TW201313831A - 光半導體裝置用密封劑及光半導體裝置 - Google Patents

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Ryosuke Yamazaki
Mitsuru Tanikawa
Takashi Watanabe
Osamu Inui
Yoshitaka Kunihiro
Chizuru Kimu
Yusuke Kobayashi
Hidefumi Yasui
Minoru Suezaki
Yasunari Kusaka
Tasuku Yamada
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Abstract

本發明提供一種可抑制硬化物之表面之黏性、且可提高硬化物之耐熱性及冷熱循環特性之光半導體裝置用密封劑。本發明之光半導體裝置用密封劑含有以式(1A)或式(1B)表示且具有烯基及鍵結於矽原子之甲基的第1有機聚矽氧烷、以式(51A)或式(51B)表示且具有鍵結於矽原子之氫原子及鍵結於矽原子之甲基的第2有機聚矽氧烷、及矽氫化反應用觸媒。上述第1、第2有機聚矽氧烷中之鍵結於矽原子之甲基的含有比率分別為80莫耳%以上。[化1] (R1R2R3SiO1／2)a(R4R5SiO2／2)b(R6SiO3／2)c...式(1A) (R1R2R3SiO1／2)a(R4R5SiO1／2)b(R6SiO3／2)c...式(1B) (R51R52R53SiO1／2)p(R54R55SiO2／2)q(R56SiO3／2)r...式(51A) (R51R52R53SiO1／2)p(R54R55SiO2／2)q(R56SiO3／2)r...式(51B)

Description

光半導體裝置用密封劑及光半導體裝置
本發明係關於一種用以於光半導體裝置中密封光半導體元件之光半導體裝置用密封劑。又，本發明係關於一種使用該光半導體裝置用密封劑之光半導體裝置。
發光二極體(LED，light-emitting diode)裝置等光半導體裝置之消耗電力較低，且壽命較長。又，光半導體裝置即便於嚴酷之環境下亦可使用。因此，光半導體裝置被用於行動電話用背光、液晶電視用背光、汽車用燈、照明器具及廣告牌等廣泛之用途中。
若作為光半導體裝置中所使用之發光元件之光半導體元件(例如LED)與大氣直接接觸，則會因大氣中之水分或浮游之塵埃等導致光半導體元件之發光特性急速降低。因此，上述光半導體元件通常係藉由光半導體裝置用密封劑加以密封。
於下述專利文獻1中，作為光半導體裝置用密封劑，揭示有含有氫化雙酚A縮水甘油醚、脂環式環氧單體、及潛伏性觸媒之環氧樹脂材料。該環氧樹脂材料係藉由熱陽離子聚合而硬化。
又，不僅含有環氧樹脂之光半導體裝置用密封劑被廣泛應用，含有聚矽氧樹脂之光半導體裝置用密封劑亦被廣泛應用。上述聚矽氧樹脂對藍色至紫外區域之短波長之光的透射性較高，耐熱性及耐光性優異。
然而，於使用上述含有聚矽氧樹脂之密封劑之情形時，存在密封劑之硬化物之表面發黏，因此表面容易附著塵埃等異物之問題。又，若硬化物之表面發黏，則存在產生封裝彼此之黏附、及安裝時之對拾取吸嘴之附著，光半導體裝置之生產性大幅度地降低之問題。
另一方面，如下述專利文獻2中所記載般，已知有含有提高了交聯密度之聚矽氧樹脂之密封劑。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2003-73452號公報
[專利文獻2]日本專利特開2002-314142號公報
如專利文獻1中所記載之先前之光半導體裝置用密封劑若於反覆受到加熱與冷卻之嚴酷環境下使用，則有密封劑產生龜裂，或密封劑自外殼材等剝離之情況。
又，對於專利文獻2中所記載之密封劑而言，由於該密封劑中所含之聚矽氧樹脂之交聯密度較高，故硬化物之表面之黏性相對較小。但是，強烈要求可進一步抑制硬化物之表面之黏性的密封劑。又，對於專利文獻2中所記載之密封劑而言，有機械強度及接著性相當低之情況。因此，若反覆受到熱循環，則有密封劑產生龜裂，或密封劑自外殼材等剝離之情況。
又，為了使到達發光元件之背面側之光反射，而有於發 光元件之背面形成經鍍銀之電極之情況。若密封劑產生龜裂，或密封劑自外殼材剝離，則會使經鍍銀之電極曝露於大氣中。於此情形時，有由存在於大氣中之硫化氫氣體或亞硫酸氣體等腐蝕性氣體導致鍍銀變色之情況。若電極變色則反射率降低，因此存在發光元件所發出之光之亮度降低的問題。
本發明之目的在於提供一種可抑制硬化物之表面之黏性且可提高硬化物之耐熱性及冷熱循環特性之光半導體裝置用密封劑、及使用該光半導體裝置用密封劑之光半導體裝置。
根據本發明之廣泛態樣，提供一種光半導體裝置用密封劑，其含有具有烯基及鍵結於矽原子之甲基的第1有機聚矽氧烷、具有鍵結於矽原子之氫原子及鍵結於矽原子之甲基的第2有機聚矽氧烷、及矽氫化反應用觸媒，並且上述第1有機聚矽氧烷為下述式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷、且上述第2有機聚矽氧烷為下述式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷，或上述第1有機聚矽氧烷為下述式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷、且上述第2有機聚矽氧烷為下述式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷，上述第1有機聚矽氧烷及上述第2有機聚矽氧烷中之鍵結於矽原子之甲基的含有比率分別為80莫耳%以上。
[化1](R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c………式(1A)
上述式(1A)中，a、b及c滿足a/(a+b+c)=0~0.30、b/(a+b+c)=0.70~1.0及c/(a+b+c)=0~0.10，R1~R6中至少1個表示烯基，至少1個表示甲基，烯基及甲基以外之R1~R6表示碳數2~8之烴基。
[化2](R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r………式(51A)
上述式(51A)中，p、q及r滿足p/(p+q+r)=0.10~0.50、q/(p+q+r)=0~0.40、r/(p+q+r)=0.40~0.90，R51~R56中至少1個表示氫原子，至少1個表示甲基，氫原子及甲基以外之R51~R56表示碳數2~8之烴基。
[化3](R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c………式(1B)
上述式(1B)中，a、b及c滿足a/(a+b+c)=0.10~0.50、b/(a+b+c)=0~0.40、及c/(a+b+c)=0.40~0.90，R1~R6中至少1個表示烯基，至少1個表示甲基，烯基及甲基以外之R1~R6表示碳數2~8之烴基。
[化4](R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r………式(51B)
上述式(51B)中，p、q及r滿足p/(p+q+r)=0~0.30、q/(p+q+r)=0.70~1.0及r/(p+q+r)=0~0.10，R51~R56中至少1個表示氫原子，至少1個表示甲基，氫原子及甲基以外之R51~R56表示碳數2~8之烴基。
於本發明之光半導體裝置用密封劑之某特定態樣中，密封劑中之上述有機聚矽氧烷之鍵結於矽原子之氫原子的含有比率相對於密封劑中之上述有機聚矽氧烷之鍵結於矽原 子之烯基的含有比率之比(鍵結於矽原子之氫原子的含有比率/鍵結於矽原子之烯基的含有比率)為0.5以上、5.0以下。
於本發明之光半導體裝置用密封劑之其他特定態樣中，密封劑中之上述有機聚矽氧烷之鍵結於矽原子之氫原子的含有比率相對於密封劑中之上述有機聚矽氧烷之鍵結於矽原子之烯基的含有比率之比(鍵結於矽原子之氫原子的含有比率/鍵結於矽原子之烯基的含有比率)為0.5以上、2.0以下。
於本發明之光半導體裝置用密封劑之其他特定態樣中，上述第1有機聚矽氧烷為上述式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷，且上述第2有機聚矽氧烷為上述式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷。
上述式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷之數量平均分子量較佳為20000以上、100000以下。
於本發明之光半導體裝置用密封劑之另一特定態樣中，上述式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷具有烯基。
於本發明之光半導體裝置用密封劑之另一特定態樣中，上述式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷具有下述式(51-a)所表示之結構單元。
上述式(51-a)中，R52及R53分別表示甲基或碳數2~8之烴基。
於本發明之光半導體裝置用密封劑之其他特定態樣中，上述第1有機聚矽氧烷為上述式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷，且上述第2有機聚矽氧烷為上述式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷。
上述式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷之數量平均分子量較佳為20000以上、100000以下。
於本發明之光半導體裝置用密封劑之其他特定態樣中，上述式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷具有鍵結於矽原子之氫原子。
於本發明之光半導體裝置用密封劑之另一特定態樣中，上述式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷具有下述式(1-b1)所表示之結構單元。
上述式(1-b1)中，R2及R3分別表示甲基或碳數2~8之烴基。
本發明之光半導體裝置包括光半導體元件、及以密封該光半導體元件之方式設置之上述光半導體裝置用密封劑。
本發明之光半導體裝置用密封劑含有具有烯基及鍵結於矽原子之甲基的第1有機聚矽氧烷、具有鍵結於矽原子之氫原子及鍵結於矽原子之甲基的第2有機聚矽氧烷、及矽氫化反應用觸媒，並且上述第1有機聚矽氧烷係以式(1A)表示且上述第2有機聚矽氧烷係以式(51A)表示，或上述第1有機聚矽氧烷係以式(1B)表示且上述第2有機聚矽氧烷係以式(51B)表示，上述第1、第2有機聚矽氧烷中之鍵結於矽原子之甲基的含有比率分別為80莫耳%以上，因此可提高密封劑之硬化物之耐熱性及冷熱循環特性。進而，可抑制密封劑之硬化物之表面之黏性。
以下，對本發明之詳情加以說明。
本發明之光半導體裝置用密封劑含有第1有機聚矽氧烷、第2有機聚矽氧烷、及矽氫化反應用觸媒。
上述第1有機聚矽氧烷具有烯基及鍵結於矽原子之甲基。上述第2有機聚矽氧烷具有鍵結於矽原子之氫原子及鍵結於矽原子之甲基。
上述第1有機聚矽氧烷為式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷，或為式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷。上述第2有機聚矽氧烷為式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷，或為式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷。其中，於上述第1有機聚矽氧烷為式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷之情形時，上述第2有機聚矽氧烷為式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷。於上述第1有機聚矽氧烷為式(1B)所表示之第1有機聚 矽氧烷之情形時，上述第2有機聚矽氧烷為式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷。
因此，於本發明之光半導體裝置用密封劑中，上述第1有機聚矽氧烷為式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷、且上述第2有機聚矽氧烷為式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷，或上述第1有機聚矽氧烷為式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷、且上述第2有機聚矽氧烷為式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷。於本發明之光半導體裝置用密封劑中，亦可上述第1有機聚矽氧烷為式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷，且上述第2有機聚矽氧烷為式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷。進而，於本發明之光半導體裝置用密封劑中，亦可上述第1有機聚矽氧烷為式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷，且上述第2有機聚矽氧烷為式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷。
進而，於本發明之光半導體裝置用密封劑中，上述第1有機聚矽氧烷及上述第2有機聚矽氧烷中之鍵結於矽原子之甲基的含有比率分別為80莫耳%以上。上述鍵結於矽原子之甲基的含有比率可藉由下述式(X)而求出。
鍵結於矽原子之甲基的含有比率(莫耳%)={(上述第1有機聚矽氧烷或上述第2有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之甲基的平均個數×甲基之分子量)/(上述第1有機聚矽氧烷或上述第2有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之官能基的平均個數×官能基之分子量之平均)}×100………式(X)
上述式(X)中之上述「官能基」係指上述第1有機聚矽氧烷或上述第2有機聚矽氧烷中之直接鍵結於矽原子之基。於存在複數種上述官能基之情形時，「官能基之分子量之平均」係指各官能基之「官能基之平均個數×官能基之分子量」之總和。對於下述式(X1)、下述式(X51)、下述式(Y)及下述式(Z)中之「官能基之分子量之平均」亦相同。
藉由採用本發明之光半導體裝置用密封劑之上述組成，尤其藉由特定之上述第1、第2有機聚矽氧烷之組合，可提高經硬化之密封劑之耐熱性。藉由密封劑之耐熱性提高，於曝露於高溫下時可抑制密封劑之變色，密封劑不易黃變。進而，藉由採用上述組成，可提高經硬化之密封劑之冷熱循環特性，可提高阻氣性。因此，密封劑不易產生龜裂，可抑制密封劑之剝離。進而，藉由採用上述組成，亦可抑制經硬化之密封劑之表面之黏性。
就有效地提高密封劑之硬化物之耐熱性及冷熱循環特性的觀點而言，密封劑中之上述有機聚矽氧烷之鍵結於矽原子之氫原子的含有比率相對於密封劑中之上述有機聚矽氧烷之鍵結於矽原子之烯基的含有比率之比(鍵結於矽原子之氫原子的含有比率/鍵結於矽原子之烯基的含有比率)較佳為0.5以上、5.0以下。於上述第1有機聚矽氧烷具有鍵結於矽原子之氫原子之情形時，於上述比中，於鍵結於矽原子之氫原子的含有比率中亦考慮第1有機聚矽氧烷之鍵結於矽原子之氫原子的含有比率。於上述第2有機聚矽氧烷具有鍵結於矽原子之烯基之情形時，於上述比中，於鍵結 於矽原子之烯基的含有比率中亦考慮第2有機聚矽氧烷之鍵結於矽原子之烯基的含有比率。因此，上述比(鍵結於矽原子之氫原子的含有比率/鍵結於矽原子之烯基的含有比率)係表示密封劑中之上述第1、第2有機聚矽氧烷的鍵結於矽原子之氫原子之合計含有比率相對於密封劑中之上述第1、第2有機聚矽氧烷的鍵結於矽原子之烯基之合計含有比率之比。上述鍵結於矽原子之氫原子的含有比率可藉由下述式(Y)而求出。上述鍵結於矽原子之烯基的含有比率可藉由下述式(Z)而求出。
鍵結於矽原子之氫原子的含有比率(莫耳%)={(上述第1有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之氫原子的平均個數×氫原子之分子量)/(上述第1有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之官能基的平均個數×官能基之分子量之平均)×上述第1有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量/(上述第1有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量+上述第2有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量)}×100+{(上述第2有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之氫原子的平均個數×氫原子之分子量)/(上述第2有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之官能基的平均個數×官能基之分子量之平均)×上述第2有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量/(上述第1有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量+上述第2有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量)}×100………式(Y)
鍵結於矽原子之烯基的含有比率(莫耳%)={(上述第1有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之烯基的平 均個數×鍵結於矽原子之烯基之分子量)/(上述第1有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之官能基的平均個數×官能基之分子量之平均)×上述第1有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量/(上述第1有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量+上述第2有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量)}×100+{(上述第2有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之烯基的平均個數×鍵結於矽原子之烯基之分子量)/(上述第2有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之官能基的平均個數×官能基之分子量之平均)×上述第2有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量/(上述第1有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量+上述第2有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量))}×100………式(Z)
再者，於上述第1有機聚矽氧烷不具有鍵結於矽原子之氫原子之情形時，密封劑中之上述有機聚矽氧烷之鍵結於矽原子之氫原子的含有比率係表示上述第2有機聚矽氧烷之鍵結於矽原子之氫原子的含有比率。於此情形時，上述鍵結於矽原子之氫原子的含有比率可藉由下述式(Y1)而求出。
鍵結於矽原子之氫原子的含有比率(莫耳%)={(上述第1有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之氫原子的平均個數×氫原子之分子量)/(上述第1有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之官能基的平均個數×官能基之分子量之平均)×上述第1有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量/(上述第1有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量+上述 第2有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量)}×100………式(Y1)
再者，於上述第2有機聚矽氧烷不具有鍵結於矽原子之烯基之情形時，密封劑中之上述有機聚矽氧烷之鍵結於矽原子之烯基的含有比率係表示上述第1有機聚矽氧烷之鍵結於矽原子之烯基的含有比率。於此情形時，上述鍵結於矽原子之烯基的含有比率可藉由下述式(Z1)而求出。
鍵結於矽原子之烯基的含有比率(莫耳%)={(上述第1有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之烯基的平均個數×鍵結於矽原子之烯基之分子量)/(上述第1有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之官能基的平均個數×官能基之分子量之平均)×上述第1有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量/(上述第1有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量+上述第2有機聚矽氧烷於密封劑中之調配量)}×100………式(Z1)
就進一步提高密封劑之耐熱性之觀點而言，上述比(鍵結於矽原子之氫原子的含有比率/鍵結於矽原子之烯基的含有比率)較佳為1.0以上。
就提高使用密封劑之光半導體裝置之可靠性之觀點而言，上述比(鍵結於矽原子之氫原子的含有比率/鍵結於矽原子之烯基的含有比率)較佳為0.5以上、2.0以下，更佳為0.5以上、1.1以下。若上述比為2.0以下，則即便將密封劑長期於高溫下保管，硬度亦不易上升。由於高溫下之硬度上升之抑制會使冷熱循環時所產生之熱應力降低，故有助於提高使用密封劑之光半導體裝置之可靠性。
以下，對本發明之光半導體裝置用密封劑中所含之各成分之詳情加以說明。
(第1有機聚矽氧烷)
本發明之光半導體裝置用密封劑中所含之第1有機聚矽氧烷係以下述式(1A)或下述式(1B)表示，且具有烯基及鍵結於矽原子之甲基。上述第1有機聚矽氧烷較佳為具有2個以上之烯基。上述第1有機聚矽氧烷可具有鍵結於矽原子之氫原子，亦可不具有鍵結於矽原子之氫原子。烯基較佳為直接鍵結於矽原子。再者，可由上述烯基之碳-碳雙鍵中之碳原子鍵結於矽原子，亦可由與上述烯基之碳-碳雙鍵中之碳原子不同之碳原子鍵結於矽原子。甲基係直接鍵結於矽原子。上述第1有機聚矽氧烷可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
[化7](R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c………式(1A)
上述式(1A)中，a、b及c滿足a/(a+b+c)=0~0.30、b/(a+b+c)=0.70~1.0及c/(a+b+c)=0~0.10，R1~R6中至少1個表示烯基，至少1個表示甲基，烯基及甲基以外之R1~R6表示碳數2~8之烴基。
[化8](R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c………式(1B)
上述式(1B)中，a、b及c滿足a/(a+b+c)=0.10~0.50、b/(a+b+c)=0~0.40、及c/(a+b+c)=0.40~0.90，R1~R6中至少1個表示烯基，至少1個表示甲基，烯基及甲基以外之 R1~R6表示碳數2~8之烴基。
再者，上述式(1A)及上述式(1B)中，(R4R5SiO2/2)所表示之結構單元及(R6SiO3/2)所表示之結構單元分別可具有烷氧基，亦可具有羥基。
上述式(1A)及上述式(1B)分別表示平均組成式。上述式(1A)及上述式(1B)中之烴基可為直鏈狀，亦可為分支狀。上述式(1A)及上述式(1B)中之R1~R6可分別相同亦可不同。
上述式(1A)及上述式(1B)中之(R4R5SiO2/2)及(R6SiO3/2)所表示之結構單元中之氧原子部分各自表示形成矽氧烷鍵之氧原子部分、烷氧基之氧原子部分、或羥基之氧原子部分。
再者，通常於上述式(1A)及上述式(1B)之各結構單元中，烷氧基之含量較少，進而羥基之含量亦較少。其原因在於，通常若為了獲得第1有機聚矽氧烷而使烷氧基矽烷化合物等有機矽化合物水解、聚縮合，則烷氧基及羥基大多數轉變為矽氧烷鍵之部分骨架。即，烷氧基之氧原子及羥基之氧原子大多數轉變為形成矽氧烷鍵之氧原子。於上述式(1A)及上述式(1B)之各結構單元具有烷氧基或羥基之情形時，表示未轉變為矽氧烷鍵之部分骨架的未反應之烷氧基或羥基稍許殘存。關於下述式(51A)及式(51B)之各結構單元具有烷氧基或羥基之情形，亦可謂相同。
上述式(1A)及上述式(1B)中，作為烯基，可列舉：乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基及己烯基等。就進一步提高 阻氣性之觀點而言，上述式(1A)及上述式(1B)中之烯基較佳為乙烯基或烯丙基，更佳為乙烯基。
就進一步提高密封劑之硬化性之觀點而言，上述式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷較佳為具有鍵結於矽原子之氫原子。於此情形時，上述式(1B)中之R1~R6中至少1個表示烯基，至少1個表示甲基，至少1個表示氫原子，烯基、甲基及氫原子以外之R1~R6表示碳數2~8之烴基。又，上述第1有機聚矽氧烷中之烯基較佳為乙烯基。
作為上述式(1A)及上述式(1B)中之碳數2~8之烴基，並無特別限定，例如可列舉：乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、異丙基、異丁基、第二丁基、第三丁基、異戊基、新戊基、第三戊基、異己基、環己基及芳基。
就提高密封劑之硬化性，進一步抑制熱循環中之龜裂及剝離之觀點而言，上述第1有機聚矽氧烷較佳為含有於1個矽原子上鍵結有1個乙烯基與2個碳數1~8之烴基(甲基或碳數2~8之烴基)的結構單元，上述式(1A)中，(R1R2R3SiO1/2)所表示之結構單元較佳為包含R1表示乙烯基、R2及R3表示甲基或碳數2~8之烴基之結構單元。即，就提高密封劑之硬化性，進一步抑制熱循環中之龜裂及剝離之觀點而言，上述式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷較佳為具有(CH2=CHR2R3SiO1/2)所表示之結構單元，較佳為具有下述式(1-a)所表示之結構單元。(R1R2R3SiO1/2)所表示之結構單元可僅包含下述式(1-a)所表示之結構單元，亦 可包含下述式(1-a)所表示之結構單元與下述式(1-a)所表示之結構單元以外之結構單元。藉由下述式(1-a)所表示之結構單元之存在，可使乙烯基存在於末端，藉由乙烯基存在於末端而反應機會增多，可進一步提高密封劑之硬化性。再者，於下述式(1-a)所表示之結構單元中，末端之氧原子通常與鄰接之矽原子形成矽氧烷鍵，而與鄰接之結構單元共有氧原子。因此，將末端之1個氧原子視為「O1/2」。
上述式(1-a)中，R2及R3分別表示甲基或碳數2~8之烴基。
就提高密封劑之硬化性，進一步抑制表面之黏性之觀點而言，上述第1有機聚矽氧烷較佳為含有於1個矽原子上鍵結有1個乙烯基與形成矽氧烷鍵之3個氧原子的結構單元，上述式(1B)中，(R6SiO3/2)所表示之結構單元較佳為包含R6表示乙烯基之結構單元。即，就提高密封劑之硬化性，進一步抑制表面之黏性之觀點而言，上述式(1B)所表示之有機聚矽氧烷較佳為具有(CH2=CHSiO3/2)所表示之結構單元，較佳為具有下述式(1-a2)所表示之結構單元。(R6SiO3/2)所表示之結構單元可僅包含下述式(1-a2)所表示之結構單元，亦可包含下述式(1-a2)所表示之結構單元與下述式(1-a2)所表示之結構單元以外之結構單元。藉由下 述式(1-a2)所表示之結構單元之存在，乙烯基反應由此形成四官能之矽氧烷骨架，密封劑之交聯密度提高，可進一步降低表面之黏性。再者，於下述式(1-a2)所表示之結構單元中，末端之氧原子通常與鄰接之矽原子形成矽氧烷鍵，而與鄰接之結構單元共有氧原子。因此，將末端之3個氧原子視為「O3/2」。
就提高密封劑之硬化性，進一步抑制熱循環中之龜裂及剝離之觀點而言，上述第1有機聚矽氧烷較佳為含有於1個矽原子上鍵結有1個氫原子與2個碳數1~8之烴基(甲基或碳數2~8之烴基)的結構單元，上述式(1B)中，(R1R2R3SiO1/2)所表示之結構單元較佳為包含R1表示氫原子、R2及R3表示甲基或碳數2~8之烴基之結構單元。即，就提高密封劑之硬化性，進一步抑制熱循環中之龜裂及剝離之觀點而言，上述式(1B)所表示之第2有機聚矽氧烷較佳為包含(HR2R3SiO1/2)所表示之結構單元，較佳為具有下述式(1-b1)所表示之結構單元。(R1R2R3SiO1/2)所表示之結構單元可僅包含下述式(1-b1)所表示之結構單元，亦可包含下述式(1-b1)所表示之結構單元與下述式(1-b1)所表示之 結構單元以外之結構單元。藉由下述式(1-b1)所表示之結構單元之存在，可使氫原子存在於末端。藉由氫原子存在於末端而反應機會增多，可進一步提高密封劑之硬化性。再者，於下述式(1-b1)所表示之結構單元中，末端之氧原子通常與鄰接之矽原子形成矽氧烷鍵，而與鄰接之結構單元共有氧原子。因此，將末端之1個氧原子視為「O1/2」。
上述式(1-b1)中，R2及R3分別表示甲基或碳數2~8之烴基。
上述第1有機聚矽氧烷中之鍵結於矽原子之甲基的含有比率為80莫耳%以上。若該甲基之含有比率為80莫耳%以上，則密封劑之耐熱性變得相當高，進而即便將光半導體裝置於高溫高濕下之嚴酷環境中於通電之狀態下使用，光度亦不易降低且不易產生密封劑之變色。上述第1有機聚矽氧烷中之鍵結於矽原子之甲基的含有比率較佳為85莫耳%以上，更佳為90莫耳%以上，且較佳為99.99莫耳%以下，更佳為99.9莫耳%以下，進而較佳為99莫耳%以下，尤佳為98莫耳%以下。若上述甲基之含有比率為較佳之上述下限以上，則密封劑之耐熱性變得更高。若上述甲基之含有比率為上述上限以下，則可充分地導入烯基，容易提 高密封劑之硬化性。上述第1有機聚矽氧烷中之鍵結於矽原子之甲基的含有比率可利用下述式(X1)而求出。
鍵結於矽原子之甲基的含有比率(莫耳%)={(上述第1有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之甲基的平均個數×甲基之分子量)/(上述第1有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之官能基的平均個數×官能基之分子量之平均)}×100………式(X1)
於上述式(1A)及上述式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷中，(R4R5SiO2/2)所表示之結構單元(以下亦稱為二官能結構單元)亦可包含下述式(1-2)所表示之結構、即二官能結構單元中之鍵結於矽原子之1個氧原子構成羥基或烷氧基之結構。
(R4R5SiXO1/2)………式(1-2)
(R4R5SiO2/2)所表示之結構單元可含有下述式(1-b)所表示之結構單元之由虛線包圍之部分，進而含有下述式(1-2-b)所表示之結構單元之由虛線包圍之部分。即，具有R4及R5所表示之基且烷氧基或羥基殘存於末端之結構單元亦包含於(R4R5SiO2/2)所表示之結構單元中。具體而言，於烷氧基轉變為矽氧烷鍵之部分骨架之情形時，(R4R5SiO2/2)所表示之結構單元表示下述式(1-b)所表示之結構單元之由虛線包圍之部分。於未反應之烷氧基殘存之情形或烷氧基轉變為羥基之情形時，具有殘存烷氧基或羥基之(R4R5SiO2/2)所表示之結構單元表示下述式(1-2-b)所表示之結構單元之由虛線包圍之部分。又，於下述式(1-b)所表 示之結構單元中，Si-O-Si鍵中之氧原子與鄰接之矽原子形成矽氧烷鍵，而與鄰接之結構單元共有氧原子。因此，將Si-O-Si鍵中之1個氧原子視為「O1/2」。
上述式(1-2)及式(1-2-b)中，X表示OH或OR，OR表示直鏈狀或分支狀之碳數1~4之烷氧基。上述式(1-b)、式(1-2)及式(1-2-b)中之R4及R5為與上述式(1A)及上述式(1B)中之R4及R5相同之基。
於上述式(1A)及上述式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷中，(R6SiO3/2)所表示之結構單元(以下亦稱為三官能結構單元)亦可包含下述式(1-3)或式(1-4)所表示之結構、即三官能結構單元中之鍵結於矽原子之2個氧原子分別構成羥基或烷氧基之結構、或三官能結構單元中之鍵結於矽原子之1個氧原子構成羥基或烷氧基之結構。
(R6SiX2O1/2)………式(1-3)
(R6SiXO2/2)………式(1-4)
(R6SiO3/2)所表示之結構單元可含有下述式(1-c)所表示之結構單元之由虛線包圍之部分，進而含有下述式(1-3-c)或式(1-4-c)所表示之結構單元之由虛線包圍之部分。即，具有R6所表示之基且烷氧基或羥基殘存於末端之結構單元 亦包含於(R6SiO3/2)所表示之結構單元中。
上述式(1-3)、式(1-3-c)、式(1-4)及式(1-4-c)中，X表示OH或OR，OR表示直鏈狀或分支狀之碳數1~4之烷氧基。上述式(1-c)、式(1-3)、式(1-3-c)、式(1-4)及式(1-4-c)中之R6為與上述式(1A)及上述式(1B)中之R6相同之基。
於上述式(1-b)及式(1-c)、上述式(1-2)~式(1-4)、及上述式(1-2-b)、式(1-3-c)及式(1-4-c)中，作為直鏈狀或分支狀之碳數1~4之烷氧基，並無特別限定，例如可列舉：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、異丙氧基、異丁氧基、第二丁氧基及第三丁氧基。
上述式(1A)中，a/(a+b+c)之下限為0，上限為0.30。若a/(a+b+c)為上述上限以下，則密封劑之耐熱性變得更高，且可進一步抑制密封劑之剝離。上述式(1A)中，a/(a+b+c)較佳為0.25以下，更佳為0.20以下。再者，於a為0而a/(a+b+c)為0之情形時，上述式(1A)中不存在(R1R2R3SiO1/2)之結構單元。
上述式(1A)中，b/(a+b+c)之下限為0.70，上限為1.0。若b/(a+b+c)為上述下限以上，則密封劑之硬化物不會變得過 硬，密封劑不易產生龜裂。上述式(1A)中，b/(a+b+c)較佳為0.75以上，更佳為0.80以上，進而較佳為0.85以上。
上述式(1A)中，c/(a+b+c)之下限為0，上限為0.10。若c/(a+b+c)為上述上限以下，則容易維持作為密封劑之適當黏度，密封劑之密接性變得更高。上述式(1A)中，c/(a+b+c)較佳為0.05以下。再者，於c為0而c/(a+b+c)為0之情形時，上述式(1A)中不存在(R6SiO3/2)之結構單元。
於上述第1有機聚矽氧烷為上述式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷之情形時，上述式(1A)中之c/(a+b+c)較佳為0。即，上述式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷較佳為下述式(1Aa)所表示之第1有機聚矽氧烷。藉此，密封劑更不易產生龜裂，且密封劑更不易自外殼材等剝離。
[化14](R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b………式(1Aa)
上述式(1Aa)中，a及b滿足a/(a+b)=0~0.30及b/(a+b)=0.70~1.0，R1~R5中至少1個表示烯基，至少1個表示甲基，烯基及甲基以外之R1~R5表示碳數2~8之烴基。
上述式(1Aa)中，a/(a+b)較佳為0.25以下，更佳為0.20以下，進而較佳為0.15以下。上述式(1Aa)中，b/(a+b)較佳為0.75以上，更佳為0.80以上，進而較佳為0.85以上。
上述式(1B)中，a/(a+b+c)之下限為0.10，上限為0.50。若a/(a+b+c)為上述上限以下，則密封劑之耐熱性變得更高，且可抑制密封劑之表面之黏性。
上述式(1B)中，b/(a+b+c)之下限為0，上限為0.40。若 b/(a+b+c)為上述上限以下，則可進一步抑制密封劑之剝離，且可抑制密封劑之表面之黏性。再者，於b為0而b/(a+b+c)為0之情形時，上述式(1B)中不存在(R4R5SiO2/2)之結構單元。
上述式(1B)中，c/(a+b+c)之下限為0.40，上限為0.90。若c/(a+b+c)為上述下限以上，則密封劑之耐熱性變得更高，且可抑制密封劑之表面之黏性。
若以四甲基矽烷(以下記作TMS(tetramethylsilane))為基準對上述第1有機聚矽氧烷進行29Si-核磁共振分析(以下記作NMR(nuclear magnetic resonance))，則雖然視取代基之種類不同而可見些許變動，但相當於上述式(1A)、上述式(1Aa)及上述式(1B)中之(R1R2R3SiO1/2)所表示之結構單元的波峰於+10~-5 ppm附近出現，相當於上述式(1A)、上述式(1Aa)及上述式(1B)中之(R4R5SiO2/2)所表示之結構單元及上述式(1-2)之二官能結構單元的各波峰於-10~-50 ppm附近出現，相當於上述式(1A)及上述式(1B)中之(R6SiO3/2)所表示之結構單元、及上述式(1-3)及上述式(1-4)之三官能結構單元的各波峰於-50~-80 ppm附近出現。
因此，藉由測定29Si-NMR，並將各訊號之波峰面積加以比較，可測定上述式(1A)、上述式(1Aa)及上述式(1B)中之各結構單元之比率。
其中，於上述以TMS為基準之29Si-NMR之測定中辨別不出上述式(1A)、上述式(1Aa)及上述式(1B)中之結構單元之情形時，藉由不僅使用29Si-NMR之測定結果，而且視需要 使用1H-NMR之測定結果，可辨別上述式(1A)、上述式(1Aa)及上述式(1B)中之各結構單元之比率。
