氧化鋁及氧化鋅於黏晶材中發生沈澱之問題。
進而，添加有上述填料之先前之光半導體裝置用黏晶材亦存在於使用該黏晶材之光半導體裝置中易產生龜裂之問題。
本發明之目的在於提供一種導熱性較高、於使用黏晶材之光半導體裝置中可使龜裂不易產生之光半導體裝置用黏晶材、以及使用該光半導體裝置用黏晶材之光半導體裝置。
根據本發明之廣泛態樣，可提供一種光半導體裝置用黏晶材，其含有：具有鍵結於矽原子上之氫原子之第1聚矽氧樹脂、不具有鍵結於矽原子上之氫原子且具有烯基之第2聚矽氧樹脂、矽氫化反應用觸媒、以及化學式MgCO3 所表示之不含結晶水之碳酸鎂無水鹽及該碳酸鎂無水鹽之表面經有機樹脂、聚矽氧樹脂或二氧化矽被覆之被覆體中之至少一種物質。
本發明之光半導體裝置用黏晶材之某特定態樣中，上述第1聚矽氧樹脂係以下述式(1A)或下述式(1B)表示且具有鍵結於矽原子上之氫原子者；上述第2聚矽氧樹脂係以下述式(51A)或下述式(51B)表示，不具有鍵結於矽原子上之氫原子且具有烯基者。
[化1]
(R1R2R3SiO1/2 )a (R4R5SiO2/2 )b (R6SiO3/2 )c 　…式(1A)
上述式(1A)中，a、b及c滿足a/(a+b+c)=0.05~0.50、b/(a+b+c)=0~0.40及c/(a+b+c)=0.30~0.80，R1~R6中至少1個表示氫原子，氫原子以外之R1~R6表示碳數1~8之烴基。
[化2]
(R1R2R3SiO1/2 )a (R4R5SiO2/2 )b (R6SiO3/2 )c (R7R8R9R10Si2 R11O2/2 )d 　…式(1B)
上述式(1B)中，a、b、c及d滿足a/(a+b+c+d)=0.05~0.50、b/(a+b+c+d)=0~0.40、c/(a+b+c+d)=0.30~0.80及d/(a+b+c+d)=0.01~0.40，R1~R6中至少1個表示氫原子，氫原子以外之R1~R6表示碳數1~8之烴基，R7~R10分別表示碳數1~8之烴基，R11表示碳數1~8之2價之烴基。
[化3]
(R51R52R53SiO1/2 )p (R54R55SiO2/2 )q (R56SiO3/2 )r 　…式(51A)
上述式(51A)中，p、q及r滿足p/(p+q+r)=0.05~0.50、q/(p+q+r)=0~0.40及r/(p+q+r)=0.30~0.80，R51~R56中至少1個表示苯基，至少1個表示烯基，苯基及烯基以外之R51~R56表示碳數1~8之烴基。
[化4]
(R51R52R53SiO1/2 )p (R54R55SiO2/2 )q (R56SiO3/2 )r (R57R58R59R60Si2 R61O2/2 )s 　…式(51B)
上述式(51B)中，p、q、r及s滿足p/(p+q+r+s)=0.05~0.50、q/(p+q+r+s)=0~0.40、r/(p+q+r+s)=0.30~0.80及s/(p+q+r+s)=0.01~0.40，R51~R56中至少1個表示苯基，至少1個表示烯基，苯基及烯基以外之R51~R56表示碳數1~8之烴基，R57~R60分別表示碳數1~8之烴基，R61表示碳數1~8之2價烴基。
於本發明之光半導體裝置用黏晶材之另一特定態樣中，上述第1聚矽氧樹脂係具有鍵結於矽原子上之氫原子與烯基者。
於本發明之光半導體裝置用黏晶材之另一特定態樣中，上述物質之平均粒徑為3 μm以下。
於本發明之光半導體裝置用黏晶材之又一特定態樣中，進而含有與上述物質不同之平均粒徑為0.01~2 μm且熱導率為10 W/m‧K以上之填料。
於本發明之光半導體裝置用黏晶材之另一特定態樣中，上述填料係選自由氧化鋁、氮化硼、氮化矽及氧化鋅所組成之群中之至少1種。
本發明之光半導體裝置具備：依據本發明而構成之光半導體裝置用黏晶材、連接對象構件、及使用上述光半導體裝置用黏晶材而連接於上述連接對象構件上之光半導體元件。
本發明之光半導體裝置用黏晶材由於含有具有鍵結於矽原子上之氫原子之第1聚矽氧樹脂、不具有鍵結於矽原子上之氫原子且具有烯基之第2聚矽氧樹脂、矽氫化反應用觸媒、以及化學式MgCO3 所表示之不含結晶水之碳酸鎂無水鹽及該碳酸鎂無水鹽之表面經有機樹脂、聚矽氧樹脂或二氧化矽被覆之被覆體中之至少一種物質，故而可提高導熱性。進而，於使用黏晶材之光半導體裝置中可使黏晶材不易產生龜裂。
以下，詳細說明本發明。
本發明之光半導體裝置用黏晶材含有：具有鍵結於矽原子上之氫原子之第1聚矽氧樹脂、不具有鍵結於矽原子上之氫原子且具有烯基之第2聚矽氧樹脂、矽氫化反應用觸媒、及物質(X)。上述物質(X)係化學式MgCO3 所表示之不含結晶水之碳酸鎂無水鹽(X1)及該碳酸鎂無水鹽之表面經有機樹脂、聚矽氧樹脂或二氧化矽被覆之被覆體(X2)中之至少一種。
藉由採用上述組成，可提高黏晶材之導熱性。進而，不僅可提高黏晶材之導熱性，於使用黏晶材之光半導體裝置中亦可使黏晶材上不易產生龜裂。若黏晶材之導熱性較高，則可使自光半導體元件產生之熱量充分散發，可抑制光半導體元件之熱劣化。因此，可長時間使用光半導體裝置，可提高光半導體裝置之可靠性。
為了賦予導熱性，一般使用氧化鋅、氮化鋁、氮化硼、氧化鋁、氧化鎂及二氧化矽等作為填料。氮化物之導熱性非常高。例如，氮化鋁之熱導率為150~250 W/m‧K，氮化硼之熱導率為30~50 W/m‧K。但是，氮化物非常昂貴。又，氧化鋁相對廉價，導熱性亦為20~35 W/m‧K之相對較高值。但是，氧化鋁之莫氏硬度為9，硬度較高。因此，推測於使用氧化鋁之情形時，黏晶材中產生龜裂會成為問題。氧化鎂較為廉價，熱導率亦為45~60 W/m‧K之良好值。但是，氧化鎂之耐水性較低。二氧化矽非常廉價。但是，二氧化矽之熱導率為2 W/m‧K之較低值。又，由於氧化鋁及氧化鋅之比重相對較大，故而亦存在氧化鋁及氧化鋅於黏晶材中發生沈澱之問題。
化學式MgCO3 所表示之不含結晶水之碳酸鎂無水鹽(X1)之熱導率為15 W/m‧K之相對良好之值，莫氏硬度亦為3.5之較低值。因此，藉由使用上述碳酸鎂鹽(X1)或含有該碳酸鎂鹽之上述被覆體(X2)，可提高黏晶材之導熱性，抑制黏晶材之龜裂。進而，上述碳酸鎂無水鹽(X1)比氮化物廉價。因此，藉由使用上述碳酸鎂鹽(X1)或含有該碳酸鎂鹽之上述被覆體(X2)，可降低光半導體裝置用黏晶材之生產成本。
再者，化學式MgCO3 所表示之不含結晶水之碳酸鎂無水鹽(X1)不同於例如化學式4MgCO3 ‧Mg(OH2 )‧4H2 O所表示之羥基碳酸鎂。該羥基碳酸鎂有時亦簡稱為碳酸鎂。若將該羥基碳酸鎂加熱至100℃左右，則會釋放出結晶水。因此，羥基碳酸鎂不適例如要求較高之耐熱性之光半導體裝置之用途。
上述第1聚矽氧樹脂及上述第2聚矽氧樹脂中之根據下述式(X)求出之芳基之含有比率分別較佳為10莫耳%以上，更佳為20莫耳%以上，較佳為50莫耳%以下，更佳為40莫耳%以下。若芳基之含有比率為上述下限以上及上述上限以下，則阻氣性進一步提高，且變得不易發生黏晶材之剝離。
芳基之含有比率(莫耳%)=(每1分子之上述第1聚矽氧樹脂或上述第2聚矽氧樹脂中所含之芳基之平均個數×芳基之分子量/上述第1聚矽氧樹脂或上述第2聚矽氧樹脂之數量平均分子量)×100式(X)
(第1聚矽氧樹脂)
本發明之光半導體裝置用黏晶材中所含之第1聚矽氧樹脂具有鍵結於矽原子上之氫原子。該氫原子直接鍵結於矽原子上。就進一步提高黏晶材之阻氣性的觀點而言，第1聚矽氧樹脂較佳為具有鍵結於矽原子上之氫原子、與芳基。作為該芳基，可列舉未經取代之苯基、經取代之苯基、未經取代之伸苯基及經取代之伸苯基。
就獲得阻氣性進一步優異之黏晶材之觀點而言，上述第1聚矽氧樹脂較佳為具有鍵結於矽原子上之氫原子、與烯基。
就獲得阻氣性進一步優異之黏晶材之觀點而言，上述第1聚矽氧樹脂較佳為下述式(1A)或下述式(1B)所表示之第1聚矽氧樹脂。其中，亦可使用下述式(1A)或下述式(1B)所表示之第1聚矽氧樹脂以外之第1聚矽氧樹脂作為上述第1聚矽氧樹脂。下述式(1B)所表示之第1聚矽氧樹脂可具有伸苯基，亦可不具有伸苯基。上述第1聚矽氧樹脂可僅使用1種，亦可併用2種以上。
[化5]
(R1R2R3SiO1/2 )a (R4R5SiO2/2 )b (R6SiO3/2 )c 　…式(1A)
上述式(1A)中，a、b及c滿足a/(a+b+c)=0.05~0.50、b/(a+b+c)=0~0.40及c/(a+b+c)=0.30~0.80，R1~R6中至少1個表示氫原子，氫原子以外之R1~R6表示碳數1~8之烴基。再者，上述式(1A)中，(R4R5SiO2/2 )所表示之結構單元及(R6SiO3/2 )所表示之結構單元分別可具有烷氧基，亦可具有羥基。
[化6]
(R1R2R3SiO1/2 )a (R4R5SiO2/2 )b (R6SiO3/2 )c (R7R8R9R10Si2 R11O2/2 )d 　…式(1B)
上述式(1B)中，a、b、c及d滿足a/(a+b+c+d)=0.05~0.50、b/(a+b+c+d)=0~0.40、c/(a+b+c+d)=0.30~0.80及d/(a+b+c+d)=0.01~0.40，R1~R6中至少1個表示氫原子，氫原子以外之R1~R6表示碳數1~8之烴基，R7~R10分別表示碳數1~8之烴基，R11表示碳數1~8之2價烴基。再者，上述式(1B)中，(R4R5SiO2/2 )所表示之結構單元、(R6SiO3/2 )所表示之結構單元、(R7R8R9R10Si2 R11O2/2 )所表示之結構單元分別可具有烷氧基，亦可具有羥基。
就獲得阻氣性進一步優異之黏晶材之觀點而言，較佳為上述式(1A)中，R1~R6中至少1個表示苯基，至少1個表示氫原子，苯基及氫原子以外之R1~R6表示碳數1~8之烴基。
就獲得阻氣性進一步優異之黏晶材之觀點而言，較佳為上述式(1B)中，R1~R6中至少1個表示苯基，至少1個表示氫原子，苯基及氫原子以外之R1~R6表示碳數1~8之烴基。
就獲得阻氣性進一步優異之黏晶材之觀點而言，較佳為上述式(1A)中，R1~R6中至少1個表示氫原子，至少1個表示烯基，氫原子及烯基以外之R1~R6表示碳數1~8之烴基。
就獲得阻氣性進一步優異之黏晶材之觀點而言，較佳為上述式(1B)中，R1~R6中至少1個表示氫原子，至少1個表示烯基，氫原子及烯基以外之R1~R6表示碳數1~8之烴基。
就獲得阻氣性進一步優異之黏晶材之觀點而言，較佳為上述式(1A)中，R1~R6中至少1個表示苯基，至少1個表示氫原子，至少1個表示烯基，苯基、氫原子及烯基以外之R1~R6表示碳數1~8之烴基。
就獲得阻氣性進一步優異之黏晶材之觀點而言，較佳為上述式(1B)中，R1~R6中至少1個表示苯基，至少1個表示氫原子，至少1個表示烯基，苯基、氫原子及烯基以外之R1~R6表示碳數1~8之烴基。
上述式(1A)及上述式(1B)表示平均組成式。上述式(1A)及上述式(1B)中之烴基可為直鏈狀，亦可為分支狀。上述式(1A)及上述式(1B)中之R1~R6可相同，亦可不同。上述式(1B)中之R7~R10可相同，亦可不同。
上述式(1A)及上述式(1B)中，(R4R5SiO2/2 )所表示之結構單元中之氧原子部分、(R6SiO3/2 )所表示之結構單元中之氧原子部分、(R7R8R9R10Si2 R11O2/2 )所表示之結構單元中之氧原子部分分別表示形成矽氧烷鍵之氧原子部分、烷氧基之氧原子部分、或羥基之氧原子部分。
再者，一般而言，上述式(1A)及上述式(1B)之各結構單元中，烷氧基之含量較少，進而羥基之含量亦較少。其原因在於：一般而言，為了獲得第1聚矽氧樹脂，若將烷氧基矽烷化合物等有機矽化合物水解並使之縮聚合，則烷氧基及羥基之多數會轉化為矽氧烷鍵之部分骨架。即，烷氧基之氧原子及羥基之氧原子之多數轉化為形成矽氧烷鍵之氧原子。於上述式(1A)及上述式(1B)之各結構單元具有烷氧基或羥基之情形時，表示微量殘存未轉化為矽氧烷鍵之部分骨架之未反應之烷氧基或羥基。於下述式(51A)及式(51B)之各結構單元具有烷氧基或羥基之情形時亦相同。
上述式(1A)及上述式(1B)中之碳數1~8之烴基並無特別限定，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、異丙基、異丁基、第二丁基、第三丁基、異戊基、新戊基、第三戊基、異己基、環己基、乙烯基、烯丙基及苯基等。
上述式(1B)中之碳數1~8之2價烴基並無特別限定，例如可列舉：亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸環己基及伸苯基等。
上述式(1A)及上述式(1B)中，作為烯基，可列舉：乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基及己烯基等。就進一步提高阻氣性之觀點而言，上述第1聚矽氧樹脂中之烯基較佳為乙烯基或烯丙基，更佳為乙烯基。
上述式(1A)或上述式(1B)所表示之第1聚矽氧樹脂中之藉由下述式(X1)所求出之芳基之含有比率較佳為10莫耳%以上，較佳為50莫耳%以下。若該芳基之含有比率為10莫耳%以上，則阻氣性進一步提高。若芳基之含有比率為50莫耳%以下，則變得不易發生黏晶材之剝離。就進一步提高阻氣性之觀點而言，芳基之含有比率更佳為20莫耳%以上。就進一步不易發生黏晶材之剝離之觀點而言，芳基之含有比率更佳為40莫耳%以下。
芳基之含有比率(莫耳%)=(每1分子之平均組成式以上述式(1A)或上述式(1B)表示之第1聚矽氧樹脂中所含之芳基之平均個數×芳基之分子量/平均組成式以上述式(1A)或上述式(1B)表示之第1聚矽氧樹脂之數量平均分子量)×100...式(X1)
於使用以上述式(1A)表示且具有苯基之第1聚矽氧樹脂之情形時，上述式(X1)中之芳基表示苯基，芳基之含有比率表示苯基之含有比率。
於使用以上述式(1B)表示且具有苯基與伸苯基之第1聚矽氧樹脂之情形時，上述式(X1)中之芳基表示苯基與伸苯基，芳基之含有比率表示苯基與伸苯基之合計之含有比率。
於使用以上述式(1B)表示、具有苯基且不具有伸苯基之第1聚矽氧樹脂之情形時，上述式(X1)中之芳基表示苯基，芳基之含有比率表示苯基之含有比率。
就進一步提高阻氣性之觀點而言，上述式(1B)中，(R7R8R9R10Si2 R11O2/2 )之結構單元較佳為下述式(1b-1)所表示之結構單元。下述式(1b-1)所表示之結構單元具有伸苯基，該伸苯基為經取代或未經取代之伸苯基。於本說明書中，「伸苯基」之用語亦包括碳數1~8之烴基取代在苯環上之經取代之伸苯基。
[化7]
上述式(1b-1)中，Ra表示氫原子或碳數1~8之烴基，R7~R10分別表示碳數1~8之烴基。上述烴基可為直鏈狀，亦可為分支狀。再者，鍵結於上述式(1b-1)中之苯環上之3個基之鍵結部位並無特別限定。又，於上述式(1b-1)所表示之結構單元中，末端之氧原子通常與鄰接之矽原子形成矽氧烷鍵，且與鄰接之結構單元共有氧原子。因此，將末端之1個氧原子設為「O1/2 」。
上述式(1B)中，(R7R8R9R10Si2 R11O2/2 )之結構單元較佳為下述式(1B-2)所表示之結構單元。下述式(1b-2)所表示之結構單元具有伸苯基，該伸苯基為經取代或未經取代之伸苯基。鍵結於下述式(1b-2)中之苯環上之Ra之鍵結部位並無特別限定。
[化8]
上述式(1b-2)中，Ra表示氫原子或碳數1~8之烴基，R7~R10分別表示碳數1~8之烴基。
上述式(1B)中，(R7R8R9R10Si2 R11O2/2 )之結構單元更佳為下述式(1b-3)所表示之結構單元。下述式(1b-3)所表示之結構單元具有伸苯基，該伸苯基為未經取代之伸苯基。
[化9]
上述式(1b-3)中，R7~R10分別表示碳數1~8之烴基。
於上述式(1A)或上述式(1B)所表示之第1聚矽氧樹脂中，(R4R5SiO2/2 )所表示之結構單元(以下亦稱為雙官能結構單元)可含有下述式(1-2)所表示之結構、即雙官能結構單元中之鍵結於矽原子上之氧原子之1個構成羥基或烷氧基之結構。
(R4R5SiXO1/2 )　…式(1-2)
(R4R5SiO2/2 )所表示之結構單元可含有下述式(1-b)所表示之結構單元之被虛線包圍之部分，亦可進而含有下述式(1-2-b)所表示之結構單元之被虛線包圍之部分。即，具有R4及R5所表示之基且烷氧基或羥基殘存於末端之結構單元亦包括在(R4R5SiO2/2 )所表示之結構單元中。具體而言，於烷氧基轉化為矽氧烷鍵之部分骨架之情形時，(R4R5SiO2/2 )所表示之結構單元表示下述式(1-b)所表示之結構單元之被虛線包圍之部分。於殘存未反應之烷氧基之情形時、或烷氧基轉化為羥基之情形時，具有殘存烷氧基或羥基之(R4R5SiO2/2 )所表示之結構單元表示下述式(1-2-b)所表示之結構單元之被虛線包圍之部分。
[化10]
上述式(1-2)及上述式(1-2-b)中，X表示OH或OR，OR表示直鏈狀或分支狀之碳數1~4之烷氧基。上述式(1-b)、(1-2)及(1-2-b)中之R4及R5係與上述式(1A)及上述式(1B)中之R4及R5相同之基。
上述式(1A)或上述式(1B)所表示之第1聚矽氧樹脂中，(R6SiO3/2 )所表示之結構單元(以下亦稱為三官能結構單元)可含有下述式(1-3)或下述式(1-4)所表示之結構、即三官能結構單元中之鍵結於矽原子上之氧原子之2個分別構成羥基或烷氧基之結構、或三官能結構單元中之鍵結於矽原子上之氧原子之1個構成羥基或烷氧基之結構。
(R6SiX2 O1/2 )　…式(1-3)
(R6SiXO2/2 )　…式(1-4)
(R6SiO3/2 )所表示之結構單元可含有下述式(1-c)所表示之結構單元之被虛線包圍之部分，亦可進而含有下述式(1-3-c)或下述式(1-4-c)所表示之結構單元之被虛線包圍之部分。即，具有R6所表示之基且烷氧基或羥基殘存於末端之結構單元亦包括在(R6SiO3/2 )所表示之結構單元中。
[化11]
上述式(1-3)、(1-3-c)、(1-4)及(1-4-c)中，X表示OH或OR，OR表示直鏈狀或分支狀之碳數1~4之烷氧基。上述式(1-c)、(1-3)、(1-3-c)、(1-4)及(1-4-c)中之R6係與上述式(1A)及上述式(1B)中之R6相同之基。
於上述式(1B)所表示之第1聚矽氧樹脂中，(R7R8R9R10Si2 R11O2/2 )所表示之結構單元可含有下述式(1-5)所表示之結構、即(R7R8R9R10Si2 R11O2/2 )之結構單元中之鍵結於矽原子上之氧原子之1個構成羥基或烷氧基之結構。
(R7R8R9R10Si2 R11XO1/2 )　…式(1-5)
(R7R8R9R10Si2 R11O2/2 )所表示之結構單元可含有下述式(1-d)所表示之結構單元之被虛線包圍之部分，亦可進而含有下述式(1-5-d)所表示之結構單元之被虛線包圍之部分。即，具有R7、R8、R9、R10及R11所表示之基且烷氧基或羥基殘存於末端之結構單元亦包括在(R7R8R9R10Si2 R11O2/2 )所表示之結構單元中。
[化12]
上述式(1-5)及(1-5-d)中，X表示OH或OR，OR表示直鏈狀或分支狀之碳數1~4之烷氧基。上述式(1-d)、(1-5)及(1-5-d)中之R7~R11係與上述式(1B)中之R7~R11相同之基。
上述式(1-b)~(1-d)、式(1-2)~(1-5)、以及式(1-2-b)、(1-3-c)、(1-4-c)、及(1-5-d)中，直鏈狀或分支狀之碳數1~4之烷氧基並無特別限定，例如可列舉：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、異丙氧基、異丁氧基、第二丁氧基及第三丁氧基。
上述式(1A)中，a/(a+b+c)之下限為0.05，上限為0.50。若a/(a+b+c)滿足上述下限及上限，則可進一步提高黏晶材之耐熱性，且可進一步抑制黏晶材之剝離。上述式(1A)中，a/(a+b+c)之較佳下限為0.10，更佳下限為0.15，較佳上限為0.45，更佳上限為0.40。
上述式(1A)中，b/(a+b+c)之下限為0，上限為0.40。若b/(a+b+c)滿足上述上限，則可提高黏晶材於高溫下之儲存彈性模數。再者，於B為0、b/(a+b+c)為0之情形時，上述式(1A)中不存在(R4R5SiO2/2 )之結構單元。
上述式(1A)中，c/(a+b+c)之下限為0.30，上限為0.80。若c/(a+b+c)滿足上述下限，則可提高黏晶材於高溫下之儲存彈性模數。若c/(a+b+c)滿足上述上限，則黏晶材之耐熱性提高，且於高溫環境下黏晶材之硬化物之厚度變得不易減少。上述式(1A)中，c/(a+b+c)之較佳下限為0.35，更佳下限為0.40，較佳上限為0.75。
上述式(1B)中，a/(a+b+c+d)之下限為0.05，上限為0.50。若a/(a+b+c+d)滿足上述下限及上限，則可進一步提高黏晶材之耐熱性，且可進一步抑制黏晶材之剝離。上述式(1B)中，a/(a+b+c+d)之較佳下限為0.10，更佳下限為0.15，較佳上限為0.45，更佳上限為0.40。
上述式(1B)中，b/(a+b+c+d)之下限為0，上限為0.40。若b/(a+b+c+d)滿足上述上限，則可提高黏晶材於高溫下之儲存彈性模數。再者，於b為0、b/(a+b+c+d)為0之情形時，上述式(1B)中不存在(R4R5SiO2/2 )之結構單元。
上述式(1B)中，c/(a+b+c+d)之下限為0.30，上限為0.80。若c/(a+b+c+d)滿足上述下限，則可提高黏晶材於高溫下之儲存彈性模數。若c/(a+b+c+d)滿足上述上限，則黏晶材之耐熱性提高，且於高溫環境下黏晶材之硬化物之厚度變得不易減少。c/(a+b+c+d)之較佳下限為0.35，更佳下限為0.40，較佳上限為0.75。
上述式(1B)中，d/(a+b+c+d)之下限為0.01，上限為0.40。若d/(a+b+c+d)滿足上述下限及上限，則可獲得對腐蝕性氣體具有較高之阻氣性，即使於嚴酷環境下使用亦不易產生龜裂或剝離之光半導體裝置用黏晶材。就獲得對腐蝕性氣體具有進而更高之阻氣性，即使於嚴酷環境下使用亦進一步不易產生龜裂或剝離之光半導體裝置用黏晶材之觀點而言，上述式(1B)中，d/(a+b+c+d)之較佳下限為0.03，更佳下限為0.05，較佳上限為0.35，更佳上限為0.30。
若針對上述第1聚矽氧樹脂，以四甲基矽烷(以下稱為TMS)為基準進行29 Si-核磁共振分析(以下稱為NMR)，則根據取代基種類之不同雖然可見若干變動，但相當於上述式(1A)及上述式(1B)中之(R1R2R3SiO1/2 )a 所表示之結構單元的各波峰出現於+10~-5 ppm附近，相當於上述式(1A)及上述式(1B)中之(R4R5SiO2/2 )b 及上述式(1-2)之雙官能結構單元的各波峰出現於-10~-50 ppm附近，相當於上述式(1A)及上述式(1B)中之(R6SiO3/2 )c 、以及上述式(1-3)及上述式(1-4)之三官能結構單元的各波峰出現於-50~-80 ppm附近，相當於上述式(1B)中之(R7R8R9R10Si2 R11O2/2 )d 及上述式(1-5)之結構單元的各波峰出現於0~-5 ppm附近。
