JP7091254B2 - ランタン入りタングステンイオン源およびビームラインコンポーネント - Google Patents
ランタン入りタングステンイオン源およびビームラインコンポーネント Download PDFInfo
- Publication number
- JP7091254B2 JP7091254B2 JP2018557048A JP2018557048A JP7091254B2 JP 7091254 B2 JP7091254 B2 JP 7091254B2 JP 2018557048 A JP2018557048 A JP 2018557048A JP 2018557048 A JP2018557048 A JP 2018557048A JP 7091254 B2 JP7091254 B2 JP 7091254B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tungsten
- cathode
- ion source
- ion
- lanthanum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/061—Construction
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
本願は、「ランタン入りタングステンイオン源およびビームラインコンポーネント」(LANTHANATED TUNGSTEN ION SOURCE AND BEAMLINE COMPONENTS)というタイトルが付された米国仮出願第62/336,246号(2016年5月13日出願)による利益を主張する。当該仮出願の全体の内容は、参照によって本明細書に組み込まれる。
本発明は、全般的には、イオン注入システムに関する。より具体的には、本発明は、改善されたイオン源およびビームラインコンポーネントに関する。当該改善されたイオン源およびビームラインコンポーネントは、イオン注入システムの様々な態様の寿命、安定性、および動作を改善する。
半導体デバイスの製造において、イオン注入は、半導体に不純物をドープ(ドーピング)するために用いられている。多くの場合、イオン注入システムは、集積回路の製造時に、(i)n型材料またはp型材料のドーピングを生じさせるために、または、(ii)パッシベーション層を形成するために、イオンビームに由来するイオンによってワークピース(例:半導体ウェハ)をドープすることを目的として使用される。多くの場合、集積回路の製造時に、半導体材料を生成するために、所定のエネルギーレベルで、かつ、制御された濃度によって、ウェハに特定のドーパント材料の不純物を選択に注入するために、このようなビーム処理が利用される。イオン注入システムが半導体ウェハをドーピングするために使用される場合、イオン注入システムは、所望の外因性材料(extrinsic material)を生成するために、ワークピースの内部に選択されたイオン種を注入する。アンチモン、砒素、またはリン等のソース材料に由来して生成されたイオンを注入することにより、例えば「n型」の外因性材料のウェハが得られる。一方、多くの場合、「p型」の外因性材料のウェハは、ボロン(ホウ素)、ガリウム、またはインジウム等のソース材料を用いて生成されたイオンから得られる。
そこで、本開示は、イオン源の寿命を向上させるシステムおよび機構を提供する。なお、下記の内容は、本発明の一部の態様に対する基本的な理解を提供することを目的として、本開示の簡略化された概要を示すものである。本概要は、本発明の概略を広範に述べるものではない。また、本概要は、本発明の基幹要素もしくは重要な要素を特定するものでもなければ、本発明の範囲を規定するものでもない。本概要の目的は、後述するより詳細な説明の前置きとして、本発明の一部の概念を簡潔に示すことである。
図1は、本開示の複数の態様に係るイオン源カソードシールドを利用した例示的な真空システムのブロック図である。
本開示は、概して、イオン注入システムおよび当該イオン注入システムに関連するイオン源を対象としている。特に、本開示は、イオン注入システムの寿命、安定性、および動作を改善するために、ランタン入りタングステンによって構成されたイオン注入システムのためのコンポーネントを対象としている。
Claims (7)
- イオン注入システムにおけるイオン源のための導電性コンポーネントであって、
前記導電性コンポーネントは、耐熱金属と混合されたランタン入りタングステンを含むランタン入り合金の、堆積されたコーティングを含んでおり、
前記ランタン入り合金は、1%から3%までのランタン粉末を含んでおり、
前記耐熱金属は、モリブデンおよびタンタルのうちの1つ以上を含んでおり、
前記導電性コンポーネントは、前記イオン注入システムの動作時に、パッシベーションされている、導電性コンポーネント。 - 前記導電性コンポーネントは、開口プレートを含んでいる、請求項1に記載の導電性コンポーネント。
- 前記導電性コンポーネントは、カソードを含んでいる、請求項1に記載の導電性コンポーネント。
- 前記導電性コンポーネントは、カソードシールドを含んでいる、請求項1に記載の導電性コンポーネント。
- 前記導電性コンポーネントは、リペラを含んでいる、請求項1に記載の導電性コンポーネント。
- 前記導電性コンポーネントは、ストライクプレートを含んでいる、請求項1に記載の導電性コンポーネント。
- 請求項1から6のいずれか1項に記載の導電性コンポーネントを備えている、イオン注入システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662336246P | 2016-05-13 | 2016-05-13 | |
US62/336,246 | 2016-05-13 | ||
PCT/US2017/032603 WO2017197378A1 (en) | 2016-05-13 | 2017-05-15 | Lanthanated tungsten ion source and beamline components |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019515449A JP2019515449A (ja) | 2019-06-06 |
JP7091254B2 true JP7091254B2 (ja) | 2022-06-27 |
Family
ID=58745508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018557048A Active JP7091254B2 (ja) | 2016-05-13 | 2017-05-15 | ランタン入りタングステンイオン源およびビームラインコンポーネント |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20170330725A1 (ja) |
JP (1) | JP7091254B2 (ja) |
KR (1) | KR102414664B1 (ja) |
CN (1) | CN109075000B (ja) |
TW (1) | TWI805549B (ja) |
WO (1) | WO2017197378A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10319557B2 (en) * | 2017-08-31 | 2019-06-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Ion generator and method for using the same |
US10227693B1 (en) * | 2018-01-31 | 2019-03-12 | Axcelis Technologies, Inc. | Outgassing impact on process chamber reduction via chamber pump and purge |
KR102623884B1 (ko) * | 2018-12-15 | 2024-01-10 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 비 텅스텐 재료를 사용한 불소 이온 주입 시스템 및 사용 방법 |
US11139145B2 (en) | 2019-07-18 | 2021-10-05 | Entegris, Inc. | Ion implantation system with mixture of arc chamber materials |
US11562885B2 (en) | 2020-07-28 | 2023-01-24 | Applied Materials, Inc. | Particle yield via beam-line pressure control |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001093431A (ja) | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | イオン発生装置、イオン照射装置及びフィラメント |
JP2007531214A (ja) | 2004-03-26 | 2007-11-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン源 |
JP2010080446A (ja) | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Axcelis Technologies Inc | 引出電極用マニピュレータ・システム及びイオン注入システム |
JP5451461B2 (ja) | 2010-03-05 | 2014-03-26 | 三菱電機株式会社 | 駆動式患者台、駆動式患者台の制御装置、駆動式患者台制御用プログラム及びこれらを用いた粒子線治療装置 |
WO2015023903A1 (en) | 2013-08-16 | 2015-02-19 | Entegris, Inc. | Silicon implantation in substrates and provision of silicon precursor compositions therefor |
JP2015225720A (ja) | 2014-05-26 | 2015-12-14 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン発生装置および熱電子放出部 |
CN106498360A (zh) | 2015-09-06 | 2017-03-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 离子形成容器以及离子源 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH582951A5 (ja) | 1973-07-09 | 1976-12-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
JPS6034776B2 (ja) * | 1977-09-30 | 1985-08-10 | 電気化学工業株式会社 | 六ホウ化ランタン熱陰極の製造法 |
DE2822665A1 (de) * | 1978-05-05 | 1979-11-08 | Bbc Brown Boveri & Cie | Gluehkathodenmaterial |
CH629033A5 (de) * | 1978-05-05 | 1982-03-31 | Bbc Brown Boveri & Cie | Gluehkathode. |
US4261753A (en) * | 1980-01-22 | 1981-04-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Lanthanum-hexaboride carbon composition for use in corrosive hydrogen-fluorine environments |
US4309467A (en) * | 1980-08-22 | 1982-01-05 | The United States Of America As Represented By Department Of Energy | Composition for use in high-temperature hydrogen-fluorine environments and method for making the composition |
FR2498372A1 (fr) * | 1981-01-16 | 1982-07-23 | Thomson Csf | Cathode a chauffage direct, son procede de fabrication, et tube electronique incorporant une telle cathode |
JP3021762B2 (ja) * | 1991-04-15 | 2000-03-15 | 日新電機株式会社 | 電子衝撃型イオン源 |
GB9413973D0 (en) * | 1994-07-11 | 1994-08-31 | Rank Brimar Ltd | Electrode structure |
US5497006A (en) | 1994-11-15 | 1996-03-05 | Eaton Corporation | Ion generating source for use in an ion implanter |
US5590386A (en) * | 1995-07-26 | 1996-12-31 | Osram Sylvania Inc. | Method of making an alloy of tungsten and lanthana |
US6875986B1 (en) * | 1999-04-28 | 2005-04-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ion generation method and filament for ion generation apparatus |
US7300559B2 (en) * | 2000-04-10 | 2007-11-27 | G & H Technologies Llc | Filtered cathodic arc deposition method and apparatus |
JP3640947B2 (ja) * | 2002-10-07 | 2005-04-20 | 株式会社東芝 | イオン源、イオン注入装置、半導体装置の製造方法 |
JPWO2005073418A1 (ja) * | 2004-01-30 | 2007-09-13 | 日本タングステン株式会社 | タングステン系焼結体およびその製造方法 |
US7491431B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-02-17 | Nanogram Corporation | Dense coating formation by reactive deposition |
US20090093739A1 (en) | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Axel Voss | Apparatus for generating electrical discharges |
CN101977721B (zh) | 2008-03-26 | 2014-07-16 | 大阳日酸株式会社 | 等离子焊炬以及等离子焊接法 |
US20110239542A1 (en) | 2008-10-03 | 2011-10-06 | Atlantic Hydrogen Inc. | Apparatus and method for effecting plasma-based reactions |
