JP5390330B2 - 基板処理装置およびそのクリーニング方法 - Google Patents
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Description
まず、図1を参照して、本発明に係る基板処理装置を説明する。該基板処理装置は、本発明に係るクリーニング方法を実施する機能を備えている。このクリーニング方法によって、基板処理装置に備えられている2つのイオンビーム発生装置の少なくとも一方、好ましくは双方がクリーニングされる。図1は、基板処理装置を上から観た構成を示すブロック図である。
次に、図1を参照して、本実施形態の基板処理装置或いはイオンビーム発生装置のクリーニング方法について説明する。
次いで、第2のイオンビーム発生装置1b(または1a)から第1のイオンビーム発生装置1a(または1b)にイオンビームを照射して、第1のイオンビーム発生装置1a(または1b)をクリーニングする工程を更に行うことができる。
以下、本発明の具体例として、第1から第3の実施形態のクリーニング方法を説明する。なお、第1から第3の実施形態のクリーニング方法によるクリーニングに際して、まず、不図示のキャリア搬送機構により、イオンビーム発生装置1a,1bの間から基板が退避される。
第1の実施形態のクリーニング方法は、一方のイオンビーム発生装置1a(または1b)からイオンビームを照射して、他方のイオンビーム発生装置1b(または1a)をクリーニングする例である。
第2の実施形態のクリーニング方法は、一方のイオンビーム発生装置1a(または1b)からイオンビームを照射し、他方のイオンビーム発生装置1b(または1a)の引出し電極を制御することによってクリーニングを可能とする例である。
同様にして、イオンビーム発生装置1bからもイオンビームが発射され、対向配置されたイオンビーム発生装置1aの電極7aに付着した汚染物質を除去する。
第1および第2の実施形態と同様の電極調整を行ってクリーニングを行う際に、不図示のガス導入部から真空容器内にエッチングガスを導入してもよい。ここで、真空容器は、少なくともイオンビーム発生装置1a,1bの間の空間を取り囲むように構成され、該真空容器の内部を外部環境から隔離する。
多層磁性膜を加工する反応性イオンエッチングは、エッチングガスとして水酸基を少なくとも一つ以上もつアルコールを用いて多層磁性膜をエッチングすることが望ましい。
Claims (10)
- 基板が配置される面を挟むように第1および第2のイオンビーム発生装置が対向して配置され、前記基板の両面を処理する基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記第1のイオンビーム発生装置と前記第2のイオンビーム発生装置との間から基板を退避させる退避工程と、
前記第1のイオンビーム発生装置から前記第2のイオンビーム発生装置にイオンビームを照射して、前記第2のイオンビーム発生装置をクリーニングするクリーニング工程と、
を有することを特徴とするクリーニング方法。 - 前記第2のイオンビーム発生装置の電極に帯電している電荷を除去する除去工程を更に有することを特徴とする請求項1に記載のクリーニング方法。
- 前記クリーニング工程では、前記第2のイオンビーム発生装置に電子を照射して、前記第1のイオンビーム発生装置から発射されたイオンビームを中和することを特徴とする請求項1に記載のクリーニング方法。
- 前記クリーニング工程では、前記第2のイオンビーム発生装置の引出し電極のうちクリーニング対象の電極に電位を印加し、前記第1のイオンビーム発生装置から発射されたイオンビームを当該クリーニング対象の電極に引き込むことを特徴とする請求項1に記載のクリーニング方法。
- 前記クリーニング工程では、前記基板を処理する真空容器の内部にエッチングガスを導入することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のクリーニング方法。
- 前記第2のイオンビーム発生装置から前記第1のイオンビーム発生装置にイオンビームを照射して、前記第1のイオンビーム発生装置をクリーニングする工程を更に有することを特徴とする請求項1に記載のクリーニング方法。
- 基板を処理する基板処理装置であって、
基板が配置される面を挟むように対向して配置された第1および第2のイオンビーム発生装置と、
前記面に基板がない状態で前記第1のイオンビーム発生装置から前記第2のイオンビーム発生装置にイオンビームを照射して前記第2のイオンビーム発生装置をクリーニングするように前記第1のイオンビーム発生装置を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記第2のイオンビーム発生装置に電子を照射する中和器を更に備え、
前記制御部は、前記第2のイオンビーム発生装置に電子を照射して前記第2のイオンビーム発生装置の帯電を防止するように前記中和器を制御する、
ことを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記第1のイオンビーム発生装置から発射されたイオンビームが前記第2のイオンビーム発生装置の引出し電極のうちクリーニング対象の電極に引き込まれるように、当該クリーニング対象の電極の電位を制御する、
ことを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、更に、前記面に基板がない状態で前記第2のイオンビーム発生装置から前記第1のイオンビーム発生装置にイオンビームを照射して前記第1のイオンビーム発生装置をクリーニングするように前記第2のイオンビーム発生装置を制御する、
ことを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
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