KR102607134B1 - 이온 소스 재료로 요오드화알루미늄 사용 시 수소 공동 가스 - Google Patents

이온 소스 재료로 요오드화알루미늄 사용 시 수소 공동 가스 Download PDF

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Abstract

요오드화알루미늄으로부터 이온 빔을 형성하도록 구성되는 이온 소스를 가지는 이온 주입 시스템이 제공된다. 빔 라인 조립체는 공작물 내로 알루미늄 이온을 주입하기 위해 이온 빔을 수용하도록 구성된 엔드 스테이션으로 상기 이온 빔을 선택적으로 이송한다. 아크 챔버는 요오드화알루미늄으로부터 플라즈마를 형성하는데, 전력 공급으로부터의 아크 전류는 요오드화알루미늄으로부터 알루미늄 이온을 해리시키도록 구성된다. 하나 이상의 추출 전극은 상기 아크 챔버로부터 이온 빔을 추출한다. 수소 공동 가스 소스는 수소 공동 가스를 더 도입하여, 잔류 요오드화알루미늄 및 요오드를 반응시키고, 상기 반응된 잔류 요오드화알루미늄 및 요오드는 상기 시스템으로부터 배출된다.

Description

이온 소스 재료로 요오드화알루미늄 사용 시 수소 공동 가스
본 발명은 일반적으로 이온 주입 시스템에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 수소 공동 가스를 사용하는 요오드화알루미늄 이온 소스 재료 및 상기 이온 주입 시스템의 인-시튜(in-situ) 세척을 위한 메커니즘을 가지는 관련 빔 라인 컴포넌트를 갖는 이온 주입 시스템에 관한 것이다.
본 출원은 2017년 6월 5일자로 출원된 "이온 소스 물질로 요오드화알루미늄을 사용 시 수소 공동 가스"라는 미국 가출원 제62/515,324호의 이점을 주장하고, 그 내용은 그 전문이 본원에 참조로 포함된다.
이온 주입(Ion implantation)은 반도체 및/또는 웨이퍼 재료에 도펀트(dopant)를 선택적으로 주입하기 위해 반도체 장치 제조에 적용되는 물리적 공정이다. 따라서, 상기 주입 작용은 도펀트와 반도체 재료 사이의 화학적 상호작용에 의존하지 않는다. 이온 주입을 위하여, 이온 주입기의 이온 소스로부터의 도펀트 원자/분자는 이온화되고, 가속화되며, 이온 빔으로 형성되고, 분석되며, 그리고 웨이퍼를 가로질러 스윕(swept)되거나, 혹은 상기 웨이퍼는 상기 이온 빔을 통해 변환된다. 상기 도펀트 이온은 상기 웨이퍼에 물리적으로 충돌하고, 상기 표면으로 들어가서 그들의 에너지와 관련된 깊이에서 표면의 하부에 머무른다.
이온 주입기들의 이온 소스는 통상적으로 아크 챔버에서 소스 재료를 이온화함으로써 상기 이온 빔을 생성하며, 상기 소스 재료의 컴포넌트는 소정의 도펀트 요소이다. 이때, 상기 소정의 도펀트 요소는 상기 이온 빔 형태의 상기 이온화된 소스 재료로부터 추출된다.
통상적으로, 알루미늄 이온이 상기 소정의 도펀트 원소인 경우, 질화알루미늄(AlN) 및 알루미나(Al2O3)와 같은 재료들이 이온 주입을 위해 알루미늄 이온의 소스 재료로서 사용되어 왔다. 질화알루미늄 또는 알루미나는 고체(solid), 절연성(insulative) 재료들이며, 이는 일반적으로 상기 플라즈마가 형성되는 (상기 이온 소스 내) 아크 챔버(arc chamber)에 배치된다.
통상적으로 가스(가령, 불소)가 알루미늄을 함유하는 재료들(aluminum-containing materials)을 화학적으로 에칭하기 위해 도입되어, 상기 소스 재료가 이온화되고, 알루미늄이 추출되며, 빔 라인을 따라 엔드 스테이션에 위치된 실리콘 카바이드 공작물로 이송되어 주입된다. 상기 알루미늄 함유 재료는, 예를 들어 상기 알루미늄 이온의 소스 재료로서 상기 아크 챔버에서 일정 형태의 에칭 가스(가령, BF3, PF3, NF3 등)와 함께 일반적으로 사용된다. 그러나, 이들 재료들은 상기 아크 챔버로부터 상기 예정된 알루미늄 이온과 함께 방출되는 절연 재료(가령, AlN, Al2O3 등)를 생성하는 부작용을 갖는다.
이어서 상기 절연 재료는 추출 전극과 같은 상기 이온 소스의 다양한 컴포넌트들을 코팅 한 다음, 전하를 형성하기 시작하고, 추출 전극의 정전기 특성을 불리하게 변경한다. 상기 전하 축적의 결과로 인하여, 상기 축적된 전하가 다른 컴포넌트 및 접지로 아크 됨으로써, 일반적으로 추출 전극의 “아킹(arcing)” 또는 "글리칭(glitching)"이라고 하는 작용이 일어난다. 극단적인 경우, 상기 추출 전극을 위한 전력 공급 작용이 변경되고 왜곡될 수 있다. 이로 인해 일반적으로 예측할 수 없는 빔 작용이 발생하고, 상기 이온 소스와 관련된 다양한 컴포넌트들을 청소하기 위해 빔 전류가 감소하고, 예방 보수(preventive maintenance)가 자주 이루어진다. 또한, 이러한 재료의 플레이크(flakes) 및 기타 잔류물(residue)이 상기 아크 챔버에서 형성되어, 작동 특성이 변경되고 빈번한 청소가 추가적으로 발생한다.
본 발명은 알루미늄 주입 용 이온 주입 시스템에서 이온 소스의 성능을 개선하고 수명을 연장시키기 위한 시스템, 장치 및 방법을 제공함으로써 종래 기술의 한계를 극복한다. 따라서, 다음은 본 발명의 일부 측면의 기본적인 이해를 제공하기 위해 본 발명의 간략화 된 요약을 제공한다. 본 요약은 본 발명의 포괄적인 개요가 아니다. 본 발명의 핵심 또는 중요한 요소를 식별하거나 본 발명의 범위를 설명하려는 것이 아니다. 본 발명의 목적은 후술하는 보다 상세한 설명에 대한 서두로서 본 발명의 일부 개념을 단순화 된 형태로 제시하는 것이다.
본 발명의 측면은 공작물에 알루미늄 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정을 용이하게 한다. 하나의 예시적인 측면에 따르면, 이온 빔을 형성하도록 구성된 이온 소스, 이온 빔을 선택적으로 이송하도록 구성된 빔 라인 조립체를 가지는 이온 주입 시스템이 제공되며, 엔드 스테이션은 상기 알루미늄 이온을 공작물에 주입하기 위해 이온 빔을 수용하도록 구성된다.
