CN102486986B - 等离子清洁装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种等离子清洁装置，包括：等离子腔室，设置于等离子腔室内用于承载待清洁工件的基座；等离子体发生器，用于产生等离子体；离子加速器，用于产生加速电场加速等离子体中的离子形成离子束；还包括设置于所述离子束路径上的过滤器，所述过滤器通过偏转场偏转离子束中离子的运动方向，过滤射向待清洁工件的离子，可以减小离子束中离子的通过量，进而精确控制离子轰击强度，从而避免过度的离子束轰击所造成的介质表面性质漂移或厚度损耗。

Description

等离子清洁装置

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种等离子表面处理装置及其控制方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，采用等离子清洁的方法对晶圆上半导体结构表面进行预清洁处理(Re-active Pre-Clean，RPC)，已经被广泛应用于金属互连、介质沉积、表面平整化等工艺中。等离子清洁处理主要通过等离子体的物理轰击效果，以近似于刻蚀的处理，去除半导体结构表面的自然氧化层、前续工艺残留物以及其他杂质缺陷等。具有清洁速度快、清洁适应性强的特点。更多关于等离子清洁工艺的信息可以参见申请号为200880009987.6的中国专利申请。

现有的等离子清洁装置如图1所示，基本包括：等离子腔室10，设置于等离子腔室10内的等离子体发生器11以及离子加速器12；其中等离子体发生器11通过射频放电或感应耦合的方式将通入等离子腔室10内的气体电离形成等离子体，而离子加速器12，包括分布于等离子腔室10顶部以及底部的上下电极板，可以在等离子腔室10内形成加速电场E，加速所述等离子体中的离子形成离子束，所述离子束轰击基座13上的待清洁晶圆，从而实现对晶圆表面的清洁处理。

现有技术存在着如下问题：由于等离子体充满等离子腔室，在加速电场进行加速后，离子束的密度、轰击强度均较大；在清洁过程中，表面介质厚度的容易产生损耗，同时还会影响表面介质的电性能。例如在对黑钻石等低介电常数材质的介质层进行表面清洁处理时，离子束轰击疏松的低介电常数材质，容易使得介质表面产生致密的聚合物薄膜，使得介质层的产生介电常数值漂移(K-shift)，进而改变介质层的电性能。如果介电常数增大，将使得所述介质层与其他金属层之间的寄生电容发生变化，进而增加RC延迟，甚至影响器件的工作。

因此如何避免在清洁过程中，离子束对待清洁半导体层表面所造成的物理以及电学性质影响，成为等离子清洁技术的所亟待解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种等离子清洁装置，在对半导体层表面进行等离子清洁时，避免离子束轰击对半导体层造成不利影响，减小物理或电学性质的漂移。

本发明所述的等离子清洁装置，包括：等离子腔室，设置于等离子腔室内用于承载待清洁工件的基座；等离子体发生器，用于产生等离子体；离子加速器，用于产生加速电场加速等离子体中的离子形成离子束；其特征在于，还包括设置于所述离子束路径上的过滤器，所述过滤器通过偏转场偏转离子束中离子的运动方向，过滤射向待清洁工件的离子。

可选的，所述过滤器为电场过滤器，偏转场为电场。

所述电场过滤器包括：用于产生所述偏转电场的电极板；设置于所述电极板间的过滤挡板，用于接收偏转的离子。所述过滤挡板在所述电极板间等距并行排列。所述偏转电场的电场方向垂直于加速电场。

可选的，所述离子加速器包括位于基座上方正对所述基座的上电极板以及位于基座下方的下电极板；所述电场过滤器设置于基座与离子加速器的上电极板之间。

可选的，所述离子加速器为电磁线圈加速器；所述电场过滤器设置于基座与离子加速器的电磁线圈之间。

可选的，所述过滤器为磁场过滤器，偏转场为磁场。

所述磁场过滤器包括：用于产生所述偏转磁场的电磁线圈；设置于所述电磁线圈间的过滤挡板，用于接收偏转的离子。所述过滤挡板在所述电磁线圈间等距并行排列。所述偏转磁场的方向垂直于加速电场。

