JP2016207728A - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】シリコーン樹脂を主成分とするダイボンド材からの揮発分の発生を抑制することにより、その揮発分が電極の表面に付着して汚染物が生成されるのを防止可能な発光装置の製造方法を低コストに提供する。
【解決手段】工程1(図1(A)参照)では、パッケージ樹脂部19の封止枠部19c内にて露出しているリード電極17の表面に対して、ペースト状のダイボンド材20を塗布する。工程2(図1(B)参照)では、ダイボンド材20の上にLEDチップ11を載置し、硬化させたダイボンド材20を介してLEDチップ11の下面をリード電極17の表面に接着固定することにより、リード電極17にLEDチップ11をマウントする。ダイボンド材20はシリコーン樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂であり、工程2では、パッケージ部材16を外部から加熱することによりダイボンド材20を熱硬化させ、ダイボンド材20の20℃から150℃への到達時間の範囲は10min以下である。
【選択図】 図1
【解決手段】工程1(図1(A)参照)では、パッケージ樹脂部19の封止枠部19c内にて露出しているリード電極17の表面に対して、ペースト状のダイボンド材20を塗布する。工程2(図1(B)参照)では、ダイボンド材20の上にLEDチップ11を載置し、硬化させたダイボンド材20を介してLEDチップ11の下面をリード電極17の表面に接着固定することにより、リード電極17にLEDチップ11をマウントする。ダイボンド材20はシリコーン樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂であり、工程2では、パッケージ部材16を外部から加熱することによりダイボンド材20を熱硬化させ、ダイボンド材20の20℃から150℃への到達時間の範囲は10min以下である。
【選択図】 図1
Description
本発明は発光装置の製造方法に係り、詳しくは、発光素子をダイボンド材を用いて実装部材にマウントする発光装置の製造方法に関するものである。
特許文献1には、電極を表面に有する半導体発光素子を、シリコーンを含むダイボンディングペーストによりマウント基板上に固定する工程と、マウント基板を加熱することによりダイボンディングペーストを硬化させる工程と、ダイボンディングペーストを硬化させた後、半導体発光素子を固定したマウント基板を、アルゴンおよびフルオロカーボンを含む混合ガスのプラズマによってクリーニングするプラズマ処理を行う工程とを備える半導体発光装置の製造方法が開示されている。
特許文献2には、珪素原子に結合した水素原子を有する第1のシリコーン樹脂と、 珪素原子に結合した水素原子を有さず且つアルケニル基を有する第2のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、多孔質シリカとを含んだ光半導体装置用ダイボンド材が開示されている。
従来より、発光装置を製造する際に、発光素子を実装基板(マウント基板)に取付固定するためのダイボンド材(ダイボンディングペースト)として、エポキシ樹脂を主成分とするものが広く用いられていた。
しかし、発光装置を長期間使用すると、エポキシ樹脂を主成分とするダイボンド材は劣化し、ダイボンド材の熱伝導率および光反射率が低下するという欠点があった。
そこで、近年では、発光装置を長期間使用しても、熱伝導率および光反射率が低下し難いシリコーン樹脂を主成分とするダイボンド材が用いられるようになってきた。
しかし、発光装置を長期間使用すると、エポキシ樹脂を主成分とするダイボンド材は劣化し、ダイボンド材の熱伝導率および光反射率が低下するという欠点があった。
そこで、近年では、発光装置を長期間使用しても、熱伝導率および光反射率が低下し難いシリコーン樹脂を主成分とするダイボンド材が用いられるようになってきた。
しかし、シリコーン樹脂を主成分とするダイボンド材を硬化させるために加熱すると、シリコーン樹脂の一部またはその分解物が揮発し、その揮発分が発光素子の電極や実装基板の電極の表面に付着し、前記揮発分により前記電極の表面にオルガノポリシロキサンなどの汚染物が生成される。
