JP4601381B2 - 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 - Google Patents
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Description
真空 第27巻、第2号64ページ(1984年) 図4は圧力勾配型イオンプレーティング装置を示している。 図4に示すイオンプレーティング装置は、圧力勾配型プラズマガン11(以下、単に、プラズマガンとも言う)により真空チャンバー12内にプラズマを発生させて真空チャンバー内に配置した基板13上に蒸着により薄膜を形成するものである。 さらに詳細に説明すれば、プラズマガン11は、放電電源14のマイナス側に接続された陰極15と、放電電源14のプラス側に抵抗を介して接続された環状の第1中間電極16、第2中間電極17を備え、陰極15側から放電ガスの供給を受け、前記放電ガスをプラズマ状態にして第2中間電極17から真空チャンバー12内に向けて流出させるような配置にされている。 真空チャンバー12は、図示しない真空ポンプにより接続され、その内部は所定の減圧状態に保たれている。 また真空チャンバー12の第2中間電極17に向けて突出した短管部12Aの外側には、この短管部12Aを包囲するように収束コイル18が設けられている。 真空チャンバー12内の下部には、放電電源14のプラス側に接続された導電性材料からなるハース19が載置されており、このハース19上の凹所に薄膜の材料となる導電性あるいは絶縁性の蒸着材料が収められている。 さらに、ハース19の内部にはハース用磁石21が設けられている。 そして、第2中間電極17から蒸着原料20に向けてプラズマビーム22が形成され、蒸着原料20が蒸発され、基材13の下面に付着し、薄膜が形成される。 なお、収束コイル18はプラズマビーム22の横断面を収縮させる作用を、またハース用磁石21はプラズマビーム22をハース19に導く作用をしている。
このような、絶縁性物質が付着してチャージアップが進み通電不能となった部分に入射しようとした電子は反射され、イオンとの結合により電気的に中和されるか、最終的に電気的帰還が可能な場所に到達するまで電子の反射は繰り返されることとなる。
このため、プラズマビーム22に対する連続的な安定制御ができなくなり、成膜の安定性が損なわれるという問題が生じる。
このような問題を解決するための技術として、電気的絶縁性物質を成膜する手法が、特開平11−269636号公報(特許文献1)に開示されている。
本発明はこれに対応するもので、電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置を提供しようとするものである。
特には、ロールから巻き出し、ロールに巻き取ることができるフィルムのような基材に対して、電気的絶縁性物質からなる薄膜を、連続的に、安定的、且つ効率的に成膜することができる真空成膜装置を提供しようとするものである。
そして、上記の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記イオンプレーティング成膜部は、磁場およびまたは電場により、収束コイル内を通過して収束されたプラズマビームを制御して、蒸着材料に入射されるプラズマビームの形状を基材の幅方向にシート状に広幅にするプラズマビーム形状制御部を備えていることを特徴とするものである。
そしてまた、上記の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラムは、前記電子帰還電極の電位よりも電気的に高い電位に設定されていることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラムは電気的ににフローティングレベルに設定されていることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラム、前記圧力勾配型プラズマガン、前記電子帰還電極の各部間には、絶縁性の、あるいは、絶縁電位に保持された仕切板が設けられていることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記基材搬送部は、基材を前記成膜用ドラムへ供給するための基材巻き出し部と、基材を前記成膜用ドラムから巻き取るための基材巻き取り部とを備え、前記成膜用ドラムへの基材の巻き出し供給、前記成膜用ドラムからの基材の巻き取りを行い、基材を連続的に搬送させながら、成膜を行うものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラムの被成膜領域部よりも後段、基材搬送室側に、成膜により発生した基材帯電を除去する基材帯除去部を備えたことを特徴とするものであり、該基材帯電除去部が、プラズマ放電装置であることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラムの被成膜領域部よりも前段、基材搬送室側に、プラズマ放電処理装置を備えていることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラムは、少なくとも、ステンレス、鉄、銅のいずれか1以上を含む材料により形成されていることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラムは、その表面が平均粗さRaが10nm以下であることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラムは、冷却媒体およびまたは、熱源媒体あるいはヒータを用いることにより、−20℃〜+200℃の間で一定温度に設定することができる温度調節部付きであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラムは、成膜する基材に覆われない領域部である非覆領域部を絶縁性とするものであることを特徴とするものであり、前記絶縁性の非覆領域部は、Al、Si、Ta、Ti、Nb、V、Bi、Y、W、Mo、Zr、Hfのいずれか1以上の酸化膜または窒化膜にて被膜されているとを特徴とするものである。