因此，藉由測定29 Si-NMR並比較各自之訊號之波峰面積，可測定上述式(1A)及上述式(1B)中之各結構單元之比率。
其中，於藉由以上述TMS為基準之29 Si-NMR之測定無法區分上述式(1A)及上述式(1B)中之結構單元之情形時，藉由不僅使用29 Si-NMR之測定結果，亦視需要使用1 H-NMR之測定結果，可區分上述式(1A)及上述式(1B)中之各結構單元之比率。
(第2聚矽氧樹脂)
本發明之光半導體裝置用黏晶材中所含之第2聚矽氧樹脂具有烯基。該烯基直接鍵結於矽原子上。可使上述烯基之碳-碳雙鍵中之碳原子鍵結於矽原子上，亦可使與上述烯基之碳-碳雙鍵中之碳原子不同之碳原子鍵結於矽原子上。
就進一步提高黏晶材之阻氣性之觀點而言，較佳為上述第2聚矽氧樹脂具有烯基與芳基。作為該芳基，可列舉：未經取代之苯基、經取代之苯基、未經取代之伸苯基及經取代之伸苯基。
就獲得阻氣性進一步優異之黏晶材之觀點而言，上述第2聚矽氧樹脂較佳為下述式(51A)或下述式(51B)所表示之第2聚矽氧樹脂。其中，作為上述第2聚矽氧樹脂，亦可使用下述式(51A)或下述式(51B)所表示之第2聚矽氧樹脂以外之第2聚矽氧樹脂。下述式(51B)所表示之聚矽氧樹脂可具有伸苯基，亦可不具有伸苯基。上述第2聚矽氧樹脂可僅使用1種，亦可併用2種以上。
[化13]
(R51R52R53SiO1/2 )p (R54R55SiO2/2 )q (R56SiO3/2 )r …式(51A)
上述式(51A)中，p、q及r滿足p/(p+q+r)=0.05~0.50、q/(p+q+r)=0~0.40及r/(p+q+r)=0.30~0.80，R51~R56中至少1個表示苯基，至少1個表示烯基，苯基及烯基以外之R51~R56表示碳數1~8之烴基。再者，上述式(51A)中，(R54R55SiO2/2 )所表示之結構單元及(R56SiO3/2 )所表示之結構單元分別可具有烷氧基，亦可具有羥基。
[化14]
(R51R52R53Sio1/2 )p (R54R55SiO2/2 )q (R56Sio3/2 )r (R57R58R59R60Si2 R61O2/2 )s …式(51B)
上述式(51B)中，p、q、r及s滿足p/(p+q+r+s)=0.05~0.50、q/(p+q+r+s)=0~0.40、r/(p+q+r+s)=0.30~0.80及s/(p+q+r+s)=0.01~0.40，R51~R56中至少1個表示苯基，至少1個表示烯基，苯基及烯基以外之R51~R56表示碳數1~8之烴基，R57~R60分別表示碳數1~8之烴基，R61表示碳數1~8之2價烴基。再者，上述式(51B)中，(R54R55SiO2/2 )所表示之結構單元、(R56SiO3/2 )所表示之結構單元、(R57R58R59R60Si2 R61O2/2 )所表示之結構單元分別可具有烷氧基，亦可具有羥基。
上述式(51A)及上述式(51B)表示平均組成式。上述式(51A)及上述式(51B)中之烴基可為直鏈狀，亦可為分支狀。上述式(51A)及上述式(51B)中之R51~R56可相同，亦可不同。上述式(51B)中之R57~R60可相同，亦可不同。
上述式(51A)及(51B)中，(R54R55SiO2/2 )所表示之結構單元中之氧原子部分、(R56SiO3/2 )所表示之結構單元中之氧原子部分、(R57R58R59R60Si2 R61O2/2 )所表示之結構單元中之氧原子部分分別表示形成矽氧烷鍵之氧原子部分、烷氧基之氧原子部分或羥基之氧原子部分。
上述式(51A)及上述式(51B)中，作為烯基，可列舉：乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基及己烯基等。就進一步提高阻氣性之觀點而言，第2聚矽氧樹脂中之烯基及上述式(51A)及上述式(51B)中之烯基較佳為乙烯基或烯丙基，更佳為乙烯基。
上述式(51A)及上述式(51B)中之碳數1~8之烴基並無特別限定，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、異丙基、異丁基、第二丁基、第三丁基、異戊基、新戊基、第三戊基、異己基及環己基。上述式(51B)中之碳數1~8之2價烴基並無特別限定，例如可列舉：亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸環己基及伸苯基等。
上述式(51A)或上述式(51B)所表示之第2聚矽氧樹脂中之根據下述式(X51)所求出之芳基之含有比率較佳為10莫耳%以上，較佳為50莫耳%以下。若該芳基之含有比率為10莫耳%以上，則阻氣性進一步提高。若芳基之含有比率為50莫耳%以下，則變得不易發生黏晶材之剝離。就進一步提高阻氣性之觀點而言，芳基之含有比率更佳為20莫耳%以上。就進一步不易發生剝離之觀點而言，芳基之含有比率較佳為40莫耳%以下。
芳基之含有比率(莫耳%)=(每1分子之平均組成式以上述式(51A)或上述式(51B)表示之第2聚矽氧樹脂中所含之芳基之平均個數×芳基之分子量/平均組成式以上述式(51A)或上述式(51B)表示之第2聚矽氧樹脂之數量平均分子量)×100…式(X51)
於使用以上述式(51A)表示且具有苯基之第2聚矽氧樹脂之情形時，上述式(X51)中之芳基表示苯基，芳基之含有比率表示苯基之含有比率。
於使用以上述式(51A)表示且具有苯基與伸苯基之第2聚矽氧樹脂之情形時，上述式(X51)中之芳基表示苯基與伸苯基，芳基之含有比率表示苯基與伸苯基之合計之含有比率。
於使用以上述式(51B)表示、具有苯基且不具有伸苯基之第2聚矽氧樹脂之情形時，上述式(X51)中之芳基表示苯基，芳基之含有比率表示苯基之含有比率。
就進一步提高阻氣性之觀點而言，上述式(51B)中，(R57R58R59R60Si2 R61O2/2 )之結構單元較佳為下述式(51b-1)所表示之結構單元。下述式(51b-1)所表示之結構單元具有伸苯基，該伸苯基為經取代或未經取代之伸苯基。
[化15]
上述式(51b-1)中，Rb表示氫原子或碳數1~8之烴基，R57~R60分別表示碳數1~8之烴基。上述烴基可為直鏈狀，亦可為分支狀。再者，鍵結於上述式(51b-1)中之苯環上之3個基之鍵結部位並無特別限定。
上述式(51B)中，(R57R58R59R60Si2 R61O2/2 )之結構單元較佳為下述式(51b-2)所表示之結構單元。下述式(51b-2)所表示之結構單元具有伸苯基，該伸苯基為經取代或未經取代之伸苯基。鍵結於下述式(51b-2)中之苯環上之Rb之鍵結部位並無特別限定。
[化16]
上述式(51b-2)中，Rb表示氫原子或碳數1~8之烴基，R57~R60分別表示碳數1~8之烴基。
上述式(51B)中，(R57R58R59R60Si2 R61O2/2 )之結構單元較佳為下述式(51B-3)所表示之結構單元。下述式(51b-3)所表示之結構單元具有伸苯基，該伸苯基為未經取代之伸苯基。
[化17]
上述式(51b-3)中，R57~R60分別表示碳數1~8之烴基。
上述式(51A)或上述式(51B)所表示之第2聚矽氧樹脂中，(R54R55SiO2/2 )所表示之結構單元(以下亦稱為雙官能結構單元)亦可含有下述式(51-2)所表示之結構、即雙官能結構單元中之鍵結於矽原子上之氧原子之1個構成羥基或烷氧基之結構。
(R54R55SiXO1/2 )　…式(51-2)
(R54R55SiO2/2 )所表示之結構單元可含有下述式(51-b)所表示之結構單元之被虛線包圍之部分，亦可進而含有下述式(51-2-b)所表示之結構單元之被虛線包圍之部分。即，具有R54及R55所表示之基且烷氧基或羥基殘存於末端之結構單元亦包括在(R54R55SiO2/2 )所表示之結構單元中。
[化18]
上述式(51-2)及(51-2-b)中，X表示OH或OR，OR表示直鏈狀或分支狀之碳數1~4之烷氧基。上述式(51-b)、(51-2)及(51-2-b)中之R54及R55係與上述式(51A)或上述式(51B)中之R54及R55相同之基。
上述式(51A)或上述式(51B)所表示之第2聚矽氧樹脂中，(R56SiO3/2 )所表示之結構單元(以下亦稱為三官能結構單元)亦可含有下述式(51-3)或下述式(51-4)所表示之結構、即三官能結構單元中之鍵結於矽原子上之氧原子之2個分別構成羥基或烷氧基之結構、或三官能結構單元中之鍵結於矽原子上之氧原子之1個構成羥基或烷氧基之結構。
(R56SiX2 O1/2 )　…式(51-3)
(R56SiXO2/2 )　…式(51-4)
(R56SiO3/2 )所表示之結構單元可含有下述式(51-c)所表示之結構單元之被虛線包圍之部分，亦可進而含有下述式(51-3-c)或下述式(51-4-c)所表示之結構單元之被虛線包圍之部分。即，具有R56所表示之基且烷氧基或羥基殘存於末端之結構單元亦包括在(R56SiO3/2 )所表示之結構單元中。
[化19]
上述式(51-3)、(51-3-c)、(51-4)及(51-4-c)中，X表示OH或OR，OR表示直鏈狀或分支狀之碳數1~4之烷氧基。上述式(51-c)、(51-3)、(51-3-c)、(51-4)及(51-4-c)中之R56係與上述式(51A)及(51B)中之R56相同之基。
於上述式(51B)所表示之第2聚矽氧樹脂中，(R57R58R59R60Si2 R61O2/2 )所表示之結構單元亦可含有下述式(51-5)所表示之結構、即(R57R58R59R60Si2 R61O2/2 )之結構單元中之鍵結於矽原子上之氧原子之1個構成羥基或烷氧基之結構。
(R57R58R59R60Si2 XR61O1/2 )　…式(51-5)
(R57R58R59R60Si2 R61O2/2 )所表示之結構單元可含有下述式(51-d)所表示之結構單元之被虛線包圍之部分，亦可進而含有下述式(51-5-d)所表示之結構單元之被虛線包圍之部分。即，具有R57、R58、R59、R60及R61所表示之基且烷氧基或羥基殘存於末端之結構單元亦包括在(R57R58R59R60Si2 R61O2/2 )所表示之結構單元中。
[化20]
上述式(51-5)及(51-5-d)中，X表示OH或OR，OR表示直鏈狀或分支狀之碳數1~4之烷氧基。上述式(51-d)、(51-5)及(51-5-d)中之R57~R61係與上述式(51B)中之R57~R61相同之基。
上述式(51-b)~(51-d)、式(51-2)~(51-5)、以及式(51-2-b)、(51-3-c)、(51-4-c)、及(51-5-d)中，直鏈狀或分支狀之碳數1~4之烷氧基並無特別限定，例如可列舉：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、異丙氧基、異丁氧基、第二丁氧基及第三丁氧基。
上述式(51A)中，p/(p+q+r)之下限為0.05，上限為0.50。若p/(p+q+r)滿足上述下限及上限，則可進一步提高黏晶材之耐熱性，且可進一步抑制黏晶材之剝離。上述式(51A)中，p/(p+q+r)之較佳下限為0.10，更佳下限為0.15，較佳上限為0.45，更佳上限為0.40。
上述式(51A)中，q/(p+q+r)之下限為0，上限為0.40。若q/(p+q+r)滿足上述上限，則可提高黏晶材於高溫下之儲存彈性模數。上述式(51A)中，q/(p+q+r)之較佳上限為0.35，更佳上限為0.30。再者，於q為0、q/(p+q+r)為0之情形時，上述式(51A)中不存在(R54R55SiO2/2 )之結構單元。
上述式(51A)中，r/(p+q+r)之下限為0.30，上限為0.80。若r/(p+q+r)滿足上述下限，則可提高黏晶材於高溫下之儲存彈性模數。若r/(p+q+r)滿足上述上限，則黏晶材之耐熱性提高且於高溫環境下黏晶材之硬化物之厚度變得不易減少。
上述式(51B)中，p/(p+q+r+s)之下限為0.05，上限為0.50。若p/(p+q+r+s)滿足上述上限，則可進一步提高黏晶材之耐熱性且可進一步抑制黏晶材之剝離。
上述式(51B)中，q/(p+q+r+s)之下限為0，上限為0.40。若q/(p+q+r+s)滿足上述上限，則可提高黏晶材於高溫下之儲存彈性模數。再者，於q為0、q/(p+q+r+s)為0之情形時，上述式(51B)中不存在(R54R55SiO2/2 )之結構單元。
上述式(51B)中，r/(p+q+r+s)之下限為0.30，上限為0.80。若r/(p+q+r+s)滿足上述下限，則可提高黏晶材於高溫下之儲存彈性模數。若滿足上述上限，則黏晶材之耐熱性提高且於高溫環境下黏晶材之硬化物之厚度變得不易減少。
上述式(51B)中，s/(p+q+r+s)之下限為0.01，上限為0.40。若s/(p+q+r+s)滿足上述下限及上限，則可獲得對腐蝕性氣體具有較高之阻氣性、即使於嚴酷之環境下使用亦不易產生龜裂或剝離之光半導體裝置用黏晶材。就獲得對腐蝕性氣體具有較高之阻氣性、即使於嚴酷之環境下使用亦不易產生龜裂或剝離之光半導體裝置用黏晶材之觀點而言，上述式(51B)中，s/(p+q+r+s)之較佳下限為0.03，更佳下限為0.05，較佳上限為0.35，更佳上限為0.30。
若針對上述第2聚矽氧樹脂，以四甲基矽烷(以下稱為TMS)為基準進行29 Si-核磁共振分析(以下稱為NMR)，則根據取代基種類之不同雖然可見若干變動，但相當於上述式(51A)及上述式(51B)中之(R51R52R53SiO1/2 )p 所表示之結構單元的各波峰出現於+10~-5 ppm附近，相當於上述式(51A)及上述式(51B)中之(R54R55SiO2/2 )q 及上述式(51-2)之雙官能結構單元的各波峰出現於-10~-50 ppm附近，相當於上述式(51A)及上述式(51B)中之(R56SiO3/2 )r 、以及上述式(51-3)及上述式(51-4)之三官能結構單元的各波峰出現於-50~-80 ppm附近，相當於上述式(51B)中之(R57R58R59R60Si2 R61O2/2 )及上述式(51-5)的各波峰出現於0~-5 ppm附近。
因此，藉由測定29 Si-NMR，比較各自之訊號之波峰面積，可測定上述式(51A)及上述式(51B)中之各結構單元之比率。
其中，於藉由以上述TMS為基準之29 Si-NMR之測定無法區分上述式(51A)及上述式(51B)中之結構單元之情形時，藉由不僅使用29 Si-NMR之測定結果，亦視需要使用1 H-NMR之測定結果，可區分上述式(51A)及上述式(51B)中之各結構單元之比率。
相對於上述第1聚矽氧樹脂100重量份，上述第2聚矽氧樹脂之含量較佳為10重量份以上、400重量份以下。若第1、第2聚矽氧樹脂之含量在該範圍內，則可獲得於高溫下之儲存彈性模數進一步提高且阻氣性進一步優異之黏晶材。就高溫下之儲存彈性模數進一步提高且獲得阻氣性進一步優異之黏晶材之觀點而言，相對於上述第1聚矽氧樹脂100重量份，上述第2聚矽氧樹脂之含量之更佳下限為30重量份，更佳下限為50重量份，更佳上限為300重量份，更佳上限為200重量份。
就獲得阻氣性進一步優異之黏晶材之觀點而言，本發明之光半導體裝置用黏晶材較佳為含有上述式(1B)所表示之第1聚矽氧樹脂及以上述式(51B)所表示之第2聚矽氧樹脂中之至少一種。
(第1、第2聚矽氧樹脂之其他性質及其合成方法)
上述第1、第2聚矽氧樹脂之烷氧基之含量之較佳下限為0.5莫耳%，更佳下限為1莫耳%，較佳上限為10莫耳%，更佳上限為5莫耳%。若烷氧基之含量為上述較佳範圍內，則可提高黏晶材之密著性。
若烷氧基之含量滿足上述較佳下限，則可提高黏晶材之密著性。若烷氧基之含量滿足上述較佳上限，則上述第1、第2聚矽氧樹脂及黏晶材之儲存穩定性提高，黏晶材之耐熱性進一步提高。
上述烷氧基之含量表示上述第1、第2聚矽氧樹脂之平均組成式中所含之上述烷氧基之量。
上述第1、第2聚矽氧樹脂較佳為不含有矽烷醇基。若上述第1、第2聚矽氧樹脂不含有矽烷醇基，則上述第1、第2聚矽氧樹脂及黏晶材之儲存穩定性提高。上述矽烷醇基可藉由真空下之加熱而減少。矽烷醇基之含量可使用紅外線光譜法進行測定。
上述第1、第2聚矽氧樹脂之數量平均分子量(Mn)之較佳下限為500，更佳下限為800，更佳下限為1000，較佳上限為50000，更佳上限為15000。若數量平均分子量滿足上述較佳下限，則熱硬化時揮發成分減少，於高溫環境下黏晶材之硬化物之厚度變得不易較少。若數量平均分子量滿足上述較佳上限，則黏度調節較為容易。
上述數量平均分子量(Mn)係使用凝膠滲透色譜法(GPC)並以聚苯乙烯為標準物質而求出之值。上述數量平均分子量(Mn)係表示使用Waters公司製造之測定裝置(管柱：兩根昭和電工公司製造之Shodex GPCLF-804(長度300 mm)，測定溫度：40℃，流速：1 mL/分，溶劑：四氫呋喃，標準物質：聚苯乙烯)而測得之值。
上述第1、第2聚矽氧樹脂之合成方法並無特別限定，可列舉：將烷氧基矽烷化合物水解並進行縮合反應之方法、將氯矽烷化合物水解並進行縮合之方法。其中，就控制反應之觀點而言，較佳為將烷氧基矽烷化合物水解並進行縮合反應之方法。
作為上述將烷氧基矽烷化合物水解並進行縮合反應之方法，例如可列舉：使烷氧基矽烷化合物於水與酸性觸媒或鹼性觸媒之存在下進行反應之方法。又，亦可將二矽氧烷化合物水解而使用。
作為用於向上述第1、第2聚矽氧樹脂中導入苯基之有機矽化合物，可列舉：三苯基甲氧基矽烷、三苯基乙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、甲基(苯基)二甲氧基矽烷及苯基三甲氧基矽烷等。
作為用於向上述第1、第2聚矽氧樹脂中導入(R57R58R59R60Si2 R61O2/2 )、(R7R8R9R10Si2 R11O2/2 )之結構單元的有機矽化合物，例如可列舉：1,4-雙(二甲基甲氧基矽烷基)苯、1,4-雙(二乙基甲氧基矽烷基)苯、1,4-雙(乙氧基乙基甲基矽烷基)苯、1,6-雙(二甲基甲氧基矽烷基)苯、1,6-雙(二乙基甲氧基矽烷基)己烷及1,6-雙(乙氧基乙基甲基矽烷基)己烷等。
作為用於向上述第1、第2聚矽氧樹脂中導入烯基之有機矽化合物，可列舉：乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基甲基二甲氧基矽烷、甲氧基二甲基乙烯基矽烷及1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷等。
作為用於向上述第1聚矽氧樹脂中導入鍵結於矽原子上之氫原子的有機矽化合物，可列舉：三甲氧基矽烷、三乙氧基矽烷、甲基二甲氧基矽烷、甲基二乙氧基矽烷及1,1,3,3-四甲基二矽氧烷等。
作為可用於獲得上述第1、第2聚矽氧樹脂之其他有機矽化合物，例如可列舉：三甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、異丙基(甲基)二甲氧基矽烷、環己基(甲基)二甲氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷及辛基三甲氧基矽烷等。
作為上述酸性觸媒，例如可列舉：無機酸、有機酸、無機酸之酸酐及其衍生物、以及有機酸之酸酐及其衍生物。
作為上述無機酸，例如可列舉：鹽酸、磷酸、硼酸及碳酸。作為上述有機酸，例如可列舉：甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、乳酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸及油酸。
作為上述鹼性觸媒，例如可列舉：鹼金屬之氫氧化物、鹼金屬之烷氧化物及鹼金屬之矽烷醇化合物。
作為上述鹼金屬之氫氧化物，例如可列舉：氫氧化鈉、氫氧化鉀及氫氧化銫。作為上述鹼金屬之烷氧化物，例如可列舉：第三丁醇鈉、第三丁醇鉀及第三丁醇銫。
作為上述鹼金屬之矽烷醇化合物，例如可列舉：矽烷醇鈉化合物、矽烷醇鉀化合物及矽烷醇銫化合物。其中適宜為鉀系觸媒或銫系觸媒。
(矽氫化反應用觸媒)
本發明之光半導體裝置用黏晶材中所含之矽氫化反應用觸媒係使上述第1聚矽氧樹脂中之鍵結於矽原子上之氫原子與上述第2聚矽氧樹脂中之烯基進行矽氫化反應的觸媒。
作為上述矽氫化反應用觸媒，可使用使矽氫化反應進行之各種觸媒。上述矽氫化反應用觸媒可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述矽氫化反應用觸媒，例如可列舉：鉑系觸媒、銠系觸媒及鈀系觸媒等。鉑系觸媒由於可提高黏晶材之透明性，故而較佳。
作為上述鉑系觸媒，可列舉：鉑粉末、氯鉑酸、鉑-烯基矽氧烷錯合物、鉑-烯烴錯合物及鉑-羰基錯合物。尤佳為鉑-烯基矽氧烷錯合物或鉑-烯烴錯合物。
作為上述鉑-烯基矽氧烷錯合物中之烯基矽氧烷，例如可列舉：1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷及1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷等。作為上述鉑-烯烴錯合物中之烯烴，例如可列舉：烯丙基醚及1,6-庚二烯等。
由於可提高上述鉑-烯基矽氧烷錯合物及鉑-烯烴錯合物之穩定性，故而較佳為向上述鉑-烯基矽氧烷錯合物或鉑-烯烴錯合物中添加烯基矽氧烷、有機矽氧烷寡聚物、烯丙基醚或烯烴。上述烯基矽氧烷較佳為1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷。上述有機矽氧烷寡聚物較佳為二甲基矽氧烷寡聚物。上述烯烴較佳為1,6-庚二烯。
於黏晶材100重量%中，較佳為上述矽氫化反應用觸媒之含量在0.01~0.5重量份之範圍內。若上述矽氫化反應用觸媒之含量為上述下限以上，則易使黏晶材具有充分之硬化性，可進一步提高黏晶材之阻氣性。若上述矽氫化反應用觸媒之含量為上述上限以下，則黏晶材更不易變色。上述矽氫化反應用觸媒之含量更佳為0.02重量份以上，更佳為0.3重量份以下。
(物質(X))
本發明之光半導體裝置用黏晶材中所含之物質(X)係化學式MgCO3 所表示之不含結晶水之碳酸鎂無水鹽(X1)及該碳酸鎂無水鹽之表面經有機樹脂、聚矽氧樹脂或二氧化矽被覆之被覆體(X2)中之至少一種。作為物質(X)，可僅使用上述碳酸鎂無水鹽(X1)，亦可僅使用被覆體(X2)，亦可使用碳酸鎂無水鹽(X1)與上述被覆體(X2)雙方。
更佳為上述碳酸鎂無水鹽之表面經聚矽氧樹脂或二氧化矽被覆之被覆體，更佳為上述碳酸鎂無水鹽之表面經聚矽氧樹脂被覆之被覆體。
藉由將物質(X)用作填料，可充分地提高黏晶材之硬化物之熱導率及耐熱性。進而，藉由使用物質(X)，黏晶材之硬化物變得不易產生龜裂。
