JPWO2011155482A1 - 光半導体装置用ダイボンド材及びそれを用いた光半導体装置 - Google Patents

Abstract

熱伝導性が高く、ダイボンド材を用いた光半導体装置においてクラックを生じ難くすることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、化学式ＭｇＣＯ３で示される結晶水を含まない炭酸マグネシウム無水塩、及び該炭酸マグネシウム無水塩の表面が、有機樹脂、シリコーン樹脂又はシリカにより被覆されている被覆体の内の少なくとも一方の物質とを含む。

Description

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子などの光半導体素子をダイボンディングするために用いられる光半導体装置用ダイボンド材、並びに該光半導体装置用ダイボンド材を用いた光半導体装置に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ）素子などの光半導体素子が、表示装置の光源等に広く用いられている。光半導体素子を用いた光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。

下記の特許文献１には、ＬＥＤ素子が基板上に実装された光半導体装置が開示されている。この光半導体装置では、ＬＥＤ素子は、基板の上面にダイボンド材を用いて接合されている。このダイボンド材は、アルケニル基含有ポリオルガノシロキサンと、珪素原子に結合した水素原子を３個以上有するポリオルガノハイドロジェンシロキサンと、白金触媒と、接着性付与剤とを含む。上記アルケニル基含有ポリオルガノシロキサンは、珪素原子に結合する水酸基量が５０〜３０００ｐｐｍであり、珪素原子に結合したアルケニル基を平均１個以上有し、かつＳｉＯ_４／２単位を有するポリオルガノシロキサンを含む。

特開２００９−１１４３６５号公報

上記光半導体装置では、光半導体素子から光を発する際に、高い熱量が発生する。このため、ダイボンド材により接合された光半導体素子が熱劣化することがある。光半導体素子の熱劣化を抑制するためには、発生した熱を、ダイボンド材を介して十分に放散させる必要がある。

しかしながら、特許文献１に記載のような従来のダイボンド材では、熱を十分に放散させることはできない。

また、一般的に、フィラーであるアルミナ及び酸化亜鉛は、熱伝導率が高いので、放熱性に優れた材料として知られている。しかしながら、アルミナ及び酸化亜鉛の比重は比較的大きい。このため、仮にアルミナ及び酸化亜鉛をダイボンド材に添加した場合には、ダイボンド材中でアルミナ及び酸化亜鉛が沈降するという問題がある。

さらに、上記フィラーを添加した従来の光半導体装置用ダイボンド材では、該ダイボンド材を用いた光半導体装置においてクラックが生じやすいという問題もある。

本発明の目的は、熱伝導性が高く、ダイボンド材を用いた光半導体装置においてクラックを生じ難くすることができる光半導体装置用ダイボンド材、並びに該光半導体装置用ダイボンド材を用いた光半導体装置を提供することである。

本発明の広い局面によれば、珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、化学式ＭｇＣＯ_３で示される結晶水を含まない炭酸マグネシウム無水塩、及び該炭酸マグネシウム無水塩の表面が、有機樹脂、シリコーン樹脂又はシリカにより被覆されている被覆体の内の少なくとも一方の物質とを含む、光半導体装置用ダイボンド材が提供される。

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材のある特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂は、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂であり、上記第２のシリコーン樹脂は、下記式（５１Ａ）又は下記式（５１Ｂ）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂である。

上記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．４０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．３０〜０．８０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個が水素原子を表し、水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．４０、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．３０〜０．８０及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個が水素原子を表し、水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ１１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。

上記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０〜０．４０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．３０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０〜０．４０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．３０〜０．８０及びｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ６１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の他の特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂は、珪素原子に結合した水素原子と、アルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂である。

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の他の特定の局面では、上記物質の平均粒子径は３μｍ以下である。

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材のさらに他の特定の局面では、上記物質とは異なり、平均粒子径が０．０１〜２μｍであり、かつ熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるフィラーがさらに含まれている。

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の別の特定の局面では、上記フィラーは、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素及び酸化亜鉛からなる群から選択された少なくとも１種である。

本発明に係る光半導体装置は、本発明に従って構成された光半導体装置用ダイボンド材と、接続対象部材と、上記光半導体装置用ダイボンド材を用いて上記接続対象部材に接続された光半導体素子とを備える。

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、化学式ＭｇＣＯ_３で示される結晶水を含まない炭酸マグネシウム無水塩、及び該炭酸マグネシウム無水塩の表面が、有機樹脂、シリコーン樹脂又はシリカにより被覆されている被覆体の内の少なくとも一方の物質とを含むので、熱伝導性を高くすることができる。さらに、ダイボンド材を用いた光半導体装置においてダイボンド材にクラックを生じ難くすることができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。

以下、本発明の詳細を説明する。

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、物質（Ｘ）とを含む。上記物質（Ｘ）は、化学式ＭｇＣＯ_３で示される結晶水を含まない炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）、及び該炭酸マグネシウム無水塩の表面が、有機樹脂、シリコーン樹脂又はシリカにより被覆されている被覆体（Ｘ２）の内の少なくとも一方である。

上記組成の採用により、ダイボンド材の熱伝導性を高くすることができる。さらに、ダイボンド材の熱伝導性を高くすることができるだけでなく、ダイボンド材を用いた光半導体装置においてダイボンド材にクラックを生じ難くすることができる。ダイボンド材の熱伝導性が高いと、光半導体素子から生じた熱量を十分に放散させることができ、光半導体素子の熱劣化を抑制できる。このため、光半導体装置を長期間使用でき、光半導体装置の信頼性を高めることができる。

熱伝導性を付与するために、フィラーとして、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、アルミナ、酸化マグネシウム及びシリカ等が一般的に用いられている。窒化物の熱伝導性は、非常に高い。例えば、窒化アルミニウムの熱伝導率は１５０〜２５０Ｗ／ｍ・Ｋであり、窒化ホウ素の熱伝導率は３０〜５０Ｗ／ｍ・Ｋである。しかし、窒化物は、非常に高価である。また、アルミナは比較的安価であり、熱伝導性も２０〜３５Ｗ／ｍ・Ｋと比較的高い。しかし、アルミナはモース硬度が９であり、硬度が高い。このため、アルミナが用いられた場合には、ダイボンド材におけるクラックの発生が問題となると推察される。酸化マグネシウムは安価であり、熱伝導率も４５〜６０Ｗ／ｍ・Ｋと良好である。しかし、酸化マグネシウムは耐水性が低い。シリカは非常に安価である。しかし、シリカは熱伝導率が２Ｗ／ｍ・Ｋと低い。また、アルミナ及び酸化亜鉛の比重は比較的大きいので、ダイボンド材中でアルミナ及び酸化亜鉛が沈降するという問題もある。

上記化学式ＭｇＣＯ_３で示される結晶水を含まない炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）は、熱伝導率が１５Ｗ／ｍ・Ｋと比較的良好であり、モース硬度も３．５と低い。従って、上記炭酸マグネシウム塩（Ｘ１）又は該炭酸マグネシウム塩を含む上記被覆体（Ｘ２）の使用により、ダイボンド材の熱伝導性を高くし、ダイボンド材のクラックを抑制できる。さらに、上記炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）は、窒化物と比べて安価である。従って、上記炭酸マグネシウム塩（Ｘ１）又は該炭酸マグネシウム塩を含む上記被覆体（Ｘ２）の使用により、光半導体装置用ダイボンド材の生産コストを低減できる。

なお、上記化学式ＭｇＣＯ_３で示される結晶水を含まない炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）は、例えば化学式４ＭｇＣＯ_３・Ｍｇ（ＯＨ_２）・４Ｈ_２Ｏで表されるヒドロキシ炭酸マグネシウムとは異なる。このヒドロキシ炭酸マグネシウムは、単に炭酸マグネシウムと呼ばれることもある。このヒドロキシ炭酸マグネシウムは１００℃前後に加熱されると、結晶水を放出する。このため、ヒドロキシ炭酸マグネシウムは、例えば高い耐熱性が要求される光半導体装置の用途には適さない。

上記第１のシリコーン樹脂及び上記第２のシリコーン樹脂における下記式（Ｘ）より求められるアリール基の含有比率はそれぞれ、好ましくは１０モル％以上、より好ましくは２０モル％以上、好ましくは５０モル％以下、より好ましくは４０モル％以下である。アリール基の含有比率が上記下限以上及び上記上限以下であると、ガスバリア性がより一層高くなり、かつダイボンド材の剥離が生じ難くなる。

アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のシリコーン樹脂又は上記第２のシリコーン樹脂の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のシリコーン樹脂又は上記第２のシリコーン樹脂の数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ）

（第１のシリコーン樹脂）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に含まれている第１のシリコーン樹脂は、珪素原子に結合した水素原子を有する。該水素原子は、珪素原子に直接結合している。ダイボンド材のガスバリア性をより一層高める観点からは、第１のシリコーン樹脂は、珪素原子に結合した水素原子と、アリール基とを有することが好ましい。該アリール基としては、無置換のフェニル基、置換フェニル基、無置換のフェニレン基、及び置換フェニレン基が挙げられる。

ガスバリア性により一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記第１のシリコーン樹脂は、珪素原子に結合した水素原子と、アルケニル基とを有することが好ましい。

ガスバリア性により一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記第１のシリコーン樹脂は、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂であることが好ましい。ただし、上記第１のシリコーン樹脂として、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂以外の第１のシリコーン樹脂を用いてもよい。下記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂は、フェニレン基を有していてもよく、フェニレン基を有していなくてもよい。上記第１のシリコーン樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．４０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．３０〜０．８０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個が水素原子を表し、水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。なお、上記式（１Ａ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位及び（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。

上記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．４０、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．３０〜０．８０及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個が水素原子を表し、水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ１１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。なお、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位、（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。

ガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記式（１Ａ）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、フェニル基及び水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。

ガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記式（１Ｂ）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、フェニル基及び水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。

ガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記式（１Ａ）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、水素原子及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。

ガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記式（１Ｂ）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、水素原子及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。

ガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記式（１Ａ）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基、水素原子及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。

ガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記式（１Ｂ）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基、水素原子及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。

上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）は平均組成式を示す。上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中のＲ１〜Ｒ６は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式（１Ｂ）中のＲ７〜Ｒ１０は同一であってもよく、異なっていてもよい。

上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。

なお、一般に、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）の各構造単位において、アルコキシ基の含有量は少なく、更にヒドロキシ基の含有量も少ない。これは、一般に、第１のシリコーン樹脂を得るために、アルコキシシラン化合物などの有機珪素化合物を加水分解し、重縮合させると、アルコキシ基及びヒドロキシ基の多くは、シロキサン結合の部分骨格に変換されるためである。すなわち、アルコキシ基の酸素原子及びヒドロキシ基の酸素原子の多くは、シロキサン結合を形成している酸素原子に変換される。上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合には、シロキサン結合の部分骨格に変換されなかった未反応のアルコキシ基又はヒドロキシ基がわずかに残存していることを示す。後述の式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合に関しても、同様のことがいえる。

上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）における炭素数１〜８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基、アリル基及びフェニル基等が挙げられる。

上記式（１Ｂ）における炭素数１〜８の２価の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基及びフェニレン基等が挙げられる。

上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記第１のシリコーン樹脂におけるアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。

上記式（１Ａ）又は上記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂における下記式（Ｘ１）より求められるアリール基の含有比率は、好ましくは１０モル％以上、好ましくは５０モル％以下である。このアリール基の含有比率が１０モル％以上であると、ガスバリア性がより一層高くなる。アリール基の含有比率が５０モル％以下であると、ダイボンド材の剥離が生じ難くなる。ガスバリア性を更に一層高める観点からは、アリール基の含有比率は２０モル％以上であることがより好ましい。ダイボンド材の剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、４０モル％以下であることがより好ましい。

アリール基の含有比率（モル％）＝（平均組成式が上記式（１Ａ）又は上記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／平均組成式が上記式（１Ａ）又は上記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂の数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ１）

上記式（１Ａ）で表され、かつフェニル基を有する第１のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式（Ｘ１）におけるアリール基はフェニル基を示し、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。

上記式（１Ｂ）で表され、かつフェニル基とフェニレン基とを有する第１のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式（Ｘ１）におけるアリール基はフェニル基とフェニレン基とを示し、アリール基の含有比率はフェニル基とフェニレン基との合計の含有比率を示す。

上記式（１Ｂ）で表され、フェニル基を有し、かつフェニレン基を有さない第１のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式（Ｘ１）におけるアリール基はフェニル基を示し、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。

ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（１ｂ−１）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（１ｂ−１）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。本明細書において、「フェニレン基」の用語には、炭素数１〜８の炭化水素基がベンゼン環に置換した置換フェニレン基も含まれる。

上記式（１ｂ−１）中、Ｒａは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。上記炭化水素基は直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。なお、上記式（１ｂ−１）中のベンゼン環に結合している３つの基の結合部位は特に限定されない。また、上記式（１ｂ−１）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ_１／２」とする。

上記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（１ｂ−２）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（１ｂ−２）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。下記式（１ｂ−２）中のベンゼン環に結合しているＲａの結合部位は特に限定されない。

上記式（１ｂ−２）中、Ｒａは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（１ｂ−３）で表される構造単位であることがより好ましい。下記式（１ｂ−３）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は無置換のフェニレン基である。

上記式（１ｂ−３）中、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（１Ａ）又は上記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂において、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（１−２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ４Ｒ５ＳｉＸＯ_１／２） ・・・式（１−２）

（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ４及びＲ５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位に含まれる。具体的には、アルコキシ基がシロキサン結合の部分骨格に変換された場合には、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。未反応のアルコキシ基が残存している場合、又はアルコキシ基がヒドロキシ基に変換された場合には、残存アルコキシ基又はヒドロキシ基を有する（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、下記式（１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。

上記式（１−２）及び上記式（１−２−ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｂ）、（１−２）及び（１−２−ｂ）中のＲ４及びＲ５は、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中のＲ４及びＲ５と同様の基である。

上記式（１Ａ）又は上記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂において、（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（１−３）又は下記式（１−４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ６ＳｉＸ_２Ｏ_１／２） ・・・式（１−３）

（Ｒ６ＳｉＸＯ_２／２） ・・・式（１−４）

（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−３−ｃ）又は下記式（１−４−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位に含まれる。

上記式（１−３）、（１−３−ｃ）、（１−４）及び（１−４−ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｃ）、（１−３）、（１−３−ｃ）、（１−４）及び（１−４−ｃ）中のＲ６は、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中のＲ６と同様の基である。

上記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂において、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）で表される構造単位は、下記式（１−５）で表される構造、すなわち、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）の構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１ＸＯ_１／２） ・・・式（１−５）

（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−５−ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）で表される構造単位に含まれる。

上記式（１−５）及び（１−５−ｄ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｄ）、（１−５）及び（１−５−ｄ）中のＲ７〜Ｒ１１は、上記式（１Ｂ）中のＲ７〜Ｒ１１と同様の基である。

上記式（１−ｂ）〜（１−ｄ）、式（１−２）〜（１−５）、並びに式（１−２−ｂ）、（１−３−ｃ）、（１−４−ｃ）、及び（１−５−ｄ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が挙げられる。

上記式（１Ａ）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記下限及び上限を満たすと、ダイボンド材の耐熱性をより一層高めることができ、かつダイボンド材の剥離をより一層抑制できる。上記式（１Ａ）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の好ましい下限は０．１０、より好ましい下限は０．１５であり、好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０である。

上記式（１Ａ）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０、上限は０．４０である。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限を満たすと、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率を高くすることができる。なお、ｂが０であり、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合、上記式（１Ａ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）の構造単位は存在しない。

上記式（１Ａ）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０．３０、上限は０．８０である。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記下限を満たすと、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率を高くすることができる。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限を満たすと、ダイボンド材の耐熱性が高くなり、かつ高温環境下でダイボンド材の硬化物の厚みが減少し難くなる。上記式（１Ａ）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の好ましい下限は０．３５、より好ましい下限は０．４０、好ましい上限は０．７５である。

上記式（１Ｂ）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記下限及び上限を満たすと、ダイボンド材の耐熱性をより一層高めることができ、かつダイボンド材の剥離をより一層抑制できる。上記式（１Ｂ）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の好ましい下限は０．１０、より好ましい下限は０．１５であり、好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０である。

上記式（１Ｂ）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０、上限は０．４０である。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記上限を満たすと、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率を高くすることができる。なお、ｂが０であり、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が０である場合、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）の構造単位は存在しない。

上記式（１Ｂ）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０．３０、上限は０．８０である。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記下限を満たすと、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率を高くすることができる。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記上限を満たすと、ダイボンド材の耐熱性が高くなり、かつ高温環境下でダイボンド材の硬化物の厚みが減少し難くなる。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の好ましい下限は０．３５、より好ましい下限は０．４０、好ましい上限は０．７５である。

上記式（１Ｂ）中、ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０．０１、上限は０．４０である。ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記下限及び上限を満たすと、腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用ダイボンド材を得ることができる。腐食性ガスに対してより一層高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離がより一層生じ難い光半導体装置用ダイボンド材を得る観点からは、上記式（１Ｂ）中、ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の好ましい下限は０．０３、より好ましい下限は０．０５、好ましい上限は０．３５、より好ましい上限は０．３０である。

上記第１のシリコーン樹脂について、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に^２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）_ａで表される構造単位に相当する各ピークは＋１０〜−５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中の（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）_ｂ及び上記式（１−２）の二官能構造単位に相当する各ピークは−１０〜−５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中の（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）_ｃ、並びに上記式（１−３）及び上記式（１−４）の三官能構造単位に相当する各ピークは−５０〜−８０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ｂ）中の（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）_ｄ及び上記式（１−５）の構造単位に相当する各ピークは０〜−５ｐｐｍ付近に現れる。

従って、^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中の各構造単位の比率を測定できる。

但し、上記ＴＭＳを基準にした^２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定で上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中の構造単位の見分けがつかない場合は、^２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定結果だけではなく、^１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中の各構造単位の比率を見分けることができる。

（第２のシリコーン樹脂）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に含まれている第２のシリコーン樹脂は、アルケニル基を有する。該アルケニル基は、珪素原子に直接結合している。上記アルケニル機の炭素−炭素二重結合における炭素原子が、珪素原子に結合していてもよく、上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子とは異なる炭素原子が、珪素原子に結合していてもよい。

ダイボンド材のガスバリア性をより一層高める観点からは、上記第２のシリコーン樹脂は、アルケニル基と、アリール基とを有することが好ましい。該アリール基としては、無置換のフェニル基、置換フェニル基、無置換のフェニレン基、及び置換フェニレン基が挙げられる。

ガスバリア性により一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記第２のシリコーン樹脂は、下記式（５１Ａ）又は下記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂であることが好ましい。ただし、上記第２のシリコーン樹脂として、下記式（５１Ａ）又は下記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂以外の第２のシリコーン樹脂を用いてもよい。下記式（５１Ｂ）で表されるシリコーン樹脂は、フェニレン基を有していてもよく、フェニレン基を有していなくてもよい。上記第２のシリコーン樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０〜０．４０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．３０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。なお、上記式（５１Ａ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位及び（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。

上記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０〜０．４０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．３０〜０．８０及びｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ６１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。なお、上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位、（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。

上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）は平均組成式を示す。上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中のＲ５１〜Ｒ５６は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式（５１Ｂ）中のＲ５７〜Ｒ６０は同一であってもよく、異なっていてもよい。

上記式（５１Ａ）及び（５１Ｂ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。

上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、第２のシリコーン樹脂におけるアルケニル基及び上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。

上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）における炭素数１〜８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、イソへキシル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。上記式（５１Ｂ）における炭素数１〜８の２価の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基及びフェニレン基等が挙げられる。

上記式（５１Ａ）又は上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂における下記式（Ｘ５１）より求められるアリール基の含有比率は好ましくは１０モル％以上、好ましくは５０モル％以下である。このアリール基の含有比率が１０モル％以上であると、ガスバリア性がより一層高くなる。アリール基の含有比率が５０モル％以下であると、ダイボンド材の剥離が生じ難くなる。ガスバリア性を更に一層高める観点からは、アリール基の含有比率は２０モル％以上であることがより好ましい。剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、４０モル％以下であることがより好ましい。

アリール基の含有比率（モル％）＝（平均組成式が上記式（５１Ａ）又は上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／平均組成式が上記式（５１Ａ）又は上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂の数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ５１）

上記式（５１Ａ）で表され、かつフェニル基を有する第２のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式（Ｘ５１）におけるアリール基はフェニル基を示し、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。

上記式（５１Ｂ）で表され、かつフェニル基とフェニレン基とを有する第２のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式（Ｘ５１）におけるアリール基はフェニル基とフェニレン基とを示し、アリール基の含有比率はフェニル基とフェニレン基との合計の含有比率を示す。

上記式（５１Ｂ）で表され、フェニル基を有し、かつフェニレン基を有さない第２のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式（Ｘ５１）におけるアリール基はフェニル基を示し、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。

ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（５１ｂ−１）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（５１ｂ−１）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。

上記式（５１ｂ−１）中、Ｒｂは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。上記炭化水素基は直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。なお、上記式（５１ｂ−１）中のベンゼン環に結合している３つの基の結合部位は特に限定されない。

上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（５１ｂ−２）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（５１ｂ−２）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。下記式（５１ｂ−２）中のベンゼン環に結合しているＲｂの結合部位は特に限定されない。

上記式（５１ｂ−２）中、Ｒｂは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（５１ｂ−３）で表される構造単位であることがより好ましい。下記式（５１ｂ−３）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は無置換のフェニレン基である。

上記式（５１ｂ−３）中、Ｒ５７〜Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（５１Ａ）又は上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂において、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（５１−２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＸＯ_１／２） ・・・式（５１−２）

（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５４及びＲ５５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位に含まれる。

上記式（５１−２）及び（５１−２−ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｂ）、（５１−２）及び（５１−２−ｂ）中のＲ５４及びＲ５５は、上記式（５１Ａ）又は上記式（５１Ｂ）中のＲ５４及びＲ５５と同様の基である。

上記式（５１Ａ）又は上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂において、（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（５１−３）又は下記式（５１−４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ５６ＳｉＸ_２Ｏ_１／２） ・・・式（５１−３）

（Ｒ５６ＳｉＸＯ_２／２） ・・・式（５１−４）

（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−３−ｃ）又は下記式（５１−４−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位に含まれる。

上記式（５１−３）、（５１−３−ｃ）、（５１−４）及び（５１−４−ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｃ）、（５１−３）、（５１−３−ｃ）、（５１−４）及び（５１−４−ｃ）中のＲ５６は、上記式（５１Ａ）及び（５１Ｂ）中のＲ５６と同様の基である。

上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂において、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）で表される構造単位は、下記式（５１−５）で表される構造、すなわち、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）の構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２ＸＲ６１Ｏ_１／２） ・・・式（５１−５）

（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−５−ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ５９、Ｒ６０及びＲ６１で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）で表される構造単位に含まれる。

上記式（５１−５）及び（５１−５−ｄ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｄ）、（５１−５）及び（５１−５−ｄ）中のＲ５７〜Ｒ６１は、上記式（５１Ｂ）中のＲ５７〜Ｒ６１と同様の基である。

上記式（５１−ｂ）〜（５１−ｄ）、式（５１−２）〜（５１−５）、並びに式（５１−２−ｂ）、（５１−３−ｃ）、（５１−４−ｃ）、及び（５１−５−ｄ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が挙げられる。

上記式（５１Ａ）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記下限及び上限を満たすと、ダイボンド材の耐熱性をより一層高めることができ、かつダイボンド材の剥離をより一層抑制できる。上記式（５１Ａ）中、中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の好ましい下限は０．１０、より好ましい下限は０．１５であり、好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０である。

上記式（５１Ａ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０、上限は０．４０である。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）上記上限を満たすと、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率を高くすることができる。上記式（５１Ａ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の好ましい上限は０．３５、より好ましい上限は０．３０である。なお、ｑが０であり、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が０である場合、上記式（５１Ａ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）の構造単位は存在しない。

上記式（５１Ａ）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０．３０、上限は０．８０である。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記下限を満たすと、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率を高くすることができる。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限を満たすと、ダイボンド材の耐熱性が高くなり、かつ高温環境下でダイボンド材の硬化物の厚みが減少し難くなる。

上記式（５１Ｂ）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記上限を満たすと、ダイボンド材の耐熱性をより一層高めることができ、かつダイボンド材の剥離をより一層抑制できる。

上記式（５１Ｂ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０、上限は０．４０である。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記上限を満たすと、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率を高くすることができる。なお、ｑが０であり、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が０である場合、上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）の構造単位は存在しない。

上記式（５１Ｂ）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．３０、上限は０．８０である。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記下限を満たすと、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率を高くすることができる。上記上限を満たすと、ダイボンド材の耐熱性が高くなり、かつ高温環境下でダイボンド材の硬化物の厚みが減少し難くなる。

上記式（５１Ｂ）中、ｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．０１、上限は０．４０である。ｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記下限及び上限を満たすと、腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用ダイボンド材を得ることができる。腐食性ガスに対してより一層高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離がより一層生じ難い光半導体装置用ダイボンド材を得る観点からは、上記式（５１Ｂ）中、ｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の好ましい下限は０．０３、より好ましい下限は０．０５、好ましい上限は０．３５、より好ましい上限は０．３０である。

上記第２のシリコーン樹脂について、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に^２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ_１／２）_ｐで表される構造単位に相当する各ピークは＋１０〜−５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中の（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）_ｑ及び上記式（５１−２）の二官能構造単位に相当する各ピークは−１０〜−５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式上記（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中の（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）_ｒ、並びに上記式（５１−３）及び上記式（５１−４）の三官能構造単位に相当する各ピークは−５０〜−８０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１Ｂ）中の（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）及び上記式（５１−５）に相当する各ピークは０〜−５ｐｐｍ付近に現れる。

従って、^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中の各構造単位の比率を測定できる。

但し、上記ＴＭＳを基準にした^２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定で上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中の構造単位の見分けがつかない場合は、^２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定結果だけではなく、^１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中の各構造単位の比率を見分けることができる。

上記第１のシリコーン樹脂１００重量部に対して、上記第２のシリコーン樹脂の含有量は１０重量部以上、４００重量部以下であることが好ましい。第１，第２のシリコーン樹脂の含有量がこの範囲内であると、高温での貯蔵弾性率がより一層高く、かつガスバリア性により一層優れたダイボンド材を得ることができる。高温での貯蔵弾性率がさらに一層高く、かつガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記第１のシリコーン樹脂１００重量部に対して、上記第２のシリコーン樹脂の含有量のより好ましい下限は３０重量部、更に好ましい下限は５０重量部、より好ましい上限は３００重量部、更に好ましい上限は２００重量部である。

ガスバリア性により一層優れているダイボンド材を得る観点からは、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、上記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂及び上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂の内の少なくとも一方を含むことが好ましい。

（第１，第２のシリコーン樹脂の他の性質及びその合成方法）
上記第１，第２のシリコーン樹脂のアルコキシ基の含有量の好ましい下限は０．５モル％、より好ましい下限は１モル％、好ましい上限は１０モル％、より好ましい上限は５モル％である。アルコキシ基の含有量が上記好ましい範囲内であると、ダイボンド材の密着性を高めることができる。

アルコキシ基の含有量が上記好ましい下限を満たすと、ダイボンド材の密着性を高めることができる。アルコキシ基の含有量が上記好ましい上限を満たすと、上記第１，第２のシリコーン樹脂及びダイボンド材の貯蔵安定性が高くなり、ダイボンド材の耐熱性がより一層高くなる。

上記アルコキシ基の含有量は、上記第１，第２のシリコーン樹脂の平均組成式中に含まれる上記アルコキシ基の量を意味する。

上記第１，第２のシリコーン樹脂はシラノール基を含有しないほうが好ましい。上記第１，第２のシリコーン樹脂がシラノール基を含有しないと、上記第１，第２のシリコーン樹脂及びダイボンド材の貯蔵安定性が高くなる。上記シラノール基は、真空下での加熱により減少させることができる。シラノール基の含有量は、赤外分光法を用いて測定できる。

上記第１，第２のシリコーン樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）の好ましい下限は５００、より好ましい下限は８００、更に好ましい下限は１０００、好ましい上限は５００００、より好ましい上限は１５０００である。数平均分子量が上記好ましい下限を満たすと、熱硬化時に揮発成分が少なくなり、高温環境下でダイボンド材の硬化物の厚みが減少しにくくなる。数平均分子量が上記好ましい上限を満たすと、粘度調節が容易である。

上記数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレンを標準物質して求めた値である。上記数平均分子量（Ｍｎ）は、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製 Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）を２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／分、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いて測定された値を意味する。

上記第１，第２のシリコーン樹脂を合成する方法としては特に限定されず、アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法、クロロシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が挙げられる。なかでも、反応の制御の観点からアルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法が好ましい。

上記アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法としては、例えば、アルコキシシラン化合物を、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。また、ジシロキサン化合物を加水分解して用いてもよい。

上記第１，第２のシリコーン樹脂にフェニル基を導入するための有機珪素化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチル（フェニル）ジメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。

上記第１，第２のシリコーン樹脂に（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）の構造単位を導入するための有機珪素化合物としては、例えば、１，４−ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジエチルメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（エトキシエチルメチルシリル）ベンゼン、１，６−ビス（ジメチルメトキシシリル）ヘキサン、１，６−ビス（ジエチルメトキシシリル）ヘキサン及び１，６−ビス（エトキシエチルメチルシリル）ヘキサン等が挙げられる。

上記第１，第２のシリコーン樹脂にアルケニル基を導入するための有機珪素化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。

上記第１のシリコーン樹脂に珪素原子に結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。

上記第１，第２のシリコーン樹脂を得るために用いることができる他の有機珪素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、イソプロピル（メチル）ジメトキシシラン、シクロヘキシル（メチル）ジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン及びオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。

上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物及びその誘導体、並びに有機酸の酸無水物及びその誘導体が挙げられる。

上記無機酸としては、例えば、塩酸、リン酸、ホウ酸及び炭酸が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸及びオレイン酸が挙げられる。

上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド及びアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。

上記アルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。上記アルカリ金属のアルコキシドとしては、例えば、ナトリウム−ｔ−ブトキシド、カリウム−ｔ−ブトキシド及びセシウム−ｔ−ブトキシドが挙げられる。

上記アルカリ金属のシラノール化合物としては、例えば、ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物及びセシウムシラノレート化合物が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒又はセシウム系触媒が好適である。

（ヒドロシリル化反応用触媒）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に含まれているヒドロシリル化反応用触媒は、上記第１のシリコーン樹脂中の珪素原子に結合した水素原子と、上記第２のシリコーン樹脂中のアルケニル基とをヒドロシリル化反応させる触媒である。

上記ヒドロシリル化反応用触媒として、ヒドロシリル化反応を進行させる各種の触媒を用いることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記ヒドロシリル化反応用触媒としては、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒等が挙げられる。ダイボンド材の透明性を高くすることができるため、白金系触媒が好ましい。

上記白金系触媒としては、白金粉末、塩化白金酸、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体及び白金−カルボニル錯体が挙げられる。特に、白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体が好ましい。

上記白金−アルケニルシロキサン錯体におけるアルケニルシロキサンとしては、例えば、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、及び１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記白金−オレフィン錯体におけるオレフィンとしては、例えば、アリルエーテル及び１，６−ヘプタジエン等が挙げられる。

上記白金−アルケニルシロキサン錯体及び白金−オレフィン錯体の安定性を向上させることができるため、上記白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体に、アルケニルシロキサン、オルガノシロキサンオリゴマー、アリルエーテル又はオレフィンを添加することが好ましい。上記アルケニルシロキサンは、好ましくは１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンである。上記オルガノシロキサンオリゴマーは、好ましくはジメチルシロキサンオリゴマーである。上記オレフィンは、好ましくは１，６−ヘプタジエンである。

ダイボンド材１００重量％中、上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、０．０１〜０．５重量部の範囲内であることが好ましい。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が上記下限以上であると、ダイボンド材を十分に硬化性させることが容易であり、ダイボンド材のガスバリア性をより一層高めることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が上記上限以下であると、ダイボンド材がより一層変色し難くなる。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、より好ましくは０．０２重量部以上、より好ましくは０．３重量部以下である。

（物質（Ｘ））
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に含まれている物質（Ｘ）は、化学式ＭｇＣＯ_３で示される結晶水を含まない炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）、及び該炭酸マグネシウム無水塩の表面が、有機樹脂、シリコーン樹脂又はシリカにより被覆されている被覆体（Ｘ２）の内の少なくとも一方である。物質（Ｘ）として、上記炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）のみが用いられてもよく、被覆体（Ｘ２）のみが用いられてもよく、炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）と上記被覆体（Ｘ２）との双方が用いられてもよい。

上記炭酸マグネシウム無水塩の表面が、シリコーン樹脂又はシリカにより被覆されている被覆体がより好ましく、上記炭酸マグネシウム無水塩の表面が、シリコーン樹脂により被覆されている被覆体がさらに好ましい。

物質（Ｘ）がフィラーとして用いられることにより、ダイボンド材の硬化物の熱伝導率及び耐熱性を充分に高くすることができる。さらに、物質（Ｘ）の使用によって、ダイボンド材の硬化物にクラックが生じ難くなる。

上記化学式ＭｇＣＯ_３で示される結晶水を含まない炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）として、天然品及び合成品が存在する。天然品は不純物を含むため、天然品が用いられた場合には、耐熱性などの物性が安定しない可能性がある。このため、上記炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）は、合成品であることが望ましい。

上記被覆体（Ｘ２）は、炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）をコアとし、有機樹脂、シリコーン樹脂又はシリカにより形成された被覆層をシェルとするコア／シェル構造を有する。上記被覆体（Ｘ２）は、上記被覆層を有するので、樹脂への分散性が高い。さらに上記被覆層を有する上記被覆体（Ｘ２）の使用により、ダイボンド材の硬化物の耐湿熱性をより一層高めることもできる。

上記炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）の表面を上記被覆層により被覆する方法は特に限定されない。この方法としては、例えば、有機樹脂、シリコーン樹脂又はシリカ原料であるシランカップリング剤が溶解されている溶液中に炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）を分散させた分散液をスプレー乾燥する方法、有機樹脂又はシリコーン樹脂が溶解された溶液中に炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）を分散させた後、有機樹脂又はシリコーン樹脂の貧溶媒を添加することにより、炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）の表面に有機樹脂又はポリシロキサンを析出させる方法、並びに炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）が分散された媒体中でアクリル樹脂、スチレン樹脂又は低分子量シラン等の重合性単量体を反応させ、高分子量化し媒体中に溶けきれなくなった有機樹脂、シリコーン樹脂又はシリカを炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）の表面に析出させる方法等が挙げられる。

上記有機樹脂は、炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）の表面を被覆できれば特に限定されない。上記有機樹脂は、熱硬化性樹脂であってもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。

上記有機樹脂の具体例としては、（メタ）アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノール系樹脂、熱可塑性ウレタン系樹脂、熱硬化性ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、熱可塑性ポリイミド系樹脂、熱硬化性ポリイミド系樹脂、アミノアルキド系樹脂、フェノキシ樹脂、フタレート樹脂、ポリアミド系樹脂、ケトン系樹脂、ノルボルネン系樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、熱可塑性ポリイミド、熱硬化性ポリイミド、ベンゾオキサジン、及びポリベンゾオキサゾールとベンゾオキサジンとの反応物等が挙げられる。この中でも単量体の種類が豊富であり、被覆層を幅広く設計でき、かつ熱又は光等により反応を容易に制御できるため、（メタ）アクリル系樹脂又はスチレン系樹脂が好ましい。

上記スチレン系樹脂は特に限定されない。上記スチレン系樹脂としては、スチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−フェニルスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｐ−ｎ−ブチルスチレン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン、ｐ−ｎ−ヘキシルスチレン、ｐ−ｎ−オクチルスチレン、ｐ−ｎ−ノニルスチレン、ｐ−ｎ−デシルスチレン、ｐ−ｎ−ドデシルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、３，４−ジクロロスチレン及びジビニルベンゼン等が挙げられる。

上記（メタ）アクリル系樹脂としては、アルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロニトリル、（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸、グリシジル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパン（メタ）アクリレート及びジペンタエリスリトール（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記アルキル（メタ）アクリレートとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、クミル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ミリスチル（メタ）アクリレート、パルミチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート及びイソボルニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

上記被覆層の厚みは、１０ｎｍ〜１μｍの範囲内であることが好ましい。被覆層の厚みが１０ｎｍ以上であると、被覆体（Ｘ２）の樹脂への分散性の向上効果、及びダイボンド材の硬化物の耐湿熱性の向上効果が十分に得られる。被覆層の厚みが１μｍ以下であると、被覆体（Ｘ２）の熱伝導性がより一層高くなる。

物質（Ｘ）の形状は、特に限定されない。物質（Ｘ）は、略多面体状又は長径と短径との比であるアスペクト比が１〜２の範囲内である形状を有することが好ましい。この場合には、ダイボンド材中に上記物質（Ｘ）を高密度で充填させることができ、従って、ダイボンド材の硬化物の放熱性を高めることができる。

物質（Ｘ）は、化学式ＭｇＣＯ_３で示される結晶水を含まない球状の炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１ｘ１）、及び該球状の炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１ｘ１）の表面が、有機樹脂、シリコーン樹脂又はシリカにより被覆されている被覆体（Ｘ２ｘ１）の内の少なくとも一方の物質（Ｘｘ１）であることが好ましい。なお、球状の炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１ｘ１）の表面を、有機樹脂、シリコーン樹脂又はシリカにより被覆することにより、被覆体（Ｘ２ｘ１）を球状にできる。また、物質（Ｘｘ１）は、球状であることが好ましい。球状の場合には、ダイボンド材中に物質（Ｘｘ１）を高密度で充填させることができ、従ってダイボンド材の硬化物の放熱性を高めることができる。さらに、ダイボンド材の硬化物の絶縁破壊特性を高めることができる。

なお、球状は、真球状に限られない。球状には、真球がわずかに扁平していたり、歪んでいたりしている形状が含まれる。例えば、球状には、アスペクト比が１〜１．５の範囲内である形状、又は表面の多くの部分例えば表面の３０％以上の部分が平面等ではなく曲面であり、表面の一部の部分例えば表面の７０％未満の部分が曲面ではなく、平面等である形状が含まれる。表面の５０％以上の部分が曲面である形状がより好ましく、表面の７０％以上の部分が曲面である形状がさらに好ましい。

また、上記球状の炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１ｘ１）、該球状の炭酸マグネシウム無水塩を用いた上記被覆体（Ｘ２ｘ１）又は球状の物質（Ｘｘ１）は、ジェットミル又は回転するローターとステーターとを有する粉砕−表面処理装置により球状化処理された物質であることが好ましい。このような球状化処理により、球形度を高くすることができ、かつ真球状又は真球状に近い形状にすることができる。さらに、上記球状化処理により、物質（Ｘ）の凝集物を砕くことができる。従って、上記物質（Ｘｘ１）を、ダイボンド材中に高密度で充填させることができる。このため、ダイボンド材の硬化物の放熱性をより一層高めることができる。さらに、ダイボンド材の硬化物の絶縁破壊特性をより一層高めることができる。

上記物質（Ｘ）の平均粒子径は、０．０１〜４０μｍの範囲内であることが好ましい。上記物質（Ｘ）の平均粒子径は、より好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以下、更に好ましくは３μｍ以下である。平均粒子径が上記下限以上であると、物質（Ｘ）を高密度で充填させることが容易である。平均粒子径が上記上限以下であると、光半導体装置においてダイボンド材の厚みが厚くなりすぎず、ダイボンド材の硬化物の絶縁破壊特性をより一層高めることができる。

上記物質（Ｘ）の平均粒子径は、３μｍ以下であることが特に好ましい。この場合には、ダイボンド材中で上記物質（Ｘ）がより一層沈降し難くなり、ダイボンド材におけるクラックがより一層生じ難くなる。

なお、「平均粒子径」とは、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積平均での粒度分布測定結果から求められる平均粒子径である。

ダイボンド材中に細密充填構造を形成して、ダイボンド材硬化物の放熱性を高めるために、形状が異なる２種以上の物質（Ｘ）が用いられてもよく、粒径が異なる２種以上の物質（Ｘ）が用いられてもよい。

上記物質（Ｘ）は、化学式ＭｇＣＯ_３で示される結晶水を含まない略多面体状の炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１ｘ２）、及び該略多面体状の炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１ｘ２）の表面が、有機樹脂、シリコーン樹脂又はシリカにより被覆されている被覆体（Ｘ２ｘ２）の内の少なくとも一方の物質（Ｘｘ２）であることも好ましい。なお、略多面体状の炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１ｘ２）の表面を、有機樹脂、シリコーン樹脂又はシリカにより被覆することにより、被覆体（Ｘ２ｘ２）を略多面体状にできる。また、物質（Ｘｘ２）は、球状であることが好ましい。また、物質（Ｘｘ２）が略多面体状である場合に、上記物質（Ｘ）以外のフィラー（Ｙ）がさらに含まれており、該フィラー（Ｙ）が板状フィラーであることが好ましい。

物質（Ｘｘ２）が略多面体状であり、板状フィラーが含まれている場合には、ダイボンド材中で物質（Ｘｘ２）と板状フィラーとが点接触ではなく面接触し、物質（Ｘｘ２）と板状フィラーとの接触面積が大きくなる。また、ダイボンド材中に距離を隔てて分散されている複数の物質（Ｘｘ２）同士が、板状フィラーを介して接触又は近接することで、ダイボンド材中の各フィラーが橋掛け又は効率的に近接された構造となる。このため、ダイボンド材の硬化物の熱伝導性をより一層高くすることができる。

なお、「略多面体状」とは、一般的な多面体の定義である平面によってのみ構成される多面体状だけでなく、平面と一定割合以下の曲面を有する形状も含まれる。略多面体状には、例えば表面の１０％以下の曲面と、表面の９０％以上の平面とにより構成される形状が含まれる。略多面体状は、略立方体状又は略直方体状であることが好ましい。

ダイボンド材１００重量％中、物質（Ｘ）の含有量は、２０〜９０重量％の範囲内であることが好ましい。ダイボンド材１００重量％中の物質（Ｘ）の含有量は、より好ましくは３０重量％以上、より好ましくは８０重量％以下である。上記物質（Ｘ）の含有量が上記下限以上であると、ダイボンド材の硬化物の放熱性をより一層高めることができる。上記物質（Ｘ）の含有量が上記上限以下であると、ダイボンド材の柔軟性又は接着性をより一層高めることができる。

後述するフィラー（Ｙ）が含有されない場合には、ダイボンド材１００重量％中、物質（Ｘ）の含有量は、３０〜９０重量％の範囲内であることがより好ましい。

（フィラー（Ｙ））
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、上記物質（Ｘ）に加えて、該物質（Ｘ）とは異なるフィラー（Ｙ）を含んでいてもよい。フィラー（Ｙ）の使用により、ダイボンド材の硬化物の熱伝導性をより一層高めることができる。フィラー（Ｙ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

フィラー（Ｙ）は無機フィラーであってもよく、有機フィラーであってもよい。フィラー（Ｙ）は無機フィラーであることが好ましい。

上記フィラー（Ｙ）は特に限定されない。ダイボンド材の硬化物の放熱性をより一層高める観点からは、上記フィラーは、アルミナ（酸化アルミニウム）、シリカ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化炭素、炭化ケイ素、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、タルク、マイカ及びハイドロタルサイトからなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。ダイボンド材の硬化物の熱伝導性を高くし、放熱性をさらに一層高める観点からは、上記フィラー（Ｙ）は、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素及び酸化亜鉛からなる群から選択された少なくとも１種であることが特に好ましい。

ダイボンド材の熱伝導性をより一層高める観点からは、上記フィラー（Ｙ）の熱伝導率は１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。フィラー（Ｙ）の熱伝導率は、より好ましくは１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、更に好ましくは２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。フィラー（Ｙ）の熱伝導率の上限は特に限定されない。熱伝導率３００Ｗ／ｍ・Ｋ程度の無機フィラーは広く知られており、また熱伝導率２００Ｗ／ｍ・Ｋ程度の無機フィラーは容易に入手できる。

上記フィラー（Ｙ）は、球状であることが特に好ましい。球状フィラーの場合には、フィラー（Ｙ）を高密度で充填させることができるため、ダイボンド材の硬化物の放熱性をより一層高めることができる。

上記フィラー（Ｙ）の平均粒子径は、０．０１〜４０μｍの範囲内であることが好ましい。上記フィラー（Ｙ）の平均粒子径は、好ましくは０．０１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下である。平均粒子径が上記下限以上であると、フィラー（Ｙ）を高密度で充填することが容易になる。平均粒子径が上記上限以下であると、ダイボンド材の硬化物の絶縁破壊特性をより一層高くすることができる。

上記フィラー（Ｙ）の平均粒子径は０．０１〜２μｍの範囲内であることが特に好ましい。この場合には、ダイボンド材中で上記フィラー（Ｙ）がより一層沈降し難くなり、ダイボンド材にクラックがより一層生じ難くなる。

上記「平均粒子径」とは、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積平均での粒度分布測定結果から求められる平均粒子径である。

上記物質（Ｘｘ２）が含まれている場合に、上記フィラー（Ｙ）は板状のフィラーであることが好ましい。

上記物質（Ｘｘ２）の平均粒子径は０．０１〜４０μｍの範囲内であり、かつ上記板状フィラーの平均長径は０．０１〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。このような形状の物質（Ｘｘ２）及び板状フィラーの使用により、ダイボンド材中で物質（Ｘｘ２）と板状フィラーとを充分に接触させることができる。このため、ダイボンド材の硬化物の熱伝導性をより一層高くすることができる。

上記板状フィラーの平均長径が０．０１μｍ未満であると、板状フィラーの充填が困難であったり、板状フィラーによって略多面体状の物質（Ｘｘ２）間を効率的かつ十分に橋かけさせることができなかったりことがある。板状フィラーの平均長径が１０μｍを超えると、ダイボンド材の絶縁性が低くなりやすくなる。板状フィラーの平均長径は、０．５〜９μｍの範囲内であることがより好ましく、１〜９μｍの範囲内であることがより好ましい。

上記板状フィラーの平均厚みは、１００ｎｍ以上であることが好ましい。板状フィラーの厚みが１００ｎｍ以上の場合には、硬化物の熱伝導率をさらに一層高くすることができる。また、上記板状フィラーのアスペクト比は２〜５０の範囲内であることが好ましい。板状フィラーのアスペクト比が５０を超えると、板状フィラーの充填が困難なことがある。板状フィラーのアスペクト比は、３〜４５の範囲内であることがより好ましい。

また、上記板状フィラーは、アルミナ及び窒化ホウ素の内の少なくとも一方であることが好ましい。この場合には、ダイボンド材の硬化物の熱伝導性をさらに一層高くすることができる。特に、上記物質（Ｘｘ２）とアルミナ及び窒化ホウ素の内の少なくとも一方との併用により、ダイボンド材の硬化物の熱伝導性をさらに一層高くすることができる。

物質（Ｘ）とフィラー（Ｙ）とが併用される場合には、その含有量は、物質（Ｘ）及びフィラー（Ｙ）のそれぞれの種類、粒径及び形状により適宜最適なように決定される。ダイボンド材１００重量％中、物質（Ｘ）と無機フィラー（Ｙ）との合計の含有量は、６０〜９０重量％の範囲内であることが好ましい。物質（Ｘ）と無機フィラー（Ｙ）との合計の含有量が６０重量％以上であると、硬化物の放熱性をより一層高めることができる。物質（Ｘ）とフィラー（Ｙ）との合計の含有量が９０重量％以下であると、ダイボンド材の柔軟性又は接着性がより一層高くなる。

物質（Ｘ）とフィラー（Ｙ）とが併用される場合には、物質（Ｘ）とフィラー（Ｙ）との合計１００重量％中、物質（Ｘ）の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、特に好ましくは１０重量％以上、最も好ましくは３０重量％以上である。物質（Ｘ）とフィラー（Ｙ）とが併用される場合には、ダイボンド材１００重量％中、上記物質（Ｘ）の含有量は、２０〜８０重量％の範囲内であることがより好ましい。

ダイボンド材中に、上記物質（Ｘｘ２）と上記板状フィラーとは体積比で７０：３０〜９９：１で含まれていることが好ましい。また、ダイボンド材１００重量％中、上記物質（Ｘｘ２）と上記板状フィラーとの合計の含有量は６０〜９０重量％の範囲内であることが好ましい。また、ダイボンド材中に上記物質（Ｘｘ２）と上記板状フィラーとの含有量は、体積比で７０：３０〜９９：１であり、かつダイボンド材１００重量％中の上記物質（Ｘｘ２）と上記板状フィラーとの合計の含有量は６０〜９０重量％の範囲内であることがより好ましい。上記物質（Ｘ２ｘ）及び上記板状フィラーの含有量がそれぞれ上記好ましい範囲内である場合には、ダイボンド材の硬化物の熱伝導性をより一層高くすることができる。

（カップリング剤）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、接着性を付与するために、カップリング剤をさらに含有してもよい。

上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。該シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、及びＮ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

（他の成分）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、必要に応じて、紫外線吸収剤、酸化防止剤、溶剤、着色剤、充填剤、消泡剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、カップリング剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含有してもよい。

（光半導体装置用ダイボンド材の詳細及び用途）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、ペースト状であってもよく、フィルム状であってもよい。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、ペースト状であることが好ましい。ダイボンド材がペースト状であっても、上記物質（Ｘ）は沈降し難く、良好な分散状態を維持できる。

上記第１のシリコーン樹脂と、上記第２のシリコーン樹脂と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とは、これらを１種又は２種以上含む液を別々に調製しておき、使用直前に複数の液を混合して、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材を調製してもよい。例えば、上記第２のシリコーン樹脂及び上記ヒドロシリル化反応用触媒を含むＡ液と、第１のシリコーン樹脂を含むＢ液とを別々に調製しておき、使用直前にＡ液とＢ液を混合して、ダイボンド材を調製してもよい。この場合に、上記物質（Ｘ）及び上記フィラー（Ｙ）はそれぞれ、Ａ液に含まれていてもよく、Ｂ液に含まれていてもよい。このように上記第２のシリコーン樹脂及び上記ヒドロシリル化反応用触媒と上記第１のシリコーン樹脂とを別々に、第１の液と第２の液との２液にすることによって保存安定性を向上させることができる。

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール又はビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上記第１のシリコーン樹脂、上記第２のシリコーン樹脂、上記ヒドロシリル化反応用触媒、上記物質（Ｘ）及び必要に応じて配合される他の成分を混合する方法等が挙げられる。

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材を、基板等の接続対象部材上に配置し、又は光半導体素子の下面に配置し、ダイボンド材を介して接続対象部材と光半導体素子とを接続することにより、光半導体装置を得ることができる。

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の硬化温度は特に限定されない。光半導体装置用ダイボンド材の硬化温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１５０℃以下である。硬化温度が上記好ましい下限以上であると、ダイボンド材の硬化が充分に進行する。硬化温度が上記好ましい上限以下であると、ダイボンド材及びダイボンド材により接合される部材の熱劣化が起こり難い。

硬化方式は特に限定されないが、ステップキュア方式を用いることが好ましい。ステップキュア方式は、一旦低温で仮硬化させておき、その後に高温で硬化させる方法である。ステップキュア方式の使用により、ダイボンド材の硬化収縮を抑えることができる。

（光半導体装置）
本発明に係る光半導体装置は、光半導体装置用ダイボンド材と、接続対象部材と、上記光半導体装置用ダイボンド材を用いて上記接続対象部材に接続された光半導体素子とを備える。

本発明に係る光半導体装置としては、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置及びフォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター及びコピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト並びにスイッチング素子等に好適に用いることができる。

上記光半導体素子である発光素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されず、例えば、上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にＬＥＤ形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＡｌＮ、及びＳｉＣ等が挙げられる。

上記基板の材料としては、例えば、サファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、及びＧａＮ単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料との間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層の材料としては、例えば、ＧａＮ及びＡｌＮ等が挙げられる。

図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。
本実施形態の光半導体装置１は、接続対象部材であるハウジング２と、光半導体素子３とを有する。ハウジング２内にＬＥＤからなる光半導体素子３が実装されている。この光半導体素子３の周囲を、ハウジング２の光反射性を有する内面２ａが取り囲んでいる。本実施形態では、光半導体により形成された発光素子として、光半導体素子３が用いられている。

ハウジング２の内面２ａは、内面２ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面２ａに到達した光Ｂ１が内面２ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。

光半導体素子３は、ハウジング２に設けられたリード電極４に、ダイボンド材５を用いて接続されている。ダイボンド材５は、光半導体装置用ダイボンド材である。光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリード電極４とが、ボンディングワイヤー６により電気的に接続されている。光半導体素子３及びボンディングワイヤー６を封止するように、内面２ａで囲まれた領域内には、封止剤７が充填されている。

ダイボンド材５は、光半導体素子３の底部からはみ出してその周囲を囲むように配置されてもよく、光半導体素子３の底部からはみ出さないように配置されてもよい。ダイボンド材５の厚みは、２〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。

光半導体装置１では、光半導体素子３を駆動すると、破線Ａで示すように光が発せられる。この場合、光半導体素子３からリード電極４の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、ダイボンド材５に到達した光が矢印Ｂ２で示すように反射される光もある。

なお、図１に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、光半導体素子３の実装構造等には適宜変形され得る。

以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。

（合成例１）第１のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン１２０ｇ、メチルトリメトキシシラン５４ｇ、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．２ｇと水８３ｇとの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ａ）を得た。
得られたポリマー（Ａ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１５００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ａ）は、下記の平均組成式（Ａ１）を有していた。

（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２０（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．５０（ＭｅＳｉＯ_３／２）_０．３０ …式（Ａ１）

上記式（Ａ１）中、Ｍｅはメチル基を示す。

なお、合成例１及び合成例２〜８で得られた各ポリマーの分子量は、１０ｍｇにテトラヒドロフラン１ｍＬを加え、溶解するまで攪拌し、ＧＰＣ測定により測定した。ＧＰＣ測定では、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製 Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）×２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／ｍｉｎ、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いた。

（合成例２）第１のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４８ｇ、メチルトリメトキシシラン１６３ｇ、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン２７ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．２ｇと水１０２ｇとの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｂ）を得た。
得られたポリマー（Ｂ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１５００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｂ）は、下記の平均組成式（Ｂ１）を有していた。

（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２０（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．３０（ＭｅＳｉＯ_３／２）_０．５０ …式（Ｂ１）

上記式（Ｂ１）中、Ｍｅはメチル基を示す。

（合成例３）第１のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４８ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン２６ｇ、フェニルトリメトキシシラン１１９ｇ、メチルトリメトキシシラン５４ｇ、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン２７ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．２ｇと水１０１ｇとの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｃ）を得た。

得られたポリマー（Ｃ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１３００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｃ）は、下記の平均組成式（Ｃ１）を有していた。

（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２０（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２０（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_０．１０（ＭｅＳｉＯ_３／２）_０．２０（ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．３０ …式（Ｃ１）
上記式（Ｃ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
得られたポリマー（Ｃ）のフェニル基の含有比率は１８モル％であった。

（合成例４）第１のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン２６ｇ、フェニルトリメトキシシラン１１９ｇ、メチルトリメトキシシラン５４ｇ、１，４−ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン４０ｇ、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン２７ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．４ｇと水９９ｇとの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｄ）を得た。

得られたポリマー（Ｄ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１２００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｄ）は、下記の平均組成式（Ｄ１）を有していた。

（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２０（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２０（ＭｅＳｉＯ_３／２）_０．２０（ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．３０（Ｍｅ_４ＳｉＰｈｅＯ_２／２）_０．１０ …式（Ｄ１）

上記式（Ｄ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｐｈｅはフェニレン基を示す。

得られたポリマー（Ｄ）のフェニル基とフェニレン基との含有比率（アリール基の含有比率）は２６モル％であった。

（合成例５）第１のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ビニルメチルジメトキシシラン２６ｇ、フェニルトリメトキシシラン１１９ｇ、メチルトリメトキシシラン５４ｇ、１，４−ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン４０ｇ、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン２７ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１１４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｅ）を得た。

得られたポリマー（Ｅ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１０００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｅ）は、下記の平均組成式（Ｅ１）を有していた。

（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２０（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_０．１０（ＭｅＳｉＯ_３／２）_０．３０（ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．３０（Ｍｅ_４ＳｉＰｈｅＯ_２／２）_０．１０ …式（Ｅ１）

上記式（Ｅ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈｅはフェニレン基を示す。

得られたポリマー（Ｅ）のフェニル基とフェニレン基との含有比率（アリール基の含有比率）は３１モル％であった。

（合成例６）第２のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン４１ｇ、ジメチルジメトキシシラン７２ｇ、メチルトリメトキシシラン８１ｇ、及びビニルメチルジメトキシシラン５２ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１１４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｆ）を得た。

得られたポリマー（Ｆ）の数平均分子量（Ｍｎ）は２０００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｆ）は、下記の平均組成式（Ｆ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．２０（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_０．２０（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．３０（ＭｅＳｉＯ_３／２）_０．３０ …式（Ｆ１）

上記式（Ｆ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。

（合成例７）第２のシリコーン樹脂の合成
トリメチルメトキシシラン４１ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン５２ｇ、メチルトリメトキシシラン５４ｇ、及びフェニルトリメトキシシラン１５８ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１１４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｇ）を得た。

得られたポリマー（Ｇ）の数平均分子量（Ｍｎ）は２２００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｇ）は、下記の平均組成式（Ｇ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．２０（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_０．２０（ＭｅＳｉＯ_３／２）_０．２０（ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．４０ …式（Ｇ１）

上記式（Ｇ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ｇ）のフェニル基の含有比率は１４モル％であった。

（合成例８）第２のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン４１ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン５２ｇ、メチルトリメトキシシラン５４ｇ、フェニルトリメトキシシラン１１９ｇ、及び１，４−ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン４０ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１１４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｈ）を得た。

得られたポリマー（Ｈ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１５００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｈ）は、下記の平均組成式（Ｈ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．２０（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_０．２０（ＭｅＳｉＯ_３／２）_０．２０（ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．３０（Ｍｅ_４ＳｉＰｈｅＯ_２／２）_０．１０ …式（Ｈ１）

上記式（Ｈ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈｅはフェニレン基を示す。

得られたポリマー（Ｈ）のフェニル基とフェニレン基との含有比率（アリール基の含有比率）は１６モル％であった。

（合成例９）被覆体（Ｘ２）の作製
攪拌機、ジャケット、還流冷却器及び温度計が取り付けられた２Ｌの容器内に、分散媒体であるメチルイソブチルケトン１０００ｇと、略多面体状の合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）６００ｇと、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート５０ｇと、アゾビスイソブチロニトリル１ｇとを加え、攪拌により混合し、表面処理溶液中にマグネサイトが分散された分散液を調製した。その後、減圧して容器内の脱酸素を行った後、窒素により内部を大気圧まで戻し、容器内を窒素雰囲気とした。その後、攪拌しながら容器内を７０℃に加熱し、８時間反応を行った。室温まで冷却した後、反応溶液をセントルにより脱溶剤し、更に真空乾燥することにより、表面がメタクリル樹脂により被覆された合成マグネサイト６μｍ（アクリル樹脂被覆合成マグネサイト６μｍ）を得た。

（合成例１０）被覆体（Ｘ２）の作製
表面を被覆するためのモノマーであるジペンタエリスリトールヘキサメタクリレートを、両末端メタクリロキシ基含有シリコーン（チッソ社製、商品名：サイラプレーンＦＭ−７７２１）に変更したこと以外は合成例９と同様にして、表面がシリコーン樹脂により被覆された合成マグネサイト６μｍ（シリコーン樹脂被覆合成マグネサイト６μｍ）を得た。

（合成例１１）被覆体（Ｘ２）の作製
攪拌機、ジャケット、還流冷却器及び温度計が取り付けられた２Ｌの容器内に、分散媒体であるｐＨ９に調整されたイオン交換水１，０００ｇと、略多面体状の合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）６００ｇと、テトラエトキシシラン６０ｇとを加え、攪拌することにより混合し、表面処理溶液中にマグネサイトが分散された分散液を調製した。その後、攪拌しながら容器内を７０℃に加熱し、８時間反応を行った。室温まで冷却した後、反応溶液をセントルにより脱水し、更に真空乾燥することにより、表面がシリカにより被覆された合成マグネサイト６μｍ（シリカ被覆合成マグネサイト６μｍ）を得た。

（合成例１２）被覆体（Ｘ２）の作製
略多面体状の合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、略多面体状の合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＳ、平均粒子径１．２μｍ）に変更したこと以外は合成例９と同様にして、表面がメタクリル樹脂により被覆された合成マグネサイト１．２μｍ（アクリル樹脂被覆合成マグネサイト１．２μｍ）を得た。

（合成例１３）被覆体（Ｘ２）の作製
略多面体状の合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、略多面体状の合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＳ、平均粒子径１．２μｍ）に変更したこと以外は合成例１０と同様にして、表面がシリコーン樹脂により被覆された合成マグネサイト１．２μｍ（シリコーン樹脂被覆合成マグネサイト１．２μｍ）を得た。

（合成例１４）被覆体（Ｘ２）の作製
略多面体状の合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、略多面体状の合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＳ、平均粒子径１．２μｍ）に変更したこと以外は合成例１１と同様にして、表面がシリカにより被覆された合成マグネサイト１．２μｍ（シリカ被覆合成マグネサイト１．２μｍ）を得た。

（実施例１）
ポリマーＡ５重量部、ポリマーＦ５重量部、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体０．０２重量部、及び上記炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）に相当する略多面体状の合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）６０重量部を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用ダイボンド材を得た。

（実施例２）
マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、合成例９で得られた表面がメタクリル樹脂により被覆された合成マグネサイト６μｍ（アクリル樹脂被覆合成マグネサイト６μｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例３）
マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、合成例１０で得られた表面がシリコーン樹脂により被覆された合成マグネサイト６μｍ（シリコーン樹脂被覆合成マグネサイト６μｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例４）
炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）に相当するマグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、合成例１１で得られた表面がシリカにより被覆された合成マグネサイト６μｍ（シリカ被覆合成マグネサイト６μｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例５）
ポリマーＡ５重量部をポリマーＢ５重量部に変更したこと、並びにポリマーＦ５重量部をポリマーＧ５重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例６）
ポリマーＡ５重量部をポリマーＣ５重量部に変更したこと、並びにポリマーＦ５重量部をポリマーＧ５重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例７）
ポリマーＡ５重量部をポリマーＤ５重量部に変更したこと、並びにポリマーＦ５重量部をポリマーＧ５重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例８）
ポリマーＡ５重量部をポリマーＥ５重量部に変更したこと、並びにポリマーＦ５重量部をポリマーＧ５重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例９）
ポリマーＡ５重量部をポリマーＥ５重量部に変更したこと、ポリマーＦ５重量部をポリマーＨ５重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例１０）
合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、上記炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）に相当する略多面体状の合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＳ、平均粒子径１．２μｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例１１）
マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、合成例１２で得られた表面がメタクリル樹脂により被覆された合成マグネサイト１．２μｍ（アクリル樹脂被覆合成マグネサイト１．２μｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例１２）
マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、合成例１３で得られた表面がシリコーン樹脂により被覆された合成マグネサイト１．２μｍ（シリコーン樹脂被覆合成マグネサイト１．２μｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例１３）
マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径１．２μｍ）を、合成例１４で得られた表面がシリカにより被覆された合成マグネサイト１．２μｍ（シリカ被覆合成マグネサイト１．２μｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例１４）
上記フィラー（Ｙ）に相当する窒化アルミニウム（トクヤマ社製、平均粒子径０．６μｍ、熱伝導率１００Ｗ／ｍ・Ｋ）１０重量部をさらに混合したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例１５）
上記フィラー（Ｙ）に相当する窒化ホウ素（水島合金鉄社製、平均粒子径０．５μｍ、熱伝導率５０Ｗ／ｍ・Ｋ）１０重量部をさらに混合したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例１６）
上記フィラー（Ｙ）に相当する窒化ケイ素（電気化学工業社製、平均粒子径１．５μｍ、熱伝導率３５Ｗ／ｍ・Ｋ）１０重量部をさらに混合したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例１７）
上記フィラー（Ｙ）に相当する酸化亜鉛（ハクスイテック社製、平均粒子径０．２μｍ、熱伝導率２５Ｗ／ｍ・Ｋ）１０重量部をさらに混合したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例１８）
上記フィラー（Ｙ）に相当するアルミナ（住友化学社製、平均粒子径０．４μｍ、熱伝導率２０Ｗ／ｍ・Ｋ）１０重量部をさらに混合したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（比較例１）
合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、酸化マグネシウム（堺化学工業社製、平均粒子径１．１μｍ、熱伝導率３０Ｗ／ｍ・Ｋ）６０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（比較例２）
合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、結晶水含有炭酸マグネシウム（神島化学工業社製、平均粒子径９μｍ、熱伝導率１５Ｗ／ｍ・Ｋ）６０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（比較例３）
合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、酸化亜鉛（ハクスイテック社製、平均粒子径０．２μｍ、熱伝導率２５Ｗ／ｍ・Ｋ）６０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（比較例４）
合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、アルミナ（住友化学社製、平均粒子径０．４μｍ、熱伝導率２０Ｗ／ｍ・Ｋ）６０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（比較例５）
合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、シリカ（トクヤマ社製、平均粒子径１５μｍ、熱伝導率２Ｗ／ｍ・Ｋ）６０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（評価）
（１）熱伝導率
実施例及び比較例で得られた各光半導体装置用ダイボンド材を１５０℃で３時間加熱し、硬化させ、１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚さ５０μｍの硬化物を得た。この硬化物を評価サンプルとした。

得られた評価サンプルの熱伝導率を、京都電子工業社製熱伝導率計「迅速熱伝導率計ＱＴＭ−５００」を用いて測定した。なお、熱伝導率は高い方がよく、熱伝導率は０．３Ｗ／ｍ・Ｋ以上である必要がある。

（２）絶縁破壊電圧
上記（１）熱伝導率の評価で用いた評価サンプルを用意した。耐電圧試験器（ＭＯＤＥＬ７４７３、ＥＸＴＥＣＨ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製）を用いて、硬化物間に、１ｋＶ／秒の速度で電圧が上昇するように、交流電圧を印加した。硬化物が破壊した電圧を、絶縁破壊電圧とした。

（３）ガスバリア性（透湿度）
実施例及び比較例で得られた各光半導体装置用ダイボンド材を１５０℃で３時間加熱し、硬化させ、１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚さ１ｍｍの硬化物を得た。この硬化物を直径６ｃｍの円形に裁断し、評価サンプルを得た。

