JP2011523764A - 水素化ホウ素を半導体ウェハに注入する場合の該半導体ウェハにおける粒子の制御 - Google Patents
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Abstract
イオン注入の間の粒子汚染を低減させるための方法は、イオンビームを介してワークピースにイオンを注入するための注入システムであって、1つ以上の部材が任意の真空下であり、該1つ以上の部材上には1つ以上の第一状態の汚染物質が堆積されている注入システムを設けるステップを含む。気体を注入システムに導入することによって、該気体が1つ以上の汚染物質の少なくとも一部と反応し、該反応において、1つ以上の汚染物質の少なくとも一部が第二状態に変化する。1つ以上の第二状態の汚染物質の少なくとも一部は、1つ以上の部材上に堆積した状態で残留し、1つ以上のワークピース上に粒子汚染を引き起こさない。
Description
〔関連出願の参照〕
本願は、US仮出願番号61/057,485(出願日:2008年5月30日、発明の名称:水素化ホウ素を半導体ウェハに注入する場合の該半導体ウェハにおける粒子の制御)の優先権を主張および利益を享受するものであり、その全文は参照によって本願に含まれる。
本願は、US仮出願番号61/057,485(出願日:2008年5月30日、発明の名称:水素化ホウ素を半導体ウェハに注入する場合の該半導体ウェハにおける粒子の制御)の優先権を主張および利益を享受するものであり、その全文は参照によって本願に含まれる。
〔発明の分野〕
本発明は、概してイオン注入システムに関するものであり、より詳しくは、イオン注入システムにおける粒子汚染を制御するためのシステムおよび方法に関するものである。
本発明は、概してイオン注入システムに関するものであり、より詳しくは、イオン注入システムにおける粒子汚染を制御するためのシステムおよび方法に関するものである。
〔発明の背景〕
半導体素子および他の製品の製造において、イオン注入システムは、ドーパント素子として知られる不純物を半導体ウェハ、表示パネル、または他のワークピースに注入するために用いられる。従来のイオン注入システムまたはイオン注入器は、n型またはp型ドープ領域の生成、あるいはワークピースへの不活性化層の形成のために、イオンビームによってワークピースを処理する。半導体をドーピングするためにイオン注入システムを使用する場合、選択されたイオン種を注入して、所望の外因性材料を生成する。例えば、アンチモン、ヒ素、またはリンなどの原料から生成されたイオンを注入することによって、n型の外因性材料ウェハが得られる。あるいは、ホウ素、ガリウム、またはインジウムなどの材料から生成されたイオンを注入することによって、半導体ウェハにおいてp型の外因性材料部分が生成される。
半導体素子および他の製品の製造において、イオン注入システムは、ドーパント素子として知られる不純物を半導体ウェハ、表示パネル、または他のワークピースに注入するために用いられる。従来のイオン注入システムまたはイオン注入器は、n型またはp型ドープ領域の生成、あるいはワークピースへの不活性化層の形成のために、イオンビームによってワークピースを処理する。半導体をドーピングするためにイオン注入システムを使用する場合、選択されたイオン種を注入して、所望の外因性材料を生成する。例えば、アンチモン、ヒ素、またはリンなどの原料から生成されたイオンを注入することによって、n型の外因性材料ウェハが得られる。あるいは、ホウ素、ガリウム、またはインジウムなどの材料から生成されたイオンを注入することによって、半導体ウェハにおいてp型の外因性材料部分が生成される。
従来のイオン注入システムは、所望のドーパント素子をイオン化するイオン源を含んでおり、このドーパント素子は、その後所定のエネルギーのイオンビームを形成するために加速される。イオンビームは、ワークピースにドーパント素子を注入するためにワークピース表面に照射される。イオンビームのエネルギーイオンがワークピース表面を貫通するので、これらのイオンはワークピース材料の結晶格子の中に埋め込まれることによって所望の導電性領域を形成する。注入プロセスは、一般的には高真空プロセスチャンバにおいて実施される。これにより、残留気体分子との衝突によるイオンビームの分散を回避すると共に、浮遊微粒子によるワークピース汚染の危険性を最小限に抑えることができる。
イオンドーズおよびイオンエネルギーは、イオン注入を規定するために一般的に使用される2つの変数である。イオンドーズは、所定の半導体材料のための注入イオンの濃度に関連する。一般的に、高電流注入器(主に10ミリアンペア(mA)よりも大きいイオンビーム電流を処理可能なもの)が高ドーズ注入に用いられ、中電流注入器(主に約1mAビーム電流までを処理可能なもの)がより低いドーズ注入に用いられる。イオンエネルギーは、半導体素子における接合の深さを制御するために使用される。イオンビームを構成するイオンのエネルギーは、注入イオンの深さの度合いを決定する。半導体素子においてレトログレードウェルを形成するためなどに使用される高エネルギープロセスは、数百万電子ボルト(MeV)にも上るエネルギーの注入を必要とする。一方、浅い接合においては、1000電子ボルト(keV)未満のエネルギーを必要とするだけである。
近年の傾向として半導体素子の小型化が進んでいることから、低エネルギーで高ビーム電流を分配可能なイオン源を備えた注入器が求められている。高ビーム電流により必要な用量レベルが供給される一方、低エネルギーレベルにより浅い注入が可能となる。相補型金属酸化物半導体(CMOS)装置におけるソース/ドレイン接合には、例えばこのような高電流、低エネルギーの使用が望まれる。
固体からイオン化のための原子を得るための一般的なイオン源は、1対の気化装置およびイオン化室をそれぞれ備えている。気化装置の各々にはるつぼが設けられており、るつぼには固体元素または化合物が配置され、該るつぼは固体原料を蒸発させるために加熱コイルによって加熱される。蒸発した原料はノズルを通過するか、あるいは圧縮気体がイオン化室に直接供給される。ここで、熱電子的に電子を放出するように加熱されたアークチャンバフィラメントによって、気体/気化原料がイオン化される。
