JP2002252206A

JP2002252206A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JP2002252206A
Application number: JP2001040547A
Authority: JP
Inventors: Koji Hara; 耕二原
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 2001-02-16
Filing date: 2001-02-16
Publication date: 2002-09-06

Abstract

(57)【要約】【課題】基体をプラズマ処理する際に、基体が負に帯
電することを防止でき、これにより、基体の保護及び基
体へのパーティクルの付着防止を達成できるプラズマ処
理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置１０は、ウェハＷが収
容されるチャンバ１２の外部に高周波コイル１８が設け
られ、且つ、そのチャンバ１２内に、サセプタ１４と、
その周囲に配置された電極３が設けられたものである。
そして、高周波コイル１８へ高周波電力を印加すると、
ウェハＷの上方にプラズマが生起される。プラズマ中に
生じたカチオン種はウェハＷ上に供給され、自然酸化膜
が除去される。このとき、電極３に正電圧を印加して陽
極とする。これにより、プラズマ中に生じた電子等が電
極３に収集される。よって、ウェハＷへ電子等が入射し
難くなり、ウェハＷが負に帯電することを十分に防止で
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
に関し、特に、半導体ウェハ等の基体を処理するプラズ
マ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、前工
程及び後工程を含めて種々の処理プロセスが存在し、特
に薄膜形成、エッチング処理等においては、反応の進行
を速めて処理効率を向上させる観点から、活性種反応を
素反応過程として利用できるプラズマ処理が汎用されて
いる。具体的には、このようなプラズマ処理として、プ
ラズマアッシング、プラズマエッチング、プラズマＣＶ
Ｄ、プラズマ酸化、スパッタエッチング、イオンプレー
ティング、スパッタリングデポジション、プラズマ表面
（改質）処理、等が挙げられる。

【０００３】上記各種のプラズマプロセスにおいては、
一般に、シリコンウェハ等の基体（被処理基体）を所定
の真空度が達成されるチャンバ内に収容し、その基体の
上方叉は下方に、直流放電、高周波放電等によりプラズ
マを形成させる。プラズマシース中では、気相に含まれ
る原子や分子の一部が放電エネルギーを付与され、励
起、解離、イオン化が生じ、加えて、原子や各種ラジカ
ルによる種々の素反応、更には、光放射に伴う緩和が引
き起こされる。概略的に言えば、電子−イオン対が、電
離による生成と再結合による消滅とを絶えず繰り返して
おり、プラズマ内では正電荷と負電荷の濃度が等量に保
持され、外部に対して電気的に中性が保たれている。

【０００４】そして、エッチングプロセス等では、例え
ば、プラズマシースに対して基体側を負電位とし、プラ
ズマ中のカチオン種を基体上に引き込んで、表面をドラ
イエッチする。また、スパッタプロセスでは、例えば、
成膜したい金属と同組成のターゲットにプラズマ中のイ
オン叉はラジカルを衝突させ、ターゲットの金属原子を
スパッタし、スパッタリング粒子を基体上へ供給するこ
とにより成膜を行う。このとき、プラズマ中に生じた、
叉はターゲットをスパッタする際に生じた電子やアニオ
ン種は、一部がプラズマ中で正電荷と再結合してプラズ
マの維持に寄与し、他部は、自身の運動エネルギーやチ
ャンバ内の電位勾配に応じて運動する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、負電荷を有
する荷電粒子のうち、電子は質量が極く小さいため、ア
ニオン種等の他のイオンに比して移動速度が非常に速
く、しかも、飛程が比較的長い。また、チャンバ内に載
置されたウェハ等の基体にバイアス用の高周波電力が印
加されているような場合にも、電位の変化に対して極め
て鋭敏に追従する傾向にある。換言すれば、電子の平均
的な自由行路は極めて大きくなり、プラズマ処理に際し
て基体上に電子が降り注ぐように入射する状態が想起さ
れる。その結果、基体には負電荷が集積し、基体が全体
的に叉は局所的に負に帯電（チャージアップ）するおそ
れがある。