可选的，所述离子加速器包括位于基座上方正对所述基座的上电极板以及位于基座下方的下电极板；所述磁场过滤器设置于基座与离子加速器的上电极板之间。

可选的，所述离子加速器为电磁线圈加速器；所述磁场过滤器设置于基座与离子加速器的电磁线圈之间。

所述等离子体发生器为感应耦合等离子体发生器。还包括与等离子腔室连接的通气管道，用于通入作为等离子体源的清洁气体。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：所述过滤器在等离子腔室中施加偏转场，对离子束中的离子进行过滤，减小离子束中离子的通过量，进而精确控制离子轰击强度，从而避免过度的离子束轰击所造成的介质表面性质漂移或厚度损耗。

附图说明

图1是现有等离子清洁装置的结构示意图；

图2是本发明所述电场过滤器的示意图；

图3是本发明第一实施例的等离子清洁装置的结构示意图；

图4是第一实施例的等离子清洁装置的工作状态示意图；

图5是第一实施例中离子在电场过滤器内的运动状态以及受力示意图；

图6是本发明第二实施例的等离子清洁装置的结构示意图；

图7是第二实施例的等离子清洁装置的工作状态示意图；

图8是第二实施例中离子在电场过滤器内的运动状态以及受力示意图；

图9是本发明所述磁场过滤器的示意图；

图10是本发明第三实施例的等离子清洁装置的结构示意图；

图11是第三实施例的等离子清洁装置的工作状态示意图；

图12是第三实施例中离子在磁场过滤器内的运动状态以及受力示意图。

具体实施方式

现有的等离子清洁装置，由于等离子体充满等离子腔室，在加速电场进行加速后，离子束的密度、轰击强度均较大；在清洁过程中，表面介质厚度的容易产生损耗，性质也发生变化。本发明则通过在离子束的路径上设置过滤器，过滤部分离子，降低离子束中的离子通过量，从而能够精确控制离子束轰击的强度，以避免上述不良影响。

本发明所述的等离子清洁装置，基本结构包括：

等离子腔室，设置于等离子腔室内用于承载待清洁工件的基座；等离子体发生器，用于产生等离子体；离子加速器，用于产生加速电场加速等离子体中的离子形成离子束；还包括设置于所述离子束路径上的电场过滤器，所述离子束路径即离子从等离子体发生器至基座的运动路径，所述过滤器通过偏转场偏转离子束中离子的运动方向，过滤射向待清洁工件的离子。

所述过滤器可以为电场过滤器或磁场过滤器，对应的，所述偏转场为电场或磁场。以下结合具体的实施例，分别对本发明所述采用电场过滤器或磁场过滤器的等离子清洁装置，进行详细的介绍。

图2是本发明所述电场过滤器示意图，基本结构包括：用于产生所述偏转电场E’的电极板101；设置于电极板101间的过滤挡板102，所述过滤挡板102用于接收偏转的离子。具体的，在等离子腔室中，所述电场过滤器通常位于基座100的上方，与所述待清洁工件相对设置，使得射向待清洁工件的离子，均经过电场过滤器。

所述离子经过电场过滤器时，在偏转电场内受到电场力的作用。所述电场力的方向，根据离子的带电类型，与偏转电场的电场方向相同或相反。在所述电场力的作用下，离子将偏移原来的入射方向，速度不够快的离子可能在尚未离开偏转电场前，便落在了过滤挡板102上，而仅有部分速度足够快的离子能够经过电场过滤器，到达基座的待清洁工件表面。因此上述电场过滤器能够起到过滤离子，降低离子通过量的作用。

所述过滤挡板102的长度决定了入射离子穿越电场过滤器所需的时间，而过滤挡板102的间距则决定了入射离子落在过滤挡板102上所需的最大偏移量。对于同等长度以及间距的过滤挡板，偏转电场的电场强度越大，离子穿越电场过滤器所需的最小初速度也越大。因此在固定了过滤挡板102的长度以及间距后，仅通过调节所述偏转电场的电场强度，便能够精确控制离子到达待清洁工件表面的数量以及密度，进而控制了离子束轰击的强度。

