JP2020522838A - イオン原料物質としてヨウ化アルミニウムを使用する場合の水素共ガス - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は2017年6月5日に出願された米国仮出願第62/515,324号、名称「イオン原料物質としてヨウ化アルミニウムを使用する場合の水素共ガス」の利益を主張し、その内容全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本発明は概してイオン注入システムに関するものであり、より詳細には、水素共ガスを使用する、ヨウ化アルミニウムイオン原料物質(ソース材料)(source material)を含むイオン注入システムと、該イオン注入システムのインサイチュ(その場)(in-situ)洗浄のための機構を有するビームラインコンポーネントに関する。
イオン注入は、半導体および/またはウェハ材料にドーパントを選択的に注入するために半導体デバイス製造において使用される物理的プロセスである。したがって、注入の動作は、ドーパントと半導体材料との間の化学的相互作用に依存しない。イオン注入のために、イオン注入装置のイオン源からのドーパント原子/分子はイオン化され、加速され、イオンビームに形成され、分析され、ウェハを横切って掃引され、またはウェハはイオンビームを通って平行移動される。ドーパントイオンは物理的にウェハに衝突し、表面に入り、そのエネルギーに関連する深さで表面の下に静止する。
本開示はアルミニウム注入のためのイオン注入システムにおいて、性能を改善し、イオン源の寿命を延ばすためのシステム、装置、および方法を提供することによって、従来技術の制限を克服する。したがって、以下は本開示のいくつかの態様の基本的な理解を提供するために、本開示の簡略化された概要を提示する。この概要は、本開示の広範な概要ではない。これは、本発明の重要な要素を識別しかつ正確に概説するものでもない。その目的は、後に提示されるより詳細な説明の前置きとして、本開示のいくつかの概念を簡略化された形式で提示することである。
図1は、本開示のいくつかの態様によるヨウ化アルミニウムイオン原料物質を利用する例示的な真空システムのブロック図である。
本開示は、概して、イオン注入システムおよびそれに関連するイオン原料物質を対象とする。より詳細には、本発明が1000℃までの範囲の様々な温度で、ケイ素、炭化ケイ素、または他の半導体基板を電気的にドープするために、アルミニウム原子イオンを生成するためのヨウ化アルミニウム(AlI3)固体材料を使用する前記イオン注入装置用のコンポーネントに関する。さらに、本開示は、イオン原料ベポライザー物質としてヨウ化アルミニウムを使用する場合の引出電極およびソースチャンバコンポーネントへのヨウ化物の堆積を最小限に抑える。したがって、本開示は関連するアーキングおよびグリッチングを低減し、イオン原料および関連する電極層の全体的な寿命をさらに延ばす。
AlI3 → AL(s) + 3I(s) (1)
プラズマ中で解離することができる。
AlI3 + H2 + H2O
→ AL(s) + 3HI(g) + OH (2)
上の式(2)における水(H2O)は、イオン源108の表面(例えば、ソースチャンバ壁または他の内部表面)が大気に曝露されていたことから該表面上に存在し得たものであり、これはイオン源からの熱に曝露されることによって該表面から放出される。したがって、揮発性材料は式(2)の処理チャンバ122に関連付けられた1つまたは複数の真空ポンプ128(例えば、高真空ポンプ)を使用して、さらに排気することができる。本発明は、ホスフィン(PH3)または水素ガス(H2)などの他の水素含有共ガスを提供する水素共ガス源145をさらに企図することに留意されたい。したがって、水素共ガス源145は水素共ガスのインサイチュでの、図1のシステム100への導入を提供する。高圧(例えば、瓶詰めされた)水素ガスは非常に揮発性を有し、その危険性および爆発性の性質のために製造設備においてしばしば許容されないので、例えばホスフィンを共ガスとして使用することは水素を有する(H2)の使用よりも好ましい場合がある。
Claims (20)
- ヨウ化アルミニウム原料物質と、
前記ヨウ化アルミニウム原料物質をイオン化してイオンビームを形成するように構成されたイオン源と、
水素を含む還元剤を前記イオン源に導入するように構成された水素導入装置と、
前記イオンビームを選択的に輸送するように構成されたビームラインアセンブリと、
イオンをワークピースに注入するために前記イオンビームを受け入れるように構成されたエンドステーションと、
を備えた、イオン注入システム。 - 前記水素導入装置は、水素共ガス源を含み、
