CN109075000A - 镧钨离子源及束线组件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种离子注入系统，其具有一个或多个导电组件，所述导电组件由镧钨以及与预定百分比的稀土金属形成合金的耐熔金属中的一种或多种组成。所述导电组件可以是离子源的组件，诸如阴极、阴极护罩、推斥极、内衬、孔板、电弧腔室主体和撞击板中的一个或多个。所述孔板可以与引出孔径、抑制孔径和接地孔径中的一个或多个相关联。

Description

镧钨离子源及束线组件

相关申请的引用

本申请要求于2016年5月13日提交的美国临时申请号US 62/336,246、名称为“LANTHANATED TUNGSTEN ION SOURCE AND BEAMLINE COMPONENTS”的权益，引用其内容全文并入本文。

技术领域

本发明总体上涉及离子注入系统，更具体涉及一种改进的离子源和束线组件，它们能够提高离子注入系统在各方面的使用寿命、稳定性和操作性。

背景技术

在半导体装置的制造中，离子注入用于将半导体掺杂有杂质。离子注入系统经常被利用来在集成电路的制造期间，将例如半导体晶片的工件掺杂有来自离子束的离子，以便产生n型或p型材料的掺杂或形成钝化层。这种射束处理常用来以预定能量水平在受控浓度下将特定掺杂材料的杂质选择性注入晶片，以在制作集成电路期间产生半导体材料。该离子注入系统用于掺杂半导体晶片时，将所选的离子物质注入到工件中，以产生所需的含杂质材料。举例而言，从诸如锑、砷或磷等原料所生成的注入离子产生“n型”含杂质材料晶片，而“p型”含杂质材料晶片常出自利用诸如硼、镓或铟等原料所生成的离子。

典型的离子注入机包括离子源、离子引出装置、质量分析装置、射束传输装置和晶片处理装置。离子源生成所需原子或分子掺杂物质的离子。这类离子是借由引出系统从来源引出，该引出系统通常为一组电极，这些电极激励并导控来自来源的离子流动，形成离子束。在质量分析装置中从离子束中分离出所需的离子，该质量分析装置通常是磁偶极，对引出的离子束执行质量色散或质量分离。射束传输装置将离子束传输至晶片处理装置，同时维持离子束的预期性质，该射束传输装置通常是包含一系列聚焦装置的真空系统。最后，经由晶片操纵系统，将半导体晶片送进及送出晶片处理装置，该晶片操纵系统可以包括一个或多个机械臂，用于将待处理晶片置于离子束前方并将经处理晶片从离子注入机移除。

离子源(通常称作电弧离子源)产生用于注入机的离子束并且能够包括热丝阴极来产生离子，这些离子被塑成适用于晶片处理的离子束。举例而言，授予Sferlazzo等人的美国专利文献US 5497006公开一种具有阴极的离子源，该阴极由基座支承并相对于气闭腔室定位，以便将离子化电子喷射到该气闭腔室内。Sferlazzo等人的专利文献中所述的阴极是管状导电主体，其端盖部分延伸到气闭腔室内。丝极支承于管状主体内并喷射电子，这些电子通过电子轰击加热端盖，由此以热离子方式将离子化电子射入气闭腔室内。

诸如氟等常见离子源气体或其他挥发性腐蚀物质可能会随时间蚀刻阴极和推斥极密封件的内径，从而导致挥发性气体逸出并损坏附近的绝缘体，诸如推斥极总成的绝缘体。这种泄漏会缩短离子源的使用寿命，从而必须将离子注入机停机来更换其中的部件。

发明内容

有鉴于此，本发明提出用于增长离子源使用寿命的系统和设备。据此，下文呈现本发明的简要概述，以提供对本发明的某些方面的基本理解。本发明内容部分并非本发明的详尽综述。其既非旨在确定本发明的关键元件或主要元件，亦非限定本发明的范围。其目的在于，以简化形式呈现本发明的某些构思，作为下文具体实施方式的引言。

根据本发明的某一方面，提供一种离子注入系统，其具有一个或多个导电组件，所述导电组件由镧钨以及一种或多种与预定百分比的稀土金属形成合金的耐熔金属组成。在某一示例中，提供离子源，其包括电弧腔室，该电弧腔室具有主体，该主体界定电弧腔室的内部区域。内衬可操作地耦接至电弧腔室的主体。根据另一示例性方面，进一步提供具有轴部和头部的电极，其中，该轴部穿过主体和内衬中的通孔。所述轴部进一步与内衬电性隔离。举例而言，所述电极可以包括阴极、推斥极、对阴极和阴极护罩中的一个或多个。

由镧钨以及一种或多种与预定百分比的稀土金属形成合金的耐熔金属组成的导电组件可以是离子源的组件，诸如阴极、阴极护罩、推斥极、内衬、孔板、电弧腔室主体和撞击板中的一个或多个。所述孔板可以与引出孔径、抑制孔径和接地孔径中的一个或多个相关联。

根据本发明的另一示例性方面，提出一种离子源，诸如用于离子注入系统的离子源。举例而言，所述离子源包括电弧腔室和气体源，其中该气体源进一步配置成将气体引入电弧腔室主体的内部区域。

在另一示例中，所述离子源包括与阴极对置的推斥极。可以进一步在电弧腔室中设置弧隙，用于从电弧腔室中引出离子。

为实现前述及有关目的，本发明包括下文完整描述且特别在权利要求书中所指出的特征。下列说明及附图详细提出于本发明的某些说明性实施例。然而，这些实施方案仅表明采用本发明原理的多种不同方式中的少数几种。在结合附图考虑的情况下，由下文对本发明的详细描述会更清楚理解本发明的其他目的、优点及新颖性特征。

附图说明

图1是根据本发明几方面的利用离子源阴极护罩的示例性真空系统的框图。

图2是根据本发明几方面的示例性离子源的透视图。

图3示出根据本发明几方面的示例性电弧腔室。

图4示出运行20小时后的常规钨阴极和护罩。

图5示出根据本发明几方面的运行20小时后的镧钨阴极和护罩。

图6示出无共伴气体条件下运行30小时后的常规电弧腔室。

图7示出根据本发明几方面用各种源材料在无共伴气体条件下运行30小时后的镧钨电弧腔室。

图8示出根据本发明几方面的纯钨和镧钨的发射特性曲线图。

图9是示出根据本发明几方面的各种化合物的各种特性的图表。

具体实施方式

本发明总体上涉及离子注入系统以及与其相关联的离子源。更特别地，本发明涉及用于所述离子注入系统的组件，这些组件由镧钨组成，用于提高离子注入系统的使用寿命、稳定性和操作性。

有鉴于此，现将参照附图对本发明予以阐述，其中相同的附图标记通篇可用于指代相同的元素。应当理解，对这些方面的描述仅供说明，而不得解释为限定目的。出于解释目的，在下文中阐明若干具体细节，以便全面理解本发明。然而，本领域技术人员会显而易知，本发明可在不具备这些具体细节的情况下实施。另外，本发明的范围不应受到下文参照附图所述的实施方案或实施例的限制，而仅受所附权利要求书及其等同变化的限制。

还需指出，附图用于说明本发明实施方案的某些方面，由此应视为仅供示意性说明。特定而言，根据本发明的实施方案，附图中所示的元素并非必然互成比例绘制，附图中各元素的布局选为可清楚理解相应的实施方案，不得理解为必然表示实施方案中各组件的实际相对位置。另外，若非特别注明，本文所述的各实施方案及实施例的特征可以彼此结合。

还应理解，在下文描述中，图中所示或文中所述的功能模块、装置、组件、电路元件或其他实体组件或功能组件之间的任何直接连接或耦接亦可通过间接连接或耦接来实施。另外，还应领会，图中所示的功能模块或组件在一个实施方案中可作为单独特征或电路形式实施，而在另一实施方案中亦可或替选作为共同特征或电路来全部或部分实施。举例而言，几个功能模块可作为在共同处理器(如信号处理器)上运行的软件形式实施。应该进一步瞭解的是，在以下说明书中被描述成有线(wire-based)的任何连接亦可被实作为无线传送，除非另有注明。

现参照附图，根据本发明的某一方面，图1图示出示例性真空系统100。在本实施例中的真空系统100包括离子注入系统101，但亦涵盖其他各类型的真空系统，如等离子处理系统或其他半导体处理系统。离子注入系统101例如包括终端102、束线总成104及终端站106。

一般而言，终端102中的离子源108耦接至电源110，从而使向其供应的源气体112(亦称作掺杂剂气体)离子化成多个离子，以形成离子束114，经由引出电极115引出该离子束114。在本例中，引导离子束114穿过质量分析器117(例如，射束控向设备)的入口116且穿出孔经118射向终端站106。在终端站106中，离子束114轰击工件120(例如，硅晶片、显示面板等半导体)，该工件120选择性夹持或安装至夹盘122(例如，静电夹盘或ESC)。一旦注入的离子嵌入工件120的晶格时，则其改变工件的物理和/或化学性质。鉴此，离子注入用于半导体装置的制造和金属表面处理以及材料科学研究中的各种应用中。

本发明的离子束114可采取任何形式，如笔形束或点束、带状束、扫描束或使离子指向终端站106的任何其他形式，并且所有这些形式均属本发明的范围内。

根据一典型方面，终端站106包括处理腔室124，如真空腔室126，其中处理环境128与该处理腔室关联。处理环境128大体上位于处理腔室124内，在某一示例中，该处理环境128包括由耦接至处理腔室并配置成大体上抽空该处理腔室的真空源130(例如，真空泵)所产生的真空。另外，控制器132被设置用于整体上控制离子注入系统100。

如上所述，本发明提出一种配置用来提高离子注入系统101中的离子源108的利用率并缩短其停机时间的系统及设备。然而，应理解到，本发明的设备亦可实施于其他半导体处理设备中，诸如CVD、PVD、MOCVD、蚀刻设备以及各种其他半导体处理设备，所有这类实施方式均应视为落入本发明的范畴内。本发明的设备有利于延长离子源108在预防性维修周期之间的使用时长，因此提高真空系统100的综合生产率及使用寿命。

举例而言，离子源108(亦称作离子源处理腔室)能够使用耐熔金属(钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)等)和石墨来构建，以便提供适当的高温性能，由此这类材料通常为半导体晶片生产者所采纳。在离子源108内使用源气体112，其中该源气体本质上可以导电，也可以不导电。然而，一旦源气体112爆裂或因装置碎裂而喷出，离子化气体的副产物便可能具有极强的腐蚀性。

源气体112的某一示例为三氟化硼(BF₃)，其能够用作源气体在离子注入系统101中产生硼11或BF₂离子束。在BF₃分子的离子化过程中，产生三种含氟自由基。能够使用诸如钼和钨的耐熔金属来构建或垫衬离子源腔室108，以便在约700℃左右的操作温度下维持其结构完整性。然而，耐熔氟化物具挥发性并且即使在室温下仍具极高的蒸汽压。离子源腔室108内形成的氟基侵蚀金属钨(钼或石墨)并且形成六氟化钨(WF₆)(氟化钼或氟化碳)：

WF₆→W⁺+6F^- (1)

或者

(MoF₆→Mo⁺+6F^-) (2)

六氟化钨通常会在热表面上分解。举例而言，在图2所示的离子源200中，六氟化钨或其他生成物料可能在离子源的各个内部组件203的表面202上分解，诸如与离子源的电弧腔室208相关联的阴极204、推斥极206和弧隙光学器件(图中未示)的表面上。这称作卤素循环，如方程式(1)所示，但生成物料也可能以污染物214(例如，固态微粒污染物)的形式沉淀和/或凝结回电弧腔室208的壁部210或内衬212或其他组件以及弧隙上。举例而言，内衬212包括可操作地耦接至电弧腔室208的主体216的可替换构件215，其中这些内衬由石墨或各种其他材料构成。举例而言，可替换构件215提供在电弧腔室208运作一段时间后能够轻松置换的磨损面。

沉积到内部组件203上的污染物214的另一来源出自阴极间接受热时的阴极204(例如，由钨或钽构成的阴极)，从而使用间热式阴极来启动并维持离子源电浆(例如，热离子电子发射)。举例而言，间热式阴极204和推斥极206(例如，对阴极)相对于电弧腔室208的主体216成负电位，并且阴极与推斥极皆可通过离子化气体来进行溅射。举例而言，推斥极206能够由钨、钼或石墨构建。沉积于电弧腔室208的内部组件203上的污染物214的又一来源是掺杂材料(图中未示)本身。随时间推移，这些污染物214的沉积薄膜可能受到应力而随后脱层，由此缩短离子源200的使用寿命。

表面状况在基板与沉积于其上的薄膜之间发挥重要作用。举例而言，伦敦色散力(London dispersion force)描述与物质不同部分相关的瞬时偶极或多极之间的弱作用，说明吸引性范德华力(van der Waals force)的主要部分。这些结果在探究对不同金属基板的原子和分子吸附性的深入理解上具有重大影响。整合第一原理计算(first-principles calculation)与动力速率方程分析(kinetic rate equation analysis)的多尺度建模表明从1000℃到250-300℃的生长温度的大幅下降。

由于分界区域内很难形成强原子键，故基板(例如，阴极204、内衬212和/或推斥极206)与沉积污染物214之间的热膨胀系数差异、高功率离子束与低功率离子束间转变时的热循环以及不均匀电浆边界内注入物料的分解均可能造成过早失效。这些沉积物中的残余应力包括两种类型：一种出于薄膜生长期间的瑕疵；另一种则源于基板与沉积薄膜间热膨胀系数的失配。

设备制造商希望离子源的使用寿命更长、离子束电流更强、离子束更稳定以及物质操作非专用，这些需求已将常规离子源的设计推向极致。然而，其中各种需求可能相互排斥，因此通常需要牺牲一种或多种性能特性才能提供不会过早失效的离子源。

通过裂化GeF₄、BF₃、SiF₄、CO和CO₂生成的氟化物和氧化物具有高度腐蚀性，这就使得用于构建离子源200及其相关组件的常规耐熔金属面临挑战。形成的氟化钨(例如，WF_x)随后分解(例如，经由卤素循环)并使钨沉积到诸如阴极、推斥极(例如，阳极)和弧隙光学器件(图中未示出)等受热表面上，这通常会使离子源200的性能退化。举例而言，氟化钨(WF_x)还能够与离子源200中的绝缘体反应，从而形成导电涂层，该导电涂层可能导致离子束不稳定并缩短离子源及相关组件的使用寿命。举例而言，在内部离子源组件上形成WO₂和WO₃可能诸如¹¹B和⁴⁹BF₂等其他物质的转变产生负面影响，直到氧化钨释放出的残氧低于某个阈值水平。

本发明将镧钨(WL)或与预定百分比的稀土金属形成合金的其他耐熔金属用于与离子源200相关联的组件(例如，电弧腔室内部组件)。举例而言，提供这种镧钨组件可以有利地不再需要和/或使用诸如氢气等共伴气体来吸附残氟和/或残氧就能防止对离子源造成上述损害。举例而言，F^-和O^-与镧反应产生2000℃以上的温度下非常稳定的表面防护层，但氟化钨和氧化钨极易挥发(例如，卤素循环)并缩短离子源的使用寿命，而且增大离子束的不稳定性。此外，本发明的离子源200由于降低其功函并减少在阴极尖端上形成碳化钨或氧化钨而改善阴极电子发射，因此减少碳种植入物的阴极电子发射。

使用镧钨或与预定百分比的稀土金属形成合金的其他耐熔金属，除了构建电弧内部组件之外，还能够利用这种材料来构建离子注入系统的电弧腔室主体及位于电弧腔室下游的其他组件。举例而言，引出电极光学器件(例如，抑制孔径和接地孔径)以及限定孔径、内衬和离子束撞击板的任何其他下游离子束均能由这种镧钨材料形成。在常规系统内形成的腐蚀性挥发导电气体通常会包覆关键绝缘体的情况下，易受引出的氟离子或氧离子蚀刻或溅射的任何组件均视为由这种材料形成的候选组件。

本发明有利地提出在离子注入系统中使用镧钨。镧钨材料耐氟，因此能够缓解蚀刻和污染问题。镧钨材料进一步免除使用某些共伴气体的需求。

根据本发明的其他示例性方面，图3图示出可以利用本发明的另一示例性电弧腔室300。图3中的电弧腔室300在许多方面类似于图2中的电弧腔室208。如图3所示，电弧腔室300具有界定电弧腔室的内部区域304的主体302。举例而言，电弧腔室300包括一个或多个电极304。举例而言，一个或多个电极305包括阴极306和推斥极308。举例而言，电弧腔室300进一步包括用于从电弧腔室中引出离子的弧隙310。一个或多个内衬312可操作地耦接至电弧腔室300的主体302。举例而言，主体302可以进一步包括一个或多个壁部314，它们可操作地耦接至主体或与主体整合。在某一示例中，阴极护罩316大体上围绕阴极306的外围。

根据本发明，一个或多个电极305(例如，阴极306和推斥极308中的一个或多个电极)、阴极护罩316包括镧钨或由镧钨组成。此外，电弧腔室300的内衬312、壁部314和/或引出孔径310中的一个或多个能够包括镧钨或由镧钨组成。本发明领会到，与常规离子源中使用的纯钨相比，镧钨更耐化学侵蚀。目前所考虑的理论在于，在电弧腔室300中发生电离的过程中，镧钨在暴露表面上形成氧化镧层。在化学上，该氧化镧层比常规的化学物质更加稳定，因此它能够大概抑制进一步腐蚀。

图4示出在电弧腔室中运行二氧化碳(CO₂)20小时后的常规阴极400及其相应的阴极护罩402(例如，覆盖阴极的管状构件)，其中阴极和阴极护罩由常规的钨构成。如图4所示，阴极护罩402呈现严重氧化404，其随之通过热分解沉积到阴极400的侧壁406上。如图所示，阴极护罩402经受氧化，使得阴极护罩有害地分成两件408A和408B。

图5示出在电弧腔室中类似运行二氧化碳(CO₂)20小时后的本发明的阴极500及其相应的阴极护罩502，其中阴极和阴极护罩由镧钨构成。如图5所示，与图4的常规阴极400和阴极护罩402相比，显然阴极护罩502的氧化504减少且沉积到阴极的侧壁506上的钨有所减少。

图6示出在常规电弧腔室410中无共伴气体条件下运行GeF₄达30小时后的图4的常规阴极400。显然，钨过量沉积412到阴极400和推斥极414上并且蚀刻416电弧腔室的内衬418。

图7示出无共伴气体条件下运行GeF₄、SiF₄和BF₃各10小时后的本发明的电弧腔室508，其具有由镧钨构成的一个或多个组件，诸如阴极500、阴极护罩502、推斥器510、室壁512、内衬514和引出孔径(图中未示出)中的一个或多个。虽然如图7所示的电弧腔室508内的全部暴露表面516皆由镧钨组成，但这一示例不应视为具限制性，其中某些组件可能并非由镧钨组成，或者可能包括镧钨涂层。如图7所示，钨并未明显沉积到阴极500和推斥极510上(例如，不存在卤素循环)，并且电弧腔室内衬514的蚀刻迹象最小。还应注意，有利地，本发明无需在运行CO和CO₂时运行共伴气体。

图8是示出纯钨和镧钨的发射特性的曲线图600，其中最稳定发射4A/cm²是在1900K(例如，参照在2100K下3A/cm²的钍钨)。举例而言，纯钨的热离子发射在～2300K时减少一百倍。

图9是示出各种材料与氟和氧反应后特性的图表700。举例而言，氧化镧的熔点比标准二氧化钨大约高100℃，这表明氧化镧更加稳定。上述电弧腔室内衬通常在大约700-800℃下工作，由此阴极在大约250℃下工作，并且阴极护罩在大约200℃下工作。据此，电弧腔室中由镧钨组成的组件提供一种稳定的化合物，其与氟反应后在高温下不易分解。

因此，本发明提出镧钨作为合金或与其他耐熔金属(例如，钼、钽等)混合来构建电弧腔室(例如，离子源腔室)和/或其他电极组件。本发明提出一种具有预定量的镧(例如，1-3％的镧粉末)的镧合金。举例而言，将预定量的镧与所需的金属(例如，钨)混合并等静压成型组件。举例而言，镧钨可以限定整个组件，或者可以用镧钨涂覆组件或以其他方式将镧钨沉积到组件上。

举例而言，当本发明的镧钨组件暴露于工艺气体时，形成的化合物在离子源的工作温度下通常稳定。举例而言，存在氟时，形成La₂F₃，其在高达2000℃以上的温度下稳定。因此，与离子源相关的表面能够视为钝化。同样，当镧钨在工艺条件下暴露于氧时，形成氧化物，这种氧化物也非常稳定。因此，镧钨“吸附”氟或氧，并且大体上防止氟或氧从组件上蚀刻掉钨。在某一示例中，暴露于电弧腔室中等离子体的任何组件均包括镧钨或由镧钨组成。

举例而言，与氟(例如，WF₆)相关联的卤素循环在暴露于热表面时提供挥发性并随后分解的气体，余留残钨，从而氟返回到等离子体中清除更多的钨。通过使暴露于等离子体的组件由镧钨组成，基本上消除或打破卤素循环。照此，形成更少的WF₆，存在更少的材料在热表面上分解而使其质量增加，等等。

照例，当利用氟基掺杂气体时，卤素循环存在问题。举例而言，锗是最差的情况，其次是BF₃和SiF₄，其中离子源的内衬和其他组件常经受蚀刻、留下凹痕等。与氧一起使用时，可能使阴极氧化。与钨一起使用时，形成WO₂。阴极上的碳沉积可能进一步产生碳化钨。阴极间接受热，因此它会在大约250℃时发射电子。当发生这种情况时，离子源不发射电子，从而等离子弧电流下降，等离子体密度下降，离子束电流下降。举例而言，通过提供由镧钨组成的阴极，同样不再需要使用运行带碳的共伴气体。由于镧，阴极的发射率降低(例如，比标准钨要好100倍)，因此离子源可以在无共伴气体的情况下工作。照此，离子源大体上形成自我保护，其功函减少并且能够更容易以较低的功率发射电子。

当运行碳与氧气(或任何含氧气体)时，能够在电弧腔室中形成大量的二氧化钨和三氧化钨。当预期随之转化为硼(BO₃)时，离子源并不稳定，直到除去其中的氧。因此，在去氧之前，先前与离子源相关的优化解决方案无法良好运作。因此，根据本发明，并不形成二氧化钨，故镧钨使腔室发生钝化，从而保护腔室，并且不会形成大量的WO₂或WO₃。

根据某一示例，用于从离子源(例如，光学面板)引出离子的引出电极能够包括镧钨或以其他方式由镧钨制成。举例而言，当在常规钨引出电极中使用氟时，氟会溅射孔径并结合形成具有腐蚀性的氟化钨(WF)气体。此外，通常在引出面板之间设置绝缘体，从而氟化钨将侵蚀绝缘体(Al₂O₃)，这会进一步在绝缘体上产生有害的导电涂层。因此，根据本发明，孔板由镧钨组成，借此缓解这种不利的导电。

本发明进一步设想图1中的质量分析器116(例如，AMU磁体)上游的组件(诸如离子源108、引出电极115和离子源腔室的组件)由镧钨构成。如上所述，电弧腔室的内部组件可以由镧钨组成，诸如与离子源腔室相关联的任何内衬、弧隙、阴极、推斥极和阴极护罩。此外，质量分析器117的入口116也可能由镧钨组成。另外，质量分析器117更下游的组件(例如，束线沿路)可以通过类似的方式由镧钨组成。

尽管本发明已就某一或某些实施方案予以表示及叙述，但应当指出，上述实施方案仅作本发明某些实施方案的实施示例，本发明的应用不受这些实施方案的局限。特别关于由上述组件(总成、装置、电路等)执行的各种功能，若非特别注明，否则用于描述这些组件的术语(包括提及“构件”)旨在对应于执行所述组件的特定功能(即功能上等同)的任意组件，即便其在结构上不等同于执行本文所述的本发明典型实施方案所揭示的结构亦然。此外，虽然仅就多个实施方案中的一种方案揭示本发明的特定特征，如若适于或利于任何指定或特定应用，则这一特征可结合其他实施方案的一个或多个其他特征。有鉴于此，本发明不限于上述实施方案，但旨在仅受所附权利要求书及其等同变化的限制。

Claims (13)

1.一种用于离子注入系统的导电组件，

其中，所述导电组件由镧钨以及与预定百分比的稀土金属形成合金的耐熔金属中的一种或多种组成，以及

其中，在所述离子注入系统操作期间，所述导电组件被大体上钝化。

2.根据权利要求1所述的导电组件，其中，所述导电组件是离子源的组件。

3.根据权利要求2所述的导电组件，其中，所述导电组件包括阴极、阴极护罩、推斥极、内衬、孔板、电弧腔室主体和撞击板中的一个或多个。

4.根据权利要求3所述的导电组件，其中，所述内衬包括离子源内衬。

5.根据权利要求3所述的导电组件，其中，所述孔板与引出孔径、抑制孔径和接地孔径中的一个或多个相关联。

6.根据权利要求3所述的导电组件，其中，所述导电组件包括1％至3％的镧。

7.一种包括导电组件的离子注入系统，其中，所述导电组件由镧钨以及与预定百分比的稀土金属形成合金的耐熔金属中的一种或多种组成。

8.根据权利要求7所述的离子注入系统，其中，所述导电组件包括阴极、阴极护罩、推斥极、内衬、孔板、电弧腔室主体和撞击板中的一个或多个。

9.根据权利要求8所述的离子注入系统，其中，所述内衬包括离子源内衬。

10.根据权利要求8所述的离子注入系统，其中，所述孔板与引出孔径、抑制孔径和接地孔径中的一个或多个相关联。

11.根据权利要求7所述的离子注入系统，其中，所述导电组件位于质量分析器的上游。

12.根据权利要求7所述的离子注入系统，其中，在所述离子注入系统的操作期间，所述导电组件被大体上钝化。

13.根据权利要求7所述的离子注入系统，其中，所述导电组件包括1％至3％的镧。