可选的，所述偏转电场垂直于加速电场，也即离子的入射方向，这样在同样的偏转电场强度下，离子能够获得最大的偏转位移。

可选的，所述过滤挡板102在电极板101间等距并行排列，这样经过所述电场过滤器后，所述离子束的密度分布较为均匀。

可选的，所述偏转电场与加速电场可以具有重叠，也可以互相隔绝。区别仅在于离子在偏转电场内的受力情况以及运动轨迹。

下面结合具体的实施例，对本发明所述采用电场过滤器的等离子清洁装置做进一步介绍。

第一实施例

本实施例采用一体式的等离子腔室。在所述等离子腔体内，偏转电场与加速电场具有重叠。离子经过电场过滤器时，依然受到加速电场的加速作用。

如图3所示，本实施例所述等离子清洁装置包括：

等离子腔室200，设置于等离子腔室200底部的基座201；

连接所述等离子腔室200的通气管道202，用于向等离子腔室200内通入作为等离子体源的清洁气体；

等离子体发生器203，所述等离子体发生器203可以为感应耦合等离子体(ICP)，通过向设置于腔室周围的电极通入高频射频信号，对等离子腔室200内的清洁气体进行电离，形成等离子体；

离子加速器204，所述离子加速器204包括位于基座201上方正对所述基座的上电极板204a以及位于基座201下方的下电极板204b；通过向所述上电极板204a以及下电极板204b施加电压形成电位差，在两者之间的空间内形成加速电场。

所述电场过滤器205设置于基座201与离子加速器的上电极板204a之间，其电极板所产生的偏转电场的电场方向垂直于加速电场，且与加速电场相重叠。

在使用上述等离子清洁装置时，首先通过通气管道202以稳定的气体流速向等离子腔室200内通入清洁气体；所述清洁气体可以为氦气、氢气或其混合气体，本实施例中以所述氦气氢气混合气体为例。

然后开启等离子体发生器203，将所述清洁气体电离形成等离子体，所述等离子体中包括He+以及H+带有正电荷的离子。

再开启离子加速器204以及电场过滤器205。具体的，如图4所示，可以将离子加速器的下电极板204b接地，向上电极板204a施加正电压，所述上电极板204a与下电极板204b之间的偏置电压将使得基座201上方形成垂直于基座水平面的匀强的加速电场E，电场强度由上电极板204a与下电极板204b的电势差以及间距决定。同时，所述电场过滤器205的两极的电极板上也施加有不同电位的电压，使得基座201上方还形成有侧向的偏转电场E’，假设所述偏转电场的电场方向沿基座水平面平行，上述偏转电场与加速电场相重叠。

上电极板204a附近的He+以及H+离子，首先仅受到加速电场的影响，开始向基座201方向做匀加速运动。单个He+离子与H+离子的电荷量相等，在同一个电场中电场力也相等。但He+离子的质量比H+离子更大，因此He+离子的加速相对缓慢。

当He+离子以及H+离子加速至电场过滤器时，由于位于等离子腔室200内的初始位置不同，各离子在到达电场过滤器，进入偏转电场时的初速度也不尽相同。

图5为离子在电场过滤器内的受力示意图，由于电场过滤器205内，偏转电场与加速电场是重叠的，因此离子将同时受到两个垂直方向的电场力作用。在垂直于基座水平面的方向，离子依然受加速电场的电场力F₁影响继续进行匀加速运动，而朝向基座的方向，离子还受到偏转电场的电场力F₂的作用做初速为0的匀加速运动。

假设某一He+离子，电荷量为Q，质量为M₁，在进入电场过滤器205时，假设初速度为V₀，与沿偏转方向相邻的过滤挡板的距离为d。所述加速电场的场强为E₁，偏转电场的场强为E₂，过滤挡板的长度为L。如果该He+离子恰好能够通过过滤挡板，而不被打在过滤挡板上，所述He+离子通过电场过滤器205的时间为T，其中初速度V₀与时间T为相互影响的变量，其余参数为常量。上述参数存在如下关系式：

$L=V_{0}T+\frac{1}{2}\frac{E_{1}Q}{M_1}{T}^2......\left(1\right);$

$d=\frac{1}{2}\frac{E_{2}Q}{M_1}{T}^2......\left(2\right);$

将上述关系式(1)与关系式(2)联立，便可以计算出该位置的He+离子进入电场过滤器205后能够出射的最小初速度V₀。也即在上述入射位置，初速度大于V₀的He+离子均能穿过电场过滤器205，而到达基座201，而初速度小于V₀的He+离子均将被电场过滤器205所过滤。进一步的，从以上关系式中，很容易推得，该入射位置He+离子能通过电场过滤器205的最小初速度V₀与偏转电场的场强E₂相关，如果偏转电场的场强E₂越大，则通过电场过滤器205所需的最小初速度V₀越大，被过滤的He+离子也越多。

因此，在加速电场的场强E₂、电场过滤器205的过滤挡板间距固定的前提下，通过调节所述偏转电场的场强E₂，便能够控制所述离子到达基座的数量以及密度，进而控制离子束对基座上待清洁工件的轰击强度。

第二实施例

前述实施例中，装置结构较为简单，加速电场与偏转电场具有重叠。虽然以匀强电场为理想模型，但实际上在一体式的等离子腔室内的电场情况较为复杂，不同区域位置的电场差异以及等离子体密度差异，均容易影响轰击于工件表面的离子的均匀性。本实施例，还提供了一种采用偏置等离子源的等离子清洁装置，使得偏转电场与加速电场相隔绝而互不影响。

如图6所示，本实施例所述等离子清洁装置与第一实施例的区别在于：

所述等离子体发生器203以及离子加速器204均偏置于等离子腔室的顶部，其中所述离子加速器204可以为电磁线圈加速器；而所述电场过滤器设置于基座与离子加速器的电磁线圈之间。这样等离子体发生器203与离子加速器204所构成的等离子源与电场过滤器205是分开的。

如图7所示，上述等离子清洁装置在工作时，等离子体发生器203通过感应耦合电离清洁气体而产生的等离子体，主要聚集于等离子腔室的顶部。所述的等离子体中的离子在经过离子加速器204的电磁线圈形成的加速电场E加速后，获得朝向基座的初速度。在通过电场过滤器205时，所述离子不再受到加速电场E的影响，也即离子在朝向基座的方向上将做匀速运动。

进一步参照图8，在本实施例的电场过滤器内，仅存在偏转电场E’，假设所述偏转电场E’也垂直于加速电场而平行于基座水平面，也即垂直于离子的入射方向。所述离子在朝向基座的方向保持匀速运动，而沿基座水平面的方向受到偏转电场的电场力F₂的作用，将做初速为0的匀加速运动。

若某一He+离子，电荷量为Q，质量为M₁，在进入电场过滤器205时初速度为V’，与沿偏转方向相邻的过滤挡板的距离为d。所述加速电场的场强为E₁，偏转电场的场强为E₂，过滤挡板的长度为L。如果该He+离子恰好能够通过过滤挡板，而不被打在过滤挡板上，所述He+离子通过电场过滤器205的时间为T’，上述参数存在如下关系式：

L＝V′T′............(3)；

$d=\frac{1}{2}\frac{E_{2}Q}{M_1}{T}^{\′2}......\left(4\right);$

将上述关系式(3)与关系式(4)联立，同样容易计算出该位置的He+离子进入电场过滤器205后能够出射的最小初速度V’。且该入射位置He+离子能通过电场过滤器205的最小初速度V’与偏转电场的场强E₂呈正比关系，且该正比关系为线性关系。如果偏转电场的场强E₂越大，被过滤的He+离子也越多。

因此，与第一实施例相同，通过调节所述偏转电场的场强E₂，也能够控制所述离子的通过量，进而控制离子束对基座上待清洁工件的轰击强度。

离子在电场内运动时，所受电场力的大小仅与自身电荷量以及电场强度有关。在等离子加工设备中，为了获得较佳的离子轰击效果，经过加速电场加速后的离子具有较大动能。对于初速度较快，自身质量较大，而电荷量较小的离子，需要很强电场才能获得较明显的偏转效果。且额外的偏转电场也可能对离子加工工艺产生不良的影响。因此上述采用电场过滤器的等离子清洁装置具有一定的局限性。

离子在磁场内运动时，受到的磁场作用力为洛伦兹力，所述洛伦兹力F的大小与离子的速度V、自身电荷量q以及磁场强度B有关，具体为F＝qBV；且所述洛伦兹力的方向总是垂直于离子的运动方向。因此利用偏转磁场偏转离子的运动方向，具有更为明显的效果，适用性也更为广泛。

图9是本发明所述磁场过滤器的示意图，基本结构包括：用于产生所述偏转磁场B的电磁线圈301；设置于电磁线圈301间的过滤挡板302，所述过滤挡板302用于接收偏转的离子。具体的，在等离子腔室中，所述磁场过滤器也位于基座300的上方，与所述待清洁工件相对设置。

所述离子经过磁场过滤器时，在偏转磁场内受到洛伦兹力的作用。所述洛伦兹力的方向，垂直于磁场方向以及离子运动方向，具体可根据左手定则判定。在所述洛伦兹力的作用下，离子也将偏移原来的入射方向，作离心的圆周运动，其偏转半径与离子的速度成正比。速度越慢、偏转半径越小的离子越容易落在过滤挡板302上，而仅有部分速度足够快的离子能够经过磁场过滤器，到达基座的待清洁工件表面。因此上述磁场过滤器同样能够起到过滤离子，降低离子通过量的作用。

为简化分析，假设离子在偏转磁场B内作圆周运动，而不受加速电场的影响，则离子的偏转半径R与偏转磁场B、离子的质量m、速度v以及电荷量q存在如下关系：

$R=\frac{\mathrm{mv}}{\mathrm{qB}};$

所述离子的偏转半径R至少需要大于所述过滤挡板302的间距以及长度，才能从磁场过滤器穿越出射。因此在固定了过滤挡板302的长度以及间距后，仅通过调节所述偏转磁场的磁场强度，便能够精确控制离子到达待清洁工件表面的数量以及密度，进而控制了离子束轰击的强度。

可选的，所述偏转磁场垂直于加速电场，也即离子的入射方向，以精确控制离子的出射位置。

可选的，所述过滤挡板302在电磁线圈301间等距并行排列，这样经过所述磁场过滤器后，所述离子束的密度分布较为均匀。

可选的，所述偏转磁场与加速电场可以具有重叠，也可以互相隔绝。区别仅在于离子在偏转磁场内的运动时，是否还受到加速电场的影响。

本发明还提供了采用磁场过滤器的等离子清洁装置，以下结合具体的实施例，对其作进一步介绍。

第三实施例

本实施例采用一体式的等离子腔室。在所述等离子腔体内，偏转磁场与加速电场具有重叠。离子经过磁场过滤器时，依然受到加速电场的加速作用。

如图10所示，本实施例所述等离子清洁装置包括：

等离子腔室400，设置于等离子腔室400底部的基座401；

连接所述等离子腔室400的通气管道402，用于向等离子腔室400内通入作为等离子体源的清洁气体；

等离子体发生器403，所述等离子体发生器403可以为感应耦合等离子体发生器(ICP)，通过向设置于腔室周围的电极通入高频射频信号，对等离子腔室400内的清洁气体进行电离，形成等离子体；

离子加速器404，所述离子加速器404包括位于基座401上方正对所述基座的上电极板404a以及位于基座401下方的下电极板404b；通过向所述上电极板404a以及下电极板404b施加电压形成电位差，在两者之间的空间内形成加速电场。

所述磁场过滤器405设置于基座401与离子加速器的上电极板404a之间，其电磁线圈所产生的偏转磁场垂直于加速电场。

在使用上述等离子清洁装置时，首先通过通气管道402以稳定的气体流速向等离子腔室400内通入清洁气体；所述清洁气体可以为氦气、氢气或其混合气体，本实施例中以所述氦气为例。

然后开启等离子体发生器403，将所述清洁气体电离形成等离子体，所述等离子体中包括He+离子。

再开启离子加速器404以及磁场过滤器405。具体的，如图11所示，可以将离子加速器的下电极板404b接地，向上电极板404a施加正电压，所述上电极板404a与下电极板404b之间的偏置电压将使得基座201上方形成垂直于基座水平面的匀强加速电场E，电场强度由上电极板404a与下电极板404b的电势差以及间距决定。同时，向所述磁场过滤器405的电磁线圈通电，使得基座401上方还形成有的偏转磁场B。为便于后续分析，假设所述偏转磁场B的方向沿基座水平面平行，且垂直于纸面向内。

上电极板404a附近的He+离子，首先仅受到加速电场的影响，开始向基座401方向做匀加速运动，当He+离子加速后到达磁场过滤器405时，各离子进入偏转磁场时的初速度不尽相同。

图12为离子在磁场过滤器内的受力示意图，由于磁场过滤器405内，偏转磁场与加速电场是重叠的，因此离子将同时受到洛伦兹力F₃以及电场力F₁的作用。所述He+离子为正电荷，根据左手定则，在初始时上述He+离子受到的洛伦兹力F₃与电场力F₁互相垂直，且朝向图示的右侧。

由于洛伦兹力总是与离子的运动方向垂直，且从上式可知，离子的速度越快受到的洛伦兹力也越大。通常在偏转磁场对He+离子的偏转过程中，较大动能的He+离子所受的洛伦兹力F₃远大于加速电场的电场力F₁。因此为了简化分析，可以将所述He+离子在磁场过滤器内的运动视为匀速圆周运动。

假设某一He+离子，电荷量为Q，质量为M₁，在进入磁场过滤器405时初速度为V₀，与沿偏转方向相邻(即图12中右侧方)的过滤挡板的距离为d。所述偏转磁场的场强为B’，过滤挡板的长度为L。该He+离子在所述偏转磁场内的偏转半径R’为：

$R^{\′}=\frac{M_1{v}_0}{{\mathrm{QB}}^{\′}};$

如果上述He+离子需要通过磁场过滤器405而不落在过滤挡板上，则所述偏转半径R’至少应当同时大于所述距离d以及过滤挡板的长度L。从而可以计算出该位置入射的He+离子，能够通过磁场过滤器405所需的最小初速度V₀，低于该速度的He+离子将被过滤。

在磁场过滤器405的过滤挡板间距固定的前提下，通过调节所述偏转磁场的场强B’，便能够控制所述He+离子的通过量，进而控制离子束对基座上待清洁工件的轰击强度。

此外，本发明所述的磁场过滤器同样可以应用于第二实施例所示的采用偏置等离子源的等离子清洁装置中，使得偏转磁场与加速电场相隔绝而互不影响。由于不受加速电场的影响，因此离子在偏转磁场内作匀速圆周运动，基本原理与前述实施例基本相同，不再赘述。

虽然本发明已以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (7)

1.一种等离子清洁装置，包括：等离子腔室，设置于等离子腔室内用于承载待清洁工件的基座；等离子体发生器，用于产生等离子体；离子加速器，用于产生加速电场加速等离子体中的离子形成离子束；其特征在于，还包括设置于所述离子束路径上的过滤器，所述过滤器通过偏转场偏转离子束中离子的运动方向，过滤射向待清洁工件的离子，所述加速电场与所述偏转场相互隔绝互不影响；所述过滤器为电场过滤器或磁场过滤器；所述过滤器为电场过滤器时，偏转场为电场，所述电场过滤器包括：用于产生所述偏转电场的电极板，设置于所述电极板间的过滤挡板，用于接收偏转的离子，所述过滤挡板在所述电极板间等距并行排列；所述过滤器为磁场过滤器时，偏转场为磁场，所述磁场过滤器包括：用于产生所述偏转磁场的电磁线圈，设置于所述电磁线圈间的过滤挡板，用于接收偏转的离子，所述过滤挡板在所述电磁线圈间等距并行排列。

2.如权利要求1所述的等离子清洁装置，其特征在于，所述偏转电场的电场方向垂直于加速电场。

3.如权利要求1所述的等离子清洁装置，其特征在于，所述离子加速器为电磁线圈加速器；所述电场过滤器设置于基座与离子加速器的电磁线圈之间。

4.如权利要求1所述的等离子清洁装置，其特征在于，所述偏转磁场的方向垂直于加速电场。

5.如权利要求1所述的等离子清洁装置，其特征在于，所述离子加速器为电磁线圈加速器；所述磁场过滤器设置于基座与离子加速器的电磁线圈之间。

6.如权利要求1所述的等离子清洁装置，其特征在于，所述等离子体发生器为感应耦合等离子体发生器。

7.如权利要求1所述的等离子清洁装置，其特征在于，还包括与等离子腔室连接的通气管道，用于通入作为等离子体源的清洁气体。