CN108369887B - 多件式电极孔径 - Google Patents

多件式电极孔径 Download PDF

Info

Publication number
CN108369887B
CN108369887B CN201780004430.2A CN201780004430A CN108369887B CN 108369887 B CN108369887 B CN 108369887B CN 201780004430 A CN201780004430 A CN 201780004430A CN 108369887 B CN108369887 B CN 108369887B
Authority
CN
China
Prior art keywords
aperture
assembly
tungsten
aperture member
ground
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780004430.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108369887A (zh
Inventor
尼尔·科尔文
哲-简·谢
保罗·西尔弗斯坦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Axcelis Technologies Inc
Original Assignee
Axcelis Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Axcelis Technologies Inc filed Critical Axcelis Technologies Inc
Publication of CN108369887A publication Critical patent/CN108369887A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108369887B publication Critical patent/CN108369887B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/08—Ion sources; Ion guns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/10—Lenses
    • H01J37/12—Lenses electrostatic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06—Sources
    • H01J2237/083—Beam forming

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

一种用于离子注入系统的光学面板，该光学面板包括一对孔径组件。每对孔径组件各自包括第一孔径构件、第二孔径构件以及孔径固件，其中该孔径固件将第一孔径构件固定至第二孔径构件。孔径尖端可以同样固定至第二孔径构件。第一孔径构件、第二孔径构件、孔径尖端和孔径固件中的一个或多个由耐熔金属、钨、钨镧合金、钨钇合金和/或石墨和碳化硅中的一种或多种制成。孔径组件可以限定离子注入系统中的引出电极组件、接地电极组件或其他电极组件。

Description

多件式电极孔径
相关申请的引用
本申请请求于2016年1月19日提交的美国临时申请号62/280,525、名称为“MULTI-PIECE ELECTRODE APERTURE”的权益，其内容全文引用并入本文。
技术领域
本发明总体上涉及离子注入系统，更具体涉及形成离子束相关联的多件式电极孔径。
背景技术
在半导体装置的制造中，离子注入用于将半导体掺杂有杂质。离子注入系统经常被利用来在集成电路的制造期间，将例如半导体晶片的工件掺杂有来自离子束的离子，以便产生n型或p型材料的掺杂或形成钝化层。这种射束处理常用来以预定能量水平在受控浓度下将特定掺杂材料的杂质选择性注入晶片，以在制作集成电路期间产生半导体材料。该离子注入系统用于掺杂半导体晶片时，将所选的离子种类注入到工件中，以产生所需的含杂质材料。例如，从诸如锑、砷或磷等原料所生成的注入离子产生“n型”含杂质材料晶片，而“p型”含杂质材料晶片常出自利用诸如硼、镓或铟等原料所生成的离子。
典型的离子注入机包括离子源、离子引出装置、质量分析装置、射束传输装置和晶片处理装置。离子源生成所需原子或分子掺杂种类的离子。这类离子是借由引出系统从来源引出，该引出系统通常为一组电极，这些电极激励并导控来自来源的离子流动，形成离子束。在质量分析装置中从离子束中分离出所需的离子，该质量分析装置通常是磁偶极，对引出的离子束执行质量色散或质量分离。射束传输装置将离子束传输至晶片处理装置，同时维持离子束的预期性质，该射束传输装置通常是包含一系列聚焦装置的真空系统。最后，经由晶片操纵系统，将半导体晶片送进及送出晶片处理装置，该晶片操纵系统可以包括一个或多个机械臂，用于将待处理晶片置于离子束前方并将经处理晶片从离子注入机移除。
常规离子注入系统中的引出系统包括电极孔板，该电极孔板通常是电极孔径加工到电极孔板中的单件式单元。如此，常规电极孔板由其中限定有电极孔径的固体耐熔金属片或石墨构成。
发明内容
本发明提供一种在离子束注入系统中形成离子束相关联的系统和设备。据此，下文介绍本发明的简要概述，以便对本发明的某些方面具有基本了解。本发明内容部分并非本发明的详尽综述。其既非旨在确定本发明的关键元件或主要元件，亦非限定本发明的范围。其目的在于，以简化形式呈现本发明的某些构思，作为下文具体实施方式的引言。
本发明总体上针对离子注入系统和电极设备(也称作光学面板)，其中所述电极设备包括多件式电极孔径组件。所述电极设备可以被配置为与形成离子束相关联的引出孔径、抑制孔径和接地孔径中的一个或多个。
根据本发明的一个示例性方面，所述电极设备包括一对孔径组件。一对孔径组件中的每个各自包括第一孔径构件和第二孔径构件。例如，第一孔径构件与第二孔径构件经由一个或多个孔径固件彼此选择性耦接。有鉴于此，可以选择性替换第一孔径构件和第二孔径构件中的一个或多个，而不替换第一孔径构件和第二孔径构件中的其余构件。
根据一个示例，所述第一孔径构件、第二孔径构件和孔径固件中的一个或多个包括耐熔金属、钨、钨镧合金、钨钇合金、石墨或碳化硅中的一种或多种。在另一示例中，所述孔径固件由耐熔金属构成。所述孔径固件可以包括螺丝和斜垫圈，从而斜垫圈允许第一孔径构件、第二孔径构件和螺丝中的一个或多个热膨胀，同时仍保持它们的耦接。
在一个示例中，所述第一孔径构件由石墨或碳化硅构成，并且所述第二孔径构件由耐熔金属、钨、钨镧合金和钨钇合金中的一种或多种构成。在另一示例中，尖端进一步选择性耦接至第二孔径构件，其中该尖端首先曝露于离子束。
例如，这对孔径组件共同限定引出电极组件和接地电极组件之一。例如，所述第一孔径构件可以经由孔径组件固件操作性耦接至基板。
根据另一示例性方面，提供一种离子注入系统，其包括配置成形成离子束的离子源以及配置成曝露于离子束的光学面板，从而该光学面板如前所述那样配置。
因此，为实现前述及有关目的，本发明包括下文完整描述且特别在权利要求书中所指出的特征。下列说明及附图详细提出于本发明的某些说明性实施例。然而，这些实施方案仅表明采用本发明原理的多种不同方式中的少数几种。在结合附图考虑的情况下，由下文对本发明的详细描述会更清楚理解本发明的其他目的、优点及新颖性特征。
附图说明
图1是根据本发明几方面的利用光学面板的示例性真空系统的框图；
图2示出根据另一方面的示例性光学组件。
图3A至图3B示出根据另一方面的示例性抑制电极孔径组件。
图4A至图4B示出根据另一方面的示例性接地电极孔径组件。
图5A至图5B示出根据另一方面的示例性抑制电极孔径组件的相应俯视图和后视图/下游图。
图6A至图6B示出根据另一方面的示例性接地电极孔径组件的相应俯视图和后视图/下游图。
具体实施方式
本发明总体上涉及离子注入系统和电极设备，其中电极设备具有多件式电极孔径。所述电极设备可以被配置为与形成离子束相关联的引出孔径、抑制孔径和接地孔径中的一个或多个。
有鉴于此，现将参照附图对本发明予以阐述，其中相同的附图标记通篇可用于指代相同的元素。应当理解，对这些方面的描述仅供说明，而不得解释为限定目的。出于解释目的，在下文中阐明若干具体细节，以便全面理解本发明。然而，本领域技术人员会显而易知，本发明可在不具备这些具体细节的情况下实施。另外，本发明的范围不应受到下文参照附图所述的实施方案或实施例的限制，而仅受所附权利要求书及其等同变化的限制。
还需指出，附图用于说明本发明实施方案的某些方面，由此应视为仅供示意性说明。特别地，根据本发明的实施方案，附图中所示的元素并非必然互成比例绘制，附图中各元素的布局选为可清楚理解相应的实施方案，不得理解为必然表示实施方案中各组件的实际相对位置。另外，若非特别注明，本文所述的各实施方案及实施例的特征可以彼此结合。
还应理解，在下文描述中，图中所示或文中所述的功能模块、装置、组件、元件或者其他实体部件或功能部件之间的任何直接连接或耦接亦可通过间接连接或耦接来实施。另外，还应领会，图中所示的功能模块或部件在一个实施方案中可作为单独特征形式实施，而在另一实施方案中亦可或替选作为共同特征来全部或部分实施。
根据本发明的一方面，图1表示示例性的真空系统100。在本实施例中的真空系统100包括离子注入系统101，但亦涵盖其他各类型的真空系统，如等离子处理系统或其他半导体处理系统。离子注入系统101例如包括终端102、束线总成104及终端站106。
一般而言，终端102中的离子源111耦接至电源110，以使掺杂剂气体离子化成多个离子，其中引出电极108孔径从离子源引出带正电荷的离子，以形成离子束112。紧密接近引出电极的单独电极可以受到偏压以抑制中和电子的回流靠近离子源或回到引出电极。应理解到，引出电极108可以包括引出孔径、抑制孔径和接地孔径中的一个或多个，如下所述。
在本实施例中，引导离子束112穿过射束控向设备114且穿出穿孔116射向终端站106。在终端站106中，离子束112轰击工件118(例如硅晶片、显示面板等半导体)，该工件118选择性夹至或安装至夹盘120(例如静电夹盘或ESC)。一旦注入的离子嵌入工件118的晶格时，则其改变工件的物理和/或化学性质。鉴此，离子注入用于半导体装置的制造和金属表面处理以及材料科学研究中的各种应用中。
本发明的离子束112可采取任何形式，如笔形束或点束、带状束、扫描束或使离子指向终端站106的任何其他形式，并且所有这些形式均属本发明的范围内。
根据一典型方面，终端站106包括处理腔室122，如真空腔室124，其中处理环境126与该处理腔室关联。处理环境126一般存在于处理腔室122内，在一个实施例中，处理环境126包括由耦接至处理腔室并配置成大体上将该处理腔室抽成真空的真空源128(例如真空泵)所产生的真空。另外，控制器130被设置用于整体上控制离子注入系统100。
根据本发明的几方面，图2示出示例性引出电极组件200，诸如图1的引出电极108。如图2所示，示出引出电极组件200的放大图，其中包括抑制电极202和接地电极204。应当指出，引出电极组件200可以包括具有多种功能的任意数目的电极，并且任何这类附加电极均视为落入本发明的范围内。应当进一步指出，抑制电极202和接地电极204可以统称为“光学面板”205，其中该光学面板被配置成选择性控制引出与形成图1中的离子束112。如此，正如本领域普通技术人员参阅本发明应会理解，下述示例可以附加或替选的光学面板205实施。
如图2所示，抑制电极202包括一对抑制电极孔径组件206(例如，彼此基本上呈镜像)。在本示例中，如图3A和图3B所示，每个抑制电极孔径组件206包括第一抑制构件208和第二抑制构件210。图5A和图5B进一步示出抑制电极202的相应正视图211A和后视图211B。
如图3B所示，第一抑制构件208和第二抑制构件210经由一个或多个抑制孔径固件212彼此操作性耦接。例如，第一抑制构件208包括一个或多个第一抑制紧固孔径214(例如，一个或多个螺纹孔)，由此一个或多个抑制孔径固件212配置成选择性接合一个或多个第一抑制紧固孔径以选择性将第二抑制构件210固定至第一抑制构件208。例如，第一抑制构件208、第二抑制构件210以及一个或多个抑制孔径固件212中的一个或多个由耐熔金属(例如钨)构成。
例如，第二抑制构件210包括如图5B所示的凹部215，由此一个或多个抑制孔径固件212嵌入第二抑制构件，以大体上防止图1中的离子束112撞击到一个或多个抑制孔径固件上。在一个特定示例中，第一抑制构件208、第二抑制构件210和抑制孔径固件212中的一个或多个由诸如镧化钨、钨或钽的耐熔金属构成。
例如，抑制电极孔径组件206经由如图2所示的一个或多个抑制组件固件218进一步操作性耦接至抑制基板216。例如，一个或多个抑制组件固件218由诸如镧钨、钨或钽的耐熔金属构成。在本示例中，抑制基板216由石墨和碳化硅中的一种或多种构成。例如，抑制基板216包括一个或多个第二抑制紧固孔径220，并且一个或多个抑制组件固件218中的每一个均包括第一抑制固定构件222(例如螺丝)和第一抑制偏压构件224(例如斜垫圈)。例如，一个或多个抑制组件固件218配置成分别选择性接合抑制基板216中的一个或多个第二抑制紧固孔径220，从而选择性将抑制电极孔径组件206紧固到抑制基板。
根据本发明的一个示例性方面，第一抑制偏压构件224配置成在抑制基板216和相应的第一抑制固定构件220与抑制电极孔径组件206之间提供弹簧力。例如，由第一抑制偏压构件224提供的弹簧力大体上确保充分的紧固，例如在抑制组件固件218因高温而在长度上膨胀的情况下。
类似地，如图3B所示的一个或多个抑制孔径固件212可以包括第二抑制固定构件226(例如螺丝)和第二抑制偏压构件228(例如斜垫圈)。例如，第二抑制偏压构件228进一步配置成在第一抑制构件208、第二抑制构件210与第二抑制固定构件226之间提供弹簧力，其中该弹性力同样在因温度变化而发生热膨胀时大体上确保充分的紧固。相应的第一抑制构件208可以进一步包括凹部230，由此一个或多个抑制组件固件218例如嵌入相应的第一抑制构件，以大体上减轻图1中的离子束112撞击在一个或多个抑制孔径固件上。
根据本发明，第一抑制构件208和第二抑制构件210选择性彼此耦接，因此各自可以单独更换。例如，本发明设想图2中的第一抑制构件208和第二抑制构件210由石墨、碳化硅以及诸如镧钨、钨、钨钇合金或钽的耐火材料中的一种或多种构成。如此，可以更换经常曝露于图1中的离子束112撞击的光学组件(诸如第二抑制构件210)，而可以重复使用诸如第一抑制构件208和基座206的其他组件，由此为早先已知的设备降低成本。例如，第二抑制构件210可以由耐熔金属构成，而第一抑制构件208可以由石墨或碳化硅构成，反之亦然。替选地，第一抑制构件208和第二抑制构件210可以由相同的材料(例如，石墨、碳化硅或耐火材料)构成。
根据本发明的另一示例性方面，图4A和图4B示出图2中的接地电极204，其中该接地电极包括一对接地电极孔径组件306(例如，彼此基本上呈镜像)。图6A和图6B进一步示出接地电极202的相应正视图311A和后视图311B。
如图4B所示，每个接地电极孔径组件306例如包括第一接地构件308和第二接地构件310，它们经由一个或多个接地孔径固件312而彼此操作性耦接。例如，第一接地构件308包括一个或多个第一接地紧固孔径314(例如，一个或多个螺纹孔)，由此一个或多个接地孔径固件312配置成选择性接合一个或多个第一接地紧固孔径以选择性将第二接地构件310固定至第一接地构件308。例如，第一接地构件308、第二接地构件310以及一个或多个接地孔径固件312中的一个或多个由耐熔金属(例如钨)构成。
例如，第二接地构件310包括如图6B所示的凹部315，由此一个或多个接地孔径固件312嵌入第二接地构件，以大体上防止图1中的离子束112撞击在一个或多个接地孔径固件上。在一个特定示例中，第一接地构件308、第二接地构件310和接地孔径固件312中的一个或多个由诸如镧钨、钨或钽的耐熔金属构成。
例如，接地电极孔径组件306经由如图2所示的一个或多个接地组件固件318进一步操作性耦接至接地基板316。例如，一个或多个接地组件固件318由诸如镧钨、钨或钽的耐熔金属构成。在本示例中，接地基板316由石墨或碳化硅中的一种或多种构成。例如，接地基板316包括一个或多个第二接地紧固孔径320，并且一个或多个接地组件固件318中的每一个均包括第一接地固定构件322(例如螺丝)和第一接地偏压构件324(例如斜垫圈)。例如，一个或多个接地组件固件318配置成分别选择性接合接地基板316中的一个或多个第二接地紧固孔径320，从而选择性将接地电极孔径组件306紧固到接地基板。
根据本发明的一个示例性方面，第一接地偏压构件324配置成在接地基板316和相应的第一接地固定构件320与接地电极孔径组件306之间提供弹簧力。例如，由第一接地偏压构件324提供的弹簧力大体上确保充分的紧固，例如在接地组件固件318因高温而在长度上膨胀的情况下。
类似地，如图4B所示的一个或多个接地孔径固件312可以包括第二接地固定构件326(例如螺丝)和第二接地偏压构件328(例如斜垫圈)。例如，第二接地偏压构件328进一步配置成在第一接地构件308、第二接地构件310与第二接地固定构件326之间提供弹簧力，其中该弹簧力同样在因温度变化而发生热膨胀时大体上确保充分的紧固。相应的第一接地构件308可以进一步包括凹部330，由此一个或多个接地组件固件318例如嵌入相应的第一接地构件，以大体上减轻图1中的离子束112撞击在一个或多个接地孔径固件上。
根据本发明，第一接地构件308和第二接地构件310选择性彼此耦接，因此各自可以单独更换。例如，本发明设想图2中的第一接地构件308和第二接地构件310由石墨、碳化硅以及诸如镧钨、钨或钽的耐火材料中的一种或多种构成。如此，可以更换经常曝露于图1中的离子束112撞击的光学组件(诸如第二接地构件310)，而可以重复使用诸如第一接地构件308和基座306的其他组件，由此为早先已知的设备降低成本。例如，第二接地构件310可以由耐熔金属构成，而第一接地构件308可以由石墨或碳化硅构成，反之亦然。替选地，第一接地构件308和第二接地构件310可以由相同的材料(例如，石墨、碳化硅或耐火材料)构成。
因此，根据本发明，作为图1中的离子注入系统101的消耗性部件，光学面板205提供由多件(例如，第一抑制构件208、第二抑制构件210、第一接地构件308、第二接地构件310等)组成的电极孔径，从而可以实现降低成本。与常规光学器件相比，本发明有利地通过本发明的光学面板205提供更短的加工设置时间以及更少的原材料浪费，由此大幅降低成本。例如，常规电极光学器件由单件连续的耐熔金属(诸如钨)制成或者由石墨或碳化硅形成。这种常规电极会被视为“消耗性”部件，从而磨损时需更换整个电极。
根据本发明，光学面板205的各个部件可以便于更换或变更为其他类型的材料，诸如钨、钨镧合金、钨钇合金等耐熔金属。如此，应领会到，很容易以较长的时间间隔更换因曝露而磨损的光学面板205的组件(例如，曝露于离子束或其他介质的第二抑制构件或第二接地构件)，而无需更换其他部件(例如，第一抑制构件或第一接地构件)。有鉴于此，在这种更换过程中浪费的材料明显较少，因此可以有利地降低耐熔金属的成本。
另外，应领会到，可以设置附加抑制构件(未示出)和/或附加接地构件(未示出)，这类光学面板的附加构件可以承受最大限度地曝露于离子束。这类附加构件或“尖端”可以由耐熔金属构成，而电极的其余部分由石墨或耐熔金属构成。例如，采用类似于上述第一抑制构件和第二抑制构件以及接地构件的方式，尖端可以选择性耦接至相应的第二抑制构件或第二接地构件。如此，可以尽量减少消耗性耐熔金属的用量，因此能够额外节省消耗性材料并降低成本，同时仍达成耐熔金属相关的理想品质。
尽管本发明已就某一或某些实施方案予以表示及叙述，但应当指出，上述实施方案仅作本发明某些实施方案的实施示例，本发明的应用不受这些实施方案的局限。特别关于由上述组件(总成、装置、电路等)执行的各种功能，若非特别注明，否则用于描述这些组件的术语(包括提及“构件”)旨在对应于执行所述组件的特定功能(即功能上等同)的任意部件，即便其在结构上不等同于执行本文所述的本发明典型实施方案所公开的结构亦然。此外，虽然仅就多个实施方案中的一种方案公开本发明的特定特征，如若适于或利于任何指定或特定应用，则这一特征可结合其他实施方案的一个或多个其他特征。有鉴于此，本发明不限于上述实施方案，但旨在仅受所附权利要求书及其等同变化的限制。

Claims (16)

1.一种用于离子注入系统的光学组件，其中，所述光学组件包括：
单个基板；
一对孔径组件，每对孔径组件各自包括：
第一孔径构件，通过至少一个组件固件可操作地耦接至所述单个基板，其中，所述至少一个组件固件配置成选择性地将所述第一孔径构件紧固至所述单个基板；和
第二孔径构件，通过至少一个组件固件可操作地耦接至所述第一孔径构件，其中，所述至少一个组件固件配置成选择性地将所述第二孔径构件紧固至所述第一孔径构件；
其中，所述单个基板支撑所述一对孔径组件。
2.根据权利要求1所述的光学组件，其中，所述第一孔径构件、所述第二孔径构件和所述至少一个组件固件中的一个或多个包括耐熔金属、钨、钨镧合金、钨钇合金、石墨和碳化硅中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的光学组件，其中，所述至少一个组件固件由耐熔金属构成。
4.根据权利要求1所述的光学组件，其中，所述一对孔径组件限定引出电极组件。
5.根据权利要求1所述的光学组件，其中，所述一对孔径组件限定接地电极组件。
6.根据权利要求1所述的光学组件，其中，所述至少一个组件固件包括螺丝和斜垫圈。
7.根据权利要求1所述的光学组件，其中，所述第一孔径构件由石墨或碳化硅构成，并且所述第二孔径构件由耐熔金属、钨、钨镧合金和钨钇合金中的一种或多种构成。
8.根据权利要求1所述的光学组件，进一步包括选择性耦接至所述第二孔径构件的尖端。
9.一种离子注入系统，其包括：
离子源，其配置成形成离子束；以及
根据权利要求1所述的光学组件，其配置成曝露于所述离子束。
10.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述第一孔径构件、所述第二孔径构件和所述至少一个组件固件中的一个或多个包括耐熔金属、钨、钨镧合金、钨钇合金、石墨或碳化硅中的一种或多种。
11.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述至少一个组件固件由耐熔金属构成。
12.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述一对孔径组件限定引出电极组件。
13.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述一对孔径组件限定接地电极组件。
14.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述至少一个组件固件包括螺丝和斜垫圈。
15.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述第一孔径构件由石墨或碳化硅构成，并且所述第二孔径构件由耐熔金属、钨、钨镧合金和钨钇合金中的一种或多种构成。
16.根据权利要求9所述的离子注入系统，进一步包括选择性耦接至所述第二孔径构件的尖端，其中，所述尖端首先曝露于所述离子束。
CN201780004430.2A 2016-01-19 2017-01-19 多件式电极孔径 Active CN108369887B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662280525P 2016-01-19 2016-01-19
US62/280,525 2016-01-19
PCT/US2017/014098 WO2017127521A1 (en) 2016-01-19 2017-01-19 Multi-piece electrode aperture

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108369887A CN108369887A (zh) 2018-08-03
CN108369887B true CN108369887B (zh) 2021-08-31

Family

ID=58108723

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780004430.2A Active CN108369887B (zh) 2016-01-19 2017-01-19 多件式电极孔径

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9870893B2 (zh)
JP (1) JP6860576B2 (zh)
KR (1) KR20180102603A (zh)
CN (1) CN108369887B (zh)
TW (1) TWI739793B (zh)
WO (1) WO2017127521A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170330725A1 (en) * 2016-05-13 2017-11-16 Axcelis Technologies, Inc. Lanthanated tungsten ion source and beamline components
US10535499B2 (en) * 2017-11-03 2020-01-14 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Varied component density for thermal isolation

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5262652A (en) * 1991-05-14 1993-11-16 Applied Materials, Inc. Ion implantation apparatus having increased source lifetime
JPH06231723A (ja) * 1993-01-31 1994-08-19 Sony Corp イオン注入装置
US5420415A (en) * 1994-06-29 1995-05-30 Eaton Corporation Structure for alignment of an ion source aperture with a predetermined ion beam path
JP2003068244A (ja) * 2001-08-28 2003-03-07 Applied Materials Japan Inc イオン注入装置の引出電極系およびイオン注入装置
JP4502191B2 (ja) 2004-06-18 2010-07-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 イオンビーム引出電極およびイオン注入装置
KR100553716B1 (ko) * 2004-08-02 2006-02-24 삼성전자주식회사 이온 주입 설비의 이온 소스부
US20090101834A1 (en) * 2007-10-23 2009-04-23 Applied Materials, Inc. Ion beam extraction assembly in an ion implanter
US7915597B2 (en) * 2008-03-18 2011-03-29 Axcelis Technologies, Inc. Extraction electrode system for high current ion implanter
US8089052B2 (en) * 2008-04-24 2012-01-03 Axcelis Technologies, Inc. Ion source with adjustable aperture
US9006690B2 (en) * 2013-05-03 2015-04-14 Axcelis Technologies, Inc. Extraction electrode assembly voltage modulation in an ion implantation system
US9496117B2 (en) * 2014-01-20 2016-11-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Two-dimensional mass resolving slit mechanism for semiconductor processing systems

Also Published As

Publication number Publication date
CN108369887A (zh) 2018-08-03
WO2017127521A1 (en) 2017-07-27
US9870893B2 (en) 2018-01-16
JP6860576B2 (ja) 2021-04-14
KR20180102603A (ko) 2018-09-17
JP2019502239A (ja) 2019-01-24
TW201732863A (zh) 2017-09-16
TWI739793B (zh) 2021-09-21
US20170207057A1 (en) 2017-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6992311B1 (en) In-situ cleaning of beam defining apertures in an ion implanter
TWI500065B (zh) 用於降低離子植入系統中之微粒污染的方法和系統
US9793086B2 (en) SiC coating in an ion implanter
CN108369887B (zh) 多件式电极孔径
WO2017176675A1 (en) Improved ion source repeller shield
US9941087B2 (en) Ion source cathode shield
US8604449B2 (en) Glitch control during implantation
WO2017079588A1 (en) Ion source liner having a lip for ion implantion systems
US8242469B2 (en) Adjustable louvered plasma electron flood enclosure
US8461556B2 (en) Using beam blockers to perform a patterned implant of a workpiece
US20120056107A1 (en) Uniformity control using ion beam blockers
CN111819678A (zh) 改良工艺均匀性的衬底晕圈配置
US20100327191A1 (en) Ion Implanter, Internal Structure of Ion Implanter and Method of Forming A Coating Layer in the Ion Implanter
US10689752B2 (en) Film stabilization through novel materials modification of beamline components
US9611540B2 (en) Electrostatic chuck shielding mechanism
KR102645373B1 (ko) Aef 영역에서 즉석 빔라인 필름 안정화 또는 제거를 위한 시스템 및 방법
CN117337484A (zh) 用于改善工艺均匀度的衬底晕配置
JP2024517770A (ja) 複数のバイアス電極を有するイオン源
WO2023140953A1 (en) High incidence angle graphite for particle control with dedicated low sputter yield ion beam

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant