JPS63258027A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63258027A JPS63258027A JP9353487A JP9353487A JPS63258027A JP S63258027 A JPS63258027 A JP S63258027A JP 9353487 A JP9353487 A JP 9353487A JP 9353487 A JP9353487 A JP 9353487A JP S63258027 A JPS63258027 A JP S63258027A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating
- resin
- bonding material
- heated
- approx
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 18
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造に於^て、樹脂系の接合材
を使用する場合の製造方法に関するものである。
を使用する場合の製造方法に関するものである。
従来%樹脂系の接合材を使用した半導体装置を製造する
場合、該接合材を硬化させるのにオーブン炉を用い約3
0〜60分根度加熱する、あるいは低温・高温のホット
プレート上で20〜40秒程度づつ2段階に加熱すると
めう方法を用いていた。
場合、該接合材を硬化させるのにオーブン炉を用い約3
0〜60分根度加熱する、あるいは低温・高温のホット
プレート上で20〜40秒程度づつ2段階に加熱すると
めう方法を用いていた。
樹脂系の接合材では低分子の樹脂成分が重合反応して高
分子となり接合力が生じる。この重合反応を開始する方
法として加熱による方法が用いられている。従来は大き
く分けて211I¥iりがあった。
分子となり接合力が生じる。この重合反応を開始する方
法として加熱による方法が用いられている。従来は大き
く分けて211I¥iりがあった。
1つVi、 100〜150℃の比較的低温で1時間
程度。
程度。
オープン炉で加熱して高分子化する方法。もう1つけ、
まず100〜120°08度の低温で20〜60秒程度
、ホットプレートで加熱し低沸点のものを揮発させ第2
段階として250〜350 ’Cの高温で20〜60秒
程whびホットプレートで加熱して高分子化する方法が
ある。
まず100〜120°08度の低温で20〜60秒程度
、ホットプレートで加熱し低沸点のものを揮発させ第2
段階として250〜350 ’Cの高温で20〜60秒
程whびホットプレートで加熱して高分子化する方法が
ある。
まず低温のオープン炉による加熱方法では、加熱時間が
長く、計量に不向きである。また一方のホットプレート
での2段階加熱では、短時間で硬化反応を終了するもの
の、急激な加熱のために樹脂系接合材から揮発する成分
が瞬時に多液発生しボイドとなり充分な接合力が得られ
ないなどの間照点があった、 この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、加熱時間が100分程と比較的短時間で、か
つボイドが発生しないで樹脂の硬化が完了し充分な接合
力を得ることを目的とする□〔問題点を解決するための
手段〕 この発明は、樹脂系接合材を加熱して硬化させるのにホ
ットプレートを使用する事で短時間で硬化を完了させ、
かつ加熱を低@(100〜150℃)中温(150〜1
80℃)高温(300℃前f!k)の3段階で行うこと
でボイドの発生を防止したものである。
長く、計量に不向きである。また一方のホットプレート
での2段階加熱では、短時間で硬化反応を終了するもの
の、急激な加熱のために樹脂系接合材から揮発する成分
が瞬時に多液発生しボイドとなり充分な接合力が得られ
ないなどの間照点があった、 この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、加熱時間が100分程と比較的短時間で、か
つボイドが発生しないで樹脂の硬化が完了し充分な接合
力を得ることを目的とする□〔問題点を解決するための
手段〕 この発明は、樹脂系接合材を加熱して硬化させるのにホ
ットプレートを使用する事で短時間で硬化を完了させ、
かつ加熱を低@(100〜150℃)中温(150〜1
80℃)高温(300℃前f!k)の3段階で行うこと
でボイドの発生を防止したものである。
この発明における加熱方法では、まず低沸点の成分を気
化させ、第2段階で揮発成盆が沸騰しない程度の温で加
熱することで徐々に硬化させ第3段階で高温加熱し硬化
を完了させることで、短時間で充分な接合力を得る。
化させ、第2段階で揮発成盆が沸騰しない程度の温で加
熱することで徐々に硬化させ第3段階で高温加熱し硬化
を完了させることで、短時間で充分な接合力を得る。
以下、この発明の一実施例について説明する。
まず100°C〜150℃の温度で3分程度ホットプレ
ート上で加熱する。次に第2段階として150〜IRO
℃の温度で3〜7分程度加熱する。そして最後の段階と
して300℃前後の高温で加熱し硬化反応を完了させ、
充分な接合力を100分程の短時間で得る。
ート上で加熱する。次に第2段階として150〜IRO
℃の温度で3〜7分程度加熱する。そして最後の段階と
して300℃前後の高温で加熱し硬化反応を完了させ、
充分な接合力を100分程の短時間で得る。
まず第1段階として100〜l 50”Cで3分程度ホ
ットプレート上で加熱することで、樹脂系接合材中に含
まれている低分子有機成分を気化させる。
ットプレート上で加熱することで、樹脂系接合材中に含
まれている低分子有機成分を気化させる。
次に第2段階として150〜180℃で3〜7分間程度
加熱し、接合材中に含まれる反応性希釈剤等の180〜
200℃前後に沸点をもつ成分を沸騰させることなく、
樹脂の硬化反応を促進させる。そして第3段階として3
00℃前後で2分程反加熱し樹脂の硬化反応を完了させ
てしまう。この3段階の加熱方法を収ることで、インラ
イン化することが可能で&を産に適す。
加熱し、接合材中に含まれる反応性希釈剤等の180〜
200℃前後に沸点をもつ成分を沸騰させることなく、
樹脂の硬化反応を促進させる。そして第3段階として3
00℃前後で2分程反加熱し樹脂の硬化反応を完了させ
てしまう。この3段階の加熱方法を収ることで、インラ
イン化することが可能で&を産に適す。
以上のようVClこの発明によれば、樹脂系の接合材の
硬化時間が短時間で完了し、かつボイドが発生しないの
で、半導体装置を製造するのにi猛化に適用できる効果
がある。
硬化時間が短時間で完了し、かつボイドが発生しないの
で、半導体装置を製造するのにi猛化に適用できる効果
がある。
Claims (1)
- 半導体素子を基体に接合材により接合させた半導体装
置の製造方法において、樹脂系接合材をまず100〜1
50℃の温度で加熱する第1段階、前記第1段階よりも
高温で加熱する第2段階さらに前記第2段階より高温で
加熱する第3段階に分けて加熱硬化させたことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9353487A JPS63258027A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9353487A JPS63258027A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63258027A true JPS63258027A (ja) | 1988-10-25 |
Family
ID=14084955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9353487A Pending JPS63258027A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63258027A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009295688A (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Kyocera Chemical Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2016207728A (ja) * | 2015-04-17 | 2016-12-08 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP9353487A patent/JPS63258027A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009295688A (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Kyocera Chemical Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2016207728A (ja) * | 2015-04-17 | 2016-12-08 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
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