KR100510559B1 - 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리 - Google Patents

이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리 Download PDF

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KR100510559B1 KR10-2003-0100495A KR20030100495A KR100510559B1 KR 100510559 B1 KR100510559 B1 KR 100510559B1 KR 20030100495 A KR20030100495 A KR 20030100495A KR 100510559 B1 KR100510559 B1 KR 100510559B1
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Abstract

이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리를 제공한다. 본 발명은 그라운드 전극과, 이온빔이 발생되는 소스부측의 상기 그라운드 전극의 전면에 도입되는 제1 서프레션 전극과, 상기 그라운드 전극의 후면에 도입되는 제2 서프레션 전극과, 상기 제1 서프레션 전극과 제2 서프레션 전극을 전기적으로 연결하고 기계적으로 지지하는 연결 레그와, 상기 그라운드 전극과 제2 서프레션 전극 사이에 전기적 절연을 위해 설치된 절연 부재를 포함하여 구성된다. 이에 따라, 본 발명은 상기 그라운드 전극과 서프레션 전극간을 절연시키는 절연 부재의 저항 감소를 방지하여 서프레션 전극의 증가를 최소화함으로써 예방 정비 주기를 길게 할 수 있다.

Description

이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리{Manipulator assembly in ion implanter}
본 발명은 반도체 소자 제조에 이용되는 이온 주입 장비(ion implanter)에 관한 것으로, 특히, 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리(manipulator assembly)에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조시에 불순물을 반도체 웨이퍼(wafer)에 도핑(doping)하기 위해서, 이온 주입 장비가 이용되고 있다. 이온 주입 장비는 반도체 웨이퍼에 주입될 이온빔을 발생시키는 소오스부 및 이러한 이온빔들을 포커싱하는 매니퓰레이터 어셈블리를 포함하여 구성된다. 매니퓰레이터 어셈블리를 통과한 이온빔은 다양한 필터링 과정을 거쳐 반도체 웨이퍼 상에 주입된다.
도 1은 종래 기술에 의한 이온 주입 장비의 소스부 및 매니퓰레이터 어셈블리를 설명하기 위하여 도시한 개략도이고, 도 2는 도 1의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리를 도시한 사시도이다.
구체적으로, 이온 주입 장비는 이온빔을 발생시키는 소스부(100) 및 상기 소스부(100)에 인접하여 상기 이온빔을 포커싱하는 매니퓰레이터 어셈블리(200)를 포함한다.
상기 소스부(100)는 공급된 소스 기체를 공급하여 아크 방전시켜 이온빔(ion beam, IB)을 발생시키는 아크 챔버(102)를 포함한다. 상기 발생된 이온빔(IB)은 상기 아크 챔버(102)의 일측에 마련된 제1 홀(104)을 통하여 배출된다.
상기 매니퓰레이터 어셈블리(200)는 그라운드 전극(ground electrode, 202)을 포함한다. 상기 그라운드 전극(202)의 좌측 및 우측에는 각각 일정 거리 이격되어 제1 서프레션 전극(204) 및 제2 서프레션 전극(206)이 위치한다. 상기 제1 서프레션 전극(204) 및 제2 서프레션 전극(206)은 연결 레그(connection leg, 208)를 통하여 전기적으로 연결되고 서로 지지된다. 상기 그라운드 전극(202)과 제1 서프레션 전극(204)간의 거리는 L1로 유지하고, 상기 그라운드 전극(202)과 제2 서프레션 전극(206)간의 거리는 L2로 유지한다. 상기 L1보다는 L2가 길게 구성되어 있다.
상기 제1 서프레션 전극(204)과 그라운드 전극(202) 사이에는 절연 부재(210)가 위치한다. 상기 이온 주입시 서프레션 전극(204, 206)과 그라운드 전극(202) 사이의 전압차는 약 5kV로 유지한다. 상기 그라운드 전극(202)의 일측에는 이온빔(IB)이 그라운드 전극(202)에 부착되지 않도록 그라운드 쉴드(212)가 부착되어 있다.
상기 소스부(100)에서 발생된 이온빔(IB)은 상기 아크 챔버(102)의 일측에 마련된 제1 홀(104)을 통하여 상기 매니퓰레이터 어셈블리(200)의 제1 서프레션 전극(204)에 마련된 제2홀(214)에 공급된다. 상기 제2 홀(214)에 공급된 이온빔(IB)은 그라운드 전극(202)에 설치된 제3홀(216) 및 상기 그라운드 쉴드(212)에 설치된 제4홀(218)을 연속적으로 통과함으로써 제어 및 포커싱되어 방출된다.
도 3은 도 1 및 도 2의 이온 주입 장비의 사용시간에 따른 서프레션 전류 변화를 도시한 그래프이다.
구체적으로, 앞서 설명한 바와 같이 도 1 및 도 2의 종래의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리는 두 개의 전극, 즉, 제1 서프레션 전극(204)과 그라운드 전극(202) 사이를 절연 부재(210)를 이용하여 전기적 절연을 이룬다. 상기 제1 서프레션 전극(204)과 그라운드 전극(202) 사이는 앞서 설명한 바와 같이 5kV 정도의 전압차를 유지한다. 그런데, 상기 이온 주입 장비를 이용하여 복수개의 반도체 웨이퍼들에 불순물을 주입하면 할수록, 즉 이온 주입 장비의 사용 시간이 증가할수록 상기 절연 부재(210)에 이온빔이 증착된다. 상기 절연 부재(210)에 이온빔이 증착되면 저항이 감소되어 도 3의 ◇로 표시한 바와 같이 서프레션 전류가 증가하는 문제점이 발생한다. 이렇게 서프레션 전류가 증가할 경우 주기적으로 상기 매니퓰레이터 어셈블리를 분해하여 예방 정비를 해야 한다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 문제점을 해결하기 위하여 창안한 것으로써, 서프레션 전극과 그라운드 전극 사이의 절연 부재에 이온빔이 증착되는 것을 억제하여 서프레션 전류가 증가하는 것을 억제할 수 있는 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리(manipulator assembly)를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 예에 의한 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리는 그라운드 전극과, 이온빔이 발생되는 소스부측의 상기 그라운드 전극의 전면에 도입되는 제1 서프레션 전극과, 상기 그라운드 전극의 후면에 도입되는 제2 서프레션 전극과, 상기 제1 서프레션 전극과 제2 서프레션 전극을 전기적으로 연결하고 기계적으로 지지하는 연결 레그와, 상기 그라운드 전극과 제2 서프레션 전극 사이에 전기적 절연을 위해 설치된 절연 부재를 포함하여 구성된다.
상기 제2 서프레션 전극측으로 상기 그라운드 전극의 일측에 이온빔이 증착되는 것을 방지하기 위한 그라운드 쉴드가 더 설치되어 있을 수 있다. 상기 그라운드 전극과 제2 서프레션 전극간의 거리는 상기 그라운드 전극과 상기 제1 서프레션 전극과의 거리보다 길게 구성할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 예에 의한 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리는 그라운드 전극과, 이온빔이 발생되는 소스부측의 상기 그라운드 전극의 전면에 도입되는 제1 서프레션 전극과, 상기 그라운드 전극의 후면에 도입되는 제2 서프레션 전극과, 상기 제1 서프레션 전극과 제2 서프레션 전극을 전기적으로 연결하고 기계적으로 지지하는 연결 레그와, 상기 그라운드 전극과 제2 서프레션 전극 사이에 전기적 절연을 위해 설치된 절연 부재와, 상기 절연 부재의 주위에 이온빔이 증착되지 않도록 설치된 컵 쉴드를 포함하여 구성된다.
상기 컵 쉴드는 상기 그라운드 전극에 설치된 제1 컵 쉴드와, 상기 제2 서프레션 전극에 설치된 제2 컵 쉴드로 구성될 수 있다. 상기 제2 서프레션 전극측으로 상기 그라운드 전극의 일측에 이온빔이 증착되는 것을 방지하기 위한 그라운드 쉴드가 더 설치되어 있을 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리는 상기 그라운드 전극과 서프레션 전극간을 절연시키는 절연 부재의 저항 감소를 방지하여 서프레션 전극의 증가를 최소화함으로써 예방 정비 주기를 길게 할 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.
도 4는 본 발명에 의한 이온 주입 장비의 소스부 및 매니퓰레이터 어셈블리를 설명하기 위하여 도시한 개략도이고, 도 5는 도 4의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리를 도시한 사시도의 일 예이다.
구체적으로, 본 발명의 이온 주입 장비는 이온빔을 발생시키는 소스부(300) 및 상기 소스부(300)에 인접하여 상기 이온빔을 포커싱하는 매니퓰레이터 어셈블리(400)를 포함한다.
상기 소스부(300)는 공급된 소스 기체를 공급하여 아크 방전시켜 이온빔(ion beam, IB)을 발생시키는 아크 챔버(302)를 포함한다. 상기 발생된 이온빔(IB)은 상기 아크 챔버(302)의 일측에 마련된 제1 홀(304)을 통하여 배출된다.
상기 매니퓰레이터 어셈블리(400)는 그라운드 전극(ground electrode, 402)을 포함한다. 상기 그라운드 전극(402)은 그라파이트(graphite) 등으로 이루어진다. 상기 그라운드 전극(402)의 좌측 및 우측에는 각각 일정 거리 이격되어 제1 서프레션 전극(404) 및 제2 서프레션 전극(406)이 위치한다. 즉, 제1 서프레션 전극(404)은 이온빔이 발생되는 소스부(300)측으로 상기 그라운드 전극(402)의 전면에 위치한다. 상기 제2 서프레션 전극(406)은 상기 그라운드 전극(402)의 후면에 위치한다.
상기 제1 서프레션 전극(404) 및 제2 서프레션 전극(406)은 연결 레그(408)을 통하여 전기적으로 연결되고 기계적으로 지지된다. 상기 그라운드 전극(402)과 제1 서프레션 전극(404)간의 거리(L1)와, 상기 그라운드 전극(402)과 제2 서프레션 전극(406)간의 거리(L2)는 종래의 매니퓰레이터 어셈블리와 비교하여 동일하게 구성한다.
특히, 본 발명의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리는 종래 기술과 다르게 상기 제2 서프레션 전극(406)과 그라운드 전극(402) 사이에 절연 부재(410)가 위치한다. 상기 이온 주입시 서프레션 전극(404, 406)과 그라운드 전극(402) 사이의 전압차는 약 5kV로 유지한다. 즉, 상기 서프레션 전극(404, 406)에는 -5kV의 전압을 인가하고, 그라운드 전극(402)은 그라운드시켜 전압차를 유치한다. 상기 그라운드 전극(402)의 일측에는 이온빔(IB)이 그라운드 전극(402)에 부착되지 않도록 그라운드 쉴드(412)가 부착되어 있다.
상기 소스부(300)에서 발생된 이온빔(IB)은 상기 아크 챔버(302)의 일측에 마련된 제1 홀(304)을 통하여 상기 매니퓰레이터 어셈블리(400)의 제1 서프레션 전극(404)의 중앙부분에 마련된 제2 홀(414)에 공급된다. 상기 제2 홀(414)에 공급된 이온빔(IB)은 그라운드 전극(402)에 설치된 제3 홀(416) 및 상기 그라운드 쉴드(412)에 설치된 제4 홀(418)을 연속적으로 통과함으로써 제어 및 포커싱되어 방출된다.
그런데, 본 발명의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리는 앞서 설명한 바와 같이 상기 그라운드 전극(402)과 제1 서프레션 전극(404)간의 거리(L1)와, 상기 그라운드 전극(402)과 제2 서프레션 전극(406)간의 거리(L2)는 종래의 매니퓰레이터 어셈블리와 비교하여 동일하게 구성한다. 그리고, 서프레션 전극(404, 406)과 그라운드 전극(402) 사이의 전기적 절연을 제2 서프레션 전극(406)과 그라운드 전극(402) 사이에 설치한 절연 부재(410)를 이용하여 수행한다.
이렇게 제2 서프레션 전극(406)과 그라운드 전극(402) 사이에 설치한 절연 부재(410)를 설치하면, 종래에 비해 절연 부재(410)의 길이를 길게 가져갈 수 있기 때문에 종래 기술에 비해 절연 부재(410)의 저항을 증가시킬 수 있어 예방 정비 주기를 증가시킬 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 이온 주입 장비를 이용하여 복수개의 반도체 웨이퍼들에 불순물을 주입하여 상기 절연 부재(410)에 이온빔이 증착되더라도 절연 부재(410)의 저항이 크기 때문에 종래 기술에 비하여 예방 정비 주기를 길게 가져 갈 수 있다.
이하에서는, 도 4의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리를 보다 자세히 설명하기 위하여 다양한 사시도 및 단면도를 제시한다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리를 도시한 사시도의 다른 예들이다.
구체적으로, 도 6 및 도 7에서, 도 4 및 도 5와 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타내며, 설명의 편의상 그라운드 쉴드는 도시하지 않았다. 도 6은 제1 서프레션 전극(404)이 상측에 위치하는 도면이며, 도 7은 제2 서프레션 전극(406)이 상측에 위치하는 도면이다. 앞서 설명한 바와 같이 서프레션 전극(404, 406)과 그라운드 전극(402) 사이의 전기적 절연을 제2 서프레션 전극(406)과 그라운드 전극(402) 사이에 설치한 절연 부재(410)를 이용하여 수행한다. 상기 절연 부재(410)는 도 6 및 도 7에서는 일측에 설치된 3개의 기둥 형태로 구현하였으나, 타측에 3개를 구현할 수도 있다.
도 8은 본 발명의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리의 설명하기 위한 개략도이고, 도 9는 본 발명의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리의 절연 부재의 컵 쉴드를 설명하기 위한 단면 개략도이다.
구체적으로, 도 8 및 도 9에서, 도 4 및 도 5와 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타낸다. 도 8에 도시된 바와 같이 그라운드 전극(402)의 좌측 및 우측에 각각 제1 서프레션 전극(404) 및 제2 서프레션 전극(406)이 위치한다. 상기 제1 서프레션 전극(404)과 제2 서프레션 전극(406)간은 연결 레그(408)를 통하여 전기적으로 연결된다. 앞서 설명한 바와 같이 서프레션 전극(404, 406)과 그라운드 전극(402) 사이의 전기적 절연을 제2 서프레션 전극(406)과 그라운드 전극(402) 사이에 설치한 절연 부재(410)를 이용한다.
특히, 도 9에 도시한 바와 같이 제2 서프레션 전극(406)과 그라운드 전극(402) 사이에 설치한 절연 부재(410)의 주위에 이온 주입 중에 이온빔이 증착되는 것을 방지하기 위한 컵 쉴드(420, 422)가 설치되어 있다. 상기 컵 쉴드(420)는 그라운드 전극(402)에 설치된 제1 컵 쉴드(420)와, 제2 서프레션 전극(406)에 설치된 제2 컵 쉴드(422)로 구성된다. 상기 제1 컵 쉴드(420)와 제2 컵 쉴드(422)는 전기적으로 절연되어 있다. 이렇게 절연 부재(410)의 주위에 컵 쉴드(422)가 설치되면 절연 부재(410)에 이온빔이 증착되지 않아 저항의 감소를 방지할 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리는 상기 그라운드 전극(402)과 서프레션 전극(404, 406)간의 거리는 종래 기술과 동일하게 유지하면서 제2 서프레션 전극(406)과 그라운드 전극(402) 사이에 절연 부재(410)를 설치하여 절연 부재(410)의 저항을 증가시킨다. 더하여, 상기 절연 부재(410)의 주위에 컵 쉴드(422)를 설치하여 절연 부재(410)에 이온빔이 증착되지 않도록 하여 저항 감소를 최소화한다.
결과적으로, 본 발명의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리는 상기 그라운드 전극(402)과 서프레션 전극(404, 406)간을 절연시키는 절연 부재(410)의 저항 감소를 방지하여 예방 정비 주기를 길게 할 수 있다.
상술한 바와 같이 이상과 같이 본 발명의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리는 제2 서프레션 전극과 그라운드 전극 사이에 절연 부재를 설치하여 절연 부재의 저항을 종래보다 증가시킨다. 더하여, 본 발명의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리는 절연 부재의 주위에 컵 쉴드를 설치하여 절연 부재에 이온빔이 증착되지 않도록 하여 저항 감소를 최소화한다.
이에 따라, 본 발명의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리는 상기 그라운드 전극과 서프레션 전극간을 절연시키는 절연 부재의 저항 감소를 방지하여 서프레션 전극의 증가를 최소화함으로써 예방 정비 주기를 길게 할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 이온 주입 장비의 소스부 및 매니퓰레이터 어셈블리를 설명하기 위하여 도시한 개략도이고,
도 2는 도 1의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리를 도시한 사시도이고,
도 3은 도 1 및 도 2의 이온 주입 장비의 사용시간에 따른 서프레션 전류 변화를 도시한 그래프이고,
도 4는 본 발명에 의한 이온 주입 장비의 소스부 및 매니퓰레이터 어셈블리를 설명하기 위하여 도시한 개략도이고,
도 5는 도 4의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리를 도시한 사시도의 일 예이고,
도 6 및 도 7은 본 발명의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리를 도시한 사시도의 다른 예들이고,
도 8은 본 발명의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리의 설명하기 위한 개략도이고,
도 9는 본 발명의 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리의 절연 부재의 컵 쉴드를 설명하기 위한 단면 개략도이다.

Claims (11)

  1. 그라운드 전극;
    이온빔이 발생되는 소스부측의 상기 그라운드 전극의 전면에 도입되는 제1 서프레션 전극;
    상기 그라운드 전극의 후면에 도입되는 제2 서프레션 전극;
    상기 제1 서프레션 전극과 제2 서프레션 전극을 전기적으로 연결하고 기계적으로 지지하는 연결 레그; 및
    상기 그라운드 전극과 제2 서프레션 전극 사이에 전기적 절연을 위해 설치된 절연 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 서프레션 전극측으로 상기 그라운드 전극의 일측에 이온빔이 증착되는 것을 방지하기 위한 그라운드 쉴드가 더 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리.
  3. 제1항에 있어서, 상기 그라운드 전극과 제2 서프레션 전극간의 거리는 상기 그라운드 전극과 상기 제1 서프레션 전극과의 거리보다 긴 것을 특징으로 하는 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리.
  4. 그라운드 전극;
    이온빔이 발생되는 소스부측의 상기 그라운드 전극의 전면에 도입되는 제1 서프레션 전극;
    상기 그라운드 전극의 후면에 도입되는 제2 서프레션 전극;
    상기 제1 서프레션 전극과 제2 서프레션 전극을 전기적으로 연결하고 기계적으로 지지하는 연결 레그; 및
    상기 그라운드 전극과 제2 서프레션 전극 사이에 전기적 절연을 위해 설치된 절연 부재; 및
    상기 절연 부재의 주위에 이온빔이 증착되지 않도록 설치된 컵 쉴드를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리.
  5. 제4항에 있어서, 상기 컵 쉴드는 상기 그라운드 전극에 설치된 제1 컵 쉴드와, 상기 제2 서프레션 전극에 설치된 제2 컵 쉴드로 구성되는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제2 서프레션 전극측으로 상기 그라운드 전극의 일측에 이온빔이 증착되는 것을 방지하기 위한 그라운드 쉴드가 더 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리.
  7. 제4항에 있어서, 상기 그라운드 전극과 제2 서프레션 전극간의 거리는 상기 그라운드 전극과 상기 제1 서프레션 전극과의 거리보다 긴 것을 특징으로 하는 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리.
  8. 그라운드 전극;
    이온빔이 발생되는 소스부측의 상기 그라운드 전극의 전면에 도입되는 제1 서프레션 전극;
    상기 그라운드 전극의 후면에 도입되는 제2 서프레션 전극;
    상기 제2 서프레션 전극측으로 상기 그라운드 전극의 일측에 이온빔이 증착되는 것을 방지하기 위해 설치된 그라운드 쉴드;
    상기 제1 서프레션 전극과 제2 서프레션 전극을 전기적으로 연결하고 기계적으로 지지하는 연결 레그;
    상기 그라운드 전극과 제2 서프레션 전극 사이에 전기적 절연을 위해 설치된 절연 부재; 및
    상기 절연 부재의 주위에 이온빔이 증착되지 않도록 설치된 컵 쉴드를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리.
  9. 제8항에 있어서, 상기 그라운드 전극과 제2 서프레션 전극간의 거리는 상기 그라운드 전극과 상기 제1 서프레션 전극과의 거리보다 긴 것을 특징으로 하는 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리.
  10. 중앙 부분에 이온빔이 통과하는 제1 홀을 갖는 그라운드 전극;
    상기 그라운드 전극의 전면에 도입되고 이온빔이 통과하는 제2홀을 갖는 제1 서프레션 전극;
    상기 그라운드 전극의 후면에 도입되고, 이온빔이 통과하는 제3홀을 갖는 제2 서프레션 전극;
    상기 제2 서프레션 전극측으로 상기 그라운드 전극의 일측에 이온빔이 증착되는 것을 방지하기 위해 설치된 그라운드 쉴드;
    상기 제1 서프레션 전극과 제2 서프레션 전극을 전기적으로 연결하고 기계적으로 지지하는 연결 레그; 및
    상기 그라운드 전극과 제2 서프레션 전극 사이에 전기적 절연을 위해 설치된 절연 부재; 및
    상기 절연 부재의 주위에 이온빔이 증착되지 않도록 설치된 컵 쉴드를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리.
  11. 제10항에 있어서, 상기 그라운드 전극과 제2 서프레션 전극간의 거리는 상기 그라운드 전극과 상기 제1 서프레션 전극과의 거리보다 긴 것을 특징으로 하는 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리.
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