【０００６】こうなると、プラズマシースに対する基体
の電位状態が初期の設定状態から変化してしまい、場合
によっては、デポジションプロセスにおいて所望の膜特
性を有する薄膜の形成が困難となったり、エッチングプ
ロセスにおいて十分なエッチング効果が得られないおそ
れがある。より微視的に見れば、例えば、基体として下
地に素子構造が既に形成されているものを処理するとき
に、各層の段差や凹部のエッジ部分に電子が集積するよ
うな現象も考えられる。このようなケースでは、その部
分のエッチ速度が過大となったり、マイクロローディン
グが生じることも推測され、或いは、極端な場合には、
集積した電荷が素子構造に悪影響を及ぼすことも懸念さ
れる。

【０００７】一方、プラズマ処理においては、プラズマ
中に生じるイオン等の活性種がチャンバの内壁や内部の
部材をエッチし、いわゆるパーティクルが発生すること
がある。これらのパーティクルの大部分は、通常、チャ
ンバ内の排気によって外部へ排出されるが、基体が帯電
した場合には、パーティクルの一部が基体へ静電的に付
着するおそれがある。こうなると、ときには基体上の素
子が良品とならず、歩留まりの低下を招くことがある。

【０００８】他方、近年の半導体デバイスの高集積化、
微細化の急速な進展に対応すべく、シリコンウェハ等の
基体を大気中に放置したときに生じ得る不都合な自然酸
化膜（例えばＳｉＯ₂から成る薄膜）を除去することが
極めて重要となってきている。このような自然酸化膜を
除去する技術としては、従来より、Ａｒをプロセスガス
として用いたプラズマによるドライエッチングを行うも
のが主流であった。ただし、この方法では、Ａｒイオン
の高エッチ性により、基体上に設けられたコンタクトホ
ール等の凹部の開口縁部が削り取られ易い傾向にあっ
た。そこで、最近では、これを解決すべく、ＮＦ₃及び
Ｈｅをプロセスガスとして用い、更に誘導結合方式等に
より高密度プラズマを形成させるプラズマエッチング処
理が適用されつつある。

【０００９】しかし、本出願人の半導体デバイス、半導
体製造装置及びそれらの製造に係る多くの経験によれ
ば、このようなプラズマエッチングによって自然酸化膜
の除去を完了した基体をチャンバから取り出したとき
に、その基体が損傷叉は破損しているケースが認められ
た。このような現象が生ずる詳細な原因は未だ明かにな
っていないが、上述したのと同様に、プラズマ中から供
給された電子によって基体が負に帯電し、処理後にサセ
プタ等の保持部に静電的に固定されてしまい、その基体
をリフトピンによって持ち上げる際に無理な外力が作用
したり、これにより基体と他の部材とが接触し得ること
が一因ではないかと推定される。

【００１０】そこで、本発明はかかる事情に鑑みてなさ
れたものであり、基体をプラズマ処理する際に、基体が
負に帯電することを防止でき、これにより、基体に形成
された素子構造への影響を除去でき、しかも、処理後の
基体が損傷することを十分に抑止しつつ（換言すれば、
基体を十分に保護でき）、更にはパーティクルが基体上
に付着することをも防止できるプラズマ処理装置を提供
することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によるプラズマ処理装置は、（１）基体が収
容されるチャンバと、（２）チャンバ内に設けられてお
り、基体を保持する基体保持部と、（３）チャンバ内に
プラズマを形成させるプラズマ形成部と、（４）チャン
バ内に設けられており、正電圧が印加され、且つ、プラ
ズマ中に生じる負の電荷を有する荷電粒子を収集する電
極部とを備えることを特徴とする。

【００１２】このように構成されたプラズマ処理装置に
おいては、半導体ウェハ等の基体がチャンバ内に収容さ
れ、チャンバ内に設けられた基体保持部に保持される。
この状態で、プラズマ形成部によってチャンバ内にプラ
ズマが形成され、基体がプラズマに対して負の所定の電
位とされれば、基体上にカチオン等の活性種が供給され
る。エッチングや改質等の処理では、この活性種と基体
の表面物質との反応が引き起こされる。また、成膜処理
であれば、更にチャンバ内に金属製のターゲットを備
え、これにプラズマ中の荷電粒子が衝突して金属がスパ
ッタされ、スパッタリング粒子が基体上に堆積叉は反応
を伴って堆積する。

【００１３】このとき、チャンバ内に設けられた電極部
に正電圧が印加されると、この電極部は陽極となり、そ
の周囲に電界が生起される。こうなると、プラズマ中で
生じた電子叉はスパッタ等の過程で生じた電子や、更に
は他のアニオン種等は、正電位にある電極部に向かって
移動し、特に、移動速度が比較的速い電子が電極に収集
され易くなる。よって、電子等の負電荷を有する荷電粒
子が基体に到達する可能性が格段に低減されるし難くな
る（つまり、極めて入射し難くなる）。なお、電極部
は、単一の電極叉は二以上の電極で構成することがで
き、電極の形状、寸法等は特に制限されず、基体へのカ
チオン種やスパッタリング粒子の供給が不都合な程に妨
げられないように配置されることが望ましい。

【００１４】或いは、本発明によるプラズマ処理装置
は、（１）基体が収容されるチャンバと、（２）チャン
バ内に設けられており、基体を保持する基体保持部と、
（３）チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマ形成
部と、（４）チャンバ内において、基体保持部に保持さ
れた基体の周縁を含み且つ基体面に略直交する方向に延
在する仮想的な筒状面とチャンバ内壁との間に配置され
ており、正電圧を出力する電源に接続された電極部とを
備えるものであってもよい。

【００１５】このように構成しても、チャンバ内に生じ
る電子等は、電源から出力される正電圧が印加されて陽
極として機能する電極に収集されるので、これらの電子
が基体に達する可能性は極めて小さくなる。また、この
電極部が、基体保持部に保持された基体の周縁を含み且
つ基体面に略直交する方向に延在する仮想的な筒状面と
チャンバ内壁との間に配置されていると、基体へ向かう
カチオン種やスパッタリング粒子が電極部で妨げられな
いので、所望のプラズマ処理を好適に実施できる。

【００１６】具体的には、プラズマシース及び／叉はス
パッタターゲット等は、基体面に対向する位置に形成叉
は設置されることが多い。つまり、この場合、プラズマ
シース及び／叉はスパッタターゲット等は、基体保持部
に保持された基体の周縁を含み且つ基体に略直交する方
向に延在する仮想的な筒状面で画成される内方空間内に
位置することとなる。よって、それらと基体との間に電
極部が配置されないので、基体に向かって移動するカチ
オン種やスパッタリング粒子が、電極によって遮られる
ことがない。

【００１７】具体的には、本発明のプラズマ処理装置
は、基体上に形成された所定の膜叉は層をエッチングす
るもの、叉は、基体上に所定の膜叉は層を形成させるも
のであると有用である。このような処理は、半導体デバ
イスの製造過程における特に重要なプロセスの一つであ
って、基体に予め形成された素子構造の保護が殊に要求
されるものである。よって、基体への電子の集積による
帯電を防止すべく、本発明の適用が非常に好ましい処理
形態と言える。

【００１８】さらに、チャンバは、基体として自然酸化
膜が形成された叉は潜在的に形成された可能性がある半
導体ウェハが収容され、且つ、電磁場（電磁界）に対す
る非遮へい性を有する叉は高周波を透過する高周波導入
部を有するものであり、プラズマ形成部は、高周波導入
部の周囲に配置され、電磁場（電磁界）を生成する高周
波コイルと、その高周波コイルに接続されており高周波
コイルに高周波電力を印加する高周波電源とを有するも
のであると好適である。

【００１９】このような構成おプラズマ処理装置では、
高周波コイルに高周波電源から高周波電力が印加される
と、高周波コイルから高周波導入部を通してチャンバ内
に電磁場（電磁界）が誘導される。このとき、チャンバ
内に所定のプロセスガスが供給されると、チャンバ内に
例えば誘導結合型の高周波放電によるプラズマが形成さ
れる。これにより、プロセスガスが電離等され、基体保
持部に保持された半導体ウェハ上にカチオン種等が供給
されて基体上の自然酸化膜の構成物質と反応し、自然酸
化膜が有意に除去される。

【００２０】このような自然酸化膜の除去過程におい
て、従来は、先に述べたように半導体ウェハが負電位に
帯電することに起因して結果的に損傷を生ずるおそれが
あった。これに対し、本発明においては、チャンバ内に
生じた電子等の負電荷を有する荷電粒子が、電極部に向
かって移動し、収集されて消滅するので、これらの電子
等が半導体ウェハに到達することを十分に防止でき、半
導体ウェハの帯電が抑止される。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳細に説明する。なお、同一の要素には同一の符号を付
し、重複する説明を省略する。また、上下左右等の位置
関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づ
くものとする。また、図面の寸法比率は、図示の比率に
限られるものではない。

【００２２】図１は、本発明によるプラズマ処理装置の
好適な一実施形態を模式的に示す断面図（一部構成図）
である。プラズマ処理装置１０は、基体としての半導体
ウェハＷが収容されるチャンバ１２を備えたものであ
り、半導体ウェハＷに生じたＳｉＯ₂等から成る自然酸
化膜をプラズマエッチングにより除去するための装置で
ある。

【００２３】このチャンバ１２は、ステンレス鋼のよう
な導電性の金属材料から成る略円筒状の容器壁２０（チ
ャンバ内壁）と、その上部に取り付けられたアルミナ等
から成る高周波導入窓１６（高周波導入部；チャンバ内
壁を兼ねる）とから構成されている。高周波導入窓１６
は、半球ドーム状を成しており、その外側の周囲には、
チャンバ１２内に高周波を誘導する高周波コイル１８が
巻回されている。この高周波コイル１８の両端部には、
インピーダンス整合器２２を介して高周波電源２４が接
続されている。このように、高周波コイル１８、インピ
ーダンス整合器２２、及び高周波電源２４からプラズマ
形成部が構成されている。

【００２４】また、チャンバ１２に設けられたガス供給
口３６には、チャンバ内にＡｒ、ＮＦ₃、Ｈｅ等のプラ
ズマ形成用のプロセスガスを供給するガス供給系４０が
結合されている。さらに、チャンバ１２に設けられら排
気口３８には、チャンバ１２内を排気する真空ポンプ
（図示せず）を有する排気系５０が結合されている。ま
た、チャンバ１２の内部には、半導体ウェハＷが載置さ
れるサセプタ１４（基体保持部）が配置されている。こ
のサセプタ１４は、上面部に半導体ウェハＷを固定する
ための静電チャック２６が設けられており、また、イン
ピーダンス整合器２８を介してチャンバ１２の外部に設
けられた高周波電源３０と接続されている。

【００２５】さらに、サセプタ１４の下方には、チャン
バ１２の外部に配置されている図示しないウェハ搬送ロ
ボットとサセプタ１４との間の半導体ウェハＷの受渡し
を行うためのリフト機構が配置されている。このリフト
機構は、鉛直上方に延びる少なくとも３本のリフトピン
３２と、これらのリフトピン３２を上下駆動する駆動機
構（図示せず）とを有している。また、リフトピン３２
は、サセプタ１４に設けられた貫通孔３４を通して上下
動され、その上端がサセプタ１４の上面よりも高い位置
まで移動されるようになっている。

【００２６】またさらに、チャンバ１２内には、板状を
成す複数の電極３（電極部）が配置されている。これら
の電極３は、半導体ウェハＷの周部とチャンバ１２の内
壁との間、より厳密には、サセプタ１４上に保持された
半導体ウェハＷの周縁Ｗｅの座標を含み且つ半導体ウェ
ハＷ面に略直交する方向（図示鉛直方向）に延在する仮
想的な円筒面Ｓとチャンバ１２の内壁面２０ａとの間に
設置されている。また、これらの電極３は、チャンバ１
２の外部に設けられ且つ直流の正電圧を出力可能な電源
Ｄに接続されている。

【００２７】このような構成のプラズマ処理装置１０を
用いて、半導体ウェハＷの自然酸化膜を除去する手順の
一例について以下に説明する。まず、サセプタ１４上に
半導体ウェハＷを載せ、静電チャック２６により固定す
る。それから、排気系５０を運転し、チャンバ１２内が
所定の圧力となるまで減圧する。このときの所定圧力と
しては、例えば数〜数十ｍＴｏｒｒが挙げられる。チャ
ンバ１２内が所定圧力となった後、ガス供給系４０から
上述したような所定のプロセスガスを所定流量でチャン
バ１２内に供給する。

【００２８】次いで、高周波コイル１８に、高周波電源
２４から例えば１００Ｗの高周波電力を印加すると共
に、サセプタ１４に高周波電源３０から７５Ｗの高周波
電力を印加する。これにより、高周波コイル１８から高
周波導入窓１６を介してチャンバ１２の内部に電磁界が
誘導される。その結果、プロセスガスが電離等され、チ
ャンバ１２内における半導体ウェハＷの上方空間にプラ
ズマが形成される。

【００２９】プラズマ中で生じるプロセスガス起源の正
イオン（カチオン種）は、プラズマシースに対して相対
的に負電位となり且つサセプタ１４を介してバイアス用
の高周波電力が印加された半導体ウェハＷ上へ引き込ま
れ、半導体ウェハＷ表面の自然酸化膜（ＳｉＯ₂）と反
応する。例えば、プロセスガスとしてＮＦ₃を含む場合
には、ＳｉＦ₄等の揮発性成分が形成され、排気口３８
から排出される。

【００３０】さらに、このような自然酸化膜の除去プロ
セスを実施する際に、具体的には、例えば高周波コイル
１８へ高周波電力を印加するのと同時叉は略同時に、複
数の電極３へ正電圧を印加する。これにより、各電極３
は陽極として機能し、それらの周囲に電界が生じる。こ
れにより、プラズマから下方の半導体ウェハＷ側へ移動
する電子や他のアニオン種といった負電荷を有する荷電
粒子は、陽極である各電極３へ引き込まれるように移動
し、特に質量が小さく移動速度が速い電子は、各電極３
に収集され易くなる。こうして、自然酸化膜が除去され
ている半導体ウェハＷに電子が集積することが抑えら
れ、半導体ウェハＷのチャージアップが十分に防止され
る。

【００３１】ここで、各電極３へ印加する正の電圧値と
しては、他のプラズマ処理条件、電極３の寸法形状等に
もよるが、好ましくは＋５０〜＋５００Ｖ、より好まし
くは＋１００〜＋３００Ｖとすると好適である。この電
圧値が上記下限値未満であると、十分な強度の電界を有
意に生ぜしめることが困難な傾向にあり、こうなると電
子の収集効率が十分に高められない。これに対し、電圧
値が上記上限値を超えると、エッチャントや反応種とし
てのカチオン種の運動に影響を与えるおそれがあり、自
然酸化膜の除去効率が低下することがある。

【００３２】このような自然酸化膜の除去プロセスを所
定時間、例えば数秒〜数十秒間行った後、高周波コイル
１８やサセプタ１４への高周波電力の印加を通常の手順
で実施し、また、複数の電極３への直流正電圧の印加を
停止する。それから、静電チャック２６をＯＦＦとし、
リフトピン３２を上昇させてサセプタ１４から半導体ウ
ェハＷを持ち上げ、これをウェハ搬送ロボットに移載し
てチャンバ１２の外部へ搬出する。

【００３３】このように構成されたプラズマ処理装置１
０によれば、チャンバ１２内に設けられた各電極３に電
子等の負電荷を有する荷電粒子が収集されるので、プラ
ズマ処理されている半導体ウェハＷが負に帯電（チャー
ジアップ）することが十分に防止される。よって、半導
体ウェハＷが素子構造が形成されたものであっても、そ
れへの影響を除去できる。

【００３４】また、半導体ウェハＷのチャージアップが
防止されるので、自然酸化膜除去の一連の処理が終了し
た後に半導体ウェハＷがサセプタ１４へ静電的に固着し
てしまうことが十分に抑制される。よって、半導体ウェ
ハＷをリフトピン３２で持ち上げる際に、無用な外力が
作用しない。したがって、処理後の半導体ウェハＷの損
傷や破損を十分に抑止できる。

【００３５】さらに、このようなプラズマ処理を実施す
る間に、カチオン種が高周波導入窓１６の内壁と反応し
てＡｌ系パーティクルが発生したり、自然酸化膜からも
Ｓｉ系パーティクルが生じる可能性がある。このような
パーティクルの大部分は、排気口３８からチャンバ１２
外へ排出されるが、従前の方法では、その一部が半導体
ウェハＷ上に静電的に吸着されるおそれがあった。これ
に対し、プラズマ処理装置１０においては、上述の如
く、半導体ウェハＷのチャージアップが十分に抑止され
るので、半導体ウェハＷ上へのパーティクルの付着をも
防止することが可能となる。

【００３６】またさらに、各電極３が、サセプタ１４上
に保持された半導体ウェハＷの周縁Ｗｅの座標を含み且
つ半導体ウェハＷ面に略直交する方向（図示鉛直方向）
に延在する仮想的な円筒面Ｓとチャンバ１２の内壁面２
０ａとの間に設置されているので、各電極３が半導体ウ
ェハＷへのカチオン種の供給を妨げるおそれがない。よ
って、半導体ウェハＷ上の自然酸化膜の除去処理を所望
に且つより確実に実施できる。

【００３７】以上、本発明の好適な一実施形態について
詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されな
いことはいうまでもない。例えば、本発明は、自然酸化
膜を除去する誘導結合型のプラズマエッチング装置に限
られず、プラズマの形成を伴う処理が行われる種々の装
置、例えば、プラズマアッシング、プラズマＣＶＤ、プ
ラズマ酸化、スパッタエッチング、イオンプレーティン
グ、スパッタリングデポジション、プラズマ表面（改
質）処理用等の装置に適用できる。また、プラズマの形
成方法も特に制限されない。

【００３８】さらに、各種プロセス条件の数値範囲も上
述したものに限定されない。またさらに、電極３の他の
形状としては、棒状、針状、線状、平面網状、三次元網
状、コイル状等の巻回状、等を例示でき、さらにまた、
チャンバ１２内に固定して配置されずに可動配置されて
も構わず、数量も図示に限定されず、単一であってもよ
い。加えて、電源Ｄを、電圧の出力値を調節制御できる
制御装置に接続し、処理条件に応じて電極３への印加電
圧を調整するようにしてもよい。また、スパッタターゲ
ットを備える成膜装置とする場合には、電極３の構成材
質をターゲットの材質と同じにすれば、電極材料による
半導体ウェハＷの汚染を防止できるので好ましい。

【００３９】

【発明の効果】以上述べたように、本発明のプラズマ処
理装置によれば、基体をプラズマ処理する際に生成する
電子等の負電荷を有する荷電粒子が、チャンバ内に配置
された電極に収集されるので、基体が負に帯電（チャー
ジアップ）することを防止できる。そして、これによ
り、基体に形成された素子構造への影響を除去でき、し
かも、処理後の基体が損傷することを十分に抑止できる
（すなわち、基体を十分に保護できる）。更には、パー
ティクルが基体上に付着することをも防止することが可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるプラズマ処理装置の好適な一実施
形態を模式的に示す断面図（一部構成図）である。

【符号の説明】

３…電極（電極部）、１０…プラズマ処理装置、１２…
チャンバ、１４…サセプタ（基体保持部）、１６…高周
波導入窓（高周波導入部、チャンバ内壁）、１８…高周
波コイル、２０…容器壁（チャンバ内壁）、２４…高周
波電源、Ｄ…電源、Ｓ…仮想円筒面、Ｗ…半導体ウェハ
（基体）、Ｗｅ…周縁。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者原耕二千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内アプライドマテリアルズジャパン株式会社内Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 BC01 BC04 BC06 BC08 CA25 CA47 DA02 EB01 EC21 ED13 4K030 CA04 CA12 FA04 JA15 KA09 KA14 KA30 5F004 AA06 AA14 BA20 BB13 BD04 CA03 DA17 DA22 DB03 5F045 AA08 BB15 BB16 DP04 EB02 EB13 EH06 EH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体が収容されるチャンバと、前記チャンバ内に設けられており前記基体を保持する基
体保持部と、前記チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマ形成部
と、前記チャンバ内に設けられており、正電圧が印加され、
前記プラズマ中に生じる負の電荷を有する荷電粒子を収
集する電極部と、を備えることを特徴とするプラズマ処
理装置。
【請求項２】基体が収容されるチャンバと、前記チャンバ内に設けられており前記基体を保持する基
体保持部と、前記チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマ形成部
と、前記チャンバ内において、前記基体保持部に保持された
前記基体の周縁を含み且つ該基体面に略直交する方向に
延在する仮想的な筒状面と該チャンバ内壁との間に配置
されており、正電圧を出力する電源に接続された電極部
と、を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】当該プラズマ処理装置は、前記基体上に
形成された所定の膜叉は層をエッチングするもの、叉
は、前記基体上に所定の膜叉は層を形成させるものであ
る、ことを特徴とする請求項１叉は２に記載のプラズマ
処理装置。
【請求項４】前記チャンバは、前記基体として自然酸
化膜が形成された叉は形成された可能性がある半導体ウ
ェハが収容され、且つ、電磁場に対する非遮へい性を有
する高周波導入部を有するものであり、前記プラズマ形成部は、前記高周波導入部の周囲に配置
され、電磁場を生成する高周波コイルと、該高周波コイ
ルに接続されており該高周波コイルに高周波電力を印加
する高周波電源とを有するものである、ことを特徴とす
る請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装
置。