すると、発光素子の電極および実装基板の電極にボンディングワイヤをボンディングする際に、前記電極の表面の汚染物により、ボンディングワイヤと前記電極との接続強度が低下すると共に、ボンディングワイヤと前記電極との間の電気抵抗が増大するという問題が発生する。
すると、発光素子の電極および実装基板の電極にボンディングワイヤをボンディングする際に、前記電極の表面の汚染物により、ボンディングワイヤと前記電極との接続強度が低下すると共に、ボンディングワイヤと前記電極との間の電気抵抗が増大するという問題が発生する。
特許文献1には、アルゴンおよびフルオロカーボンを含む混合ガスのプラズマによってクリーニングするプラズマ処理を行うことにより、前記電極の表面の汚染物のみを選択的に効率良く除去できると記載されている。
しかし、特許文献1の技術では、プラズマ処理を行う工程を設ける分だけ製造工程が複雑になり、製造時間が増大すると共に製造コストも増大するという問題がある。
しかし、特許文献1の技術では、プラズマ処理を行う工程を設ける分だけ製造工程が複雑になり、製造時間が増大すると共に製造コストも増大するという問題がある。
特許文献2には、ダイボンド材中の揮発分が、ダイボンド材に含まれる多孔質シリカ内に保持され、揮発分の発生量が少なくなるため、揮発分が前記電極の表面に付着し難くなると記載されている。
しかし、特許文献2の技術では、多孔質シリカを用いる分だけ製造コストが増大するという問題がある。
しかし、特許文献2の技術では、多孔質シリカを用いる分だけ製造コストが増大するという問題がある。
本発明は前記問題を解決するためになされたものであって、その目的は、シリコーン樹脂を主成分とするダイボンド材からの揮発分の発生を抑制することにより、その揮発分が電極の表面に付着して汚染物が生成されるのを防止可能な発光装置の製造方法を低コストに提供することにある。
本発明者らは前記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、下記のように本発明の各局面に想到した。
<第1の局面>
第1の局面は、
少なくとも一つの電極を表面に有する実装部材の表面上に、ペースト状のダイボンド材を塗布する第1工程と、
少なくとも一つの電極を表面に有する発光素子を、前記ダイボンド材の上に載置した状態で前記ダイボンド材を硬化させ、その硬化させた前記ダイボンド材を介して前記発光素子の下面を前記実装部材の表面に接着固定することにより、前記実装部材に前記発光素子をマウントする第2工程と
を備えた発光装置の製造方法であって、
前記ダイボンド材は、シリコーン樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂であり、
前記第2工程では、前記実装部材を外部から加熱することにより前記ダイボンド材を熱硬化させ、前記ダイボンド材の20℃から150℃への到達時間の範囲は10min以下である。
<第1の局面>
第1の局面は、
少なくとも一つの電極を表面に有する実装部材の表面上に、ペースト状のダイボンド材を塗布する第1工程と、
少なくとも一つの電極を表面に有する発光素子を、前記ダイボンド材の上に載置した状態で前記ダイボンド材を硬化させ、その硬化させた前記ダイボンド材を介して前記発光素子の下面を前記実装部材の表面に接着固定することにより、前記実装部材に前記発光素子をマウントする第2工程と
を備えた発光装置の製造方法であって、
前記ダイボンド材は、シリコーン樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂であり、
前記第2工程では、前記実装部材を外部から加熱することにより前記ダイボンド材を熱硬化させ、前記ダイボンド材の20℃から150℃への到達時間の範囲は10min以下である。
第1の局面では、シリコーン樹脂を主成分とするダイボンド材からの揮発分の発生を抑制することが可能になり、その揮発分が各電極の表面に付着して汚染物が生成されるのを防止できる。
そして、第1の局面では、ダイボンド材を熱硬化させる際の温度条件を最適化するだけで、特許文献1のような特別な工程(プラズマ処理を行う工程)を設ける必要がなく、特許文献2のような特別な材料(多孔質シリカ)を用いる必要もないため、低コスト化を図ることができる。
<第2の局面>
第2の局面は、第1の局面において、前記ダイボンド材の20℃から150℃への到達時間の範囲は2〜10minであり、このようにすれば第1の局面の前記作用・効果を更に確実に得ることができる。
そして、第1の局面では、ダイボンド材を熱硬化させる際の温度条件を最適化するだけで、特許文献1のような特別な工程(プラズマ処理を行う工程)を設ける必要がなく、特許文献2のような特別な材料(多孔質シリカ)を用いる必要もないため、低コスト化を図ることができる。
<第2の局面>
第2の局面は、第1の局面において、前記ダイボンド材の20℃から150℃への到達時間の範囲は2〜10minであり、このようにすれば第1の局面の前記作用・効果を更に確実に得ることができる。
<第3の局面>
第3の局面は、第1の局面または第2の局面において、前記第2工程では、前記ダイボンド材が硬化温度である150℃へ到達後に、150〜200℃に保持する。
第3の局面では、ダイボンド材への影響を最小限にした上で、硬化時間を更に短縮し、前記揮発分による汚染物の生成を抑制することができる。
<第4の局面>
第4の局面は、第1〜第3の局面において、前記ダイボンド材には、前記ダイボンド材よりも熱伝導性が高い材料のフィラーが添加されている。
第4の局面では、前記ダイボンド材よりも熱伝導性が高い材料(例えば、酸化アルミニウム、酸化チタンなど)のフィラーをダイボンド材に添加することにより、ダイボンド材の熱伝導性が高められるため、第1の局面の前記作用・効果を更に確実に得ることができる。
<第5の局面>
第5の局面は、第4の局面において、前記フィラーの濃度は50〜90wt%であり、このようにすれば第4の局面の前記作用・効果を更に確実に得ることができる。
<第6の局面>
第6の局面は、第4の局面または第5の局面において、前記フィラーは酸化アルミニウムであり、酸化アルミニウムは熱伝導率が高いためフィラーに好適である。
第3の局面は、第1の局面または第2の局面において、前記第2工程では、前記ダイボンド材が硬化温度である150℃へ到達後に、150〜200℃に保持する。
第3の局面では、ダイボンド材への影響を最小限にした上で、硬化時間を更に短縮し、前記揮発分による汚染物の生成を抑制することができる。
<第4の局面>
第4の局面は、第1〜第3の局面において、前記ダイボンド材には、前記ダイボンド材よりも熱伝導性が高い材料のフィラーが添加されている。
第4の局面では、前記ダイボンド材よりも熱伝導性が高い材料(例えば、酸化アルミニウム、酸化チタンなど)のフィラーをダイボンド材に添加することにより、ダイボンド材の熱伝導性が高められるため、第1の局面の前記作用・効果を更に確実に得ることができる。
<第5の局面>
第5の局面は、第4の局面において、前記フィラーの濃度は50〜90wt%であり、このようにすれば第4の局面の前記作用・効果を更に確実に得ることができる。
<第6の局面>
第6の局面は、第4の局面または第5の局面において、前記フィラーは酸化アルミニウムであり、酸化アルミニウムは熱伝導率が高いためフィラーに好適である。
以下、本発明を具体化した一実施形態について図面を参照しながら説明する。
尚、図1では、説明を分かり易くするために、一実施形態の構成部材の寸法形状および配置箇所を誇張して模式的に図示してあり、各構成部材の寸法形状および配置箇所が実物とは必ずしも一致しないことがある。
尚、図1では、説明を分かり易くするために、一実施形態の構成部材の寸法形状および配置箇所を誇張して模式的に図示してあり、各構成部材の寸法形状および配置箇所が実物とは必ずしも一致しないことがある。
[発光装置10の構成]
図1(D)に示すように、本実施形態の発光装置10は、LEDチップ11、LED電極12,13、ボンディングワイヤ14,15、パッケージ部材16、リード電極17,18、パッケージ樹脂部19(基体部19a、絶縁部19b、封止枠部19c)、ダイボンド材20、封止樹脂部21などを備える。
図1(D)に示すように、本実施形態の発光装置10は、LEDチップ11、LED電極12,13、ボンディングワイヤ14,15、パッケージ部材16、リード電極17,18、パッケージ樹脂部19(基体部19a、絶縁部19b、封止枠部19c)、ダイボンド材20、封止樹脂部21などを備える。
発光装置10は、トップビュータイプのSMD(Surface Mount Device)型の発光装置である。
LED(Light Emitting Diode)チップ11は、扁平な直方体状のフェイスアップ型であり、その表面に各LED電極(アノード電極、カソード電極)12,13が形成されており、各LED電極12,13にそれぞれボンディングワイヤ14,15の第1端部がボンディングされている。
LED(Light Emitting Diode)チップ11は、扁平な直方体状のフェイスアップ型であり、その表面に各LED電極(アノード電極、カソード電極)12,13が形成されており、各LED電極12,13にそれぞれボンディングワイヤ14,15の第1端部がボンディングされている。
パッケージ部材16は、リード電極(リードフレーム)17,18およびパッケージ樹脂部19を備える。
リード電極17,18は、高い導電性および熱伝導性を有する1枚の金属板材(例えば、銅板、アルミニウム板など)から成形されている。
LEDチップ11は、ダイボンド材20を介して、リード電極17の表面にマウント(実装、搭載)されている。
リード電極17の表面には、ボンディングワイヤ14の第2端部がボンディングされており、リード電極17におけるボンディングワイヤ14がボンディングされている領域がボンディング領域となる。
リード電極18の表面には、ボンディングワイヤ15の第2端部がボンディングされており、リード電極18におけるボンディングワイヤ15がボンディングされている領域がボンディング領域となる。
リード電極17,18は、高い導電性および熱伝導性を有する1枚の金属板材(例えば、銅板、アルミニウム板など)から成形されている。
LEDチップ11は、ダイボンド材20を介して、リード電極17の表面にマウント(実装、搭載)されている。
リード電極17の表面には、ボンディングワイヤ14の第2端部がボンディングされており、リード電極17におけるボンディングワイヤ14がボンディングされている領域がボンディング領域となる。
リード電極18の表面には、ボンディングワイヤ15の第2端部がボンディングされており、リード電極18におけるボンディングワイヤ15がボンディングされている領域がボンディング領域となる。
パッケージ樹脂部(ケース部)19は、基体部19a、絶縁部19b、封止枠部19cを備え、各リード電極17,18との高い密着性と、高い絶縁性とを有する合成樹脂材料(例えば、エポキシ樹脂、ナイロン樹脂、シリコーン樹脂など)の射出成形により一体形成されている。
各リード電極17,18はパッケージ樹脂部19にインサート成形され、各リード電極17,18はパッケージ樹脂部19の基体部19aによって保持されている。
パッケージ樹脂部19の絶縁部(絶縁領域)19bは、各リード電極17,18間に存在する部分であり、各リード電極17,18を電気的に絶縁する。
各リード電極17,18はパッケージ樹脂部19にインサート成形され、各リード電極17,18はパッケージ樹脂部19の基体部19aによって保持されている。
パッケージ樹脂部19の絶縁部(絶縁領域)19bは、各リード電極17,18間に存在する部分であり、各リード電極17,18を電気的に絶縁する。
パッケージ樹脂部19の封止枠部19cは、基体部19aの表面に接続され、封止枠部19c内には各リード電極17,18の表面が露出している。
封止枠部19cの内周壁面は各リード電極17,18との接続部分が鋭角を成す傾斜面になっており、各リード電極17,18の表面から離れるにつれて封止枠部19cの内面積が広がる。
そのため、封止枠部19cの内周壁面は、LEDチップ11の放射光を反射して封止枠部19cの開口部から効率的に放射するリフレクタとして機能する。
封止枠部19cの内周壁面は各リード電極17,18との接続部分が鋭角を成す傾斜面になっており、各リード電極17,18の表面から離れるにつれて封止枠部19cの内面積が広がる。
そのため、封止枠部19cの内周壁面は、LEDチップ11の放射光を反射して封止枠部19cの開口部から効率的に放射するリフレクタとして機能する。
封止樹脂部21は、LEDチップ11、各ボンディングワイヤ14,15、各リード電極17,18との高い密着性と、高い透光性とを有する合成樹脂材料(例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂など)から成り、封止枠部19cの内部に充填されてLEDチップ11および各ボンディングワイヤ14,15を封止している。
[発光装置10の製造方法]
工程1(図1(A)参照):パッケージ樹脂部19の封止枠部19c内にて露出しているリード電極17の表面に対して、ペースト状のダイボンド材20を塗布する。
工程2(図1(B)参照):ダイボンド材20の上にLEDチップ11を載置した状態でダイボンド材20を硬化させ、その硬化させたダイボンド材20を介してLEDチップ11の下面をリード電極17の表面に接着固定することにより、リード電極17にLEDチップ11をマウントする。
工程1(図1(A)参照):パッケージ樹脂部19の封止枠部19c内にて露出しているリード電極17の表面に対して、ペースト状のダイボンド材20を塗布する。
工程2(図1(B)参照):ダイボンド材20の上にLEDチップ11を載置した状態でダイボンド材20を硬化させ、その硬化させたダイボンド材20を介してLEDチップ11の下面をリード電極17の表面に接着固定することにより、リード電極17にLEDチップ11をマウントする。
ここで、ダイボンド材20は熱硬化性樹脂であり、パッケージ部材16を外部からリフロー加熱することによりダイボンド材20を熱硬化させる。
このとき、リフロー加熱は大気圧で行い、リフロー加熱の雰囲気に不活性ガス(例えば、窒素、アルゴンなど)を導入しておくことにより、各リード電極17,18の表面が酸化するのを防止する。
尚、シリコーン樹脂を主成分とするダイボンド材20として、例えば、メチルシリコーン、フェニルシリコーン、ポリイミドシリコーン、エポキシ変性シリコーンなどを用いることができる。
ちなみに、ダイボンド材20は、各化学メーカー(例えば、東レ・ダウコーニング株式会社、信越化学工業株式会社など)などから販売されている。
このとき、リフロー加熱は大気圧で行い、リフロー加熱の雰囲気に不活性ガス(例えば、窒素、アルゴンなど)を導入しておくことにより、各リード電極17,18の表面が酸化するのを防止する。
尚、シリコーン樹脂を主成分とするダイボンド材20として、例えば、メチルシリコーン、フェニルシリコーン、ポリイミドシリコーン、エポキシ変性シリコーンなどを用いることができる。
ちなみに、ダイボンド材20は、各化学メーカー(例えば、東レ・ダウコーニング株式会社、信越化学工業株式会社など)などから販売されている。
工程3(図1(C)参照):ボンディングワイヤ14をLED電極12とリード電極17との間にボンディングすると共に、ボンディングワイヤ15をLED電極13とリード電極18との間にボンディングすることにより、LEDチップ11と各リード電極17,18とを電気的に接続する。
工程4(図1(D)参照):封止枠部19cの内部に封止樹脂部21の形成材料を充填した後に硬化させ、封止樹脂部21によりLEDチップ11および各ボンディングワイヤ14,15を封止する。その結果、発光装置10が完成する。
工程4(図1(D)参照):封止枠部19cの内部に封止樹脂部21の形成材料を充填した後に硬化させ、封止樹脂部21によりLEDチップ11および各ボンディングワイヤ14,15を封止する。その結果、発光装置10が完成する。
[発光装置10の作用・効果]
本実施形態の発光装置10によれば、以下の作用・効果を得ることができる。
本実施形態の発光装置10によれば、以下の作用・効果を得ることができる。
工程2において、シリコーン樹脂を主成分とするダイボンド材20を硬化させるためにリフロー加熱すると、シリコーン樹脂の一部またはその分解物が揮発し、その揮発分が各LED電極12,13や各リード電極17,18の表面に付着し、前記揮発分により各電極12,13,17,18の表面にオルガノポリシロキサンなどの汚染物が生成される。
すると、工程3において、各ボンディングワイヤ14,15をボンディングする際に、各電極12,13,17,18の表面の汚染物により、各ボンディングワイヤ14,15と各電極12,13,17,18との接続強度が低下すると共に、各ボンディングワイヤ14,15と各電極12,13,17,18との間の電気抵抗が増大するという問題が発生する。
すると、工程3において、各ボンディングワイヤ14,15をボンディングする際に、各電極12,13,17,18の表面の汚染物により、各ボンディングワイヤ14,15と各電極12,13,17,18との接続強度が低下すると共に、各ボンディングワイヤ14,15と各電極12,13,17,18との間の電気抵抗が増大するという問題が発生する。
図2に示すように、ダイボンド材20が硬化温度(=150℃)まで昇温した時点の温度勾配Δt(℃/min)を変更した4つのデータNO.[1]〜NO.[4]をとる実験を行ったところ、温度勾配Δtが大きくなるほど、常温(=20℃)から150℃への到達時間が短くなり、前記揮発分の揮発量が少なくなる。
尚、ダイボンド材20として、熱伝導率が0.2W/(mK)のシリコーン樹脂に、熱伝導率が30W/(mK)の酸化アルミニウムを60wt%添加することにより、ダイボンド材20全体の熱伝導率を0.6W/(mK)にしたものを使用した。
また、前記揮発分の揮発量は、ダイボンド材20の硬化前後の質量の減少率により算出した。
そして、この実験では、ダイボンド材20が硬化温度(=150℃)へ到達後に、その硬化温度(=150℃)よりも高温の195℃に保持することで、硬化時間を更に短縮し、前記揮発分による汚染物の生成を抑制している。
ここで、パッケージ部材16およびダイボンド材20への影響を最小限にするべく、加熱温度は150〜200℃の範囲にするのが望ましい。
尚、ダイボンド材20として、熱伝導率が0.2W/(mK)のシリコーン樹脂に、熱伝導率が30W/(mK)の酸化アルミニウムを60wt%添加することにより、ダイボンド材20全体の熱伝導率を0.6W/(mK)にしたものを使用した。
また、前記揮発分の揮発量は、ダイボンド材20の硬化前後の質量の減少率により算出した。
そして、この実験では、ダイボンド材20が硬化温度(=150℃)へ到達後に、その硬化温度(=150℃)よりも高温の195℃に保持することで、硬化時間を更に短縮し、前記揮発分による汚染物の生成を抑制している。
ここで、パッケージ部材16およびダイボンド材20への影響を最小限にするべく、加熱温度は150〜200℃の範囲にするのが望ましい。
図3に示すように、図2に示すNO.[1]〜NO.[4]の硬化温度プロファイルを見ると、NO.[4]では温度が過剰に高くなった後に下がるオーバーシュートが発生している。
図4に示すように、図2に示すNO.[1]〜NO.[4]の硬化温度プロファイル毎の揮発量の推移を見ると、温度勾配Δtが約35℃/min未満では温度勾配Δtが大きくなるほど揮発量が少なくなるが、温度勾配Δtが約35℃/min以上では温度勾配Δtに関係なく揮発量が一定になる。
図5に示すように、図2に示すNO.[1]〜NO.[4]の硬化温度プロファイル毎の前記揮発分の揮発量の推移を見ると、20℃から150℃への到達時間が約4(min)以上では前記到達時間が長くなるほど揮発量が多くなるが、前記到達時間が約4(min)未満では前記到達時間に関係なく揮発量が一定になる。
図2〜図5に示す実験結果から、ダイボンド材20の20℃から150℃への到達時間の範囲は10min以下が適当であり、望ましくは2〜10min、特に望ましくは2〜5minであることがわかる。
また、温度勾配の範囲は30〜65℃/minが適当であることがわかる。
ダイボンド材20の20℃から150℃への到達時間がこの範囲より長くなると、前記揮発分の揮発量が大きくなる傾向がある。また、前記到達時間がこの範囲より短くなると、温度が過剰に高くなった後に下がるオーバーシュートが発生し易くなり、パッケージ部材16およびダイボンド材20に悪影響を及ぼすおそれがある。
また、温度勾配の範囲は30〜65℃/minが適当であることがわかる。
ダイボンド材20の20℃から150℃への到達時間がこの範囲より長くなると、前記揮発分の揮発量が大きくなる傾向がある。また、前記到達時間がこの範囲より短くなると、温度が過剰に高くなった後に下がるオーバーシュートが発生し易くなり、パッケージ部材16およびダイボンド材20に悪影響を及ぼすおそれがある。
このように、ダイボンド材20の20℃から150℃への到達時間の範囲を設定すれば、シリコーン樹脂を主成分とするダイボンド材20からの揮発分の発生を抑制することが可能になり、その揮発分が各電極12,13,17,18の表面に付着して汚染物が生成されるのを防止できる。
そして、本実施形態では、ダイボンド材20を熱硬化させる際の温度条件を最適化するだけで、特許文献1のような特別な工程(プラズマ処理を行う工程)を設ける必要がなく、特許文献2のような特別な材料(多孔質シリカ)を用いる必要もないため、低コスト化を図ることができる。
そして、本実施形態では、ダイボンド材20を熱硬化させる際の温度条件を最適化するだけで、特許文献1のような特別な工程(プラズマ処理を行う工程)を設ける必要がなく、特許文献2のような特別な材料(多孔質シリカ)を用いる必要もないため、低コスト化を図ることができる。
また、ダイボンド材20よりも熱伝導性が高い材料(例えば、酸化アルミニウム、酸化チタンなど)のフィラーをダイボンド材20に添加すれば、ダイボンド材20の熱伝導性が高められてダイボンド材20を内部まで加熱し易くなるため、ダイボンド材20の20℃から150℃への到達時間を短くすることが可能になり、揮発分の発生を抑制できる。
ここで、フィーラーとしては、熱伝導率が30W/(mK)と高い酸化アルミニウムが好ましい。
また、フィラーの濃度は、ダイボンド材20に添加する溶剤(例えば、イソパラフィン、ブチルカルビトールアセテートなど)の濃度を調整することで100%近くまで高めることが可能であり、例えば、溶剤濃度を3%にするとフィラーの濃度を90%にすることができる。
但し、フィラーの濃度を高くし過ぎると、ダイボンド材20の粘度が過剰に高くなるため、工程1においてリード電極17の表面にダイボンド材20を塗布するのが困難になる。
また、フィラーの濃度を高くし過ぎると、溶剤が多量に必要となり、その溶剤がダイボンド材20の硬化時に揮発して汚染物が形成され易くなる。
そのため、フィラーの濃度の範囲は50〜90wt%が適当であり、望ましくは60〜80wt%である。
例えば、フィラーとして酸化アルミニウムを用い、その濃度を60wt%以上にすることで、ダイボンド材20の熱伝導率を0.6W/(mK)にすることが可能であり、フィラーを添加しない場合のダイボンド材20の熱伝導率が0.2W/(mK)であるのに比べて、熱伝導率を大幅に向上できる。
ここで、フィーラーとしては、熱伝導率が30W/(mK)と高い酸化アルミニウムが好ましい。
また、フィラーの濃度は、ダイボンド材20に添加する溶剤(例えば、イソパラフィン、ブチルカルビトールアセテートなど)の濃度を調整することで100%近くまで高めることが可能であり、例えば、溶剤濃度を3%にするとフィラーの濃度を90%にすることができる。
但し、フィラーの濃度を高くし過ぎると、ダイボンド材20の粘度が過剰に高くなるため、工程1においてリード電極17の表面にダイボンド材20を塗布するのが困難になる。
また、フィラーの濃度を高くし過ぎると、溶剤が多量に必要となり、その溶剤がダイボンド材20の硬化時に揮発して汚染物が形成され易くなる。
そのため、フィラーの濃度の範囲は50〜90wt%が適当であり、望ましくは60〜80wt%である。
例えば、フィラーとして酸化アルミニウムを用い、その濃度を60wt%以上にすることで、ダイボンド材20の熱伝導率を0.6W/(mK)にすることが可能であり、フィラーを添加しない場合のダイボンド材20の熱伝導率が0.2W/(mK)であるのに比べて、熱伝導率を大幅に向上できる。
<別の実施形態>
本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、前記実施形態と同等もしくはそれ以上の作用・効果を得ることができる。
本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、前記実施形態と同等もしくはそれ以上の作用・効果を得ることができる。
[A]LEDチップ11は、どのような半導体発光素子(例えば、LD(Laser Diode)など)に置き換えてもよい。
また、LEDチップ11は、半導体発光素子に限らず、表面に電極を有するチップ部品であれば、どのようなチップ部品に置き換えてもよい。
また、LEDチップ11は、半導体発光素子に限らず、表面に電極を有するチップ部品であれば、どのようなチップ部品に置き換えてもよい。
[B]発光装置10は、トップビュータイプに限らず、サイドビュータイプに置き換えてもよい。
また、LEDチップ11は、フェイスアップ型に限らず、上下電極型に置き換えてもよく、上下電極型の場合にはダイボンド材20を導電性にすればよい。
また、LEDチップ11は、フェイスアップ型に限らず、上下電極型に置き換えてもよく、上下電極型の場合にはダイボンド材20を導電性にすればよい。
[C]前記実施形態ではリード電極17,18およびパッケージ樹脂部19を備えるパッケージ部材16(実装部材)を用いたが、少なくとも一つの電極を表面に有する実装部材であれば、どのような実装部材(例えば、絶縁基板の表面上に電極を有する配線層が形成された実装部材など)に置き換えてもよい。
本発明は、前記各局面および前記実施形態の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様も本発明に含まれる。本明細書の中で明示した公報などの内容は、その全ての内容を援用によって引用することとする。
10…発光装置
11…LEDチップ(発光素子)
12,13…LED電極
14,15…ボンディングワイヤ
16…パッケージ部材(実装部材)
17,18…リード電極
19…パッケージ樹脂部
19a…基体
19b…絶縁部
19c…封止枠部
20…ダイボンド材
21…封止樹脂部
11…LEDチップ(発光素子)
12,13…LED電極
14,15…ボンディングワイヤ
16…パッケージ部材(実装部材)
17,18…リード電極
19…パッケージ樹脂部
19a…基体
19b…絶縁部
19c…封止枠部
20…ダイボンド材
21…封止樹脂部
Claims (6)
- 少なくとも一つの電極を表面に有する実装部材の表面上に、ペースト状のダイボンド材を塗布する第1工程と、
少なくとも一つの電極を表面に有する発光素子を、前記ダイボンド材の上に載置した状態で前記ダイボンド材を硬化させ、その硬化させた前記ダイボンド材を介して前記発光素子の下面を前記実装部材の表面に接着固定することにより、前記実装部材に前記発光素子をマウントする第2工程と
を備えた発光装置の製造方法であって、
前記ダイボンド材は、シリコーン樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂であり、
前記第2工程では、前記実装部材を外部から加熱することにより前記ダイボンド材を熱硬化させ、前記ダイボンド材の20℃から150℃への到達時間の範囲は10min以下である、発光装置の製造方法。 - 前記ダイボンド材の20℃から150℃への到達時間の範囲は2〜10minである、
請求項1に記載の発光装置の製造方法。 - 前記第2工程では、前記ダイボンド材が硬化温度である150℃へ到達後に、150〜200℃に保持する、
請求項1または請求項2に記載の発光装置の製造方法。 - 前記ダイボンド材には、前記ダイボンド材よりも熱伝導性が高い材料のフィラーが添加されている、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 前記フィラーの濃度は50〜90wt%である、
請求項4に記載の発光装置の製造方法。 - 前記フィラーは酸化アルミニウムである、
請求項4または請求項5に記載の発光装置の製造方法。
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2015
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