塩化カルシウムが設置されたＪＩＳ Ｚ０２０８に規定のカップの上に評価サンプルを載せ、周辺を蝋で固定した。次いで、８５℃及び８５％ＲＨの雰囲気下に２４時間放置した後、重量変化を測定して、透湿度（ｇ／ｍ^２・２４ｈ／１００μｍ）を求めた。

（４）接着性（ダイシェア強度）
ＡｇメッキしたＣｕ基板上に、接着面積が３ｍｍ×３ｍｍになるように光半導体装置用ダイボンド材を塗布し、３ｍｍ角のＳｉチップを載せて、テストサンプルを得た。

得られたテストサンプルを１５０℃で３時間加熱し、ダイボンド材を硬化させた。次に、ダイシェアテスター（アークテック社製、型番：ＤＡＧＥ ４０００）を用いて、３００μ／秒の速度で、１８５℃でのダイシェア強度（吸湿前）を評価した。

また、得られたテストサンプルを８５℃及び８５ＲＨ％の高温高湿オーブン内に１００時間放置した後、１８５℃でのダイシェア強度（吸湿後）を評価した。

（５）沈降性試験
実施例及び比較例で得られた各光半導体装置用ダイボンド材を２３℃及び５０％ＲＨの条件で１００時間放置した後、フィラーの沈降の有無を目視にて確認した。沈降が生じていない場合を「○」、沈降が生じている場合を「×」と判定した。

（６）リフロー試験
硬化物を半田リフロー炉（プレヒート１５０℃×１００秒＋リフロー［最高温度２６０℃］）に３回通過させた後に、硬化物にクラックが生じているか否かを観察した。ダイボンド材にクラックが生じている場合を「×」、クラックが生じていない場合を「○」と判定した。
結果を下記の表１，２に示す。

１…光半導体装置
２…ハウジング
２ａ…内面
３…光半導体素子
４…リード電極
５…ダイボンド材
６…ボンディングワイヤー
７…封止剤

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材では、上記第１のシリコーン樹脂は、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂であり、上記第２のシリコーン樹脂は、下記式（５１Ａ）又は下記式（５１Ｂ）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂である。

（参考例１）実施例１は欠番とする
ポリマーＡ５重量部、ポリマーＦ５重量部、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体０．０２重量部、及び上記炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）に相当する略多面体状の合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）６０重量部を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用ダイボンド材を得た。

（参考例２）実施例２は欠番とする
マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、合成例９で得られた表面がメタクリル樹脂により被覆された合成マグネサイト６μｍ（アクリル樹脂被覆合成マグネサイト６μｍ）に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（参考例３）実施例３は欠番とする
マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、合成例１０で得られた表面がシリコーン樹脂により被覆された合成マグネサイト６μｍ（シリコーン樹脂被覆合成マグネサイト６μｍ）に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（参考例４）実施例４は欠番とする
炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）に相当するマグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、合成例１１で得られた表面がシリカにより被覆された合成マグネサイト６μｍ（シリカ被覆合成マグネサイト６μｍ）に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例５）
ポリマーＡ５重量部をポリマーＢ５重量部に変更したこと、並びにポリマーＦ５重量部をポリマーＧ５重量部に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例６）
ポリマーＡ５重量部をポリマーＣ５重量部に変更したこと、並びにポリマーＦ５重量部をポリマーＧ５重量部に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例７）
ポリマーＡ５重量部をポリマーＤ５重量部に変更したこと、並びにポリマーＦ５重量部をポリマーＧ５重量部に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例８）
ポリマーＡ５重量部をポリマーＥ５重量部に変更したこと、並びにポリマーＦ５重量部をポリマーＧ５重量部に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（実施例９）
ポリマーＡ５重量部をポリマーＥ５重量部に変更したこと、ポリマーＦ５重量部をポリマーＨ５重量部に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（参考例１０）実施例１０及び参考例５〜９は欠番とする
合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、上記炭酸マグネシウム無水塩（Ｘ１）に相当する略多面体状の合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＳ、平均粒子径１．２μｍ）に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（参考例１１）実施例１１は欠番とする
マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、合成例１２で得られた表面がメタクリル樹脂により被覆された合成マグネサイト１．２μｍ（アクリル樹脂被覆合成マグネサイト１．２μｍ）に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（参考例１２）実施例１２は欠番とする
マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、合成例１３で得られた表面がシリコーン樹脂により被覆された合成マグネサイト１．２μｍ（シリコーン樹脂被覆合成マグネサイト１．２μｍ）に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（参考例１３）実施例１３は欠番とする
マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径１．２μｍ）を、合成例１４で得られた表面がシリカにより被覆された合成マグネサイト１．２μｍ（シリカ被覆合成マグネサイト１．２μｍ）に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（参考例１４）実施例１４は欠番とする
上記フィラー（Ｙ）に相当する窒化アルミニウム（トクヤマ社製、平均粒子径０．６μｍ、熱伝導率１００Ｗ／ｍ・Ｋ）１０重量部をさらに混合したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（参考例１５）実施例１５は欠番とする
上記フィラー（Ｙ）に相当する窒化ホウ素（水島合金鉄社製、平均粒子径０．５μｍ、熱伝導率５０Ｗ／ｍ・Ｋ）１０重量部をさらに混合したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（参考例１６）実施例１６は欠番とする
上記フィラー（Ｙ）に相当する窒化ケイ素（電気化学工業社製、平均粒子径１．５μｍ、熱伝導率３５Ｗ／ｍ・Ｋ）１０重量部をさらに混合したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（参考例１７）実施例１７は欠番とする
上記フィラー（Ｙ）に相当する酸化亜鉛（ハクスイテック社製、平均粒子径０．２μｍ、熱伝導率２５Ｗ／ｍ・Ｋ）１０重量部をさらに混合したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（参考例１８）実施例１８は欠番とする
上記フィラー（Ｙ）に相当するアルミナ（住友化学社製、平均粒子径０．４μｍ、熱伝導率２０Ｗ／ｍ・Ｋ）１０重量部をさらに混合したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（比較例１）
合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、酸化マグネシウム（堺化学工業社製、平均粒子径１．１μｍ、熱伝導率３０Ｗ／ｍ・Ｋ）６０重量部に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（比較例２）
合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、結晶水含有炭酸マグネシウム（神島化学工業社製、平均粒子径９μｍ、熱伝導率１５Ｗ／ｍ・Ｋ）６０重量部に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（比較例３）
合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、酸化亜鉛（ハクスイテック社製、平均粒子径０．２μｍ、熱伝導率２５Ｗ／ｍ・Ｋ）６０重量部に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（比較例４）
合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、アルミナ（住友化学社製、平均粒子径０．４μｍ、熱伝導率２０Ｗ／ｍ・Ｋ）６０重量部に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（比較例５）
合成マグネサイト（神島化学工業社製、商品名：ＭＳＬ、平均粒子径６μｍ）を、シリカ（トクヤマ社製、平均粒子径１５μｍ、熱伝導率２Ｗ／ｍ・Ｋ）６０重量部に変更したこと以外は参考例１と同様にして、ダイボンド材を得た。

（評価）
（１）熱伝導率
実施例、参考例及び比較例で得られた各光半導体装置用ダイボンド材を１５０℃で３時間加熱し、硬化させ、１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚さ５０μｍの硬化物を得た。この硬化物を評価サンプルとした。

（３）ガスバリア性（透湿度）
実施例、参考例及び比較例で得られた各光半導体装置用ダイボンド材を１５０℃で３時間加熱し、硬化させ、１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚さ１ｍｍの硬化物を得た。この硬化物を直径６ｃｍの円形に裁断し、評価サンプルを得た。

（５）沈降性試験
実施例、参考例及び比較例で得られた各光半導体装置用ダイボンド材を２３℃及び５０％ＲＨの条件で１００時間放置した後、フィラーの沈降の有無を目視にて確認した。沈降が生じていない場合を「○」、沈降が生じている場合を「×」と判定した。

Claims (7)

1. 珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、
   珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、
   ヒドロシリル化反応用触媒と、
   化学式ＭｇＣＯ_３で示される結晶水を含まない炭酸マグネシウム無水塩、及び該炭酸マグネシウム無水塩の表面が、有機樹脂、シリコーン樹脂又はシリカにより被覆されている被覆体の内の少なくとも一方の物質とを含む、光半導体装置用ダイボンド材。
2. 前記第１のシリコーン樹脂が、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂であり、
   前記第２のシリコーン樹脂が、下記式（５１Ａ）又は下記式（５１Ｂ）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂である、請求項１に記載の光半導体装置用ダイボンド材。
   

   

   前記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．４０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．３０〜０．８０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個が水素原子を表し、水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
   

   

   前記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．４０、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．３０〜０．８０及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個が水素原子を表し、水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ１１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。
   

   

   前記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０〜０．４０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．３０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
   

   

   前記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０〜０．４０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．３０〜０．８０及びｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ６１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。
3. 前記第１のシリコーン樹脂が、珪素原子に結合した水素原子と、アルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂である、請求項１又は２に記載の光半導体装置用ダイボンド材。
4. 前記物質の平均粒子径が３μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用ダイボンド材。
5. 前記物質とは異なり、平均粒子径が０．０１〜２μｍであり、かつ熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるフィラーをさらに含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用ダイボンド材。
6. 前記フィラーが、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素及び酸化亜鉛からなる群から選択された少なくとも１種である、請求項５に記載の光半導体装置用ダイボンド材。
7. 請求項１〜６のいずれか１項の光半導体装置用ダイボンド材と、
   接続対象部材と、
   前記光半導体装置用ダイボンド材を用いて前記接続対象部材に接続された光半導体素子とを備える、光半導体装置。

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