CN116325062A - 蚀刻氮化铝或氧化铝以产生铝离子束 - Google Patents

Abstract

提供了离子注入系统101、离子源108和方法，其中离子源配置为电离铝基离子源材料113、112并形成离子束112和包括非导电材料的副产物。蚀刻剂气体混合物具有预确定含量的氟和与离子源流体连通的稀有气体。预确定含量的氟与预确定的健康安全水平相关联，所述健康安全水平例如为氟的最大含量的约20％。蚀刻剂气体混合物可以具有含量低于约5％的氩气的共伴气。铝基离子源材料可以是陶瓷构件，例如推斥极轴、屏蔽件或所述离子源内的其他部件。

Description

蚀刻氮化铝或氧化铝以产生铝离子束

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年10月30日提交的美国临时申请第63/107,769号的优先权，其全部内容通过引用合并到本文中。

技术领域

本申请整体上涉及离子注入系统，以及更具体地涉及一种配置为产生包括铝离子的离子束的离子注入系统。

背景技术

对使用金属离子的离子注入制品的需求日益增加。例如，铝注入制品对于功率器件市场是重要的，这是小但快速增长的细分市场。对于多种金属，包括铝，提供进料给离子源存在问题。先前已经提供了使用蒸发器的系统，所述蒸发器是处于离子源的电弧腔外部的小烘箱，借此加热金属盐以产生足够的蒸汽压以提供蒸汽给离子源。但是，烘箱远离电弧腔并且需要时间加热到所需的温度、建立蒸汽流、启动等离子体、启动离子束等。此外，如果需要将一个金属种类改变为其他种类，需要时间来等待烘箱充分冷却，以进行这样的种类变化。

另一种常规技术是在电弧腔内放置含金属(例如铝或其他金属)的材料。对于铝，含金属的材料可包括氧化铝、氟化铝或氮化铝，所有的这些都可承受等离子腔的大约800℃的温度。在这样的系统中，离子直接从等离子体中的材料溅射出来。另一种技术是使用含有蚀刻剂(例如氟)的等离子体来实现金属的化学蚀刻。虽然使用这些各种技术可达到可接受的束电流，但是氧化铝、氯化铝和氮化铝(所有这些都是良好的电绝缘体)的化合物倾向于在相对短的时间段内(例如，5-10小时)沉积在与离子源相邻的电极上。如此，会发现各种有害的影响，例如高电压不稳定以及注入的离子剂量的相关变化。

发明内容

因此，本公开提供了用于产生包括铝离子的离子束的系统和装置。相应地，下文介绍了本公开的简化概述，以提供对本发明一些方面的基本理解。本概述不是本发明的宽泛综述。其既不旨在识别发明的重要要素或关键要素，也不旨在描述本发明的范围。其目的是以简化形式介绍本发明的一些概念，作为后续介绍的更详细描述的前奏。

根据本公开的一个方面，提供了一种离子注入系统，其中离子源配置为电离铝基离子源材料并由此形成离子束。在一个实施例中，铝基离子源材料包括陶瓷部件，其中陶瓷部件包括推斥极轴、屏蔽件或离子源内的部件中的一个或多个。

铝基离子源材料的电离，例如，进一步形成包括非导电材料的副产物。蚀刻剂气体混合物还与离子源流体连通，其中蚀刻剂气体混合物包括预确定含量的氟和稀有气体。束线组件进一步配置为选择性地输送离子束到终点站，用于将离子注入工件。真空系统，例如，可配置为实质上排空离子源。

根据一个实施例，稀有气体包括氦气和氩气中的一种或多种，其中氟的预确定含量与预确定健康安全水平相关联。在一个实施例中，预确定健康安全水平是氟的最大含量的20％。在另一个实施例中，蚀刻剂气体混合物包括加压气源，所述加压气源包括≤20％的氟与氦气的未反应的混合物。加压气源还可以包括共伴气。共伴气，例如，可以包括含量低于5％的氩气。在另一个实施例中，蚀刻剂气体混合物可以包括共伴气。

蚀刻剂气体混合物，例如，以预混合的形式处于加压瓶内，并且包括氟与氩气和氦气中的一种或多种的混合物。在一个实施例中，容器包括约20％或更少的氟。在另一个实施例中，加压瓶还包括少于约5％的氩气。

根据本公开的另一个示例性的方面，提供了一种离子注入系统，其中离子源配置为电离铝基源材料并由此形成离子束。铝基源材料的电离进一步形成包括非导电材料的副产物。进一步提供了蚀刻剂气体供给，所述蚀刻剂气体供给包括与稀有气体相混合的氟的蚀刻剂气体混合物，其中蚀刻剂气体供给配置为将蚀刻剂气体混合物引入离子源，其中氟以健康安全含量与稀有气体混合。束线组件选择性地将离子束输送到终点站，所述终点站配置为接受离子束以将离子注入工件中。

在一个实施例中，蚀刻剂气体混合物还包括共伴气。共伴气，例如，包括氩气，例如含量低于5％的氩气。蚀刻剂气体供给，例如，可包括加压气源。加压气源，例如，可包括含有蚀刻剂气体混合物的加压瓶。蚀刻剂气体混合物，例如，以预混合的形式提供在容器中，例如含有氟与氩气和氦气中的一种或多种的混合物的加压瓶。容器，例如，包括约20％或更少的氟。

根据本公开的另一个示例性的方面，提供了一种将铝离子注入工件的方法。该方法，例如，包括提供铝基源材料到离子源中，以及提供蚀刻剂气体混合物到离子源，其中蚀刻剂气体混合物包括预确定含量的氟和稀有气体。氟的预确定含量，例如，低于约20％。在一个实施例中，铝基源材料包括陶瓷部件。稀有气体，例如，可包括氩气和氦气中的一种或多种。铝基源材料在离子源中电离，其中氟蚀刻铝基源材料以产生铝离子。此外，铝离子从电离的铝基源材料注入到工件中。

在另一个实施例中，提供蚀刻剂气体混合物到离子源还包括提供共伴气(例如氩气)到离子源。在另一个实施例中，该方法还包括在容器中(例如，在含有氟与氩气和氦气中的一种或多种的混合物的加压瓶中)预混合蚀刻剂气体。容器，例如，包括约20％的氟。在另一实施例中，容器包括少于约5％的氩气。

为了实现上述的和相关的目的，本公开包括以下在权利要求中充分描述并特别指出的特征。以下描述和所附的附图详细阐述了本发明的某些说明性的实施方案。然而，这些实施方案指示了可采用本发明的原理的各种方式中的几种。当结合附图考虑时，本发明的其它目的、优点和新颖特征将从本发明的下文详细描述中变得显而易见。

附图说明

图1是根据本公开的数个方面的使用铝基离子源材料的示例性真空系统的框图。

图2示出了使用铝基离子源材料将离子注入工件中的示例性方法。

具体实施方式

本公开整体上针对离子注入系统以及与此相关的离子源材料。更特别地，本公开针对用于所述离子注入系统的部件，所述系统使用铝基固体源材料用以在各种温度(范围高达1000℃)下产生原子离子以电掺杂硅、碳化硅或其他半导体衬底。此外，当使用预混合的蚀刻剂气体时，所述预混合的蚀刻剂气体包括氟与稀有气体或惰性气体(例如氦气)的预确定的混合物，本公开最小化了在引出电极和源腔部件上的各种沉积物。本公开将降低源工作压力，提高蚀刻速率并最小化含铝材料的溅射速率，这将进一步提高整体寿命和铝离子束电流。

因此，现在将参照附图来描述本发明，其中可以使用相同的附图标记指代通篇相同的元件。应理解的是，这些方面的描述仅是说明性的并且其不应被解释为限定性意义。在下面的描述中，为了解释的目的，提出了多个具体细节，以提供对本发明的透彻理解。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，本发明可以在没有这些具体细节的情况下实施。此外，本发明的范围不旨在由下文参照附图描述的实施方案或实施例限制，而是旨在仅由所附的权利要求及其等同范围的限制。

还需注意的是，附图提供为用于说明本公开的实施方案的某些方面，因此应视为仅是示例性的。特别是，附图中示出元件不必相互成比例，并且附图中各个元件的布置选择为提供对各自实施方案的清楚理解并且不得解释为必然代表在根据本发明的实施方案的实施中各部件的实际相对位置。此外，除非另有特别说明，本文描述的各实施方案和实施例的特征可相互组合。

