TWI378945B - Catalytic composition for producing 1-alkene and acrylates copolymer and method for producing 1-alkene and acrylates copolymer - Google Patents

Description

1378945 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】

本發明有關用於製備1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物之包 括金屬奈米觸媒的觸媒組成物，及用於製備1-烯屬烴-丙 烯酸酯共聚物之方法》本申請案主張2007年11月28日 於KIPO申請之韓國專利申請案第10-2007-0122198號的 優先權，該案全文係以提及的方式倂入本文中。 【先前技術】 在1-烯屬烴（特別是乙烯）係與丙烯酸烷酯共聚單體 * 共聚之情況下，可形成具有在簡單聚乙烯中無法獲得之不 . 同物理性質的聚合物。該等物理性質包括附著強度、低溫 韌性等’且該等物理性質可依該丙烯酸烷酯共聚單體（類 )之含量增加而獲得大幅改善。因此，該包括彼此混合的 1-烯屬烴與其他共聚單體之共聚物的發展已備受關注。 • 在—般習知技術中，乙烯與丙烯酸烷酯共聚物係從高 1溫與高壓反應而得。因此揭示一種藉由使用管式反應器或 # 熱壓反應器，在1000 atm或更高與100 °c或更高之嚴苛條 件下，同時添加乙烯與丙烯酸酯單體之製造方法。在上述 條件下獲得之聚合物係包括以乙烯計爲3至35%之丙烯酸 •’ 酯單體（一種極性單體）之共聚物。 • 然而，爲了實現高溫與高壓條件，需要額外裝置諸如 第一壓縮機、第二壓縮機、特殊反應器等以確保工作人員 的安全。此外，由於該嚴苛處理條件緣故，爲了以所需方 -5- 1378945 向改變該共聚物之組成，存在許多限制。 另外’使用習知方法所得之乙稀共聚物包括少量極性 基。即’由於極性單體之含量不高，該共聚物中存在聚乙 儲之結晶性’因此該共聚物作爲光學材料（諸如透明膜等 )之用途有所限制。 此外’關於使用該高溫與高壓方法於習知管式反應器 或熱壓器中獲得之聚合物’主要係發展不會大幅影響透明 度之產物》 因此，仍然需要發展一種用於製造新穎極性共聚物之 方法，其中由於極性共聚單體的含量高，不需要高溫與高 壓之嚴苛聚合條件即能製造不具結晶性之共聚物。 【發明內容】 〔技術問題〕 本發明目的係提出用於製備1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚 物之觸媒組成物，由於該1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物之極 性共聚單體含量高，故可用以製造不具結晶性之共聚物； 以及用於製造1-烯屬烴·丙烯酸酯共聚物之方法，其係不 需高溫與高壓之嚴苛聚合條件的200 atm或更低及150°c 或更低之溫和聚合條件的簡單方法，而且容易控制聚合物 之物理性質。 〔技術解決方法〕 本發明提出一種用於製備之1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚 -6- 1378945 物的觸媒組成物，其包括金屬奈米觸媒。 此外’本發明提出一種用於製備1-烯屬烴-丙烯酸酯 共聚物之方法，其包含在金屬奈米觸媒的存在下聚合1-烯 屬烴單體與丙烯酸酯共聚單體的步驟。

此外，本發明提出一種1·烯屬烴-丙烯酸酯共聚物， 其係藉由使用一種用於製備該1-烯屬烴·丙烯酸酯共聚物 的方法而製備。 此外，本發明提出一種包括該1-烯屬烴-丙烯酸酯共 聚物之光學膜。 〔有利功效〕 在本發明之用於製備1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物之觸 媒組成物中，由於極性共聚單體含量高，其可用以製備無 結晶性之1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物。用於製備該1-烯屬 烴-丙烯酸酯共聚物之方法係不需高溫與高壓之聚合條件 的溫和聚合條件之簡易方法，而且容易控制物理性質。 〔最佳模式〕 —種根據本發明之用於製備1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚 物的觸媒組成物包括如下式1所示的金屬奈米觸媒： 〔式1〕 M/NxOy 其中Μ係選自第3至第12族的過渡金屬， 1378945 反應性大幅降低之問題。 通常，該金屬奈米觸媒可藉由使用化學性物理吸附方 法或溶膠-凝膠法將金屬奈米粒子固定於無機材料擔體而 得。

如本說明所使用之術語，「共聚物」包括使用二或多 種共聚單體所得之所有共聚物。 根據本發明之用於製備1-烯屬烴-丙稀酸酯共聚物之 方法包含在金屬奈米觸媒的存在下聚合1-烯屬烴單體與丙 烯酸酯共聚單體的步驟，該金屬奈米觸媒係以下式1表示 較佳係金屬奈米觸媒的含量以該丙烯酸酯共聚單體計 爲0.01至2〇〇莫耳％之範圍。在該金屬奈米觸媒之含量 少於0.01莫耳％的情況下，存在有該1-烯屬烴-丙烯酸酯 共聚物中該1-烯屬烴單體的含量有減少的問題，而在該含 量多於200莫耳％之情況下’存在有於使用攪動聚合裝置 時攪動率降低的問題，此係不想要的情況。' 特別是，由於金屬奈米觸媒對於濕氣具有優良安定性 ，其係有效的且可再使用。 在該用於製造1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物之方法中， 在聚合反應條件中，較佳爲壓力係在5至200 atm之範圍 ’及溫度係在30至150 °C之範圍。更佳係，其可在壓力爲 20至50 atm之範圍及溫度爲50至80 °C之範圍的條件下 反應。 在壓力低於5 atm之情況下，存在有該丨_烯屬烴-丙 1378945 烯酸酯共聚物之1-烯屬烴單體的含量減少的問題，而在壓 力大於200 tam之情況下，在製程中需要提供額外裝置。 此外，在溫度低於30°C之情況下，存在有起始劑未被活化 之問題，而在溫度高於150 °C之情況下，存在有程序控制 之問題。 如上述，本發明用於製造該1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚 物的方法可藉由使用式1之金屬奈米觸媒在200 atm或更 低與150°C或更低之溫和條件下製造1-烯屬烴-丙烯酸酯共 聚物，而不像習知技術需要使用高溫與高壓之嚴苛條件。 因此，在本發明之用於製造1-烯屬烴·丙烯酸酯共聚物的 方法中，製程簡單，且其中所使用之金屬奈米觸媒在聚合 作用之後可僅藉由使用過濾裝置而容易地 10 0%回收且可 再使用，因此大幅降低製造成本。另外，由於對濕氣與空 氣之安定性優良，故效率高，且可簡化該聚合法。因而， 其工業應用性高。 因此，容易控制使用該用以製造該1-烯屬烴-丙烯酸 酯共聚物的方法所得之1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物之物理 性質。 在本發明之用於製造1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物的方 法中所使用的丙烯酸酯共聚單體包括以下式2表示之化合 物。

-10- 1378945 〔式2〕

R H C^C\^ HjC C IIo O'

R

Ri 其中Ri、R2與R3各獨立爲氫原子，或爲包括一 原子與1至30個碳原子之單價烴基；及 R4爲氫原子或具有1至6個碳原子之烷基。 此時，較佳係該烴基爲烷基、烯基、環烷基、炔 降莰基或芳基。 該丙烯酸酯共聚單體可選自包括<^-(：12直鏈或支 基之丙烯酸烷酯；包括（^-012直鏈或支鏈烷基之甲基 酸烷酯：及包括（^-(：12直鏈或支鏈烷基之丁基丙烯酸 (alkyl butacrylate) ° 該丙烯酸酯共聚單體可另外包括一或多種選自下 共聚單體：乙酸乙烯酯、丙烯酸羥基烷酯、丙烯酸羧 酯、乙烯酯、丙烯酸 '甲基丙烯酸、順丁烯二酸酐與 化碳。 較佳的是，本發明之用於製造該1-烯屬烴-丙烯 共聚物的方法中所使用之丙烯酸酯共聚單體的量以該 屬烴單體與該丙烯酸酯共聚單體之總量計爲30至99 °/〇的範圍。更佳係，可包括之丙烯酸酯共聚單體的量f 至95莫耳％。在該丙烯酸酯共聚單體含量少於30莫 的情況下，存在有該1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物的附 個雜 基、 鍵院 丙烯 烷酯 列的 基院 一氧 酸醋 1-烯 莫耳 I 50 耳％ 著性 -11 - 1378945 質之問題，而在該含量多於99莫耳％之情況下’存 易斷裂之問題，此係不想要之情況。 在本發明之用於製造該1-烯屬烴-丙烯酸酯共 方法中所使用之爲極性單體的丙烯酸酯共聚單體含 之情況下，可避免結晶性（爲1-烯屬烴單體（諸如 固有物理性質），如此可製得無結晶性之共聚物。 知技術難以製造無結晶性之1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚 由於可使用本發明之用於製造1-烯屬烴-丙烯 聚物的方法而製造之共聚物不具結晶性、具有高透 以及優良附著性質，故其可作爲光學材料。特別是 其包括許多極性官能基，故對金屬之附著強度優良 有用地應用於電子元件。 本發明之用於製造1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物 中所使用的1-烯屬烴單體可選自乙烯、丙烯、1-丁 戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯 嫌。 至於該1-烯屬烴單體之降莰烯，包括以下式3 之化合物。 〔式3〕 在有容 聚物的 量提高 乙烯） 藉由習 物。 酸酯共 明度， ，由於 ，因而 的方法 烯、1- 與降莰 所表示

其中m爲0至4範圍之整數， 非極性 、R/、R?"與R广各獨立包括極性官能基或 -12- 一 1378945 官能基， R·7' R/、R7"與r7"·可彼此連接以形成飽和或不飽和 之具有4至12個碳原子的環狀基或具有6至24個碳原子 之芳族環。 該非極性官能基可選自氫；鹵素；具有1至20個碳 原子·之直鏈或支鏈烷基，其係經一或多種選自下列之取代 基所取代或未經取代：鹵素、烷基、烯基、炔基、鹵烷基 、齒稀基' 鹵炔基、芳基、鹵芳基、芳烷基 '鹵芳烷基、 院氧基、鹵烷氧基、羰氧基、鹵羰氧基、芳氧基、鹵芳氧 基、甲矽烷基與矽烷氧基；具有2至20個碳原子之直鏈 或支鏈烯基’其係經一或多種選自下列之取代基所取代或 未經取代：鹵素、烷基、烯基、炔基、鹵烷基、鹵烯基、 _炔基 '芳基、鹵芳基、芳烷基、鹵芳烷基、烷氧基、鹵 烷氧基、羰氧基、鹵羰氧基' 芳氧基、鹵芳氧基、甲矽烷 基與矽烷氧基；具有2至20個碳原子之直鏈或支鏈炔基 ’其係經一或多種選自下列之取代基所取代或未經取代： 鹵素、烷基、烯基、炔基、鹵烷基、鹵烯基、鹵炔基、芳 基、鹵芳基、芳院基、鹵芳院基、院氧基、鹵院氧基、羰 氧基、鹵鑛氧基、芳氧基、鹵芳氧基、甲砂院基與砂院氧 基；具有3至12個碳原子之環烷基，其係經一或多種選 自下列之取代基所取代或未經取代：鹵素、烷基、烯基、 诀基、齒垸基、鹵嫌基、鹵快基、芳基、_芳基、芳院基 、鹵方院基、院氧基、鹵院氧基、鑛氧基、齒類氧基、芳 氧基、鹵芳氧基、甲矽烷基與矽烷氧基；具有6至40個 -13- 1378945

碳原子之芳基，其係經一或多種選自下列之取代基所取代 或未經取代：鹵素、烷基、烯基、炔基、鹵烷基、鹵烯基 、鹵炔基、芳基、鹵芳基、芳烷基、鹵芳烷基、烷氧基、 鹵烷氧基、羰氧基、鹵羰氧基、芳氧基、鹵芳氧基、甲矽 烷基與矽烷氧基及具有7至15個碳原子之芳烷基，其 係經一或多種選自下列之取代基所取代或未經取代：鹵素 、烷基、烯基、炔基、鹵烷基、鹵烯基、鹵炔基、芳基、 鹵芳基、芳烷基、鹵芳烷基、烷氧基、鹵烷氧基、羰氧基 、鹵羰氧基、芳氧基、鹵芳氧基、甲矽烷基與矽烷氧基。 此外，該極性官能基係非烴的極性基，其包括至少一 個氧、氮、磷、硫、矽或硼且選自下列化式所示的基團 :-R8OR9、-OR9、-0C(0)0R9、-R80C(0)0R9、-C(0)R9 、-R8C(0)0R9、-C(0)0R9、-R8C(0)R9、-0C(0)R9、· R80C(0)R9、-(R80)k-0R9 (k 係在 1 至 10 範圍之整數） 、-(OR8)k-OR9 (k係在1至10範圍之整數）、

-c(o)-o-c(o)r9、-r8c(o)-o-c(o)r9、-sr9、-r8sr9、-ssr9、-r8ssr9、-s(=o)r9、-r8s( = o)r9、-r8c( = s)r9、-r8c(:s)sr9、-r8so2r9、-so2r9、-r8〇so2r9、-r8so3r9 、-S03R9、-R80S03R9、-R8N = C = S、-N = C = S、-NCO、 •R8-NCO、-CN、-R8CN、-NNC( = S)R9、-RsNNC( = S)R9、-N02、-R8N〇2與下列極性基： -14- 1378945

R12 0 II -SR« II R13 0 \R13 R12 /R12 —N v R13 \ R13 /R12 -R”N( \R13 严 —OC(0)N^ \R13 〇 || 〇 || 0 0 —R11SR12 II -OSR12 _ II -R11〇SR12 — || OSOR12 II II 〇 11 〇 II 〇 0 ,R12 \R13 OR12 nor13 /R12 -R^B； 、0R13 R12 0 〇 -^N-C-R13 -N-C-OR13 /R12 -c(〇)n( -R110C(0)< 0 -RHO^OR12

II

O ,OR12 -B； 、0R13 -R”c(o)r R12 0 _ti—C_R13 R12 0 -^N-C-OR13 八广 八，R14 —c—c/ -R11C-C, \r13 R'2 0 R12〇 II I II C-N-C-OR13 Q R12〇 if i II — p'•R11C-N—C-OR'3 ^\pi3

R 12

_R11P \

-OP OR13 /OR12\〇R13 R12 R13 /OR12 .0R12 ’ -R11P’ 、R13 V3 P、OR13 \〇R13 .OR12 -R11OP、 -\〇R13 -P nor13 3 〇R12 -R11P； \〇R13

^ yR12 Π/OR12 _Riip/ -OP； R \〇Ri3 N〇R13 〇 R12 Riz

Rn〇p/〇R12 -Si-R13 -R11Sl-R13

R 〇P、0R13 、R14 V OR« -O-RH-Si-OR13 \ OR14 OR12 OR12 R12 -si —OR13 -RUgi^OR13 _ 〇 -R11 -S|^-R13

\〇R14 'OR14 RH 15- 1378945 R12

OR 12 • R11 13

R 14 OR14 0 R12 II / -C-O-R^-si-R13 、 R14 OR12 C-O-RH-Si-OR13 \ 〇R14 i? R12 i? OR^ —R11-C—0-R11 —SI — R13 -R11-C-0-RH _si_〇r13

Rw 〇ri4 R12

◦ RU 〇Ri^ R12 OR'? -0 - R»1 -C- 0 - R11 - Si — R'3 _ 〇 - rii -C- 〇 -RH- si — OR13 R14 OR，4

O -R11_Q -R11 _Q_ 〇 — R11_Sj^pi3 一R11-0 —R” 一C_ 〇 _R11_Si —〇R13 R14 OR14 R12 OR12 -R11-0 -R'1- O -m1-Si-R13 -R,1-0-R11-0-R^-Si —OR13 R14 OR14 R12 OR12

R11-NH-R11-Si —R13 -Rii_NH-RH-Si-OR 13 R14 OR14 -16- 1378945 〇 /R12 ο 〇R12 -R11 - C- ΝΗ- Ri1 -Si^— R13 - rh _ q_ nh_ ri i_ S|·^ 〇 r 13 R14 、〇R14 O OR12 R12 R12 II I I / -C-〇-CH2—CH —CH2 — N —RH-Si^—R13 R14 O OR12 R12 OR12 -C-O-CH — CH — CH2— N - Rn _Sj/ 〇Ri3 \

OR14 O OR12 R12 R12 II I I / -R11 -C-O-CH —CH—C^ — N — Rii-Si —R13 R14 O OR12 Ri2 OR12 II I I / -R'h-C-0-CH2—CH—— N —RH_Sj<_〇Ri3 OR14 cr R12 R12 Cl R12 〇R12 -R11-NI-f-R11-N-Rii-Si—R13 -RH-NH2-R"-i\i_Rti_Si<l〇Ri3

\ \ R14 〇Rl4 )12 14

Cl 一 NH7—Ru-N —Rii-Si—R13

R cr Ri2 or12 -NH2-^-N-Rn-si-〇R13 \ OR14 〇 在該極性官能基中，R8與R11係相同或彼此不同，且 各爲具有1至20個碳原子之直鏈或支鏈伸烷基，其係經 一或多種選自下列之取代基所取代或未經取代：鹵素、烷 基、燃基、炔基、_院基、鹵烧基、鹵快基、芳基、齒芳 -17- 1378945 基、芳烷基、鹵芳烷基、烷氧基、鹵烷氧基、羰氧基、鹵 簾氧基、方氧基、鹵芳氧基、甲砂院基與砂焼氧基；具有 2至20個碳原子之直鏈或支鏈伸烯基，其係經一或多種選 自下列之取代基所取代或未經取代：鹵素、烷基、烯基、 炔基、鹵烷基、鹵烯基、鹵炔基、芳基、鹵芳基、芳烷基 、鹵芳烷基、烷氧基、鹵烷氧基、羰氧基、鹵羰氧基、芳 氧基、鹵芳氧基、甲矽烷基與矽烷氧基；具有2至20個 碳原子之直鏈或支鏈伸炔基，其係經一或多種選自下列之 取代基所取代或未經取代：鹵素、烷基、烯基、炔基、鹵 烷基、鹵烯基、鹵炔基、芳基、鹵芳基、芳烷基、鹵芳烷 基、烷氧基、鹵院氧基、羰氧基、鹵羰氧基、芳氧基、鹵 芳氧基、甲矽烷基與矽烷氧基；具有3至12個碳原子之 伸環烷基，其係經一或多種選自下列之取代基所取代或未 經取代：鹵素、烷基 '烯基、炔基、鹵烷基、鹵烯基、鹵 炔基、芳基、鹵芳基、芳烷基、鹵芳烷基、烷氧基、鹵烷 氧基、羰氧基、鹵羰氧基、芳氧基、鹵芳氧基、甲矽烷基 與矽烷氧基；具有6至40個碳原子之伸芳基，其係經一 或多種選自下列之取代基所取代或未經取代：鹵素、烷基 、烯基、炔基、鹵烷基、鹵烯基、鹵炔基、芳基、鹵芳基 、芳烷基、鹵芳烷基、烷氧基 '鹵烷氧基、羰氧基、鹵羰 氧基、芳氧基、鹵芳氧基、甲矽烷基與矽烷氧基；具有7 至15個碳原子之伸芳烷基，其係經一或多種選自下列之 取代基所取代或未經取代：鹵素、烷基、烯基、炔基、鹵 烷基、鹵烯基、鹵炔基、芳基、鹵芳基、芳烷基、鹵芳烷 -18- 1378945 基、烷氧基、鹵烷氧基、羰氧基、鹵羰氧基、芳氧基、鹵 芳氧基、甲矽烷基與矽烷氧基；伸烷氧基，其係經一或多 種選自下列之取代基所取代或未經取代：鹵素、烷基、締 基、炔基、鹵烷基、鹵烯基、鹵炔基、芳基、鹵芳基、芳 院基、齒芳院基、院氧基、_院氧基、幾氧基、_鑛氧基* 、芳氧基、鹵芳氧基、甲矽烷基與矽烷氧基；或伸羰氧基 ，其係經一或多種選自下列之取代基所取代或未經取代： 鹵素、烷基、烯基、炔基、鹵烷基、鹵烯基、鹵炔基、芳 基、鹵芳基、芳烷基、鹵芳烷基、烷氧基、鹵烷氧基、羰 氧基、鹵羰氧基、芳氧基、鹵芳氧基、.甲矽烷基與矽烷氧 基，且二或多個R11可彼此相同或不同，及 R9、R12、R13與R14係彼此相同或不同，且各爲選自 以下之任一者：氫；鹵素；具有1至20個碳原子之直鏈 或支鏈烷基，其係經一或多種選自下列之取代基所取代或 未經取代：鹵素、烷基 '烯基、炔基、鹵烷基、鹵烯基、 鹵炔基、芳基、鹵芳基、芳烷基、鹵芳烷基、烷氧基、鹵 院氧基、羯氧基、鹵羰氧基、芳氧基、鹵芳氧基、甲砂院 基與矽烷氧基；具有2至20個碳原子之直鏈或支鏈烯基 ，其係經一或多種選自下列之取代基所取代或未經取代： 鹵素、烷基、烯基、炔基、鹵烷基、鹵烯基、鹵炔基、芳 基、鹵芳基、芳烷基、鹵芳烷基、烷氧基、鹵烷氧基、羰 氧基、鹵羰氧基、芳氧基、鹵芳氧基、甲矽烷基與矽烷氧 基；具有2至20個碳原子之直鏈或支鏈炔基，其係經一 或多種選自下列之取代基所取代或未經取代：鹵素、烷基 -19- 1378945 、烯基、炔基、鹵烷基'鹵烯基、鹵炔基、芳基、鹵芳基 、芳烷基、鹵芳烷基、烷氧基、鹵烷氧基、羰氧基、鹵羰 氧基、芳氧基、鹵芳氧基、甲矽烷基與矽烷氧基；具有3 至12個碳原子之環烷基，其係經一或多種選自下列之取 代基所取代或未經取代：鹵素、烷基、烯基、炔基、鹵烷 基、鹵烯基、鹵炔基、芳基、鹵芳基、芳烷基、鹵芳烷基 、烷氧基、鹵烷氧基、羰氧基、鹵羰氧基、芳氧基、鹵芳 氧基、甲矽烷基與矽烷氧基；具有6至40個碳原子之芳 基，其係經一或多種選自下列之取代基所取代或未經取代 :鹵素、烷基、烯基、炔基、鹵烷基、鹵烯基、鹵炔基、 芳基、鹵芳基、芳烷基、鹵芳烷基、烷氧基、鹵烷氧基、 羰氧基、鹵羰氧基、芳氧基、鹵芳氧基、甲矽烷基與矽烷 氧基；具有7至15個碳原子之芳烷基，其係經一或多種 選自下列之取代基所取代或未經取代：鹵素、烷基、烯基 、炔基、鹵烷基、鹵烯基、鹵炔基、芳基、鹵芳基、芳烷 基、鹵芳烷基、烷氧基、鹵烷氧基、羰氧基、鹵羰氧基、 芳氧基、鹵芳氧基、甲矽烷基與矽烷氧基；烷氧基，其係 經一或多種選自下列之取代基所取代或未經取代：鹵素、 烷基、烯基、炔基、鹵烷基、鹵烯基、鹵炔基、芳基、鹵 方基、方垸基、齒方院基、院氧基、_垸氧基、類氧基、 鹵羰氧基、芳氧基、鹵芳氧基、甲矽烷基與矽烷氧基；或 羰氧基，其係·經一或多種選自下列之取代基所取代或未經 取代：鹵素、烷基、烯基、炔基、鹵烷基、鹵烯基、鹵炔 基、芳基、鹵芳基、芳烷基、鹵芳烷基 '烷氧基、鹵烷氧 -20- 1378945 基、羰氧基、鹵羰氧基、芳氧基、鹵芳氧基、甲矽烷基與 矽烷氧基。 此處，除非特別指明，烷基、烷氧基與羰基較佳係具 有1至20個碳原子，烯基與炔基較佳係具有2至20個碳 原子，芳基較佳係具有6至40個碳原子，且芳烷基較佳 係具有7至15個碳原子。 式3所示之化合物包括選自下列一或多者：5_乙基酯· 2-降莰烯、5-降莰烯-2-羧酸第三丁酯（NB-TBE) 、5-降 莰烯-2-甲基-2-羧酸甲酯（NB-MMA) 、5-亞甲基-2-降莰 烯及5-正丁基-2-降莰烯。 此外，本發明用於製造該1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物 之方法進一步包括添加聚合起始劑。較隹情況係該聚合起 始劑包括選自下列一或多者：過氧化物與偶氮化合物。此 時，該聚合起始劑可以預定方式包括在該1-烯屬烴-丙烯 酸酯共聚物中，例如以純形式、以溶解於適當溶劑之形式 、及以與單體或共聚單體進料流混合之形式。 此外，較佳係該聚合起始劑之含量以該丙烯酸酯共聚 單體計在0.001至0.1莫耳％之範圍。在該聚合起始劑之 含量少於0.001莫耳％之情況下，產率低，而在該含量多 於〇·1莫耳％之情況下，存在有因過量聚合起始劑而產生 低分子量之1-烯屬烴·丙烯酸酯共聚物的問題。 過氧化物之實例包括例如，過氧化氫、過氧化二癸醯 基、過氧新癸酸第三丁酯、過氧三甲基乙酸第三丁酯、過 氧化3,5，5 -二甲基己釀基、過氧化二乙基、過氧-2-乙基己 -21 - 1378945 酸第三丁酯、過氧異丁酸第三丁酯、過氧化苯甲醯基、過 氧醋酸第三丁酯、過氧苯甲酸第三丁酯、過氧化二第三丁 基、過氧新癸酸第三戊酯、過氧三甲基乙酸第三戊酯、過 氧2-乙基己酸第三戊酯與氫過氧化1，1，3,3-四甲基丁基； 鹼金屬過硫酸鹽、鹼金屬過硼酸鹽與鹼金屬過碳酸鹽。 該偶氮化合物之實例包括偶氮二異丁腈（AIBN ; azo bisisobutyronitrate)。 在本發明用於製造該1-烯屬烴·丙燃酸醋共聚物之方 法中，較佳係該聚合反應係在一或多種選自下列的溶劑中 進行：甲苯、苯、氯苯、正己烷、四氫呋喃、氯仿、乙醇 、甲醇、丙酮與二氯甲烷。 作爲本發明用於製造該1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物之 方法的具體實例，較佳的條件是該丙烯酸酯共聚單體係甲 基丙烯酸甲酯或丙烯酸甲酯，該1-烯屬烴單體係乙烯或降 莰烯，該金屬奈米觸媒之金屬係過渡金屬，反應壓力在5 至60 atm之範圍，反應溫度在50至80 °c之範圍，及包括 AIBN作爲聚合起始劑。 此外，本發明提出一種1-烯屬烴-丙稀酸酯共聚物， 其係藉由使用該用於製備該1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物的 方法而製備。 與習知技術相比，使用本發明之觸媒組成物所得之1- 烯屬烴-丙烯酸酯共聚物所得之膜具有優良撓性與耐熱性 詳細地說，由於該1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物係1-嫌 -22- 0 1378945 屬烴單體與極性單體之無規共聚物，並具有極高含量 基，故無乙烯之結晶性，因而藉由使用聚合膜處理之後， 該聚合物之透明度不受影響。因此，其可作爲光學材料。 該1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物包括玻璃轉化溫度爲20 至170°C範圍之降莰烯-丙烯酸甲酯共聚物，玻璃轉化溫度 爲50至130°C之範圍的乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物，玻 璃轉化溫度爲-50至20C之範圍的乙稀-丙稀酸甲醒共聚物 ，及玻璃轉化溫度爲〇至150 °C之範圍的乙烯-丙烯酸甲 酯-降莰烯三元共聚物。 較佳情況係，在該1-烯屬烴-丙燃酸酯共聚物中，數 量平均分子量爲5,000至1 5 0,000之範圍，且重量平均分 子量爲10,000至500,000之範圍。在數量平均分子量低於 5,000或重量平均分子量低於1〇, 〇〇〇之情況下，由於該低 分子量之故’根據應用領域，可能存在有物理性質方面的 問題，而在數量平均分子量高於150,000或重量平均分子 量高於500,〇〇〇之情況下，就處理觀點來看，可能存在問 題。

在該1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物中，較佳係在熱重力 分析中所得之初始重量的50%被分解之溫度（Td50，半數 中毒量）爲350至500 °C之範圍，且Td 50係根據該1-烯 屬烴單體之含量而改變。在獲得未經共聚合而僅爲PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯）同元聚合物之情況下，Td50低於 3 5 0〇C。 此外’較佳係該1-烯屬烴·丙烯酸酯共聚物之光學透 -23- 1378945 明度爲80至100 %之範圍。當該烯屬烴-丙烯酸酯共聚 物之光學透明度局時’就作爲光學材料（諸如光學膜）觀 點來看其係較爲有利。 此外’本發明提出一種包括該1-烯屬烴-丙烯酸酯共 聚物之光學膜》 由於該光學膜係使用具有高光學透明度之丙條酸醒共 聚物所製備’該光學膜可具有該高光學透明度，且由於具 有極性官能基之單體含量高，故附著性質優良。因此，其 適於用作層狀膜，諸如偏光板。詳細地說，其可經由拉伸 而製造具有雙折射的延遲補償膜，或可經由碘溶液的後處 理而製造偏光膜，且其可作爲各種光學膜。 【實施方式】 按照由下述用以說明之下列實施例可更暸解本發明， 但該等實施例不應被視爲限制本發明。 在該聚合作用所需要的有機劑與溶劑係由 Aldrich， Co.，Ltd.所製，且經由使用標準方法純化，而乙烯係在藉 由Applied Gas Technology，Co.，Ltd.所製之高純度產物通 過濕氣與氧過濾裝置後使用。 爲了確認聚合物觸媒之結構，使用 Varian, Co.，Ltd. 所製之5 0 0 MHz NMR。聚合物之玻璃轉化溫度係使用ΤΑ Instrument, Co.，Ltd.所製之 DSC Q100 測量，且使用同一 公司所得之Td50作爲TGA。 分子量與分子量分佈係經由Waters，Co.，Ltd所得之 -24- 1378945 GPC (凝膠滲透層析術）分析獲得。分析溫度爲25°C，使 用四氫呋喃（THF )作爲溶劑，並使用聚苯乙烯進行標準 化以獲得數量平均分子量（Μη)與重量平均分子量（Mw <實施例1> 在125 mL之高壓反應裝置抽成真空後，塡入氬。於 該氬氣氛之反應器，置入釕含量爲0_1重量％之金屬奈米 觸媒（2.86 g，28.05 mmol ) 、23 mL之甲苯、與甲基丙 烯酸甲酯（2.81 g，28.05 mmol)。此外，添加量爲0.056 mmol之溶解於甲苯中的起始劑 AIBN。然後，裝入在30 巴之乙烯後，將反應器之溫度升高至70 °C，使用速率爲 5 00 rpm之磁性棒進行攪動，並將彼等聚合18小時以製備 該聚合物溶液。 該聚合反應完成後，將反應溫度降至常溫，並使用過 濾作用回收該金屬奈米觸媒。然後，將移除該金屬奈米觸 媒的聚合物溶液滴在非溶劑乙醇上，以便該聚合物以固體 形式沉澱。將該固相沉澱以去除上層清液，於其中添加乙 醇’將彼等再清洗一次，於其中添加水，並將彼等攪動以 使粒子結實，以及將彼等過濾以回收該共聚物。如此獲得 之共聚物係在真空爐中以8 0°C加以乾燥。 <實施例2 > 使用與實施例1相同之聚合反應條件與後處理製程製 -25- 1378945 造共聚物，但使用釕含量爲1重量％之金屬奈米觸媒。 <實施例3> 使用與實施例1相同之聚合反應條件與後處理製程製 造共聚物，但使用釕含量爲5重量％之金屬奈米觸媒。 <實施例4> 使用與實施例1相同之聚合反應條件與後處理製程製 造共聚物，但使用鈀含量爲0.1重量％之金屬奈米觸媒。 <實施例5> 使用與實施例1相同之聚合反應條件與後處理製程製 造共聚物，但使用鈀含量爲1重量％之金屬奈米觸媒。 <實施例6> 使用與實施例1相同之聚合反應條件與後處理製程製 造共聚物’但使用鈀含量爲5重量％之金屬奈米觸媒。 <實施例7> 使用與實施例1相同之聚合反應條件與後處理製程製 造共聚物’但使用鈀含量爲10重量％之金屬奈米觸媒。 <實施例8> 使用與實施例1相同之聚合反應條件與後處理製程製 -26- 1378945 造共聚物，但使用鈾含量爲5重量％之金屬奈米觸媒》 <實施例9> 使用與實施例1相同之聚合反應條件與後處理製程製 造共聚物，但使用銥含量爲5重量％之金屬奈米觸媒。 <實施例1 0 > 使用與實施例1相同之聚合反應條件與後處理製程製 造共聚物，但使用铑含量爲5重量％之金屬奈米觸媒。 <實施例1 1> 使用與實施例1相同之聚合反應條件與後處理製程製 造共聚物，但使用銅含量爲5重量％之金屬奈米觸媒。 實施例1至11之特定實驗條件與結果係描述於下表1 -27- 1378945 〔表1〕 部分 金屬奈米 觸媒 金屬 含量 (莆骨％·» 觸媒/MMA 谟耳比） AIBN/ MMA (莫耳比) 壓力 (巴） CC) 時間 (猶） 乙餘含量 (吴耳〇/〇) Tg (°C) 所回收之 棘觸媒( 莆景％) 實施例1 Ru/AJ2〇3 0.1 1 0.002 30 70 18 11.5 114 99% 實施例2 R11/AI2O3 1 1 0.002 30 70 18 13.6 111 98% 實施例3 Ru/A1203 5 1 0.002 30 70 18 22.2 88 99% 實施例4 Pd/Al203 0.1 1 0.002 30 70 18 9.3 1Π 99% 實施例5 Pd/Al203 1 1 0.002 30 70 18 13.2 112 98% 實施例ό Pd/Al203 5 1 0.002 30 70 18 16.8 99 99% 實施例7 Pd/Al203 10 1 0,002 30 70 18 8.7 119 99% 實施例8 Pt/AI70, 5 1 0.002 30 70 18 11,5 115 97% 實施例9 Ir/Al2〇3 5 1 0.002 30 70 18 11.9 116 98% 實施例10 Rh/Al203 5 1 0.002 30 70 18 13,8 110 99% 實施例11 Cu/A1203 5 1 0.002 30 70 18 12.7 113 99% <比較例1 > 在125 mL之高壓反應裝置抽成真空後，塡入氬。於 該氬氣氛之反應器，置入氧化鋁（2.86 g，28.05 mmol) 、甲苯（23 mL)與甲基丙烯酸甲酯（2·81 g，28.05 mmol )。此外，添加量爲 0.056 mmol之溶解於甲苯中的起始 劑AIBN。然後，裝入在30巴之乙烯後，將反應器之溫度 升高至70°C，使用速率爲5 00 rpm之磁性棒進行攪動，並 將彼等聚合18小時以製備該聚合物溶液。 該聚合反應完成後，將反應溫度降至常溫，並使用過 濾作用回收該氧化鋁。然後，將移除該氧化鋁的聚合物溶 液滴在非溶劑乙醇上，以便該聚合物以固體形式沉澱。將 該固相沉澱以去除上層清液，於其中添加乙醇，將彼等再 清洗一次，於其中添加水，並將彼等攪動以使粒子結實， •28- 1378945 以及將彼等過據以回收該共聚物。如此獲得之共聚物係在 真空爐中以80°C加以乾燥。 <比較例2> 使用與對照實例1相同之聚合反應條件與後處理製程 製造共聚物’但使用5.72 g之氧化銘， 實施例1至2之特定實驗條件與結果係描述於下表2 〔表2〕 部分 氧化鋁 AI2O3/MMA (莫耳比） AIBN/MMA (莫耳比） 壓力 (巴） 溫度 CC) 時間 (小時） 乙稀含量 (莫耳％) Tg(°c) 比較例1 Al2〇3 1 0.002 30 70 18 9.5 112 比較例2 AI2O3 2 0.002 30 70 18 10.5 110 <實施例12> 在125 mL之高壓反應裝置抽成真空後，塡入氬。於 該氬氣氛之反應器’置入釕含量爲5重量％之金屬奈米觸 媒（2.86 g’ 28.05 mmol) 、23 mL之甲苯、與甲基丙烯 酸甲酯（2_41 g，28.05 mmol)。此外，添加量爲0.056 mmol之溶解於甲苯中的起始劑AIBN。然後，裝入在30 巴之乙烯後’將反應器之溫度升高至70 °C，使用速率爲 5 00 rpm之磁性棒進行攪動，並將彼等聚合18小時以製備 該聚合物溶液。然後，使用與實施例1之相同方法進行聚 合後處理製程以製造共聚物》 -29 - 1378945 <實施例13> 使用與實施例1相同之聚合反應條件與後處理製程製 造共聚物，但使用0.0 28 mmol之起始劑含量。 實施例12至13之特定實驗條件與結果係描述於下表 〔表3〕

Ru觸媒/MA 谟耳比） AIBN/MA 溟耳比) 壓力 (巴) m CC) 時間 (循） 乙烯含量 (莫耳％) Tg (°C) Td50 (°C) Mw PDI 實施例12 1 0.002 30 70 18 23.8 88 409.2 93500 2.1 實施例13 1 0.001 30 70 18 24.2 81 405.3 94700 2.2 <實施例14> 在125 mL之高壓反應裝置抽成真空後，塡入氬。於 該氬氣氛之反應器，置入釕含量爲5重量％之金屬奈米觸 媒（4.13 g，14.03 mmol) 、23 mL之甲苯、甲基丙稀酸 甲酯（2.81 g，28.05 mmol)與 56.1 mmol 之降莰烯。此 外，添加量爲0.056 mmol之溶解於甲苯中的起始劑AIBN 。然後，將反應器之溫度升高至60 °C，使用速率爲500 rpm之磁性棒進行攪動，並將彼等聚合1 8小時以製備該 聚合物溶液。然後，使用與實施例1之相同方法進行聚合 後處理製程以製造共聚物。 <實施例15> 使用與實施例14相同之聚合反應條件與後處理製程 製造共聚物，但該溫度爲65°C。 -30- 1378945 <實施例16> 在125 mL之高壓反應裝置抽成真空後，塡入氬。於 該氬氣氛之反應器，置入釕含量爲5重量％之金屬奈米觸 媒（2.86 g，28.05 mmol) 、23 mL之甲苯、甲基丙嫌酸 甲醒（2.81 g，28.05 mmol)與 56.1 mmol 之降茨稀。此 外，添加量爲0.056 mmol之溶解於甲苯中的起始劑AIBN 。然後’將反應器之溫度升高至70°C，使用速率爲500 rpm之磁性棒進行攪動，並將彼等聚合18小時以製備該 聚合物溶液。然後，使用與實施例1之相同方法進行聚合 後處理製程以製造共聚物。 實施例14至16之特定實驗條件與結果係描述於下表 4 〇 〔表4〕 部分 Ru觸媒/MA (莫耳比） AIBN/MA (莫耳比） MA/Nb (莫耳比) 溫度 CC) 時間 (小時） 乙烯含量 (莫耳％) Tg ro Td50 CO Mw PDI 實施例14 0.5 0.002 0.5 60 18 25.1 73.4 430.2 21400 2 3 實施例15 0.5 0.002 0.5 65 18 25.3 75.1 435.5 30300 24 實施例16 1 0.002 0.5 70 18 28.5 84.2 446.7 53600 2.1

使用磁核共振光譜分析所有實施例1至16所得之共 聚物的結構。在每一種所得共聚物中，未確認出乙烯或降 莰烯之同元聚合物，但產生無規共聚物。 實施例3與對照實例丨之NMR測量結果與DSC測 量係示於圖1至4。如圖1與2所示，由於金屬奈米觸媒 -31 - 1378945 之活性高於金屬之氧化物，故乙烯之含量係提高。此外， 如圖3與4所示’未觀察到習知聚烯烴中所顯示之熔融溫 度，但觀察到玻璃轉化溫度（Tg) —次。因此，未確認同 元聚合物，且由實施例所得之共聚物係當溫度改變時其中 之相不改變的無結晶共聚物。 此外，在實施例12至15所得之共聚物的情況下，顯 示之Td50爲400°C或更高，其高於對應於習知PMMA之 Td50的3 50°C。因此，在高溫條件下使用彼之實例中，由 於熱所造成之變形風險降低，其可應用於需要熱之電子裝 置。 此外，在使用習知高溫與高壓法獲得之LDPE (低密 度聚乙烯）與EVA (乙烯乙酸乙烯酯）之實例中，分子量 分佈寬且logMw値爲4或更高。然而，可看出使用本發明 之觸媒組成物的自由基聚合法所得的共聚物與在實施例12 至16中所得之共聚物均具有小於2.5之窄分子量分佈（ PDI )。如上述，在聚合物具有窄分子量分佈之情況下， 可改善各種物理性質。 此外，如實施例1至1 1所示，幾乎100%的金屬奈米 觸媒被回收，且對於空氣與濕氣之安定性優良，因此其可 再使用。 〔工業應用性〕 在用於製備本發明的1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物之觸 媒組成物中’由於極性共聚單體含量高，其可用以製備無 -32- 1378945 結晶性之烯屬烴-丙烯酸酯共聚物。用於製備該卜烧屬 烴-丙烯酸酯共聚物之方法係不需高溫與高壓之聚合條件 的溫和聚合條件之簡易方法’且該方法容易控制物理性質 【圖式簡單說明】

圖1係實施例3所得之乙烯·丙烯酸甲酯共聚物的氫 磁核共振光譜（iH-NMR光譜）； 圖2係比較例1所得之乙烯-丙烯酸甲酯共聚物的氫 磁核共振光譜（iH-NMR光譜）； 圖3係實施例3所得之共聚物的示差掃描量熱計（ DSC )圖；及 圖4係比較例1所得之共聚物的示差掃描量熱計（ DSC )圖。 '33-

Claims (1)

1378945 附件5A ••第097146468號申請專利範圍修正本 «Γ- i—SSa._ 评1顯^紗_正 十、申請專利範圍 1. 一種用於製備1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物的觸媒組 成物，其包括： 1-烯屬烴單體； 丙烯酸酯共聚單體，而其量以該1-烯屬烴單體與該丙 烯酸酯共聚單體之總量計爲30至99莫耳％;及 如下式1所示的金屬奈米觸媒，而其量以該丙烯酸酯 共聚單體計爲0.01至200莫耳％ : 〔式1〕 M/NxOy 其中Μ係選自第3至第12族的過渡金屬，且其粒子 尺寸爲2至200 nm， N係選自第3至第14族的原子， 〇爲氧原子，且X與y係由N之氧化態而決定， X與y各獨立爲1至20範圍之整數，以及 Μ爲奈米粒子，且是由NxOy所得的擔體所環繞，或 是以吸附於該擔體表面的狀態結合及固定，及該金屬奈米 觸媒之Μ含量係以該金屬奈米觸媒總含量計爲0.1至1〇 重量％的範圍。 2.如申請專利範圍第1項之用於製備1-烯屬烴-丙烯 酸酯共聚物的觸媒組成物，其中該NxOy包括一或多種選 1378945 自下列的金屬氧化物：氧化鋁（ai2o3)、氧化釔（Υ2〇3 )、氧化鉻（Zr02 )、氧化給（Hf02 )、氧化矽（Si〇2 ) 、氧化硼（B2〇3)、氧化鈽（Ce02)、氧化鏑（Dy203) 、氧化餌（Er203 )、氧化銪（Eu203 )、氧化釓（Gd203 )、氧化鈥（Ho2〇3 )、氧化鑭（La2 03 )、氧化餾（ Lu2〇3 )、氧化銨（Nd203 )、氧化镨（Pr6〇,,)、氧化釤 (Sm203 )、氧化铽（Tb203 )、氧化钍（Th407 )、氧化 錶（Tm203)、氧化鏡（Yb203) 、Dy3Al50I2' Y3A15012 與 CeAlH〇18 〇 3. 如申請專利範圍第1項之用於製備1-烯屬烴-丙稀 酸酯共聚物的觸媒組成物，其中Μ包括一或多種選自下列 的奈米粒子：Ru、Rh、Pd、Pt、Ir、Co、Cu、Sm、Au、 Ag、Re、Ni、Fe、Os 與 Sc 〇 4. 一種用於製備1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物之方法， 該方法包含在金屬奈米觸媒的存在下聚合1-烯屬烴單體與 丙烯酸酯共聚單體的步驟，該金屬奈米觸媒係以下式1表 示： 〔式1〕 M/NxOy 其中Μ係選自第3至第12族的過渡金屬，且其粒子 尺寸爲2至200 nm， N係選自第3至第14族的原子， 0爲氧原子，且X與y係由N之氧化態而決定， -2- 1378945 Μ爲奈米粒子，且是由NxOy所得的擔體所環繞，或 是以吸附於該擔體表面的狀態結合及固定， 其中該金屬奈米觸媒的含量以該丙烯酸酯共聚單體計 爲0.01至200莫耳％， 其中該丙烯酸酯共聚單體的含量以該1-烯屬烴單體與 該丙烯酸酯共聚單體之總量計爲30至99莫耳％;及 其中於聚合反應條件中，壓力係在5至200 atm之範 圍，及溫度係在30至150°C之範圍。 5.如申請專利範圍第4項之用於製造1-烯屬烴-丙烯 酸酯共聚物之方法，其中該丙烯酸酯共聚單體包括以下式 2表示之化合物： 〔式2〕 H.C 4 R-C ο R CHO C, R -R 其中Rl、R_2與R3各獨立爲氣原子，或爲包括一個雜 原子與1至30個碳原子之單價烴基；及 R4爲氫原子或具有1至6個碳原子之烷基。 6.如申請專利範圍第4項之用於製造1-烯屬烴-丙稀 酸酯共聚物之方法，其中該丙烯酸酯共聚單體係選自包括 Ci-Cu直鏈或支鏈烷基之丙烯酸烷酯；包括CrCu直鏈或 支鏈烷基之甲基丙烯酸烷酯；及包括Ci-C12直鏈或支鏈院 基之丁基丙稀酸院醋（alkyl butacrylate)。 -3 - 1378945 7·如申請專利範圍第4項之用於製造1 _烯屬烴-丙烯 酸醋共聚物之方法，其中該丙烯酸酯共聚單體另外包括一 或多種選自下列的共聚單體：乙酸乙烯酯、丙烯酸羥基烷 醋、丙烯酸羧基烷酯、乙烯酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、順 丁烯二酸酐與一氧化碳。 8.如申請專利範圍第4項之用於製造烯屬烴-丙烯 酸酯共聚物之方法’其中該1-烯屬烴單體包括一或多種選 自下列者：乙烯、丙烯、1-丁烯、丨_戊烯、丨_己烯、丨_庚 嫌、1-辛燃' 1-壬烯、1-癸烯及以下式3所表示之化合物

其中m爲〇至4範圍之整數， R7、R/、R/’與R7"'各獨立包括極性官能基或非極性 官能基， R7 ' R/、117”與r7"'可彼此連接以形成飽和或不飽和 之具有4至12個碳原子的環狀基或具有6至24個碳原子 之芳族環。 9.如申請專利範圍第4項之用於製造1-烯屬烴-丙烯 酸酯共聚物之方法，其另外包含： 添加聚合起始劑。 1378945 1〇’如申請專利範圍第4項之用於製造1-烯屬烴-丙 稀酸酯共聚物； 、尔糊Z万法’其中該聚合反應係在—或多種選自 下列的溶劑中進行.田壤；_ ^ Tie L彳了 ’甲本、本、氯本、正己院、四気呋喃 、氯仿、乙醇、甲醇、丙酮與二氯甲烷。 11. 一種丨-烯屬烴·丙烯酸酯共聚物，其係藉由使用 如申請專利範圍第4項之用於製備丨_烯屬烴_丙烯酸酯共 聚物的方法而製備。 12. 如申請專利範圍第u項之N烯屬烴-丙烯酸酯共 聚物’其中該1_燏屬烴-丙烯酸酯共聚物包括玻璃轉化溫 度爲20至170 °C之降莰焴-丙嫌酸甲酯共聚物。 13. 如申請專利範圍第u項之丨_烯屬烴-丙烯酸酯共 聚物’其中該1 -烯屬烴-丙烯酸酯共聚物包括玻璃轉化溫 度爲50至130 °C之乙燦-甲基丙嫌酸甲醋共聚物。 14. 如申請專利範圍第11項之丨_烯屬烴-丙烯酸酯共 聚物，其中該1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物包括玻璃轉化溫 度爲-50至2〇°C之乙烯-丙烯酸甲酯共聚物。 15. 如申請專利範圍第1 1項之1 -烯屬烴-丙烯酸酯共 聚物’其中該1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物包括玻璃轉化溫 度爲0至150 °C之乙嫌-丙稀酸甲酯-降莰稀三元共聚物。 16. —種光學膜’其包含如申請專利範圍第11項之 1-烯屬烴-丙烯酸酯共聚物。 -5-