あるいはまた、前記絶縁性の非覆領域部を、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂のいずれか1の成形体またはテープまたはコーティング膜、あるいは、マイカテープにより被膜してあることを特徴とするものである。
尚、ここでは、イオンプレーティング成膜部とは、成膜室側に配されたイオンプレーティング成膜に寄与する構成を言い、イオンプレーティング成膜に寄与する各機能部を全て含む。
また、ここで、「成膜室と基材搬送室とが、圧力的に仕切られている」とは、基材を搬送させながら成膜作業をする際、成膜室と基材搬送室とが、成膜作業に必要な圧力範囲で、それぞれ個別に圧力を制御でき、実用レベルで、基材搬送室側から成膜室へのガスや水分の流入を防止でき、成膜室から基材搬送室側への蒸着材料の流入を防止できる状態であることを意味する。
また、ここで、「AおよびまたはB」とは、A、AとB、Bの全ての場合を含むものである。
本発明の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置は、このような構成にすることにより、電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置の提供を可能としている。
具体的には、真空チャンバー内に、成膜を行うための成膜室と基材を搬送するための基材搬送室とを有し、前記基材搬送室側には、成膜用ドラムを有し、且つ、該成膜用ドラムの一部を被成膜領域部として成膜室側に向け、突出させて設置している、基材を搬送するための基材搬送部を配し、前記成膜室側には、圧力勾配型プラズマガンを有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備え、基材を前記成膜用ドラムの周囲に沿わせて搬送し、沿わせた状態で成膜するもので、前記成膜室と前記基材搬送室との間は、前記成膜用ドラムの前記被成膜領域部の周辺を除き、前記成膜用ドラムと仕切り部により物理的に仕切られ、前記成膜室と前記基材搬送室とが、圧力的に仕切られているものであり、また、前記イオンプレーティング成膜部は、前記圧力勾配型プラズマガンが、前記被膜領域部における基板搬送方向の下流側に設けられて、成膜室の側面側から成膜用ドラムの基材幅方向に対して直交する方向でプラズマビームを入射させるもので、且つ、前記圧力勾配型プラズマガンの出口部に向けて突出させた前記真空チャンバーの短管部を配し、該短管部を包囲し、前記圧力勾配型プラズマガンからのプラズマビームの横断面を収縮させる収束コイルを備えており、前記プラズマビームを成膜室内に配置した蒸着材料の表面に導き、成膜用ドラムの被成膜領域部において基材の一面上に薄膜を形成するものであり、前記短管部内に、プラズマビームの周囲を取り囲み、電気的に浮遊状態の電子を帰還させる電子帰還電極を設けていることにより、これを達成している。
尚、幅広の基材に対して均一に成膜を行うため、前記圧力勾配型プラズマガン、それに付随する収束コイル、電子帰還電極等は、基材幅方向に対して複数台並列して設置することも可能である。
また、成膜室と基材搬送室とが、圧力的に仕切られていることにより、基材搬送室側から成膜室への基材から発生するガスや水分の流入を防止でき、成膜室から基材搬送室側への蒸着材料の流入を防止できものとしている。
基材から発生するガスや水分の成膜室の流入を避けることができ、成膜時に良質な膜が得られる利点がある。
そしてまた、基材搬送室を、成膜室とは独立して、真空圧10-1Pascal(以下、Paとも記載する)より高い真空度とでき、これにより、基材搬送室において、基材が帯電されることを有効に防止され、異常放電が生じることもなく、安定した成膜や基材搬送が可能となり、また基材搬送部に設置された部品にダメージを与えることがなく装置稼動できるものとしている。
基材搬送室は、真空排気ポンプ240により減圧され、その到達圧力は100Paから0.0001Pa、実際の成膜時も、100Paから0.0001Paの範囲で、かつプラズマの流れ込みを防ぐため、成膜室100の圧力よりも10倍から1000倍程度高真空であることが必要である。またプラズマによる異常放電を起こりにくくさせる観点から、基材搬送室は0.1Paよりも高真空、好ましくは0.01Paよりも高真空、さらに好ましくは0.001Pa以下であることが好ましい。
イオンプレーティング成膜部は、圧力勾配型プラズマガンが基材搬送方向の下流側に設けられて、成膜室の側面側から成膜用ドラムの基材幅方向に対して直交する方向でプラズマビームを入射させるもので、電子帰還電極を設けていることにより、プラズマガンにより形成されたプラズマビームにより発生され、基材表面あるいはその近傍に達し、更にプラズマガン側に戻る流れを形成する浮遊電子や反射電子を、速やかにプラズマガン側の電子帰還電極に戻すことが可能と成り、安定して長時間の成膜が可能となる。
特に、基材が搬送されながら成膜される場合は、基板表面近傍に接近した電子は、基板の搬送方向に対する運動エネルギーを受けたり、さらに基材表面への帯電により形成される新たな電場の発生に伴い、放電により形成される磁場、電場の影響だけでなく、基材搬送下流側(進行方向側のこと)へ移動しやすい性質を帯びている。
これら電子を効率よく帰還させるためには、電子帰還電極が基材の移動向きの下流側(進行方向側のこと)にあることで、電子はよりスムーズに吸収され電子帰還電極に吸収され、安定した成膜が可能となる。
成膜用ドラムの電位が、電子帰還電極の電位もしくは装置内の他の部品の電位よりも低く設定されると、成膜室で発生させたプラズマが電位差の大きいところに落ちてしまうことを防ぐためで、少なくとも、電子帰還電極の電位より高い電位に設定されていないと、安定した成膜ができなくなる。
ここで、電気的フローティングレベルとは、電気的に他の装置部品と絶縁性を保たれるよう装置が設計、構成されている状態を意味している。
絶縁性が確保されるよう設計されているにも関わらず、成膜ドラムの冷却や加熱等温度調節のために冷媒等が用いる場合には、その配管や冷媒が若干の導電性を有することに起因して、アースレベル(グラウンドレベル)を基準として、100Ω〜500Ωの抵抗を有している状態も本発明の範囲に含まれるものとする。
また、成膜用ドラム、圧力勾配型プラズマガン、電子帰還電極の各部間には、絶縁性の、あるいは、絶縁電位に保持された仕切板が設けられていることにより、各部間をまたぐように浮遊電子が移動することはなく成膜系を安定なものにできる。
この絶縁性確保により、プラズマが電気的に落ちることがなく、安定した成膜が可能となる。
基材帯電除去部としては、例えば、プラズマ放電装置が挙げられる。
具体的には、冷却媒体およびまたは、熱源媒体あるいはヒータを用いてその温度制御を行うことが簡単な方法として挙げられるが、特に、関連する機械部材(例えば、ベアリング等の耐熱部品)からの制約等、汎用性の面からは、これらにより、−20℃〜+200℃の間で一定温度に設定することができる温度調節部付きのものとし、その度制御特性(安定性)は成膜による熱負荷時で、設定温度±2℃以内に温度制御を行う態様が好ましい。
通常、プラスチックフィルムの表面粗さは、測定範囲に依存するが10nm〜50nm、特別に表面平坦性を持たせて加工した基材で5nm〜10nm、さらに表面にコーティング加工により平坦加工を施した場合で、5nm以下の表面平坦性をもつため、これら基材に対して熱伝導性を持たせるためには、上記範囲が好ましい。
絶縁性の非覆領域部としては、Al、Si、Ta、Ti、Nb、V、Bi、Y、W、Mo、Zr、Hfのいずれか1以上の酸化膜または窒化膜を被膜してあるものが挙げられる。
勿論、絶縁性の非覆領域部を、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂のいずれか1の成形体またはテーププまたはコーティング膜、あるいは、マイカテープにより被膜してあるものでも良い。
尚、コーティング膜は、ここでは、種々コーティング方法により形成されたもの全てで、塗装や焼結により形成された膜を含む。
特に、基材が帯状、長尺状で、ロール状に巻き取り、巻き出しができる場合において、能率的に且つ安定的に、成膜された基材を得ることができる圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置の提供を可能とした。
即ち、ロールから巻き出し、ロールに巻き取ることができるフィルム基材に対して、電気的絶縁性物質からなる薄膜を、連続的に、安定的、且つ効率的に成膜することができる真空成膜装置の提供を可能とした。
図1は本発明の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置の実施の形態の1例の構成断面図で、図2は成膜用ドラムと蒸着材料とプラズマガンとの位置関係を説明するための図で、図3(a)は図1のA1−A2における成膜用ドラムの断面図で、図3(b)は成膜用ドラムを成膜室側からみた外観図で、また、図3(a)のB1−B2における成膜用ドラム断面形状が図1に示す成膜用ドラム212の形状である。
尚、図1中、成膜用ドラム、基材巻き出し部、基材巻き取り部における各矢印は、それぞれの回転向きを示している。
また、図2は各部の平面的な位置関係を示した図である。
図1〜図3中、100は成膜室、101は短管部、110はプラズマガン(圧力勾配型プラズマガンとも言う)、111は第1中間電極、112は第2中間電極、116は陰極、120はハース、125はハース用磁石、130は蒸着材料、140は収束コイル、150は電子帰還電極、155はプラズマビーム形状制御部(プラズマビーム制御用磁石とも言う)、160は放電用ガス(ここではArガス)、165はプラズマビーム、170は防着板、171は開口、180は真空ポンプ、190は仕切り部、200は基材搬送室、210は基材搬送部、211は基材巻き出し部、212は成膜用ドラム、212Aは被成膜領域、212Bは非覆領域部、212aはドラム、212bは回転軸、212cは絶縁性のテープ、212dは回転軸受け、213は基材巻き取り部、214、215は搬送ロール、220は基材前処理部、230は基材後処理部(基材帯電除去部とも言う)、240は真空ポンプ、280は基材、280Wは基材幅方向、300は真空チャンバーである。
本例の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置は、帯状、長尺状で、ロール状に巻き取り、巻き出しができるフィルムからなる基材280の一面に薄膜を形成する真空成膜装置である。
1つの真空チャンバー300内に、成膜を行うための成膜室100と基材を搬送するための基材搬送室200とを有し、基材搬送室200側には、基材280をその周囲に沿わせて搬送し、基材を沿わせた状態で成膜する成膜用ドラム212と、基材280を成膜用ドラム212へ供給するための基材巻き出し部211と、基材280を成膜用ドラム212から巻き取るための基材巻き取り部213とを備え、且つ、成膜用ドラム212の一部を被成膜領域部212Aとして成膜室100側に向け、突出させている、基材280を搬送するための基材搬送部210を配しており、成膜室100側には、圧力勾配型のプラズマガン110を有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部(図番は示していない)を備えたものであり、成膜室100と基材搬送室200との間は、成膜用ドラム212の被成膜領域部212Aの周辺を除き、前記成膜用ドラム212と仕切り部190により物理的に仕切られ、成膜室100と基材搬送室200とが、圧力的に仕切られているもので、基材280の巻き出し供給、基材280の巻き取りを行い、基材280を連続的に搬送させながら、成膜を行うものである。
本例においては、特に、イオンプレーティング成膜部は、圧力勾配型プラズマガン110が、被膜領域部212Aにおける基材280の搬送方向の下流側に設けられて、成膜室100の側面側から成膜用ドラム212の基材幅方向に対して直交する方向でプラズマビーム165を入射させるもので、更に、短管部101内に、プラズマビーム165の周囲を取り囲み、電気的に浮遊状態の電子を帰還させる電子帰還電極150を設けており、これにより、プラズマガン110により形成されたプラズマビーム165により発生され、基材表面あるいはその近傍に達し、更にプラズマガン側に戻る流れを形成する浮遊電子(図示していない)を、速やかにプラズマガン110側の電子帰還電極150に戻すことが可能と成り、安定して長時間の成膜が可能となる。
尚、先にも述べたが、ここでは、イオンプレーティング成膜部とは、成膜室側に配されたイオンプレーティング成膜に寄与する構成を言い、イオンプレーティング成膜に寄与する各機能部を全て含む。
尚、広幅基材に対して均一に成膜するため、圧力勾配型プラズマガンや電子帰還電極等は基材幅方向に対して、並列に複数台設置してもよい。
本例のプラズマビーム形状制御部155は、一対の同極性同志(N極同士、あるいはS極同士)を対向させたシート状磁石を配置した構成で、これにより、蒸着材料に入射するプラズマビーム165をシート状にし、広幅の蒸着源を形成することで、広幅基材に対して均一に成膜できるようになっている。
また、このシート状磁石や蒸着源は、プラズマガンや電子帰還電極同様に基材幅方向に対して並列に設置してもよい。
これにより、不要部分への蒸着材料の付着を防止し、安定的に成膜用ドラム212の被成膜領域部212Aを覆う基材280へ均一な成膜を可能としている。
図2に示すように、圧力勾配型のプラズマガン110は、被膜領域部212Aにおける基材280の搬送方向の下流側に設けられて、成膜室100の側面側から成膜用ドラムの基材幅方向280Wに対して直交する方向でプラズマビーム165を入射させれる。
ここでは、基材280への成膜の均一性の面から、ハース120内の凹部に載置された蒸着材料130の形状は、成膜用ドラム212上の基材280の成膜する領域をカバーする長さに合わせた長さの略長方形で、ほぼ成膜用ドラム212の回転軸位置に合わせてある。
そして、入射されたプラズマビーム165はプラズマビーム形状制御部155により、シート状に幅広に広げられ、基材280の成膜する領域をカバーする長さの蒸着材料130全体に均一に入射され、全体に均一にエネルギーが供せられる。
この結果、蒸着材料130上部の成膜用ドラム212に沿う基材280へ幅方向均一に蒸着が行われる。
基材搬送室200は、真空排気ポンプ240により減圧され、その到達圧力は100Paから0.001Pa、実際の成膜時も、100Paから0.001Paの範囲で、かつプラズマの流れ込みを防ぐため、成膜室100の圧力よりも高真空(真空圧10-4Pa程度)であることが必要である。
またプラズマによる異常放電を起こりにくくさせる観点から、基材搬送室は0.1Paよりも高真空、好ましくは0.01Paよりも高真空、さらに好ましくは0.001Pa以下であることが好ましい。
基材搬送室200は、真空排気ポンプ240により減圧され、その到達圧力は100Paから0.0001Pa、実際の成膜時も、100Paから0.0001Paの範囲で、かつプラズマの流れ込みを防ぐため、成膜室100の圧力よりも10倍から1000倍程度高真空であることが必要である。
勿論、基材280から発生するガスや水分の成膜室110の流入を避けることができ、成膜時に良質な膜が得られる。
本例では、電子帰還電極150を蒸着材料130から離れた位置に設けて、蒸着材料130が電子帰還電極150に付着しにくくなっている。
これにより、不要部分への蒸着材料の付着を防止し、安定的に成膜用ドラム212の被成膜領域部212Aを覆う基材280へ均一な成膜を可能としている。
本例においては、成膜室100と前記基材搬送室200との間は、成膜用ドラム212の被成膜領域部212Aの周辺を除き、前記成膜用ドラム212と仕切り部190により物理的に仕切られ、成膜室100と基材搬送室200とが、圧力的に仕切られており、基板前処理部220、基材後処理部230による各処理の影響は成膜室100側へは及ばない。
基材前処理部220および基材後処理部230は、それぞれ、基材280表面の水分や有機物の付着除去、膜との密着性向上のための表面処理(表面粗面化または改質)や、帯電除去を行うことを目的として設置されが、プラズマ処理装置の他、電子線照射装置、赤外線ランプ、UVランプ、除電バー、グロー放電装置など、任意の処理装置を用いることが可能である。
プラズマ処理装置、グロー放電装置においては、基材280近傍領域でアルゴンや酸素、窒素、ヘリウムなどの放電ガスを単体または混合により供給し、放電を形成する。
放電の形式としては、ACプラズマ、DCプラズマ、マイクロウエーブ、表面波プラズマなど任意の方式が用いられる。
特に圧力勾配型イオンプレーティング方式による成膜装置においては、基材後処理部においては、帯電除去を行うことが重要である。
成膜後、基板後処理装置により帯電除去を行わないと、(1)フィルムがドラムに巻きつきスムーズな搬送ができないこと、(2)帯電電荷が成膜した膜の膜質劣化や基材の着色や物性劣化を引き起こすこと、(3)巻取ロールに電荷がたまり、ハンドリングや後加工が困難になることなどの問題が生じるため、帯電除去は必須である。
プラズマビーム165の発生機構や、制御されたプラズマビームを蒸着材料130へ入射して蒸着材料を蒸発させ基材280上に成膜する機構は基本的に、先に述べた図3に示すイオンプレーティング装置と全く同じである。
公知の圧力勾配型のプラズマガン110により、真空チャンバー300の成膜室100内にプラズマを発生させて、蒸発させる蒸着材料130上部、成膜室100の上側に配置した、成膜用ドラム212の被成膜領域部212Aへに沿うように覆った基材280上に蒸着により薄膜を形成するものである。
プラズマガン110は、放電電源115のマイナス側に接続された陰極116と、放電電源115のプラス側に抵抗を介して接続された環状の第1中間電極111、第2中間電極113を備え、陰極116側から放電ガスの供給を受け、前記放電ガスをプラズマ状態にして第2中間電極112から真空チャンバー300の成膜室100内に向けて流出させるような配置にされている。
真空チャンバー300の成膜室100は、真空ポンプ180により接続され、その内部は所定の減圧状態に保たれている。
また真空チャンバー300の第2中間電極112に向けて突出した短管部101の外側には、この短管部101を包囲するように収束コイル140が設けられている。
真空チャンバー300の成膜室100の下部には、放電電源115のプラス側に接続された導電性材料からなるハース120が載置されており、このハース120上の凹所に薄膜の材料となる導電性あるいは絶縁性の蒸着材料130が収められている。
ハース120の内部にはハース用磁石125が設けられている。
そして、第2中間電極112から蒸着原料130に向けてプラズマビーム165が形成され、蒸着原料130が蒸発され、基材280に付着し、薄膜が形成される。
本例では、第2中間電極112からプラズマビーム165が出た短管部101位置に、短管部101を包囲し、前記圧力勾配型のプラズマガン110からのプラズマビームの横断面を収縮させる収束コイル140を備えており、また、収束コイル140を通過し、収縮されたプラズマビーム165の形状を、基材280の幅方向にシート状、所定幅に広げて制御するプラズマビーム形状制御部155を備えており、第2中間電極112からのプラズマビーム165はその横断面を収縮されて、更に、基材280の幅方向にシート状、所定幅に広げて制御されて蒸着材料130へ均一にして入射される。
尚、ハース用磁石125はプラズマビーム165をハース120に導く作用をしている。
また、図示していないが、ハース120の蒸着材料を入れておく凹部は基材280の幅に合わせ、その幅方向に長手とし、蒸着材料130は該凹部長手方向に均一に載置されており、蒸着材料130は基材幅方向に均一に蒸発して、防着板170の開口171を通過して基材280上に成膜される。
これにより、安定的に、蒸着材料130への均一なエネルギ供給と、被成膜領域部212Aへの均一な成膜を可能としている。
このようにして、成膜されるが、成膜中、基材280は、成膜用ドラム212に沿い、成膜用ドラム212と共に回転し、その帯状の長手方向に連続して蒸着される。
成膜用ドラム212の回転に伴い基材280は搬送されて、帯状の長手方向に連続して成膜される。
成膜用ドラム212への基材280の供給は、基材巻き出し部211からガイドロール214を経て行われ、また、成膜用ドラム212からの基材280の排出は、成膜用ドラム212からガイドロール215を経て基材巻き取り部213により行われて、全体として基板搬送機構を形成するものである。
先にも述べたが、本例においては、基材搬送室側200に、成膜用ドラム212の被成膜領域部212Aよりも前段の位置に、プラズマ放電装置からなる基板前処理部220を備えており、これにより、基材280表面の水分や有機物の付着の除去を行うとともに、基材表面を粗化し、また、基材搬送室200側に、成膜用ドラム212の被成膜領域部212Aよりも後段の位置に、プラズマ放電装置からなる基材後処理部230を備えており、これにより、成膜により発生した基材の帯電を除去するため、安定して、良好に成膜された機材を得ることを可能としている。
基材搬送機構部210は、基材280に一定の張力(テンション)をかけながら基材280を搬送する。
通常、搬送系制御には、ACドライブシステムまたはDCドライブシステムを用い、少なくとも、成膜用ドラム212、基材巻き出し部211、基材巻取り部213に駆動用モーターを用い、また張力測定のための張力ピックアップロールが使用される。
搬送制御方法は、例えば、成膜用ドラム212をマスターロールとして設定し、張力ピックアップロール信号に用い、各モーターに必要なトルク信号を送り、基材搬送を制御する。
基材搬送にあたり必要な張力は、基材280の種類や厚み、物性により適宜変更され、結果として加工後、本例においては成膜後に、ロール端部の段ずれや表面、裏面でのしわ発生、傷つきなどがない状態で、加工前同様にロール状態に巻き取れるよう設定される。 基材280の搬送速度は駆動モーターやギヤを組み合わせることで最小毎分0.1mから最大毎分1000mの速度で搬送することが可能である。
尚、図1に示す成膜用ドラム212は、図3のB1−B2における断面を示したものである。
本例における成膜用ドラム212は、回転軸212bを中心に回転し、その周囲に沿わせた基材280を搬送するもので、搬送中、先にも述べたように、蒸発した蒸着材料130を防着板170の開口171を通過させて、成膜が行われ、成膜用ドラム212の基材280搬送とあいまって、帯状の基材280上に連続的に成膜を行うことができるのである。
本例においては、成膜用ドラム212としては、成膜の温度制御という面から、設定された温度を効率よく基材に伝え、耐熱性に優れ、かつ加工性に優れ、十分な物理強度を有する観点から、金属材料、とりわけステンレス、鉄、銅のいずれかを1以上を含む材料により形成しており、図示していないが、冷却媒体およびまたは、熱源媒体あるいはヒータ等を用いて、一定温度に設定することができる温度調節部を備えており、基材への熱ダメージを低減でき、安定した成膜が可能となる。
またその表面には保護のため硬質のクロム膜等を形成しても良い。
成膜ドラム212により、基材280の冷却および加熱が可能な構造である。
温度制御部は、汎用性があり、簡便に構成できる部材を用いる場合には、比較的簡単に、冷媒や熱媒等の冷却、加熱機構を用いることにより、−20℃〜+200℃の間で一定温度に設定することができる。
この場合、成膜完了後、成膜用ドラム212が冷却されたままであると、減圧下から大気圧に戻す際、ドラム表面(フィルム表面)に結露をおこすため、ドラムは加熱により冷却されたドラムを室温まで速やかに戻せるような構造であることが好ましい。
また、基材280が耐熱性を有する場合は、ドラムを200℃程度まで高温に加熱して使用する方法も好ましい。
基材280がフィルムに限らず、シリコンウエハー、ガラスの場合と同様に、成膜時の基材表面が高温であるほど、形成される膜は緻密で良好な膜となることは一般的に広く知られている。
これら冷却、加熱を行うには、例えば冷却源と加熱源を有する温度調節機を用い、温度媒体として、エチレングリコール水溶液やオイル等を用い、これらを温度調節機内で設定温度に調節した後、成膜ドラムに循環させる方法が好ましい。
この他、加熱方式として、赤外線ランプ、紫外線ランプ、ヒーターロールを単独もしくは併用により用いる方法も使用することができる。
ドラムが電気的にフローティングレベルに設定されている場合も、同様にドラムに電気の流れ込みを抑えることが可能となり、同様の効果をえることが可能である。
ここで電気的フローティングレベルとは、電気的に他の装置部品と絶縁性を保たれるよう装置が設計、構成されている状態を意味している。
絶縁性が確保されるよう設計されているにも関わらず、成膜ドラムの冷却や加熱等温度調節のために冷媒等が用いる場合には、その配管や冷媒が若干の導電性を有することに起因して、アースレベル(グラウンドレベル)を基準として、100Ω〜500Ωの抵抗を有している状態も本発明の範囲に含まれるものとする。
また成膜ドラムの側面や回転軸等、可能な限り絶縁被服を施し、電気流れ込みの原因となる金属表面が露出しない構造とすることが好ましい。
尚、成膜用ドラム212の表面は、基材280と接触した場合には、その表面全面が被成膜部に対して電気的に絶縁被服されてていることが好ましい。
このような構成により、成膜時の電力が流れ込むことを防ぐことが可能となり、安定した成膜が可能となる。
本例では、図2に示すように、成膜用ドラム212への成膜を防止するために、絶縁性テープ212cをドラム面と側面部に貼ってある。
基材280と絶縁性テープ212cとで、成膜用ドラム212の全面が覆われるように絶縁性テープ212cを貼る。
少なくとも、成膜用ドラム212の成膜する基材280に覆われない領域部である、非覆領域部212Bを絶縁性とするものである
温度制御するために、基材280の成膜領域は、直接ドラム面に接するようにする。
尚、基材280との密着性、基材280への熱伝導効率の面から、成膜用ドラム212の表面の平均粗さRaは、10nm以下、好ましくは5nm以下、更に好ましくは2nm以下がであることが好ましい。
表面には硬質クロムコートのような傷つき防止被服を施してもよい。
絶縁性の非覆領域部212Bとしては、Al、Si、Ta、Ti、Nb、V、Bi、Y、W、Mo、Zr、Hfのいずれか1以上の酸化膜または窒化膜にて被膜されているもの、あるいは、前記絶縁性の非覆領域部を、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂のいずれか1の成形体またはテープまたはコーティング膜、あるいは、マイカテープにより被膜してある。 この絶縁部を確保により、プラズマが電気的に落ちることがなく、安定した成膜が可能となる。
この場合、成膜用ドラム、圧力勾配型プラズマガン、電子帰還電極の各部間には、絶縁性の、あるいは、絶縁電位に保持された仕切板が設けられていることにより、各部間をまたぐように浮遊電子が移動することはなく、成膜系をより安定なものにできる。
<成膜例1>
図1および図2に示す、実施の形態例の圧力勾配型イオンプレーティング成膜装置を用いた。
成膜する蒸着材料130としてSiO2 (高純度化学製)、基材280としてポリエチレンテレフタレートフィルム(ユニチカ製、PET(商品名)、厚さ12μm、幅300mm、長さ2000m)を用意した。
基材280を装置にセットし、基材搬送室200、成膜室100内を真空排気ポンプにより5×10-4Paまで減圧した。
その後、成膜ドラム温度を0℃、基材280を10m/minで搬送させ、基材後処理部220であるプラズマ処理装置をアルゴンガス100sccmで放電させた。
次に、プラズマガン110に放電用ガス160としてアルゴンを10sccm流し、プラズマ初期放電を起こし、続いてプラズマ放電電流100Aまで上昇させ、成膜室100の圧力3×10-2Paにて、基材280の長さ1800mの成膜を行った
(評価)
基材搬送状態、成膜安定性、基材搬送室へのプラズマの漏れを目視で観察した。
上記の成膜によるサンプルを、成膜開始後、500m、1000m、1500m搬送した時点での形成された膜のSi量について、蛍光X線分析装置(RIX3100、理学電機工業株式会社製)により測定し、500m搬送時のSi強度に対する強度比により測定した。
結果を表に示す。
尚、数値は、成膜例1の500m搬送時のSi強度を1として規格化したものである。
図1および図2に示す、実施の形態例の圧力勾配型イオンプレーティング成膜装置において、圧力勾配型プラズマガンとこれに関連する、短管部101、収束コイル140、電子帰還電極150、プラズビーム形状制御部155等の機能部が、前記被膜領域部における基板搬送方向の上流側に設けられている成膜装置で、それ以外は、図1に示す圧力勾配型イオンプレーティング成膜装置と同じ構成の装置を用い、成膜例1と同様に成膜を実施した。
これに対し、比較例1の場合には、プラズマ安定性、プラズマシールの面で良好のものはなく、また、成膜例1に比べて、成膜品質が安定しているものは得られなかった。
これより、本発明の実施の形態例の圧力勾配型イオンプレーティング成膜装置が、帯状長尺状、ロールから巻き出し、ロールに巻き取ることができるフィルム基材に対して、電気的絶縁性物質からなる薄膜を、連続的に、安定的、且つ効率的に成膜することができる真空成膜装置であることが分かる。
12 真空チャンバー
12A 短管部
13 基板
14 放電電源
15 陰極
16 第1中間電極
17 第2中間電極
18 収束コイル
19 ハース
20 蒸着材料
21 ハース用磁石
22 プラズマビーム
22A 放電用ガス
24 真空排気部
100 成膜室
101 短管部
110 プラズマガン(圧力勾配型プラズマガンとも言う)
111 第1中間電極
112 第2中間電極
116 陰極
120 ハース
125 ハース用磁石
130 蒸着材料
140 収束コイル
150 電子帰還電極
155 プラズマビーム形状制御部(プラズマビーム制御用磁石とも言う)
160 放電用ガス(ここではArガス)
165 プラズマビーム
170 防着板
171 開口
180 真空ポンプ
190 仕切り部
200 基材搬送室
210 基材搬送部
211 基材巻き出し部
212 成膜用ドラム
212A 被成膜領域
212B 非覆領域部
212a ドラム
212b 回転軸
212c 絶縁性のテープ
212d 回転軸受け
213 基材巻き取り部
214、215 搬送ロール、
220 基材前処理部
230 基材後処理部
240 真空ポンプ
280 基材
280W 基材幅方向
300 真空チャンバー
Claims (15)
- イオンプレーティング法により基材の一面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、真空チャンバー内に、成膜を行うための成膜室と基材を搬送するための基材搬送室とを有し、前記基材搬送室側には、成膜用ドラムを有し、且つ、該成膜用ドラムの一部を被成膜領域部として成膜室側に向け、突出させて設置している、基材を搬送するための基材搬送部を配し、前記成膜室側には、圧力勾配型プラズマガンを有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備え、基材を前記成膜用ドラムの周囲に沿わせて搬送し、沿わせた状態で成膜するもので、前記成膜室と前記基材搬送室との間は、前記成膜用ドラムの前記被成膜領域部の周辺を除き、前記成膜用ドラムと仕切り部により物理的に仕切られ、前記成膜室と前記基材搬送室とが、圧力的に仕切られているものであり、また、前記イオンプレーティング成膜部は、前記圧力勾配型プラズマガンが、前記被膜領域部における基板搬送方向の下流側に設けられて、成膜室の側面側から成膜用ドラムの基材幅方向に対して直交する方向でプラズマビームを入射させるもので、且つ、前記圧力勾配型プラズマガンの出口部に向けて突出させた前記真空チャンバーの短管部を配し、該短管部を包囲し、前記圧力勾配型プラズマガンからのプラズマビームの横断面を収縮させる収束コイルを備えており、前記プラズマビームを成膜室内に配置した蒸着材料の表面に導き、成膜用ドラムの被成膜領域部において基材の一面上に薄膜を形成するものであり、前記短管部内に、プラズマビームの周囲を取り囲み、電気的に浮遊状態の電子を帰還させる電子帰還電極を設けていることを特徴とする圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
- 請求項1に記載の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記イオンプレーティング成膜部は、磁場およびまたは電場により、収束コイル内を通過して収束されたプラズマビームを制御して、蒸着材料に入射されるプラズマビームの形状を基材の幅方向にシート状に広幅にするプラズマビーム形状制御部を備えていることを特徴とする圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
- 請求項1ないし2のいずれか1項に記載の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラムは、前記電子帰還電極の電位よりも電気的に高い電位に設定されていることを特徴とする圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
- 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラムは電気的にフローティングレベルに設定されていることを特徴とする圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
- 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラム、前記圧力勾配型プラズマガン、前記電子帰還電極の各部間には、絶縁性の、あるいは、絶縁電位に保持された仕切板が設けられていることを特徴とする圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記基材搬送部は、基材を前記成膜用ドラムへ供給するための基材巻き出し部と、基材を前記成膜用ドラムから巻き取るための基材巻き取り部とを備え、前記成膜用ドラムへの基材の巻き出し供給、前記成膜用ドラムからの基材の巻き取りを行い、基材を連続的に搬送させながら、成膜を行うものであることを特徴とする圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラムの被成膜領域部よりも後段、基材搬送室側に、成膜により発生した基材帯電を除去する基材帯電除去部を備えたことを特徴とする圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
- 請求項7に記載の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記基材帯電除去部が、プラズマ放電装置であることを特徴とする圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
- 請求項1ないし8のいずれか1項に記載の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラムの被成膜領域部よりも前段、基材搬送室側に、プラズマ放電処理装置を備えていることを特徴とする圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
- 請求項1ないし9のいずれか1項に記載の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラムは、少なくとも、ステンレス、鉄、銅のいずれか1以上を含む材料により形成されていることを特徴とする圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
- 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラムは、その表面が平均粗さRaが10nm以下であることを特徴とする圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
- 請求項1ないし11のいずれか1項に記載の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラムは、冷却媒体およびまたは、熱源媒体あるいはヒータを用いることにより、−20℃〜+200℃の間で一定温度に設定することができる温度調節部付きであることを特徴とする巻取式圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
- 請求項1ないし12のいずれか1項に記載の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記成膜用ドラムは、成膜する基材に覆われない領域部である非覆領域部を、絶縁性とするものであることを特徴とする圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
- 請求項13に記載の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記絶縁性の非覆領域部は、Al、Si、Ta、Ti、Nb、V、Bi、Y、W、Mo、Zr、Hfのいずれか1以上の酸化膜または窒化膜にて被膜されていることを特徴とする圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
- 請求項13に記載の圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置であって、前記絶縁性の非覆領域部を、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂のいずれか1の成形体またはテープまたはコーティング膜、あるいは、マイカテープにより被膜してあることを特徴とする圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
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JP4613046B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2011-01-12 | 大日本印刷株式会社 | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 |
JP4613048B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-01-12 | 大日本印刷株式会社 | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 |
JP4613050B2 (ja) * | 2004-11-04 | 2011-01-12 | 大日本印刷株式会社 | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 |
JP4613056B2 (ja) * | 2004-12-13 | 2011-01-12 | 大日本印刷株式会社 | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置および成膜方法 |
CN108570588B (zh) * | 2018-05-17 | 2019-02-22 | 河北工业大学 | 一种汽车顶盖用高硬耐蚀表面自洁净镁合金及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000017430A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-18 | Dainippon Printing Co Ltd | ITO膜形成方法およびSiOx膜形成方法 |
JP2000087225A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空成膜装置 |
JP2000272044A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Dainippon Printing Co Ltd | 透明バリアフィルムとその作製方法、作製装置、及びこれを用いた積層材及び包装容器 |
JP2006104568A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 |
JP2006111942A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 |
JP2006111931A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0734332B2 (ja) * | 1986-03-12 | 1995-04-12 | 株式会社ト−ビ | 透明導電性フイルムの製造方法 |
JPH02267267A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-11-01 | Tonen Corp | フィルムへの薄膜形成方法およびその装置 |
JPH07109571A (ja) * | 1993-08-17 | 1995-04-25 | Toppan Printing Co Ltd | 電子ビーム式連続蒸着装置 |
-
2004
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000017430A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-18 | Dainippon Printing Co Ltd | ITO膜形成方法およびSiOx膜形成方法 |
JP2000087225A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空成膜装置 |
JP2000272044A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Dainippon Printing Co Ltd | 透明バリアフィルムとその作製方法、作製装置、及びこれを用いた積層材及び包装容器 |
JP2006104568A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 |
JP2006111942A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 |
JP2006111931A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 |
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