JPS63258027A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS63258027A
JPS63258027A JP9353487A JP9353487A JPS63258027A JP S63258027 A JPS63258027 A JP S63258027A JP 9353487 A JP9353487 A JP 9353487A JP 9353487 A JP9353487 A JP 9353487A JP S63258027 A JPS63258027 A JP S63258027A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heating
resin
bonding material
heated
approx
Prior art date
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Pending
Application number
JP9353487A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideyuki Ichiyama
一山 秀之
Noriaki Uwakawa
宇和川 典彰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置の製造に於^て、樹脂系の接合材
を使用する場合の製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕
従来%樹脂系の接合材を使用した半導体装置を製造する
場合、該接合材を硬化させるのにオーブン炉を用い約3
0〜60分根度加熱する、あるいは低温・高温のホット
プレート上で20〜40秒程度づつ2段階に加熱すると
めう方法を用いていた。
樹脂系の接合材では低分子の樹脂成分が重合反応して高
分子となり接合力が生じる。この重合反応を開始する方
法として加熱による方法が用いられている。従来は大き
く分けて211I¥iりがあった。
1つVi、  100〜150℃の比較的低温で1時間
程度。
オープン炉で加熱して高分子化する方法。もう1つけ、
まず100〜120°08度の低温で20〜60秒程度
、ホットプレートで加熱し低沸点のものを揮発させ第2
段階として250〜350 ’Cの高温で20〜60秒
程whびホットプレートで加熱して高分子化する方法が
ある。
〔発明が解決しようとする間誼点〕
まず低温のオープン炉による加熱方法では、加熱時間が
長く、計量に不向きである。また一方のホットプレート
での2段階加熱では、短時間で硬化反応を終了するもの
の、急激な加熱のために樹脂系接合材から揮発する成分
が瞬時に多液発生しボイドとなり充分な接合力が得られ
ないなどの間照点があった、 この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、加熱時間が100分程と比較的短時間で、か
つボイドが発生しないで樹脂の硬化が完了し充分な接合
力を得ることを目的とする□〔問題点を解決するための
手段〕 この発明は、樹脂系接合材を加熱して硬化させるのにホ
ットプレートを使用する事で短時間で硬化を完了させ、
かつ加熱を低@(100〜150℃)中温(150〜1
80℃)高温(300℃前f!k)の3段階で行うこと
でボイドの発生を防止したものである。
〔作用〕
この発明における加熱方法では、まず低沸点の成分を気
化させ、第2段階で揮発成盆が沸騰しない程度の温で加
熱することで徐々に硬化させ第3段階で高温加熱し硬化
を完了させることで、短時間で充分な接合力を得る。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例について説明する。
まず100°C〜150℃の温度で3分程度ホットプレ
ート上で加熱する。次に第2段階として150〜IRO
℃の温度で3〜7分程度加熱する。そして最後の段階と
して300℃前後の高温で加熱し硬化反応を完了させ、
充分な接合力を100分程の短時間で得る。
まず第1段階として100〜l 50”Cで3分程度ホ
ットプレート上で加熱することで、樹脂系接合材中に含
まれている低分子有機成分を気化させる。
次に第2段階として150〜180℃で3〜7分間程度
加熱し、接合材中に含まれる反応性希釈剤等の180〜
200℃前後に沸点をもつ成分を沸騰させることなく、
樹脂の硬化反応を促進させる。そして第3段階として3
00℃前後で2分程反加熱し樹脂の硬化反応を完了させ
てしまう。この3段階の加熱方法を収ることで、インラ
イン化することが可能で&を産に適す。
〔発明の効果〕
以上のようVClこの発明によれば、樹脂系の接合材の
硬化時間が短時間で完了し、かつボイドが発生しないの
で、半導体装置を製造するのにi猛化に適用できる効果
がある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体素子を基体に接合材により接合させた半導体装
    置の製造方法において、樹脂系接合材をまず100〜1
    50℃の温度で加熱する第1段階、前記第1段階よりも
    高温で加熱する第2段階さらに前記第2段階より高温で
    加熱する第3段階に分けて加熱硬化させたことを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
JP9353487A 1987-04-15 1987-04-15 半導体装置の製造方法 Pending JPS63258027A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009295688A (ja) * 2008-06-03 2009-12-17 Kyocera Chemical Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2016207728A (ja) * 2015-04-17 2016-12-08 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009295688A (ja) * 2008-06-03 2009-12-17 Kyocera Chemical Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
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