作為上述化學式MgCO3 所表示之不含結晶水之碳酸鎂無水鹽(X1)，存在天然品及合成品。由於天然品含有雜質，故而於使用天然品之情形時，有耐熱性等物性不穩定之可能性。因此，上述碳酸鎂無水鹽(X1)較理想為合成品。
上述被覆體(X2)具有以碳酸鎂無水鹽(X1)作為芯且以由有機樹脂、聚矽氧樹脂或二氧化矽形成之被覆層作為殼之芯/殼構造。上述被覆體(X2)由於具有上述被覆層，故而於樹脂中之分散性較高。進而，藉由使用具有上述被覆層之上述被覆體(X2)，可進一步提高黏晶材之硬化物之耐濕熱性。
作為利用上述被覆層被覆上述碳酸鎂無水鹽(X1)之表面的方法並無特別限定。作為該方法，例如可列舉：對向溶解有有機樹脂、聚矽氧樹脂或作為二氧化矽原料之矽烷偶合劑之溶液中分散碳酸鎂無水鹽(X1)而成的分散液進行噴塗乾燥之方法；向溶解有有機樹脂或聚矽氧樹脂之溶液中分散碳酸鎂無水鹽(X1)後，添加有機樹脂或聚矽氧樹脂不良溶劑，藉此使有機樹脂或聚矽氧烷析出至碳酸鎂無水鹽(X1)之表面的方法；以及於分散有碳酸鎂無水鹽(X1)之介質中使丙烯酸系樹脂、苯乙烯樹脂或低分子量矽烷等聚合性單體發生反應進行高分子量化，使未完全溶解於介質中之有機樹脂、聚矽氧樹脂或二氧化矽析出至碳酸鎂無水鹽(X1)之表面的方法等。
上述有機樹脂只要可被覆碳酸鎂無水鹽(X1)之表面則無特別限定。上述有機樹脂可為熱硬化性樹脂，亦可為熱塑性樹脂。
作為上述有機樹脂之具體例，可列舉：(甲基)丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、酚系樹脂、熱塑性胺基甲酸酯系樹脂、熱硬化性胺基甲酸酯系樹脂、環氧系樹脂、熱塑性聚醯亞胺系樹脂、熱硬化性聚醯亞胺系樹脂、胺基醇酸系樹脂、苯氧基樹脂、鄰苯二甲酸酯樹脂、聚醯胺系樹脂、酮系樹脂、降冰片烯系樹脂、聚苯硫醚、聚芳酯、聚碸、聚醚碸、聚醚醚酮、聚醚酮、熱塑性聚醯亞胺、熱硬化性聚醯亞胺、苯并、及聚苯并唑與苯并之反應物等。其中，單體之種類豊富，可廣泛地設計被覆層，且可藉由熱或光等而容易地控制反應，因此較佳為(甲基)丙烯酸系樹脂或苯乙烯系樹脂。
上述苯乙烯系樹脂並無特別限定。作為上述苯乙烯系樹脂，可列舉：苯乙烯、鄰甲基苯乙烯、間甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、對甲氧基苯乙烯、對苯基苯乙烯、對氯苯乙烯、對乙基苯乙烯、對正丁基苯乙烯、對第三丁基苯乙烯、對正己基苯乙烯、對正辛基苯乙烯、對正壬基苯乙烯、對正癸基苯乙烯、對正十二烷基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、3,4-二氯苯乙烯及二乙烯基苯等。
作為上述(甲基)丙烯酸系樹脂，可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙烯酸2-羥丙酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷(甲基)丙烯酸酯及二季戊四醇(甲基)丙烯酸酯等。作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丙苯酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕櫚酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯及(甲基)丙烯酸異冰片酯等。
較佳為上述被覆層之厚度在10 nm~1 μm之範圍內。若被覆層之厚度為10 nm以上，則可充分獲得提昇被覆體(X2)於樹脂中之分散性的效果及提昇黏晶材之硬化物之耐濕熱性的效果。若被覆層之厚度為1 μm以下，則被覆體(X2)之導熱性進一步提高。
物質(X)之形狀並無特別限定。較佳為物質(X)具有大致多面體狀或作為長徑與短徑之比的縱橫比為1~2之範圍內之形狀。於該情形時，可於黏晶材中高密度地填充上述物質(X)，因此可提高黏晶材之硬化物之散熱性。
物質(X)較佳為化學式MgCO3 所表示之不含有結晶水之球狀之碳酸鎂無水鹽(X1x1)及該球狀之碳酸鎂無水鹽(X1x1)之表面經有機樹脂、聚矽氧樹脂或二氧化矽被覆之被覆體(X2x1)中至少一種物質(Xx1)。再者，藉由利用有機樹脂、聚矽氧樹脂或二氧化矽被覆球狀之碳酸鎂無水鹽(X1x1)之表面，可使被覆體(X2x1)成為球狀。又，物質(Xx1)較佳為球狀。於為球狀之情形時，可於黏晶材中高密度地填充物質(Xx1)，因此可提高黏晶材之硬化物之散熱性。進而，可提高黏晶材之硬化物之絕緣擊穿特性。
再者，球狀並不限於圓球狀。球狀包括圓球略微扁平、歪斜之形狀。例如球狀包括：縱橫比為1~1.5之範圍內之形狀、或表面之大部分例如表面之30%以上之部分並非平面等而為曲面且表面之一部分例如表面未達70%之部分並非曲面而為平面等的形狀。更佳為表面之50%以上之部分為曲面之形狀，更佳為表面之70%以上之部分為曲面之形狀。
又，上述球狀之碳酸鎂無水鹽(X1x1)、使用該球狀之碳酸鎂無水鹽之上述被覆體(X2x1)或球狀之物質(Xx1)較佳為利用具有噴射磨機或旋轉之轉子與定子之粉碎-表面處理裝置進行球狀化處理而成之物質。藉由此種球狀化處理，可提高球形度，且可製成圓球狀或接近圓球狀之形狀。進而，藉由上述球狀化處理，可粉碎物質(X)之凝集物。因此，於黏晶材中高密度地填充上述物質(Xx1)。因此，可進一步提高黏晶材之硬化物之散熱性。進而，可進一步提高黏晶材之硬化物之絕緣擊穿特性。
較佳為上述物質(X)之平均粒徑在0.01~40 μm之範圍內。上述物質(X)之平均粒徑更佳為0.1 μm以上，更佳為10 μm以下，更佳為3 μm以下。若平均粒徑為上述下限以上，則可易以高密度填充物質(X)。若平均粒徑為上述上限以下，則於光半導體裝置中黏晶材之厚度不會變得過厚，可進一步提高黏晶材之硬化物之絕緣擊穿特性。
上述物質(X)之平均粒徑尤佳為3 μm以下。於該情形時，於黏晶材中上述物質(X)進一步不易發生沈澱，進一步不易產生黏晶材中之龜裂。
再者，所謂「平均粒徑」係指由利用雷射繞射式粒度分佈測定裝置測得之體積平均之粒度分佈測定結果所求出之平均粒徑。
為了於黏晶材中形成緻密填充構造而提高黏晶材硬化物之散熱性，可使用形狀不同之2種以上之物質(X)，亦可使用粒徑不同之2種以上之物質(X)。
上述物質(X)較佳為化學式MgCO3 所表示之不含結晶水之大致多面體狀之碳酸鎂無水鹽(X1x2)及該大致多面體狀之碳酸鎂無水鹽(X1x2)之表面經有機樹脂、聚矽氧樹脂或二氧化矽被覆之被覆體(X2x2)中之至少一種物質(Xx2)。再者，藉由利用有機樹脂、聚矽氧樹脂或二氧化矽被覆大致多面體狀之碳酸鎂無水鹽(X1x2)之表面，可使被覆體(X2x2)成為大致多面體狀。又，物質(Xx2)較佳為球狀。又，於物質(Xx2)為大致多面體狀之情形時，較佳為進而含有上述物質(X)以外之填料(Y)且該填料(Y)為板狀填料。
於物質(Xx2)為大致多面體狀且含有板狀填料之情形時，於黏晶材中物質(Xx2)與板狀填料非點接觸而為面接觸，物質(Xx2)與板狀填料之接觸面積增大。又，於黏晶材中隔開距離而分散之複數個物質(Xx2)彼此經由板狀填料而接觸或接近，藉此黏晶材中之各填料成為橋聯或有效率地接近之構造。因此，可進一步提高黏晶材之硬化物之導熱性。
再者，所謂「大致多面體狀」，不僅指一般之多面體之定義、即僅由平面構成之多面體狀，亦包括具有平面與一定比例以下之曲面的形狀。大致多面體狀例如包括由表面之10%以下之曲面與表面之90%以上之平面構成之形狀。大致多面體狀較佳為大致立方體狀或大致長方體狀。
於黏晶材100重量%中，較佳為物質(X)之含量在20~90重量%之範圍內。黏晶材100重量%中之物質(X)之含量更佳為30重量%以上，更佳為80重量%以下。若上述物質(X)之含量為上述下限以上，則可進一步提高黏晶材之硬化物之散熱性。若上述物質(X)之含量為上述上限以下，則可進一步提高黏晶材之柔軟性或接著性。
於不含有下述填料(Y)之情形時，黏晶材100重量%中，更佳為物質(X)之含量在30~90重量%之範圍內。
(填料(Y))
本發明之光半導體裝置用黏晶材，除上述物質(X)以外，亦可含有與該物質(X)不同之填料(Y)。藉由使用填料(Y)，可進一步提高黏晶材之硬化物之導熱性。填料(Y)可僅使用1種，亦可併用2種以上。
填料(Y)可為無機填料，亦可為有機填料。填料(Y)較佳為無機填料。
上述填料(Y)並無特別限定。就進一步提高黏晶材之硬化物之散熱性的觀點而言，上述填料較佳為選自由氧化鋁(alumina)、二氧化矽、氮化硼、氮化鋁、氮化矽、氮化碳、碳化矽、氧化鋅、氧化鎂、滑石粉、雲母及水滑石所組成之群中之至少1種。就提高黏晶材之硬化物之導熱性，進一步提高散熱性之觀點而言，上述填料(Y)尤佳為選自由氧化鋁、氮化硼、氮化矽及氧化鋅所組成之群中之至少1種。
就進一步提高黏晶材之導熱性之觀點而言，上述填料(Y)之熱導率較佳為10 W/m‧K以上。填料(Y)之熱導率更佳為15 W/m‧K以上，更佳為20 W/m‧K以上。填料(Y)之熱導率之上限並無特別限定。熱導率為300 W/m‧K左右之無機填料已眾所周知，另外，可容易地獲得熱導率為200 W/m‧K左右之無機填料。
上述填料(Y)尤佳為球狀。於為球狀填料之情形時，由於可高密度地填充填料(Y)，故而可進一步提高黏晶材之硬化物之散熱性。
較佳為上述填料(Y)之平均粒徑在0.01~40 μm之範圍內。上述填料(Y)之平均粒徑較佳為0.01 μm以上，較佳為10 μm以下，更佳為2 μm以下。若平均粒徑為上述下限以上，則變得易以高密度填充填料(Y)。若平均粒徑為上述上限以下，則可進一步提高黏晶材之硬化物之絕緣擊穿特性。
尤佳為上述填料(Y)之平均粒徑在0.01~2 μm之範圍內。於該情形時，於黏晶材中上述填料(Y)進一步不易發生沈澱，於黏晶材中進一步不易產生龜裂。
上述所謂「平均粒徑」，係指由利用雷射繞射式粒度分佈測定裝置測得之體積平均之粒度分佈測定結果所求出之平均粒徑。
於含有上述物質(Xx2)之情形時，上述填料(Y)較佳為板狀之填料。
較佳為上述物質(Xx2)之平均粒徑在0.01~40 μm之範圍內，且上述板狀填料之平均長徑在0.01~10 μm之範圍內。藉由使用此種形狀之物質(Xx2)及板狀填料，可於黏晶材中使物質(Xx2)與板狀填料充分接觸。因此，可進一步提高黏晶材之硬化物之導熱性。
若上述板狀填料之平均長徑未達0.01 μm，則有時板狀填料之填充較為困難，或無法利用板狀填料有效率且充分地使大致多面體狀之物質(Xx2)間橋聯。若板狀填料之平均長徑超出10 μm，則黏晶材之絶縁性易降低。板狀填料之平均長徑更佳為0.5~9 μm之範圍內，更佳為1~9 μm之範圍內。
上述板狀填料之平均厚度較佳為100 nm以上。於板狀填料之厚度為100 nm以上之情形時，可進一步提高硬化物之熱導率。又，較佳為上述板狀填料之縱橫比在2~50之範圍內。若板狀填料之縱橫比超出50，則有時板狀填料之填充較為困難。更佳為板狀填料之縱橫比在3~45之範圍內。
又，上述板狀填料較佳為氧化鋁及氮化硼中之至少一種。於該情形時，可進一步提高黏晶材之硬化物之導熱性。尤其是藉由併用上述物質(Xx2)與氧化鋁及氮化硼中之至少一種，可進一步提高黏晶材之硬化物之導熱性。
於併用物質(X)與填料(Y)之情形時，其含量係根據物質(X)及填料(Y)之各自之種類、粒徑及形狀適宜決定最佳值。於黏晶材100重量%中，較佳為物質(X)與無機填料(Y)之合計含量在60~90重量%之範圍內。若物質(X)與無機填料(Y)之合計含量為60重量%以上，則可進一步提高硬化物之散熱性。若物質(X)與填料(Y)之合計含量為90重量%以下，則黏晶材之柔軟性或接著性進一步提高。
於併用物質(X)與填料(Y)之情形時，於物質(X)與填料(Y)之合計100重量%中，物質(X)之含量較佳為0.1重量%以上，更佳為1重量%以上，尤佳為10重量%以上，最佳為30重量%以上。於併用物質(X)與填料(Y)之情形時，於黏晶材100重量%中，更佳為上述物質(X)之含量在20~80重量%之範圍內。
於黏晶材中，較佳為以體積比70：30~99：1含有上述物質(Xx2)與上述板狀填料。又，於黏晶材100重量%中，較佳為上述物質(Xx2)與上述板狀填料之合計含量在60~90重量%之範圍內。又，於黏晶材中，更佳為上述物質(Xx2)與上述板狀填料之含量以體積比計為70：30~99：1，且黏晶材100重量%中之上述物質(Xx2)與上述板狀填料之合計含量在60~90重量%之範圍內。於上述物質(Xx2)及上述板狀填料之含量分別為上述較佳範圍內之情形時，可進一步提高黏晶材之硬化物之導熱性。
(偶合劑)
為了賦予接著性，本發明之光半導體裝置用黏晶材可進而含有偶合劑。
上述偶合劑並無特別限定，例如可列舉矽烷偶合劑等。作為該矽烷偶合劑，可列舉：乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、及N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷等。偶合劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。
(其他成分)
本發明之光半導體裝置用黏晶材亦可視需要含有紫外線吸收劑、抗氧化劑、溶劑、著色劑、填充劑、消泡劑、表面處理劑、阻燃劑、黏度調節劑、分散劑、分散助劑、表面改質劑、塑化劑、防黴劑、調平劑、穩定劑、偶合劑、防流掛劑或螢光體等。
(光半導體裝置用黏晶材之詳細內容及用途)
本發明之光半導體裝置用黏晶材可為糊狀，亦可為膜狀。本發明之光半導體裝置用黏晶材較佳為糊狀。即使黏晶材為糊狀，上述物質(X)亦不易發生沈澱，可維持良好之分散狀態。
亦可分別預先製備含有上述第1聚矽氧樹脂、上述第2聚矽氧樹脂、及上述矽氫化反應用觸媒中之1種或2種以上的液體，於即將使用前將複數個液體混合，而製備本發明之光半導體裝置用黏晶材。例如亦可分別預先製備含有上述第2聚矽氧樹脂及上述矽氫化反應用觸媒之A液、與含有第1聚矽氧樹脂之B液，於即將使用前將A液與B液混合而製備黏晶材。於該情形時，上述物質(X)及上述填料(Y)可分別包含於A液中，亦可包含於B液中。藉由如此將上述第2聚矽氧樹脂及上述矽氫化反應用觸媒、與上述第1聚矽氧樹脂分別製成第1液與第2液之2種液體，可提高保存穩定性。
本發明之光半導體裝置用黏晶材之製造方法並無特別限定，例如可列舉：使用均勻分散機、均質攪拌機、萬能混合機、行星式混合器、捏合機、三輥磨或珠磨機等混合機，於常溫或加溫下混合上述第1聚矽氧樹脂、上述第2聚矽氧樹脂、上述矽氫化反應用觸媒、上述物質(X)及視需要調配之其他成分的方法等。
藉由將本發明之光半導體裝置用黏晶材配置於基板等連接對象構件上，或配置於光半導體元件之下表面，經由黏晶材將連接對象構件與光半導體元件連接，可獲得光半導體裝置。
本發明之光半導體裝置用黏晶材之硬化溫度並無特別限定。光半導體裝置用黏晶材之硬化溫度較佳為80℃以上，更佳為100℃以上，較佳為180℃以下，更佳為150℃以下。若硬化溫度為上述較佳下限以上，則黏晶材之硬化會充分進行。若硬化溫度為上述較佳上限以下，則不易發生黏晶材及由黏晶材接合之構件之熱劣化。
硬化方式雖然並無特別限定，但較佳為使用分步硬化方式。分步硬化方式係暫時於低溫下進行預硬化，其後於高溫下進行硬化之方法。藉由使用分步硬化方式，可抑制黏晶材之硬化收縮。
(光半導體裝置)
本發明之光半導體裝置具備光半導體裝置用黏晶材、連接對象構件、使用上述光半導體裝置用黏晶材而連接於上述連接對象構件上之光半導體元件。
作為本發明之光半導體裝置，具體而言，例如可列舉：發光二極體裝置、半導體雷射裝置及光電耦合器等。此種光半導體裝置可適宜地使於例如液晶顯示器等之背光、照明，各種感測器、印表機及影印機等之光源，車輛用計測器光源、信號燈、顯示燈、顯示裝置、面狀發光體之光源、顯示器、裝飾、各種燈以及開關元件等。
作為上述光半導體元件之發光元件只要為使用半導體之發光元件則無特別限定，例如於上述發光元件為發光二極體之情形時，例如可列舉：於基板上積層有LED形式用半導體材料之構造。於該情形時，作為半導體材料，例如可列舉：GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN、及SiC等。
作為上述基板之材料，例如可列舉：藍寶石、尖晶石、SiC、Si、ZnO、及GaN單晶等。又，亦可視需要於基板與半導體材料之間形成緩衝層。作為上述緩衝層之材料，例如可列舉GaN及AlN等。
圖1係表示本發明之一實施形態之光半導體裝置的正面剖面圖。
本實施形態之光半導體裝置1具有作為連接對象構件之外殼2與光半導體元件3。外殼2內安裝有包含LED之光半導體元件3。該光半導體元件3之周圍係由外殼2之具有光反射性之內面2a所包圍。於本實施形態中，作為由光半導體形成之發光元件，係使用光半導體元件3。
外殼2之內面2a係以內面2a之直徑隨著靠近開口端而變大之方式形成。因此，自光半導體元件3發出之光中，到達內面2a之光B1被內面2a反射，沿光半導體元件3之前方側行進。
光半導體元件3係使用黏晶材5連接於設置於外殼2上之鉛電極4上。黏晶材5係光半導體裝置用黏晶材。設置於光半導體元件3上之接合墊(未圖示)與鉛電極4係利用接合線6而電性連接。以密封光半導體元件3及接合線6之方式於由內面2a包圍之範圍內填充有密封劑7。
黏晶材5可以自光半導體元件3之底部滲出而包圍其周圍之方式進行配置，亦可以不自光半導體元件3之底部滲出之方式進行配置。較佳為黏晶材5之厚度在2~50 μm之範圍內。
於光半導體裝置1中，若駆動光半導體元件3，則會如虛線A所示發出光。於該情形時，不僅自光半導體元件3照射至與鉛電極4之上表面相反側、即上方之光，到達黏晶材5之光亦如箭頭B2所示進行反射。
再者，圖1所表示之構造僅為本發明之光半導體裝置之一例，光半導體元件3之安裝結構等可進行適當變形。
以下列舉實施例更加詳細地說明本發明。本發明並不限定於以下實施例。
(合成例1)第1聚矽氧樹脂之合成
向具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中，加入二甲基二甲氧基矽烷120 g、甲基三甲氧基矽烷54 g及1,1,3,3-四甲基二矽氧烷40 g，於50℃下進行攪拌。向其中緩慢滴下鹽酸1.2 g與水83 g之溶液，滴下後於50℃下攪拌6小時進行反應，獲得反應液。其次，減壓並除去揮發成分而獲得聚合物。向所得之聚合物中添加己烷150 g與乙酸乙酯150 g，以離子交換水300 g清洗10次，減壓並除去揮發成分而獲得聚合物(A)。
所得之聚合物(A)之數量平均分子量(Mn)為1500。藉由29 Si-NMR鑑定化學結構，結果聚合物(A)具有下述平均組成式(A1)。
(HMe2 SiO1/2 )0.20 (Me2 SiO2/2 )0.50 (MeSiO3/2 )0.30 　…式(A1)
上述式(A1)中，Me表示甲基。
再者，合成例1及合成例2~8中所得之各聚合物之分子量係向各聚合物10 mg中加入四氫呋喃1 mL，攪拌至溶解，並藉由GPC測定而測定。GPC測定係使用Waters公司製造之測定裝置(管柱：昭和電工公司製造Shodex GPCLF-804(長度300 mm)×2根，測定溫度：40℃，流速：1 mL/min，溶劑：四氫呋喃，標準物質：聚苯乙烯)。
(合成例2)第1聚矽氧樹脂之合成
向具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中，加入二甲基二甲氧基矽烷48 g、甲基三甲氧基矽烷163 g及1,1,3,3-四甲基二矽氧烷27 g，於50℃下進行攪拌。向其中緩慢滴下鹽酸1.2 g與水102 g之溶液，滴下後於50℃下攪拌6小時進行反應，獲得反應液。其次，減壓並除去揮發成分而獲得聚合物。向所得之聚合物中添加己烷150 g與乙酸乙酯150 g，以離子交換水300 g清洗10次，減壓並除去揮發成分而獲得聚合物(B)。
所得之聚合物(B)之數量平均分子量(Mn)為1500。藉由29 Si-NMR鑑定化學結構，結果聚合物(B)具有下述平均組成式(B1)。
(HMe2 SiO1/2 )0.20 (Me2 SiO2/2 )0.30 (MeSiO3/2 )0.50 　…式(B1)
上述式(B1)中，Me表示甲基。
(合成例3)第1聚矽氧樹脂之合成
向具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中，加入二甲基二甲氧基矽烷48 g、乙烯基甲基二甲氧基矽烷26 g、苯基三甲氧基矽烷119 g、甲基三甲氧基矽烷54 g及1,1,3,3-四甲基二矽氧烷27 g，於50℃下進行攪拌。向其中緩慢滴下鹽酸1.2 g與水101 g之溶液，滴下後於50℃下攪拌6小時進行反應，獲得反應液。其次，減壓並除去揮發成分而獲得聚合物。向所得之聚合物中添加己烷150 g與乙酸乙酯150 g，以離子交換水300 g清洗10次，減壓並除去揮發成分而獲得聚合物(C)。
所得之聚合物(C)之數量平均分子量(Mn)為1300。藉由29 Si-NMR鑑定化學結構，結果聚合物(C)具有下述平均組成式(C1)。
(HMe2 SiO1/2 )0.20 (Me2 SiO2/2 )0.20 (ViMeSiO2/2 )0.10 (MeSiO3/2 )0.20 (PhSiO3/2 )0.30 　…式(C1)
上述式(C1)中，Me表示甲基，Ph表示苯基、Vi表示乙烯基。
所得之聚合物(C)之苯基之含有比率為18莫耳%。
(合成例4)第1聚矽氧樹脂之合成
向具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中，加入二甲基二甲氧基矽烷26 g、苯基三甲氧基矽烷119 g、甲基三甲氧基矽烷54 g、1,4-雙(二甲基甲氧基矽烷基)苯40 g及1,1,3,3-四甲基二矽氧烷27 g，於50℃下進行攪拌。向其中緩慢滴下鹽酸1.4 g與水99 g之溶液，滴下後於50℃下攪拌6小時進行反應，獲得反應液。其次，減壓並除去揮發成分而獲得聚合物。向所得之聚合物中添加己烷150 g與乙酸乙酯150 g，以離子交換水300 g清洗10次，減壓並除去揮發成分而獲得聚合物(D)。
所得之聚合物(D)之數量平均分子量(Mn)為1200。藉由29 Si-NMR鑑定化學結構，結果聚合物(D)具有下述平均組成式(D1)。
(HMe2 SiO1/2 )0.20 (Me2 SiO2/2 )0.20 (MeSiO3/2 )0.20 (PhSiO3/2 )0.30 (Me4 SiPheO2/2 )0.10 　…式(D1)
上述式(D1)中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Phe表示伸苯基。
所得之聚合物(D)之苯基與伸苯基之含有比率(芳基之含有比率)為26莫耳%。
(合成例5)第1聚矽氧樹脂之合成
向具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中，加入乙烯基甲基二甲氧基矽烷26 g、苯基三甲氧基矽烷119 g、甲基三甲氧基矽烷54 g、1,4-雙(二甲基甲氧基矽烷基)苯40 g及1,1,3,3-四甲基二矽氧烷27 g，於50℃下進行攪拌。向其中緩慢滴下於水114 g中溶解有氫氧化鉀0.8 g之溶液，滴下後於50℃下攪拌6小時進行反應，獲得反應液。其次，向反應液中加入乙酸0.9 g，減壓並除去揮發成分，藉由過濾除去乙酸鉀，獲得聚合物(E)。
所得之聚合物(E)之數量平均分子量(Mn)為1000。藉由29 Si-NMR鑑定化學結構，結果聚合物(E)具有下述平均組成式(E1)。
(HMe2 SiO1/2 )0.20 (ViMeSiO2/2 )0.10 (MeSiO3/2 )0.30 (PhSiO3/2 )0.30 (Me4 SiPheO2/2 )0.10 　…式(E1)
上述式(E1)中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Vi表示乙烯基，Phe表示伸苯基。
所得之聚合物(E)之苯基與伸苯基之含有比率(芳基之含有比率)為31莫耳%。
(合成例6)第2聚矽氧樹脂之合成
向具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中，加入三甲基甲氧基矽烷41 g、二甲基二甲氧基矽烷72 g、甲基三甲氧基矽烷81 g及乙烯基甲基二甲氧基矽烷52 g，於50℃下進行攪拌。向其中緩慢滴下於水114 g中溶解有氫氧化鉀0.8 g之溶液，滴下後於50℃下攪拌6小時進行反應，獲得反應液。其次，向反應液中加入乙酸0.9 g，減壓並除去揮發成分，藉由過濾除去乙酸鉀而獲得聚合物(F)。
所得之聚合物(F)之數量平均分子量(Mn)為2000。藉由29 Si-NMR鑑定化學結構，結果聚合物(F)具有下述平均組成式(F1)。
(Me3 SiO1/2 )0.20 (ViMeSiO2/2 )0.20 (Me2 SiO2/2 )0.30 (MeSiO3/2 )0.30 　…式(F1)
上述式(F1)中，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。
(合成例7)第2聚矽氧樹脂之合成
加入三甲基甲氧基矽烷41 g、乙烯基甲基二甲氧基矽烷52 g、甲基三甲氧基矽烷54 g及苯基三甲氧基矽烷158 g，於50℃下進行攪拌。向其中緩慢滴下於水114 g中溶解有氫氧化鉀0.8 g之溶液，滴下後於50℃下攪拌6小時進行反應，獲得反應液。其次，向反應液中加入乙酸0.9 g，減壓並除去揮發成分，藉由過濾除去乙酸鉀而獲得聚合物(G)。
所得之聚合物(G)之數量平均分子量(Mn)為2200。藉由29 Si-NMR鑑定化學結構，結果聚合物(G)具有下述平均組成式(G1)。
(Me3 SiO1/2 )0.20 (ViMeSiO2/2 )0.20 (MeSiO3/2 )0.20 (PhSiO3/2 )0.40 　…式(G1)
上述式(G1)中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Vi表示乙烯基。
所得之聚合物(G)之苯基之含有比率為14莫耳%。
(合成例8)第2聚矽氧樹脂之合成
向具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中，加入三甲基甲氧基矽烷41 g、乙烯基甲基二甲氧基矽烷52 g、甲基三甲氧基矽烷54 g、苯基三甲氧基矽烷119 g及1,4-雙(二甲基甲氧基矽烷基)苯40 g，於50℃下進行攪拌。向其中緩慢滴下於水114 g中溶解有氫氧化鉀0.8 g之溶液，滴下後於50℃下攪拌6小時進行反應，獲得反應液。其次，向反應液中加入乙酸0.9 g，減壓並除去揮發成分，藉由過濾除去乙酸鉀而獲得聚合物(H)。
所得之聚合物(H)之數量平均分子量(Mn)為1500。藉由29 Si-NMR鑑定化學結構，結果聚合物(H)具有下述平均組成式(H1)。
(Me3 SiO1/2 )0.20 (ViMeSiO2/2 )0.20 (MeSiO3/2 )0.20 (PhSiO3/2 )0.30 (Me4 SiPheO2/2 )0.10 　…式(H1)
上述式(H1)中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Vi表示乙烯基，Phe表示伸苯基。
所得之聚合物(H)之苯基與伸苯基之含有比率(芳基之含有比率)為16莫耳%。
(合成例9)被覆體(X2)之製作
向安裝有攪拌機、夾套、回流冷卻器及溫度計之2 L之容器內，加入作為分散介質之甲基異丁基酮1000 g、大致多面體狀之合成菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)600 g、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯50 g、及偶氮二異丁腈1 g，藉由攪拌進行混合，而製備表面處理溶液中分散有菱鎂礦之分散液。其後，減壓並進行容器內之脫氧後，利用氮氣使內部恢復至大氣壓，使容器內形成氮氣環境。其後，一邊攪拌一邊將容器內加熱至70℃，進行8小時反應。冷卻至室溫後，利用離心機對反應溶液進行脫溶劑，進而進行真空乾燥，藉此獲得表面經甲基丙烯酸系樹脂被覆之合成菱鎂礦6 μm(經丙烯酸系樹脂被覆之合成菱鎂礦6 μm)。
(合成例10)被覆體(X2)之作製
除了將用於被覆表面之單體即二季戊四醇六甲基丙烯酸酯變更為兩末端含有甲基丙烯醯氧基之聚矽氧(Chisso公司製造，商品名：Silaplane FM-7721)以外，與合成例9同樣地獲得表面經聚矽氧樹脂被覆之合成菱鎂礦6 μm(經聚矽氧樹脂被覆之合成菱鎂礦6 μm)。
(合成例11)被覆體(X2)之製作
向安裝有攪拌機、夾套、回流冷卻器及溫度計之2 L之容器內，加入作為分散介質之pH值調整為9之離子交換水1,000 g、大致多面體狀之合成菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)600 g、及四乙氧基矽烷60 g，並進行攪拌，藉此混合而製備表面處理溶液中分散有菱鎂礦之分散液。其後，一邊攪拌一邊將容器內加熱至70℃，進行8小時反應。冷卻至室溫後，利用離心機對反應溶液進行脫溶劑，進而進行真空乾燥，藉此獲得表面經二氧化矽被覆之合成菱鎂礦6 μm(經二氧化矽被覆之合成菱鎂礦6 μm)。
(合成例12)被覆體(X2)之製作
除了將大致多面體狀之合成菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)變更為大致多面體狀之合成菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSS，平均粒徑1.2 μm)以外，與合成例9同樣地獲得表面經甲基丙烯酸系樹脂被覆之合成菱鎂礦1.2 μm(經丙烯酸系樹脂被覆之合成菱鎂礦1.2 μm)。
(合成例13)被覆體(X2)之製作
除了將大致多面體狀之合成菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)變更為大致多面體狀之合成菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSS，平均粒徑1.2 μm)以外，與合成例10同樣地獲得表面經聚矽氧樹脂被覆之合成菱鎂礦1.2 μm(經聚矽氧樹脂被覆之合成菱鎂礦1.2 μm)。
(合成例14)被覆體(X2)之製作
除了將大致多面體狀之合成菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)變更為大致多面體狀之合成菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSS，平均粒徑1.2 μm)以外，與合成例11同樣地獲得表面經聚矽氧樹脂被覆之合成菱鎂礦1.2 μm(經聚矽氧樹脂被覆之合成菱鎂礦1.2 μm)。
(實施例1)
混合聚合物A 5重量份、聚合物F 5重量份、鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物0.02重量份及相當於上述碳酸鎂無水鹽(X1)之大致多面體狀之合成菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)60重量份，進行消泡，獲得光半導體裝置用黏晶材。
(實施例2)
除了將菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)變更為合成例9中所得之表面經甲基丙烯酸系樹脂被覆之合成菱鎂礦6 μm(經丙烯酸系樹脂被覆之合成菱鎂礦6 μm)以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(實施例3)
除了將菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)變更為合成例10中所得之表面經甲基丙烯酸系樹脂被覆之合成菱鎂礦6 μm(經丙烯酸系樹脂被覆之合成菱鎂礦6 μm)以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(實施例4)
除了將相當於碳酸鎂無水鹽(X1)之菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)變更為合成例11中所得之表面經二氧化矽被覆之合成菱鎂礦6 μm(經二氧化矽被覆之合成菱鎂礦6 μm)以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(實施例5)
除了將聚合物A 5重量份變更為聚合物B 5重量份且將聚合物F 5重量份變更為聚合物G 5重量份以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(實施例6)
除了將聚合物A 5重量份變更為聚合物C 5重量份且將聚合物F 5重量份變更為聚合物G 5重量份以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(實施例7)
除了將聚合物A 5重量份變更為聚合物D 5重量份且將聚合物F 5重量份變更為聚合物G 5重量份以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(實施例8)
除了將聚合物A 5重量份變更為聚合物E 5重量份且將聚合物F 5重量份變更為聚合物G 5重量份以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(實施例9)
除了將聚合物A 5重量份變更為聚合物E 5重量份且將聚合物F 5重量份變更為聚合物H 5重量份以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(實施例10)
除了將合成菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)變更為相當於上述碳酸鎂無水鹽(X1)之大致多面體狀之合成菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSS，平均粒徑1.2 μm)以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(實施例11)
除了將菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)變更為合成例12中所得之表面經甲基丙烯酸系樹脂被覆之合成菱鎂礦1.2 μm(經丙烯酸系樹脂被覆之合成菱鎂礦1.2 μm)以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(實施例12)
除了將菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)變更為合成例13中所得之表面經甲基丙烯酸系樹脂被覆之合成菱鎂礦1.2 μm(經聚矽氧樹脂被覆之合成菱鎂礦1.2 μm)以外與實施例1相同，獲得黏晶材。
(實施例13)
除了將菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑1.2 μm)變更為合成例14中所得之表面經二氧化矽被覆之合成菱鎂礦1.2 μm(經二氧化矽被覆之合成菱鎂礦1.2 μm)以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(實施例14)
除了進而混合相當於上述填料(Y)之氮化鋁(Tokuyama公司製造，平均粒徑0.6 μm，熱導率100 W/m‧K)10重量份以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(實施例15)
除了進而混合相當於上述填料(Y)之氮化硼(水島合金鐵公司製造，平均粒徑0.5 μm，熱導率50 W/m‧K)10重量份以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(實施例16)
除了進而混合相當於上述填料(Y)之氮化矽(電氣化學工業公司製造，平均粒徑1.5 μm，熱導率35 W/m‧K)10重量份以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(實施例17)
除了進而混合相當於上述填料(Y)之氧化鋅(Hakusui Tech公司製造，平均粒徑0.2 μm，熱導率25 W/m‧K)10重量份以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(實施例18)
除了進而混合相當於上述填料(Y)之氧化鋁(住友化學公司製造，平均粒徑0.4 μm，熱導率20 W/m‧K)10重量份以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(比較例1)
除了將合成菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)變更為氧化鎂(堺化學工業公司製造，平均粒徑1.1 μm，熱導率30 W/m‧K)60重量份以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(比較例2)
除了將合成菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)變更為含有結晶水之碳酸鎂(神島化學工業公司製造，平均粒徑9 μm，熱導率15 W/m‧K)60重量份以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(比較例3)
除了將合成菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)變更為氧化鋅(Hakusui Tech公司製造，平均粒徑0.2 μm，熱導率25 W/m‧K)60重量份以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(比較例4)
除了將合成菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)變更為氧化鋁(住友化學公司製造，平均粒徑0.4 μm，熱導率20 W/m‧K)60重量份以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(比較例5)
除了將合成菱鎂礦(神島化學工業公司製造，商品名：MSL，平均粒徑6 μm)變更為二氧化矽(Tokuyama公司製造，平均粒徑15 μm，熱導率2 W/m‧K)60重量份以外，與實施例1同樣地獲得黏晶材。
(評價)
(1)熱導率
將實施例及比較例中所得之各光半導體裝置用黏晶材於150℃下加熱3小時，使之硬化，獲得100 mm×100 mm×厚度50 μm之硬化物。將該硬化物作為評價樣品。
使用京都電子工業公司製造之熱導率計「快速熱導率計QTM-500」測定所得之評價樣品之熱導率。再者，熱導率較高者為佳，熱導率需為0.3 W/m‧K以上。
(2)絕緣擊穿電壓
準備上述(1)熱導率之評價中使用之評價樣品。使用耐電壓試驗器(MODEL7473、EXTECH Electronics公司製造)，對硬化物間以1 kV/秒之速度升高電壓之方式施加交流電壓。將硬化物擊穿之電壓設為絕緣擊穿電壓。
(3)阻氣性(透濕度)
將實施例及比較例中所得之各光半導體裝置用黏晶材於150℃下加熱3小時，使之硬化，獲得100 mm×100 mm×厚度1 mm之硬化物。將該硬化物剪裁為直徑6 cm之圓形，獲得評價樣品。
將評價樣品放在設置有氯化鈣之JIS Z0208中規定之杯上，以蠟固定周邊。繼而，於85℃及85% RH之環境下放置24小時後，測定重量變化，求出透濕度(g/m2 ‧24h/100 μm)。
(4)接著性(晶片剪力強度)
於鍍銀之Cu基板上，以接著面積成為3 mm×3 mm之方式塗佈光半導體裝置用黏晶材，放置3 mm見方之Si晶片，獲得測試樣品。
將所得之測試樣品於150℃下加熱3小時，使黏晶材硬化。其次，使用晶片剪力試驗機(Arctec公司製造，型號：DAGE 4000)，以300 μ/秒之速度評價185℃下之晶片剪力強度(吸濕前)。
又，將所得之測試樣品於85℃及85 RH%之高溫高濕烘箱內放置100小時後，評價185℃下之晶片剪力強度(吸濕後)。
(5)沈澱性試驗
將實施例及比較例中所得之各光半導體裝置用黏晶材於23℃及50%RH之條件下放置100小時後，以目視確認有無填料之沈澱。將未產生沈澱之情形判定為「○」，將產生沈澱之情形判定為「×」。
(6)回焊試驗
將硬化物通過回焊爐(預熱150℃×100秒+回焊[最高溫度260℃])3次後，觀察硬化物上是否產生龜裂。將黏晶材上產生龜裂之情形判定為「×」，將未產生龜裂之情形判定為「○」。
將結果表示於下述表1、2。
1．．．光半導體裝置
2．．．外殼
2a．．．內面
3．．．光半導體元件
4．．．鉛電極
5．．．黏晶材
6．．．接合線
7．．．密封劑
圖1係表示本發明之一實施形態之光半導體裝置之正面剖面圖。
1．．．光半導體裝置
2．．．外殼
2a．．．內面
3．．．光半導體元件
4．．．鉛電極
5．．．黏晶材
6．．．接合線
7．．．密封劑

Claims (7)

  1. 一種光半導體裝置用黏晶材，其含有：具有鍵結於矽原子上之氫原子之第1聚矽氧樹脂、不具有鍵結於矽原子上之氫原子且具有烯基之第2聚矽氧樹脂、矽氫化反應用觸媒、以及化學式MgCO3 所表示之不含結晶水之碳酸鎂無水鹽及該碳酸鎂無水鹽之表面經有機樹脂、聚矽氧樹脂或二氧化矽被覆之被覆體中之至少一種物質。
  2. 如請求項1之光半導體裝置用黏晶材，其中上述第1聚矽氧樹脂係以下述式(1A)或下述式(1B)表示且具有鍵結於矽原子上之氫原子者，上述第2聚矽氧樹脂係以下述式(51A)或下述式(51B)表示，不具有鍵結於矽原子上之氫原子且具有烯基者，[化1](R1R2R3SiO1/2 )a (R4R5SiO2/2 )b (R6SiO3/2 )c …式(1A)上述式(1A)中，a、b及c滿足a/(a+b+c)=0.05~0.50、b/(a+b+c)=0~0.40及c/(a+b+c)=0.30~0.80，R1~R6中至少1個表示氫原子，氫原子以外之R1~R6表示碳數1~8之烴基，[化2](R1R2R3SiO1/2 )a (R4R5SiO2/2 )b (R6SiO3/2 )c (R7R8R9R10Si2 R11O2/2 )d …式(1B)上述式(1B)中，a、b、c及d滿足a/(a+b+c+d)=0.05~0.50、b/(a+b+c+d)=0~0.40、c/(a+b+c+d)=0.30~0.80 及d/(a+b+c+d)=0.01~0.40，R1~R6中至少1個表示氫原子，氫原子以外之R1~R6表示碳數1~8之烴基，R7~R10分別表示碳數1~8之烴基，R11表示碳數1~8之2價烴基，[化3](R51R52R53SiO1/2 )p (R54R55SiO2/2 )q (R56SiO3/2 )r …式(51A)上述式(51A)中，p、q及r滿足p/(p+q+r)=0.05~0.50、q/(p+q+r)=0~0.40及r/(p+q+r)=0.30~0.80，R51~R56中至少1個表示苯基，至少1個表示烯基，苯基及烯基以外之R51~R56表示碳數1~8之烴基，[化4](R51R52R53SiO1/2 )p (R54R55SiO2/2 )q (R56SiO3/2 )r (R57R58R59R60Si2 R61O2/2 )s …式(51B)上述式(51B)中，p、q、r及s滿足p/(p+q+r+s)=0.05~0.50、q/(p+q+r+s)=0~0.40、r/(p+q+r+s)=0.30~0.80及s/(p+q+r+s)=0.01~0.40，R51~R56中至少1個表示苯基，至少1個表示烯基，苯基及烯基以外之R51~R56表示碳數1~8之烴基，R57~R60分別表示碳數1~8之烴基，R61表示碳數1~8之2價烴基。
  3. 如請求項1或2之光半導體裝置用黏晶材，其中上述第1聚矽氧樹脂係具有鍵結於矽原子上之氫原子與烯基者。
  4. 如請求項1或2之光半導體裝置用黏晶材，其中上述化學式MgCO3 所表示之不含結晶水之碳酸鎂無水鹽及該碳酸鎂無水鹽之表面經有機樹脂、聚矽氧樹脂或二氧化矽被覆之被覆體中之至少一種物質之平均粒徑為3 μm以下。
  5. 如請求項1或2之光半導體裝置用黏晶材，其進而含有與上述化學式MgCO3 所表示之不含結晶水之碳酸鎂無水鹽及該碳酸鎂無水鹽之表面經有機樹脂、聚矽氧樹脂或二氧化矽被覆之被覆體中之至少一種物質不同之平均粒徑為0.01~2 μm且熱導率為10 W/m．K以上之填料。
  6. 如請求項5之光半導體裝置用黏晶材，其中上述填料係選自由氧化鋁、氮化硼、氮化矽及氧化鋅所組成之群中之至少1種。
  7. 一種光半導體裝置，其具備：如請求項1至6中任一項之光半導體裝置用黏晶材、連接對象構件、及使用上述光半導體裝置用黏晶材而連接於上述連接對象構件上之光半導體元件。
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