KR20090019824A - 플라즈마 처리 챔버 내에서 언컨파인먼트 사고를 방지하는 방법 및 장치 - Google Patents

플라즈마 처리 챔버 내에서 언컨파인먼트 사고를 방지하는 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090019824A
KR20090019824A KR1020087029931A KR20087029931A KR20090019824A KR 20090019824 A KR20090019824 A KR 20090019824A KR 1020087029931 A KR1020087029931 A KR 1020087029931A KR 20087029931 A KR20087029931 A KR 20087029931A KR 20090019824 A KR20090019824 A KR 20090019824A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
plasma processing
dielectric
processing chamber
shielding structure
Prior art date
Application number
KR1020087029931A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101475957B1 (ko
Inventor
안드레아스 피셔
라진더 딘드사
Original Assignee
램 리써치 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 램 리써치 코포레이션 filed Critical 램 리써치 코포레이션
Publication of KR20090019824A publication Critical patent/KR20090019824A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101475957B1 publication Critical patent/KR101475957B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49718—Repairing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

플라즈마 언컨파인먼트 사건의 발생을 감소 및/또는 방지하는 기술 및 장치는, 챔버 구성 요소들 사이 및 RF 전류 경로에 배치된 갭을 유전체 차폐 구조로 차폐하는 것, 뾰족한 구성 요소 구조를 유전체 차폐 구조로 차폐하는 것, 및 플라즈마에 대한 최악의 경우의 디바이 길이 (Debye Length) 보다 작은 인접 플라즈마 한정 링들의 쌍들 사이의 갭을 유지시키는 것 중 하나 이상을 포함한다.
Figure P1020087029931
플라즈마 언컨파인먼트, 플라즈마 점화, 플라즈마 처리 시스템, 유전체 차폐 구조

Description

플라즈마 처리 챔버 내에서 언컨파인먼트 사고를 방지하는 방법 및 장치{METHODS AND APPARATUS FOR PREVENTING PLASMA UN-CONFINEMENT EVENTS IN A PLASMA PROCESSING CHAMBER}
배경기술
기판, 예를 들어, 반도체 기판, 또는 플랫 디스플레이 제조 시 사용되는 것과 같은 유리 패널의 제조시, 종종 플라즈마를 이용한다. 플라즈마 챔버 내 기판 처리의 일부로서, 이를 테면, 재료들을 선택적으로 제거 (에칭) 하고 퇴적시켜 기판 상에 전기 성분을 형성하는 일련의 단계들로 기판을 처리한다.
(캘리포니아주 프리몬트의 램 리써치 코포레이션에서 이용 가능한) ExelanTM 플라즈마 처리 시스템 플랫폼에 기초한 예시적인 챔버 구현에서, RF 에너지를 이용하여, 의도된 플라즈마 유지 영역 내에서, 즉, 기판을 처리할 목적으로 플라즈마를 의도적으로 존재시키는 플라즈마 처리 챔버 내 영역에서 플라즈마를 연소시키고 유지한다. 플라즈마 처리 동안, 복귀 RF 전류는, 예를 들어, 상부 전극을 통해 플라즈마 유지 영역에서 떨어져서 전도될 수도 있다. 이 예시적인 구현에서, RF 복귀 전류는, RF 스트랩과 하부 그라운드 버켓을 횡단하는 챔버 라이너와 챔버 천정을 가로질러 한정 링 외부로 흘러 캔틸레버 보어의 내부 표면으로 복귀한다. 이 복잡한 경로를 따라서, 복귀 RF 전류는 인접 RF 챔버 성분들 (또는 부재들) 을 결합시키는 여러 경계면들을 가로지른다.
일반적으로, 규격화된 구성 요소에 대한 경우로서, 많은 RF 챔버 구성 요소들은 결합 표면들, 경계면들, 머시닝 또는 허용 오차로 인한 갭 또는 뾰족한 에지들을 갖는다. 인접 RF 챔버 구성 요소들이 함께 짝이 될 때 이러한 뾰족한 코너들 및 표면들은 그 자체가 갭을 형성하여, RF 전류에 대하여 고 임피던스 장애물을 나타낸다.
이론에 구속되지 않기를 희망하면서, 일부 경우들에서, 고 임피던스는 갭에 교차하여 고 전압이 형성되게 할 수도 있다고 생각한다. 전압이 충분하게 높다면, 스파크 또는 아크가 갭을 가로지를 수도 있다. 이러한 아킹은, 많은 경우들에서, 배출될 전자 또는 이온들과 같은 하전된 입자들이 주위 가스 공간(들)로 들어가게 한다. 많은 이러한 RF 챔버 구성 요소들을 둘러싸는 가스 공간(들)은, 처리 동안 플라즈마를 생성하고 유지하도록 의도된 플라즈마 생성 영역에 배치되지 않더라도, 챔버 작동 동안 플라즈마를 점화 및/또는 유지하는 도전 상태에 있을 수도 있다. 따라서, 이러한 가스 공간(들)이 상술된 의도된 플라즈마 생성 영역 (예를 들어, 일반적으로 상부 전극, 하부 전극, 및 주변 한정 링들로 한정된 영역) 내에 있지 않더라도, 하전된 입자들의 의도되지 않은 주입은 이러한 갭들을 둘러싸는 갭 공간(들)에서 원하지 않게 플라즈마 점화를 일으키 수도 있다.
원하지 않은 점화 사고들 중 하나가 발생할 때, 플라즈마 챔버가, 기판 처리 환경, 현재 처리될 기판에 매우 바람직하지 않은 상태이고 챔버 하드웨어 구성 요소들, 특히 전정척에 손상을 초래할 수도 있는 플라즈마 언컨파인먼트 사고 (plasma un-confinement event) 를 겪게 된다고 말한다.
상이한 RF 챔버들은 상이한 구성 요소들 및/또는 설계들을 가질 수도 있고, RF 전류는 상이한 챔버들에서 상이한 경로들로 흐를 수도 있다는 것을 주목한다. 상이한 RF 챔버들의 특색에 관계없이, 많은 챔버들 내의 RF 전류는 복수의 RF 챔버 구성 요소들을 가로지르는 경향이 있고 때때로 유사한 갭 관련 아킹 및 원하지 않는 플라즈마 점화 문제들을 겪는 경향이 있다.
본 발명의 요약
본 발명은, 실시 형태에서, 처리 기판을 위해 구성된 플라즈마 처리 챔버를 갖는 플라즈마 처리 시스템에 관한 것이다. 플라즈마 처리 시스템은 복수의 구성 요소들을 포함하는데, 2개의 구성 요소들 사이의 갭에 존재하는 메이팅 구성에서 서로에게 인접하여 배치될 복수의 구성 요소들 중 적어도 2개의 구성 요소들을 포함한다. 이 갭은 처리 동안 RF 전류 경로를 따라서 배치된다. 또한, 처리 동안 플라즈마 처리 챔버 내 주위 가스 공간들로부터 적어도 일부의 갭을 차폐하도록 구성된 유전체 차폐 구조에 포함된다.
다른 실시 형태에서, 본 발명은 처리 기판들을 위해 구성된 플라즈마 처리 챔버를 갖는 플라즈마 처리 시스템과 관련된다. 플라즈마 처리 시스템은 복수의 구성 요소를 포함하는데, 이 구성 요소들 중 적어도 하나는 처리 동안 RF 전류 경로를 따라서 배치되는 뾰족한 구성 요소 구조를 갖는다. 또한, 처리 동안 플라즈마 처리 챔버 내의 주위 가스 공간들에서 뾰족한 구성 요소 구조의 적어도 일부분을 차폐시키도록 구성된 유전체 차폐 구조를 포함한다.
다른 실시 형태에서, 본 발명은 기판 처리를 위한 플라즈마 처리 챔버를 구성하는 방법과 관련되는데, 플라즈마 처리 챔버는 그 내부에 복수의 한정 링들을 갖는다. 이 방법은 처리 동안 상기 플라즈마 처리 챔버에서 생성된 플라즈마에 대한 최악의 경우에 대한 Debye (디바이) 길이를 결정하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한, 임의의 쌍의 인접 한정 링들 사이의 갭이 최악의 경우의 Debye (디바이) 길이보다 큰 것을 확실하게 하기 위해서 적어도 하나의 부가적인 한정 링을 추가하는 것과 복수의 한정 링들 중 개별 링들 사이의 갭들을 조정하는 것 중 적어도 하나를 수행하는 단계를 포함한다.
본 발명의 이들 특징 및 다른 특징들이 첨부 도면들과 함께 본 발명의 상세한 설명에서 이하 더 자세히 설명될 것이다.
도면의 간단한 설명
본 발명은, 유사한 참조 부호들은 유사한 엘리먼트들을 나타내는 첨부 도면들의 그림에서, 한정적인 방식이 아니라 예시적인 방식으로 도시되어 있다.
도 1은, 본 발명의 하나 이상의 실시 형태들에 따른, 플라즈마 처리 챔버의 외부 영역에 비치된 유전체 커버들 및 한정 링들의 단면도를 도시한다.
상세한 설명
본 발명은 첨부한 도면들에 나타난 바와 같이 그 몇몇 바람직한 실시 형태들을 참조하여 상세히 설명될 것이다. 이하의 설명에서, 수 많은 구체적인 상세한 내용들은 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 전개된다. 하지만, 본 발명은 이들 구체적인 상세한 내용들의 일부 또는 전부가 없이도 실시될 수도 있다는 것은 당업자에게 있어 자명한 것이다. 다른 견지에서, 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않기 위해 주지의 프로세스 단계들 및/또는 구조들은 설명되지 않았다.
본 발명의 실시 형태에서, 플라즈마 언컨파인먼트 사고의 발생을 실질적으로 감소 및/또는 방지시키는 기술 및 장치가 제공된다. 논의된 바와 같이, 플라즈마 챔버 설계 및/또는 구조의 양태는, 의도된 플라즈마 유지 영역의 외부에서 원하지 않는 플라즈마 점화의 원인인 아킹의 발생에 기여할 수도 있다고 생각한다. 앞서 언급된 바와 같이, 본 발명자는 본원에서 인접 챔버 구성 요소들의 메이팅 표면들 사이의 갭들은, 그 갭들이 (예를 들어, 복귀 RF 전류 경로와 같은) RF 전류 경로를 따라 배치될 때, 아킹에 기여하는 요소를 나타낸다고 생각한다. 아킹 동안 존재하는 스파크는, 주위 가스 공간(들)로 하전된 입자들을 생성 및/또는 배출시킬 수 있는 차지 또는 에너지의 의도하지 않은 주입을 나타낸다.
RF 전류 경로를 따라 뾰족한 챔버 구성 요소 에지들 또는 코너들의 존재는 원하지 않는 플라즈마 점화에 기여하는 다른 요소가 된다고 생각한다. 이러한 뾰족한 외형은, 어떤 예들에서, 주위 가스 공간들에서 하전된 입자들을 원하지 않게 발생시키는 전계에 초점을 맞추는 경향이 있다.
때때로 발생하는 언컨파인먼트 플라즈마 사고는 플라즈마 밀도를 갑자기 증대시키는 일시적인 불안정 사고들이 원인이 될 수도 있다고 생각된다. 이러한 플라즈마 밀도의 갑작스런 증대는, 예를 들어, RF 발생기가 불규칙하게 회전하는 것과 같은 다양한 원인을 가질 수도 있다. 플라즈마 밀도에서 이러한 일시적인 불안정들의 원인과 관계없이, 플라즈마 컨파인먼트는 인접 플라즈마 한정 링들 사이의 공간을 적절하게 구성 및/또는 감소시킴으로써 개선될 수도 있다고 생각한다.
본 발명의 실시 형태는 하나 이상의 상기 언급된 플라즈마 언컨파인먼트의 원인을 다루는 것을 목표로한다. 원하지 않는 아크 관련 플라즈마 점화를 다루기 위해서, 본 발명의 실시 형태에 따른, 갭들이 RF 전류 경로를 따라서 배치될 때 인접 챔버 구성 요소들 사이의 갭들을 주위 가스 공간(들)로부터 차폐하는 (커버 또는 슬리브와 같은) 유전체 차폐 구조를 제공한다. 일반적으로 말하면, 차폐 기능을 제공하는 필수품으로서 하나 이상의 슬리브 또는 커버들을 제공한다. 예시적인 플라즈마 처리 챔버의 관련된 일부를 도시하는 도 1을 참고하면, 예시적인 챔버 구현에서 갭 (104) 과 갭 (106) 을 바로 갭 (104) 과 갭 (106) 에 바로 인접한 주위 가스 공간(들) 로부터 차폐하는 유전체 슬리브 (102) 가 도시된다. 도 1의 예시적인 구현에서, 갭 (104) 은, (예를 들어, 규소로 형성될 수도 있는) 외부 전극 (110) 과 마운팅 플레이트 (112) 사이의 경계면에 존재한다. 외부 전극 (110) 과 마운팅 플레이트 (112) 가 (예를 들어, 탄성 결합을 통해) 같이 짝이 되더라도, 작은 갭이 인접 메이팅 표면들 사이에 여전히 존재한다. 유사하게, 갭 (106) 은 마운팅 플레이트 (112) 와 (예를 들어, 알루미늄으로 형성될 수도 있는) 상부 챔버 구조 (114) 사이에 존재한다.
RF 전류가 챔버 구성 요소들의 스킨 또는 표면을 따라서 흐를 때, 갭 (104) 과 같은 갭은, 갭에 걸쳐 포텐셜 차를 발생시키고, 몇몇 포인트에서, 아킹을 특징으로 하는 전기 방전을 발생시키는, RF 전류에 대한 고 임피던스 장애물을 나타낸 다.
슬리브 (102) 는 (무기 절연 물질과 같은) 유전체 재료로 형성되어 바로 인접한 주위 가스 공간들에서 갭들을 차폐하도록 형성될 수도 있다. 이 방식에서, 아킹이 갭 (104) 및/또는 갭 (106) 에 걸쳐서 발생하더라도, 아킹 동안 생성된 스파크들이 주위 가스 공간(들)에서 차폐됨으로써, 하전된 입자들의 원하지 않는 생성 및/또는 배출, 및/또는 주위 가스 공간들 내의 플라즈마의 원하지 않은 점화를 방지한다.