하나의 예시적인 측면에 따르면, 요오드화알루미늄 소스 재료가 제공되며, 상기 이온 소스는 상기 요오드화알루미늄 소스 재료를 이온화하고 그로부터 상기 이온 빔을 형성하도록 구성된다. 수소 도입 장치는, 예를 들어 수소를 포함하는 환원제를 상기 이온 소스에 도입하도록 구성된다. 일례로, 상기 수소 도입 장치는 수소 공동 가스 소스를 포함하고, 상기 환원제로부터의 상기 수소는 비 도전성 재료의 화학적 성질을 변화시켜 휘발성 가스 부산물을 생성한다. 상기 수소 도입 장치는 예를 들어 압축 가스 소스를 포함할 수 있고, 상기 압축 가스 소스는 수소 가스 및 포스핀 가스 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
다른 예로, 상기 이온 주입 시스템은 상기 이온 주입 시스템에 수증기를 도입하도록 구성된 물 도입 장치를 더 포함한다. 이온 주입 시스템의 하나 이상의 밀폐 부분들을 실질적으로 배기시키도록 진공 시스템이 추가로 제공되고 구성될 수 있다. 상기 이온 주입 시스템의 하나 이상의 밀폐 부분은 예를 들어 상기 이온 소스를 포함할 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 요오드화알루미늄 소스 재료는 고체 형태 및 분말 형태 중 하나이다. 따라서, 상기 이온 주입 시스템은 상기 이온 소스에 작동 가능하게 결합된 소스 재료 증발기를 더 포함할 수 있고, 상기 소스 재료 증발기는 상기 요오드화알루미늄 소스 재료를 증발시키도록 구성된다.
본 발명의 다른 예시적인 측면에 따르면, 공작물에 알루미늄 이온을 주입하는 방법이 제공된다. 일 예로서, 상기 방법은 요오드화알루미늄 소스 재료를 증발시키는 단계, 및 상기 증발된 요오드화알루미늄 소스 재료를 상기 이온 주입 시스템의 이온 소스에 제공하는 단계를 포함한다. 상기 요오드화알루미늄 소스 재료는 초기에는 고체 및 분말 형태 중 하나 일 수 있다. 수소 공동 가스가 상기 이온 소스에 더 제공되고, 상기 요오드화알루미늄 소스 재료는 상기 이온 소스에서 이온화되며, 상기 수소 공동 가스는 상기 이온 소스 내에서 상기 증발된 요오드화알루미늄과 반응하여 휘발성 요오드화수소 가스를 생성한다. 상기 진공 시스템을 통한 휘발성 요오드화수소 가스, 및 상기 이온화 된 요오드화알루미늄 소스 재료로부터의 알루미늄 이온이 공작물에 주입된다.
일 예로서, 상기 수소 공동 가스를 상기 이온 소스에 제공하는 단계는, 하나 이상의 수소 가스 및 포스핀을 상기 이온 소스에 제공하는 단계를 포함한다. 다른 예로서, 하나 이상의 잔류 요오드화알루미늄 및 요오드화수소산은 상기 이온 주입 시스템의 하나 이상의 내부 컴포넌트에 수증기를 도입함으로써 상기 이온 주입 시스템의 하나 이상의 내부 컴포넌트로부터 세정된다. 상기 이온 주입 시스템의 내부 컴포넌트에 수증기를 도입하는 단계는, 예를 들어, 상기 이온 주입 시스템의 하나 이상의 내부 컴포넌트에 대기를 도입하는 단계를 포함한다. 다른 예로서, 상기 이온 주입 시스템의 하나 이상의 내부 컴포넌트에 수증기를 도입하는 단계는, 진공 하에서 공급 라인을 통해 하나 이상의 내부 컴포넌트에 대한 물의 흐름을 제어함으로써 상기 물을 증발시키는 단계를 포함한다. 다른 예로서, 상기 방법은, 상기 이온 주입 시스템을 배기시켜, 상기 수증기 및 잔류 요오드화알루미늄 및 요오드화수소산을 실질적으로 제거하는 단계를 더 포함한다.
다른 예에 따르면, 잔류 요오드화알루미늄을 생성하는 요오드화알루미늄 소스 재료를 사용하여 이온 주입 시스템을 세정하기 위한 방법이 제공되며, 상기 방법은 수소 공동 가스를 상기 이온 주입 시스템에 도입하는 단계를 포함하고, 상기 잔류 요오드화알루미늄을 수소 공동 가스와 반응시켜 요오드화수소를 형성한다. 또한, 상기 이온 주입 시스템이 배기되어, 상기 이온 주입 시스템으로부터 요오드화수소가 제거된다. 상기 수소 공동 가스는 예를 들어 수소 가스 및 포스핀 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 수소 공동 가스를 상기 이온 주입 시스템에 도입하는 단계는, 압축 가스 소스로부터 수소 가스 및 포스핀을 도입하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 요오드화알루미늄 소스 재료가 증발되어 상기 이온 주입 시스템의 이온 소스에 제공되어 잔류 요오드화알루미늄을 형성한다.
상기한 요약은 단지 본 발명의 일부 실시 예의 일부 특징에 대한 간략한 개요를 제공하기 위한 것이며, 다른 실시 예는 전술한 것과 대비하여 추가 및/또는 다른 특징을 포함할 수 있다. 특히, 상기한 요약은 본 출원의 범위를 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다. 따라서, 전술한 목적 및 관련 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 이하에 기술되고 특히 청구 범위에서 지적되는 특징을 포함한다. 다음의 설명 및 첨부 도면들은 본 발명의 특정 예시적인 실시 예들을 상세히 설명한다. 그러나, 이들 실시 예는 본 발명의 원리가 사용될 수 있는 다양한 방식 중 일부를 나타낸다. 본 발명의 다른 목적, 장점 및 신규한 특징은 도면과 관련하여 고려될 때 이하의 본 발명의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 여러 측면에 따른 요오드화알루미늄 이온 소스 재료를 이용하는 예시적인 진공 시스템의 블록도이다.
도 2는 소스 재료로서 요오드화알루미늄을 사용하여 공작물에 알루미늄 이온을 주입하는 예시적인 방법을 도시한다.
도 3은 소스 재료로서 요오드화알루미늄을 사용하는 이온 주입 시스템을 세정하는 예시적인 방법을 도시한다.
본 발명은 일반적으로 이온 주입 시스템 및 이와 관련된 이온 소스 재료에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 실리콘(silicon), 실리콘 카바이드(silicon carbide) 또는 다른 반도체 기판을 1000℃까지의 다양한 온도에서 전기적으로 도핑하기 위해 원자 알루미늄 이온(atomic aluminum ions)을 생성하기 위한 요오드화알루미늄(AlI3) 고체 소스 재료를 사용하는 상기 이온 주입 시스템을 위한 컴포넌트들에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이온 소스 증발기 재료로서 요오드화알루미늄을 사용할 때 추출 전극들 및 소스 챔버 컴포넌트들 상의 요오드 증착물들(iodide deposits)을 최소화한다. 따라서, 본 발명은 관련된 아킹(arcing) 및 글리칭(glitching)을 감소시키고, 상기 이온 소스 및 관련된 전극들의 전체 수명을 더 증가시킬 것이다.