従来のイオン源は、圧縮気体源から直接得られるイオン化ドーパント気体、または蒸発した固体から間接的に得られるイオン化ドーパント気体を使用する。一般的なイオン源の元素は、ホウ素(B)、リン(P)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、アンチモン(Sb)、またはヒ素(As)である。これら元素のほとんどが固体および気体で一般的に用いられているが、ホウ素の場合は、ほとんどが三フッ化ホウ素(BF3)などの気体で用いられている。
三フッ化ホウ素を注入する場合、一価のホウ素(B+)イオンを含むプラズマが生成される。十分に高ドーズのホウ素を生成して基板に注入することは、ビームのエネルギーレベルを考慮しない場合、通常は問題にならない。しかし、低エネルギーを使用する場合では、ホウ素イオンのビームは「ビームブローアップ」と呼ばれる状態に陥る。これは、イオンビーム内で同じ電荷を帯びた電子が互いに反発しあう傾向を指す。このような相互反発により、イオンビームの移動の間に該イオンビームの直径が広がり、ビームラインにおける複数の開口部によってビームの口径食をもたらす。結果、ビームエネルギーが低減するため、ビームの伝播を大幅に低減させる。
デカボラン(B10H14)は、ホウ素注入のための最適な供給材料源となる化合物である。これは、気化およびイオン化させたときに、各デカボラン分子(B10H14)が10ホウ素原子からなる分子イオンを供給することができるからである。このようなイオン源は、デカボラン分子イオンビームが単原子ホウ素イオンビームの10倍のホウ素ドーズをユニットごとに注入することができるので、浅い接合を生成するために使用される高ドーズ/低エネルギー注入プロセスに特に適している。さらに、ワークピースの表面において、デカボラン分子が元のビームエネルギーの約10分の1のエネルギーを持つホウ素原子に分解されるので、ビームは線量当量単原子ホウ素イオンビームのエネルギーの10倍で輸送され得る。この特性によって、低エネルギーイオンビーム輸送による分子イオンビームの伝送喪失を回避することができる。
イオン注入システム10の一例を図1に示す。図1に示すイオン注入システム10は、ターミナル12、ビームラインアセンブリ14、およびエンドステーション16を有する。ターミナル12は、電源22から電力供給されるイオン源20を有しており、該ターミナルはデカボラン分子イオンビーム24を生成し、ビームラインアセンブリ14を介して、最終的にはエンドステーション16まで照射するように構成されている。ビームラインアセンブリ14は、例えば、ビームガイド26、およびそれに連結された質量分析器28を備えている。ビームラインアセンブリ14内においては、ビームガイド26の出口における開口部30を介してエンドステーション16に設けられたワークピース32(例えば、半導体ウェハ、または表示パネルなど)まで、適当な電荷質量比を持つイオンのみを通過させるような双極子磁場が確立されている。
しかし、デカボラン分子イオンをワークピース32に注入しているうちに、様々な汚染物質(図示せず)が主にデカボラン分子イオンビーム24から生み出され、開口部30およびビーム経路に沿って設けられたファラデー36などの様々な部材34に衝突し、付着または堆積する。様々な部材34とイオンとの衝突により、例えばビーム経路に沿って配置された他の表面38にもさらに汚染物質(図示せず)が跳ね飛ぶ可能性がある。しかし、デカボランイオン源を用いた場合、デカボラン分子の分離および所望の親イオンB10HX +のフラグメンテーションが生じ、略大粒子がイオン注入システム10内の様々な部材34および表面38に素早く堆積するのに伴い、独自の粒子汚染問題が引き起こされている。
従来では、様々な部材を取り出し、洗浄し、元に戻すことによって部材34および表面38を手動洗浄し、イオン注入システムから汚染物質を除去していた。このような洗浄は、一般的にイオン注入システムの定期メンテナンスの間にオペレータが実施する。手動洗浄は、オペレータの労働時間および労働力という面だけでなく、メンテナンスにかかる休止時間が増大することからイオン注入システム10の効率性および収量が低下するという面においても概して高コストである。
代替案として、汚染物質とエッチングガスとの化学反応を利用して汚染物質を除去するために、反応性の高いハロゲン化物またはフッ素ガスなどのエッチングガスをイオン注入システム10に注入する方法がある。しかし、この解決策では、一般的にイオン注入器10内の気体を変更する必要がある。具体的には、ワークピース30にイオンを注入するために使用する原料気体をイオン注入器から除去し、エッチングガスを用いて汚染物質を除去し、さらにエッチングガスを注入器から除去した後、他のワークピースを処理するために再び材料源の気体を導入する必要がある。このようなエッチングガスは汚染物質の一部、またはすべてを除去することができる可能性があるが、エッチングガスの使用では気体の導入時間だけでなく、エッチングガスが汚染物質と反応およびエッチングするための時間、ならびにエッチングが完了した際にイオン注入システムからエッチングガスを除去するための時間が必要であり、極めて長い時間を要する。したがって、このようなエッチングガスの使用はイオン注入システム10の効率性を低減させ、イオン注入器のスループットを低減させる可能性がある。
したがって、本発明の目的は、イオン分子ビームラインアセンブリにおける粒子汚染を時間効率よく充分に低減させることができ、効率的な汚染の軽減が促され、ワークピースへの高いスループットおよび高信頼性をもつイオン分子注入が達成される方法および装置を提供することにある。
〔発明の要約〕
本発明は、分子イオン注入システムにおける粒子汚染を低減させるための方法を提供することによって従来技術の制限を克服するものであり、汚染物質をイオン注入システムから必ずしも除去するのではなく、変化させることを特徴としている。本発明の形態の基本的な理解を助けるために、本発明の要約を以下に説明する。本要約は、本発明の包括的な概要ではない。本要約は、本発明の要点、または重要な要素を特定しようとするものではなく、本発明の範囲を規定しようとするものでもない。本要約は、後に記載するより詳細な説明の前書きとして簡単な形で本発明の構想のいくつかを提示しようとするものである。
本発明は、分子イオン注入システムにおける粒子汚染を低減させるための方法を提供することによって従来技術の制限を克服するものであり、汚染物質をイオン注入システムから必ずしも除去するのではなく、変化させることを特徴としている。本発明の形態の基本的な理解を助けるために、本発明の要約を以下に説明する。本要約は、本発明の包括的な概要ではない。本要約は、本発明の要点、または重要な要素を特定しようとするものではなく、本発明の範囲を規定しようとするものでもない。本要約は、後に記載するより詳細な説明の前書きとして簡単な形で本発明の構想のいくつかを提示しようとするものである。
本発明は、イオン注入システムにおける汚染物質を変化させるための気体を用いてイオン注入システムにおける粒子汚染を低減するための装置および方法の提供を主な目的とする。上記の方法は、分子イオンビームなどのイオンビームを介して1つ以上のワークピースにイオンを注入するためのイオン注入システムを設けるステップを含んでいる。イオンビームは、例えばデカボランまたはオクタデカボランなどの水素化ホウ素を含んでいる。イオン注入システムは、例えば任意の真空下において1つ以上の部材を備えており、該システムにおいて1つ以上の部材上には、イオンビームの形成に関連する1つ以上の汚染物質が堆積されており、この1つ以上の汚染物質は通常第一状態である。
本発明によると、水蒸気を含む気体は、イオン注入システムに選択的に導入され、該気体は1つ以上の汚染物質の少なくとも一部と反応する。そして、1つ以上の汚染物質の少なくとも一部が第二状態に変化する。例えば、デカボラン汚染物質は、1つ以上のホウ酸およびジボランガスに変化する。
他の形態によると、イオン注入システムはその後取り除かれ、第二状態にある1つ以上の汚染物質の少なくとも一部が1つ以上の部材上に堆積した状態で残留する。例えば、ホウ酸は1つ以上の部材上に残留するが、ジボランガスはイオン注入システムから取り除かれ得る。ホウ酸は、例えば1つ以上のワークピース上に粒子汚染を引き起こさない。
例えば、1つ以上のワークピースにイオンを注入する間に、水蒸気を含む気体をイオン注入システムに連続して流入させてもよい。または、処理ロットあるいはシステムメンテナンスの間などの非生産時間に、気体をイオン注入システムに選択的に流入させてもよい。
前述およびそれに関連する目的を達成するために、本発明は、以下に完全に説明された特徴、特に請求項において指摘された特徴を備えている。以下の説明および添付の図面は、図示された本発明の特定の詳細な実施形態を説明するものである。しかし、これらの実施形態は、本発明の原理を採用する様々な方法のうちのいくつかを明示するものである。本発明の他の目的、利点および新規な特徴は、以下の本発明の詳細な説明を、図面を参照しながら理解することで明らかとなるであろう。
〔図面の簡単な説明〕
図1は、従来のイオン注入システムを示す平面図である。
図1は、従来のイオン注入システムを示す平面図である。
図2は、本発明の一形態に係るイオン注入システムの一例を示すシステムレベルのブロック図である。
図3は、本発明の他の形態に係るイオン注入装置の一例を示す平面図である。
図4は、本発明の他の形態に係る、1つ以上のワークピースにイオンを注入する間に生じる粒子汚染を低減させるための方法の一例を示すブロック図である。
〔発明の詳細な説明〕
本発明は、1つ以上のワークピースにイオンを注入する間の粒子汚染を低減させるための方法および装置の提供を目的としている。より詳しくは、水蒸気を含む非エッチングガスを、水素化ホウ素化学反応によりイオンを生成することができる水素化ホウ素イオン注入システムに注入する方法の提供を目的とする。該方法において、汚染物質をイオン注入システムから除去するのではなく、変化させる。本発明は、図面を参照して説明され、全文を通して同様の部材番号は同様の部材を表すために使用される。これらの形態についての説明は単なる例であり、限定的な意味で捉えるべきではないことを理解されたい。以下では、解説を目的として、本発明をよく理解するための様々な具体的な詳説を記載している。しかし、当業者であれば、これらの具体的な詳説がなくとも本発明を実施できることは明らかである。
本発明は、1つ以上のワークピースにイオンを注入する間の粒子汚染を低減させるための方法および装置の提供を目的としている。より詳しくは、水蒸気を含む非エッチングガスを、水素化ホウ素化学反応によりイオンを生成することができる水素化ホウ素イオン注入システムに注入する方法の提供を目的とする。該方法において、汚染物質をイオン注入システムから除去するのではなく、変化させる。本発明は、図面を参照して説明され、全文を通して同様の部材番号は同様の部材を表すために使用される。これらの形態についての説明は単なる例であり、限定的な意味で捉えるべきではないことを理解されたい。以下では、解説を目的として、本発明をよく理解するための様々な具体的な詳説を記載している。しかし、当業者であれば、これらの具体的な詳説がなくとも本発明を実施できることは明らかである。
本発明をよりよく理解するために、図2に、一例としてのイオン注入システム100のブロック図を示す。この一例のイオン注入システムは、本発明に係る1つ以上の形態の実施に適する。システム100は、イオン注入装置101を備えている。該イオン注入装置101は、イオンビーム経路Pに沿って移動可能である一定量のイオンを生成するためのイオン源102を備えており、これによってワークピース104(例えば、半導体ウェハ、または表示パネルなど)にイオンを注入するためのイオンビーム103が規定される。イオン源102は、例えばプラズマチャンバ105、プロセスガス源106、および電源108を一般的に備えている。該イオン源では、電源からの電力により、プラズマチャンバ内のプロセスガスから正の電荷を帯びたイオンが生成される。プロセスガス源106は、イオン化ガス、気化固体源料、または予め気化された種などの原料を備えていてもよい。ワークピース104へのn型注入を行う場合は、原料は、例えばホウ素、ガリウム、またはインジウムを含んでいてもよい。p型注入を行う場合は、原料は、例えばヒ素、リン、またはアンチモンを含んでいてもよい。
イオン源102は、イオン源102に連結された引出しアセンブリ109をさらに備えており、引出しアセンブリ109に引出し電圧VExtractを印加することによって、電荷を帯びたイオンがイオン源から引出される。引出し電源110は、引出し電圧VExtractを供給可能であり、該引出し電源110において引出し電圧をさらに調節してもよい。ビームラインアセンブリ112は、イオン源102の下流に設けられており、電荷を帯びたイオンを受け取る。ビームラインアセンブリ112は、イオンビーム103を構成可能および成形可能な部材を1つ以上備えている。このような部材は、例えばビームガイド116、質量分析器118、および開口部120などである。
質量分析器118は、例えば磁石(図示せず)などの磁界生成部材をさらに備えており、イオンビーム103を横切る磁界を供給することによって、イオンの電荷質量比に応じて変化する軌道でイオンビームからイオンを偏向させる。例えば、磁界を通って移動するイオンは、所望の電荷質量比をもつ個々のイオンをビーム経路Pに沿って照射すると共に、好ましくない電荷質量比をもつイオンをビーム経路から遠ざけるように偏向させる力を受ける。一度質量分析器118を通過すると、イオンビーム103は開口部120を介して照射される。該イオンビームは、ワークピース104に注入するための簡明なビームを生成するように限定されている。
イオン注入システム100は、ワークピース104が配置されるエンドステーション124をさらに備えている。集積回路デバイス、表示パネルおよび他の製品の製造において、ワークピース104の全面に渡って均一にドーパント種を注入することが一般的に望ましい。したがって、イオン注入装置101は、単一のワークピース104にイオンを注入するように構成されていてもよく(例えば、「枚葉式」イオン注入器)、該イオン注入装置101において、ワークピースはエンドステーション124内に配置されたペデスタルまたはチャック(図示せず)上に配置されている。または、イオン注入装置101は、複数のワークピース104にイオンを注入するように構成されていてもよく(例えば、「バッチ式」イオン注入器)、該イオン注入装置101において、エンドステーション124が備えた回転するプラター(図示せず)上に複数のワークピースがイオンビーム103に対して平行に移動される。イオン源からイオンを引出すと共に、それらを1つ以上のワークピースに注入するように動作可能なあらゆるイオン注入装置が、本発明の範囲内にあると考えられることに留意されたい。
一例では、イオン注入装置101は、イオンビーム103の経路Pに沿って配置されたバリア126をさらに備えている。一例では、バリアは、ビームラインアセンブリ112とエンドステーション124との間に配置される。バリア126は、例えばイオンビーム103がエンドステーション124に入射するのを選択的に遮断することが可能である。例えば、バリア126は、イオンビーム経路Pの中およびイオンビーム経路Pの外に平行移動および/または回転することが可能である。これによって、イオンビーム103のエンドステーション124への入射、またはワークピース104への衝突が防止されている。あるいは、バリア126は、エンドステーション124内に配置されており、イオンビーム経路Pに沿ってワークピース104の下流位置に配置されている。バリア126は、イオンビーム103を実質的に遮断するため、および/またはイオンビームを分析するための測定機器(例えば、ファラデー)を設けるなど、1つ以上の目的を果たすためのものであってもよい。
イオン注入システム100は、イオン注入装置101を制御可能な制御部128をさらに備えている。例えば、制御部128は、引出し電源110を制御可能であるのと同時に、イオンを生成するための電源108も制御可能であり、該制御部128によって、イオンビーム経路Pが制御される。さらに制御部128は、例えば質量分析器118に連結された磁界の強度および配向を調節するように動作可能である。他の例では、制御部128はイオン注入装置101内のワークピース104の位置だけでなく、イオンビーム経路Pに対するバリア126の位置についても制御可能である。制御部128は、処理部、コンピュータシステム、および/またはシステム100の統括制御のためのオペレータ(例えば、オペレータによる入力と連動したコンピュータシステム)を備えていてもよい。
図3を参照すると、図2の装置101などのイオン注入装置200の一例が図示されている。本図では、イオン注入装置の一例をより詳しく示している。また、イオン注入装置200を一例として示しているが、本発明は高エネルギーシステム、低エネルギーシステム、または他の注入システムなど、様々なタイプのイオン注入装置およびシステムを用いて実施されてもよく、それらすべてのシステムが本発明の範囲内にあるということに留意されたい。
イオン注入システム200は、例えばターミナル212、ビームラインアセンブリ214、およびエンドステーション216(例えば、これらを合せたプロセスチャンバ)を備えており、イオン注入システムは、1つ以上の真空ポンプ218によって真空下に置かれている。ターミナル212は、例えば電源222から電力が供給されるイオン源220と、引出し電源226から電力が供給される引出しアセンブリ224とを備えている。引出しアセンブリ224は、イオン源220からイオンを引出し、引出されたイオンビーム210をビームラインアセンブリ214に供給する。ビームラインアセンブリ214と連動する引出しアセンブリ224は、例えば所定のエネルギーレベルでイオンを注入するためにエンドステーション216の支持部229に配置されたワークピース228に向けてイオンを照射可能である。
一例では、イオン源220は、プラズマチャンバ(図示せず)を備えており、該プラズマチャンバにおいて、加工材料Msourceのイオンが高い陽電位Vsourceに加圧される。なお、一般的に陽イオンが生成されるが、本発明はイオン源220が陰イオンを生成するシステムにも適用可能であることに留意されたい。引出しアセンブリ224は、プラズマ電極230および1つ以上の引出し電極232をさらに備えており、該プラズマ電極は1つ以上の引出し電極に対してバイアスをかけられているが、イオン源220のプラズマに対して浮動している(例えば、接地されたワークピース228に対して120kVのプラズマ電極)。1つ以上の引出し電極232は、例えばプラズマ電極230の電圧(例えば0−100kVの引出し電圧VExtract)よりも少ない電圧でバイアスをかけられている。1つ以上の引出し電極232が持つプラズマに対する負の相対電位が、イオン源220から陽イオンを引出して加速させることが可能な静電界を生成する。例えば、1つ以上の引出し電極232は、自身に連結された1つ以上の引出し開口部234を有しており、該引出し電極232において、正の電荷を帯びたイオンが1つ以上の引出し開口部を介してイオン源220から出てイオンビーム210を形成する。また、引出されたイオンの速度は、1つ以上の引出し電極に与えられる電位VExtractによって決定される。
本発明に係る形態の一例によると、ビームラインアセンブリ214は、イオン源220の近傍に入り口(例えば、引出し開口部234に連結されているもの)と、分解プレート236を備えた出口とを有するビームガイド235、ならびに質量分析器238を備えている。質量分析器238は、引出されたイオンビーム210を受け取って双極子磁場を形成し、適当な電荷質量比または適当な範囲内の電荷質量を持つイオン(例えば、所望の質量範囲内のイオンを有する質量分析イオンビーム)のみを、エンドステーション216内に配置されたワークピース228まで通過させる。イオン源220における源料のイオン化により、所望の原子量をもつ正の電荷を帯びたイオン種が生成される。しかし、イオン化プロセスは、所望のイオン種に加えて、他の原子量を持つイオンも生成する。適した原子量を超える、または下回る原子量を持つイオンは、注入には適しておらず、不要なイオン種と判断される。質量分析器238によって生成された磁界は、イオンビーム210のイオンを曲線状に移動させることによって、所望のイオン種の原子量と同じ原子量を持つイオンのみがビーム経路Pを横断してエンドステーション216に達するように磁界が確立される。
本発明に係る他の形態例によると、イオン注入装置200は、自身に回転可能に連結されたバリア239を備えており、該バリアはイオンビームの特性の測定、および/またはイオンビーム210がエンドステーション216に侵入することの実質的な防止のために、イオンビーム210の経路Pに選択的に交差するように回転可能である。例えば、バリアはビーム経路Pに交差するように回転可能なフラグファラデーを備えており、図2の制御部128は、イオンビームの特性がイオン注入に充分なものであるかを決定するように動作可能である。上記のような決定がなされた後、制御部128は、ワークピース124へのイオン注入を妨げないように、ビーム経路Pの外にフラグファラデーを移動させるように動作可能である。あるいは、図3のバリア239は、エンドステーション216に連結されたファラデーカップ(図示せず)を備えることによって、ワークピース228が存在しない場合に、イオンビーム210をファラデーカップに衝突させることが可能である。
本発明のさらなる他の形態によると、図3のビームガイド235の出口における分解プレート236は、質量分析器238と連動して動作し、所望のイオン種の原子量と近いが同じではない原子量を持つイオンビーム210から不要なイオン種を除去する。分解プレート236は、例えばガラス体グラファイト、あるいはタングステン、またはタンタルなどの他の材料からなり、1つ以上の細長い開口部240を含んでいる。イオンビーム210のイオンは、ビームガイド235を出るときに該開口部240を通過する。分解プレート236において、イオンビーム210の経路Pからのイオンの分散(例えば、P’として表す)は最小値であり、イオンビームの幅(P’−P’)は、イオンビーム210が分解開口部240を通過する地点において最小である。
上述したように、図3の質量分析器238による磁界の強度および配向、ならびにイオン源220から引出されたイオンの速度は、図2の制御部によって、所望のイオン種の原子量(あるいは電荷質量比)と同じ原子量を持つイオンのみが所定の所望のビーム経路Pを横断してエンドステーション216に到達するように設定されている。所望のイオン原子量よりも大きい、または小さい原子量を持つ不要なイオン種は、鋭角に偏向され、図3のビームガイド235の筺体245に衝突する。
しかし、不要なイオンの原子量が所望のイオン種の原子量に近い場合、不要なイオンの軌道は、所望のビーム経路Pからごく僅かに偏向されるだけである。したがって、このような所望のビーム経路Pから僅かに偏向した不要なイオンは、分解プレート236の上流の対向面242と衝突する傾向がある。時間が経つにつれて、分解プレート236に衝突する上記のような不要なイオン種が分解プレート上に堆積する傾向がある。
イオン注入装置200の操作の間に、イオン源220からのドーパント材料だけでなく、不要なイオン種、分解アパーチャ236またはビームガイド235からのスパッタカーボンなどの汚染物質が、イオンビーム210の近傍の注入部材252の表面250に堆積する傾向がある。例えば、分解プレート236の上流対向面242には、ワークピース228へのイオン注入を繰り返した後、汚染物質(図示せず)が堆積する傾向がある。さらに、ワークピース228自体からのフォトレジスト材料もイオン注入装置200の内面に堆積する可能性がある。
分解プレート236などの部材252の表面250への汚染物質の堆積は、注入の間に徐々に剥離することによって、不要な放電および粒子問題を生み出す傾向がある。さらに、ビーム経路P’の外側端の近傍にある所望のイオンは、分解開口部240(図4Aおよび図4Bの分解プレート236の上流対向面242)の周りに堆積した汚染物質に衝突することによって、該汚染物質を剥離させる。剥離した汚染物質は、ワークピース228の表面にさらに移動し、注入によって得られるワークピースに様々な好ましくない影響をもたらす可能性がある。
トランジスタ機構(図示せず)は、ワークピース228上に形成される機構のうちの1つである。技術発展に伴い、トランジスタ機構の小型化が進んでいるため、製造されたトランジスタはワークピースの表面の極めて近くに形成される。極浅接合(USJ)の形成には、例えば数KeVから僅か数百ボルトのエネルギーでイオン注入器を動作させる必要がある。しかし、低エネルギーでのイオンビーム輸送は、空間電荷効果によって制限されていることから、製造を制限する。ワークピース228の極めて近傍のイオンビームの減速などを行う軽減ツールが用いられてきたが、そのようなツールの使用により、スループットの低下または処理結果への影響をもたらす可能性がある。分子注入を用いることにより、これらの問題のいくつかを解決することができる。例えば、大きな水素化ホウ素分子(例えば、オクタデカボランB18H22)の加工材料Msourceとしての使用は、単分子に含まれる複数のホウ素分子を分配することによってイオン注入器の製造効率を直接的に高めることができる。このとき、水素化ホウ素分子は一価イオンの電荷状態に上昇される。B18H22などの分子を扱うことができるシステムを設計することは、製造面で利点を有する。例えば、出願人を同じくするUS特許第6,958,481は、分子ビームを生成するためのイオン源システムについて記載している。その内容は、参照によって本願に含まれる。
分子ビームは、相対的に生産性が高いが、その一方で従来の高電流の単一種イオン注入システムに比べると、イオン注入システム200内の粒子汚染に関して特定の課題を示し得る。例えば、半導体素子の製造に現在使用されている一般的なイオン注入システム(または、イオン注入器とも称する)のほとんどは、イオン化の前に初期ドーパント材料または気体原料として供給される水素化物ガス(例えば、PH3またはAsH3など)などのイオン源加工材料Msourceなどの気体種に依存している。他の一般的な加工材料Msourceの例は、気体BF3である。あるいは、水素化ホウ素分子成分の注入に使用されるイオン源加工材料Msourceなどを固体で供給してもよい。この場合、固体源料はイオン化のためにイオン源220に気体として導入する前に、加熱したるつぼで昇華させる。一般的な昇華温度は、約90℃〜150℃である。しかし、イオン源220内でのイオン化プロセスの効率は、たいてい10%未満であり、残りの気体は引出し開口部234またはイオン源220のアークスリット(イオン化室とも称される)を介して汲み上げられるので、不要な汚染物質となる。残りの気体が冷却されると、それに付着した残留物質がイオン注入システム200全体の部材252の表面250に堆積する。洗浄技術を従来技術に導入し、表面250から残留物質を化学的エッチングすることによって、該表面から残留物質を少なくとも部分的に除去し、真空ポンプ218によってシステムから汲み出され得る気体を形成する。
例えば、オクタデカボラン(B18H22)分子を用いた場合に採用される従来の洗浄方法の1つは、フッ素原子を生成し、その次に残留物質が連結部材252の表面250上に凝固しているイオン注入システム200にフッ素を導入することを含んでいる。したがって、フッ素は、表面250から残留物質をエッチングした後、1つ以上の真空ポンプ218によってシステム200から汲み出される。このような洗浄技術は、イオン源220の予防保全の間隔を長くするために汚染物質を制御するのにある程度有効であったが、処理の間にワークピース228に向かう粒子汚染を制御するのには有効ではなかった。現在までは、システム200(「真空システム」とも称される)において表面250から残留被膜物または粒子汚染物質の剥離および/または除去を典型的な洗浄方法または技術によって実施している。しかし、本発明者らは、イオン注入のための重要なパラメータは、注入が施されるワークピース228上に実際に堆積した粒子の数であり、真空システム200内においてワークピースを汚染しない被膜物および粒子は処理上の問題ではないと理解している。
ワークピース228上に粒子が堆積するメカニズムは様々であり、分析が難しい。ワークピース228に堆積する、または輸送される粒子の確率は、様々な輸送メカニズムに応じて変化し得る。該輸送メカニズムとは、例えば偏向磁場の有無、粒子の量、大きさおよび位置、基板への粒子または膜の接着性、イオンビーム210の存在および近接性、粒子が電荷を帯びる能力、ならびに粒子および/またはワークピースとシステム200内の他の機械部材との関係などである。粒子汚染を制御しようとする従来の試みは、粒子汚染物質の洗浄および除去によるシステム内の粒子量の減少、ワークピースまたは基板の設計による接着性の向上、またはワークピースへの粒子の移動を低減させるための電磁場の制御に焦点が当てられてきた。
本発明は、これらの試みに加え、実際に粒子の除去に依存することなく、反応処理または変化処理を通して粒子の組成を変化させるという利点がある。例えば、分子注入のための源料Msourceとしてオクタデカボラン(B18H22)を用いる場合、継続した水の存在下で固体オクタデカボランは徐々に分解するか、ホウ酸(H3BO3)、およびジボランガス(B2H6)および/または他の化合物に変化する。
したがって、本発明においては、水蒸気または水蒸気を含む空気(例えば、所定量の水蒸気または既知の湿度を持つ空気)などの気体を、1つ以上のバルブ262を介して気体源260によってイオン注入システム200に導入する。ここで、表面250上に堆積した汚染物質または粒子の少なくとも一部が、第一状態(例えば、オクタデカボランまたはデカボランなどの固体水素化ホウ素によって大半が構成されているもの)から第二状態(例えば、ホウ酸およびジボランガス)に変化する。この変化は、本発明者らによって、汚染物質の固定化またはパッシベーションとも称されている。なお、気体源260および1つ以上の真空ポンプ218は、ターミナル212、ビームラインアセンブリ214、およびエンドステーション216のうちの1つ以上と選択的に流体連通していてもよい。
イオン注入システム200に導入される気体は、例えばフッ素などのエッチングガスよりも、非エッチングガスを含んでいることが好ましい。生成されるジボランガスは、例えば1つ以上の真空ポンプ218によってイオン注入システムまたは真空チャンバ200から汲み出されてもよく、一方のホウ酸は、イオン注入システム内に残ったままであってもよい。あるいは、ジボランガス(または変化による他の生成物)は、イオン注入システム200から特に汲み出さずに、システム内に残留させてもよい。このように、本発明においては、表面250に残った1つ以上の第二状態の汚染物質の少なくとも一部(例えば、ホウ酸)が、1つ以上のワークピースにおいて粒子汚染を引き起こさないことが分かる。例えば、1つ以上の第二状態の汚染物質の少なくとも一部の大きさまたは接着特性などの機械的性質によって、1つ以上の第二状態の汚染物質の少なくとも一部を、次段階のイオン注入への悪影響を及ぼさずにイオン注入システム200内に留めることができる。
したがって、本発明においては、上述した1つ以上の輸送機構に関して水素化ホウ素の分解産物が異なる特性を有することから、例えば水蒸気を導入した後に、粒子制御を好適に行うことができる。変化処理を開始するために、気体をイオン注入システム200の真空チャンバに連続して導入してもよいし、予防保全もしくはアイドル時間などの間のシステムの動作に基づいていてもよい。該システムにおいては、制御部128を介して、1つ以上のバルブ262および/または気体源260の制御がさらに行われてもよい。
気体を連続して導入する例では、ドーズシフトなどの他の処理の影響を生じさせないように、流速を充分に低くしてもよい。なお、一例では、汚染物質が変化した状態であっても、汚染物質の大半(50%以上)がイオン注入システム内に残留することに留意されたい。また、気体源260は水を含む他の気体を含んでいてもよく、それらすべての気体が本発明の範囲内とされることにも留意されたい。さらに、イオン注入システム200における気体の導入による残留水素化ホウ素汚染物質の固定化またはパッシベーションは、複数の形状の水素化ホウ素に適用できることにも留意されたい。他の水素化ホウ素としては、例えばB10H14、B18H22、B20H24、ならびにC2B10H12などのカルボランが含まれるが、これに限定されるわけではない。したがって、本発明は、概して、10<n<100、かつ、0≦x≦n+4の場合に、BnHx +、かつ、BnHx −を用いたイオン注入システム、および3つの元素を備えた分子QnBnHxを用いたシステムに適用することができる。分子QnBnHxの元素Qは付加元素であり、そのような元素の例は、C2B10H12である。
したがって、本発明の他の形態によると、図4は、水素化ホウ素分子(例えば、オクタデカボラン)のイオン注入などによって生じる、イオン注入システムにおける粒子汚染を低減させるための方法300を示す。方法の一例を一連の動作または事象として図示および記載しているが、本発明は図示された動作または事象の順序に限定されないことを理解されたい。本発明においては、いくつかのステップを異なる順序で、および/または、図示されたものとは異なる他のステップと同時に行ってもよい。さらに、図示したステップのすべてが、必ずしも本発明に従った方法を実施する必要があるわけではない。加えて、本書に図示および記載されたシステム、および図示されていない他のシステムと連動して方法を実施してもよいことを理解されたい。
図4に示すように、方法300は、動作305においてイオン注入システムを設けるステップから始まる。該方法において、イオン注入システムは、図2および図3のイオン注入システム100または200などのように、イオンビームを介して1つ以上のワークピースにイオンを注入するように構成されている。1つの具体例では、イオン注入システムは、様々な形態の水素化ホウ素を1つ以上のワークピースに注入するように構成されている。イオン注入システムは、任意の真空下において1つ以上の部材を備えている。該1つ以上の部材には、イオンビームの形成に関連する1つ以上の汚染物質が部材上に配置されている。初期段階では、1つ以上の汚染物質は主に第一状態である。
動作310では、イオン注入システムに気体を導入または放出することによって、該気体と1つ以上の汚染物質の少なくとも一部とを反応させる。気体は、例えば水蒸気からなる非エッチングガス、または水蒸気を含む非エッチングガスを含む。したがって、気体は1つ以上の汚染物質の少なくとも一部を第二状態に変化させる。第二状態は、例えばホウ酸およびジボランガスの1つ以上を含んでいてもよい。
動作315では、イオン注入システムは取り除かれる。この際、1つ以上の第二状態の汚染物質の少なくとも一部が、1つ以上の部材上に堆積したままであり、1つ以上の第二状態の汚染物質が1つ以上のワークピース上で粒子汚染を引き起こさないことが好ましい。例えば、ホウ酸は1つ以上の部材に残留していてもよいが、その一方で1つ以上の真空ポンプを介してジボランガスが除去される。
動作310における気体の注入は、連続的(動作315における排気と同時に行うなど)、または順番に行ってもよい。例えば連続して行う場合は、1つ以上のワークピースの処理に大きな影響を及ぼさないように気体の流れを制御することができる。
水素化ホウ素分子(例えばB18H22オクタデカボラン分子)は、水素化ホウ素またはホウ素クラスタを扱うのに適したあらゆるイオン注入装置を用いて注入してもよい。例えば、US特許第6,013,332; 6,107,634; 6,288,403; 6958,481; 6,452,338; 7,185,602;および6,013,332などに記載されたイオン注入装置を用いてもよい。特定のイオン注入装置によって生成されるイオンビームをスポットビームによる機械的走査に用いてもよく、該走査において、ワークピースはスポットビーム、リボンビーム、または電磁的もしくは静電的走査ビームの特性に応じて走査される。スポットビームに応じて走査する場合は、ワークピースは特定の直径の略円形断面を持つ固定のスポットビームに対して直交する二次元上を機械的に走査される。リボンビームに応じて走査する場合は、ワークピースは自身を横断する一方向に固定され、その方向に対して直交する方向にワークピースは機械的に走査される。該リボンビームは、幅/高さのアスペクト比が高くてもよいし、少なくともワークピースと同じ幅を持つものであってもよい。電磁的もしくは静電的走査ビームに応じて走査する場合は、ワークピースは自身を横断する直交方向に機械的に走査される。イオン注入装置の一例は、Axcelis Technologies,Inc製のOPTIMA HD(TM)イオン注入装置であり、この装置はスポットビームによる二次元機械的走査を行うように構成されている。
本発明は、特定の好適な実施形態に関して図示および説明しているが、当業者が本明細書および添付の図面を読んで理解すれば、同等の代替案および変形を想定することができる。特に、様々な機能を実施する部材(アセンブリ、装置、および回路など)に関して、これらの部材を表すのに使用している用語(「手段」という用語を含む)は、別に明示されない限りは、上記部材の特定の機能を行う(すなわち、機能的に同等である)あらゆる部材を指す。したがって、本発明の実施例に開示した部材であって、該実施例に示した機能を持つ部材と構造的に異なっていたとしても、上記の部材に含まれ得る。さらに、本発明に係る特定の機能について、複数の実施例のうちの1つのみに開示している場合でも、そのような機能を他の実施例の1つ以上の機能と組み合わせてもよい。これは、あらゆる既定の効果または特定の効果を奏するのに望ましく、好適である。
Claims (23)
- 1つ以上のワークピースにイオンを注入する間の粒子汚染を低減するための方法であって、
イオンビームを介して上記1つ以上のワークピースに上記イオンを注入するためのイオン注入システムであって、任意の真空下で1つ以上の部材を有し、上記1つ以上の部材上には上記イオンビームの形成に関連する1つ以上の汚染物質が堆積し、上記1つ以上の汚染物質が第一状態である上記イオン注入システムを設けるステップと、
上記イオン注入システムに気体を注入するステップであって、上記気体が上記1つ以上の汚染物質の少なくとも一部と反応し、該反応において上記1つ以上の汚染物質の少なくとも一部を第二状態に変化させ、上記第二状態の上記1つ以上の汚染物質の少なくとも一部が上記1つ以上の部材上に堆積した状態で残留し、上記第二状態の上記1つ以上の汚染物質の少なくとも一部が上記1つ以上のワークピースにおける上記粒子汚染を好適に低減させるステップとを備えていることを特徴とする方法。 - 上記気体は、水蒸気を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記気体は、空気を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記空気は、所定量の水蒸気を含んでいることを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 上記1つ以上の部材は、上記イオン注入システムのファラデー、開口部、および側壁のうち、いずれかを1つ以上含んでいることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記イオンビームを介して上記1つ以上のワークピースに上記イオンを注入するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記イオンビームは、分子イオンビームを含んでいることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記分子イオンビームは、水素化ホウ素を含んでいることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 上記分子イオンビームは、デカボランまたはオクタデカボランを含んでいることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 上記イオン注入システムに上記気体を注入するステップは、真空下において、上記気体を上記イオン注入システムに連続して送り込むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記イオン注入システムに注入する上記気体の流速を制御するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 上記イオン注入システムに上記気体を注入するステップは、上記イオン注入システムと気体源との間で流体連通した1つ以上のバルブを開放することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記イオンビームは、カルボネートを含んでいることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記第二状態の上記1つ以上の汚染物質の少なくとも一部は、ホウ酸およびジボランガスのうち、いずれかを1つ以上含んでいることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記イオン注入システムを取り除いた後、上記1つ以上の汚染物質の大半が上記イオン注入システム内に残留することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 少なくとも水素化ホウ素成分をイオン化可能なイオン源と、
水素化ホウ素イオン源を備えたターミナル、上記イオン源によって生成されたイオンのビームを輸送するビームラインアセンブリ、およびエンドステーションのうち、いずれかを1つ以上含み、かつ、上記イオンを注入するための上記イオンのビームを受信するためのワークピースを収容するプロセスチャンバと、
上記プロセスチャンバと選択的に流体連通する真空源と、
少なくとも水蒸気を含む気体を供給し、上記プロセスチャンバと選択的に流体連通する気体源と、
上記気体源から上記プロセスチャンバに上記気体を選択的に送り、上記気体源および上記真空源のそれぞれを制御することによって上記プロセスチャンバを選択的に取り除くことが可能な制御部とを備え、
上記プロセスチャンバ内において、上記気体と水素化ホウ素との相互作用によって、水素化ホウ素汚染物質を軽減可能であることを特徴とするイオン注入システム。 - 上記プロセスチャンバと上記気体源との間に設けられた1つ以上のバルブをさらに備え、
上記制御部は、上記1つ以上のバルブを制御することによって、上記プロセスチャンバへの上記気体の流れを制御することを特徴とする請求項16に記載のイオン注入システム。 - 上記水素化ホウ素イオン源の成分は、デカボランまたはオクタデカボランを含んでいることを特徴とする請求項16に記載のイオン注入システム。
- 1つ以上のワークピースにイオンを注入する間の粒子汚染を低減するための方法であって、
水素化ホウ素イオンビームを介して上記1つ以上のワークピースに上記イオンを注入するイオン注入システムであって、任意の真空下において1つ以上の部材を有し、上記1つ以上の部材上には上記水素化ホウ素イオンビームの形成に関連する1つ以上の水素化ホウ素汚染物質が堆積している上記イオン注入システムを設けるステップと、
上記イオン注入システムに気体を注入するステップであって、上記気体が水蒸気を含み、上記気体が上記1つ以上の水素化ホウ素汚染物質の少なくとも一部と反応し、該反応において上記1つ以上の水素化ホウ素汚染物質の少なくとも一部をホウ酸およびジボランガスに変化させ、上記ホウ酸およびジボランガスの1つ以上が、次に上記イオンを上記1つ以上のワークピースに注入する間に上記イオン注入システム内において維持するステップとを備えていることを特徴とする方法。 - 上記1つ以上のワークピースに水素化ホウ素イオンを注入するステップをさらに備え、
上記気体が、上記水素化ホウ素イオンの注入と同時に注入されることを特徴とする請求項18に記載の方法。 - 上記気体は、所定量の水蒸気を有する空気を含んでいることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 上記水素化ホウ素イオンビームは、分子デカボランイオンビームまたはオクタデカボランイオンビームを含んでいることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 上記イオン注入システムから上記ジボランガスを取り除くステップをさらに備え、該ステップにおいて、上記ホウ酸が上記1つ以上の部材上に堆積した状態で残留することを特徴とする請求項18に記載の方法。
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