还应理解的是，在下文的描述中，附图中所示的或文中描述的功能模块、器件、部件、电路元件或其他物理或功能单元之间的任何直接连接或耦接也可通过间接连接或耦接来实施。此外，应注意的是，附图中所示的功能模块或单元可以在一个实施方案中实施为单独的特征或电路，而在另一个实施方案中也可以或替代性地全部或部分地实施为共同特征或电路。例如，数个功能模块可实施为在公共处理器(例如信号处理器)上运行的软件。进一步应理解的是，除非另作说明，下文说明中描述为基于有线的(wire-based)任何连接也可实施为无线通信。

离子注入是物理过程，其应用于半导体器件制造中以选择性地将掺杂剂注入半导体和/或晶圆材料中。因此，注入行为不依赖于掺杂剂和半导体材料之间的化学相互作用。对于离子注入，来自离子注入机的离子源的掺杂剂原子/分子被电离、加速、形成离子束、分析以及扫过晶圆或晶圆平移经过离子束。掺杂剂离子物理地轰击晶圆、进入表面并且在表面下方停下来、处于与其能量相关的深度处。

离子注入机中的离子源通常通过将电弧腔中的源材料电离来产生离子束，其中，源材料的组分是所需要的掺杂元素。接着，所需要的掺杂元素以离子束的形式从电离的源材料中引出。

通常，当铝离子是所需要的掺杂元素时，例如氮化铝(AlN)和氧化铝(Al₂O₃)的材料被用作为铝离子的源材料，用于离子注入的目的。氮化铝或氧化铝是固体绝缘材料，其通常放置于形成等离子体的电弧腔中(离子源中)。

气体(例如氟)被引入以化学蚀刻含铝材料，由此电离源材料，并且铝被引出并沿着束线被转移到位于终点站中的工件(例如，碳化硅)处以注入工件。含铝材料，例如通常与电弧腔中的某种形式的氟基蚀刻剂气体(例如BF₃、PF₃、NF₃、SiF₄、SF₆等)一起使用作为铝离子的源材料。然而，这些材料具有产生绝缘材料(例如AlN、Al₂O₃、AlF₃等)的不适当的副作用，所述绝缘材料随着期望的铝离子一起从电弧腔排出。

绝缘材料随后覆盖离子源的各部件，例如引出电极，其接着开始建立电荷并不利地改变引出电极的静电特性。电荷积聚的后果导致引出电极的通常称之为形成电弧或“小故障(glitching)”的行为，这是由于积聚的电荷与其他部部件或接地形成电弧。

在极端情况下，引出电极的电源行为可被改变或失真。这通常会导致不可预测的束行为，并导致束电流降低和频繁的预防性维护，以清洁与离子源相关的各部件。此外，来自这些材料的碎片和其他残留物可形成在电弧腔中，因此改变其操作特性，导致额外的频繁清洁。

此外，使用BF₃时，例如，存在如下关注：气体输送系统中的空气泄漏可导致形成BO(AMU 27)，其与铝(AMU 27)质量一致，由此BO可以与所需的铝离子一起注入。当使用BF₃作为蚀刻剂时，例如，已经观察到具有硼的引出电极光学层，所述光学层随后可分层并导致在电极和电弧腔弧缝隙之间产生电弧，从而使工具对于生产而言不稳定。使用NF₃例如也可存在问题：由于氮分子+(AMU28)的质量接近铝+(AMU 27)的质量并且可能通过质量分辨系统，导致注入能量污染。对于质荷比接近的原子氮和双电荷铝(Al++分别具有14和13.5的质/荷比)，也存在类似的关注。此外，已观察到使用这种分子会降低获得所需要的铝束电流的能力，特别是对于多电荷离子。

因此，本公开旨在最小化引出电极和与离子源腔相关联的其他部件上的沉积物，同时在注入铝离子时提供所需要的束电流。本公开有利地减少了与形成相关的小故障或电弧，并且进一步总体延长了离子源和电极的寿命，同时提高了效率。

根据本公开的一个示例性的方面，铝基溅射/刻蚀靶材与蚀刻剂源气体一起提供。蚀刻剂源气体有利地以预混合的形式提供在容器(例如，气瓶)中，所述容器含有氦气(He)和预确定百分比的氟(F₂)，以允许比常规系统更低的总气体流，同时提供较低的电弧腔压力，以及进一步减小二次碰撞(例如，电荷交换)，这归因于与其他常规的含氟分子和混合物相比，氦的电离截面是小的。

发明人已经观察到，对于所要求的铝束电流，总引出电流可以减少＞20％，这是由于氟供体原子(例如，硼、磷、硅)不会被电离和引出。氦的第一电离能为24.57，是所有元素中最高的，并且其对总引出电流的贡献可忽略。引出电流的减小也会降低电弧腔光学板和引出电极之间的压力，并且减小两个表面之间的电弧。这有利于提高束稳定性，因为随着时间的推移，如前所述，引出电极将覆盖绝缘材料。本公开注意到，在一些情况下，基于操作条件或需要的注入物，可优选的是，除氦气之外的稀有气体或惰性气体与预确定百分比的氟预混合的混合物。例如，在需要溅射铝基陶瓷的情况下，氩气(Ar)可以与氟和氦气在容器中预混合并提供给电弧腔。在氟基等离子体中蚀刻AlN或Al₂O₃时，例如，可以在铝基陶瓷的表面上形成稳定的/非挥发性的AlF₃膜，从而使表面钝化。在这种情况下，Ar⁺离子可以溅射表面并去除氟化物或保持表面无氟化物，使得可发生进一步的反应，例如：

AlN+F₂→AlF₃+N₂ (1)

或

Al₂O₃+F₂→AlF₃+O₂ (2)。

本公开进一步考虑，如果氩气+氟的预混合瓶中的氩气含量由于电荷交换导致铝束电流减少，例如，该瓶可填充三种或更多种气体，其中主要或最高水平的气体例如是氦气，余量为预确定百分比的氟、氩气或其他稀有、惰性或另外的非反应性气体。

为了更好地理解本公开，根据本公开的一个方面，图1说明了示例性的真空系统100。本实施例中的真空系统100包括离子注入系统101，但是也可考虑各其他类型的真空系统，例如等离子体处理系统，或其它半导体处理系统。离子注入系统101例如包括终端102、束线组件104和终点站106。

整体来说，终端102中的离子源108与电源110耦接以将掺杂气体电离成来自离子源的多个离子，以形成离子束112。紧靠近引出电极的各个电极可以被偏置，以抑制靠近源或返回到引出电极的中和电子回流。本公开的离子源材料113提供在离子源108中，其中离子源材料包括铝基源材料，例如固体氧化铝(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)或其它含铝的材料。

本实施例中的离子束112被引导通过束转向器件114，并离开孔116朝向终点站106。在终点站106中，离子束112轰击工件118(例如，半导体，如硅晶圆、显示面板等)，所述工件被选择性地夹取或安装到卡盘120(例如，静电卡盘或ESC)上。一旦嵌入工件118的晶格中，注入的离子就会改变工件的物理和/或化学性质。因此，离子注入用于半导体器件制造和金属表面处理中，以及材料科学研究中的各种应用中。

本公开的离子束112可以为任何形式，例如笔或点束、带状束、扫描束或离子指向终点站106的任何其他形式，所有这些形式均被认为落入本公开的范围。

根据一个示例性的方面，终点站106包括处理腔122，例如真空腔124，其中处理环境126与处理腔相关联。处理环境126整体上存在于处理腔122内，并且在一个实施例中，包括由真空源128(例如，真空泵)产生的真空，所述真空源与处理腔耦接并被配置成实质上排空处理腔。此外，设置有控制器130用于整体控制真空系统100。

本公开理解，已经发现在其上形成有碳化硅基器件的工件118具有比硅基器件更好的热特性和电特性，特别是在用于高电压和高温器件的应用(例如电动汽车等)中。但是，注入到碳化硅的离子使用的注入掺杂剂与用于硅工件的注入掺杂剂的种类不同。在碳化硅注入中，经常进行铝、氮和磷注入。氮和磷注入，例如相对简单，这是由于氮可以以气体引入，并提供相对容易的调节、清理等。但是，铝更困难，这是由于目前没有已知的良好的铝气溶体。

本公开考虑了离子源材料113，例如，为铝基离子源材料132。此外，提供了蚀刻剂气体混合物134，由此蚀刻剂气体混合物的引入有利地提供高的离子束电流并且与较高的压力相关的有害问题得以最小化，所述较高的压力与较大分子质量的材料相关并且进一步放大由上文讨论的绝缘和/或导电材料的形成导致的负面影响。在一个特定实施例中，本发明考虑了铝基离子源材料132，如包括氧化铝(Al₂O₃)或氮化铝(AlN)，以结合蚀刻剂气体混合物134产生原子铝离子，其中，蚀刻剂气体混合物包括预确定百分比的氟与稀有气体或惰性气体的未反应的混合物。由此，至少部分地由于在离子源电弧狭缝和引出电极之间的高电压间隙中的上述升高的压力，绝缘材料、碎片等的影响不那么有害，因此延长了离子源和电极的寿命，产生了更稳定的离子束操作，并且实质上允许更高的束电流。

例如，铝基离子源材料132被并入到陶瓷部件136(例如，推斥极轴、屏蔽件或离子源108内的其他部件)中，其中陶瓷由使用来自蚀刻剂气体混合物134的氟气体溅射或蚀刻。铝基离子源材料132，例如，经受高温处理(例如，1000℃或更高)，由此陶瓷能够承受这样的温度而不熔化。

因此，本公开产生单原子离子，例如铝离子，以在从室温到大约1000℃或更高的温度下对碳化硅、硅或其它衬底电掺杂。与现有技术相比，这种单原子离子的生成有利地产生了改善的源寿命、更高的束电流以及更好的操作特性。

根据本公开的可替代的方面，铝基离子源材料可以经由离子注入系统101(例如，马萨诸塞州，贝弗利(Beverley,MA)的Axcelis Technologies生产的适当的离子注入机)的固体源汽化器140提供给离子源108。与离子源108相关的固体源汽化器140，例如，可以装载铝基离子源材料并在汽化器中加热，直到其形成蒸汽，所述蒸汽迁移到电离腔，在所述电离腔中铝被电离并从束流中引出。

本公开进一步理解，提供含量高于预确定的健康安全水平(例如，10-20％含量)的氟气体可具有与运输和储存含有氟气体的瓶子相关的安全问题。在制造设施中，通常不允许提供含量高于20％的氟气，这是由于其在发生泄漏的情况下有高度危险性。

因此，本公开提供了蚀刻剂气体混合物134，其包括高达预确定的健康安全水平(例如，大约20％)的氟，蚀刻剂气体混合物的余量包括惰性气体、稀有气体或其他非反应性气体，例如，氦气(He)、氩气(Ar)、氪气(Kr)、氙气(Xe)等。本公开理解，氦气不会有害地影响束电流，因此，氦气与氟预混合以用于蚀刻剂气体混合物134。蚀刻剂气体混合物134，例如可以在预混合瓶中(例如，20％ F，80％ He)运送到离子注入系统101的位置处，由此氦气和氟不结合在一起或化学结合，而是简单地混合，由此氦气作为稀释剂。在另一个实施例中，当需要溅射铝基陶瓷时，氩气也可作为氦气和氟的共伴气138包括在蚀刻剂气体混合物134中。例如，少量的氩气可以有利于溅射并分解形成在陶瓷部件136上的任何绝缘覆盖层。这种共伴气138例如可以与蚀刻剂气体混合物134中的其他气体一起提供，或者可以与其他源分开提供。例如，蚀刻剂气体混合物可以为0.5-5％含量的氩气、20％含量的氟，余量包括氦气。

图2说明了用于将离子注入到工件中的示例性的方法200。应进一步注意的是，虽然在本文中示例性的方法被说明和描述为一系列行为或事件，但可以理解的是，本发明不受这种行为或事件的说明顺序所限制，因为根据本发明，某些步骤可以以不同的顺序和/或与本文所示和描述之外的其他步骤同时发生。此外，并非所有说明的步骤都是实施根据本发明的方法所需要的。此外，可理解的是，这些方法可与本文说明和描述的系统相结合以及与未说明的其它系统相结合来实施。

根据一个示例性的方面，在图2的动作202中，提供铝源材料。铝基离子源材料例如可以是作为离子源内的组份的固体形式的陶瓷部件。在动作204中，例如，蚀刻剂气体混合物被提供给离子源。蚀刻剂气体混合物例如包括混合有稀有气体(例如氦气)的预确定含量的氟。在动作206中，铝基离子源材料在离子源中电离，其中氟蚀刻离子源内的铝基离子源材料以产生铝离子。在可选的动作208中，共伴气(例如氩气)被引入到离子源以溅射陶瓷部件。

尽管本发明已针对某种或某些实施方案予以描绘及描述，但应指出的是，上述实施方案仅作实施本发明某些实施方案的实施例，而本发明的应用不限于这些实施方案。特别是关于上述部件(组件、器件、电路等)所实行的各种功能，若非另作注明，则用来描述这些部件的术语(包括引用“构件”)是指对应于执行所描述的部件的具体功能的任何部件(即在功能上等效)，即使是结构上不等效于在本文说明的本发明的示例性实施方案中的执行所述功能的所公开的结构。另外，虽然仅就多种实施方案中的一种方案公开了本发明的特定特征，如果对于任何指定或特定应用可能是需要的或有利的，则这一特征可结合其他实施方案的一个或多个其他特征。据此，本发明不限于上文描述的实施方案，而旨在仅限于所附权利要求及其等效范围。

Claims (23)

1.一种离子注入系统，包括：

铝基离子源材料；

离子源，配置为电离所述铝基离子源材料并形成离子束，由此所述铝基离子源材料的电离进一步形成包括非导电材料的副产物；

与所述离子源流体连通的蚀刻剂气体混合物，其中，所述蚀刻剂气体混合物包括预确定含量的氟和稀有气体；

束线组件，配置为选择性地输送所述离子束；以及

终点站，配置为接受所述离子束以将离子注入工件。

2.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述稀有气体包括氦气和氩气中的一者或多者。

3.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述氟的预确定含量与预确定的健康安全水平相关联。

4.根据权利要求3所述的离子注入系统，其中，所述预确定的健康安全水平是氟的最大含量的20％。

5.根据权利要求3所述的离子注入系统，其中，所述蚀刻剂气体混合物包括加压气源，所述加压气源包括少于约20％的氟与氦气的未反应的混合物。

6.根据权利要求5所述的离子注入系统，其中，所述加压气源还包括共伴气。

7.根据权利要求6所述的离子注入系统，其中，所述共伴气包括含量少于约5％的氩气。

8.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述蚀刻剂气体混合物还包括共伴气。

9.根据权利要求8所述的离子注入系统，其中，所述共伴气包括含量少于约5％的氩气。

10.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述铝基离子源材料包括陶瓷部件，其中，所述陶瓷部件包括推斥极轴、屏蔽件或所述离子源内的部件中的一个或多个。

11.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述蚀刻剂气体混合物以预混合的形式处于加压瓶中，并且包括氟与氩气和氦气中的一种或多种的混合物。

12.根据权利要求11所述的离子注入系统，其中，所述加压瓶包括约20％的氟。

13.根据权利要求11所述的离子注入系统，其中，所述加压瓶包括少于约5％的氩气。

14.一种离子注入系统，包括：

铝基离子源材料；

离子源，配置为电离所述铝基源材料并形成离子束，由此所述铝基源材料的电离进一步形成包括非导电材料的副产物；

蚀刻剂气体供给，包括氟与稀有气体混合的蚀刻剂气体混合物，其中，所述蚀刻剂气体供给配置为将所述蚀刻剂气体混合物引入所述离子源，其中，所述氟以健康安全的含量与所述稀有气体混合；

束线组件，配置为选择性地输送所述离子束；以及

终点站，配置为接受所述离子束以将离子注入工件。

15.根据权利要求14所述的离子注入系统，其中，所述蚀刻剂气体混合物还包括共伴气。

16.根据权利要求15所述的离子注入系统，其中，所述共伴气包括氩气。

17.根据权利要求16所述的离子注入系统，其中，所述氩气的含量少于约5％。

18.根据权利要求14所述的离子注入系统，其中，所述蚀刻剂气体供给包括加压气源。

19.根据权利要求18所述的离子注入系统，其中，所述加压气源包括含有所述蚀刻剂气体混合物的加压瓶。

20.根据权利要求15所述的离子注入系统，其中，所述蚀刻剂气体混合物以预混合的形式提供在容器中。

21.根据权利要求20所述的离子注入系统，其中，所述容器为加压瓶，所述加压瓶含有氟与氩气和氦气中的一种或多种的混合物。

22.根据权利要求20所述的离子注入系统，其中，所述容器包括约20％的氟。

23.根据权利要求22所述的离子注入系统，其中，所述容器包括少于约5％的氩气。

Images