WO2010045676A1 (en) | 2008-10-21 | 2010-04-29 | Key Welding Products Australia Pty Ltd | A welding torch |
JP5901111B2 (ja) | 2010-10-07 | 2016-04-06 | 大陽日酸株式会社 | 溶接ガス及びプラズマ溶接方法 |
WO2014120358A1 (en) * | 2013-01-31 | 2014-08-07 | Sulzer Metco (Us) Inc. | Long-life nozzle for a thermal spray gun and method making and using the same |
DK3058605T3 (da) * | 2013-10-16 | 2024-03-04 | Ambri Inc | Tætninger til anordninger af reaktivt højtemperaturmateriale |
CN105543797A (zh) * | 2015-12-12 | 2016-05-04 | 朱惠冲 | 铼镧稀土合金高能电子注射靶的制备工艺 |
KR20180102603A (ko) * | 2016-01-19 | 2018-09-17 | 액셀리스 테크놀러지스, 인크. | 멀티 피스 전극 애퍼처 |
-
2017
- 2017-05-11 US US15/592,857 patent/US20170330725A1/en not_active Abandoned
- 2017-05-12 TW TW106115768A patent/TWI805549B/zh active
- 2017-05-15 JP JP2018557048A patent/JP7091254B2/ja active Active
- 2017-05-15 CN CN201780025607.7A patent/CN109075000B/zh active Active
- 2017-05-15 WO PCT/US2017/032603 patent/WO2017197378A1/en active Application Filing
- 2017-05-15 KR KR1020187030983A patent/KR102414664B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-08-14 US US16/102,868 patent/US10535498B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001093431A (ja) | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | イオン発生装置、イオン照射装置及びフィラメント |
JP2007531214A (ja) | 2004-03-26 | 2007-11-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン源 |
JP2010080446A (ja) | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Axcelis Technologies Inc | 引出電極用マニピュレータ・システム及びイオン注入システム |
JP5451461B2 (ja) | 2010-03-05 | 2014-03-26 | 三菱電機株式会社 | 駆動式患者台、駆動式患者台の制御装置、駆動式患者台制御用プログラム及びこれらを用いた粒子線治療装置 |
WO2015023903A1 (en) | 2013-08-16 | 2015-02-19 | Entegris, Inc. | Silicon implantation in substrates and provision of silicon precursor compositions therefor |
JP2015225720A (ja) | 2014-05-26 | 2015-12-14 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン発生装置および熱電子放出部 |
CN106498360A (zh) | 2015-09-06 | 2017-03-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 离子形成容器以及离子源 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
HAUBLEIN,V. et al.,Investigation of lanthanum contamination from a lanthanated tungsten ion source,ION IMPLANTATION TECHNOLOGY,IEEE,2003年,p.346-349 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102414664B1 (ko) | 2022-06-28 |
CN109075000A (zh) | 2018-12-21 |
KR20190006949A (ko) | 2019-01-21 |
US20180358202A1 (en) | 2018-12-13 |
CN109075000B (zh) | 2022-11-22 |
TW201807735A (zh) | 2018-03-01 |
US20170330725A1 (en) | 2017-11-16 |
JP2019515449A (ja) | 2019-06-06 |
TWI805549B (zh) | 2023-06-21 |
US10535498B2 (en) | 2020-01-14 |
WO2017197378A1 (en) | 2017-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7091254B2 (ja) | ランタン入りタングステンイオン源およびビームラインコンポーネント | |
JP6959935B2 (ja) | 改善されたイオン源のリペラシールド | |
KR102005119B1 (ko) | 이온생성방법 및 이온생성장치 | |
JP6802277B2 (ja) | 改善されたイオン源のカソードシールド | |
KR102642334B1 (ko) | 이온 주입 시스템용 립을 포함하는 이온 소스 라이너 | |
KR102489443B1 (ko) | 탄소 임플란트를 위한 삼플루오린화 인 | |
KR102505344B1 (ko) | 탄소 임플란트를 위한 포스핀 공동 가스 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200325 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210325 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210413 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210713 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211005 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20211227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220517 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220615 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7091254 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |