JP5333708B2 - イオンビームの流れに乗った粒子の静電捕捉システム - Google Patents
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Description
本装置およびそれに関連する方法は、パッケージングのような半導体製造における最終工程の分野で使用することができ、リードフレームストリップがキャリアに載置されている時に、その正確な数を提供するために検査するものである。
Claims (10)
- 注入ステーション(108、216)に配置された基板を処理するイオン(106、228)を放出するイオン源(104)と、
適切な質量のイオンを注入軌道に偏向する分析磁石システム(212)と、
この分析磁石システムから偏向したイオンの流れに伴う粒子の輸送を抑止する捕捉システム(102)とを備え、
前記捕捉システムは、イオンビームの極性とは逆の第1の極性を有する電位に保持され、第1電界(120)を発生し、前記イオンビーム(106、228)の流れに乗った粒子が、偏向されたイオンから形成される前記イオンビームに一致する極性に荷電される第1電極(252)と、
前記イオンビーム(106、228)の輸送方向において前記第1電極(252)に対して下流側に配置され、前記第1の極性とは逆の第2の極性を有する電位に保持され、荷電された前記粒子を反発するために第2電界(122)を発生する第2電極(254)とを有しており、
前記イオンビームの輸送方向において前記捕捉システムに対して下流側に配置されたイオンビーム加速システム(110)と、
前記注入ステーション(108、216)に支持され、前記捕捉システム(102)からのイオンを使用して処理される基板(W)とをさらに備え、前記基板における粒子汚染が軽減されることを特徴とするイオン注入システム。
- 前記第1の極性は負であり、前記第1電界(26、28)は、負のポテンシャル井戸を形成し、前記第2の極性は正であり、前記第2電界(30、32)は、前記負のポテンシャル井戸に隣接する正のポテンシャル障壁を形成し、前記正のポテンシャル障壁は、荷電された前記粒子(60)のさらなる下流への輸送を抑止することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記イオンビームは、正イオンビームであり、前記第1電極は、前記第1電界(26、28)を発生し、前記イオンビーム(44)の流れに乗った粒子(60)を前記第1電界の領域において正の極性に荷電するための負電極(14)であり、前記第2電極は、前記イオンビーム(44)の輸送方向の下流側において前記負電極(14)に隣接し、正に荷電された前記粒子(60)を反発して前記輸送方向から離すための前記第2電界(30、32)を発生する正電極(16)であることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記捕捉システム(102)は、前記第1電極(252)の上流側の近傍にこの第1電極から離れて配置され、前記第1、第2電極(252、254)の少なくとも1つによって発生する電界への、プラズマの下流方向の輸送を抑止するための第1の接地電極(250)をさらに含んでいることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記捕捉システム(102)は、正電極(254)の下流側の近傍にこの正電極に離れて配置される第2の接地電極(256)をさらに含み、前記第1、第2の接地電極(250、256)は、前記正電極および負電極(252、254)によって発生する電界を集合的に保持することを特徴とする請求項4に記載のシステム。
- 前記正電極および負電極(250、252、254、256)は、それぞれの電極を同軸に貫通する中央開口部(38、40)を有する環状電極からなり、偏向されたイオンは、前記環状電極の開口部を通過することを特徴とする請求項5に記載のシステム。
- 前記第2の接地電極(254)に対して下流側に離れて配置された加速電極(260)をさらに含み、この加速電極は、前記注入ステーション(108、216)での処理のために所望のエネルギーレベルまでイオンを加速するために十分な電圧であることを特徴とする請求項5に記載のシステム。
- イオン注入システムにおいてイオンビームに伴う粒子の輸送を抑止する方法であって、
イオン源(104)でイオン(106、228)を生成し、該イオンを前記イオン源から放出するステップと、
分析磁石システム(212)を使用して適切な質量のイオンを注入軌道に偏向するステップと、
捕捉システム(102)を使用して前記分析磁石システムから偏向したイオンの流れに伴う粒子の輸送を抑止するステップとを備え、
前記粒子の輸送を抑止するステップは、
イオンビーム(44)の経路中に第1電界(26、28)を発生するステップと、
前記イオンビーム(44)中の粒子を、前記第1電界(26、28)の領域において、前記イオンビーム(44)に一致する極性に荷電するステップと、
前記イオンビーム(44)の経路中において、前記第1電界(26、28)に対して下流側に設けられ、荷電された前記粒子(60)の少なくとも一部を前記イオンビームから反発して離すために、前記第1電界(26、28)を発生させるために使用された極性とは逆の極性を有する電位によって発生される第2電界(30、32)を発生するステップとを含んでおり、
前記イオンビームの加速及び減速のいずれか一方または両方を実行するために、イオンビーム加速システム(110)を、前記イオンビームの輸送方向において前記捕捉システムに対して下流側に配置するステップをさらに備えることを特徴とする方法。
- 前記第1電界(26、28)と隣接する磁界との間に、プラズマ(52)の前記第1電界(26、28)内への輸送を抑止するために、中性電位の電界を発生するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記第1、第2電界(26、28、30、32)を、捕捉領域内に保持するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項9に記載の方法。
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