(第2有機聚矽氧烷)
本發明之光半導體裝置用密封劑中所含之第2有機聚矽氧烷具有鍵結於矽原子之氫原子、及鍵結於矽原子之甲基。上述第2有機聚矽氧烷較佳為具有2個以上之鍵結於矽原子之氫原子。氫原子與甲基係直接鍵結於矽原子。上述第2有機聚矽氧烷可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
[化15](R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r………式(51A)
上述式(51A)中，p、q及r滿足p/(p+q+r)=0.10~0.50、q/(p+q+r)=0~0.40、r/(p+q+r)=0.40~0.90，R51~R56中至少1個表示氫原子，至少1個表示甲基，氫原子及甲基以外之R51~R56表示碳數2~8之烴基。
[化16](R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r………式(51B)
上述式(51B)中，p、q及r滿足p/(p+q+r)=0~0.30、q/(p+q+r)=0.70~1.0及r/(p+q+r)=0~0.10，R51~R56中至少1個表示氫原子，至少1個表示甲基，氫原子及甲基以外之R51~R56表示碳數2~8之烴基。
再者，上述式(51A)及上述式(51B)中，(R54R55SiO2/2)所表示之結構單元及(R56SiO3/2)所表示之結構單元分別可具有烷氧基，亦可具有羥基。
上述式(51A)及上述式(51B)分別表示平均組成式。上述 式(51A)及上述式(51B)中之烴基可為直鏈狀，亦可為分支狀。上述式(51A)及上述式(51B)中之R51~R56分別可相同，亦可不同。
上述式(51A)及上述式(51B)中，(R54R55SiO2/2)及(R56SiO3/2)所表示之結構單元中之氧原子部分各自表示形成矽氧烷鍵之氧原子部分、烷氧基之氧原子部分、或羥基之氧原子部分。
作為上述式(51A)及上述式(51B)中之碳數2~8之烴基，並無特別限定，例如可列舉：乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、異丙基、異丁基、第二丁基、第三丁基、異戊基、新戊基、第三戊基、異己基、環己基、乙烯基、烯丙基及芳基。
就提高密封劑之硬化性，進一步抑制熱循環中之龜裂及剝離之觀點而言，上述第2有機聚矽氧烷較佳為含有於1個矽原子上鍵結有1個氫原子與2個碳數1~8之烴基(甲基或碳數2~8之烴基)的結構單元，上述式(51A)及上述式(51B)中，(R51R52R53SiO1/2)所表示之結構單元較佳為包含R51表示氫原子、R52及R53表示甲基或碳數2~8之烴基之結構單元。即，就提高密封劑之硬化性，進一步抑制熱循環中之龜裂及剝離之觀點而言，上述第2有機聚矽氧烷較佳為具有(HR52R53SiO1/2)所表示之結構單元，較佳為具有下述式(51-a)所表示之結構單元。(R51R52R53SiO1/2)所表示之結構單元可僅包含下述式(51-a)所表示之結構單元，亦可包含下述式(51-a)所表示之結構單元與下述式(51-a)所表示 之結構單元以外之結構單元。藉由下述式(51-a)所表示之結構單元之存在，可使氫原子存在於末端。藉由氫原子存在於末端而反應機會增多，可進一步提高密封劑之硬化性。再者，於下述式(51-a)所表示之結構單元中，末端之氧原子通常與鄰接之矽原子形成矽氧烷鍵，而與鄰接之結構單元共有氧原子。因此，將末端之1個氧原子視為「O1/2」。
上述式(51-a)中，R52及R53分別表示甲基或碳數2~8之烴基。
就進一步提高密封劑之硬化性，進一步抑制熱循環中之龜裂及剝離之觀點而言，尤佳為上述第1有機聚矽氧烷具有上述式(1-a)所表示之結構單元，且上述第2有機聚矽氧烷具有上述式(51-a)所表示之結構單元。
就進一步提高密封劑之硬化性之觀點而言，上述式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷較佳為具有鍵結於矽原子之烯基。於此情形時，R51~R56中至少1個表示氫原子，至少1個表示甲基，至少1個表示烯基，氫原子、甲基及烯基以外之R51~R56表示碳數2~8之烴基。
上述第2有機聚矽氧烷中之鍵結於矽原子之甲基的含有 比率為80莫耳%以上。若該甲基的含有比率為80莫耳%以上，則密封劑之耐熱性變得相當高，進而即便將光半導體裝置於高溫高濕下之嚴酷環境中於通電之狀態下使用，光度亦不易降低且不易產生密封劑之變色。上述第2有機聚矽氧烷中之鍵結於矽原子之甲基的含有比率較佳為85莫耳%以上，且較佳為99.99莫耳%以下，更佳為99.9莫耳%以下，進而較佳為99莫耳%以下，尤佳為98莫耳%以下。若上述甲基之含有比率為較佳之上述下限以上，則密封劑之耐熱性變得更高。若上述甲基之含有比率為上述上限以下，則可充分地導入鍵結於矽原子之氫原子，容易提高密封劑之硬化性。上述第2有機聚矽氧烷中之鍵結於矽原子之甲基的含有比率可利用下述式(X51)而求出。
鍵結於矽原子之甲基的含有比率(莫耳%)={(上述第2有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之甲基的平均個數×甲基之分子量)/(上述第2有機聚矽氧烷之每一分子中所含之鍵結於矽原子之官能基的平均個數×官能基之分子量之平均)}×100………式(X51)
於上述式(51A)及上述式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷中，(R54R55SiO2/2)所表示之結構單元(以下，亦稱為二官能結構單元)亦可包含下述式(51-2)所表示之結構、即二官能結構單元中之鍵結於矽原子之1個氧原子構成羥基或烷氧基之結構。
(R54R55SiXO1/2)………式(51-2)
(R54R55SiO2/2)所表示之結構單元亦可含有下述式(51-b) 所表示之結構單元之由虛線包圍之部分，進而含有下述式(51-2-b)所表示之結構單元之由虛線包圍之部分。即，具有R54及R55所表示之基且烷氧基或羥基殘存於末端之結構單元亦包含於(R54R55SiO2/2)所表示之結構單元中。
上述式(51-2)及式(51-2-b)中，X表示OH或OR，OR表示直鏈狀或分支狀之碳數1~4之烷氧基。上述式(51-b)、式(51-2)及式(51-2-b)中之R54及R55為與上述式(51A)及上述式(51B)中之R54及R55相同之基。
於上述式(51A)及上述式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷中，(R56SiO3/2)所表示之結構單元(以下亦稱為三官能結構單元)亦可含有下述式(51-3)或式(51-4)所表示之結構、即三官能結構單元中之鍵結於矽原子之2個氧原子分別構成羥基或烷氧基之結構、或三官能結構單元中之鍵結於矽原子之1個氧原子構成羥基或烷氧基之結構。
(R56SiX2O1/2)………式(51-3)
(R56SiXO2/2)………式(51-4)
(R56SiO3/2)所表示之結構單元亦可含有下述式(51-c)所表示之結構單元之由虛線包圍之部分，進而含有下述式 (51-3-c)或式(51-4-c)所表示之結構單元之由虛線包圍之部分。即，具有R56所表示之基且烷氧基或羥基殘存於末端之結構單元亦包含於(R56SiO3/2)所表示之結構單元中。
上述式(51-3)、式(51-3-c)、式(51-4)及式(51-4-c)中，X表示OH或OR，OR表示直鏈狀或分支狀之碳數1~4之烷氧基。上述式(51-c)、式(51-3)、式(51-3-c)、式(51-4)及式(51-4-c)中之R56為與上述式(51A)及上述式(51B)中之R56相同之基。
於上述式(51-b)及式(51-c)、上述式(51-2)~式(51-4)、及上述式(51-2-b)、式(51-3-c)及式(51-4-c)中，作為直鏈狀或分支狀之碳數1~4之烷氧基，並無特別限定，例如可列舉：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、異丙氧基、異丁氧基、第二丁氧基及第三丁氧基。
上述式(51A)中，p/(p+q+r)之下限為0.10，上限為0.50。若p/(p+q+r)為上述上限以下，則密封劑之耐熱性變得更高，且可抑制密封劑之表面之黏性。上述式(51A)中，p/(p+q+r)較佳為0.40以下，更佳為0.35以下。
上述式(51A)中，q/(p+q+r)之下限為0，上限為0.40。若 q/(p+q+r)為上述上限以下，則可進一步抑制密封劑之剝離，且可抑制密封劑之表面之黏性。上述式(51A)中，q/(p+q+r)較佳為0.10以上，較佳為0.35以下。再者，於q為0而q/(p+q+r)為0之情形時，上述式(51A)中不存在(R54R55SiO2/2)之結構單元。
上述式(51A)中，r/(p+q+r)之下限為0.40，上限為0.90。若r/(p+q+r)為上述下限以上，則可進一步抑制密封劑之剝離，且可抑制密封劑之表面之黏性。上述式(51A)中，r/(p+q+r)較佳為0.80以下，更佳為0.70以下。
上述式(51B)中，p/(p+q+r)之下限為0，上限為0.30。若p/(p+q+r)為上述上限以下，則密封劑之耐熱性變得更高，且可進一步抑制密封劑之剝離。上述式(51B)中，p/(p+q+r)較佳為0.25以下，更佳為0.20以下。再者，於p為0而p/(p+q+r)為0之情形時，上述式(51B)中不存在(R51R52R53SiO1/2)之結構單元。
上述式(51B)中，q/(p+q+r)之下限為0.70，上限為1.0。若q/(p+q+r)為上述下限以上，則密封劑之硬化物不會變得過硬，密封劑不易產生龜裂。上述式(51B)中，q/(p+q+r)較佳為0.75以上，更佳為0.80以上，進而較佳為0.85以上。
上述式(51B)中，r/(p+q+r)之下限為0，上限為0.10。若r/(p+q+r)為上述上限以下，則容易維持作為密封劑之適當之黏度，密封劑之密接性變得更高。上述式(51B)中之r/(p+q+r)較佳為0.05以下。再者，r為0而r/(p+q+r)為0之情 形時，上述式(51B)中不存在(R56SiO3/2)之結構單元。
於上述第2有機聚矽氧烷為上述式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷之情形時，上述式(51B)中之r/(p+q+r)較佳為0。即，上述式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷較佳為下述式(51Bb)所表示之第2有機聚矽氧烷。藉此，密封劑更不易產生龜裂，且密封劑更不易自外殼材等剝離。
[化20](R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q………式(51Bb)
上述式(51Bb)中，p及q滿足p/(p+q)=0~0.30及q/(p+q)=0.70~1.0，R51~R55中至少1個表示氫原子，至少1個表示甲基，氫原子及甲基以外之R51~R55表示碳數2~8之烴基。
上述式(51Bb)中，p/(p+q)較佳為0.25以下，更佳為0.20以下，進而較佳為0.15以下。上述式(51Bb)中，q/(p+q)較佳為0.70以上，更佳為0.80以上，進而較佳為0.85以上。
若以四甲基矽烷(以下記作TMS)為基準對上述第2有機聚矽氧烷進行29Si-核磁共振分析(以下記作NMR)，則雖然因取代基之種類不同而可見些許變動，但是相當於上述式(51A)、上述式(51B)及上述式(51Bb)中之(R51R52R53SiO1/2)所表示之結構單元的波峰於+10~-5 ppm附近出現，相當於上述式(51A)、上述式(51B)及上述式(51Bb)中之(R54R55SiO2/2)所表示之結構單元及上述式(51-2)之二官能結構單元的各波峰於-10~-50 ppm附近出現，相當於上述式(51A)及上述式(51B)中之(R56SiO3/2)所表示之結構單元、及上述式(51-3) 及上述式(51-4)之三官能結構單元的各波峰於-50~-80 ppm附近出現。
因此，藉由測定29Si-NMR，並將各訊號之波峰面積加以比較，可測定上述式(51A)、上述式(51B)及上述式(51Bb)中之各結構單元之比率。
其中，於上述以TMS為基準之29Si-NMR之測定中辨別不出上述式(51A)、上述式(51B)及上述式(51Bb)中之結構單元之情形時，藉由不僅使用29Si-NMR之測定結果，而且視需要使用1H-NMR之測定結果，可辨別上述式(51A)、上述式(51B)及上述式(51Bb)中之各結構單元之比率。
相對於上述第1有機聚矽氧烷100重量份，上述第2有機聚矽氧烷之含量較佳為10重量份以上、400重量份以下。若第1、第2有機聚矽氧烷之含量為該範圍內，則可獲得硬化性更優異之密封劑。就獲得硬化性更優異之密封劑之觀點而言，相對於上述第1有機聚矽氧烷100重量份，上述第2有機聚矽氧烷之含量更佳為15重量份以上，進而較佳為20重量份以上，且更佳為300重量份以下，進而較佳為200重量份以下。
(第1、第2有機聚矽氧烷之其他性質及其合成方法)
上述第1、第2有機聚矽氧烷之烷氧基之含量較佳為0.1莫耳%以上，且較佳為10莫耳%以下，更佳為5莫耳%以下。若烷氧基之含量為上述下限以上，則密封劑之密接性變高。若烷氧基之含量為上述上限以下，則上述第1、第2有機聚矽氧烷及密封劑之儲存穩定性變高，密封劑之耐熱 性變得更高。
上述烷氧基之含量係表示上述第1、第2有機聚矽氧烷之平均組成式中所含之烷氧基之量。
上述第1、第2有機聚矽氧烷較佳為不含矽烷醇基。若上述第1、第2有機聚矽氧烷不含矽烷醇基，則上述第1、第2有機聚矽氧烷及密封劑之儲存穩定性變高。上述矽烷醇基可藉由真空下之加熱而減少。矽烷醇基之含量可使用紅外分光法進行測定。
就將密封劑之黏度調整至良好範圍內之觀點而言，上述式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷及上述式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷之數量平均分子量分別較佳為10000以上，更佳為20000以上，且較佳為100000以下。就將密封劑之黏度調整至良好範圍內之觀點而言，上述式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷及上述式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷之數量平均分子量分別較佳為1000以上，更佳為2000以上，且較佳為10000以下。
就進一步抑制冷熱循環中之龜裂及剝離之觀點而言，上述式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷及上述式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷之數量平均分子量分別較佳為20000以上，一般認為越高越好。然而，就進一步抑制冷熱循環中之龜裂及剝離之觀點而言，上述式(1A)中之烯基及上述式(51B)中之氫原子較佳為配置於有機聚矽氧烷之末端，因此有上述數量平均分子量越高則烯基及氫原子的含有比率越低之情況。就降低密封劑之表面之黏性之觀點而言，上 述式(1A)中之烯基的含有比率及上述式(51B)中之鍵結於矽原子之氫原子的含有比率分別較佳為0.05莫耳%以上，更佳為0.3莫耳%以上。
就抑制密封劑之表面之黏性之觀點而言，上述式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷及上述式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷之數量平均分子量分別較佳為50000以下。尤其於上述式(1A)中之烯基的含有比率及上述式(51B)中之鍵結於矽原子之氫原子的含有比率為上述下限以上之情形時，若上述式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷及上述式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷之數量平均分子量為50000以下，則可有效地抑制密封劑之表面之黏性。
上述數量平均分子量(Mn)係使用凝膠滲透層析儀(GPC，Gel Permeation Chromatography)，以聚苯乙烯作為標準物質而求出之值。上述數量平均分子量(Mn)係指使用Waters公司製造之測定裝置(管柱：昭和電工公司製造之Shodex GPC LF-804(長度300 mm)2根，測定溫度：40℃，流速：1 mL/min，溶劑：四氫呋喃，標準物質：聚苯乙烯)測定之值。
作為合成上述第1、第2有機聚矽氧烷之方法，並無特別限定，可列舉：使烷氧基矽烷化合物水解並進行縮合反應之方法、及使氯矽烷化合物水解並縮合之方法。其中，就反應之控制之觀點而言，較佳為使烷氧基矽烷化合物水解並縮合之方法。
作為使上述烷氧基矽烷化合物水解並進行縮合反應之方 法，例如可列舉使烷氧基矽烷化合物於水與酸性觸媒或鹼性觸媒之存在下反應之方法。又，亦可使二矽氧烷化合物水解而使用。
作為用以將烯基導入至上述第1有機聚矽氧烷中之有機矽化合物，可列舉：乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基甲基二甲氧基矽烷、甲氧基二甲基乙烯基矽烷、乙烯基二甲基乙氧基矽烷及1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷等。
作為用以將鍵結於矽原子之氫原子導入至上述第2有機聚矽氧烷中之有機矽化合物，可列舉：三甲氧基矽烷、三乙氧基矽烷、甲基二甲氧基矽烷、甲基二乙氧基矽烷、及1,1,3,3-四甲基二矽氧烷等。
作為可用於獲得上述第1、第2有機聚矽氧烷之其他有機矽化合物，例如可列舉：三甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、異丙基(甲基)二甲氧基矽烷、環己基(甲基)二甲氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷及辛基三甲氧基矽烷等。
作為用以於上述第1、第2有機聚矽氧烷中視需要導入芳基之有機矽化合物，可列舉：三苯基甲氧基矽烷、三苯基乙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、甲基(苯基)二甲氧基矽烷、及苯基三甲氧基矽烷等。
作為上述酸性觸媒，例如可列舉：無機酸、有機酸、無 機酸之酸酐及其衍生物、及有機酸之酸酐及其衍生物。
作為上述無機酸，例如可列舉：鹽酸、磷酸、硼酸及碳酸。作為上述有機酸，例如可列舉：甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、乳酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、草酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸及油酸。
作為上述鹼性觸媒，例如可列舉：鹼金屬之氫氧化物、鹼金屬之烷氧化物及鹼金屬之矽烷醇化合物。
作為上述鹼金屬之氫氧化物，例如可列舉：氫氧化鈉、氫氧化鉀及氫氧化銫。作為上述鹼金屬之烷氧化物，例如可列舉：第三丁氧化鈉、第三丁氧化鉀及第三丁氧化銫。
作為上述鹼金屬之矽烷醇化合物，例如可列舉：矽醇鈉化合物、矽醇鉀化合物及矽醇銫化合物。其中，較佳為鉀系觸媒或銫系觸媒。
(矽氫化反應用觸媒)
本發明之光半導體裝置用密封劑中所含之矽氫化反應用觸媒為使上述第1有機聚矽氧烷中之烯基與上述第2有機聚矽氧烷中之鍵結於矽原子之氫原子進行矽氫化反應的觸媒。
作為上述矽氫化反應用觸媒，可使用使矽氫化反應進行之各種觸媒。上述矽氫化反應用觸媒可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
作為上述矽氫化反應用觸媒，例如可列舉：鉑系觸媒、銠系觸媒及鈀系觸媒等。較佳為鉑系觸媒，其原因在於可 提高密封劑之透明性。
作為上述鉑系觸媒，可列舉：鉑粉末、氯鉑酸、鉑-烯基矽氧烷錯合物、鉑-烯烴錯合物及鉑-羰基錯合物。尤佳為鉑-烯基矽氧烷錯合物或鉑-烯烴錯合物。
作為上述鉑-烯基矽氧烷錯合物中之烯基矽氧烷，例如可列舉1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、及1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷等。作為上述鉑-烯烴錯合物中之烯烴，例如可列舉烯丙醚及1,6-庚二烯等。
較佳為於上述鉑-烯基矽氧烷錯合物或鉑-烯烴錯合物中添加烯基矽氧烷、有機矽氧烷寡聚物、烯丙醚或烯烴，其原因在於可提高上述鉑-烯基矽氧烷錯合物及鉑-烯烴錯合物之穩定性。上述烯基矽氧烷較佳為1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷。上述有機矽氧烷寡聚物較佳為二甲基矽氧烷寡聚物。上述烯烴較佳為1,6-庚二烯。
就進一步抑制於高溫下或高濕下之嚴酷環境中於通電之狀態下使用時的光度之降低，且進一步抑制密封劑之變色之觀點而言，上述矽氫化反應用觸媒較佳為鉑之烯基錯合物。就進一步抑制於高溫下或高濕下之嚴酷環境中於通電之狀態下使用時的光度之降低，且進一步抑制密封劑之變色之觀點而言，上述鉑之烯基錯合物較佳為藉由使氯鉑酸六水合物與6當量以上之二官能以上之烯基化合物反應而獲得的鉑之烯基錯合物。於此情形時，鉑之烯基錯合物為氯鉑酸六水合物與6當量以上之二官能以上之烯基化合物的反應物。又，藉由使用上述鉑之烯基錯合物，亦可提高 密封劑之透明性。上述鉑之烯基錯合物可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
作為用以獲得上述鉑之烯基錯合物之鉑原料，較佳為使用上述氯鉑酸六水合物(H2PtCl6．6H2O)。
作為用以獲得上述鉑之烯基的上述6當量以上之二官能以上之烯基化合物，例如可列舉：1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二甲基-1,3-二苯基-1,3-二乙烯基二矽氧烷及1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷等。
關於上述6當量以上之二官能以上之烯基化合物中之「當量」，係將相對於上述氯鉑酸六水合物1莫耳而上述二官能以上之烯基化合物為1莫耳之重量設定為1當量。上述6當量以上之二官能以上之烯基化合物較佳為50當量以下。
作為用於獲得上述鉑之烯基錯合物之溶劑，例如可列舉：甲醇、乙醇、2-丙醇及1-丁醇等醇系溶劑。亦可使用甲苯及二甲苯等芳香族系溶劑。上述溶劑可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
為了獲得上述鉑之烯基錯合物，除上述成分以外亦可使用單官能之乙烯基化合物。作為上述單官能之乙烯基化合物，例如可列舉：三甲氧基乙烯基矽烷、三乙氧基乙烯基矽烷及乙烯基甲基二甲氧基矽烷等。
關於氯鉑酸六水合物與6當量以上之二官能以上之烯基化合物之反應物，鉑元素與6當量以上之二官能以上之烯基化合物係共價鍵結，或配位，或共價鍵結且配位。
於密封劑中，上述矽氫化反應用觸媒之含量較佳為以金屬原子(於鉑之烯基錯合物之情形時為鉑原子)之重量單位計而為0.01 ppm以上、1000 ppm以下。若上述矽氫化反應用觸媒之含量為0.01 ppm以上，則容易使密封劑充分硬化。若上述矽氫化反應用觸媒之含量為1000 ppm以下，則不易產生硬化物之著色之問題。上述矽氫化反應用觸媒之含量更佳為1 ppm以上，且更佳為500 ppm以下。
(氧化矽粒子)
本發明之光半導體裝置用密封劑較佳為含有氧化矽粒子。藉由使用該氧化矽粒子，可於無損密封劑之硬化物之耐熱性及耐光性之情況下，將硬化前之密封劑之黏度調整至適當之範圍。因此，可提高密封劑之操作性。又，上述氧化矽粒子較佳為藉由有機矽化合物進行表面處理。藉由該表面處理，氧化矽粒子之分散性變得非常高，可進一步抑制硬化前之密封劑之由溫度上升引起的黏度之降低。
上述氧化矽粒子之一次粒徑較佳為5 nm以上，更佳為8 nm以上，且較佳為200 nm以下，更佳為150 nm以下。若上述氧化矽粒子之一次粒徑為上述下限以上，則氧化矽粒子之分散性變得更高，密封劑之硬化物之透明性變得更高。若上述氧化矽粒子之一次粒徑為上述上限以下，則可充分獲得25℃下之黏度之上升效果，且可抑制溫度上升過程中之黏度之降低。
上述氧化矽粒子之一次粒徑係以如下方式測定。使用透射式電子顯微鏡(商品名「JEM-2100」，日本電子公司製 造)觀察光半導體裝置用密封劑之硬化物。分別測定視場中之100個氧化矽粒子之一次粒子之大小，將測定值之平均值設定為一次粒徑。上述一次粒徑於上述氧化矽粒子為球形之情形時係指氧化矽粒子之直徑之平均值，於為非球形之情形時係指氧化矽粒子之長徑之平均值。
上述氧化矽粒子之BET(Brunauer-Emmett-Teller，布厄特)比表面積較佳為30 m2/g以上，且較佳為400 m2/g以下。若上述氧化矽粒子之BET比表面積為30 m2/g以上，則可將密封劑之25℃下之黏度控制於較佳範圍，可抑制溫度上升過程中之黏度之降低。若上述氧化矽粒子之BET比表面積為400 m2/g以下，則不易產生氧化矽粒子之凝聚，可提高分散性，進而可進一步提高密封劑之硬化物之透明性。
作為上述氧化矽粒子，並無特別限定，例如可列舉：煙熏二氧化矽、熔融二氧化矽等利用乾式法製造之二氧化矽，及膠體二氧化矽、溶膠凝膠二氧化矽、沈澱二氧化矽等利用濕式法製造之二氧化矽等。其中，就獲得揮發成分較少且透明性更高之密封劑之觀點而言，可較佳地使用煙熏二氧化矽作為上述氧化矽粒子。
作為上述煙熏二氧化矽，例如可列舉：Aerosil 50(比表面積：50 m2/g)、Aerosil 90(比表面積：90 m2/g)、Aerosil 130(比表面積：130 m2/g)、Aerosil 200(比表面積：200 m2/g)、Aerosil 300(比表面積：300 m2/g)、及Aerosil 380(比表面積：380 m2/g)(均為日本Aerosil公司製造)等。
作為上述有機矽化合物，並無特別限定，例如可列舉： 具有烷基之矽烷系化合物、二甲基矽氧烷等具有矽氧烷骨架之矽系化合物、具有胺基之矽系化合物、具有(甲基)丙烯醯基之矽系化合物、及具有環氧基之矽系化合物等。上述「(甲基)丙烯醯基」係指丙烯醯基及甲基丙烯醯基。
就進一步提高氧化矽粒子之分散性之觀點而言，上述有機矽化合物較佳為選自由具有二甲基矽烷基之有機矽化合物、具有三甲基矽烷基之有機矽化合物及具有聚二甲基矽氧烷基之有機矽化合物所組成之群中之至少一種。
作為利用有機矽化合物進行表面處理之方法之一例，於使用具有二甲基矽烷基之有機矽化合物或具有三甲基矽烷基之有機矽化合物之情形時，例如可列舉：使用二氯二甲基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、六甲基二矽氮烷、三甲基矽烷基氯化物及三甲基甲氧基矽烷等，對氧化矽粒子進行表面處理之方法。於使用具有聚二甲基矽氧烷基之有機矽化合物之情形時，可列舉：使用於聚二甲基矽氧烷基之末端具有矽烷醇基之化合物及環狀矽氧烷等，對氧化矽粒子進行表面處理之方法。
作為藉由上述具有二甲基矽烷基之有機矽化合物進行了表面處理之氧化矽粒子之市售品，可列舉R974(比表面積：170 m2/g)、及R964(比表面積：250 m2/g)(均為日本Aerosil公司製造)等。
作為藉由上述具有三甲基矽烷基之有機矽化合物進行了表面處理之氧化矽粒子之市售品，可列舉RX200(比表面積：140 m2/g)、及R8200(比表面積：140 m2/g)(均為日本 Aerosil公司製造)等。
作為藉由上述具有聚二甲基矽氧烷基之有機矽化合物進行了表面處理之氧化矽粒子之市售品，可列舉RY200(比表面積：120 m2/g)(日本Aerosil公司製造)等。
藉由上述有機矽化合物對氧化矽粒子進行表面處理之方法並無特別限定。作為該方法，例如可列舉：於混合機中添加氧化矽粒子，一面攪拌一面添加有機矽化合物之乾式法；於氧化矽粒子之漿料中添加有機矽化合物之漿料法；及於氧化矽粒子之乾燥後噴霧賦予有機矽化合物之噴霧法等直接處理法等。作為上述乾式法中所使用之混合機，可列舉亨舍爾混合機(Henschel mixer)及V型混合機等。於上述乾式法中，有機矽化合物係直接或以醇水溶液、有機溶劑溶液或水溶液之形式添加。
為了獲得藉由上述有機矽化合物進行了表面處理之氧化矽粒子，亦可使用整體摻混法等，上述整體摻混法係於製備光半導體裝置用密封劑時，於氧化矽粒子與上述第1、第2有機聚矽氧烷等基質樹脂之混合時，直接添加有機矽化合物。
相對於上述第1有機聚矽氧烷與上述第2有機聚矽氧烷之合計100重量份，上述氧化矽粒子之含量較佳為0.1重量份以上，更佳為0.5重量份以上，且較佳為40重量份以下，更佳為35重量份以下，進而較佳為20重量份以下。若上述氧化矽粒子之含量為上述下限以上，則可抑制硬化時之黏度降低。若上述氧化矽粒子之含量為上述上限以下，則可 將密封劑之黏度控制於更適當之範圍，且可進一步提高密封劑之透明性。
(螢光體)
本發明之光半導體裝置用密封劑亦可進而含有螢光體。又，本發明之光半導體裝置用密封劑亦可不含螢光體。於此情形時，密封劑可於使用時添加螢光體而使用。即便於密封劑中添加螢光體，所添加之螢光體亦不易沈降。
上述螢光體係以如下方式發揮作用：可吸收使用光半導體裝置用密封劑密封之發光元件所發出之光並產生螢光，藉此最終獲得所需顏色之光。上述螢光體可由發光元件所發出之光激發而發出螢光，藉由發光元件所發出之光與螢光體所發出之螢光之組合而獲得所需顏色之光。
例如，於使用紫外線LED晶片作為發光元件而以最終獲得白色光為目的之情形時，較佳為組合使用藍色螢光體、紅色螢光體及綠色螢光體。於使用藍色LED晶片作為發光元件以最終獲得白色光為目的之情形時，較佳為組合使用綠色螢光體及紅色螢光體，或使用黃色螢光體。上述螢光體可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
作為上述藍色螢光體，並無特別限定，例如可列舉(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2：Eu、(Ba,Sr)MgAl10O17：Eu、(Sr,Ba)3MgSi2O8：Eu等。
作為上述紅色螢光體，並無特別限定，例如可列舉(Sr,Ca)S：Eu、(Ca,Sr)2Si5N8：Eu、CaSiN2：Eu、CaAlSiN3：Eu、Y2O2S：Eu、La2O2S：Eu、LiW2O8：(Eu,Sm)、(Sr,Ca,Bs,Mg)10 (PO4)8Cl2：(Eu,Mn)、Ba3MgSi2O8：(Eu,Mn)等。
作為上述綠色螢光體，並無特別限定，例如可列舉Y3(Al,Ga)5O12：Ce、SrGa2S4：Eu、Ca3Sc2Si3O12：Ce、SrSiON：Eu、ZnS：(Cu,Al)、BaMgAl10O17(Eu,Mn)、SrAl2O4：Eu等。
作為上述黃色螢光體，並無特別限定，例如可列舉Y3Al5O12：Ce、(Y,Gd)3Al5O12：Ce、Tb3Al5O12：Ce、CaGa2S4：Eu、Sr2SiO4：Eu等。
進而，作為上述螢光體，可列舉作為有機螢光體之苝系化合物等。
為了獲得所需顏色之光，上述螢光體之含量可適當調整，並無特別限定。相對於本發明之光半導體裝置用密封劑100重量份，上述螢光體之含量較佳為0.1重量份以上、40重量份以下。相對於光半導體裝置用密封劑之除螢光體以外之總成分100重量份，上述螢光體之含量較佳為0.1重量份以上、40重量份以下。
(偶合劑)
本發明之光半導體裝置用密封劑為了賦予接著性，亦可進而含有偶合劑。
作為上述偶合劑，並無特別限定，例如可列舉矽烷偶合劑等。作為該矽烷偶合劑，可列舉：乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、及N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷等。偶合劑可僅使用一 種，亦可併用兩種以上。
(其他成分)
本發明之光半導體裝置用密封劑視需要亦可進而含有分散劑、抗氧化劑、消泡劑、著色劑、改質劑、調平劑、光擴散劑、導熱性填料或阻燃劑等添加劑。
再者，上述第1有機聚矽氧烷、上述第2有機聚矽氧烷、及上述矽氫化反應用觸媒亦可預先分別製備含有該等中之一種或兩種以上之液體，於即將使用時將複數種液體混合，而製備本發明之光半導體裝置用密封劑。例如，亦可預先分別製備含有上述第1有機聚矽氧烷及上述矽氫化反應用觸媒之A液、與含有上述第2有機聚矽氧烷之B液，於即將使用時將A液與B液混合，而製備本發明之光半導體裝置用密封劑。於此情形時，上述氧化矽粒子及上述螢光體可分別添加至A液中，亦可添加至B液中。又，藉由如此般將上述第1有機聚矽氧烷及上述矽氫化反應用觸媒與上述第2有機聚矽氧烷分別製成第1液與第2液兩種液體，可提高密封劑之保存穩定性。
(光半導體裝置用密封劑之詳情及用途)
本發明之光半導體裝置用密封劑之硬化溫度並無特別限定。光半導體裝置用密封劑之硬化溫度較佳為80℃以上，更佳為100℃以上，且較佳為180℃以下，更佳為150℃以下。若硬化溫度為上述下限以上，則密封劑之硬化充分進行。若硬化溫度為上述上限以下，則不易引起封裝之熱劣化。
硬化方式並無特別限定，較佳為使用分步固化方式。分步固化方式係暫且於低溫下預硬化，其後於高溫下硬化之方法。藉由使用分步固化方式，可抑制密封劑之硬化收縮。
作為本發明之光半導體裝置用密封劑之製造方法，並無特別限定，例如可列舉：使用均質分散機、均質混合機、萬能混合機、行星式混合機、捏合機、三輥磨機或珠磨機等混合機，於常溫或加溫下，將上述第1有機聚矽氧烷、上述第2有機聚矽氧烷、上述矽氫化反應用觸媒、及視需要調配之其他成分混合之方法等。
作為上述發光元件，只要為使用半導體之發光元件，則並無特別限定，例如於上述發光元件為發光二極體之情形時，例如可列舉於基板上積層有LED形式用半導體材料之構造。於此情形時，作為半導體材料，例如可列舉：GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN、及SiC等。
作為上述基板之材料，例如可列舉：藍寶石、尖晶石、SiC、Si、ZnO、及GaN單晶等。又，視需要亦可於基板與半導體材料之間形成緩衝層。作為上述緩衝層之材料，例如可列舉GaN及AlN等。
作為本發明之光半導體裝置，具體而言，例如可列舉發光二極體裝置、半導體雷射裝置及光耦合器等。此種光半導體裝置可較佳地用於例如液晶顯示器等之背光，照明、各種感測器、印表機及影印機等之光源，車用儀錶光源， 信號燈、指示燈、顯示裝置、面狀發光體之光源，顯示器、裝飾、各種燈及開關元件等。
於本發明之光半導體裝置中，藉由本發明之光半導體裝置用密封劑將藉由光半導體形成之發光元件密封。於本發明之光半導體裝置中，以將藉由LED等光半導體形成之發光元件密封之方式配置有光半導體裝置用密封劑之硬化物。因此，密封發光元件之光半導體裝置用密封劑之硬化物不易產生龜裂，不易產生自封裝之剝離，且可提高光透射性、耐熱性、耐候性及阻氣性。
(光半導體裝置之實施形態)
圖1係表示本發明之一實施形態之光半導體裝置之正面剖面圖。
本實施形態之光半導體裝置1具有外殼2。於外殼2內安裝有包含LED之光半導體元件3。該光半導體元件3之周圍係由外殼2之具有光反射性之內表面2a所包圍。於本實施形態中，使用光半導體元件3作為藉由光半導體形成之發光元件。
內表面2a係以使內表面2a之徑隨著朝向開口端而變大之方式形成。因此，自光半導體元件3發出之光中，到達內表面2a之光係由內表面2a所反射，向光半導體元件3之前方側行進。以密封光半導體元件3之方式於由內表面2a所包圍之區域內填充有光半導體裝置用密封劑4。
再者，圖1所示之構造僅為本發明之光半導體裝置之一例，光半導體裝置之安裝構造等可適當變形。
以下，列舉實施例更詳細地說明本發明。本發明並不限定於以下實施例。
(合成例1)式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷之合成
於具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中加入二甲基二甲氧基矽烷476 g、及1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷5.3 g，於50℃下進行攪拌。於其中緩慢地滴加將氫氧化鉀2.2 g溶解於水144 g中而成之溶液，滴加後於50℃下攪拌6小時而進行反應，獲得反應液。繼而，進行減壓而將揮發成分去除，於反應液中添加乙酸2.4 g，於減壓下進行加熱。其後，藉由過濾將乙酸鉀去除，獲得聚合物(A)。
所獲得之聚合物(A)之數量平均分子量為5830。根據29Si-NMR對化學結構進行鑑定，結果聚合物(A)具有下述之平均組成式(A1)。
(Me2SiO2/2)0.98(ViMe2SiO1/2)0.022………式(A1)
上述式(A1)中，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。所獲得之聚合物(A)之甲基的含有比率為98.9莫耳%，乙烯基的含有比率為1.1莫耳%。
再者，合成例1及合成例2~11中獲得之各聚合物之分子量係於10 mg中添加四氫呋喃1 mL，進行攪拌直至溶解為止，藉由GPC測定進行測定。於GPC測定中，使用Waters公司製造之測定裝置(管柱：昭和電工公司製造之Shodex GPC LF-804(長度300 mm)×2根，測定溫度：40℃，流速：1 mL/min，溶劑：四氫呋喃，標準物質：聚苯乙烯)。
(合成例2)式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷之合成
於具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中加入二甲基二甲氧基矽烷486 g、及1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷2.7 g，於50℃下進行攪拌。於其中緩慢地滴加將氫氧化鉀2.2 g溶解於水144 g中而成之溶液，滴加後於50℃下攪拌6小時而進行反應，獲得反應液。繼而，進行減壓而將揮發成分去除，於反應液中添加乙酸2.4 g，於減壓下進行加熱。其後，藉由過濾將乙酸鉀去除，獲得聚合物(B)。
所獲得之聚合物(B)之數量平均分子量為37400。根據29Si-NMR對化學結構進行鑑定，結果聚合物(B)具有下述之平均組成式(B1)。
(Me2SiO2/2)0.992(ViMe2SiO1/2)0.008………式(B1)
上述式(B1)中，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。所獲得之聚合物(B)之甲基的含有比率為99.6莫耳%，乙烯基的含有比率為0.4莫耳%。
(合成例3)式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷之合成
於具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中加入二甲基二甲氧基矽烷488 g、及1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷1.2 g，於50℃下進行攪拌。於其中緩慢地滴加將氫氧化鉀2.2 g溶解於水144 g中而成之溶液，滴加後於50℃下攪拌6小時而進行反應，獲得反應液。繼而，進行減壓而將揮發成分去除，於反應液中添加乙酸2.4 g，於減壓下進行加熱。其後，藉由過濾將乙酸鉀 去除，獲得聚合物(C)。
所獲得之聚合物(C)之數量平均分子量為82800。根據29Si-NMR對化學結構進行鑑定，結果聚合物(C)具有下述之平均組成式(C1)。
(Me2SiO2/2)0.998(ViMe2SiO1/2)0.002………式(C1)
上述式(C1)中，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。所獲得之聚合物(C)之甲基的含有比率為99.9莫耳%，乙烯基的含有比率為0.1莫耳%。
(合成例4)式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷或式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷之合成
於具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中加入二甲基二甲氧基矽烷298 g、甲基三甲氧基矽烷17 g、乙烯基三甲氧基矽烷31 g、及1,1,3,3-四甲基二矽氧烷40 g，於50℃下進行攪拌。於其中緩慢地滴加鹽酸2.0 g與水134 g之溶液，滴加後於50℃下攪拌6小時而進行反應，獲得反應液。繼而，進行減壓而將揮發成分去除，獲得聚合物。於所獲得之聚合物中添加己烷150 g與乙酸乙酯150 g，利用離子交換水300 g進行10次清洗，進行減壓而將揮發成分去除，獲得聚合物(D)。
所獲得之聚合物(D)之數量平均分子量為9530。根據29Si-NMR對化學結構進行鑑定，結果聚合物(D)具有下述之平均組成式(D1)。
(Me2SiO2/2)0.81(MeSiO3/2)0.03(ViSiO3/2)0.07(HMe2SiO1/2)0.09………式(D1)
上述式(D1)中，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。所獲得之聚合物(D)之甲基的含有比率為92.0莫耳%，乙烯基的含有比率為3.5莫耳%，鍵結於矽原子之氫原子的含有比率為4.5莫耳%。
(合成例5)式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷或式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷之合成
於具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中加入二甲基二甲氧基矽烷90.2 g、甲基三甲氧基矽烷217 g、乙烯基三甲氧基矽烷31 g、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷40 g、及三甲基甲氧基矽烷16 g，於50℃下進行攪拌。於其中緩慢地滴加鹽酸2.0 g與水134 g之溶液，滴加後於50℃下攪拌6小時而進行反應，獲得反應液。繼而，進行減壓而將揮發成分去除，獲得聚合物。於所獲得之聚合物中添加己烷150 g與乙酸乙酯150 g，利用離子交換水300 g進行10次清洗，進行減壓而將揮發成分去除，獲得聚合物(E)。
所獲得之聚合物(E)之數量平均分子量為3420。根據29Si-NMR對化學結構進行鑑定，結果聚合物(E)具有下述之平均組成式(E1)。
(Me2SiO2/2)0.25(MeSiO3/2)0.52(ViSiO3/2)0.07(HMe2SiO1/2)0.10(Me3SiO1/2)0.06………式(E1)
上述式(E1)中，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。
所獲得之聚合物(E)之甲基的含有比率為89.1莫耳%，乙烯基的含有比率為4.5莫耳%，鍵結於矽原子之氫原子的含 有比率為6.4莫耳%。
(合成例6)式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷或式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷之合成
於具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中加入1,1,3,3-四甲基二矽氧烷54 g、乙烯基三甲氧基矽烷37 g、甲基三甲氧基矽烷343 g、及三甲基甲氧基矽烷84 g，於50℃下進行攪拌。於其中緩慢地滴加鹽酸2.0 g與水134 g之溶液，滴加後於50℃下攪拌6小時而進行反應，獲得反應液。繼而，進行減壓而將揮發成分去除，獲得聚合物。於所獲得之聚合物中添加己烷150 g與乙酸乙酯150 g，利用離子交換水300 g進行10次清洗，進行減壓而將揮發成分去除，獲得聚合物(F)。
所獲得之聚合物(F)之數量平均分子量為2320。根據29Si-NMR對化學結構進行鑑定，結果聚合物(F)具有下述之平均組成式(F1)。
(HMe2SiO1/2)0.09(Me3SiO1/2)0.21(ViSiO3/2)0.07(MeSiO3/2)0.63………式(F1)
上述式(F1)中，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。所獲得之聚合物(F)之甲基的含有比率為90.0莫耳%，乙烯基的含有比率為4.4莫耳%，鍵結於矽原子之氫原子的含有比率為5.6莫耳%。
(合成例7)式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷之合成
於具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中加入二甲基二甲氧基矽烷470 g、及1,1,3,3-四甲 基二矽氧烷12 g，於50℃下進行攪拌。於其中緩慢地滴加將鹽酸2.0 g溶解於水134 g中而成之溶液，滴加後於50℃下攪拌6小時而進行反應，獲得反應液。於所獲得之聚合物中添加己烷150 g與乙酸乙酯150 g，利用離子交換水300 g進行10次清洗，進行減壓而將揮發成分去除，獲得聚合物(G)。
所獲得之聚合物(G)之數量平均分子量為5230。根據29Si-NMR對化學結構進行鑑定，結果聚合物(G)具有下述之平均組成式(G1)。
(Me2SiO2/2)0.97(HMeSiO1/2)0.024………式(G1)
上述式(G1)中，Me表示甲基。所獲得之聚合物(G)之甲基的含有比率為98.8莫耳%，鍵結於矽原子之氫原子的含有比率為1.2莫耳%。
(合成例8)式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷之合成
於具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中加入二甲基二甲氧基矽烷476 g、及1,1,3,3-四甲基二矽氧烷5.4 g，於50℃下進行攪拌。於其中緩慢地滴加將鹽酸2.0 g溶解於水134 g中而成之溶液，滴加後於50℃下攪拌6小時而進行反應，獲得反應液。於所獲得之聚合物中添加己烷150 g與乙酸乙酯150 g，利用離子交換水300 g進行10次清洗，進行減壓而將揮發成分去除，獲得聚合物(H)。
所獲得之聚合物(H)之數量平均分子量為35300。根據29Si-NMR對化學結構進行鑑定，結果聚合物(H)具有下述 之平均組成式(H1)。
(Me2SiO2/2)0.992(HMeSiO1/2)0.008………式(H1)
上述式(H1)中，Me表示甲基。所獲得之聚合物(H)之甲基的含有比率為99.6莫耳%，鍵結於矽原子之氫原子的含有比率為0.4莫耳%。
(合成例9)式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷之合成
於具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中加入二甲基二甲氧基矽烷480 g、及1,1,3,3-四甲基二矽氧烷1.6 g，於50℃下進行攪拌。於其中緩慢地滴加將鹽酸2.0 g溶解於水134 g中而成之溶液，滴加後於50℃下攪拌6小時而進行反應，獲得反應液。於所獲得之聚合物中添加己烷150 g與乙酸乙酯150 g，利用離子交換水300 g進行10次清洗，進行減壓而將揮發成分去除，獲得聚合物(I)。
所獲得之聚合物(I)之數量平均分子量為78200。根據29Si-NMR對化學結構進行鑑定，結果聚合物(I)具有下述之平均組成式(I1)。
(Me2SiO2/2)0.998(HMeSiO1/2)0.002………式(I1)
上述式(I1)中，Me表示甲基。所獲得之聚合物(I)之甲基的含有比率為99.9莫耳%，鍵結於矽原子之氫原子的含有比率為0.1莫耳%。
(合成例10)式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷或式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷之合成
於具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離 式燒瓶中加入二甲基二甲氧基矽烷90.2 g、甲基三甲氧基矽烷217 g、乙烯基三甲氧基矽烷31 g、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷32 g、及三甲基甲氧基矽烷19 g，於50℃下進行攪拌。於其中緩慢地滴加鹽酸2.0 g與水134 g之溶液，滴加後於50℃下攪拌6小時而進行反應，獲得反應液。繼而，進行減壓而將揮發成分去除，獲得聚合物。於所獲得之聚合物中添加己烷150 g與乙酸乙酯150 g，利用離子交換水300 g進行10次清洗，進行減壓而將揮發成分去除，獲得聚合物(J)。
所獲得之聚合物(J)之數量平均分子量為3320。根據29Si-NMR對化學結構進行鑑定，結果聚合物(J)具有下述之平均組成式(J1)。
(Me2SiO2/2)0.25(MeSiO3/2)0.52(ViSiO3/2)0.07(HMe2SiO1/2)0.08(Me3SiO1/2)0.08………式(J1)
上述式(J1)中，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。所獲得之聚合物(J)之甲基的含有比率為90.4莫耳%，乙烯基的含有比率為4.5莫耳%，鍵結於矽原子之氫原子的含有比率為5.1莫耳%。
(合成例11)式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷或式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷之合成
於具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中加入二甲基二甲氧基矽烷90.2 g、甲基三甲氧基矽烷217 g、乙烯基三甲氧基矽烷31 g、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷24 g、及三甲基甲氧基矽烷25 g，於50℃下進行攪 拌。於其中緩慢地滴加鹽酸2.0 g與水134 g之溶液，滴加後於50℃下攪拌6小時而進行反應，獲得反應液。繼而，進行減壓而將揮發成分去除，獲得聚合物。於所獲得之聚合物中添加己烷150 g與乙酸乙酯150 g，利用離子交換水300 g進行10次清洗，進行減壓而將揮發成分去除，獲得聚合物(K)。
所獲得之聚合物(K)之數量平均分子量為3300。根據29Si-NMR對化學結構進行鑑定，結果聚合物(K)具有下述之平均組成式(K1)。
(Me2SiO2/2)0.25(MeSiO3/2)0.52(ViSiO3/2)0.07(HMe2SiO1/2)0.06(Me3SiO1/2)0.10………式(K1)
上述式(K1)中，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。所獲得之聚合物(K)之甲基的含有比率為91.7莫耳%，乙烯基的含有比率為4.5莫耳%，鍵結於矽原子之氫原子的含有比率為3.8莫耳%。
(實施例1)
將聚合物B(10 g)、聚合物E(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲得光半導體裝置用密封劑。
(實施例2)
將聚合物B(10 g)、聚合物F(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲 得光半導體裝置用密封劑。
(實施例3)
將聚合物C(10 g)、聚合物E(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲得光半導體裝置用密封劑。
(實施例4)
將聚合物C(10 g)、聚合物F(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲得光半導體裝置用密封劑。
(實施例5)
將聚合物A(10 g)、聚合物E(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲得光半導體裝置用密封劑。
(實施例6)
將聚合物H(10 g)、聚合物E(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲得光半導體裝置用密封劑。
(實施例7)
將聚合物H(10 g)、聚合物F(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總 體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲得光半導體裝置用密封劑。
(實施例8)
將聚合物I(10 g)、聚合物E(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲得光半導體裝置用密封劑。
(實施例9)
將聚合物I(10 g)、聚合物F(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲得光半導體裝置用密封劑。
(實施例10)
將聚合物G(10 g)、聚合物E(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲得光半導體裝置用密封劑。
(實施例11)
將聚合物B(10 g)、聚合物J(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲得光半導體裝置用密封劑。
(實施例12)
將聚合物B(10 g)、聚合物K(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯 基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲得光半導體裝置用密封劑。
(實施例13)
將聚合物H(10 g)、聚合物K(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲得光半導體裝置用密封劑。
(比較例1)
將聚合物A(10 g)、聚合物D(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲得光半導體裝置用密封劑。
(比較例2)
將聚合物B(10 g)、聚合物D(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲得光半導體裝置用密封劑。
(比較例3)
將聚合物G(10 g)、聚合物D(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲得光半導體裝置用密封劑。
(比較例4)
將聚合物H(10 g)、聚合物D(10 g)、及鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(鉑金屬相對於密封劑總體以重量單位計而成為10 ppm之量)混合，進行脫泡，獲得光半導體裝置用密封劑。
(評價) (光半導體裝置之製作)
於在附有經鍍銀之鉛電極之聚鄰苯二甲醯胺製外殼材中藉由黏晶材料安裝有主發光波峰為460 nm之發光元件，並以金線將發光元件與鉛電極連接之構造中，注入所獲得之光半導體裝置用密封劑，於150℃下加熱2小時而使其硬化，製作光半導體裝置。使用該光半導體裝置實施下述之熱衝擊試驗。
(熱衝擊試驗)
對所獲得之光半導體裝置使用液槽式熱衝擊試驗機(ESPEC公司製造之「TSB-51」)實施以如下過程作為1循環之冷熱循環試驗：於-50℃下保持5分鐘後，升溫至135℃，於135℃下保持5分鐘後，降溫至-50℃。於1000循環後、2000循環後、3000循環後及4000循環後分別取出20個樣品。
利用立體顯微鏡(Nikon公司製造「SMZ-10」)對樣品進行觀察。對20個樣品之光半導體裝置用密封劑分別觀察是否產生龜裂，或光半導體裝置用密封劑是否自封裝或電極剝離，對產生了龜裂或剝離之樣品之數量(NG數)進行計數。
(硬度比)
將所獲得之光半導體裝置用密封劑於150℃下加熱2小時而使其硬化。利用低壓荷重器(ASKER公司製造之「CL-150」，A型橡膠硬度計)測定經硬化之光半導體裝置用密封劑之硬度，作為硬度之初期值。作為熱劣化試驗，將經硬化之光半導體裝置用密封劑放入至150℃之烘箱中500小時後，利用低壓荷重器(ASKER公司製造之「CL-150」，A型橡膠硬度計)測定硬度，作為硬度之熱劣化試驗後之值。根據硬度之初期值與硬度之熱劣化試驗後之值，計算硬度比(熱劣化試驗後之值/初期值)。
(耐熱試驗)
將所獲得之光半導體裝置用密封劑於150℃下加熱2小時而使其硬化。利用UV-VIS(Ultraviolet-Visible，紫外-可見)光度計(日立製作所公司製造之「U-3000」)測定經硬化之光半導體裝置用密封劑之透射率，將400 nm之值作為初期之值。作為耐熱試驗，將經硬化之光半導體裝置用密封劑放入至200℃之烘箱中500小時後，利用UV-VIS光度計(日立製作所公司製造之「U-3000」)測定透射率，以百分比計算相對於400 nm之值之初期值之保持率。
(密封劑之硬化物之表面之黏著性(黏性)之評價)
將所獲得之光半導體裝置於23℃及50 RH%之環境下放置24小時。放置24小時之後，立即使手指接觸硬化物而確認光半導體裝置用密封劑之硬化物之表面之黏著性(黏性)。以下述基準對黏著性(黏性)進行判定。
[黏著性(黏性)之判定基準]
○○：完全未感覺到黏著性(黏性)
○：幾乎未感覺到黏著性(黏性)
△：略微感覺到黏著性(黏性)
×：明顯感覺到黏著性(黏性)
將結果示於下述表1。再者，下述表1中亦表示上述比(鍵結於矽原子之氫原子的含有比率/鍵結於矽原子之烯基的含有比率)之值。
1‧‧‧光半導體裝置
2‧‧‧外殼
2a‧‧‧內表面
3‧‧‧光半導體元件
4‧‧‧光半導體裝置用密封劑
圖1係表示本發明之一實施形態之光半導體裝置之正面剖面圖。

Claims (12)

  1. 一種光半導體裝置用密封劑，其含有：具有烯基及鍵結於矽原子之甲基的第1有機聚矽氧烷、具有鍵結於矽原子之氫原子及鍵結於矽原子之甲基的第2有機聚矽氧烷、及矽氫化反應用觸媒，且上述第1有機聚矽氧烷為下述式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷、且上述第2有機聚矽氧烷為下述式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷，或上述第1有機聚矽氧烷為下述式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷、且上述第2有機聚矽氧烷為下述式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷，上述第1有機聚矽氧烷及上述第2有機聚矽氧烷中之鍵結於矽原子之甲基的含有比率分別為80莫耳%以上，[化1](R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c………式(1A)上述式(1A)中，a、b及c滿足a/(a+b+c)=0~0.30、b/(a+b+c)=0.70~1.0及c/(a+b+c)=0~0.10，R1~R6中至少1個表示烯基，至少1個表示甲基，烯基及甲基以外之R1~R6表示碳數2~8之烴基，[化2](R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r………式(51A)上述式(51A)中，p、q及r滿足p/(p+q+r)=0.10~0.50、q/(p+q+r)=0~0.40、r/(p+q+r)=0.40~0.90，R51~R56中至 少1個表示氫原子，至少1個表示甲基，氫原子及甲基以外之R51~R56表示碳數2~8之烴基，[化3](R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c………式(1B)上述式(1B)中，a、b及c滿足a/(a+b+c)=0.10~0.50、b/(a+b+c)=0~0.40、及c/(a+b+c)=0.40~0.90，R1~R6中至少1個表示烯基，至少1個表示甲基，烯基及甲基以外之R1~R6表示碳數2~8之烴基，[化4](R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r………式(51B)上述式(51B)中，p、q及r滿足p/(p+q+r)=0~0.30、q/(p+q+r)=0.70~1.0及r/(p+q+r)=0~0.10，R51~R56中至少1個表示氫原子，至少1個表示甲基，氫原子及甲基以外之R51~R56表示碳數2~8之烴基。
  2. 如請求項1之光半導體裝置用密封劑，其中密封劑中之上述有機聚矽氧烷之鍵結於矽原子之氫原子的含有比率相對於密封劑中之上述有機聚矽氧烷之鍵結於矽原子之烯基的含有比率之比為0.5以上、5.0以下。
  3. 如請求項2之光半導體裝置用密封劑，其中上述密封劑中之上述有機聚矽氧烷之鍵結於矽原子之氫原子的含有比率相對於密封劑中之上述有機聚矽氧烷之鍵結於矽原子之烯基的含有比率之比為0.5以上、2.0以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之光半導體裝置用密封劑，其中上述第1有機聚矽氧烷為上述式(1A)所表示之第1有機聚 矽氧烷，且上述第2有機聚矽氧烷為上述式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷。
  5. 如請求項1至3中任一項之光半導體裝置用密封劑，其中上述式(1A)所表示之第1有機聚矽氧烷之數量平均分子量為20000以上、100000以下。
  6. 如請求項1至3中任一項之光半導體裝置用密封劑，其中上述式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷具有烯基。
  7. 如請求項1至3中任一項之光半導體裝置用密封劑，其中上述式(51A)所表示之第2有機聚矽氧烷具有下述式(51-a)所表示之結構單元， 上述式(51-a)中，R52及R53分別表示甲基或碳數2~8之烴基。
  8. 如請求項1至3中任一項之光半導體裝置用密封劑，其中上述第1有機聚矽氧烷為上述式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷，且上述第2有機聚矽氧烷為上述式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷。
  9. 如請求項1至3中任一項之光半導體裝置用密封劑，其中上述式(51B)所表示之第2有機聚矽氧烷之數量平均分子量為20000以上、100000以下。
  10. 如請求項1至3中任一項之光半導體裝置用密封劑，其中上述式(1B)之第1有機聚矽氧烷具有鍵結於矽原子之氫原子。
  11. 如請求項1至3中任一項之光半導體裝置用密封劑，其中上述式(1B)所表示之第1有機聚矽氧烷具有下述式(1-b1)所表示之結構單元， 上述式(1-b1)中，R2及R3分別表示甲基或碳數2~8之烴基。
  12. 一種光半導體裝置，其包括光半導體元件、及以密封該光半導體元件之方式設置的如請求項1至11中任一項之光半導體裝置用密封劑。
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