JP5384002B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
成膜装置及び成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5384002B2 JP5384002B2 JP2007283472A JP2007283472A JP5384002B2 JP 5384002 B2 JP5384002 B2 JP 5384002B2 JP 2007283472 A JP2007283472 A JP 2007283472A JP 2007283472 A JP2007283472 A JP 2007283472A JP 5384002 B2 JP5384002 B2 JP 5384002B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- sputtering
- heating
- workpiece
- deposition material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
3 真空槽
4 カルーセル
7 ワーク
10 スパッタリング装置
11,51 蒸着装置
25,55 シャッタ板
45 蒸着材料
Claims (8)
- 真空槽と、
この真空槽内で成膜の対象となるワークを保持して回転するワークホルダと、
前記真空槽内に配したターゲット材料を一方の電極として放電を行い、ターゲット材料から飛散した原子をワークに堆積させることにより成膜を行うスパッタリング装置と、
前記ターゲット材料と同一の前記真空槽内に設けられ、蒸着材料を所定の加熱温度に加熱する加熱手段を有し、加熱により蒸着材料を蒸発ないし昇華させてワークに付着させることで蒸着を行う蒸着装置と、
前記スパッタリング装置と前記蒸着装置とを択一的に作動させる制御手段とを備え、
前記蒸着装置は、少なくとも前記スパッタリング装置の作動時に前記真空槽内の熱源と前記蒸着材料との間に配されて、前記熱源からの熱で前記蒸着材料が加熱されることを阻止するシャッタ板を有することを特徴とする成膜装置。 - 前記熱源は、前記スパッタリング装置の作動時に発生するプラズマであり、前記シャッタ板は、少なくとも前記スパッタリング装置の作動時に前記プラズマと前記蒸着材料との間に配されていることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 前記シャッタ板は、熱源と蒸着材料との間に配された遮蔽位置と、ワークに対する前記蒸着装置による蒸着を許容する許容位置との間で移動自在とされ、前記スパッタリング装置の作動時には遮蔽位置とされ、前記蒸着装置の作動時には許容位置とされることを特徴とする請求項1または2記載の成膜装置。
- 前記シャッタ板を冷却するシャッタ冷却手段を備えることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記蒸着装置は、
蒸着材料が収容される加熱室が内側に形成された内筒と、
この内筒の外側に所定の間隔をあけて設けた外筒と、
蒸着材料による成膜を行う際に作動されて、加熱室内の蒸着材料を加熱して蒸発ないし昇華させる材料加熱手段と、を有し、
前記外筒には加熱室に通じる開口が設けられ、この開口を通して加熱室内で蒸発ないし昇華した蒸着材料を外部に飛散させることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記内筒と前記外筒の間の間隙に冷却水を供給する給水器を備えることを特徴とする請求項5記載の成膜装置。
- 同一の真空槽内に配された、成膜の対象となるワークを保持して回転するワークホルダ、ターゲット材料を一方の電極として放電を行って、ターゲット材料から飛散した原子をワークに堆積させることにより成膜を行うスパッタリング装置、及び蒸着材料を加熱することにより蒸着材料を蒸発ないし昇華させてワークに付着させることで蒸着を行う蒸着装置を用い、
スパッタリング装置による成膜を行うスパッタリング工程と、蒸着装置による蒸着を行う蒸着工程とを択一的に順番に行わせ、少なくとも前記スパッタリング工程時には前記真空槽内の熱源と前記蒸着材料との間にシャッタ板を配し、前記熱源からの熱で前記蒸着材料が加熱されることを阻止することを特徴とする成膜方法。 - 前記スパッタリング工程中に、前記蒸着材料に対して、温度上昇を防止するために冷却を行うことを特徴とする請求項7記載の成膜方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007283472A JP5384002B2 (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 成膜装置及び成膜方法 |
KR1020107008526A KR20100071077A (ko) | 2007-10-31 | 2008-10-30 | 성막 장치 및 성막 방법 |
CN2008801141508A CN101842511B (zh) | 2007-10-31 | 2008-10-30 | 成膜设备以及成膜方法 |
PCT/JP2008/069726 WO2009057678A1 (ja) | 2007-10-31 | 2008-10-30 | 成膜装置及び成膜方法 |
HK10111011.0A HK1144447A1 (en) | 2007-10-31 | 2010-11-26 | Film forming apparatus and film forming method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007283472A JP5384002B2 (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 成膜装置及び成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009108381A JP2009108381A (ja) | 2009-05-21 |
JP5384002B2 true JP5384002B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=40591063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007283472A Expired - Fee Related JP5384002B2 (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 成膜装置及び成膜方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5384002B2 (ja) |
KR (1) | KR20100071077A (ja) |
CN (1) | CN101842511B (ja) |
HK (1) | HK1144447A1 (ja) |
WO (1) | WO2009057678A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102851641B (zh) * | 2011-06-30 | 2015-04-22 | 比亚迪股份有限公司 | 一种真空镀膜装置及金属高温真空镀膜方法 |
CN103374703B (zh) * | 2012-04-26 | 2016-11-16 | 北京物华天宝镀膜科技有限公司 | 单管直流溅射镀膜设备及其使用方法 |
JP2014070241A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 蒸着装置および蒸着方法 |
US9275835B2 (en) * | 2012-11-29 | 2016-03-01 | Gregory DeLarge | Plasma generating device with moving carousel and method of use |
GB201312075D0 (en) * | 2013-07-05 | 2013-08-21 | Univ Ulster | Method and system for the scale up of plasma induced surface functionality |
JP6957270B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2021-11-02 | 株式会社Screenホールディングス | 成膜装置および成膜方法 |
JP7193291B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2022-12-20 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 |
CN110724927A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-01-24 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种解决pvd成膜首枚效应的方法 |
JP7354086B2 (ja) * | 2020-11-30 | 2023-10-02 | キヤノントッキ株式会社 | 蒸着装置、成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 |
CN114774849B (zh) * | 2022-03-17 | 2023-12-08 | 西安超纳精密光学有限公司 | 一种精确控制曲率的小口径大曲率局部离子溅射镀膜系统及方法 |
CN115011944B (zh) * | 2022-08-10 | 2022-10-18 | 怡通科技有限公司 | 蒸发磁控溅射多用镀膜机 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61276964A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Hoya Corp | 回転式成膜装置 |
JPH04280962A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-10-06 | Kawatetsu Mining Co Ltd | ヘテロ接合薄膜の形成方法及び形成装置 |
JP4171365B2 (ja) * | 2003-07-16 | 2008-10-22 | トッキ株式会社 | 蒸着装置 |
JP2005307237A (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜顔料製造方法 |
JP4602054B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2010-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 蒸着装置 |
JP2006177704A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法 |
JP2007038379A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Mitsubishi Materials Corp | 難削材の重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具 |
CN1793416A (zh) * | 2005-12-12 | 2006-06-28 | 深圳国家863计划材料表面工程技术研究开发中心 | 金属薄膜复合制备装置及工艺 |
-
2007
- 2007-10-31 JP JP2007283472A patent/JP5384002B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-10-30 KR KR1020107008526A patent/KR20100071077A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-10-30 CN CN2008801141508A patent/CN101842511B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-30 WO PCT/JP2008/069726 patent/WO2009057678A1/ja active Application Filing
-
2010
- 2010-11-26 HK HK10111011.0A patent/HK1144447A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100071077A (ko) | 2010-06-28 |
CN101842511B (zh) | 2012-08-22 |
CN101842511A (zh) | 2010-09-22 |
WO2009057678A1 (ja) | 2009-05-07 |
JP2009108381A (ja) | 2009-05-21 |
HK1144447A1 (en) | 2011-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5384002B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
KR100325969B1 (ko) | 스퍼터링장치와원통형단부보호장치형성방법및스퍼터에칭방법 | |
US6641702B2 (en) | Sputtering device | |
JPH11124668A (ja) | 低電圧アーク放電からのイオンを用いて基体を処理するための方法および装置 | |
TWI620232B (zh) | Film forming device and film forming method | |
KR19990024032A (ko) | 캐소우드 아크 증착장치 | |
KR20180049057A (ko) | 진공처리장치 및 진공처리기판 제조방법 | |
JP4985490B2 (ja) | 成膜装置 | |
KR100974041B1 (ko) | 막 증착 장치와 막 두께 측정 방법 | |
TWI397595B (zh) | 蒸發系統 | |
US20090130336A1 (en) | Coating apparatus | |
WO2017070488A1 (en) | Deposition system with integrated cooling on a rotating drum | |
JP4859720B2 (ja) | プラズマ成膜装置 | |
US20120138452A1 (en) | Method and Apparatus for Super-High Rate Deposition | |
JP2009120925A (ja) | スパッタリング装置 | |
JP2009108382A (ja) | スパッタリング用ターゲット装置及びスパッタリング装置 | |
JP4601379B2 (ja) | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 | |
JP4601381B2 (ja) | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 | |
JP4175815B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
JP4601385B2 (ja) | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 | |
JP7160531B2 (ja) | 表面処理装置 | |
JP4601387B2 (ja) | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 | |
JP4613048B2 (ja) | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 | |
JP5193487B2 (ja) | 蒸着装置および蒸着方法 | |
JP2009108383A (ja) | ターゲット装置及びマグネトロンスパッタリング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101004 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121031 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130313 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130410 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130529 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130626 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130904 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131002 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |