JP2000294186A - イオン注入方法及びイオン注入装置 - Google Patents

イオン注入方法及びイオン注入装置

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JP2000294186A JP11102542A JP10254299A JP2000294186A JP 2000294186 A JP2000294186 A JP 2000294186A JP 11102542 A JP11102542 A JP 11102542A JP 10254299 A JP10254299 A JP 10254299A JP 2000294186 A JP2000294186 A JP 2000294186A
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Koichi Takada
Ryuichi Miura
龍一 三浦
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 イオン注入方法及びイオン注入装置におい
て、ウェハ保持部に付着する汚れを少なくし、ウェハの
冷却効率を向上させる。 【解決手段】 ウェハＷのイオン注入を行うときは、ウ
ェハ搬送ロボット３９により、ウェハ収容カセット３７
内のウェハＷを把持して各ウェハ保持部２３の弾性体シ
ート３１の表面に装着する。イオン注入が終了すると、
ウェハ搬送ロボット３９により、各ウェハ保持部２３か
らウェハＷを取り外してウェハ収容カセット３７内に戻
す。このとき、引き続きイオン注入される新しいウェハ
Ｗを収容したウェハ収容カセット３７がロードロックチ
ャンバ３４内に無い場合には、ウェハ収容カセット３８
内のダミーウェハＷｄを把持して各ウェハ保持部２３の
弾性体シート３１の表面に装着する。これにより、弾性
体シート３１の表面に付着する汚れが減少する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハにイオンビ
ームを照射してイオン注入を行うイオン注入方法、及び
この方法に使用するイオン注入装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般にイオン注入装置は、イオンビーム
を発生するイオンビーム発生部と、このイオンビーム発
生部からのイオンビームをプロセス用のシリコンウェハ
に照射してイオン注入を行うイオン注入部と、このイオ
ン注入部にウェハを供給するウェハローダ部とを備えて
いる。
【０００３】イオン注入部は、内部が真空とされるター
ゲットチャンバを備え、このターゲットチャンバ内には
ウェハ支持台が設置されている。ウェハ支持台は、例え
ば、揺動可能な揺動シャフトを備えており、この揺動シ
ャフトにはハブが回転可能に取り付けられ、このハブに
は複数本のアームが放射状に延びており、各アームの先
端部には、ウェハを保持するためのウェハ支持手段（ウ
ェハ保持部）が設けられている。また、ウェハローダ部
は、内部が真空とされるロードロックチャンバを備え、
このロードロックチャンバ内には、ウェハ収容カセット
に収容されたウェハを把持してウェハ保持部の位置まで
搬送するウェハ搬送ロボットが設置されている。
【０００４】このようなイオン注入装置においては、ウ
ェハに対してイオン注入を行うと、ウェハが高温になる
ため、ウェハ保持部に冷却水路を設け、この冷却水路に
冷却水を流し込むことによって、ウェハ保持部の表面に
保持されたウェハを冷却するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記イオン注入装置に
よりイオン注入プロセスを実行すると、イオンビーム発
生部からのイオンビームはウェハに打ち込まれるだけで
なく、ターゲットチャンバに設けられたビームストップ
等にも打ち込まれる。このようにウェハ以外の部分に打
ち込まれたイオンは、スパッタリング等により汚染の原
因となり得る。
【０００６】ところで、イオンビームの立ち上げ時には
イオンビームの進行方向の調整等にある程度の時間を要
するため、一旦イオンビームを立ち上げたら、イオン注
入を行っていない間も、イオンビームを出し続けるよう
にしている場合が多い。しかし、この場合には、ウェハ
保持部の表面は露出状態となるため、イオンビームのス
パッタ等により発生したパーティクルや原子、分子など
がウェハ保持部の表面に付着してしまう。このような状
態で、イオン注入を行うべくウェハ保持部の表面にウェ
ハを装着すると、ウェハ裏面とウェハ保持部の表面との
間に隙間が生じるため、両者間で良好な熱伝導性が得ら
れなくなり、結果として上記冷却水によるウェハの冷却
効率が低下してしまう。
【０００７】特に、ウェハ収容カセットの交換時には、
ロードロックチャンバ内部は雰囲気に開放されるため、
ロードロックチャンバ内部を所望の真空度まで減圧する
必要がある。この場合には、ウェハ保持部の表面が露出
される時間が長くなるため、上記不具合が顕著に表われ
る。
【０００８】本発明の目的は、ウェハ保持部に付着する
汚れを少なくし、ウェハの冷却効率を向上させることが
できるイオン注入方法及びイオン注入装置を提供するこ
とである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、複数のウェハ支持手段の各々に保持され
たウェハに対して連続的にイオン照射することによりイ
オン注入を行うイオン注入方法であって、イオン注入と
次のイオン注入との間に、複数のウェハ支持手段の少な
くとも１つがウェハを保持していないとき、ダミーウェ
ハを該ウェハ支持手段に保持させるイオン注入方法を提
供する。
【００１０】このようにウェハ支持手段（ウェハ保持
部）にダミーウェハを保持させることにより、ウェハ保
持部の表面が露出状態となる時間が大幅に短縮される。
このため、ウェハ保持部の表面に付着する汚れが減少す
るので、次のイオン注入プロセスにおいてウェハ保持部
にウェハを保持させたときには、ウェハ裏面がほぼ全面
にわたってウェハ保持部の表面に接触するようになる。
これにより、ウェハとウェハ保持部との間に良好な熱伝
導性が得られるようになり、冷却水によるウェハの冷却
効率が向上する。
【００１１】上記イオン注入方法において、好ましく
は、ウェハ支持手段にウェハを保持させる第１の工程
と、ウェハ支持手段に保持されたウェハに対してイオン
注入を行う第２の工程と、ウェハへのイオン注入が終了
すると、ウェハ支持手段からウェハを取り外す第３の工
程とを含み、イオン照射を維持しながら第１〜第３の工
程を繰り返して行う場合において、第３の工程と第１の
工程との間に、ダミーウェハをウェハ支持手段に保持さ
せる。これにより、第３の工程と第１の工程との間で、
ウェハ支持手段の表面が露出状態となる時間が大幅に短
縮されるため、上記のようにウェハの冷却効率が向上す
る。
【００１２】また、好ましくは、ウェハ支持手段にウェ
ハを保持させる第１の工程と、ウェハ支持手段に保持さ
れたウェハに対してイオン注入を行う第２の工程と、ウ
ェハへのイオン注入が終了すると、ウェハ支持手段から
ウェハを取り外す第３の工程とを含み、イオン照射を維
持しながら第１〜第３の工程を繰り返して行う場合にお
いて、第３の工程の後、引き続きイオン注入すべきウェ
ハがあるときは、該ウェハをウェハ支持手段に保持さ
せ、イオン注入すべきウェハがないときは、ダミーウェ
ハをウェハ支持手段に保持させる。これにより、引き続
きイオン注入すべきウェハがあるときには、そのウェハ
が直ちにウェハ支持手段に保持されるため、効率の良い
イオン注入処理が行える。
【００１３】また、上記の目的を達成するため、本発明
は、内部が真空とされるターゲットチャンバと、ターゲ
ットチャンバ内に設置されたウェハ支持手段と、ウェハ
支持手段に保持されたウェハに照射するイオンビームを
発生するイオンビーム発生手段と、ターゲットチャンバ
に隣接して配置され、内部が真空とされるロードロック
チャンバと、ロードロックチャンバ内に設置されたウェ
ハ搬送手段と、イオンビーム発生手段で発生したイオン
ビームをウェハに照射してイオン注入を行う前に、ウェ
ハ支持手段にウェハを保持させるようウェハ搬送手段を
制御し、ウェハへのイオン注入が終了すると、ウェハ支
持手段からウェハを取り外すようウェハ搬送手段を制御
する制御手段とを備えたイオン注入装置であって、制御
手段は、ウェハ支持手段からウェハを取り外した後、ウ
ェハ支持手段に新しいウェハを保持させるまでの間に、
ウェハ支持手段にダミーウェハを保持させるようウェハ
搬送手段を制御するイオン注入装置を提供する。
【００１４】このように制御手段を設けることにより、
上記イオン注入方法を実施することができるため、ウェ
ハ支持手段に付着する汚れが少なくなり、ウェハの冷却
効率が向上する。
【００１５】上記イオン注入装置において、好ましく
は、制御手段は、ウェハ支持手段からウェハを取り外し
た後、ロードロックチャンバ内に引き続きイオン注入す
べきウェハがあるかどうかを監視し、イオン注入すべき
ウェハがあると判断されると、ウェハ支持手段に当該ウ
ェハを保持させるようウェハ搬送手段を制御し、イオン
注入すべきウェハがないと判断されると、ウェハ支持手
段にダミーウェハを保持させるようウェハ搬送手段を制
御する。これにより、引き続きイオン注入すべきウェハ
があるときには、そのウェハが直ちにウェハ支持手段に
保持されるため、効率の良いイオン注入処理が行える。
【００１６】さらに、上記の目的を達成するため、本発
明は、複数のウェハ支持手段の各々に保持されたウェハ
に対して連続的にイオン照射することによりイオン注入
を行うイオン注入装置であって、イオン注入と次のイオ
ン注入との間に、複数のウェハ支持手段の少なくとも１
つがウェハを保持していないとき、ダミーウェハを該ウ
ェハ支持手段に支持させる。これにより、上記イオン注
入方法を実施することができるため、上述したようにウ
ェハの冷却効率が向上する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るイオン注入装
置の好適な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１８】図１は、本発明に係るイオン注入装置の一
実施形態を概略的に示す構成図であり、図２はそのイオ
ン注入装置の斜視図である。同図において、イオン注入
装置１は、イオンビームＩＢを発生するイオンビーム発
生部２と、このイオンビーム発生部２からのイオンビー
ムＩＢをシリコンウェハＷに照射してイオン注入を行う
イオン注入部３と、このイオン注入部３にウェハＷを供
給するウェハローダ部４とを備えている。
【００１９】イオンビーム発生部２は、イオン源５、イ
オンビーム引出し・加速系６、質量分析系７で構成され
ている。各系はハウジングないしはチューブにより囲ま
れており、その内部は真空ポンプ８ａ，８ｂにより所定
の真空度に減圧されている。
【００２０】イオン源５は、図示しないガス供給源から
送り込まれたドーピングガスを放電させることにより、
高密度のプラズマ状態を作り出す。イオンビーム引出し
・加速系６は、１対の引き出し電極６ａを有し、この引
き出し電極６ａに負電圧に印加させると、上記プラズマ
を構成するイオンが引き出されると共に加速され、イオ
ンビームＩＢが形成される。質量分析系７は、分析マグ
ネット部９及び質量分解部１０からなり、分析マグネッ
ト部９は、磁界の強さを調整することで、上記イオンビ
ームＩＢから所望のイオン種のみを取り出す。質量分解
部１０は、開口幅が調整可能な開閉機構１０ａを有し、
必要とするイオンビームのみを通過させる。
【００２１】イオン注入部３は、質量分析系７の質量分
解部１０に連結されたターゲットチャンバ１１を備え、
このターゲットチャンバ１１内部はクライオポンプ１２
により所定の真空度に減圧されている。
【００２２】ターゲットチャンバ１１を形成する壁部に
おいて、質量分析系７との接続部分には、イオンビーム
ＩＢ入射用の開口部１３が形成され、この開口部１３に
対向する部分には、ファラデーボックス１４が取り付け
られている。このファラデーボックス１４には、イオン
ビームＩＢを受け止めるためのビームストップ１５が配
置されており、このビームストップ１５は、イオンビー
ム照射量を検出する図示しないイオン検出器を有してい
る。ターゲットチャンバ１１内におけるイオンビームＩ
Ｂが通る部位にはプラズマシャワー１６が配置されてお
り、このプラズマシャワー１６は、ウェハＷにイオンビ
ームＩＢが入射されたときに、ウェハＷがチャージアッ
プするのを防止するものである。
【００２３】また、ターゲットチャンバ１１内には、イ
オン注入されるウェハＷを支持するためのウェハ支持台
１７が設置されている。このウェハ支持台１７は、ター
ゲットチャンバ１１内に揺動可能に取り付けられた揺動
シャフト１８を有し、この揺動シャフト１８は駆動モー
タ１９により図２の矢印Ａ方向に沿って所定角度で揺動
される。揺動シャフト１８の先端部にはハブ２０が回転
可能に取り付けられ、このハブ２０は駆動モータ２１に
より図２の矢印Ｂ方向に回転駆動される。ハブ２０には
複数本のアーム２２が放射状に延びており、各アーム２
２の先端部にはウェハＷが保持されるウェハ保持部（ウ
ェハ支持手段）２３が設けられている。
【００２４】このウェハ保持部２３の詳細を図３及び図
４に示す。同図において、ウェハ保持部２３は、アーム
２２の先端部に取り付けられた円形のヒートシンクパド
ル２４を有し、このヒートシンクパドル２４には冷却水
路２５が形成されている。この冷却水路２５は、アーム
２２の基端部から先端部にかけて形成された供給用冷却
水路２６及び戻し用冷却水路２７と連通している。
【００２５】ヒートシンクパドル２４の表面には、金属
製の円形のヒートシンク挿入体２８が固定具２９で固定
されている。また、ヒートシンクパドル２４とヒートシ
ンク挿入体２８との間には、熱伝導性のある弾性体シー
ト３０が配置されており、両者間に良好な熱伝導性が与
えられるようにしている。ヒートシンク挿入体２８の表
面には、熱伝導性のある弾性体シート３１が取り付けら
れており、この弾性体シート３１の表面にウェハＷが装
着されるようになっている。これにより、弾性体シート
３１の表面にウェハＷが装着されたときには、ヒートシ
ンク挿入体２８とウェハＷとの間に良好な熱伝導性が与
えられる。また、ヒートシンクパドル２４には、図示し
ないバネを有するウェハ拘束具３２及びストッパ３３が
設けられており、弾性体シート３１の表面にウェハＷが
装着されたときに、ウェハＷが弾性体シート３１から外
れないようにしている。
【００２６】図１及び図２に戻り、ウェハローダ部４は
ターゲットチャンバ１１に隣接して配置されたロードロ
ックチャンバ３４を有しており、このロードロックチャ
ンバ３４の内部は、図示しない真空ポンプにより真空と
される。ロードロックチャンバ３４とターゲットチャン
バ１１との間には搬送路３５が形成され、この搬送路３
５にはアイソレーションバルブ３６が介設されており、
ロードロックチャンバ３４とターゲットチャンバ１１と
の間を分離できるようになっている。
【００２７】ロードロックチャンバ３４内には、ウェハ
収容カセット３７，３８が載置されるカセット載置部Ｋ
が設けられている。ウェハ収容カセット３７は、イオン
注入されるべき複数枚のウェハＷを収容するためのカセ
ットであり、カセット載置部Ｋに複数（例えば２個）載
置されるようになっている。ウェハ収容カセット３８
は、複数枚のダミーウェハＷｄを収容するためのカセッ
トである。ここで、ダミーウェハＷｄとは、イオン注入
を行っていない時に、ウェハ保持部２３の弾性体シート
３１の表面を保護するためのウェハであり、イオン注入
されるべきウェハＷと同様の形状、重量のものが用いら
れる。なお、ダミーウェハは、イオン注入されるウェハ
Ｗと同じものに限らず、弾性体シート３１の表面を保護
するためのものであれば、何でもかまわない。ただし、
イオン注入されるウェハＷと同じものを使用すれば、別
にダミーウェハを作る手間が省ける。
【００２８】また、カセット載置部Ｋにはカセット検知
センサ３４ａが設けられており、この検知センサ３４ａ
により、イオン注入されるウェハＷを収容したウェハ収
容カセット３７が所定位置に置かれているかどうかを監
視している。
【００２９】また、ロードロックチャンバ３４内には、
ウェハ支持台１７のウェハ保持部２３の位置にウェハＷ
を搬送するためのウェハ搬送ロボット３９が設置されて
いる。このウェハ搬送ロボット３９は、図示しない複数
のアクチュエータにより回動及び摺動自在な搬送アーム
３９ａを備えており、この搬送アーム３９ａを操作する
ことによって、ウェハ収容カセット３７，３８内に収容
されたウェハＷを把持してウェハ保持部２３の弾性体シ
ート３１の表面に装着すると共に、弾性体シート３１か
らウェハＷを取り外してカセット３７，３８に戻す。
【００３０】前述したウェハ支持台１７の駆動モータ１
９，２１、アイソレーションバルブ３６及びウェハ搬送
ロボット３９の各アクチュエータは、制御装置４０から
の制御信号によって駆動される。この制御装置４０によ
るイオン注入処理手順を図５に示す。なお、図５のフロ
ーチャートでは、イオンビーム発生部２によるイオンビ
ームＩＢの立ち上げ及び調整は、既に行われているもの
とする。
【００３１】まず、図示しない指示スイッチ等によりイ
オン注入動作開始が指示されると、アイソレーションバ
ルブ３６を開くように制御すると共に、ウェハ搬送ロボ
ット３９の各アクチュエータにウェハロード信号を送出
し、ウェハ収容カセット３７内に収容されたウェハＷを
ウェハ保持部２３の表面に装着する（ステップ１０
１）。このとき、ウェハ支持台１７は、イオンビームＩ
Ｂがウェハ保持部２３に当たることのないウェハ取付位
置にあり、ウェハ搬送ロボット３９を制御しながら駆動
モータ２１をも制御し、ウェハ支持台１７を回転させて
各ウェハ保持部２３の表面に順次ウェハＷを取り付けて
いく。
【００３２】続いて、例えばターゲットチャンバ１１内
に設けられた図示しないセンサからの信号に基づいて、
全てのウェハ保持部２３にウェハＷが装着されたと判断
すると、アイソレーションバルブ３６を閉じるように制
御すると共に、駆動モータ１９，２１を制御し、ウェハ
支持台１７を一定に高速回転させると共にウェハ取付位
置から揺動させ、イオン注入を行う（ステップ１０
２）。
【００３３】続いて、ビームストップ１５のイオン検出
器からの信号及び内部のタイマで測定した時間に基づい
て、全てのウェハＷに対してイオン注入が行われたと判
断すると、駆動モータ１９を制御してウェハ支持台１７
をウェハ取付位置に移動させると共に、アイソレーショ
ンバルブ３６を開くように制御する。そして、ウェハ搬
送ロボット３９の各アクチュエータにウェハアンロード
信号を送出し、各ウェハ保持部２３からウェハＷを取り
外してウェハ収容カセット３７内に戻す（ステップ１０
３）。
【００３４】続いて、カセット検知センサ３４ａからの
信号に基づいて、引き続きイオン注入されるべき新しい
ウェハＷが収納されたウェハ収容カセット３７がカセッ
ト載置部Ｋの所定位置に置かれているかどうかを判断し
（ステップ１０４）、当該ウェハ収容カセット３７があ
ると判断されると、上述したステップ１０１に進む。一
方、そのようなウェハ収容カセット３７は無いと判断さ
れると、ウェハ搬送ロボット３９の各アクチュエータに
ダミーウェハロード信号を出力し、ウェハ収容カセット
３８内に収容されたダミーウェハＷｄを各ウェハ保持部
２３の表面に装着する（ステップ１０５）。その後、ア
イソレーションバルブ３６を閉じるように制御する。
【００３５】続いて、カセット検知センサ３４ａの検知
信号から、引き続きイオン注入されるべき新しいウェハ
Ｗが収納されたウェハ収容カセット３７がカセット載置
部Ｋの所定位置にあるかどうかを判断する（ステップ１
０６）。そして、当該ウェハ収容カセット３７があると
判断されると、アイソレーションバルブ３６を開くよう
に制御すると共に、ウェハ搬送ロボット３９の各アクチ
ュエータにダミーウェハアンロード信号を送出し、各ウ
ェハ保持部２３からダミーウェハＷｄを取り外してウェ
ハ収容セット３８内に戻す（ステップ１０７）。その
後、上述したステップ１０１以降の処理を実行する。
【００３６】以上のように構成したイオン注入装置１を
用いた本発明に係るイオン注入方法について説明する。
【００３７】まず、アイソレーションバルブ３６を開
き、ウェハ搬送ロボット３９の搬送アーム３９ａにより
ウェハ収容カセット３７内に収容されたウェハＷを把持
して各ウェハ保持部２３の表面に装着する（図５のステ
ップ１０１）。そして、アイソレーションバルブ３６を
閉じ、全てのウェハＷ全面にイオンビームＩＢを照射し
てイオン注入を行う（図５のステップ１０２）。全ての
ウェハＷに対してイオン注入が行われると、アイソレー
ションバルブ３６を開き、各ウェハ保持部２３からウェ
ハＷを取り外してウェハ収容カセット３７内に戻す（図
５のステップ１０３）。
【００３８】続いて、次にイオン注入される新しいウェ
ハＷが収納されたウェハ収容カセット３７がロードロッ
クチャンバ３４内にあれば、引き続きその新しいウェハ
Ｗに対してイオン注入を行う（図５のステップ１０４→
１０１）。
【００３９】一方、新しいウェハＷが収納されたウェハ
収容カセット３７がロードロックチャンバ３４内に無け
れば、ウェハ搬送ロボット３９によりウェハ収容カセッ
ト３８内に収容されたダミーウェハＷｄを把持して各ウ
ェハ保持部２３の表面に装着する（図５のステップ１０
５）。これにより、次のイオン注入のためにウェハＷが
各ウェハ保持部２３の表面に装着されるまでの間、弾性
体シート３１の表面がカバーされるため、イオンビーム
のスパッタ等による汚れが弾性体シート３１の表面に付
着することはない。その後、アイソレーションバルブ３
６を閉じる。
【００４０】その後、オペレータは、イオン注入後のウ
ェハＷが収納された全てのウェハ収容カセット３７をロ
ードロックチャンバ３４の外部に出し、新しいウェハＷ
が収納されたウェハ収容カセット３７をロードロックチ
ャンバ３４内に搬入し、カセット載置部Ｋの所定位置に
置く。この時、ロードロックチャンバ３４の内部は雰囲
気に開放されるため、図示しない真空ポンプによりロー
ドロックチャンバ３４内を所望の真空度まで減圧する。
【００４１】その後、アイソレーションバルブ３６を開
き、ウェハ搬送ロボット３９により各ウェハ保持部２３
からダミーウェハＷｄを取り外してウェハ収容セット３
８内に戻す（図５のステップ１０６→１０７）。そし
て、ウェハ収容カセット３７内に収容された新しいウェ
ハＷを各ウェハ保持部２３の表面に装着し、イオン注入
を行う。
【００４２】以上のように本実施形態にあっては、各ウ
ェハ保持部２３からウェハＷを外した後、各ウェハ保持
部２３の表面にダミーウェハＷｄを装着するようにした
ので、弾性体シート３１の表面がむき出し状態となる時
間が大幅に短縮され、その結果弾性体シート３１の表面
に付着する汚れが少なくなる。このため、次のイオン注
入プロセスにおいて各ウェハ保持部２３の表面にウェハ
Ｗを装着したときには、ウェハＷの裏面はほぼ全面にわ
たって弾性体シート３１の表面に接触するようになる。
これにより、弾性体シート３１とウェハＷとの間で良好
な熱伝導性が得られ、ヒートシンクパドル２４の冷却水
路２５を流れる冷却水によるウェハＷの冷却効率が向上
する。
【００４３】また、各ウェハ保持部２３からウェハＷを
外した後、引き続きイオン注入すべきウェハＷがロード
ロックチャンバ３４内にある場合には、直ちにそのウェ
ハＷを各ウェハ保持部２３の表面に装着するので、イオ
ン注入処理が効率よく行える。
【００４４】なお、本実施形態では、ウェハＷ上でのイ
オンビームＩＢの走査を、ウェハ支持台１７の回転・揺
動動作で行うものとしたが、本発明は、特にこれに限ら
ず、イオンビーム自体を移動させるタイプのイオン注入
装置等にも適用可能である。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、イオン注入と次のイオ
ン注入との間に、ウェハ支持手段に付着する汚れが減少
するので、次のイオン注入においては、ウェハとウェハ
支持手段との間に良好な熱伝導性が得られるようにな
り、冷却水によるウェハの冷却効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るイオン注入装置の一実施形態を示
す概略構成図である。
【図２】図１に示すイオン注入装置の斜視図である。
【図３】図１に示すウェハ支持台のアームの平面図であ
る。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線断面図である。
【図５】図１に示す制御装置によるイオン注入処理手順
を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１…イオン注入装置、２…イオンビーム発生部（イオン
ビーム発生手段）、３…イオン注入部、４…ウェハロー
ダ部、１１…ターゲットチャンバ、１７…ウェハ支持
台、２３…ウェハ保持部（ウェハ支持手段）、３４…ロ
ードロックチャンバ、３４ａ…カセット検知センサ、３
７…ウェハ搬送ロボット（ウェハ搬送手段）、４０…制
御装置（制御手段）、Ｗ…ウェハ、Ｗｄ…ダミーウェ
ハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲高▼田 耕一 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 三浦 龍一 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 松永 保彦 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 BD01 DE01 EA00 JA05 KA01 KA09 5C034 CC08 CC09 CC19

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数のウェハ支持手段の各々に保持され
    たウェハに対して連続的にイオン照射することによりイ
    オン注入を行うイオン注入方法であって、 イオン注入と次のイオン注入との間に、前記複数のウェ
    ハ支持手段の少なくとも１つがウェハを保持していない
    とき、ダミーウェハを該ウェハ支持手段に保持させるイ
    オン注入方法。
  2. 【請求項２】 前記ウェハ支持手段にウェハを保持させ
    る第１の工程と、前記ウェハ支持手段に保持された前記
    ウェハに対してイオン注入を行う第２の工程と、前記ウ
    ェハへのイオン注入が終了すると、前記ウェハ支持手段
    から前記ウェハを取り外す第３の工程とを含み、前記イ
    オン照射を維持しながら前記第１〜第３の工程を繰り返
    して行う場合において、前記第３の工程と前記第１の工
    程との間に、前記ダミーウェハを前記ウェハ支持手段に
    保持させる請求項１記載のイオン注入方法。
  3. 【請求項３】 前記ウェハ支持手段にウェハを保持させ
    る第１の工程と、前記ウェハ支持手段に保持された前記
    ウェハに対してイオン注入を行う第２の工程と、前記ウ
    ェハへのイオン注入が終了すると、前記ウェハ支持手段
    から前記ウェハを取り外す第３の工程とを含み、前記イ
    オン照射を維持しながら前記第１〜第３の工程を繰り返
    して行う場合において、前記第３の工程の後、引き続き
    イオン注入すべきウェハがあるときは、該ウェハを前記
    ウェハ支持手段に保持させ、前記イオン注入すべきウェ
    ハがないときは、前記ダミーウェハを前記ウェハ支持手
    段に保持させる請求項１記載のイオン注入方法。
  4. 【請求項４】 内部が真空とされるターゲットチャンバ
    と、前記ターゲットチャンバ内に設置されたウェハ支持
    手段と、前記ウェハ支持手段に保持されたウェハに照射
    するイオンビームを発生するイオンビーム発生手段と、 前記ターゲットチャンバに隣接して配置され、内部が真
    空とされるロードロックチャンバと、 前記ロードロックチャンバ内に設置されたウェハ搬送手
    段と、 前記イオンビーム発生手段で発生した前記イオンビーム
    を前記ウェハに照射してイオン注入を行う前に、前記ウ
    ェハ支持手段に前記ウェハを保持させるよう前記ウェハ
    搬送手段を制御し、前記ウェハへのイオン注入が終了す
    ると、前記ウェハ支持手段から前記ウェハを取り外すよ
    う前記ウェハ搬送手段を制御する制御手段とを備えたイ
    オン注入装置であって、 前記制御手段は、前記ウェハ支持手段から前記ウェハを
    取り外した後、前記ウェハ支持手段に新しいウェハを保
    持させるまでの間に、前記ウェハ支持手段にダミーウェ
    ハを保持させるよう前記ウェハ搬送手段を制御するイオ
    ン注入装置。
  5. 【請求項５】 前記制御手段は、前記ウェハ支持手段か
    ら前記ウェハを取り外した後、前記ロードロックチャン
    バ内に引き続きイオン注入すべきウェハがあるかどうか
    を監視し、前記イオン注入すべきウェハがあると判断さ
    れると、前記ウェハ支持手段に当該ウェハを保持させる
    よう前記ウェハ搬送手段を制御し、前記イオン注入すべ
    きウェハがないと判断されると、前記ウェハ支持手段に
    前記ダミーウェハを保持させるよう前記ウェハ搬送手段
    を制御する請求項４記載のイオン注入装置。
  6. 【請求項６】 複数のウェハ支持手段の各々に保持され
    たウェハに対して連続的にイオン照射することによりイ
    オン注入を行うイオン注入装置であって、 イオン注入と次のイオン注入との間に、前記複数のウェ
    ハ支持手段の少なくとも１つがウェハを保持していない
    とき、ダミーウェハを該ウェハ支持手段に保持させるイ
    オン注入装置。
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