TWI377607B - An apparatus and a method for cleaning a dielectric film - Google Patents

Description

1377607 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種用於清洗基材表面的設備及方法，特 別是提供—種清洗介電薄膜表面的設備及方法。 【先前技術】 通常藉由形成一系列的介電層及導電層來製造積體電 路及半導體元件的.内連線結構，以產生由介電材料區隔的 導電層之立體網絡。内連線結構例如利用鑲嵌結構 (damascene structure )來製造之而鑲嵌結構係包括形 成於一或多個導電柱（plug)或次層（sub_layer)上的介 電層（例如：低介電常數之介電層）。為了要與導電次層2 成電連帛’介電層經過圖樣化並被蝕刻以定義出穿透該層 之穿孔，而在介電層所形成之穿孔暴露出一部份的導電線 路。因此，該些内連線特徵結構之確實形成係為確保形成 在各個基材上及各個晶粒（di〇内之元件的品質 '效能及 可靠度。 積體電路*半導體元件市場對於快速路系統及更 高的電路密度出現持續的需纟，例如：在單—晶片上包括 有數百萬計的元件。因&，積體電路it件的尺寸縮小，而 用於製造該些元件的材料變得更加重$。舉例來說針對 現今用於提供積體電路上元件之間導電通路的低電阻金屬 内連線（例如：銅與鋁）來說，4金屬内連線之間需要低 介電常數層（例如介電常數5 ”以提供絕緣内金屬層來降 5 1377607 低相鄰金屬線路之間的電容耦合，而可在相同線路寬度下 具有可靠的效能表現。

習知用作為介電層之低介電常數（k)材料包括：未摻 雜之矽玻璃（USG)、摻雜氟之矽玻璃（FSG)、摻雜碳之 二氧化矽及聚四氟乙烯，並以薄膜形式沉積在基材上。在 以ϋ刻定義之介電層上形成導電層之前，較佳係清洗介電 薄膜之表面以移除殘留的污染物，例如蝕刻及/或灰化製程 產生之原生氧化物及/或有機材料。移除污染物可降低接觸 電阻及/或預防待沉積之導電層介面的吸附損耗（adhesion loss ) °

在導電層沉積之前，係採用預清洗步驟以自介電薄膜 表面移除污染物。然而，習知用於進行介電層之預清洗的 原位（in-situ )電漿可能會在接續的導電層沉積之前，傷 害或重新濺鍍介電薄膜表面，或是在製程室中產生不預期 的帶電粒子。就其本身而論，利用原位電漿技術清洗低k 介電薄膜可能會造成薄膜降解或是缺陷。另外，摻雜碳之 低k材料會傾向呈現碳鍵耗盡（carbon depletion)或是介 電材料損失（k 1 〇 s s )，而低k材料在暴露於清洗步驟所使 用之電漿之後，其介電常數會增加。因此，在清洗步驟之 後，不期望產生之串線干擾（cross-talk )及阻容遲滯（RC delay)成為嚴重的問題。 综上所述，在該技術領域中需要一種改良之低k介電 清洗步驟。 6 1377607

【發明内容】 本發明係提供用以清洗介電薄膜之設備及方法。於 實施例中，該設備包括：一腔室主體，係適以將一基材 撐於其内；一遠端電漿源，係適以提供多個反應性自由 至腔室主體；一通道，將遠端電漿源耦接至腔室主體； 至少一磁鐵，設置於鄰近通道處。 於另一實施例t，清洗一介電薄膜之方法包括：提 一基.材，而基材設置於製程室内，並具有至少部分暴露 介電層；於一遠端電漿源内產生多個反應性自由基；將 應性自由基由遠端電漿源經過一通道流入製程室，且通 具有至少一磁鐵設置於鄰近該通道處；以及利用磁性過 通過通道之反應性自由基。 又另一實施例中，清洗一介電薄膜之方法包括：提 一基材，而基材設置於第一製程室内，並具有至少部分 露的介電層；於一遠端電漿源内產生多個反應性自由基 將反應性自由基由遠端電漿源經過一通道流入製程室， 通道具有至少一磁鐵設置於鄰近該通道處；由通過通道 反應性自由基中，以磁性過濾出多個帶電粒子；將來自 端電漿源之帶電粒子移除；利用已過濾之反應性自由基 清洗部分之介電層；在不破壞真空之情形下，將已清洗 基材傳輸至一第二製程室；以及於第二製程室中將一襯 層沉積於已清洗之基材上。 【實施方式】 支 基 及 供 的 反 道 濾 供 暴 * 且 之 遠 來 之 墊 7 1377607 本發明之實施例係提供一種利用遠端電漿源來清洗介 電層之設備。本發明之設備在清洗介電層之過程中，藉由 降低來自遠端電漿源的帶電粒子數目，而維持介電薄膜的 品質。 本發明更提供一種用於清洗介電層的方法。清洗蝕刻 後（post-etched)之介電詹可移除污染物，並增進接續導 電層沉積之吸附情形，最終改善所形成之元件的完整性及 可靠度。

於一實施例中，介電層可為一低介電常數（k )材料。 低k介電層包括具有介電常數小於約4.0的介電材料，例 如介於約2.0 〜約4.0、約2.0〜3.0或是小於約2.7。一適 合之低k介電層為加州聖克拉拉之應用材料公司（Applied Materials, Inc.·)所製造之低k碳氧化梦，商品名為Black DiamondTM。在另一實施例中，適合之低k介電層包括與 氧、碳及氫至少其中之一結合之矽。

在蝕刻介電層之後，基材表面可能具有受到傷害的矽 薄膜或是金屬殘留物。光阻剝除或灰化步驟亦可能使基材 表面殘留有光阻。介電層之蝕刻亦可能出現聚合物的殘留 現象。為了緩和及/或減少上述之傷害，在導電層沉積之 前，係進行一遠端電漿預清洗步驟。 本發明之清洗步驟係於一具有過濾式之遠端電漿源的 製程室中進行。可採用並受益於本發明之具有遠端電漿源 的製程室係購自應用材料公司。 「第1圖」係繪示遠端電漿源（RPS )製程室100的 一實施例之剖面示意圖，其具有一過濾式遠端電漿源 5 0 8 1377607

及一腔室主體10。製程室100之腔室主體ίο包括有一 室承接器16、一接合器18及一上蓋40。腔室承接器 及上蓋40可由鋁、不鏽鋼或其他適合材料製成。上蓋 係可移除地連接至腔室承接器16，以於其中定義一製程 域30。 加熱器14係設置於腔室主體10之製程區域30中， 用以提供基材8溫度，而在製程當中加熱或冷卻基材8 加熱器14於製程（例如下方所述之清洗基材表面）當中 基材8支撐於其上。加熱器14耦接至腔室承接器16之 部，並支樓設置在其外圍之集中環（focus ring) 38，而 中環38於製程當中界定出晶圓8之周圍界線。於一實施 中，集中環3 8係由石英製成。 接合器1 8係設置於上蓋40與腔室承接器1 6之間， 將氣體分配板26支撐於其上方。氣體分配板26與上蓋 之間定義出一充氣部4 8。氣體分配板2 6包括多個孔洞 使得通過上蓋40之入口 42並流入充氣部48的氣體分配 置放於製程區域30中的基材8上。 遠端電漿源50藉由導管56連接至入口 42。適合之 端電漿源之實例係購自應用材料公司。導管5 6提供一 道，則遠端電漿源5 0所產生之反應性自由基在進入製程 域30之前於導管56中先被過濾。遠端電漿源50所產生 反應性自由基包括離子、帶電物質及其他反應性物質。 一實施例中，流經導管5 6之氣體係藉由一磁場過濾之， 該磁場係由位於鄰近導管56處之至少一磁鐵所產生。 腔 16 40 區 且 〇 將 底 集 例 並 40 至 遠 通 區 之 於 而 9 1377607

於「第1圖」所示之實施例中，第一磁鐵52及第二磁 鐵54係位於鄰近導管56處。磁鐵52、54可附著或固定至 鄰近導管56之預定位置。於「第1圖」所示之實施例中， 磁鐵52、54係以一緊固件而固定或附著至導管56，亦可 採用黏著層或是其他適合之方法來固定磁鐵52、54。磁鐵 52、54亦可固定至腔室上蓋40或是腔室主體10的其他部 位。磁鐵與導管56中所形成的通道之間的相對距離會影響 通過導管56的磁場強度，而進一步影響過濾效率。因此， 於一實施例中，磁鐵係以一可變換位置之方式固定，使得 磁場強度可經選擇而提供預定之過濾效果。

「第2A〜2B圖」係繪示設置於導管56相對側之磁鐵 52、54的一實施例。由離子或帶電物質會產生不欲其存在 之帶電粒子，並且亦可能由傳統之遠端電聚源漏出而對基 材造成影響，使得在清洗步驟之後造成薄膜特性降低。於 本發明之實施例中，二相對設置之磁鐵5 2、5 4係用於產生 磁場，以過濾由遠端電漿源5 0流出之夾帶有反應性自由基 的帶電粒子。相對設置之磁鐵52、54在連結導管56中產 生磁場20 2、212，以提供過濾作用而捕捉導管56中的帶 電粒子，如系統200、210所示。所產生的磁場於二相對設 置之磁鐵之間具有一橫跨導管56的實質水平方向302，而 限制帶電粒子的移動路徑304。如「第3圖」所示，帶電 粒子係被磁力線3 02所過濾並限制，而傾向沿著磁力線3 02 旋轉並移動。帶電粒子的移動路徑304係如「第3圖」所 示。當帶電粒子流經導管，其會減速及/或轉向，而通過之 10 1377607 帶電粒子被吸引並與導管壁接觸，進而轉變為電中性及非 離子性之物質。藉此，實質上僅有經過過濾且為電中性之 自由基輸送至基材表面，並與基材上之污染物反應而清洗 之。因此，不欲其存在之帶電粒子係有效地將其自進入製 程區域3 0之氣體流中過濾出。

如上所述，可基於不同製程需求而調整磁場強度。在 不同的製程條件下，由遠端電漿源所導入之不同離子及反 應性自由基會產生具有不同能量之電子。可採用較強之磁 場而捕捉由電子使其帶有較高能量電荷之離子。相對的， 可採用較弱之磁場來捕捉由電子使其帶有較低能量電荷之 離子。於一實施例中，可利用不同的磁鐵調整磁場，意即 是，以具有不同強度之磁鐵來替換。於另一實施例中，亦 可藉由改變相對設置之磁鐵52、54的距離來調整磁場。可 採用具有較小直徑之導管來縮短磁鐵5 2、5 4之間的距離。 另外，可使磁鐵與導管之間具有一空氣間隙（air gap )來 增長磁鐵52、54之間的距離，或是將間隔材料204、214 置於導管與磁鐵之間，如「第2圖」所示，而適合之材料 包括玻璃板、鋁塊或是其他無磁性材料。隨著相對設置之 磁鐵間的距離增加，所產生之磁場係呈反比地降低。於一 實施例中，相對設置之磁鐵5 2、5 4的距離為約0〜約2 0 公分，則所產生的磁場為約1000〜約100高斯（gauss )。 於另一實施例中，相對設置之磁鐵5 2、5 4的距離為約0〜 約8公分，則所產生的磁場為約8 0 0〜約1 0 0高斯。又另 一實施例中，相對設置之磁鐵5 2、5 4的距離為約1〜約5 11 1377607

公分，則所產生的磁場為約600〜約400高斯。 請往回參照「第1圖」，可藉由於製程氣體（即：反 性自由基）流入腔室主體10的流動通道中提供一石英表 而可進一步過濾反應性自由基。舉例來說，定義出將遠 電漿源50連接至入口 42的通道之導管56的内表面60 至少部分具有石英襯墊或是由石英製成。另外，定義出 氣部48及/或氣體分配板26的表面亦可至少部分塗覆有 英或是由石英製成。舉例來說，於「第1圖」所示之實 例中，石英環24係圍繞在充氣部48之外邊界。另外， 石英襯墊44係設置在定義出充氣部48之上邊界的上蓋 底表面。石英表面60可作為離子過濾器，並藉由提供一 面而降低自由基的再結合，而此表面係為一含氫自由基 氫鍵結合並吸附至其上的石英表面。衝撞至石英表面 的含氫自由基使得一已吸附之含氫自由基釋出至激發氣 中，而再產生氫自由基。氫離子不會藉由石英表面而再 生，因此這些離子會再結合而形成電中性且非離子性之 質。因此，將已激發之清洗氣體通過石英表面，則可將 應性自由基有效地自激發的清洗氣體過濾出，而保存反 性自由基。來自重新結合活化自由基之帶電粒子係有效 減少。 另外，本發明用於預清洗步驟之製程氣體係於遠端 漿源5 0中激發為電漿，而遠端電漿源5 0係與上述之反 性製程腔室主體1 0為流體連通。反應性自由基係由清洗 體所產生，而清洗氣體係選自由氫氣、氦氣及其混合物 應 面 端 可 充 石 施 40 表 可 60 體 產 物 反 應 地 電 應 氣 所 12 1377607 组成之群组，並與基材表面上之污染物反應。電漿點然後， 氫氣、氦氣或其混合物係導入遠端電漿源50，而產生反應 性自由基。所產生之反應性自由基接著通過連接之導管56 而輸送至製程區域30以清洗污染物。以具有反應性自由基 之電漿的自由基進行清洗之後，則可移除殘留在基材表面 上的原生氧化物及污染物。

於本發明中，基材上之介電層係以遠端電漿源由氫 氣、氦氣或其混合物而產生之反應性自由基進行預清洗， 且反應性自由基係通過一磁性過濾器而輸送至腔室中。過 濾器係中和已激發之反應性自由基，並降低可能自電漿區 域所漏出之帶電粒子，並將中和後之反應性自由基輸送至 基材表面，以與表面上之污染物及殘留物反應並清洗之。 中和後之反應性自由基可移除光阻、烴、氟碳化合物、原 生氧化物及聚合物，並提供不具有原生氧化物及殘留物之 介電層，而不會進一步損害低k薄膜之性質。

依據不同製程之需求，可使用不同之清洗壓力來調整 清洗效率。於一實施例中，預清洗步驟含有流速為 1 5 0 0 s c c m的氫氣、施加1 5 0 0瓦特之R F功率、維持晶圓溫度在 3 00°C，並將腔室維持在400毫托（mTorr )之較高壓力下， 其中傳統之光阻蝕刻速率為約每分鐘800〜1000 A。於另 一實施例中，預清洗步驟含有流速為2 0 0 s c c m的氫氣、施 加1 500瓦特之RF功率、維持晶圓溫度在300°C，並將腔 室維持在30毫托之較低壓力下，其中傳統之光阻蝕刻速率 為約每分鐘9 0 0〜1 1 0 0 A。又另一實施例中，預清洗步驟 13 1377607 材表面的污染物。在預清洗步驟之後，基材係傳輸至製程 室534、536以於介電層的暴露表面沉積一襯墊或阻障層， 例如Ti、Ti/TiN、Ta、Ta/TaN等，並接著將基材傳輸至其 他的製程室532、538來進一步以Al' Cu' W或其他導電 材料填充暴露部分。

「第4圖」係為另一反應性預處理室402的剖面視圖， 其可用以實施本發明之實施例。適用且受益於本發明之腔 室係為購自加州聖克拉拉應用材料公司之 P re clean II腔 室。腔室402包括一真空腔室主體41 1，其係由一具有側 壁414之基底部件412構成，並且由例如不鏽鋼、鋁等金 屬建構物製成。位於基底部件4 1 2之基部内的開口 4 1 5連 接至渦輪幫浦4 1 6，而幫浦4 1 6係用以控制腔室主體4 11 内部之壓力。石英圓頂417形成腔室主體411的頂端，並 在其圓周處設置有凸緣418，而凸緣418係緊配於基底部 件412之側壁414的上端圓周處。石英圓頂417與基底部 件4 1 2之接合處設置有氣體分配系統4 1 9。絕緣基座42 0 係由石英、陶瓷等材料製成，並具有一壓制住傳導基座422 的石英遮蓋件421，傳導基座422係設置而用以將晶圓支 托於腔室主體411内。高頻電源供應器432(例如RF電源 供應器）係電容耦合至基座 422，並提供負偏壓電壓至基 座 4 2 2 ° 天線425 (例如RF感應線圈）係纏繞於石英圓頂4 1 7 的外側，用以控制腔室主體411内的電漿密度，並由上蓋 427支撐之，且天線425可以由中空銅管所形成。腔室主 16 1377607

體411之天線425線圈内側形成一交流軸向電磁場。一般 來說，係採用約400 kHz〜13.56 MHz的RF頻率，而具有 傳统設計（圖中未示）之RF電源供應器430係於該頻率 下操作，並藉由一匹配網絡（圖中未示）耦接至天線425, 以於腔室主體411中產生電漿。高頻電磁場於部分腔室主 體411内，而於基座422上方產生一電漿。腔室主體411 内形成真空，製程氣體則由一或多個氣體源（圖中未示） 通過氣體入口 429而注入腔室主體411中。可採用排氣出 口 4 2 8將氣體排出腔室主體4 11外側。

遠端電漿源 50係藉由一連接導管 56而設置於腔室 402頂端。遠端電漿源50產生電漿以形成多個反應性自由 基，並透過連接導管56而將自由基輸送至腔室主體411。 遠端電漿源50與腔室主體411之間有一距離，因此遠端形 成之反應性自由基係移動並橫跨一距離而至腔室主體 411，並通過過濾器200。過濾器200位於連接導管56内， 以過濾並中和遠端電漿源 5 0所產生之激發態反應性自由 基。 因此，本發明係提供一用於清洗介電薄膜之設備及方 法，其可改善低k薄膜品質，並降低在導電層沉積之前的 預清洗步驟所造成之低k薄膜降解。 惟本發明雖以較佳實施例說明如上，然其並非用以限 定本發明，任何熟習此技術人員，在不脫離本發明的精神 和範圍内所作的更動與潤飾，仍應屬本發明的技術範缚。 17 1377607

[ 圖 式 簡單說 明 ] 本 發明藉 由 上 方 說 明 並 伴 隨 下 方 圖 式而 可 清 楚 瞭 解 > 該 些 圖 式包括 ： 第 1圖， 繪 示 根 據 本 發 明 之 反 應 性 預清 洗 室 的 — 實 施 例 之 剖 面概要 視 圖 > 第 2A圖 1 繪 示 根 據 本 發 明 之 二 相 對設 置 磁 鐵 的 一 實 施 例 之 剖面概 要 視 圖 第 2B圖 ，Μ 示第2A 圖 之 二 相 對 設 置磁 鐵 之 間 存 在 的 磁 場 之 上視圖 f 第 3圖， 繪 示 根 據 本 發 明 而 受 磁 鐵 磁化 之 帶 電 粒 子 的 移 動 路 徑之一 實 施 例 的 上 視 圖 » 第 4圖， 繪 示 反 應 性 預 清 洗 室 的 另 一實 施 例 1 其 可 用 於 實 施 本發明 之 實 施 例 及 第 5圖， 繪 示 多 腔 室 製 程 系 統 之 一 實例 的 上 視 圖 其 可 適 用 於執行 本 發 明 之 步 驟 〇 為 了便於 瞭 解 說 明 書 中 係 採 用 相 同的 元 件 符 號 來 代 表 各 圖 式中相 同 的 元 件 〇 並 且 可 預 期 — 實施 例 之 元 件 及 特 徵 可 受 益地併 入 其 他 實 施 例 而 不 需 進 步說丨 明- 〇 [ 主 要 元件符 號 說 明 ] 8 基材/ 晶 圓 10 腔 室主 體 14 加熱器 16 腔 室承 接 器 18 接合器 24 石 英環 26 氣體分配板 30 製 程區 域 18 1377607

38 集中環 40 上蓋 42 入口 44 石英襯 48 充氣部 50 遠端電 52,54 磁鐵 56 導管 60 表面 100 製程室 200 系統/過慮器 202,212 磁場 204,2 14間隔材料 2 10 糸統 302 水平方向/磁力線 304 移動路 402 預處理室/腔室 4 11 腔室主 412 基底部件 414 側壁 415 開口 416 幫浦 417 圓頂 418 凸緣 419 氣體分配系統 420 基座 42 1 遮蓋件 422 基座 425 天線 427 上蓋 428 排氣出口 429 氣體入 430 電源供應β 432 電源供 500 (製程）系統 502,504加載鎖 墊 漿源 徑 體 510,530機械手臂 512,514製程室 516,518腔室 522,524傳輸室 5 32,534,536,53 8 製程室 應器 定室 /預清洗室 19

Claims (1)

1377607 第,斗號猜g:加丨$ ψ月修正卜糾月’日译止替換頁 IL... .-...... ..-—= 十、申請專利範圍： 1. 一種用於清洗一介電薄膜之設備，包括： 一腔室主體，係適以將一基材支撐於該腔室主體内； 一遠端電漿源，係適以提供多個反應性自由基至該腔 室主體； 一導管，具有一内表面，該内表面界定一通道，該通 道係將該遠端電漿源耦接至該腔室主體，其中該通道係至 少部分由石英加襯（line )且位於該遠端電漿源的下游； 以及 至少一個磁鐵，設置於鄰近該通道處。 2. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其更包括： 二個或更多個磁鐵，設置於鄰近該通道處。 3. 如申請專利範圍第2項所述之設備，其中該些磁鐵設置 於該通道之一外圍的相對側上。 4. 如申請專利範圍第2項所述之設備，其中設置於鄰近該 通道之該些磁鐵提供一橫跨該通道之磁場。 5. 如申請專利範圍第4項所述之設備，其中可藉由改變該 些磁鐵之間的距離而調整該磁場。 20 1377607 卿糾「日修正替換頁 6. 如申請專利範圍第3項所述之設備，其中該些相對設置 之磁鐵的間隔距離為0公分至1 0公分。 7. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該腔室主體係 適於將該基材加熱到介於250°C至350°C的一溫度。 8. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其辛至少一部份之 該通道係由一石英管界定出。 9. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其更包括： 一氣體分配板，係設置於該腔室主體内，並位於一入 口下方，該入口將該腔室主體耦接至該遠端電漿源；以及 一石英表面，暴露於該入口與該氣體分配板之間所界 定出的一充氣部。 10. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其更包括： 一加熱器，設置於該腔室主體内，該加熱器係適以提 供熱給該基材。 11. 一種清洗.一介電層之方法，包括： 提供一基材，該基材設置於一製程室内，並具有一至 少部分暴露的介電層； 於一遠端電漿源内產生多個反應性自由基； 21 1377607 • »

將該些反應性自由基由該遠端電漿源經過一導管流入 該製程室，該導管具有一内表面，該内表面界定一通道， 該通道具有至少一個磁鐵設置於鄰近該通道處； 將該些反應性自由基暴露至位在該遠端電漿源下游的 該通道的一石英表面；以及 以磁性過遽通過該通道之該些反應性自由基。 12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其更包括： 藉由設置於鄰近該通道之該磁鐵來調整一磁場。 13. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其更包括： 中和位於該通道中的多個帶電粒子。 14. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其更包括： 使二個或更多個磁鐵位在鄰近該通道處。 15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其更包括： 改變該二個或更多個磁鐵之間的距離以調整磁場。 16. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其更包括： 利用已過濾之該些反應性自由基來清洗該暴露的介電 層。 22 1377607 __ I# >月厂日修正替換頁 17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其更包括： 將一阻障層沉積於已清洗之該介電層的至少一部分。 18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該介電層為 一低介電常數（k)材料。 19. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該清洗步驟 更包括： 將該製程室之壓力維持在小於400毫托（mTorr ); 施加介於約1200瓦特（W)至1800瓦特之範圍内的 一遠端電漿源功率；以及 將一氫氣流入該製程室内。 20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中維持該製程 室之壓力的步驟更包括： 將該製程室之壓力維持於30毫托。 21. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其更包括： 將一氦氣流入該製程室内。 2 2.如申請專利範圍第11項所述之方法，其更包括： 將該基材加熱至溫度介於250°C至350°C之間。 23 1377607

f · I I 23. —種清洗一介電層之方法，包括： 提供一基材，該基材設置於一第一製程室内，並具有 一至少部分暴露的介電層； 於一遠端電漿源内產生多個反應性自由基； 將該些反應性自由基由該遠端電漿源經過一導管流入 該製程室，該導管具有一内表面，該内表面界定一通道， 該通道具有至少一個磁鐵設置於鄰近該通道處，其中該通 道係至少部分由石英加襯且位於該遠端電漿源的下游； 由通過該通道之該些反應性自由基中，以磁性過濾出 多個帶電粒子； 將來自該遠端.電漿源之該些帶電粒子移除； 利用已過濾之該些反應性自由基來清洗該介電層之暴 露部分； 在不破壞真空之情形下，將已清洗之該基材傳輸至一 第二製程室；以及 於該第二製程室中，將一襯墊層沉積於已清洗之該基 材上。 24 1377607 號專利案今4年"月修正 一 500

514 第5圖