JP5333733B2 - 荷電ビームダンプ及び粒子アトラクター - Google Patents
荷電ビームダンプ及び粒子アトラクター Download PDFInfo
- Publication number
- JP5333733B2 JP5333733B2 JP2008514944A JP2008514944A JP5333733B2 JP 5333733 B2 JP5333733 B2 JP 5333733B2 JP 2008514944 A JP2008514944 A JP 2008514944A JP 2008514944 A JP2008514944 A JP 2008514944A JP 5333733 B2 JP5333733 B2 JP 5333733B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particle
- ion
- particle collector
- implantation system
- ion beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/026—Shields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/028—Particle traps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30433—System calibration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31705—Impurity or contaminant control
Description
Claims (28)
- イオン注入システムのイオンビーム内の汚染粒子のレベルを軽減するための装置であって、該装置は前記イオン注入システムの質量分析器内に配置され、
内部に形成した収集領域を有する粒子コレクターと、
前記粒子コレクターの収集領域内に配置された粒子アトラクターと、
前記粒子コレクターの収集領域内に前記粒子アトラクターに関連した電位を抑制するように作動するシールドと、を含むことを特徴とする装置。 - 前記粒子コレクターは、凹部形状のハウジングからなり、このハウジングの内部領域は、前記収集領域を定めることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記ハウジングは、導電性材料からなることを特徴とする請求項2記載の装置。
- 前記導電性材料は、金属からなることを特徴とする請求項3記載の装置。
- 前記ハウジングは、その内側表面を覆う被膜を含むことを特徴とする請求項2記載の装置。
- 前記被膜は、炭素を含んでいることを特徴とする請求項5記載の装置。
- 前記被膜は、グラファイトと炭化珪素の1つまたはそれ以上からなることを特徴とする請求項6記載の装置。
- さらに、絶縁体を含み、この絶縁体は、前記粒子コレクター、前記粒子アトラクター、前記シールド、及び前記イオン注入システムの壁面の1つまたはそれ以上を互いに電気的に絶縁することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記粒子アトラクターは、抑制電極を含むことを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記抑制電極は、グリッド、メッシュ、穿孔プレート、ワイヤフェンス、及び平行ワイヤの1つまたはそれ以上から構成されることを特徴とする請求項9記載の装置。
- 前記シールドは、電気的に接地されかつ穿孔された材料からなることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記シールドは、グリッド、メッシュ、穿孔プレート、ワイヤフェンス、及び平行ワイヤの1つまたはそれ以上からなることを特徴とする請求項11記載の装置。
- イオン源、エンドステーション、及び前記イオン源と前記エンドステーションの間に配置された質量分析器を含むイオン注入システムであって、
前記質量分析器は、イオンビームダンプアセンブリを含み、このイオンビームダンプアセンブリが、粒子コレクター、該粒子コレクター内に配置された粒子アトラクター、及び前記粒子コレクター内に前記粒子アトラクターの電位を抑制するように作動するシールドを含んでいることを特徴とするイオン注入システム。 - 前記粒子アトラクターは、抑制電極を含むことを特徴とする請求項13記載のイオン注入システム。
- 前記シールドは、電気的に接地されかつ穿孔された材料からなることを特徴とする請求項13記載のイオン注入システム。
- 前記穿孔された材料は、接地グリッドを構成することを特徴とする請求項15記載のイオン注入システム。
- 前記イオンビームダンプアセンブリは、1つ以上の質量分析器に関連していることを特徴とする請求項13記載のイオン注入システム。
- 前記粒子コレクターは、導電性を有しかつ略凹形状のハウジングから構成され、その内部に収集領域を形成することを特徴とする請求項13記載のイオン注入システム。
- 前記ハウジングは、その内側表面を覆う炭素被膜を含んでいることを特徴とする請求項18記載のイオン注入システム。
- さらに、前記ビームダンプアセンブリと質量分析器の壁面との間に配置された絶縁体を含み、この絶縁体は、前記ビームダンプアセンブリを前記質量分析器から電気的に絶縁することを特徴とする請求項13記載のイオン注入システム。
- さらに、前記ビームダンプアセンブリに流体結合されるポンプを含み、このポンプは、前記ビームダンプアセンブリ内から汚染粒子を排気するように作動することを特徴とする請求項13記載のイオン注入システム。
- イオン注入システム内の汚染を制御する方法であって、
イオンビームを質量分析する質量分析器を用い、所望のイオンビームと1つ以上の不要なイオンビームを定め、
1つ以上の前記不要なイオンビームの径路に沿う前記質量分析器内に配置された粒子コレクター内に所定の電位を印加し、
前記粒子コレクター内の電位が所望のイオンビームの径路に重大な影響を与えないように、前記粒子コレクターを電気的にシールドし、
1つ以上の前記不要なイオンビームが前記粒子コレクター内に入った後、粒子コレクター内の電位を介して1つ以上の前記不要なイオンビームに関連した汚染粒子を取り込む、各工程を含んでいることを特徴とする方法。 - 前記粒子コレクター内に印加される電位は、前記イオンビームと電荷の正負が反対の電位であることを特徴とする請求項22記載の方法。
- 前記汚染粒子が前記粒子コレクターから排出する工程をさらに含むことを特徴とする請求項22記載の方法。
- 前記粒子コレクターを電気的にシールドする工程は、1つ以上の前記不要なイオンビームの径路に沿って前記粒子コレクターの前に配置されるシールドを電気的に接地する工程を含んでいることを特徴とする請求項22記載の方法。
- 前記粒子コレクター内に配置された粒子アトラクターに電位を与える工程をさらに含むことを特徴とする請求項22記載の方法。
- 前記粒子コレクター内に印加した電位は、前記粒子アトラクターに印加される電位とは異なることを特徴とする請求項26記載の方法。
- 前記粒子コレクターおよび前記粒子アトラクターに印加される1つまたはそれ以上の電位は、前記イオンビームのエネルギー以下の範囲であることを特徴とする請求項26記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US68751405P | 2005-06-03 | 2005-06-03 | |
US60/687,514 | 2005-06-03 | ||
PCT/US2006/021646 WO2006133040A2 (en) | 2005-06-03 | 2006-06-02 | Charged beam dump and particle attractor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008546154A JP2008546154A (ja) | 2008-12-18 |
JP5333733B2 true JP5333733B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=37198590
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008514943A Active JP5482981B2 (ja) | 2005-06-03 | 2006-06-02 | イオン注入における微粒子の防止 |
JP2008514945A Active JP5429448B2 (ja) | 2005-06-03 | 2006-06-02 | ビームストップ及びビーム調整方法 |
JP2008514944A Active JP5333733B2 (ja) | 2005-06-03 | 2006-06-02 | 荷電ビームダンプ及び粒子アトラクター |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008514943A Active JP5482981B2 (ja) | 2005-06-03 | 2006-06-02 | イオン注入における微粒子の防止 |
JP2008514945A Active JP5429448B2 (ja) | 2005-06-03 | 2006-06-02 | ビームストップ及びビーム調整方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7547898B2 (ja) |
EP (3) | EP1891658A2 (ja) |
JP (3) | JP5482981B2 (ja) |
KR (3) | KR101306541B1 (ja) |
CN (2) | CN101238538B (ja) |
TW (3) | TWI426541B (ja) |
WO (3) | WO2006133038A2 (ja) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7361890B2 (en) * | 2004-07-02 | 2008-04-22 | Griffin Analytical Technologies, Inc. | Analytical instruments, assemblies, and methods |
KR101306541B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2013-09-17 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 빔 정지 및 빔 조정 방법 |
US7491947B2 (en) * | 2005-08-17 | 2009-02-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for improving performance and extending lifetime of indirectly heated cathode ion source |
US7462845B2 (en) * | 2005-12-09 | 2008-12-09 | International Business Machines Corporation | Removable liners for charged particle beam systems |
US7959060B2 (en) | 2006-03-21 | 2011-06-14 | Graphic Packaging International, Inc. | Multi-ply carton having reclosable opening feature |
US7683348B2 (en) * | 2006-10-11 | 2010-03-23 | Axcelis Technologies, Inc. | Sensor for ion implanter |
US7566887B2 (en) * | 2007-01-03 | 2009-07-28 | Axcelis Technologies Inc. | Method of reducing particle contamination for ion implanters |
WO2009076155A2 (en) * | 2007-12-07 | 2009-06-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Particle trap |
US7928413B2 (en) * | 2008-01-03 | 2011-04-19 | Applied Materials, Inc. | Ion implanters |
US7994488B2 (en) * | 2008-04-24 | 2011-08-09 | Axcelis Technologies, Inc. | Low contamination, low energy beamline architecture for high current ion implantation |
US8217372B2 (en) * | 2009-06-30 | 2012-07-10 | Exogenesis Corporation | Gas-cluster-jet generator and gas-cluster ion-beam apparatus utilizing an improved gas-cluster-jet generator |
US8604418B2 (en) * | 2010-04-06 | 2013-12-10 | Axcelis Technologies, Inc. | In-vacuum beam defining aperture cleaning for particle reduction |
US20110291022A1 (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | Axcelis Technologies, Inc. | Post Implant Wafer Heating Using Light |
US8669517B2 (en) * | 2011-05-24 | 2014-03-11 | Axcelis Technologies, Inc. | Mass analysis variable exit aperture |
CN102891207A (zh) * | 2011-07-19 | 2013-01-23 | 上海凯世通半导体有限公司 | 用于太阳能晶片掺杂的束流传输系统 |
US8951384B2 (en) * | 2011-10-20 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Electron beam plasma source with segmented beam dump for uniform plasma generation |
US9129777B2 (en) | 2011-10-20 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Electron beam plasma source with arrayed plasma sources for uniform plasma generation |
US8894805B2 (en) | 2011-10-20 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Electron beam plasma source with profiled magnet shield for uniform plasma generation |
CN103247508B (zh) * | 2012-02-14 | 2015-11-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于检测离子源污染的分析器 |
US9711324B2 (en) | 2012-05-31 | 2017-07-18 | Axcelis Technologies, Inc. | Inert atmospheric pressure pre-chill and post-heat |
US9443700B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-09-13 | Applied Materials, Inc. | Electron beam plasma source with segmented suppression electrode for uniform plasma generation |
TWI686838B (zh) | 2014-12-26 | 2020-03-01 | 美商艾克塞利斯科技公司 | 改善混合式掃描離子束植入機之生產力的系統及方法 |
US9721750B2 (en) * | 2015-07-28 | 2017-08-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Controlling contamination particle trajectory from a beam-line electrostatic element |
US9824857B2 (en) * | 2016-01-14 | 2017-11-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method for implantation of semiconductor wafers having high bulk resistivity |
CN106531605B (zh) * | 2016-12-08 | 2018-06-05 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 一种离子注入设备及系统 |
US10473599B2 (en) * | 2017-12-01 | 2019-11-12 | Bruker Axs Gmbh | X-ray source using electron impact excitation of high velocity liquid metal beam |
US10276340B1 (en) * | 2017-12-20 | 2019-04-30 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Low particle capacitively coupled components for workpiece processing |
CN111524779B (zh) * | 2020-04-28 | 2023-02-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 防着板装置及离子源腔室、离子注入机 |
US11538714B2 (en) * | 2020-05-21 | 2022-12-27 | Applied Materials, Inc. | System apparatus and method for enhancing electrical clamping of substrates using photo-illumination |
US11875967B2 (en) | 2020-05-21 | 2024-01-16 | Applied Materials, Inc. | System apparatus and method for enhancing electrical clamping of substrates using photo-illumination |
US11315819B2 (en) | 2020-05-21 | 2022-04-26 | Applied Materials, Inc. | System apparatus and method for enhancing electrical clamping of substrates using photo-illumination |
CN114334592A (zh) * | 2020-09-30 | 2022-04-12 | 中国科学院微电子研究所 | 污染物粒子收集板以及离子注入装置 |
JP7284464B2 (ja) * | 2021-05-06 | 2023-05-31 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム照射装置 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4124801A (en) * | 1976-09-24 | 1978-11-07 | Phrasor Technology Incorporated | Apparatus and process for separating materials |
US4435642A (en) * | 1982-03-24 | 1984-03-06 | The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration | Ion mass spectrometer |
US4517465A (en) * | 1983-03-29 | 1985-05-14 | Veeco/Ai, Inc. | Ion implantation control system |
JPH0727768B2 (ja) * | 1985-09-09 | 1995-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン注入装置 |
JPS635293A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Japan Steel Works Ltd:The | ビ−ム形状測定装置 |
JPH01167941A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Fuji Electric Co Ltd | イオンビーム注入制御方法 |
US5134299A (en) * | 1991-03-13 | 1992-07-28 | Eaton Corporation | Ion beam implantation method and apparatus for particulate control |
JPH0613017A (ja) * | 1992-06-27 | 1994-01-21 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びイオン注入装置 |
JPH08171883A (ja) * | 1994-12-15 | 1996-07-02 | Ibiden Co Ltd | イオン注入装置用カーボン材料 |
US5656092A (en) * | 1995-12-18 | 1997-08-12 | Eaton Corporation | Apparatus for capturing and removing contaminant particles from an interior region of an ion implanter |
JPH10177846A (ja) * | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Sony Corp | イオン注入装置のイオン源 |
JP2000149855A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Hitachi Ltd | イオン注入装置および半導体装置の製造方法 |
GB2345574A (en) * | 1999-01-05 | 2000-07-12 | Applied Materials Inc | Apparatus and method for monitoring and tuning an ion beam in an ion implantation apparatus |
US6207964B1 (en) | 1999-02-19 | 2001-03-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Continuously variable aperture for high-energy ion implanter |
JP2000294186A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Applied Materials Inc | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
US6501078B1 (en) * | 2000-03-16 | 2002-12-31 | Applied Materials, Inc. | Ion extraction assembly |
US6661016B2 (en) * | 2000-06-22 | 2003-12-09 | Proteros, Llc | Ion implantation uniformity correction using beam current control |
US6534775B1 (en) * | 2000-09-01 | 2003-03-18 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic trap for particles entrained in an ion beam |
US7247863B2 (en) * | 2000-10-20 | 2007-07-24 | Axcellis Technologies, Inc. | System and method for rapidly controlling the output of an ion source for ion implantation |
JP2003215257A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-30 | Toshiba Corp | イオン検出器 |
US6777696B1 (en) * | 2003-02-21 | 2004-08-17 | Axcelis Technologies, Inc. | Deflecting acceleration/deceleration gap |
US6670624B1 (en) * | 2003-03-07 | 2003-12-30 | International Business Machines Corporation | Ion implanter in-situ mass spectrometer |
JP4063784B2 (ja) * | 2003-05-15 | 2008-03-19 | シャープ株式会社 | イオン発生素子、イオン発生装置 |
US6992308B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-01-31 | Axcelis Technologies, Inc. | Modulating ion beam current |
KR101306541B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2013-09-17 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 빔 정지 및 빔 조정 방법 |
-
2006
- 2006-06-02 KR KR1020077030940A patent/KR101306541B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-02 KR KR1020077030942A patent/KR20080031226A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-06-02 JP JP2008514943A patent/JP5482981B2/ja active Active
- 2006-06-02 US US11/445,667 patent/US7547898B2/en active Active
- 2006-06-02 US US11/445,677 patent/US7547899B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-02 WO PCT/US2006/021643 patent/WO2006133038A2/en active Application Filing
- 2006-06-02 EP EP06760675A patent/EP1891658A2/en not_active Withdrawn
- 2006-06-02 WO PCT/US2006/021646 patent/WO2006133040A2/en active Application Filing
- 2006-06-02 EP EP06772086A patent/EP1891657A2/en not_active Withdrawn
- 2006-06-02 JP JP2008514945A patent/JP5429448B2/ja active Active
- 2006-06-02 WO PCT/US2006/021647 patent/WO2006133041A2/en active Application Filing
- 2006-06-02 EP EP06772085A patent/EP1891659A2/en not_active Withdrawn
- 2006-06-02 CN CN2006800284825A patent/CN101238538B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-02 JP JP2008514944A patent/JP5333733B2/ja active Active
- 2006-06-02 TW TW095119562A patent/TWI426541B/zh active
- 2006-06-02 CN CN2006800284420A patent/CN101233597B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-02 TW TW095119563A patent/TWI404106B/zh active
- 2006-06-02 KR KR1020077030938A patent/KR101236563B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-02 TW TW095119557A patent/TW200707497A/zh unknown
- 2006-06-02 US US11/445,722 patent/US7579604B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5333733B2 (ja) | 荷電ビームダンプ及び粒子アトラクター | |
JP4117507B2 (ja) | イオン注入装置、その内側表面からの汚染物質の除去方法とそのための除去装置 | |
JP5120598B2 (ja) | 偏向用の加速/減速ギャップ | |
TWI417947B (zh) | 捕捉離子束粒子與聚焦離子束之方法與系統 | |
JP5333708B2 (ja) | イオンビームの流れに乗った粒子の静電捕捉システム | |
JP4384542B2 (ja) | 質量分析装置 | |
US7429741B2 (en) | Faraday system and ion implantation apparatus comprising the faraday system | |
JP2001003154A (ja) | イオン注入装置における汚染された表面を洗浄するための方法および装置 | |
JP5224014B2 (ja) | イオンビームに対して汚染粒子を除去するためのシステム及び方法 | |
EP1314182B1 (en) | System and method for removing particles entrained in an ion beam | |
KR101702908B1 (ko) | 조절 가능한 루버드된 플라즈마 일렉트론 플루드 외피 | |
JP2007507077A (ja) | 質量分離を伴うイオンビームスリットの引き出し法 | |
MATSUDA et al. | Industrial Aspects of Ion-Implantation Equipment and Ion Beam Generation | |
KR20060100739A (ko) | 이온주입장치 및 그의 질량분석기 | |
JPS632653B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090515 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120307 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130312 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130626 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130716 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5333733 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |