TWI426541B - 用於質量分析器之射束阻擋組件、離子植入系統以及用於防止在離子植入系統中粒子污染之方法 - Google Patents

Description

用於質量分析器之射束阻擋組件、離子植入系統以及用於防止在離子植入系統中粒子污染之方法 相關申請案之交互參照

本申請案主張在2005年6月3日提出申請之美國專利臨時申請案號60/687,514號、其標題為”離子植入中之粒子防止”之優先權及該案之利益，其整個內容在此如同完整撰寫地併入作為參考。

本發明大致上係關於一種離子植入系統、裝置、以及方法，其係用於將離子植入工件中，以及更明確地關於一種離子植入系統、裝置、以及方法，其係用於整體地防止與離子束有關之粒子污染。

在半導體元件之製造中，使用離子植入系統以雜質將半導體晶圓或其他工件掺雜。在此等系統中，離子源將所想要掺雜元素離子化，而將此掺雜元素以離子束之形式由離子源取出。此離子束典型地被質量分析，以選擇所想要電荷對質量比之離子，以及然後將其導向半導體晶圓表面，以便以此掺雜元素植入晶圓。此射束之離子在例如晶圓中半導體元件之製造中穿透晶圓表面，以形成所想要導電性之區域。例示性的離子植入器包括：離子源，用於產生離子束：束線組件，其包括質量分析裝置，用於使用磁場將離子束解析；以及靶室，其包含將被離子束植入之半導體晶圓或工件。

此由離子源所產生之離子典型地形成射束，且沿著預先確定射束路徑導引至植入站。此離子束植入器更包括：射束形成與成形結構，其延伸介於離子源與植入站之間。射束形成與成形結構嘗試：維持此離子束，且限制將此射束傳送至植入站所經過之延長內部腔或通道。當操作此離子植入器時，典型地將此通道抽空，以降低由於離子與空氣分子碰撞、而使得離子由預先確定射束路徑偏移之可能性。

此離子之質量相對於其上電荷之比(即，電荷對質量比)會影響：藉由靜電場或磁場使其軸向與橫向加速之程度。因此，可以使得此抵達半導體晶圓或其他目標所想要區域之離子束非常純，因為此非所欲分子量之離子會偏移至離開射束之位置，且可以避免所想要材料以外離子之植入。此選擇性地分開所想要與非所想要電荷對質量比之離子之過程稱為質量分析。質量分析器典型地使用質量分析磁鐵，以產生雙極性磁場，經由磁性偏移將離子束中各種離子偏離至弧形通道中，而可以將不同電荷對質量比之離子有效地分開。

將此離子射束典型地聚焦且導引至此工件所想要之表面區域。通常，將此離子束之能量離子加速至預先確定之能量位準，以穿透至此工件之主體中。此等離子例如埋設於材料結晶格子中，以形成所想要導電性區域，而離子束之能量通常決定其植入深度。此等離子植入系統之例包括此等由美國麻州Beverly之艾克塞利斯科技公司所提供之離子植入系統。

然而，此例示性離子植入器或其他離子束設備(例如，線性加速器)之操作，可以導致各種來源污染粒子之產生。此等污染粒子其尺寸例如可以小於大約1 μ m，然而對於所植入工件仍然會造成有害影響。此等污染粒子可以例如夾帶於離子束中，且與射束一起傳輸至工件，因此導致工件非所期望之污染。

在例示性離子植入系統中，此污染粒子之一來源例如為：與此經由質量分析器通道有關之材料。例如，質量分析器之通道典型地以石墨覆蓋，其中，此等非想要分子量之離子通常會撞擊此排列於通道之石墨，且通常成為夾帶於於石墨覆蓋中。然而，隨著時間經過，當離子繼續擊中石墨覆蓋時，此石墨覆蓋之粒子會從通道位移，且然後夾帶於離子束中。然後，在離子植入期間，此等在離子束中之污染粒子會與此工件或其他基板碰撞且對其附著，以及然後，在此須要所處理工件上次顯微(submicroscopic)樣式定義之半導體與其他裝置之製造中，成為產率損失之來源。此種污染在此離子植入系統調整期間、例如在系統之開機操作期間會大幅增加，在此期間之中此離子束實質上並不穩定。

由於此等具有更大精確度、更高準確度、以及效率以減少尺寸所製造之半導體元件須要：用於製造此等半導體元件之設備。因此，令人期望在此工件上游各個位置降低離子束中污染粒子之水準，以減輕工件之污染。

本發明藉由提供一種用於控制工件上游各個位置與離子束有關污染之裝置、系統、以及方法，而克服習知技術之限制。因此，以下提供本發明簡化概要，以提供本發明一些觀點之基本瞭解。此概要並非本發明廣泛總論，其用意既非在於辨識本發明關鍵或重要組件，亦非描述本發明之範圍。其目的為以簡化形式介紹本發明之一些觀念，作為在稍後提出更詳細說明之前導。

根據本發明例示性觀點，提供一種射束阻擋組件，其係用於降低來自離子植入系統中離子源所發射離子束之污染。其中，此射束阻擋組件包括：可移動射束阻擋件，其相對於離子束之路徑選擇性地定位。此射束阻擋件例如包括一板，其可以定位於質量分析磁鐵(即，“質量分析器”)之入口及/或出口。其中，可操作此射束阻擋組件，以將與離子設束調整(例如：在離子植入系統之開機期間)有關粒子污染，限制於離子植入系統特定區域中。例如，可以將射束阻擋件選擇性定位於沿著離子束路徑之質量分析器之入口，以選擇性地防止離子束(以及與其有關之粒子污染)、在與離子束有關離子源之最初調整期間進入質量分析器。

根據本發明，此板包括例如石墨之含碳材料。其中，可操作此含碳材料，而實質上吸收此此離子束，以及與其有關之污染。因此，可操作此射束阻擋組件以減少所須時間，在此時間期間可操作此離子束以擊中與離子植入系統有關之質量分析器或其他組件有關之表面。根據另一例，在射束阻擋件之上游設置一個測量裝置。其中，當此射束阻擋件整體上阻擋此離子束時，可以測量此離子束之一或更多個性質。可以使用此所測量離子束之一或更多個性質，而在將離子植入於工件之前，調整此一或更多個離子源與質量分析器。可以更提供一泵，其中可操作此泵將氣體及/或懸浮粒子由射束阻擋組件泵出或排出，因此，更減少粒子污染。

為達成上述與相關的目的，本發明包括以下充分說明與尤其是在申請專利範圍中指出之特性。以下說明與所附圖式詳細說明本發明之一些實施例。然而，此等實施例顯示可以使用本發明原理之許多不同方式之一些方式。本發明其他目的、優點與新穎特性將由本發明以下詳細說明並參考所附圖式而變成顯明的。

本發明大致上係關於用於減輕受到離子束射擊工件之粒子污染之系統、裝置、以及方法。因此，現在參考所附圖式說明本發明，其中，使用相同參考號碼以代表相同元件。應瞭解此等觀點之描述僅為說明，且其不應以任何限制意義解釋。在以下說明中，為了解釋之目的，說明各種特定細節，以便提供本發明徹底瞭解。然而，對於熟習此技術人士而言，可以無須此等特定細節而實施本發明係明顯的。

現在參考第1圖，其為簡化立體圖以說明此例示性離子植入系統100。應瞭解在此說明第1圖之離子植入系統100，以提供本發明之高階理解，因此其無須依比例繪製。因此，為了清楚起見，可以說明或不說明各種組件。第1圖說明質量分析器106(亦稱為”磁鐵”)主磁場104內真空室102之俯視圖，其中更顯示此磁場之中央108。一個未區分離子束110係從離子源112出口孔徑111經由質量分析器之入口114而進入質量分析器106；且此磁鐵至少部份根據包含於此離子束中元素之分子量，開始將此未區分離子束分開。可操作質量分析器106從此未區分離子束110擷取所選擇元素(例如：硼)之所想要或所選擇光線或離子束115，其中將所選擇射束之離子令人期望地植入於：設置於終點站117中之工件116(例如：半導體基板)中。此具有分子量較所選擇元素為輕之較輕元素(例如：氫)傾向轉至第一區域118；而此分子量較所選擇元素為重之較重元素傾向於轉至第二區域119。此撞擊第一區域118之最輕元素當撞擊到室之壁120時，典型地並不會造成真空室102之重大損害；然而，撞擊至第二區域119中室之壁120之較重元素，至少部份由於其較重質量，而會造成較大損害。

此並非所選擇分子量之元素(即，此不在所選擇射束115中非所欲元素)之射束稱為廢射束122。由於此等射束是由並非所想要植入於設置在終點站117中之工件116中之材料所構成。此室102之壁120通常配置有石墨128，其中當廢射束122擊中此等壁時，此等包含於廢射束之元素變得夾帶於石墨中。然而，取決於：廢射束122擊中此壁120之石墨128之角度，此廢射束之元素可能無法將其本身埋入於壁中，且更可能將一些石墨從壁濺擊而出。在許多情形中，此未區分離子束110可以包括高度反應性材料或元素例如氟，其中，此高度反應性材料更可以將材料從壁120移除。此廢射束122因此會造成污染物(例如：高度化學反應性粒子)之雲130浮在真空室102內。隨著時間持續，係建立污染物之雲130，因此會造成壁120與其他內部組件上形成且加厚有害材料之薄片132。最後，此薄片132會從壁120與其他內部組件上剝落，且夾帶於所選擇之離子束115中，因而導致工件116之污染。

本發明所設計之離子源112通常須要將未區分離子束110調整，以便提供所選擇之離子束115，其中，通常在當此離子源運作(例如：將電力與氣體供應至離子源，而在此離子源中形成離子束110)時實施調整。例如，此未區分離子束110在質量分析器106之入口114通常未經分析，其中，此離子束之所有成份均存在。在進入質量分析器106之前，此未區分離子束110可以包括氣體或材料，其包含：硼(B)、氟(F)、二氟化硼(BF₂ )、以及其他成份，且在離子源112之調整中，將此等氣體與材料之混合與電位經由控制器134令人所欲地設定或置入(dial in)，以致於在將離子植入於工件116中之前，此所產生想要或選擇之離子束115 實質上穩定且具有所想要的品質。在離子源112之調整期間，例如當在一天開始此離子植入系統100冷啟動時，此所產生之未區分離子束110通常具有“行為不良”之傾向，其中會發生火花、颤動、以及各種其他有害反應。此種在調整期間離子束110之行為不良會有害地加強：在真空室102中污染物之雲130之產生。此等污染粒子可以通過質量分析器106，且被補捉於設定旗標法拉第136中，其設置在質量分析器之出口138，以選擇性地阻擋此所選擇離子束115。然而，在一些情形中，在植入期間，此等污染粒子最終仍然可以抵達此工件116，因此會負面地影響此所產生經植入工件之產品良率與性能表現。

本發明是有關於將進入及/或射出質量分析器106之污染數量最小化，因此將工件116之污染最小化。根據本發明之一觀點，此在第2圖中說明例示性之離子植入系統200，其中，以此離子植入系統說明本發明之數個新穎性觀點。應瞭解此所說明之各種特性可以為各種形狀與尺寸、或將其均除外，且所有此等形狀、尺寸、以及除外均設想為在本發明之範圍中。類似於第1圖之離子植入系統100，此第2圖之離子植入系統200包括：設置於質量分析器204中之真空室202，其中可操作此未區分離子束206，從離子源208經由質量分析器之入口210進入質量分析器。可操作此質量分析器204而從未區分離子束206擷取所想要或所選擇之離子束212，且將此所選擇之離子束經由質量分析器之出口214導引至終點站216，其中工件218通常存在於其中。在此質量分析器204中質量分析期間，此與所選擇離子束212並非相同種類之未區分離子束206之元素，通常形成較所選擇離子束(例如，所說明之廢射束219)更大或更小程度之電弧，如同以上所說明。

根據本發明，此所選擇離子束212之非所欲粒子污染、其例如為以上參考第1圖所討論者，可以在此離子植入系統開機及/或關機期間(例如：“轉換期間”，其中，此未區分離子束可能不穩定)藉由在第2圖中所說明之一或更多個射束阻擋組件220而減輕，如同現在將討論者。如同以上說明，此未區分離子束206在此質量分析器204之入口210通常並未經分析，且此離子束之所有成份(例如：在離子源208中所形成所有種類之離子)通常存在於此未區分離子束中。因此，在此離子植入系統200開機期間，將此離子源208“調整”，其中將電位與氣體及/或材料之混合221令人期望地設定或“置入”，以致於在將離子植入於工件218中之前，此所產生未區分離子束206實質上穩定且具有所想要之品質。然而，如同以上說明，此種離子源208之調整在傳統上會導致加強之離子產生，這是由於在轉換期間，此離子源實質上並不穩定。

因此，根據本發明例示性觀點，在質量分析器204之入口210設置可移動式進入射束阻擋件222(例如：實體阻擋或“進入阻擋”)。其中，選擇性地防止離子束206穿透進入質量分析器。應注意，雖然說明此一或更多個射束阻擋組件220是在質量分析器204中，然而，此一或更多個射束阻擋組件可以靠近質量分析器，而通常並不包含於其中，且靠近此質量分析器之一或更多個射束阻擋組件之所有此等位置可以被認為是在本發明之範圍中。

此進入射束阻擋件222例如可以包括板224，其通常由碳(例如：石墨)構成，或可以例如為碳化矽之各種其他材料構成，或包括以碳為主之覆蓋。其中可操作此進入射束阻擋件，而在轉換期間一般性地吸收此未區分離子束206。此未區分離子束206之粒子(未圖示)為氣體形式或其重量實質上輕，但並未由進入射束阻擋件222吸收，當此進入射束阻擋件通常防止離子束進入質量分析器204時，此等粒子例如可以經由泵226從質量分析器之入口210抽出。

進入射束阻擋件222例如是可滑動地或樞軸旋轉地(例如：由箭頭228說明)經由致動器230耦接至質量分析器204。其中，可操作此進入射束阻擋件，以選擇性地覆蓋或實質上阻擋質量分析器之入口210，在其中通常防止此未區分離子束206進入質量分析器。因此，可以將進入射束阻擋件222選擇性地設置在入口210之前，一直至離子源208實質上穩定為止，以及然後可以將其平移以允許離子束206進入質量分析器。可操作例如控制器231，以選擇性地控制一或更多個射束阻擋組件220(例如：控制此致動器230)，以致於此等一或更多個射束阻擋組件選擇性地限制離子束206之軌跡。此控制器231在離子源調整期間，可以經由一或更多個控制信號232，進一步控制：離子源208、電位、以及氣體及/或材料之混合221。

根據本發明另一例示性觀點，一測量裝置234例如調整孔徑236、或其他測量裝置例如電極或線掃瞄器，是設置在質量分析器204入口210。可操作例如此測量裝置234，以測量此未區分離子束206之一或更多個性質238，以便在離子束進入真空室202之前(或者至少在離子束實質進入真空室之前)調整此離子束之穩定度及/或將此離子束集中對準右、左、上、以及下。此測量裝置234可以提供一或更多個性質238給控制器231。其中，可操作此控制器、至少部份根據離子束206之一或更多個測量性質，以控制一或更多個質量分析器204與離子源208。因此，可以在離子束進入質量分析器204之前，將離子源208以及因而此未區分離子束206調整，因此，如果此未經調整之離子束欲進入質量分析器，則其可以一般性地限制此等在質量分析器中所產生之粒子(未圖示)。因而，此離子源208可以被“暖身”及/或穩定。其中，在此離子束被允許進入質量分析器204之前、可以例如經由調整孔徑236與進入射束阻擋件222之組合，將此未區分離子束206進一步定向(例如：集中)。因此，當此質量分析器之入口210由射束阻擋件222阻擋時，離子源208之此種穩定通常可以防止：質量分析器204與其他下游組件之有害污染。

根據本發明另一例示性觀點，此一或更多個射束阻擋組件220更包括：設置在質量分析器204出口214之可移動射出射束阻擋件240。此射出射束阻擋件240例如可操作地耦接至另一致動器242(例如：類似於致動器230)。其 中可操作此控制器231經由致動器242而將射出射束阻擋件240選擇性地平移(例如：由箭頭243說明)，以便在將此未區分離子束206質量分析後，選擇性地允許所想要或所選擇之離子束212由質量分析器204射出。可以使用另一個測量裝置244(例如：類似於調整孔徑236)以測量：此所選擇離子束212之一或更多個性質246，用於經由控制器231進一步控制離子植入系統200。

根據又另一個範例，在藉由以上討論之調整，將此未區分離子束206穩定之後(例如：使用進入射束阻擋件222與控制信號232)，藉由此經由控制器231提供給質量分析器204之電流248，以預先選擇所想要之離子束212。例如，在此進入射束阻擋件222被打開之前(例如：在允許此未區分離子束206進入質量分析器204之前)，可以將供應至質量分析器之電流預先設定，以致於調整與此質量分析器有關之磁鐵(未圖示)，而在質量分析器輸出孔徑252之中心250，理論上提供所選擇或所想要之離子束212。此提供給質量分析器204之電流248例如可以：由原子質量單元(AMU)之計算而決定。其中，此計算可以對於所想要之質量(例如：所想要植入之種類)與能量實施，以及其中通常可以藉由AMU校準而決定適當磁場。然後，使用射出射束阻擋件240與測量裝置244，以決定此所選擇或所想要之離子束212相對於出口孔徑252之位置，而使用於進一步調整離子植入系統。

根據本發明仍有另一例示性觀點，第3圖為例示性方法300之示意方塊圖，其說明一種方法用於控制在離子植入系統中、例如第2圖之離子植入系統200中之粒子污染。當在此說明與描述例示性方法作為一系列行為或事件時，應瞭解本發明並不受限於所說明此等行為或事件之順序。因為根據本發明，除了在此所說明與顯示外，本發明之一些步驟可以不同順序發生及/或與其他步驟同時發生。此外，並非須要所有所說明步驟以執行此根據本發明之方法。再者，應瞭解此方法可以根據在此說明與描述之系統實施，亦可以根據在此未說明與描述之其他系統實施。

如同於第3圖中說明，此方法300在步驟305中開始，而在質量分析器之入口以此進入射束阻擋件實施一般性阻擋。在步驟310中，對離子源中離子賦予能量。其中，此等離子通常以未區分離子束之形式從離子源擷取。在步驟315中，通常將離子源正常化，其中將此未區分離子束一般性地穩定。根據本發明一例示性觀點，可以在步驟320中測量此此未區分離子束之一或更多個性質。其中，在步驟325中，至少部份根據此一或更多個所測量性質，而控制及/或調整此一或更多個質量分析器與離子源。在步驟330中，通常將進入射束阻擋件平移，以致於允許此未區分離子束進入質量分析器而實施其質量分析。因而，實質上減輕由於此離子植入系統開機期間不穩定離子束所造成之污染。

根據本發明另一個例示性觀點，在調整此系統後，在步驟335中，此離子植入系統可以將離子植入於工件中。此工件例如為沿著離子射束路徑設置於終點站中之半導體晶圓。在步驟335中，將離子植入於工件之後，當實施工件交換時，此進入射束阻擋件及/或射出射束阻擋件可以進一步封鎖離子束。例如，在步驟340中，此離子束之路徑再度被封鎖，其中此工件隨後在步驟345中交換，其中一新的未植入工件準備好被以離子植入。

因此，此工作時間(duty time)(例如：在工件交換期間)大幅縮短、在此期間射線組件下游之進入射束阻擋件(例如：質量分析器等)曝露於離子束。因此，減少污染粒子與薄片之形成。在此工件交換之後，此進入射束阻擋件將離子束路徑解除封鎖，且可以在隨後工件上實施另一個離子植入。此離子束之封鎖、工件之交換、以及射束之解除封鎖可以重覆實施，例如以序列方式植入批次工件，同時亦可減少在離子植入系統中污染。

因此，本發明一般性地提供一種目前在此離子植入工業中所未見之粒子控制位準。雖然，本發明是相對於某個或某些實施例顯示與說明，但明顯地當閱讀與瞭解本說明書與附圖後，此等等同之變化與修正對於熟習此技術人士為明顯。尤其是有關於由以上說明組件(組件、裝置、以及電路等)所實施之各種功能。此等用於說明此等組件之專有名詞(包括所提及之“裝置”)之用意除非另外說明是對應於：執行此所說明組件特定功能之任何組件(即，其為功能等同)，雖然其並未結構上等同在此所揭示結構，其執行在此所說明本發明例示性實施例中之功能。此外，雖然只相對於一或數個實施例揭示本發明之特定特性，此等特性可以與其他實施例之一或更多個其他特性之組合，因為這對於任何給定或特定應用為令人所欲且有利的。再者，此等名詞“包括”(includes)、“具有”(having)、“擁有”(has)、“具有”(with)或其變化形式使用於詳細說明或申請專利範圍中。此等名詞之用意為以類似於名詞“包括”(comprising)之方式而為包括之意。而且，在此說明書中所使用“例示性”(exemplary)此詞，其僅用於說明例或事件，除非另外顯示其並無須用於說明較佳實施例。

100．．．離子植入系統

102．．．真空室

104．．．主磁場

106．．．質量分析器

108．．．磁場中央

110‧‧‧未區分離子束

111‧‧‧出口孔徑

112‧‧‧離子源

114‧‧‧入口

115‧‧‧離子束

116‧‧‧工件

117‧‧‧終點站

118‧‧‧第一區域

119‧‧‧第二區域

120‧‧‧壁

122‧‧‧廢射束

128‧‧‧石墨

130‧‧‧污染物之雲

132‧‧‧薄片

134‧‧‧控制器

136‧‧‧旗標法拉第

138‧‧‧出口

200‧‧‧離子植入系統

202‧‧‧真空室

204‧‧‧質量分析器

206‧‧‧未區分離子束

208‧‧‧離子源

210‧‧‧質量分析器之入口

212‧‧‧所選擇離子束

214．．．質量分析器之出口

216．．．終點站

218．．．工件

219．．．廢射束

220．．．射束阻擋組件

221．．．氣體及/或材料混合

222．．．進入射束阻擋件

224．．．板

226．．．泵

228．．．箭頭

230．．．致動器

231．．．控制器

232．．．控制信號

234．．．測量裝置

236．．．孔徑

238．．．性質

240．．．射出射束阻擋件

242．．．致動器

243．．．箭頭

244．．．測量裝置

246．．．性質

248．．．電流

250．．．中心

252．．．孔徑

第1圖為平面圖，其說明根據本發明一觀點之例示性離子植入系統；第2圖為平面圖，其說明例示性離子植入系統，其包括根據本發明另一觀點之射束阻擋組件；以及第3圖為方塊圖，其說明一種用於控制根據本發明另一例示性觀點離子植入系統中之污染之方法。

100‧‧‧離子植入系統

102‧‧‧真空室

104‧‧‧主磁場

106‧‧‧質量分析器

108‧‧‧磁場中央

110‧‧‧未區分離子束

111‧‧‧出口孔徑

112‧‧‧離子源

114‧‧‧入口

115‧‧‧離子束

116‧‧‧工件

117‧‧‧終點站

118‧‧‧第一區域

119‧‧‧第二區域

120‧‧‧壁

122‧‧‧廢射束

128‧‧‧石墨

130‧‧‧污染物之雲

132‧‧‧薄片

134‧‧‧控制器

136‧‧‧旗標法拉第

138‧‧‧出口

Claims (29)

1. 一種用於質量分析器之射束阻擋組件，其中此射束阻擋組件包括：一個進入射束阻擋件，其大致上沿著離子束路徑設置而靠近質量分析器之入口，且其中，該進入射束阻擋件係相對於離子束選擇性地設置，其中，該進入射束阻擋件係操作成根據該進入射束阻擋件相對於離子束之位置，以選擇性地防止離子束進入質量分析器，其中在一第一位置中，該進入射束阻擋件整體地阻隔靠近質量分析器之入口的離子束路徑，在其中整體地防止所有的離子束進入質量分析器，並且其中在一第二位置中，該進入射束阻擋件整體地允許離子束進入質量分析器。
2. 如申請專利範圍第1項之射束阻擋組件，其中該進入射束阻擋件包括一板，其可滑動地耦接至質量分析器。
3. 如申請專利範圍第1項之射束阻擋組件，包括一致動器，其可操作成耦接至一板，其中，該致動器係可操作成選擇性地將該板定位。
4. 如申請專利範圍第3項之射束阻擋組件，其中該致動器包括一旋轉致動器，其可被操作將該板經由離子束路徑選擇性地旋轉。
5. 如申請專利範圍第3項之射束阻擋組件，其中該致動器包括一線性致動器，其係操作成將該板經由離子束路徑選擇性地線性平移。
6. 如申請專利範圍第2項之射束阻擋組件，其中該板包括以碳為主之材料。
7. 如申請專利範圍第6項之射束阻擋組件，其中該以碳為主之材料包括石墨。
8. 如申請專利範圍第1項之射束阻擋組件，更包括一個測量裝置，其設置在進入射束阻擋件之上游，其中該測量裝置係可操作成偵測該離子束之一或更多個性質。
9. 如申請專利範圍第8項之射束阻擋組件，其中該測量裝置包括測量孔徑、測量電極、以及線掃瞄器之一或多個。
10. 如申請專利範圍第1項之射束阻擋組件，更包括一個射出射束阻擋件，其大致上沿著離子束路徑設置而靠近質量分析器之出口，且其中該射出射束阻擋件可相對於離子束選擇性地設置，其中，該射出射束阻擋件係可以操作成根據該射出射束阻擋件相對於離子束之位置，而選擇性地防止離子束從該質量分析器射出。
11. 如申請專利範圍第10項之射束阻擋組件，更包括一個設置在射出射束阻擋件上游之測量裝置，其中該測量裝置係可操作成偵測該離子束之一或更多個性質。
12. 如申請專利範圍第11項之射束阻擋組件，其中該測量裝置包括測量孔徑、測量電極、以及線掃瞄器之一或多個。
13. 一種離子植入系統，包括： 一個離子源，其具有射出孔徑，其中該離子源係可操作成形成經由射出孔徑之離子束；一個質量分析器；一個射束阻擋組件，其中該射束阻擋組件包括一個進入射束阻擋件，其大致上係沿著離子束路徑設置而靠近質量分析器之入口，且其中該進入射束阻擋件可以相對於離子束選擇性地設置，其中該進入射束阻擋件係可操作成根據該進入射束阻擋件相對於離子束之位置，而選擇性地防止該離子束進入該質量分析器，其中在一第一位置中，該進入射束阻擋件整體地阻隔靠近質量分析器之入口的離子束路徑，在其中整體地防止所有的離子束進入質量分析器，並且其中在一第二位置中，該進入射束阻擋件整體地允許離子束進入質量分析器；以及一個控制器，其可操作成控制該進入射束阻擋件之位置，其中，該控制是根據由該離子源所形成離子束之穩定度而定。
14. 如申請專利範圍第13項之離子植入系統，包括一個致動器，其可操作成耦接至該進入射束阻擋件，其中該致動器係可操作成至少部份根據該離子束之穩定度，而將該進入射束阻擋件選擇性地定位。
15. 如申請專利範圍第14項之離子植入系統，其中該致動器包括一個旋轉致動器，其係可操作成將該進入射束阻擋件經由離子射束路徑而選擇性地旋轉。
16. 如申請專利範圍第14項之離子植入系統，其中 該致動器包括一個線性致動器，其係可操作成將該進入射束阻擋件經由離子射束路徑而選擇性地線性平移。
17. 如申請專利範圍第13項之離子植入系統，其中該進入射束阻擋件包括石墨板。
18. 如申請專利範圍第13項之離子植入系統，更包括一個測量裝置，其設置在進入射束阻擋件之上游，其中該測量裝置係可操作成偵測該離子束之一或更多個性質，其中控制器係操作成根據該一或更多個性質而決定離子束之穩定度。
19. 如申請專利範圍第18項之離子植入系統，其中該測量裝置包括測量孔徑、測量電極、以及線掃瞄器之一或多個。
20. 如申請專利範圍第13項之離子植入系統，更包括一個射出射束阻擋件，其大致上沿著離子束路徑設置而靠近質量分析器之出口，其中該射出射束阻擋件可相對於離子束選擇性地設置，且其中，該射出射束阻擋件係可操作成根據該射出射束阻擋件相對於離子束之位置，而選擇性地防止離子束從該質量分析器射出。
21. 如申請專利範圍第20項之離子植入系統，更包括一個測量裝置，其設置在射出射束阻擋件之上游，其中該測量裝置係可操作成偵測該離子束之一或更多個性質，其中控制器係可操作成根據該一或更多個性質而決定離子束之穩定度。
22. 如申請專利範圍第21項之離子植入系統，其中 該測量裝置包括測量孔徑、測量電極、以及線掃瞄器之一或多個。
23. 一種用於防止在離子植入系統中粒子污染之方法，其包括以下步驟：選擇性地封鎖質量分析器之入口；將離子源中離子賦能，於其內形成未區分離子束，其中選擇性地阻隔進入質量分析器之入口包含整體地防止所有的未區分離子束進入該質量分析器；以及一旦該離子源已實質上穩定下來，將質量分析器之入口選擇性地解除封鎖。
24. 如申請專利範圍第23項之方法，更包括測量靠近質量分析器之入口之未區分離子束之一或更多個性質；以及根據該未區分離子束之一或更多個測驗性質，控制該一或更多個離子源與質量分析器。
25. 如申請專利範圍第24項之方法，更包括選擇性地封鎖該質量分析器之出口；將該未區分離子束質量分析，於其內界定一個所選擇離子束；測量該靠近質量分析器之出口之所選擇離子束之一或更多個性質；以及根據該所選擇離子束之一或更多個測量性質，控制該一或更多個離子源與質量分析器。
26. 如申請專利範圍第25項之方法，更包括： 當該質量分析器之出口被封鎖時，將工件沿著離子束路徑設置，以及當該出口解除封鎖時，將離子植入於工件中。
27. 如申請專利範圍第26項之方法，更包括在將離子植入於工件後，當該質量分析器之出口被封鎖時，將該工件由該離子束路徑移除。
28. 如申請專利範圍第23項之方法，更包括當該質量分析器之入口被封鎖時，將工件沿著離子束路徑設置，以及當該入口解除封鎖時，將離子植入於工件中。
29. 如申請專利範圍第28項之方法，更包括在將離子植入於工件後，當該質量分析器之入口被封鎖時，將該工件由該離子束路徑移除。