KR20230095986A - 알루미늄 이온 빔을 생성하기 위한 질화 알루미늄 또는 산화 알루미늄 에칭 - Google Patents

알루미늄 이온 빔을 생성하기 위한 질화 알루미늄 또는 산화 알루미늄 에칭 Download PDF

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액셀리스 테크놀러지스, 인크.
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Abstract

이온 주입 시스템, 이온 소스, 및 방법이 제공되며, 여기서 이온 소스는 알루미늄계 이온 소스 재료를 이온화하고 이온 빔, 및 비전도성 재료를 포함하는 부산물을 형성하도록 구성된다. 에칭제 가스 혼합물은 미리 결정된 농도의 플루오린과 상기 이온 소스와 유체 연통하는 비활성 가스를 갖는다. 미리 결정된 농도의 플루오린은 플루오린의 대략 20% 최대 농도와 같은 미리 결정된 건강 안전 레벨과 연결된다. 에칭제 가스 혼합물은 대략 5% 미만의 농도의 아르곤을 갖는 공동-가스를 가질 수 있다. 알루미늄계 이온 소스 재료는 이온 소스 내 리펠러 샤프트, 실드, 또는 다른 멤버와 같은 세라믹 부재일 수 있다.

Description

알루미늄 이온 빔을 생성하기 위한 질화 알루미늄 또는 산화 알루미늄 에칭
<관련 출원에 대한 참조>
본 출원은 2020년 10월 30일에 출원된 미국 가출원 제63/107,769호의 이익을 주장하며, 이의 모든 내용은 그 전체가 본원에 참조로 포함된다.
<기술 분야>
본 발명은 일반적으로 이온 주입 시스템에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 알루미늄 이온을 포함하는 이온 빔을 생성하도록 구성된 이온 주입 시스템에 관한 것이다.
금속 이온을 이용한 이온 주입에 대한 요구가 증가하고 있다. 예를 들면, 알루미늄 주입은 전력 디바이스 시장에서 중요한데, 이는 작지만 빠르게 증가하는 시장의 분야이다. 알루미늄을 비롯한 많은 금속에 대해, 공급 재료를 이온 소스에 제공하는 것이 문제이다. 이온 소스의 아크 챔버의 외부에 있는 작은 오븐인 기화기를 사용하는 시스템이 이전에 제공되었는데, 그에 의해 상기 이온 소스에 증기를 공급하기 위한 적절한 증기압을 생성하기 위해 금속 염(metal salts)이 가열된다. 상기 오븐은, 하지만, 상기 아크 챔버로부터 떨어져 있고 원하는 온도로 가열하고, 증기 흐름을 설정하고, 플라즈마를 시작하고, 상기 이온 빔을 시작하는 등을 위해 시간이 걸린다. 게다가, 만일 한 금속 종에서 다른 종으로의 변화가 필요하면, 그러한 종의 변화를 위한 오븐의 적절한 냉각을 기다리는데 시간이 걸린다.
다른 종래의 기술은 알루미늄이나 다른 금속과 같은 금속 함유 재료를 상기 아크 챔버 내부에 위치시키는 것이다. 알루미늄의 경우, 상기 금속 함유 재료는 산화 알루미늄(aluminum oxide), 불화 알루미늄(aluminum fluoride), 또는 질화 알루미늄(aluminum nitride)을 포함할 수 있으며, 이들 모두는 상기 플라즈마 챔버의 약 800℃ 온도를 견딜 수 있다. 그러한 시스템에서, 이온은 플라즈마 내부의 재료에서 직접 스퍼터링된다(sputtered). 다른 기술은 금속의 화학적 에칭(etching)을 달성하기 위해 플루오린(fluorine)와 같은 에칭제(etchant)를 포함하는 플라즈마를 사용하는 것이다. 이러한 다양한 기술을 이용하여 받아들일 만한 빔 전류가 얻어질 수 있지만, 모두가 좋은 전기 절연체인 산화 알루미늄, 염화 알루미늄, 및 질화 알루미늄의 화합물은 비교적 짧은 시간 동안(예를 들면, 5 내지 10시간) 상기 이온 소스에 인접한 전극들 상에 증착되는 경향이 있다. 이와 같이, 다양하게 유해한 효과가 관찰되는데, 고전압 불안정성 및 주입되는 이온의 투여량에서 관련된 변동과 같은 것이 그것이다.
본 발명은 따라서 알루미늄 이온을 포함하는 이온 빔을 생성하기 위한 시스템 및 장치를 제공한다. 따라서, 다음은 본 발명의 일부 양태의 기본적 이해를 제공하기 위해 본 발명의 단순화된 요약을 제공한다. 이 요약은 본 발명의 확장된 개요가 아니다. 본 발명의 중요한 또는 결정적인 요소들을 확인하거나 본 발명의 범위를 설명하려는 의도가 아니다. 이의 목적은 이후에 나타나는 보다 자세한 설명에 대한 서문으로서 본 발명의 일부 개념을 단순화된 형태로 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양태에 따라, 이온 주입 시스템이 제공되며, 여기서 이온 소스는 알루미늄계 이온 소스 재료를 이온화하고 그로부터 이온 빔을 형성하도록 구성된다. 일 예에서, 상기 알루미늄계 이온 소스 재료는 세라믹 부재를 포함하고, 상기 세라믹 부재는 상기 이온 소스 내에 리펠러 샤프트, 실드, 또는 일 부재 중 하나 이상을 포함한다.
상기 알루미늄계 이온 소스 재료의 이온화는 예를 들어 비전도성 재료를 포함하는 부산물을 더 형성한다. 에칭제 가스 혼합물은 상기 이온 소스와 유체 연통하며, 상기 에칭제 가스 혼합물은 미리 결정된 농도의 플루오린 및 비활성 가스를 포함한다. 빔라인 조립체는 공작물 내로 이온들을 주입하기 위해 상기 이온 빔을 종단 스테이션으로 선별적으로 전송하도록 더 구성된다. 진공 시스템은 예를 들어 상기 이온 소스를 실질적으로 비우도록 구성될 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 비활성 가스는 헬륨 및 아르곤 중 하나 이상을 포함하고, 상기 플루오린의 미리 결정된 농도는 미리 결정된 건강 안전 레벨과 연결된다. 일 예에서, 상기 미리 결정된 건강 안전 레벨은 플루오린의 20% 최대 농도이다. 다른 예에서, 상기 에칭제 가스 혼합물은 20% 미만의 플루오린과 헬륨의 미반응된 혼합물을 포함하는 가압된 가스 소스를 포함한다. 상기 가압된 가스 소스는 공동-가스를 더 포함할 수 있다. 상기 공동-가스는 예를 들어 5% 미만의 농도로 아르곤을 포함할 수 있다. 다른 예에서, 상기 에칭제 가스 혼합물은 상기 공동-가스를 포함할 수 있다.
상기 에칭제 가스 혼합물은 예를 들어 가압된 병 내에서 미리 혼합된 형태로 있고 아르곤 및 헬륨 가스 중 하나 이상과 플루오린의 혼합물을 포함한다. 일 예에서, 상기 용기는 대략 20% 이하의 플루오린을 포함한다. 다른 예에서, 상기 가압된 병은 대략 5% 미만의 아르곤을 더 포함한다.
본 발명의 다른 예시적인 양태에 따라, 이온 주입 시스템이 제공되며, 여기서 이온 소스는 알루미늄계 소스 재료를 이온화하고 그로부터 이온 빔을 형성하도록 구성된다. 상기 알루미늄계 소스 재료의 이온화는 비전도성 재료를 포함하는 부산물을 더 형성한다. 비활성 가스와 혼합된 플루오린의 에칭제 가스 혼합물을 포함하는 에칭제 가스 공급 장치가 더 제공되며, 여기서 상기 에칭제 가스 공급 장치는 상기 에칭제 가스 혼합물을 상기 이온 소스에 도입하도록 구성되고, 상기 플루오린은 비활성 가스와 건강 안전 농도로 혼합된다. 빔라인 조립체는 공작물 내로 이온들을 주입하기 위해 상기 이온 빔을 수용하도록 구성된 종단 스테이션으로 상기 이온 빔을 선별적으로 운송한다.
일 예에서, 상기 에칭제 가스 혼합물은 공동-가스를 더 포함한다. 상기 공동-가스는 예를 들어 5% 미만의 농도의 아르곤과 같은 아르곤을 포함한다. 상기 에칭제 가스 공급 장치는 예를 들어 가압된 가스 소스를 포함할 수 있다. 상기 가압된 가스 소스는 예를 들어 상기 에칭제 가스 혼합물을 담은 가압된 병을 포함할 수 있다. 상기 에칭제 가스 혼합물은 예를 들어 아르곤 및 헬륨 가스 중 하나 이상과 플루오린의 혼합물을 담은 가압된 병과 같은 용기 내에 미리 혼합된 형태로 제공된다. 상기 용기는 예를 들어 대략 20% 이하의 플루오린을 포함한다.
본 발명의 또 다른 예시적인 양태에 따라, 알루미늄 이온들을 공작물 내로 주입하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 예를 들어 이온 소스에 담긴 알루미늄계 소스 재료를 제공하는 단계 및 상기 이온 소스에 에칭제 가스 혼합물을 제공하는 단계를 포함하고, 여기서 상기 에칭제 가스 혼합물은 미리 결정된 농도의 플루오린과 비활성 가스를 포함한다. 상기 미리 결정된 농도의 플루오린은 예를 들어 대략 20% 미만이다. 일 예에서, 상기 알루미늄계 소스 재료는 세라믹 부재를 포함한다. 상기 비활성 가스는, 예를 들어, 아르곤과 헬륨 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 알루미늄계 소스 재료는 상기 이온 소스에서 이온화되고, 여기서 상기 플루오린은 알루미늄 이온들을 생성하기 위해 알루미늄계 소스 재료를 에칭한다. 또한, 알루미늄 이온들은 상기 이온화된 알루미늄계 소스 재료로부터 공작물 내로 주입된다.
다른 예에서, 상기 에칭제 가스 혼합물을 상기 이온 소스에 제공하는 것은 아르곤과 같은 공동-가스를 상기 이온 소스에 제공하는 것을 더 포함한다. 다른 예에서, 상기 방법은 아르곤 및 헬륨 가스 중 하나 이상과 플루오린의 혼합물을 담은 가압된 병과 같은 용기 내에 상기 에칭제 가스를 미리 혼합하는 것을 더 포함한다. 상기 용기는 예를 들어 대략 20%의 플루오린을 포함한다. 다른 예에서, 상기 용기는 대략 5% 미만의 아르곤을 포함한다.
전술한 및 관련된 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 이후에 완전히 설명되고 특히 청구범위에서 지적되는 특징들을 포함한다. 다음의 설명 및 첨부된 도면들은 본 발명의 특정 예시적인 실시예를 상세히 설명한다. 이 실시예들은, 하지만, 본 발명의 원리가 적용될 수 있는 다양한 방식들 중 몇몇을 나타낸다. 본 발명의 다른 목적들, 이점들 및 신규한 특징들은 도면과 함께 고려될 때 본 발명의 다음 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 몇몇 양태에 따른 알루미늄계 이온 소스 재료를 이용하는 예시적인 진공 시스템의 블록도이다.
도 2는 알루미늄계 이온 소스 재료를 사용하여 이온을 공작물 내로 주입하기 위한 예시적인 방법을 예시한다.
본 발명은 일반적으로 이온 주입 시스템 및 그와 연관된 이온 소스 재료에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 발명은 최대 1000℃의 다양한 온도에서 실리콘, 실리콘 카바이드, 또는 다른 반도체 기판들을 전기적으로 도핑하기 위해 원자 이온들을 생성하기 위한 알루미늄계 고체 소스 재료를 사용하는 상기 이온 주입 시스템을 위한 컴포넌트들에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 헬륨과 같은 비활성 또는 불활성 가스와 플루오린의 미리 결정된 혼합물을 포함하는 사전-혼합된 에칭제 가스를 사용할 때 추출 전극들 및 소스 챔버 컴포넌트들 상의 다양한 증착물들을 최소화한다. 본 발명은 소스 동작 압력을 감소시키고, 에칭 속도를 증가시키고, 알루미늄-함유 재료의 스퍼터 속도를 최소화할 것이며, 이는 전체 수명 및 알루미늄 이온 빔 전류를 추가로 증가시킬 것이다.
이에 따라, 이제 도면을 참조하여 본 발명을 설명하며, 전체에 걸쳐 동일한 참조 번호는 동일한 구성요소를 지칭하기 위해 사용된다. 이러한 양태들의 설명은 단지 예시적인 것이고 제한적인 의미로 해석되어서는 안된다는 것이 이해될 것이다. 다음의 설명에서, 설명을 위한 목적으로, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 다수의 구체적인 세부사항이 제시된다. 하지만, 본 발명은 이러한 구체적인 세부사항 없이도 실시될 수 있음은 이 기술분야의 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 또한, 본 발명의 범위는 첨부된 도면을 참조하여 이후에 설명하는 실시예들 또는 예시들에 의해 제한하려는 의도는 아니며, 첨부된 청구항 및 그 균등물에 의해서만 제한되도록 의도된다.
도면은 본 발명의 실시예들의 일부 양태의 예시를 제공하기 위해 제공되고, 따라서 단지 개략적인 것으로 간주됨을 또한 유의한다. 특히, 도면에 도시된 구성요소들은 반드시 서로 축척에 맞는 것은 아니고, 도면에서 다양한 구성요소의 배치는 각 실시예의 명확한 이해를 제공하기 위해 선택되며, 본 발명의 실시예에 따른 구현에서의 다양한 구성요소들의 실제 상대적인 위치를 반드시 나타내는 것으로 해석되어서는 안된다. 또한, 특별히 다르게 언급되지 않는 한 여기에 설명된 다양한 실시예 및 예시의 특징들은 서로 결합될 수 있다.
다음의 설명에서, 도면에서 도시되거나 여기 설명된 기능 블록, 장치, 구성요소, 회로 소자 또는 다른 물리적 또는 기능 유닛 사이의 어떤 직접적인 연결 또는 결합은 간접적인 연결 또는 결합에 의해 또한 구현될 수 있음이 또한 이해될 것이다. 또한, 도면에 도시된 기능 블록 또는 유닛은 한 실시예에서 분리된 특징 또는 회로로 구현될 수 있고, 또한 또는 대안적으로 완전히 또는 부분적으로 다른 실시예에서 범용 특징 또는 회로로 구현될 수 있다. 예를 들면, 여러 기능 블록은 신호 프로세서와 같은 공용 프로세서 상에서 실행되는 소프트웨어로 구현될 수 있다. 다음의 명세서에서 유선 기반으로 설명된 어떤 연결도, 반대로 언급되지 않는 한 무선 통신으로 구현될 수 있음이 또한 이해될 것이다.
이온 주입은 반도체 및/또는 웨이퍼 재료 내로 도펀트를 선별적으로 주입하기 위해 반도체 디바이스 제조에서 이용되는 물리적 공정이다. 따라서, 주입의 작용은 도펀트와 반도체 재료 사이의 화학적 상호작용에 의존하지 않는다. 이온 주입을 위해, 이온 주입기의 이온 소스로부터의 도펀트 원자들/분자들은 이온화되고, 가속되고, 이온 빔으로 형성되고, 분석되고, 웨이퍼를 가로질러 스위핑(swept)되거나, 또는 웨이퍼는 이온 빔을 통해 변환된다. 도펀트 이온들이 물리적으로 웨이퍼에 충돌하고, 표면으로 진입하여 그들의 에너지와 관련된 깊이에서 표면 아래에 정착한다.
이온 주입기들 내에서 이온 소스들은 통상적으로 아크 챔버에서 소스 재료를 이온화함으로써 이온 빔을 생성하고, 여기서 소스 재료의 구성요소는 원하는 도펀트 요소이다. 그 다음, 원하는 도펀트 요소는 이온 빔의 형태로 이온화된 소스 재료로부터 추출된다.
종래에, 알루미늄 이온들이 원하는 도펀트 요소일 때, 질화 알루미늄(AlN) 및 알루미나(Al2O3)와 같은 재료들이 이온 주입의 용도로 알루미늄 이온들의 소스 재료로서 사용되었다. 질화 알루미늄 또는 알루미나는 통상적으로 플라즈마가 (이온 소스에서) 형성되는 아크 챔버에 배치되는 고체 절연 재료들이다.
가스(예를 들어, 플루오린)가 알루미늄-함유 재료들을 화학적으로 에칭하기 위해 도입되고, 그에 의해 소스 재료가 이온화되고, 알루미늄이 추출되고 빔라인을 따라 그것에 주입하기 위해 종단 스테이션에 위치된 공작물(예를 들어, 실리콘 카바이드)로 이송된다. 알루미늄-함유 재료들은, 예를 들어, 알루미늄 이온들의 소스 재료로서 아크 챔버에서 일부 형태의 플루오린계 에칭제 가스(예를 들어, BF3, PF3, NF3, SiF4, SF6 등)와 함께 흔히 사용된다. 그러나, 이러한 재료들은 아크 챔버로부터 의도된 알루미늄 이온들과 함께 방출되는 절연 재료(예를 들어, AlN, Al2O3, AlF3 등)를 생성하는 불행한 부작용이 있다.
이 절연 재료는 후속적으로 추출 전극과 같은 이온 소스의 다양한 구성요소들을 코팅하고, 그런 다음 이들은 전하를 축적하기 시작하고 추출 전극들의 정전 특성을 불리하게 변경한다. 전하 축적의 결과는 축전된 전하 아크들로서 추출 전극들의 흔히 아킹(arcing), 또는 “글리칭(glitching)”으로 지칭되는 거동을 다른 구성요소들 및/또는 접지에 초래한다.
극단적인 경우들에서, 추출 전극들에 대한 전원 공급 장치의 거동이 변경되고 왜곡될 수 있다. 이는 통상적으로 예측불가능한 빔 거동을 초래하고, 이온 소스와 연관된 다양한 구성요소들을 세정하기 위해 이온 전류 감소 및 빈번한 예방적 유지보수를 초래한다. 부가적으로, 이 재료들로부터 박편들 및 다른 잔여물이 아크 챔버에 형성될 수 있고, 따라서 그것의 동작 특성들을 변경하여, 부가적인 빈번한 세정을 초래한다.
게다가, 예를 들어 BF3을 사용하면, 가스 전달 시스템 내의 공기 누출이 알루미늄(AMU 27)과 질량이 일치하는 BO(AMU 27)의 형성을 야기할 수 있으며, 이에 의해 BO가 원하는 알루미늄 이온들과 함께 주입될 수 있다는 우려가 있다. 예를 들어 BF3를 에칭제로서 사용할 때, 추출 전극 광학체가 붕소로 코팅되어, 후속적으로 박리될 수 있고 전극과 아크 챔버 아크 슬릿 사이에 아킹(arcing)을 야기할 수 있어, 생산하는 데 공구를 불안정하게 만드는 것이 관찰되었다. 예를 들어 NF3의 사용은 또한 질소 분자+(AMU28)의 질량이 알루미늄+(AMU 27)의 질량에 가깝게 되고 질량 분해 시스템을 통과할 수 있어, 에너지 오염의 주입을 초래할 수 있기 때문에 문제가 될 수 있다. 원자 질소 및 이중으로 하전된 알루미늄(Al++)의 가까운 질량/전하 비(각각 14 및 13.5의 질량/전하 비를 가짐)에 대해 유사한 우려가 존재한다. 또한, 이러한 분자들의 사용이 특히 다중으로 하전된 이온에 대해 원하는 알루미늄 빔 전류를 달성하는 능력을 감소시키는 것이 관찰되었다.
따라서, 본 발명은 추출 전극들 상에 및 이온 소스 챔버와 연관된 다른 구성요소들 상에 증착물을 최소화하는 한편, 또한 알루미늄 이온을 주입할 때 원하는 빔 전류를 제공하는 것을 추구한다. 본 개시내용은 유리하게 형성 시와 연관된 글리칭 또는 아킹을 감소시키고, 증가된 효율로 전체 이온 소스 및 전극 수명을 추가로 증가시킨다.
본 발명의 일 예시적인 양태에 따르면, 알루미늄계 스퍼터/에칭 타겟이 에칭제 소스 가스와 함께 제공된다. 상기 에칭제 소스 가스는 유리하게 다른 종래의 플루오린-함유 분자들 및 혼합물들과 비교할 때 더 낮은 아크 챔버 압력 및 헬륨의 작은 이온화 단면으로 인한 2차 충돌(예를 들어, 전하 교환)의 추가 감소를 제공하면서, 종래의 시스템에 비해 더 낮은 전체 가스 유동을 하게 하기 위해 미리 결정된 백분율의 플루오린(F2)을 갖는 헬륨(He)을 함유하는 용기(예를 들어, 가스 병) 내에 미리 혼합된 형태로 제공된다.
본 발명자들은 요구되는 알루미늄 빔 전류에 대해, 총 추출 전류가 플루오린 공여체 원자(예를 들어, 붕소, 인, 실리콘)가 이온화 및 추출되지 않을 때 20% 넘게 감소될 수 있다는 것을 관찰하였다. 24.57이라는 헬륨의 제1 이온화 에너지는 임의의 원소의 최고치이고, 총 추출 전류에 대한 그 기여는 무시할 수 있다. 추출된 전류의 이러한 감소는 또한 아크 챔버 광학체 플레이트와 추출 전극 사이의 압력을 감소시키고, 두 개의 표면 사이의 아킹을 감소시킬 것이다. 이는, 이전에 논의된 바와 같이, 시간 경과에 따라, 추출 전극이 절연 재료로 코팅될 것이기 때문에, 빔 안정성 개선에 유리하다. 본 발명은, 일부 예에서, 작동 조건 또는 원하는 주입물에 기초하여, 미리 결정된 백분율의 플루오린과 미리 혼합된 헬륨 이외의 비활성 또는 불활성 가스의 혼합물이 바람직할 수 있다는 것을 인식한다. 예를 들어, 아르곤(Ar)은 용기 내의 플루오린 및 헬륨과 미리 혼합될 수 있고, 알루미늄계 세라믹의 스퍼터링이 요구되는 경우에 아크 챔버에 제공될 수 있다. 예를 들어, 플루오린계 플라즈마에서 AlN 또는 Al2O3를 에칭할 때, AlF3의 안정한/비휘발성 막이 알루미늄계 세라믹의 표면 상에 형성될 수 있고, 따라서 표면을 패시베이션할 수 있다. 그러한 경우에, Ar+ 이온들은 표면을 스퍼터링하고 플루오린화물을 제거하거나 또는 표면을 플루오린화물-무함유로서 다음과 같은 추가의 반응들이 발생할 수 있다:
AlN + F2 → AlF3 + N2 (1)
또는 Al2O3 + F2 → AlF3 + O2 (2).
본 발명은 또한, 아르곤 + 플루오린의 사전-혼합된 병 내의 아르곤의 농도가 전하 교환으로 인한 알루미늄 빔 전류들의 감소를 야기하는 경우, 예를 들어, 이 병이 세 개 이상의 가스로 충전될 수 있으며, 여기서, 예를 들어, 주된 또는 최고 레벨의 가스는 헬륨이고, 나머지 잔여분은 미리 결정된 백분율의 플루오린, 아르곤, 또는 다른 비활성, 불활성, 또는 기타 비-반응성 가스인 것을 고려한다.
본 발명의 보다 나은 이해를 얻기 위해, 본 발명의 일 양태에 따라, 도 1은 예시 진공 시스템(100)을 도시한다. 본 예시의 진공 시스템(100)은 이온 주입 시스템(101)을 포함하지만, 플라즈마 처리 시스템, 또는 다른 반도체 처리 시스템과 같은 다양한 다른 유형의 진공 시스템 또한 고려된다. 이온 주입 시스템(101)은, 예를 들면, 터미널(102), 빔라인 조립체(104), 및 종단 스테이션(106)을 포함한다.
일반적으로 말해서, 터미널(102) 내의 이온 소스(108)는 도펀트 가스를 이온 소스로부터 다수의 이온으로 이온화하여 이온 빔(112)을 형성하기 위해 전원 공급 장치(110)에 연결된다. 추출 전극에 매우 근접한 개별 전극들은 소스에 가깝게 또는 추출 전극으로 되돌아가는 중화 전자들의 역방향 스트리밍을 억제하도록 바이어싱될 수 있다. 본 발명의 이온 소스 재료(113)는 이온 소스(108) 내에 제공되며, 여기서, 상기 이온 소스 재료는 고체 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 또는 다른 알루미늄-함유 재료와 같은 알루미늄계 소스 재료를 포함한다.
본 예시의 이온 빔(112)은 빔 조향 장치(beam-steering apparatus)(114)를 통과하고, 개구(116) 밖으로 종단 스테이션(106)을 향한다. 종단 스테이션(106)에서, 이온 빔(112)은 공작물(118, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼, 디스플레이 패널 등과 같은 반도체)에 충돌하는데, 이는 척(120, 예를 들어, 정전 척 또는 ESC)에 선별적으로 클램핑되거나 장착된다. 일단 공작물(118)의 격자 내에 도입되면, 주입된 이온은 그 공작물의 물리적 및/또는 화학적 특성을 변화시킨다. 이때문에, 이온 주입은 반도체 장치 제조 및 금속 마감뿐 아니라 재료 과학 연구의 다양한 응용 분야에 사용된다.
본 발명의 이온 빔(112)은 펜슬 또는 스폿 빔, 리본 빔, 스캔된 빔, 또는 이온들이 종단 스테이션(106)을 향하는 다른 어떤 형태와 같이 어떤 형태도 취할 수 있고, 그러한 모든 형태는 본 발명의 범위 내에 속하는 것으로 고려된다.
예시적인 일 양태에 따르면, 종단 스테이션(106)은 진공 챔버(124)와 같은 공정 챔버(122)를 포함하는데, 여기서 공정 환경(126)은 상기 공정 챔버와 연관된다. 공정 환경(126)은 일반적으로 공정 챔버(122) 내에 존재하고, 한 예에서, 공정 챔버에 결합되고 공정 챔버를 실질적으로 비우도록 구성된 진공 소스(128, 예를 들어, 진공 펌프)에 의해 생성된 진공을 포함한다. 또한, 제어기(130)가 진공 시스템(100)의 전반적 제어를 위해 제공된다.
본 발명은, 자기 위에 형성된 실리콘 카바이드계 디바이스들을 갖는 공작물들(118)은 특히 전기 자동차 등과 같은 고전압 및 고온 디바이스들에서 사용되는 응용 분야에서, 실리콘계 디바이스보다 더 양호한 열적 및 전기적 특성을 갖는 것으로 발견된 것을 인식한다. 그러나, 실리콘 카바이드 내로의 이온 주입은 실리콘 공작물에 사용되는 것과는 상이한 부류의 주입 도펀트를 이용한다. 실리콘 카바이드 주입에서, 알루미늄, 질소 및 인 주입이 종종 수행된다. 질소 및 인 주입은, 예를 들어, 질소가 가스로서 들어갈 수 있고 비교적 쉬운 조정, 세정 등을 제공하기 때문에 비교적 간단하다. 그러나, 알루미늄은 현재 알려진 알루미늄의 양호한 가스 용액이 없기 때문에 더 어렵다.
본 발명은 이온 소스 재료(113)가 예를 들어 알루미늄계 이온 소스 재료(132)인 것으로서 고려한다. 또한, 에칭제 가스 혼합물(134)이 제공되고, 이에 의해 에칭제 가스 혼합물의 도입은 유리하게, 위에서 논의된 절연 재료 및/또는 전도성 재료 중 어느 하나의 형성으로 인한 부정적 효과를 더 증폭시키는 더 큰 분자 질량 재료와 연관된 더 높은 압력과 연관된 최소의 유해한 문제를 갖는 높은 이온 빔 전류를 제공한다. 하나의 특정 예에서, 본 발명은 에칭제 가스 혼합물(134)과 함께 원자 알루미늄 이온을 생성하기 위해 산화 알루미늄(Al2O3) 또는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 것으로서 알루미늄계 이온 소스 재료(132)를 고려하고, 여기서 이 에칭제 가스 혼합물은 비활성 또는 불활성 가스와 함께 미리 결정된 백분율의 플루오린의 미반응된 혼합물을 포함한다. 이와 같이, 이온 소스 아크 슬릿과 추출 전극 사이의 고전압 갭에서의 전술된 증가된 압력들에 적어도 부분적으로 기인하여, 절연 재료들, 박편들 등의 효과는 해롭지 않고, 따라서 이온 소스 및 전극들의 수명을 연장하고, 더 안정적인 이온 빔 동작을 생성하고, 실질적으로 더 높은 빔 전류들을 가능하게 한다.
예를 들어, 알루미늄계 이온 소스 재료(132)는 세라믹 부재(136)(예를 들어, 이온 소스(108) 내의 리펠러 샤프트, 실드, 또는 다른 부재) 내로 통합되고, 여기서 상기 세라믹은 에칭제 가스 혼합물(134)로부터의 플루오린 가스를 사용하여 스퍼터링되거나 에칭된다. 알루미늄계 이온 소스 재료(132)는, 예를 들어, 고온 공정(예를 들어, 1000℃ 이상)을 거치며, 이에 의해 상기 세라믹은 용융 없이 그러한 온도를 견딜 수 있다.
따라서, 본 발명은 실온으로부터 대략 1000℃ 이상 까지의 온도에서, 실리콘 카바이드, 실리콘, 또는 다른 기판을 전기적으로 도핑하기 위해 알루미늄 이온들과 같은 단일 원자 이온들을 생성한다. 이러한 단일 원자 이온의 생성은 유리하게는 현재의 기술보다 개선된 소스 수명, 더 높은 빔 전류, 및 더 양호한 동작 특성을 산출한다.
본 발명의 대안적인 양태에 따르면, 알루미늄계 이온 소스 재료는 이온 주입 시스템(101)의 고체 소스 기화기(140)(예를 들어, Axcelis Technologies of Beverley, MA에 의해 제조된 적절한 이온 주입기)를 통해 이온 소스(108)에 제공될 수 있다. 예를 들어, 이온 소스(108)와 연관된 고체 소스 기화기(140)는 알루미늄계 이온 소스 재료가 로딩되어, 알루미늄이 이온화되고 빔라인 아래로 추출되는 이온화 챔버로 이동하는 증기를 형성할 때까지, 기화기에서 가열될 수 있다.
본 발명은 또한 미리 결정된 건강 안전 레벨(예를 들어, 10 내지 20% 농도)보다 더 큰 농도의 플루오린 가스의 제공이 플루오린 가스를 담은 병의 수송 및 저장과 관련된 안전 문제가 될 수 있다는 것을 이해한다. 20%보다 더 높은 농도의 플루오린 가스의 제공은 종종 누설의 경우에 고도로 위험한 특성으로 인해 제조 설비에서 허용되지 않는다.
이에 따라, 본 발명은 미리 결정된 건강 안전 레벨(예를 들어, 대략 20%)까지 플루오린을 포함하는 것으로서 에칭제 가스 혼합물(134)을 제공하는 한편, 에칭제 가스 혼합물의 나머지는 헬륨(He), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 크세논(Xe) 등과 같은 불활성, 비활성, 또는 다른 비반응성 가스를 포함한다. 본 발명은 헬륨이 빔 전류에 유해하게 영향을 미치지 않으며, 따라서 헬륨이 에칭제 가스 혼합물(134)에 대해 플루오린과 미리 혼합된다는 것을 이해한다. 에칭제 가스 혼합물(134)은, 예를 들어, 미리 혼합된 병(예를 들어, 20% F, 80% He)에 담겨 이온 주입 시스템(101)의 위치로 운송될 수 있고, 이에 의해 헬륨 및 플루오린은 함께 결합되거나 화학적으로 결합되지 않고, 오히려 단순히 혼합되고, 이에 의해 헬륨은 희석제로서 작용한다. 다른 예에서, 아르곤은 또한 알루미늄계 세라믹을 스퍼터링하는 것이 요구될 때 에칭제 가스 혼합물(134) 내의 헬륨 및 플루오린과 함께 공동-가스(138)로서 포함될 수 있다. 예를 들어, 소량의 아르곤은 유리하게 세라믹 부재(136) 상에 형성된 임의의 절연 코팅을 스퍼터링하고 파괴할 수 있다. 이 공동-가스(138)는, 예를 들어, 에칭제 가스 혼합물(134) 내의 다른 가스들과 함께 제공될 수 있거나, 또는 다른 소스와 별개로 제공될 수 있다. 예를 들어, 에칭제 가스 혼합물은 0.5 내지 5% 농도의 아르곤, 20% 농도의 플루오린, 및 헬륨을 포함하는 나머지일 수 있다.
도 2는 이온들을 공작물 내로 주입하기 위한 예시적인 방법(200)을 예시한다. 예시적인 방법들이 일련의 동작들 또는 이벤트들로 본원에 도시되고 설명되지만, 본 발명은 일부 단계가 본원에 도시되고 설명된 것과 별개로, 본 발명에 따라, 다른 단계와는 다른 순서 및/또는 동시에 일어날 수 있기 때문에, 그러한 동작들 또는 이벤트들의 도시된 순서에 의해 제한되지 않음이 이해되어야 함을 또한 유의해야 한다. 또한, 본 발명에 따른 방법론을 구현하기 위해 모든 도시된 단계들이 필요한 것은 아니다. 더욱이, 상기 방법들은 본원에 도시되고 설명된 시스템들 뿐만 아니라 도시되지 않은 다른 시스템들과 연관하여 구현될 수 있음이 이해될 것이다.
한 예시적인 양태에 따르면, 도 2의 동작 202에서, 알루미늄 소스 재료가 제공된다. 알루미늄계 이온 소스 재료는, 예를 들어, 이온 소스 내의 구성요소로서 고체 형태의 세라믹 부재일 수 있다. 동작 204에서, 예를 들어, 에칭제 가스 혼합물이 이온 소스에 제공된다. 에칭제 가스 혼합물은, 예를 들어, 헬륨과 같은 비활성 가스와 혼합된 미리 결정된 농도의 플루오린을 포함한다. 동작 206에서, 알루미늄계 이온 소스 재료는 이온 소스에서 이온화되고, 여기서 플루오린은 알루미늄 이온들을 생성하기 위해 이온 소스 내에서 알루미늄계 이온 소스 재료를 에칭한다. 선택적인 동작 208에서, 아르곤과 같은 공동-가스가 세라믹 부재를 스퍼터링하기 위해 이온 소스에 도입된다.
본 발명이 특정 실시예 또는 실시예들에 대해 도시되고 설명되었지만, 위에서 설명된 실시예들은 본 발명의 일부 실시예의 구현을 위한 예시일 뿐이고, 본 발명의 적용은 이러한 실시예들로 제한되지 않음을 유의해야 한다. 특히 위에서 설명한 구성요소들(조립체, 디바이스, 회로 등)에 의해 수행되는 다양한 기능들과 관련하여, 그러한 구성요소들을 설명하기 위해 사용된 용어들("수단(means)"에 대한 참조를 포함하여)은, 달리 지시되지 않는 한, 상기 설명된 구성요소(예를 들면, 즉 기능적으로 동등함)의 특정한 기능을 수행하는 어떤 구성요소에 대응하고, 본원에 도시된 본 발명의 예시적인 실시예들에서의 상기 기능을 수행하는 상기 개시된 구조에 구조적으로 동등하지 않더라도 마찬가지이다. 또한, 본 발명의 특정 특징이 여러 실시예들 중 하나에 대해서만 개시되었더라도, 그러한 특징은 어떤 주어진 또는 특정한 응용에 대해 바람직하거나 유리할 수 있는 다른 실시예들의 하나 이상의 다른 특징들과 결합될 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 위에서 설명된 실시예들로 제한되는 것은 아니고, 첨부된 청구범위 및 그 균등물에 의해서만 제한되도록 의도된다.

Claims (23)

  1. 이온 주입 시스템으로서,
    알루미늄계 이온 소스 재료;
    상기 알루미늄계 이온 소스 재료를 이온화하고, 그로부터 이온 빔을 형성하도록 구성되는 이온 소스-이에 의해 상기 알루미늄계 이온 소스 재료의 이온화가 비전도성 재료를 포함하는 부산물을 추가로 형성함-;
    상기 이온 소스와 유체 연통하는 에칭제 가스 혼합물―상기 에칭제 가스 혼합물은 미리 결정된 농도의 플루오린 및 비활성 가스를 포함함―;
    상기 이온 빔을 선별적으로 전송하도록 구성되는 빔라인 조립체; 및
    공작물에 이온들을 주입하기 위해 상기 이온 빔을 수용하도록 구성되는 종단 스테이션을 포함하는, 이온 주입 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 비활성 가스는 헬륨 및 아르곤 중 하나 이상을 포함하는, 이온 주입 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 플루오린의 미리 결정된 농도는 미리 결정된 건강 안전 레벨과 관련되는, 이온 주입 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 미리 결정된 건강 안전 레벨은 플루오린의 최대 농도가 20%인, 이온 주입 시스템.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 에칭제 가스 혼합물은 대략 20% 미만의 플루오린과 헬륨의 미반응된 혼합물을 포함하는 가압된 가스 소스를 포함하는, 이온 주입 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 가압된 가스 소스는 공동-가스(co-gas)를 추가 포함하는, 이온 주입 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 공동-가스는 대략 5% 미만의 농도의 아르곤을 포함하는, 이온 주입 시스템.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 에칭제 가스 혼합물은 공동-가스를 추가 포함하는, 이온 주입 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 공동-가스는 대략 5% 미만의 농도의 아르곤을 포함하는, 이온 주입 시스템.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 알루미늄계 이온 소스 재료는 세라믹 부재를 포함하고, 상기 세라믹 부재는 상기 이온 소스 내에 리펠러 샤프트, 실드, 또는 일 부재 중 하나 이상을 포함하는, 이온 주입 시스템.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 에칭제 가스 혼합물은 가압된 병 내에서 미리 혼합된 형태로 있고 아르곤 및 헬륨 가스 중 하나 이상과 플루오린의 혼합물을 포함하는, 이온 주입 시스템.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 가압된 병은 대략 20% 플루오린을 포함하는, 이온 주입 시스템.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 가압된 병은 대략 5% 미만의 아르곤을 포함하는, 이온 주입 시스템.
  14. 이온 주입 시스템으로서,
    알루미늄계 소스 재료;
    상기 알루미늄계 소스 재료를 이온화하고 그로부터 이온 빔을 형성하도록 구성되는 이온 소스-이에 의해 상기 알루미늄계 소스 재료의 이온화가 비전도성 재료를 포함하는 부산물을 추가 형성함-;
    비활성 가스와 혼합된 플루오린의 에칭제 가스 혼합물을 포함하는 에칭제 가스 공급 장치―상기 에칭제 가스 공급 장치는 상기 에칭제 가스 혼합물을 상기 이온 소스에 도입하도록 구성되고, 상기 플루오린은 상기 비활성 가스와 건강 안전 농도로 혼합됨―;
    상기 이온 빔을 선별적으로 전송하도록 구성되는 빔라인 조립체; 및
    공작물에 이온들을 주입하기 위해 상기 이온 빔을 수용하도록 구성되는 종단 스테이션을 포함하는, 이온 주입 시스템.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 에칭제 가스 혼합물은 공동-가스를 더 포함하는, 이온 주입 시스템.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 공동-가스는 아르곤을 포함하는, 이온 주입 시스템.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 아르곤은 대략 5% 미만의 농도인, 이온 주입 시스템.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 에칭제 가스 공급 장치는 가압된 가스 소스를 포함하는, 이온 주입 시스템.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 가압된 가스 소스는 상기 에칭제 가스 혼합물을 포함하는 가압된 병을 포함하는, 이온 주입 시스템.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 에칭제 가스 혼합물은 용기에 담겨 미리 혼합된 형태로 제공되는, 이온 주입 시스템.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 용기는 아르곤 및 헬륨 가스 중 하나 이상과 플루오린의 혼합물을 함유하는 가압된 병인, 이온 주입 시스템.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 용기는 대략 20% 플루오린을 포함하는, 이온 주입 시스템.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 용기는 대략 5% 미만의 아르곤을 포함하는, 이온 주입 시스템.
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Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3739994A1 (de) * 1987-11-25 1989-06-08 Linde Ag Verfahren zum fluorieren von kunststoffgegenstaenden
JPH11238485A (ja) * 1998-02-24 1999-08-31 Sony Corp イオン注入方法
US6635880B1 (en) * 1999-10-05 2003-10-21 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. High transmission, low energy beamline architecture for ion implanter
GB0128913D0 (en) 2001-12-03 2002-01-23 Applied Materials Inc Improvements in ion sources for ion implantation apparatus
WO2004001804A2 (en) 2002-06-19 2003-12-31 Ziegler Byron J Device for generation of reactive ions
JP4428467B1 (ja) * 2008-08-27 2010-03-10 日新イオン機器株式会社 イオン源
EP2891172B1 (en) * 2012-08-28 2019-10-30 Praxair Technology, Inc. Systems and methods of use of a silicon-containing dopant compositions for improving ion beam current and performance during silicon ion implantation
US10676370B2 (en) * 2017-06-05 2020-06-09 Axcelis Technologies, Inc. Hydrogen co-gas when using aluminum iodide as an ion source material
US11062873B2 (en) * 2018-05-11 2021-07-13 Axcelis Technologies, Inc. Hydrogen bleed gas for an ion source housing

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