前記還元剤からの前記水素が、非伝導性の前記物質の化学的性質を変化させ、揮発性ガス副生成物を生成する、請求項1に記載のイオン注入システム。 - 前記水素導入装置は、加圧ガス源を備える、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記加圧ガス源が、水素ガスおよびホスフィンのうちの1つ以上を含む、請求項3に記載のイオン注入システム。
- 前記イオン注入システムに水蒸気を導入するように構成された水導入装置をさらに備える、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記イオン注入システムの1つ以上の囲い込まれた部分を実質的に排気するように構成された真空システムをさらに含む、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記イオン注入システムの前記1つ以上の囲い込まれた部分には、前記イオン源が設けられている、請求項6に記載のイオン注入システム。
- 前記ヨウ化アルミニウム原料物質は、固体形態および粉末形態のうちの一方である、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記イオン源に動作可能に結合された原料物質気化器をさらに含み、
前記原料物質気化器は、前記ヨウ化アルミニウム原料物質を気化するように構成されている、請求項8に記載のイオン注入システム。 - ヨウ化アルミニウム原料物質を気化させるステップと、
気化した前記ヨウ化アルミニウム原料物質をイオン注入システムのイオン源に供給するステップと、
前記イオン源に水素共ガスを供給するステップと、
前記イオン源内において前記ヨウ化アルミニウム原料物質をイオン化するステップであって、前記水素共ガスと気化した前記ヨウ化アルミニウムとを前記イオン源内において反応させて揮発性ヨウ化水素ガスを生成するステップと、
真空システムを介して前記揮発性ヨウ化水素ガスを除去するステップと、
イオン化された前記ヨウ化アルミニウム原料物質に由来するアルミニウムイオンをワークピースに注入するステップと、
を含む、ワークピースにアルミニウムイオンを注入する方法。 - 前記ヨウ化アルミニウム原料物質は、初期状態では、固体形態および粉末形態のうちの一方である、請求項10に記載の方法。
- 前記イオン源に前記水素共ガスを供給するステップは、前記イオン源に水素ガスおよびホスフィンのうちの1つ以上を供給するステップを含む、請求項10に記載の方法。
- 水蒸気を前記イオン注入システムの1つ以上の内部コンポーネントに導入することによって、前記イオン注入システムの前記1つ以上の内部コンポーネントから、残留ヨウ化アルミニウムおよび残留ヨウ化物のうちの1つ以上を洗浄するステップをさらに含む、請求項10に記載の方法。
- 前記イオン注入システムの前記内部コンポーネントに水蒸気を導入するステップは、前記イオン注入システムの前記1つ以上の内部コンポーネントに空気を導入するステップを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記イオン注入システムの前記1つ以上の内部コンポーネントに水蒸気を導入するステップは、真空下で供給ラインを通る前記1つ以上の内部コンポーネントへの水の流れを制御することにより、前記水を蒸発させるステップを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記イオン注入システムを排気することにより、前記水蒸気と、残留ヨウ化水素およびI2と、を実質的に除去するステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- 残留ヨウ化アルミニウムを生成するヨウ化アルミニウム原料物質を用いてイオン注入システムを洗浄する方法であって、
水素共ガスを前記イオン注入システムに導入するステップであって、残留ヨウ化アルミニウムおよび残留ヨウ化物を前記水素共ガスと反応させてヨウ化水素およびI2の1つ以上を形成するステップと、
前記イオン注入システムを排気することにより、前記ヨウ化水素を除去するステップと、
を含む方法。 - 前記水素共ガスが、水素ガスおよびホスフィンのうちの1つ以上を含む、請求項17に記載の方法。
- 前記水素共ガスを前記イオン注入システムに導入するステップは、加圧ガス源から前記水素ガスおよびホスフィンを導入するステップを含む、請求項18に記載の方法。
- ヨウ化アルミニウム原料物質を気化させるステップと、
気化した前記ヨウ化アルミニウム原料物質を前記イオン注入システムのイオン源に供給することにより、残留ヨウ化アルミニウムおよびI2のうちの1つ以上を形成するステップと、
をさらに含む、請求項17に記載の方法。
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