따라서, 본 발명은 이후 도면을 참조하여 설명될 것이며, 동일한 도면 번호는 전체에 걸쳐 유사한 요소를 지칭하기 위해 사용될 수 있다. 이들 양태의 설명은 단지 예시적인 것이며 제한적인 의미로 해석되어서는 안 된다는 것을 이해해야 한다. 다음의 설명에서, 설명의 목적으로, 본 발명의 철저한 이해를 제공하기 위해 다수의 특정 세부 사항이 설명된다. 그러나, 본 발명은 이러한 특정 세부 사항 없이도 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 또한, 본 발명의 범위는 첨부 도면을 참조하여 이하에 설명되는 실시 예 또는 보기에 의해 제한되는 것이 아니라 첨부된 청구 범위 및 그 등가물에 의해서만 제한되도록 의도된다.
상기 도면들은 본 발명의 실시 예들의 일부 측면들의 예시를 보여주기 위해 제공되므로, 단지 개략적인 것으로 간주되어야 한다는 것이 주목된다. 특히, 도면에 도시된 요소들은 반드시 서로 비례하는 것은 아니며, 도면에서 다양한 요소의 배치는 각각의 실시 예에 대한 명확한 이해를 제공하기 위해 선택되며, 본 발명의 실시 예에 따른 구현에서 다양한 구성 요소의 실제 상대 위치를 반드시 나타내는 것으로 해석되지 않아야 한다. 또한, 본 명세서에 기술된 다양한 실시 예 및 보기의 특징은 달리 구체적으로 언급되지 않는 한 서로 결합될 수 있다.
다음의 설명에서, 도면들에 도시되거나 본 명세서에 기술된 기능 블록들, 장치들, 컴포넌트들, 회로 요소들 또는 다른 물리적 또는 기능적 유닛들 사이의 임의의 직접 연결 또는 결합은 또한 간접 연결 또는 결합에 의해 구현될 수 있음을 이해해야 한다. 또한, 도면들에 도시된 기능 블록들 또는 유닛들은 일 실시 예에서 별도의 특징들 또는 회로들로서 구현될 수 있고, 또한 다른 실시 예에서 공통 특징 또는 회로에서 완전히 또는 부분적으로 구현될 수 있음을 이해해야 한다. 예를 들어, 여러 기능 블록들은 신호 프로세서와 같은 공통 프로세서에서 실행되는 소프트웨어로서 구현될 수 있다. 또한, 이하의 명세서에서 유선 기반으로 기술된 임의의 연결은 달리 언급되지 않는 한, 무선 통신으로서 구현될 수 있음을 이해해야 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 도 1은 예시적인 진공 시스템(vacuum system)(100)을 도시한다. 본 예시의 진공 시스템(100)은 이온 주입 시스템(101)을 포함하지만, 플라즈마 처리 시스템들 또는 다른 반도체 처리 시스템들과 같은 다양한 다른 유형의 진공 시스템들이 더 고려될 수 있다. 상기 이온 주입 시스템(101)은 예를 들어 터미널(terminal)(102), 빔 라인 조립체(beamline assembly)(104) 및 엔드 스테이션(end station)(106)을 포함한다.
일반적으로는, 상기 터미널(102)의 이온 소스(108)는 전력 공급(power supply)(110)에 연결되어 상기 이온 소스로부터 도펀트 가스를 복수의 이온으로 이온화하여 이온 빔(112)을 형성한다. 상기 추출 전극에 근접한 개개의 전극들은 중화 전자들(neutralizing electrons)이 상기 소스에 인접하거나 상기 추출 전극으로 다시 역류하는 것을 방지하도록 바이어스 될 수 있다. 본 발명의 이온 소스 재료(113)는 상기 이온 소스(108)에 제공되며, 상기 이온 소스 재료는 이하에 더 상세히 논의되는 바와 같이 요오드화알루미늄(AlI3)을 포함한다.
본 실시 예에서 상기 이온 빔(112)은 빔 조향 장치(114)를 통해 조향되고, 상기 엔드 스테이션(106)을 향해 개구(116) 밖으로 배출된다. 상기 엔드 스테이션(106)에서, 상기 이온 빔(112)은 척(120)(가령, 정전 척이나 ESC)에 선택적으로 클램핑되거나 장착되는 공작물(118)(가령, 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체, 디스플레이 패널 등)을 타격한다. 상기 주입된 이온들은 상기 공작물(118)의 격자 안으로 삽입되면, 상기 공작물의 상기 물리적 및/또는 화학적 특성들을 변화시킨다. 이로 인해, 이온 주입은 반도체 장치 제조 및 금속 마감은 물론이고, 재료 과학 연구의 다양한 응용 분야에 사용된다.
본 발명의 이온 빔(112)은 연필 또는 스폿 빔, 리본 빔, 스캔 빔과 같은 임의의 형태이거나, 또는 이온들이 엔드 스테이션(106)을 향하는 임의의 다른 형태를 취할 수 있으며, 이러한 모든 형태들은 본 발명의 범위 내에 있는 것으로 간주된다.
일 예시적인 측면에 따르면, 상기 엔드 스테이션(106)은 진공 챔버(vacuum chamber)(124)와 같은 공정 챔버(process chamber)(122)를 포함하며, 공정 환경(process environment)(126)은 상기 공정 챔버와 연관된다. 상기 공정 환경(126)은 일반적으로 공정 챔버(122) 내에 존재하며, 일 예에서, 상기 공정 챔버와 연결되고 상기 공정 챔버를 실질적으로 배기(evacuate)하도록 구성된 진공 소스(vacuum source)(128)(가령, 진공 펌프)에 의해 생성된 진공을 포함한다. 상기 진공 시스템(100)의 전반적인 제어를 위해 컨트롤러(130)가 더 제공된다.
본 발명은 특히, 전기 자동차 등과 같은 고전압 및 고온 장치에 사용되는 응용 분야에서, 실리콘 카바이드 기반 디바이스들(silicon carbide-based devices)을 갖는 공작물들(118)이 실리콘 기반 디바이스들(silicon-based devices)보다 우수한 열적 및 전기적 특성을 갖는 것으로 밝혀졌다. 그러나, 실리콘 카바이드로의 이온 주입은 상기 실리콘 공작물들에 사용되는 것과 다른 종류의 주입 도펀트들(implant dopants)을 이용한다. 실리콘 카바이드 이온 주입에서, 알루미늄 및 질소 주입들이 종종 수행된다. 예를 들어, 질소 주입들은 질소가 가스로 도입될 수 있고 비교적 쉬운 튜닝, 세정 등을 제공하기 때문에 비교적 간단하다. 그러나, 현재 알려진 알루미늄의 양호한 기체 솔루션이 거의 없기 때문에 알루미늄은 훨씬 어렵다.
통상적으로는, 알루미늄 이온 소스로서 질화알루미늄(AlN), 알루미나(Al2O3) 등의 재료가 이온 주입의 목적으로 사용되어 왔다. 질화알루미늄 또는 알루미나는 고체, 절연성 재료이며, 이는 전형적으로 플라즈마가 형성되는 상기 아크 챔버 내 (상기 이온 소스 내) 배치된다. 가스(가령, 불소)가 통상적으로 알루미늄 함유 재료들을 화학적으로 에칭하기 위해 도입되어, 상기 재료들이 이온화되고, 알루미늄이 추출되어 상기 빔 라인을 따라 상기 엔드 스테이션에 위치한 실리콘 카바이드 공작물로 이송된다. 예를 들어, 상기 알루미늄-함유 재료들은 상기 아크 챔버에서 상기 알루미늄 이온들의 상기 소스로서 어떤 형태의 에칭 가스(BF3, PF3, NF3등)와 함께 일반적으로 사용된다. 이들 재료들은 절연 재료(가령, AlN, Al2O3 등)를 생성하여 상기 아크 챔버로부터 상기 의도된 이온과 함께 방출되는 불운한 부작용을 갖는다.
이러한 절연 재료는 이후 추출 전극과 같은 이온 소스의 다양한 컴포넌트를 코팅(coat)하고, 충전되어 바람직하지 않게 이러한 전극의 정전기 특성을 변경하고 부담을 준다. 이는 다른 컴포넌트 및/또는 접지에 대한 축적 전하 아크로서 이들 전극의 일반적으로 글리칭(glitching) 또는 아킹(arcing)으로 지칭되는 동작을 초래한다. 최악의 경우 전력 공급 동작이 변경되고 왜곡될 수 있다. 이로 인해 예측할 수 없는 빔 동작이 발생하고, 이러한 컴포넌트를 청소하고 빔 전류를 줄이려면 예방 보수(preventive maintenance)를 자주 수행해야 한다. 또한, 이러한 재료들의 플레이크(flak) 및 기타 잔류물이 상기 아크 챔버에서 형성되어 작동 특성이 변경되어 잦은 청소로 연결된다.
본 발명은 요오드화알루미늄(AlI3)을 사용하여 원자 알루미늄 이온들을 생성함으로써, 전술한 절연 재료들, 플레이크(flake) 등이 생성되지 않고 축적되지 않으며, 이로써 상기 이온 소스와 전극들의 수명을 연장시켜 보다 안정적인 이온 빔 작동을 생성하고 실질적으로 더 높은 빔 전류들을 허용한다.
따라서 본 발명은 요오드화알루미늄(AlI3) 고체 소스 재료로부터 단일 원자 알루미늄 이온들을 생성하여, 실온에서부터 대략 1000℃까지의 온도에서 현재 기술보다 개선된 소스 수명, 빔 전류 및 작동 특성으로 실리콘 카바이드, 실리콘 또는 다른 기판을 전기적으로 도핑한다.
본 발명에 따르면, 요오드화알루미늄(분말 또는 기타 다른 고체 형태로 흔히 발견되는 AlI3)은 상기 이온 주입 시스템(101)의 고체 소스 증발기(solid source vaporizer)(140)(가령, 매사추세스주 Beverley 소재 Axcelis Technologies에서 제조한 적합한 이온 주입기)에 삽입된다. 요오드화알루미늄은 이온 주입을 위해 상기 아크 챔버로 도입될 일반적으로 일정한 분자 스트림(stream of molecules)을 생성하기 위해 상기 이온 소스(108)의 상기 증발기(140)에서 가열될 수 있는 흡습성 온도 민감성(hydroscopic temperature-sensitive) 분말 재료이다.
상기 이온 소스(108)를 상기 이온 주입기의 진공 시스템(100) 내로 삽입한 후, 이러한 재료는 상기 적절한 온도로 가열되어 (상기 이온 소스에서 플라즈마의 초기 형성을 도와주기 위하여 아르곤과 같은 공동 가스의 유무에 관계없이) 플라즈마를 형성하기에 충분한 재료의 상기 이온 소스로의 발전을 생성한다. 상기 요오드화알루미늄이 상기 적절한 온도에 도달하면, 충분한 재료가 방출되어 안정적인 플라즈마가 요오드화알루미늄 단독에 의해 또는 공동 가스와의 조합에 의해 상기 이온 소스(108)에서 생성될 수 있다. 이에 따라, 단일 원자 알루미늄 이온이 정전기적으로 추출 및 조작되어, 상기 이온 빔(112)을 형성하고, 상기 공작물(120)(가령, 실리콘 카바이드, 실리콘 등)로 이송되어 상기 알루미늄이 주입된다.
상기 분자들은 약하게 결합되어 다음과 같이 상기 플라즈마에서 해리될 수 있다.
AlI 3 → AL(s) + 3I(s) (1)
예를 들어, 상기 요오드의 부산물은 상기 이온 소스(108)의 전극 플레이트들과 같은 다양한 컴포넌트들을 코팅하는 일반적으로 고체 형태의 절연체이며, 이에 의해 상기 코팅은 높은 전기장에서 전기 충전(charging) 및 후속 아킹(arcing)를 유발할 수 있다. 추출 및 억제 전극들과 관련된 이러한 "아킹(arcing)" 또는 "글리칭(glitching)"은 이온 빔 (112)의 이용 및 그 안정성에 부정적인 영향을 미친다. 예를 들어, 이러한 고전압 스트레스 영역들에서의 전기 접지 복귀(ground return)들은 이러한 비 도전성 재료로 더 코팅될 수 있으며, 이에 의해 상기 이온 빔(112)에 의해 생성된 2차 전자들의 존재로 인해 충전 및 방전이 발생할 수 있다.
따라서, 본 발명은 수소와 같은 환원제를 수소 공동 가스 소스(co-gas source)(145)로부터 상기 이온 소스(108)로 도입하고, 이에 의해 상기 환원제는 비 도전성 재료의 화학적 성질을 변화시켜 휘발성 가스 부산물(가령, 요오드화수소, HI)로 전환시킨다. 상기 환원제는 예를 들어 공동 가스로 지칭될 수 있다. 예를 들어 다음 방정식은 하나의 예이다.
AlI 3 + H 2 + H 2 O → AL(s) + 3 HI(g) + OH (2)
식(2)에서 물(H2O)은 이전의 대기 노출로부터 상기 이온 소스(108)의 표면들(가령, 소스 챔버 벽들 또는 기타 다른 내부 표면들)에 존재할 수 있으며, 이로 인해 상기 물은 상기 이온 소스로부터 열을 받을 때 이러한 표면들로부터 방출될 수 있다. 따라서, 상기 휘발성 재료는 식(2)에서 공정 챔버(122)와 연관된 하나 이상의 진공 펌프(128)(가령, 고 진공 펌프)를 이용하여 펌핑 제거될 수 있다. 본 발명은 포스핀(PH3) 또는 수소 가스(H2)와 같은 다른 수소 함유 공동 가스를 제공하는 상기 수소 공동 가스 소스(145)를 더 고려한다는 점에 유의해야 한다. 따라서 상기 수소 공동 가스 소스(145)는 도 1의 상기 시스템(100)에 수소 공동 가스의 인-시튜(in-situ) 도입을 제공한다. 예를 들어, 고압의 (가령, 병에 든) 수소 가스는 휘발성이 높고, 위험하고 폭발적인 특성으로 인해 제조 시설에서 종종 허용되지 않기 때문에, 포스핀을 공동 가스로 사용하는 것은 수소 가스(H2)를 사용하는 것보다 바람직할 수 있다.
예를 들어, 요오드 및 수소로부터 식(2)에 도시된 반응 제어는 일반적으로 적합하다. 예를 들어, 식(2)에 도시된 반응은 휘발성 가스 부산물(가령, HI)을 형성한 후 전체 에너지를 감소시킨다. 상기 휘발성 가스 부산물은 예를 들어 상기 진공 소스(128)의 하나 이상의 진공 펌프에 의해 형성될 때 연속적으로 펌핑 제거된다.
본 발명은 상기 수소의 도입이 상기 이온 소스(108)의 내부 표면들 상에 분말의 형성뿐만 아니라 빔 강도의 I++ (amu-63.5)에서의 감소와 반응의 징후를 제공하였음을 나타내며, 이것은 식 (2)의 화학 반응이 일어나는 것을 나타낸다. 또한, I+ 이온 위치 인 amu-127에서 빔 강도의 감소가 발견되었다.
본 발명은 실리콘, 실리콘 카바이드 또는 다른 반도체 기판들에 원자 알루미늄 이온을 주입하기 위한 알루미늄 소스 재료로서 요오드화알루미늄(All3 등)을 사용함으로써 발생된 상기 이온 소스(108) 및 소스 영역으로부터 요오드화알루미늄 및 그 부산물 중 하나의 인-시튜(in-situ) 세정 기술을 더 제공한다.
예를 들어, 요오드화알루미늄은 상기 이온 주입 시스템(101)에서 소스 증발기(140)에 배치되는 고체 재료이다. 상기 소스 증발기(140)에서 적절한 온도로 가열하여 상기 고체 재료를 증발시키고, 그 결과로 생성된 요오드화알루미늄 증기를 상기 소스 이온화 챔버에서 해리시킨 다음 이온화하여, 상기 이온 주입 공정을 위해 추출된 원자 알루미늄 이온들을 생성한다. 이온화되지 않은 (분자 또는 비 해리) 재료는 내부 표면에 축적되거나 여러 요소들로 분해(break down)될 수 있으며, 이러한 주요 요소들은 요오드, 요오드화알루미늄 및 알루미늄이다. 예를 들어, 알루미늄은 상기 공정의 타켓 재료이며, 요오드는 상대적으로 비활성이지만 절연체이다. 잔류 요오드화알루미늄은 물 및/또는 대기에 노출될 때 반응성이 높고, 대기에 노출될 때 (매우 강한 부식을 일으키는 산) 요오드화수소산(hydroiodic acid)을 형성 한 다음, 더 분해되어 요오드화수소(hydrogen iodide)를 형성한다.
상기 소스 내의 상기 증발기는 불활성 환경 (가령, 아르곤, 질소 등)에서 요오드화알루미늄 재료로 로딩되어 상기 재료를 공기 중의 수분과 반응하도록 시작하지 않는다. 그런 다음 상기 소스를 이온 주입기에 설치하고, 진공 상태에서 상기 주입기의 작동 압력으로 펌핑 다운된다. 상기 요오드화알루미늄은 증기가 형성될 때까지 상기 증발기에서 가열되어 상기 이온화 챔버로 이동하며, 여기서 상기 알루미늄이 이온화되고 빔 라인으로 추출된다. 상기 소스 하우징 (및 다른 빔 라인 컴포넌트들) 내부의 미 반응 요오드화알루미늄 증기는 차가운 표면들에서 다시 고체화된다. 상기 반응 부산물인 요오드는 또한 소스 (및 다른 빔 라인 컴포넌트들) 벽을 코팅한다. 상기 초기 요오드화알루미늄 재료가 소진되거나 다 써버리면, 상기 소스를 제거하고, 세척하며, 요오드화알루미늄을 재 장전하여 상기 공정을 이어간다. 이때, 미 반응 요오드화알루미늄 및 요오드는 공기에 노출되며, 여기서 I2가 가스로 승화되거나 물 및/또는 산소와 반응하여 요오드화수소 및 불활성의 완전히 반응하는 요오드화 산화물을 형성할 수 있다.
그러나, 상기 요오드화알루미늄이 인-시튜(in-situ)에서 수증기(water vapor)에 노출되어 액체와 같은 불활성 잔류물을 형성할 수 있는 경우, 상기 잔류물의 일부가 기상(vapor phase)이 되어 상기 주입기의 진공 시스템 배기를 통해 펌핑 아웃될 수 있다. 수증기에 대한 이러한 인-시튜(in-situ) 노출은 일일 셧다운 사이클과 같이 주기적이거나 소스 수명이 끝난 (또는 상기 목적을 위해 별도의 전용 용기에서) 일련의 단일 노출 (퍼지 및 펌프 사이클) 일 수 있다.
적절한 시간에 상기 소스 하우징 내 적당한 영역에 유입된 수증기를 사용하면 요오드화알루미늄과 요오드가 반응하여, 상기 주입기의 진공 시스템에 의해 제거되고 남은 재료를 중화시키고, 이소 프로필 알코올(isopropyl alcohol) 또는 이와 유사한 기본 용액으로 세척할 수 있다. 상기 수증기는 화학적 반응 및 부식 측면을 최소화하는 안전한 방식으로 요오드화알루미늄 부산물을 반응시키도록 적절히 제어되어야 한다.
이러한 인-시튜(in-situ) 세척이 없다면, 미 반응 요오드화알루미늄 및 요오드의 양은 특별한 오염 제거 프로토콜 및 폐기로 이어질 것이다. 따라서 본 발명은 AlI3 부산물의 형성을 허용하고, 상기 진공 소스(128)의 하나 이상의 진공 펌프에 의해 이들 아웃-개싱(out-gassing) 부산물의 제거를 허용하기 위해 수증기를 진공 시스템 (또는 대체 외부 용기) 내로 도입하는 것을 다루고 있다.
이는 예비 빔 작동 (가령, 오버나이트)을 활용하는 등의 정기적인 시스템 셧다운 기간 동안 인-시튜(in-situ)에서 수행할 수 있다. 또는, 이는 일련의 개별 퍼지/펌프 사이클(가령, 대기압과 같거나 더 높음) 또는 단일 퍼지(가령, 대기압만큼 높음)에 이어 펌프 다운 사이클로 소스 증발기 수명이 끝날 때 인-시튜(in-situ)에서 달성될 수 있다. 상기 퍼지 및 펌프를 위해 전용 외부 용기가 더 제공될 수 있다.
따라서 본 발명은 가열 코일에 의해 가열되는 증발기(가령, 실린더 타입 오븐)에 배치되는 고체 또는 분말화된 요오드화알루미늄(AlI3)을 이용한다. 상기 요오드화알루미늄은 증발되고, 상기 증발된 재료는 튜브를 통해 아크 챔버(가령, 상기 이온 소스(108))로 나오며, 여기서 상기 빔 라인을 따라 이온화되고 이송되어 상기 공작물(112)에 주입된다.
도 2는 상기 공작물에 요오드화알루미늄을 주입하는 예시적인 방법(200)을 도시한다. 예시적인 방법들이 본 명세서에서 일련의 동작들 또는 이벤트들로서 도시되고 설명되지만, 본 발명에 따라, 일부 단계들은 상이한 순서로 및/또는 본 명세서에 도시되고 설명된 것과는 다른 단계들과 동시에 일어날 수 있기 때문에, 본 발명은 그러한 동작들 또는 이벤트들의 예시 된 순서에 의해 제한되지 않음을 이해할 것이다. 또한, 본 발명에 따른 방법론을 구현하기 위해 도시된 모든 단계가 필요한 것은 아니다. 또한, 상기 방법들은 여기에 도시되고 설명된 시스템뿐만 아니라 도시되지 않은 다른 시스템과 관련하여 구현될 수 있음을 이해할 것이다.
일 예시적인 양태에 따르면, 도 2의 단계(202)에서, 요오드화알루미늄이 제공된다. 상기 요오드화알루미늄 소스 재료는 예를 들어, 고체 형태 또는 분말 형태일 수 있다. 단계(204)에서, 예를 들어 상기 요오드화알루미늄 소스 재료는 증발되어 이온 소스에 제공된다. 단계(206)에서, 수소 공동 가스가 제공되거나 상기 이온 소스에 도입된다. 상기 수소 공동 가스는 예를 들어, 수소 가스 및 포스핀 가스 중 하나 이상을 포함한다. 단계(208)에서, 상기 요오드화알루미늄 소스 재료는 상기 이온 소스에서 이온화되며, 상기 수소 공동 가스는 상기 이온 소스 내에서 상기 증발된 요오드화알루미늄과 반응하여 휘발성 요오드화수소 가스를 생성한다. 단계(210)에서, 상기 휘발성 요오드화수소 가스는 펌프로 내보내지거나 진공 시스템을 통해 제거된다. 또한, 단계(212)에서, 이온화 된 요오드화알루미늄 소스 재료로부터의 알루미늄 이온이 상기 공작물에 주입된다.
본 발명의 다른 예시적인 양태에 따르면, 도 3은 알루미늄 이온을 공작물에 주입하는 다른 방법(300)을 도시한다. 예를 들어, 상기 방법(300)은 단계(302)에서 요오드화알루미늄 소스 재료를 제공하는 단계를 포함한다. 단계(302)에서 제공된 요오드화알루미늄 소스 재료는 예를 들어 고체 형태 또는 분말 형태일 수 있다. 단계(304)에서, 예를 들어, 요오드화알루미늄 소스 재료는 증발되어 이온 소스에 제공된다. 단계(306)에서, 상기 요오드화알루미늄 소스 재료는 상기 이온 소스에서 이온화되고, 단계(308)에서, 상기 이온화 된 요오드화알루미늄 소스 재료로부터의 알루미늄 이온이 공작물에 주입된다.
단계(310)에서, 수소 공동 가스가 제공되거나 상기 이온 소스에 도입된다. 상기 수소 공동 가스는 예를 들어, 수소 가스 및 포스핀 가스 중 하나 이상을 포함한다. 다른 예에서, 수증기는 상기 이온 주입 시스템의 하나 이상의 내부 컴포넌트에 더 도입된다. 단계(310)에서 이온 주입 시스템의 내부 컴포넌트에 수증기(water vapor)를 도입하는 것은, 예를 들어, 이온 주입 시스템의 하나 이상의 내부 컴포넌트에 대기(atmospheric air)를 도입하는 단계를 더 포함할 수 있다. 하나의 대안에서, 이온 주입 시스템의 하나 이상의 내부 컴포넌트에 수증기를 도입하는 단계는 진공 하의 공급 라인을 통해 하나 이상의 내부 컴포넌트에 대한 물의 흐름을 제어함으로써, 물을 증발시키는 단계를 포함한다.
단계(312)에서, 수소 공동 가스 및/또는 증발된 물은 상기 이온 소스 내에서 상기 증발된 요오드화알루미늄과 반응하여, 상기 이온 소스 내에서 휘발성 요오드화수소 가스를 생성하여 휘발성 요오드화수소 가스를 생성한다. 예를 들어, 단계(312)는 수소 공동 가스 및 물과 상기 증발된 요오드화알루미늄의 반응을 통해 이온 주입 시스템의 하나 이상의 내부 컴포넌트로부터 하나 이상의 잔류 요오드화알루미늄 및 요오드를 세정하는 단계를 더 포함한다.
단계(314)에서, 휘발성 요오드화수소 가스는 펌프로 보내지거나 진공 시스템을 통해 제거된다. 예를 들어, 상기 이온 주입 시스템이 배기되어, 그 안에 상기 수증기 및 잔류 요오드화알루미늄 및 요오드화수소산이 실질적으로 제거된다.
요오드화알루미늄은 전통적으로 상기 이온 주입에 이용하기 어려운 재료인데, 이는 상기 대기로부터 물을 흡수하여 HI 및 산 (예를 들어, 요오드화수소산) 뿐만 아니라 기체성 I2를 형성하는 흡습성 재료(hygroscopic material)이기 때문이다. 따라서, 요오드화알루미늄 및 그 부산물은 다루기가 어렵고 (가령, 불활성 가스를 갖는 글러브 박스는 일반적으로 상기 재료를 다루는데 사용된다), 컴포넌트는 종종 사용 후에 조심스럽게 세척 기타 처리된다. 그러나, 상기 요오드화알루미늄은 증발기 내에 있고, 상기 소정의 처리 온도 (가령, 90 내지 100℃ 범위의 온도)에 있는 동안은, 일반적으로 알루미나(alumina) 등에서 보이던 부산물은 생성하지 않고 잘 수행된다.
다른 소스 재료와 마찬가지로 잔류 재료는 일반적으로 남게 된다. 기체 소스 재료를 주입할 때, 상기 잔류 재료는 일반적으로 상기 진공 시스템을 통해 상기 시스템 밖으로 펌프 아웃 될 수 있다. 그러나, 고체 소스 재료를 이용하여 주입할 때, 상기 잔류 재료는 일반적으로 결합 된 이온 소스로부터 나오는 고체이고, 이로써 상기 결합된 재료는 상기 빔 라인을 따라 마주친 다음 차가운 표면을 코팅한다. 요오드화알루미늄을 사용하면 상기 통합된 AlI3는 상기 빔 라인의 냉각기 컴포넌트를 코팅하며, 상기 재료가 흡습성이므로 상기 컴포넌트를 제거하고 공기 중 수증기에 노출되면 세척이 어려울 수 있다. 그러나, 본 발명은 상기 고체 재료의 충전 수명의 끝에서 또는 상기 진공 시스템을 통해 생성된 휘발성 요오드화수소의 후속 배출을 위해 이온 소스의 작동과 동시에 수소 공동 가스(가령, 수소 또는 포스핀과 같은 수소 함유 가스의 인-시튜 도입)를 도입한다.
본 발명은 일부 수동 세정이 여전히 수행될 필요가 있지만, AlI3의 대부분은 수증기를 통해 제거된다는 것을 이해한다. 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol)을 사용하여 수동 청소를 더 수행할 수 있다.
한 가지 방법은 상기 이온 소스가 냉각되는 동안 수증기를 도입하는 것이다. 소량의 수증기가 주기적으로 유입되면 작동 중에 상기 시스템을 지속적으로 청결하게 유지할 수 있으며, 결국 많은 양의 정화(cleanup)가 필요하지 않다.
또는, 상기 시스템은 상기 소스 재료의 사용이 끝날 때 다량의 수증기에 노출될 수 있으며, 상기 시스템은 펌프 다운되고 상기 노출은 여러 번 반복된다. 저온 특성으로 인해, 따뜻한 컴포넌트는 상기 재료 축적에 의해 많은 영향을 받지 않으며, 비 빔-스트라이크 영역(non beam-strike areas)에서 빌드 업(build-up)이 종종 발생한다는 것을 이해해야 한다.
일 예에서, 고체 소스 재료를 사용하는 작업 사이클이 끝나면(가령, 생산 일 종료), 증발기 온도를 낮추고 상기 재료를 식히는 동안 아크 챔버에 활성 플라즈마를 유지하기 위해 "셧 다운 빔(shut down beam)"이 작동함으로써(가령, 아르곤 빔), 냉각하는 동안 비 이온화 환경을 실질적으로 방지한다. 따라서, 상기 아르곤 빔은 상기 컴포넌트를 따뜻하게 유지하고, 그 냉각 기간 동안, 낮 동안의 마지막 작동 시간 동안 제어된 양의 수증기가 시스템에 주입된다.
수증기의 인-시튜(in-situ) 도입에 대한 대안으로서, 수증기의 더 큰 노출이 도입되고 상기 시스템은 이어서 공기로 배출되며, 이로써 AlI3가 액화 또는 증발된 후 상기 진공 시스템을 통해 펌프 된다.
비록 본 발명이 특정 실시 예 또는 실시 예들과 관련하여 도시되고 설명되었지만, 전술한 실시 예는 본 발명의 일부 실시 예의 구현을 위한 예일 뿐이며, 본 발명의 응용은 이들 실시 예로 제한되지 않는다는 점에 유의해야 한다. 특히, 전술한 컴포넌트(어셈블리들, 장치들, 회로들 등)에 의해 수행되는 다양한 기능과 관련하여, 그러한 컴포넌트를 설명하기 위해 사용된 용어("수단"에 대한 언급 포함)는, 달리 지시되지 않는 한, 본 명세서에 도시된 본 발명의 예시적인 실시 예에서의 기능을 수행하는 개시된 구조와 구조적으로 동일하지는 않지만, 기술된 컴포넌트(즉, 기능상 동등함)의 특정 기능을 수행하는 임의의 컴포넌트에 대응하도록 의도된다. 또한, 본 발명의 특정 특징은 몇몇 실시 예 중 하나에 대해서만 개시될 수 있지만, 이러한 특징은 임의의 주어진 또는 특정 응용에 바람직하고 유리할 수 있는 다른 실시 예의 하나 이상의 다른 특징과 결합될 수 있다. 따라서, 본 발명은 전술한 실시 예로 제한되지 않고 첨부된 청구 범위 및 그 등가물에 의해서만 제한되도록 의도된다.

Claims (20)

  1. 이온 주입 시스템에 있어서,
    요오드화알루미늄 소스 재료;
    상기 요오드화알루미늄 소스 재료를 이온화하고, 이로부터 이온 빔을 형성하도록 구성되는 이온 소스, 여기서 상기 이온 빔은 알루미늄 이온 및 요오드화 이온을 포함함;
    수소를 포함하는 환원제를 상기 이온 소스에 도입하도록 구성되는 수소 도입 장치;
    상기 이온 빔을 선택적으로 이송하도록 구성되는 빔 라인 조립체; 및
    공작물 내로 이온 주입을 위해 상기 이온 빔을 수용하도록 구성되는 엔드 스테이션;
    을 포함하되,
    상기 요오드화알루미늄 소스 재료는 고체 형태이고,
    상기 이온 주입 시스템은 상기 이온 소스에 작동 가능하게 결합되는 소스 재료 증발기를 더 포함하고,
    여기서 상기 소스 재료 증발기는 상기 요오드화알루미늄 소스 재료를 증발시키도록 구성되고, 상기 소스 재료 증발기 내 처리 온도는 90℃ 내지 100℃인 것을 특징으로 하는, 이온 주입 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 수소 도입 장치는 수소 공동 가스 소스를 포함하고, 상기 환원제로부터의 상기 수소는 상기 요오드화 이온의 화학적 성질을 변화시켜 휘발성 가스 부산물을 생성하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 수소 도입 장치는 압축 가스 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 압축 가스 소스는 수소 가스 및 포스핀 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 시스템.
  5. 제 1 항 있어서,
    상기 이온 주입 시스템에 수증기를 도입하도록 구성되는 물 도입 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 이온 주입 시스템의 하나 이상의 밀폐된 부분을 실질적으로 배기시키도록 구성되는 진공 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 이온 주입 시스템의 하나 이상의 밀폐된 부분은 상기 이온 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 시스템.
  8. 공작물에 알루미늄 이온을 주입하는 방법에 있어서,
    요오드화알루미늄 소스 재료를 90℃ 내지 100℃의 온도에서 증발시키는 단계, 상기 요오드화알루미늄 소스 재료는 고체 형태임;
    상기 증발된 요오드화알루미늄 소스 재료를 이온 주입 시스템의 이온 소스에 제공하는 단계;
    상기 이온 소스에 수소 공동 가스를 제공하는 단계;
    상기 이온 소스에서 상기 요오드화알루미늄 소스 재료를 이온화하고, 상기 수소 공동 가스는 상기 이온 소스 내에서 상기 증발된 요오드화알루미늄과 반응하여 휘발성 요오드화수소 가스를 생성하는 단계;
    진공 시스템을 통해 상기 휘발성 요오드화수소 가스를 제거하는 단계; 및
    상기 이온화된 요오드화알루미늄 소스 재료로부터 알루미늄 이온을 공작물에 주입하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 이온 소스에 상기 수소 공동 가스를 제공하는 단계는,
    수소 가스 및 포스핀 중 하나 이상을 상기 이온 소스에 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 이온 주입 시스템의 하나 이상의 내부 컴포넌트에 수증기를 도입함으로써, 상기 이온 주입 시스템의 하나 이상의 내부 컴포넌트로부터 잔류 요오드화알루미늄 및 요오드 중 하나 이상을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 이온 주입 시스템의 상기 내부 컴포넌트에 수증기를 도입하는 단계는,
    상기 이온 주입 시스템의 하나 이상의 내부 컴포넌트에 대기를 도입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 이온 주입 시스템의 상기 하나 이상의 내부 컴포넌트에 수증기를 도입하는 단계는,
    진공 하에서 공급 라인을 통해 상기 하나 이상의 내부 컴포넌트로 물의 흐름을 제어함으로써, 상기 물을 증발시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 이온 주입 시스템을 배기시키는 단계를 더 포함하여,
    상기 수증기 및 잔류 요오드화수소 및 I2를 실질적으로 제거하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 방법.
  14. 잔류 요오드화알루미늄을 생성하는 요오드화알루미늄 소스 재료를 사용하여 이온 주입 시스템을 세정하는 방법에 있어서,
    상기 이온 주입 시스템에 수소 공동 가스를 도입하고, 잔류 요오드화알루미늄 및 요오드를 상기 수소 공동 가스와 반응시켜 요오드화수소 및 I2 중 하나 이상을 형성하는 단계; 및
    상기 이온 주입 시스템을 배기시켜, 요오드화수소를 제거하는 단계;
    를 포함하되,
    요오드화알루미늄 소스 재료를 90℃ 내지 100℃의 온도에서 증발시키는 단계, 상기 요오드화알루미늄 소스 재료는 고체 형태임; 및
    상기 증발된 요오드화알루미늄 소스 재료를 상기 이온 주입 시스템의 이온 소스에 제공함으로써, 상기 잔류 요오드화알루미늄 및 I2 중 하나 이상을 형성하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 시스템 세정 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 수소 공동 가스는 수소 가스 및 포스핀 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 시스템 세정 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 이온 주입 시스템에 상기 수소 공동 가스를 도입하는 단계는,
    압축 가스 소스로부터 상기 수소 가스 및 포스핀 중 하나 이상을 도입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 시스템 세정 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220013323A1 (en) * 2020-07-10 2022-01-13 Axcelis Technologies, Inc. Hydrogen co-gas when using a chlorine-based ion source material
WO2022072831A1 (en) * 2020-10-02 2022-04-07 Entegris, Inc. Methods and systems useful for producing aluminum ions
US11699565B2 (en) * 2020-10-30 2023-07-11 Axcelis Technologies, Inc. Fluorine based molecular co-gas when running dimethylaluminum chloride as a source material to generate an aluminum ion beam
US11699563B2 (en) * 2020-10-30 2023-07-11 Axcelis Technologies, Inc. Etching aluminum nitride or aluminum oxide to generate an aluminum ion beam

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130260543A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for processing a substrate
JP2015095414A (ja) * 2013-11-13 2015-05-18 株式会社Ｓｅｎ イオン生成装置およびイオン生成方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3933530A (en) * 1975-01-28 1976-01-20 Rca Corporation Method of radiation hardening and gettering semiconductor devices
JPS6054150A (ja) * 1983-09-01 1985-03-28 Hitachi Ltd イオン源
JPS60195853A (ja) * 1984-03-16 1985-10-04 Hitachi Ltd マイクロ波イオン源
JPS60205951A (ja) * 1984-03-30 1985-10-17 Hitachi Ltd アルミニウムイオン用マイクロ波イオン源
JPH0572053A (ja) 1991-09-17 1993-03-23 Mitsubishi Electric Corp 温度検出装置
DE69310508T2 (de) * 1993-07-29 1997-12-18 Cons Ric Microelettronica Verfahren zur Erzeugung eines Stroms von Aluminium-Ionen
US5852345A (en) 1996-11-01 1998-12-22 Implant Sciences Corp. Ion source generator auxiliary device for phosphorus and arsenic beams
US6135128A (en) * 1998-03-27 2000-10-24 Eaton Corporation Method for in-process cleaning of an ion source
US6452338B1 (en) * 1999-12-13 2002-09-17 Semequip, Inc. Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer
KR20030085087A (ko) 2001-04-03 2003-11-01 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. 이온 공급원 필라멘트 및 방법
GB0128913D0 (en) 2001-12-03 2002-01-23 Applied Materials Inc Improvements in ion sources for ion implantation apparatus
US6921062B2 (en) 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
JPWO2007086196A1 (ja) 2006-01-30 2009-06-18 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
EP2283509A1 (en) 2008-05-30 2011-02-16 Axcelis Technologies, Inc. Control of particles on semiconductor wafers when implanting boron hydrides
US8796131B2 (en) * 2009-10-27 2014-08-05 Advanced Technology Materials, Inc. Ion implantation system and method
US20110108058A1 (en) * 2009-11-11 2011-05-12 Axcelis Technologies, Inc. Method and apparatus for cleaning residue from an ion source component
US8071956B2 (en) 2010-03-10 2011-12-06 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Cleaning of an extraction aperture of an ion source
US9984855B2 (en) * 2010-11-17 2018-05-29 Axcelis Technologies, Inc. Implementation of co-gases for germanium and boron ion implants
US8778783B2 (en) * 2011-05-20 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Methods for improved growth of group III nitride buffer layers
JP6054150B2 (ja) 2012-11-22 2016-12-27 日本電子材料株式会社 プローブカードケース及びプローブカードの搬送方法
JP5950855B2 (ja) * 2013-03-19 2016-07-13 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン注入装置およびイオン注入装置のクリーニング方法
US9165773B2 (en) 2013-05-28 2015-10-20 Praxair Technology, Inc. Aluminum dopant compositions, delivery package and method of use
US20150087108A1 (en) 2013-09-26 2015-03-26 Tel Solar Ag Process, Film, and Apparatus for Top Cell for a PV Device
US10087520B2 (en) * 2016-06-21 2018-10-02 Axcelis Technologies, Inc. Implantation using solid aluminum iodide (AlI3) for producing atomic aluminum ions and in situ cleaning of aluminum iodide and associated by-products

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130260543A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for processing a substrate
JP2015095414A (ja) * 2013-11-13 2015-05-18 株式会社Ｓｅｎ イオン生成装置およびイオン生成方法

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TWI785057B (zh) 2022-12-01
US10676370B2 (en) 2020-06-09
US20180346342A1 (en) 2018-12-06
TW201909231A (zh) 2019-03-01

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