실시 형태에서, 알루미나 (예를 들어, 산화 알루미늄), 질화 규소 등과 같은 다른 적절한 유전체 재료가 사용될 수도 있지만, 슬리브 (102) 는 석영으로 형성한다. 슬리브 (102) 가 실질적으로 부전도인 한, 슬리브 (102) 는, RF 챔버에서 언제나 사용되는 플라즈마 프로세스와 양립할 수 있는 임의의 재료로 만들어질 수도 있다. 도 1에 단일 슬리브를 도시하였지만, 다수의 슬리브 및/또는 커버가 가능하다. 또한, 주위 가스 공간들에서 RF 활성 갭들을 차폐시키는 유전체 커버들은 슬리브들이 아닌 기하학적 형상들을 가질 수도 있다.
마운팅 플레이트 (112) 가 상부 챔버 구조체 (114) 로 고정될 때 마운팅 플레이트 (112) 와 상부 챔버 구조체 (114) 사이에 캡처링되는 쉘프 (132) 와 함께 슬리브 (102) 가 도시된다. 조립 동안, 쉘프 (132) 는 마운팅 플레이트 (112) 에 형성된 숄더에 위치하도록, 슬리브 (102) 는 외부 전극 (110)/마운팅 플레이트 (112) 구조 주위에 배치할 수도 있다. 그런 다음, 외부 전극 (110), 마운팅 플레이트 (112), 및 슬리브 (102) 를 포함하는 구조는 상부 챔버 구조체 (114) 에 고 정되어, 슬리브 (102) 가 마운팅 플레이트 (112) 와 상부 챔버 구조체 (114) 사이에 캡처링되게 할 수도 있다. 참조 화살표 (140) 로 도시된 방향에서부터, 플라즈마 처리 동안 스파크 생성을 발생시킬 수도 있는 (스크류 헤드들과 같은) 날카로운 구조들의 존재를 제거하고/하거나 오염 트래핑의 가능도를 감소시키기 위해 패스너 구조들 (스크류 구멍들 스크류 또는 스크류 헤드들 같은) 의 노출된 부분이 슬리브 (102) 에 존재하지 않게 한다. 이러한 슬리브들 및 커버들을 챔버에 설치할 때, 이들 자체가 아킹에 기여하지 않도록, (RF 활성 경계면들 사이의 갭들을 주위 가스 공간들로부터 차폐시키기 위해 제공되는 커버들 및) 슬리브 (102) 를 구성하는 것이 포인트이다.
RF 전류 경로를 따르는 뾰족한 구성 요소 구조들 (에지들 또는 코너들) 은 전계를 집중시키는 효과를 가져, 주위 가스 공간들에서 원하지 않는 하전된 입자들의 생성 및/또는 원하지 않는 플라즈마 점화를 일으킬 수도 있다. 본원에 사용된 용어로서, 뾰족한 구성 요소 구조는, 강화된 성능을 특징으로 하고, 다른 구성 요소 구조들과 관련되고, 주위 가스 공간들에서 원하지 않는 하전된 입자들의 생성 및/또는 원하지 않는 플라즈마의 점화가 발생할 수도 있게 하는 전계를 집중시키는 뾰족한 부분을 가진 구성 요소들 사이의 구성 요소 또는 접합점을 나타낸다. 도 1을 참고하면, 그라운드 버켓 (152) 의 뾰족한 코너 (150) 는 주위 가스 공간들에서 원하지 않는 하전된 입자들의 생성 및/또는 원하지 않는 플라즈마의 점화가 발생할 수도 있게 하는 전계를 집중시킬 수도 있다. 이것이, 코너 (150) 에 갭들이 없기때문에 상술된 RF 활성 갭들과는 상이한 언컨파인먼트 플라즈마 점화 메 커니즘이라는 것을 주목한다.
본 발명의 실시 형태에서, 뾰족한 구성 요소 구조를 주위 가스 공간에서 차폐시키기 위해서 (부전도성 절연체 재료와 같은) 유전체 재료로 형성된 유전체 코너-드래이핑 커버 (corner-draping cover) 를 제공한다. 이 코너-드래핑 커버는 코너-드레이핑 커버 (160) 로 도 1에 예로서 도시된다. 코너-드레이핑 커버 (160) 는 도 1에 수직으로 아래를 향해 연장되고 코너 (150) 를 드레이핑하는 립 (lip) 을 포함하여, 코너 (150) 에 대한 계속적인 유전체 차폐를 나타낸다. 실시 형태에서, 코너-드레이핑 커버 (160) 는, 알루미나 (예를 들어, 산화 알루미늄), 질화 규소 등과 같은 다른 적절한 유전체 재료들도 사용될 수도 있지만 석영으로 형성된다. 코너-드레이핑 커버 (160) 가 실질적으로 부전도성인 한, 코너-드레이핑 커버 (160) 는, RF 챔버에서 언제나 사용되는 플라즈마 프로세스와 양립할 수 있는 임의의 재료로 만들어 질 수도 있다.
그라운드 버켓 (152) 의 모든 RF 활성 표면들을 커버하기 위해 코너-드레이핑 커버 (160) 를 단일 피스의 재료로 형성할 필요는 없다는 것을 주목한다. 도 1의 예에서, 그라운드 버켓의 수직면이 의도된 플라즈마 유지 영역 (190) 에서 플라즈마에 노출되지 않기 때문에, 그라운드 버켓 (152) 의 수직 면은, 원한다면, 상이한 또는 동일한 유전체 재료로 형성된 다른 커버를 이용하여 차폐될 수도 있다. 립의 준비 및/또는 2개의 커버들의 오버랩핑은, 부피가 크고 복잡한 형상의 커버를 요구하지 않기 때문에 제조 비용을 낮추는 다중 피스 (예를 들어, 2개의) 커버들을 사용을 허용한다. 예시적 실시 형태에서, 그라운드 버켓 (152) 의 수직 면은, 예를 들어, (통상적으로 Ultem 명칭으로 알려진) 무정형의 열가소성 폴리에테르이미드와 같은 플라스틱 재료로 형성될 수도 있는 커버 (162) 를 이용하여 커버된다. 커버 (162) 는 실질적으로 부전도성인 한, 커버 (162) 는, 플라즈마 처리 동안 그라운드 버켓의 수직 측벽을 따라서 존재하는 조건 및/또는 RF 챔버에서 언제나 사용되는 플라즈마 프로세스와 양립할 수 있는 임의의 재료로 만들어 질 수도 있다. 커버 (162) 및 코너-드레이핑 커버 (160) 는, 그라운드 버켓 (152) 의 RF 활성 표면들 및/또는 RF 활성 코너들에 대한 완벽한 커버리지를 제공하기 위해 도 1에 도시된 바와 같이 오버랩핑될 수도 있다.
언급한 바와 같이, 때때로 발생하는 언컨파인먼트 플라즈마 사고는 플라즈마 밀도를 갑자기 증대시키는 일시적인 불안정 사고들이 원인이 될 수도 있다고 생각된다. 또한, 플라즈마 밀도에서 이러한 일시적인 불안정성들의 원인과 관계없이, 플라즈마 컨파인먼트는 인접 플라즈마 한정 링들 사이에 적절한 공간을 확보함으로써 개선될 수도 있다고 생각한다.
일반적으로 말하면, (부가적인 한정 링들로 기존 챔버들을 개장 (retrofitting) 시키는 어떤 경우들에서 요구될 수도 있는) 인접 플라즈마 한정 링들 사이의 스페이싱을 감소시키는 것은, 한 세트의 한정 링들 (180) 로 하여금 플라즈마 밀도가 갑작스럽게 증대하는 경우에도 의도된 플라즈마 유지 영역 (190) 내에서 플라즈마를 한정하게 한다. 이론에 구속되지 않기를 희망하면서, 예를 들어, 인접 한정 링들 중 2가지 요소 만큼의 공간 감소는, 4개 까지의 요소 만큼 순간 플라즈마 밀도가 순간적으로 증대한다고 할지라도 한정 링들의 세트로 하여금 플라즈마를 만족스럽게 한정하게 한다고 생각한다. 인접 한정 링들 사이의 최적의 스페이싱을 경험적으로 결정함으로써, 우발적인 플라즈마 언컨파인먼트 사고들의 발생을 실질적으로 감소 및/또는 제거될 수도 있다.
실시 형태에서, (변수 S로 나타난) 인접 플라즈마 한정 링들 사이의 스페이싱은 식 1 이 되도록 치수를 맞춘다.
S < DL(WC)
식 1에서, DL(WC)는 플라즈마의 최악의 경우 (Worst Case) 의 디바이 길이 (Debye Length), 즉 플라즈마 밀도가 급상승하는 최악의 경우에서의 플라즈마의 디바이 길이를 나타낸다. 주어진 플라즈마가 상이한 방법으로 양이 정해질 수도 있지만, Debye 길이는 플라즈마의 양을 정하는 더욱 잘 알려진 접근들 중 하나이고 어떤 플라즈마에 대해서도 계산될 수도 있다. 디바이 길이에 대한 보다 많은 정보는 예를 들어 플라즈마 물리론에 소개된 것을 포함하는 많은 플라즈마 참고 문헌들에서 찾을 수도 있다. Goldston & Rutherford (1997), Institute of Physics Publishing, Philadelphia, PA는 참고 문헌으로써 본원에 포함된다.
주어진 플라즈마 처리 챔버에 대한 최악의 경우의 플라즈마 밀도를 실험적 또는 이론적으로 결정함으로써 (또는 경험에서 나온 추측이라 하더라도), 인접 플라즈마 한정 링들 사이의 원하는 스페이싱을 결정하는 식에 사용될 수도 있는 이 디바이 길이를 유도한다. 실시 형태에서, 인접 한정 링들의 스페이싱 감소는 의도된 플라즈마 유지 영역 (190) 으로부터 부산물 가스들을 만족스럽게 배출시킬 필요성에 대비하여 균형을 잡아야한다. 너무 타이트한 스페이싱은 부산물 가스들의 제거를 과도하게 방해함으로써, 기판 처리에 부정적인 영향을 미친다. 예를 들어, 챔버 갭 (192) 이 허락된다면, 부산물의 배출 유량을 알기 위해서 상응하는 링 간 갭을 가진 부가적 한정 링들이 도입될 수도 있다. 실시 형태에서, 인접 한정 링들을 최적으로 스페이싱하는 것은, 플라즈마 처리 쳄버에서 부산물 가스들을 만족스럽게 배출시킬 필요성에 과도하게 영향을 미치지 않고 플라즈마 언컨파인먼트 사건의 발생을 실질적으로 감소 또는 제거하는 거리를 나타낸다. 한정 링들의 수는 그에 맞게 구성될 수도 있다.
앞의 설명에서 이해할 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시 형탱들은 플라즈마 언컨파인먼트 사건들의 발생을 유익하게 감소 및/또는 방지할 수도 있다. 유전체 차폐 구조를 가진 하나 이상의 구성 요소들의 코너, 갭, 또는 표면을 차폐함으로써, 하나 이상의 실시 형태는 하나 이상의 구성 요소들을 둘러싸는 가스 공간(들)로 들어가는 의도되지 않은 하전된 입자들을 감소 및/또는 방지할 수도 있다. 플라즈마 한정 링들 사이의 스페이싱(들)을 감소시킴으로써, 하나 이상의 실시 형태들은 플라즈마 밀도의 급상승에 대비하여 플라즈마 한정을 개선할 수도 있다. 그 결과, 플라즈마 처리가 더욱 안정되고/되거나 보다 잘 제어될 수도 있다.
상기 언급된 기술들 중 하나, 둘, 또는 셋 모두 (즉, 갭 커버링, 코너 드레이핑 커버링, 및 인접 한정 링들의 스페이싱 감소) 중 어떤 조합이 주어진 플라즈 마 처리 챔버에서 이용될 수도 있다. 또한, 논의를 용이하게 하기 위해서 특정 챔버 구성 요소를 설명하였지만, 플라즈마 언컨파인먼트 사고의 발생에 기여할 수도 있는 어떤 RF 활성 갭 또는 코너 또는 에지 또는 돌출부를 차폐하기 위해서 제한함 없이 하나로 또는 결합하여 이러한 기술들을 적응시킬 수 있다는 것을 이해한다. 또한, 본 발명을 ExelanTM 플랫폼을 이용하여 설명하였지만, 본 발명의 실시 형태는 용량적으로 커플링된 챔버들, 유도적으로 커플링된 챔버들, 마이크로웨이브 챔버들 등을 포함하는 임의의 유형의 플라즈마 처리 챔버들에 적용 가능하다.
여러 실시 형태들의 관점에서 본 발명을 설명하였지만, 본 발명의 범위 내에 들어오는 변경들, 치환들, 및 등가물들이 존재한다. 예를 들어, 도 1은 갭들 및 코너들을 차폐하는 유전체 커버들을 논의하였지만, 유전체 코팅과 같은 다른 수단 또한 사용될 수도 있다. 본 발명의 방법 및 장치들을 구현하는 많은 대안적인 방법들이 존재한다는 것을 주목한다. 따라서, 본 상세한 설명은 본 발명의 진실한 정신 및 범위 내에 있는 모든 이러한 변경들, 치환들, 및 등가물들을 포함하는 것으로 해석되는 것으로 의도된다.

Claims (21)

  1. 기판들을 처리하기 위해 구성된 플라즈마 처리 챔버를 갖는 플라즈마 처리 시스템으로서,
    복수의 구성 요소들 중 적어도 2개의 구성 요소는 메이팅 구성 시 서로에 대하여 인접하게 배치되어 상기 2개의 구성 요소들 사이에 갭이 존재하고, 상기 갭은 상기 처리 동안 RF 전류 경로를 따라서 배치되는, 상기 복수의 구성 요소들; 및
    상기 처리 동안 상기 플라즈마 처리 챔버 내의 주위 가스 공간들에서 상기 갭의 적어도 일부분을 차폐시키도록 구성된 유전체 차폐 구조를 포함하는, 플라즈마 처리 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전체 차폐 구조는, 상기 주위 가스 공간들에 대하여 노출된 패스너 부분을 나타냄 없이, 상기 갭의 상기 적어도 일부분을 커버하도록 배치되는, 플라즈마 처리 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전체 차폐 구조는 멀티 피스 (multi-piece) 의 차폐 구조인, 플라즈마 처리 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전체 차폐 구조는 단일 피스의 차폐 구조인, 플라즈마 처리 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전체 차폐 구조는, 무기 절연체 재료, 부전도 절연체 재료, 석영, 알루미나 재료, 및 질화 규소 중 적어도 하나를 포함하는 재료로 형성되는, 플라즈마 처리 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 2개의 구성 요소들 중 하나는 전극을 나타내는, 플라즈마 처리 시스템.
  7. 기판들을 처리하기 위해 구성된 플라즈마 처리 챔버를 갖는 플라즈마 처리 시스템으로서,
    복수의 구성 요소들 중 적어도 하나는 상기 처리 동안 RF 전류 경로를 따라서 배치된 뾰족한 구성 요소 구조를 갖는, 상기 복수의 구성 요소들; 및
    상기 처리 동안 상기 플라즈마 처리 챔버 내의 주위 가스 공간들에서 상기 뾰족한 구성 요소 구조의 적어도 일부분을 차폐시키도록 구성된 유전체 차폐 구조를 포함하는, 플라즈마 처리 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 유전체 차폐 구조는, 상기 뾰족한 구성 요소 구조 위에 드레이프함으로써, 상기 주위 가스 공간들로부터 상기 뾰족한 구성 요소 구조를 적어도 부분적으로 차폐시키도록 구성되는, 플라즈마 처리 시스템.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 유전체 차폐 구조는, 상기 주위 가스 공간들에 대하여 노출된 패스너 부분을 나타냄 없이, 상기 뾰족한 구성 요소 구조의 상기 적어도 일부분을 커버하도록 배치되는, 플라즈마 처리 시스템.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 유전체 차폐 구조는 멀티 피스의 차폐 구조인, 플라즈마 처리 시스템.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 유전체 차폐 구조는 단일 피스의 차폐 구조인, 플라즈마 처리 시스템.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 유전체 차폐 구조는 부전도 재료로 형성되는, 플라즈마 처리 시스템.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 유전체 차폐 구조는, 무기 절연체 재료, 부전도 절연체 재료, 석영, 알 루미나 재료, 및 질화 규소 중 적어도 하나를 포함하는 재료로 형성되는, 플라즈마 처리 시스템.
  14. 제 7 항에 있어서,
    상기 구성 요소는 전극을 나타내는, 플라즈마 처리 시스템.
  15. 기판을 처리하기 위해 구성된 플라즈마 처리 챔버를 갖는 플라즈마 처리 시스템으로서,
    척; 및
    어떤 한 쌍의 인접한 한정 링들 사이의 갭이 상기 처리 동안 상기 플라즈마 처리 챔버에서 생성된 플라즈마의 최악의 경우의 디바이 길이 (Debye Length) 보다 작도록 배치되는 복수의 한정 링들을 포함하는, 플라즈마 처리 시스템.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 최악의 경우의 디바이 길이는 경험적으로 결정되는, 플라즈마 처리 시스템.
  17. 복수의 한정 링들을 가지며, 기판들을 처리하기 위한 플라즈마 처리 챔버를 형성하는 방법으로서,
    상기 처리 동안 상기 플라즈마 처리 챔버에서 생성된 플라즈마에 대한 최악 의 경우의 디바이 길이를 결정하는 단계; 및
    어떤 한 쌍의 인접한 한정 링들이 상기 최악의 경우의 디바이 길이 보다 작다는 것을 확실하게 하기 위해서 상기 복수의 한정 링들 중 개개의 한정 링들 사이의 갭들을 조정하는 것과 적어도 하나의 부가적인 한정 링을 추가하는 것 중 적어도 하나를 수행하는 단계를 포함하는, 플라즈마 처리 챔버 형성 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 최악의 경우의 디바이 길이는 경험적으로 결정되는, 플라즈마 처리 챔버 형성 방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 수행 단계는 상기 갭들을 조정하는 것과 상기 적어도 하나의 부가적인 한정 링을 추가하는 것 모두를 나타내는, 플라즈마 처리 챔버 형성 방법.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 수행 단계는 상기 갭들을 조정하는 것만을 나타내는, 플라즈마 처리 챔버 형성 방법.
  21. 제 17 항에 있어서,
    상기 수행 단계는 상기 적어도 하나의 부가적인 한정 링을 추가하는 것만을 나타내는, 플라즈마 처리 챔버 형성 방법.
KR1020087029931A 2006-06-08 2008-12-08 플라즈마 처리 챔버 내에서 언컨파인먼트 사고를 방지하는 방법 및 장치 KR101475957B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US80427806P 2006-06-08 2006-06-08
US60/804,278 2006-06-08
US11/537,515 US7740736B2 (en) 2006-06-08 2006-09-29 Methods and apparatus for preventing plasma un-confinement events in a plasma processing chamber
US11/537,515 2006-09-29
PCT/US2007/070758 WO2007146803A2 (en) 2006-06-08 2007-06-08 Methods and apparatus for preventing plasma un-confinement events in a plasma processing chamber

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147013428A Division KR101522828B1 (ko) 2006-06-08 2007-06-08 플라즈마 처리 챔버 내에서 언컨파인먼트 사고를 방지하는 방법 및 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090019824A true KR20090019824A (ko) 2009-02-25
KR101475957B1 KR101475957B1 (ko) 2014-12-30

Family

ID=38820676

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147013428A KR101522828B1 (ko) 2006-06-08 2007-06-08 플라즈마 처리 챔버 내에서 언컨파인먼트 사고를 방지하는 방법 및 장치
KR1020087029931A KR101475957B1 (ko) 2006-06-08 2008-12-08 플라즈마 처리 챔버 내에서 언컨파인먼트 사고를 방지하는 방법 및 장치

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147013428A KR101522828B1 (ko) 2006-06-08 2007-06-08 플라즈마 처리 챔버 내에서 언컨파인먼트 사고를 방지하는 방법 및 장치

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7740736B2 (ko)
KR (2) KR101522828B1 (ko)
CN (4) CN102768934B (ko)
TW (1) TWI428961B (ko)
WO (1) WO2007146803A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180131643A (ko) * 2016-06-21 2018-12-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Rf 리턴 스트랩 차폐 커버

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7740736B2 (en) * 2006-06-08 2010-06-22 Lam Research Corporation Methods and apparatus for preventing plasma un-confinement events in a plasma processing chamber
US7722778B2 (en) * 2006-06-28 2010-05-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for sensing unconfinement in a plasma processing chamber
JP2008115460A (ja) * 2006-10-12 2008-05-22 Canon Inc 半導体素子の形成方法及び光起電力素子の形成方法
US20080156772A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Yunsang Kim Method and apparatus for wafer edge processing
TWI501704B (zh) * 2008-02-08 2015-09-21 Lam Res Corp 於電漿處理系統中用以改變面積比之方法與裝置
WO2009099660A2 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Lam Research Corporation Adjustable gap capacitively coupled rf plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal
US8161906B2 (en) 2008-07-07 2012-04-24 Lam Research Corporation Clamped showerhead electrode assembly
US8206506B2 (en) 2008-07-07 2012-06-26 Lam Research Corporation Showerhead electrode
US8221582B2 (en) 2008-07-07 2012-07-17 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
US8869741B2 (en) * 2008-12-19 2014-10-28 Lam Research Corporation Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber
US8540844B2 (en) * 2008-12-19 2013-09-24 Lam Research Corporation Plasma confinement structures in plasma processing systems
US8402918B2 (en) 2009-04-07 2013-03-26 Lam Research Corporation Showerhead electrode with centering feature
US8272346B2 (en) 2009-04-10 2012-09-25 Lam Research Corporation Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode
KR102285582B1 (ko) * 2009-08-31 2021-08-03 램 리써치 코포레이션 무선 주파수 (ｒｆ) 접지 복귀 장치들
US8992722B2 (en) * 2009-09-01 2015-03-31 Lam Research Corporation Direct drive arrangement to control confinement rings positioning and methods thereof
US8419959B2 (en) 2009-09-18 2013-04-16 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
KR200464037Y1 (ko) 2009-10-13 2012-12-07 램 리써치 코포레이션 샤워헤드 전극 어셈블리의 에지-클램핑되고 기계적으로 패스닝된 내부 전극
US8573152B2 (en) 2010-09-03 2013-11-05 Lam Research Corporation Showerhead electrode
US9076826B2 (en) 2010-09-24 2015-07-07 Lam Research Corporation Plasma confinement ring assembly for plasma processing chambers
KR102044568B1 (ko) * 2011-11-24 2019-11-13 램 리써치 코포레이션 대칭형 rf 복귀 경로 라이너
US10297459B2 (en) 2013-09-20 2019-05-21 Lam Research Corporation Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
US9543158B2 (en) 2014-12-04 2017-01-10 Lam Research Corporation Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
US9378971B1 (en) 2014-12-04 2016-06-28 Lam Research Corporation Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
US9609730B2 (en) 2014-11-12 2017-03-28 Lam Research Corporation Adjustment of VUV emission of a plasma via collisional resonant energy transfer to an energy absorber gas
US10170324B2 (en) 2014-12-04 2019-01-01 Lam Research Corporation Technique to tune sidewall passivation deposition conformality for high aspect ratio cylinder etch
US9997373B2 (en) 2014-12-04 2018-06-12 Lam Research Corporation Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
US9384998B2 (en) 2014-12-04 2016-07-05 Lam Research Corporation Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
US9620377B2 (en) 2014-12-04 2017-04-11 Lab Research Corporation Technique to deposit metal-containing sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
US9887097B2 (en) 2014-12-04 2018-02-06 Lam Research Corporation Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
US9396961B2 (en) 2014-12-22 2016-07-19 Lam Research Corporation Integrated etch/clean for dielectric etch applications
US9543148B1 (en) 2015-09-01 2017-01-10 Lam Research Corporation Mask shrink layer for high aspect ratio dielectric etch
US10358721B2 (en) * 2015-10-22 2019-07-23 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor manufacturing system including deposition apparatus
US11251019B2 (en) * 2016-12-15 2022-02-15 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Plasma device
US10276398B2 (en) 2017-08-02 2019-04-30 Lam Research Corporation High aspect ratio selective lateral etch using cyclic passivation and etching
JP6863199B2 (ja) 2017-09-25 2021-04-21 トヨタ自動車株式会社 プラズマ処理装置
US10847374B2 (en) 2017-10-31 2020-11-24 Lam Research Corporation Method for etching features in a stack
US10658174B2 (en) 2017-11-21 2020-05-19 Lam Research Corporation Atomic layer deposition and etch for reducing roughness
US10361092B1 (en) 2018-02-23 2019-07-23 Lam Research Corporation Etching features using metal passivation
US10515821B1 (en) 2018-06-26 2019-12-24 Lam Research Corporation Method of achieving high selectivity for high aspect ratio dielectric etch
US10741407B2 (en) 2018-10-19 2020-08-11 Lam Research Corporation Reduction of sidewall notching for high aspect ratio 3D NAND etch
CN113891954A (zh) 2019-05-29 2022-01-04 朗姆研究公司 通过高功率脉冲低频率rf产生的高选择性、低应力、且低氢的类金刚石碳硬掩模

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10140360A (ja) * 1996-11-11 1998-05-26 Hitachi Ltd プラズマ処理方法及びその装置
US6165910A (en) * 1997-12-29 2000-12-26 Lam Research Corporation Self-aligned contacts for semiconductor device
WO1999067816A1 (fr) * 1998-06-24 1999-12-29 Hitachi, Ltd. Dispositif de gravure a sec et procede de production de dispositifs a semi-conducteurs
US6117349A (en) * 1998-08-28 2000-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Composite shadow ring equipped with a sacrificial inner ring
JP3035735B2 (ja) * 1998-09-07 2000-04-24 国際電気株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4437351B2 (ja) * 2000-01-14 2010-03-24 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマエッチング装置
US6362110B1 (en) * 2000-03-30 2002-03-26 Lam Research Corporation Enhanced resist strip in a dielectric etcher using downstream plasma
JP4592916B2 (ja) * 2000-04-25 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置
WO2001088971A1 (fr) * 2000-05-17 2001-11-22 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement et procede d'entretien du dispositif, mecanisme et procede de montage d'une piece du dispositif de traitement, et mecanisme de verrouillage et procede de blocage du mecanisme de verrouillage
US6872281B1 (en) * 2000-09-28 2005-03-29 Lam Research Corporation Chamber configuration for confining a plasma
US6492774B1 (en) * 2000-10-04 2002-12-10 Lam Research Corporation Wafer area pressure control for plasma confinement
US6491083B2 (en) * 2001-02-06 2002-12-10 Anadigics, Inc. Wafer demount receptacle for separation of thinned wafer from mounting carrier
JP4102873B2 (ja) * 2002-03-29 2008-06-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用電極板及びプラズマ処理装置
US6841943B2 (en) * 2002-06-27 2005-01-11 Lam Research Corp. Plasma processor with electrode simultaneously responsive to plural frequencies
US7582186B2 (en) * 2002-12-20 2009-09-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved focus ring in a plasma processing system
US7470329B2 (en) * 2003-08-12 2008-12-30 University Of Maryland Method and system for nanoscale plasma processing of objects
US7405521B2 (en) * 2003-08-22 2008-07-29 Lam Research Corporation Multiple frequency plasma processor method and apparatus
US7001482B2 (en) * 2003-11-12 2006-02-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for improved focus ring
US7364623B2 (en) * 2005-01-27 2008-04-29 Lam Research Corporation Confinement ring drive
US7713379B2 (en) * 2005-06-20 2010-05-11 Lam Research Corporation Plasma confinement rings including RF absorbing material for reducing polymer deposition
US7740736B2 (en) * 2006-06-08 2010-06-22 Lam Research Corporation Methods and apparatus for preventing plasma un-confinement events in a plasma processing chamber

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180131643A (ko) * 2016-06-21 2018-12-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Rf 리턴 스트랩 차폐 커버

Also Published As

Publication number Publication date
CN103854946A (zh) 2014-06-11
KR20140075018A (ko) 2014-06-18
TW200816277A (en) 2008-04-01
CN102768934A (zh) 2012-11-07
WO2007146803B1 (en) 2008-12-18
US20100251529A1 (en) 2010-10-07
WO2007146803A2 (en) 2007-12-21
CN101646806A (zh) 2010-02-10
CN102142349A (zh) 2011-08-03
WO2007146803A3 (en) 2008-07-24
CN102768934B (zh) 2016-06-08
US20070284045A1 (en) 2007-12-13
US9928995B2 (en) 2018-03-27
CN102142349B (zh) 2013-06-12
CN101646806B (zh) 2013-12-25
KR101475957B1 (ko) 2014-12-30
TWI428961B (zh) 2014-03-01
US7740736B2 (en) 2010-06-22
KR101522828B1 (ko) 2015-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101475957B1 (ko) 플라즈마 처리 챔버 내에서 언컨파인먼트 사고를 방지하는 방법 및 장치
US6872281B1 (en) Chamber configuration for confining a plasma
US9536711B2 (en) Method and apparatus for DC voltage control on RF-powered electrode
US8540844B2 (en) Plasma confinement structures in plasma processing systems
JP2008182081A (ja) プラズマ処理装置
JP6728502B2 (ja) 活性ガス生成装置
WO2013151124A1 (ja) プラズマ処理装置
US6123802A (en) Method and apparatus for preventing plasma formation
JP3343629B2 (ja) プラズマ処理装置
CN113130282B (zh) 一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置
RU2656851C1 (ru) Плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов
CN111653468A (zh) 等离子约束装置及等离子体设备
US9551061B2 (en) In-situ triple junction formation to maintain electrode conductivity
KR100919487B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR20090073548A (ko) 국소영역의 플라즈마 차폐장치 및 그 차폐방법
KR20090073534A (ko) 국소영역의 플라즈마 차폐장치 및 그 차폐방법
KR20090073556A (ko) 국소영역의 플라즈마 차폐장치 및 그 차폐방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171207

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee