KR102645373B1 - Aef 영역에서 즉석 빔라인 필름 안정화 또는 제거를 위한 시스템 및 방법 - Google Patents
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Abstract
이온 주입 시스템은 이온 빔을 형성하도록 구성된 이온 공급원(ion source) 및, 각 에너지 필터(angular energy filter; AEF) 영역을 갖는 각 에너지 필터(AEF)를 갖는다. 가스 공급원은 상기 필름과 가스의 반응에 의해서 상기 AEF 상에 존재하는 필름을 부동화 및/또는 에칭시킨다. 상기 가스는 산화 가스 또는 불소-함유 가스일 수 있다. 상기 가스 공급원은 상기 빔의 형성과 동시에 상기 가스를 상기 AEF 영역에 선택적으로 공급할 수 있다. 상기 AEF는 상기 가스에 의해서 상기 필름의 부동화 및/또는 에칭을 조력하도록 가열한다. 상기 가열은 상기 이온 빔 및/또는 상기 AEF와 관련된 보조 가열기로부터 유래할 수 있다. 매니폴드 분배기(manifold distributor)가 상기 가스 공급원과 작동가능하게 결합되고 상기 가스를 하나 이상의 AEF 전극에 공급하도록 구성될 수 있다.
Description
관련 출원에 대한 언급
본원은, "AEF 영역에서 즉석 빔라인(BEAMLINE) 필름 안정화 또는 제거를 위한 시스템 및 방법"이란 명칭으로 2017.10.09.자로 출원된 미국 가출원 제62/569,846호의 이익을 주장하는 미국 정규출원이다.
본 발명은 일반적으로는 이온 주입 시스템, 보다 구체적으로는 이온 주입 시스템 중의 빔라인 구성요소에 형성된 필름을 안정화하기 위한 시스템 및 방법, 상기 이온 주입 시스템의 각 에너지 필터(angular energy filter; AEF)로부터 필름의 세정 및 제거를 위한 시스템, 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조에서, 이온 주입은 반도체에 불순물을 도핑하는데 사용된다. 이온 주입 시스템은 종종 n-형 또는 p-형 물질 도핑을 생성하거나, 또는 집적 회로의 제작도중 부동화 층(passivation layer)을 형성하기 위해서 이온 빔으로부터의 이온으로 워크피스(workpiece), 예를 들어 반도체 웨이퍼를 도핑하는데 활용된다. 상기 빔 처리는, 예비 결정된 에너지 수준으로, 및 제어된 농도로 웨이퍼에 특정 도판트 물질의 불순물을 선택적으로 주입하여 집적 회로의 제작도중 반도체 물질을 생성하는데 사용된다. 반도체 웨이퍼 도핑용으로 사용될 때, 이온 주입 시스템은 선택된 이온 종을 워크피스에 주사하여 원하는 외인성 물질(extrinsic material)을 생성한다. 안티몬, 비소, 또는 인과 같은 소스 물질로부터 발생된 주입 이온은 예를 들어 "n-형" 외인성 물질 웨이퍼를 생성하는 반면, "p-형" 외인성 물질 웨이퍼는 종종 붕소, 갈륨, 또는 인듐과 같은 소스 물질로 발생된 이온으로부터 생성된다.
전형적인 이온 주입기는 이온 공급원, 이온 추출 장치, 질량 분석 장치, 이온 운반 장치 및 웨이퍼 가공 장치를 포함한다. 상기 이온 공급원은 원하는 원자 또는 분자 도판트 종의 이온을 발생시킨다. 이들 이온은 추출 시스템, 전형적으로는 전극 세트에 의해서 상기 공급원로부터 추출되어, 상기 공급원으로부터 이온의 유동을 활성화시키고 지향시켜서 이온 빔을 형성한다. 원하는 이온은 질량 분석 장치에서 이온 빔, 전형적으로는 상기 추출된 이온 빔의 분산 또는 분리를 수행하는 자기 쌍극자(magnetic dipole)로부터 분리된다. 상기 빔 운반 장치, 전형적으로는 일련의 포커싱 장치를 함유하는 진공 시스템은 상기 이온 빔의 원하는 특성을 유지하면서 상기 이온 빔을 상기 웨이퍼 가공 장치로 운반한다. 최종적으로, 반도체 웨이퍼는 웨이퍼 핸들링 시스템을 통해서 웨이퍼 가공 장치의 안팎으로 운반하며, 이것은 웨이퍼를 상기 이온 빔 앞에서 처리되도록 위치시키고 처리된 웨이퍼를 상기 이온 주입기로부터 제거하기 위한 하나 이상의 로봇 팔을 포함할 수 있다.
본 개시는 일반적으로 관련된 구성요소에 형성된 필름을 부동화시키고/시키거나 세정하는 것을 포함하는 이온 주입을 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 개시는 다량의 반응 가스를 도입시키는 것으로부터 화학 반응을 통해서 이온 주입 시스템의 구성요소에 형성된 필름의 안정화 및/또는 제거, 및 이온 빔 또는 보조 가열원을 통한 구성요소의 가열을 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.
따라서, 하기에서는 본 개시의 일부 구현예의 기본적인 이해를 제공하기 위해서 본 발명의 단순화된 요약을 제공한다. 이러한 요약은 본 개시의 포괄적인 개요는 아니다. 본 개시의 핵심적이거나 또는 중요한 요소들을 식별하거나 본 발명의 범위를 설명하려고 의도된 것은 아니다. 그 목적은 후술하는 보다 상세한 설명에 대한 서두로서 단순화된 형태의 본 개시의 일부 개념을 제공하는 것이다.
한 예시적 양상에 따라, 이온 주입 시스템이 제공되며, 상기 이온 주입 시스템은 이온 빔을 형성하도록 구성된 이온 공급원을 포함한다. 한 구현예에 있어서, 하나 이상의 구성요소 예를 들어 각 에너지 필터(AEF)가 상기 이온 주입 시스템에 제공되며, 상기 AEF는 그와 관련된 AEF 영역을 갖는다. 가스 공급원(gas source)은, 예를 들어 상기 AEF 영역에 가스를 공급하도록 추가로 제공되고 구성되는 경우 상기 가스는 필름과 가스의 반응을 통해서 AEF 상에 있는 필름을 부동화시키고/시키거나 에칭시키도록 구성된다. 상기 가스 공급원은 예를 들어 상기 AEF 영역에 산화 가스 및 불소-함유 가스 각각을 선택적으로 공급하도록 구성된 산화 가스 공급원 및 불소-함유 가스 공급원 중의 하나 이상을 포함한다. 한 구현예에서, 상기 불소-함유 가스는 NF3 및 XeF2 중의 하나 이상을 포함하고 상기 산화 가스는 공기 및 물 중의 하나 이상을 포함한다.
가스 공급원은 예를 들어 이온 빔의 형성과 동시에 AEF를 AEF 영역에 선택적으로 공급하도록 구성되며, 상기 이온 빔과 관련된 열은 상기 AEF 상에 존재하는 필름의 부동화 및/또는 에칭을 조력하도록 상기 AEF를 가열하도록 구성된다. 또다른 구현예에서, 보조 가열기는 상기 AEF를 선택적으로 가열함으로써 상기 AEF 상에 존재하는 필름의 부동화 및/또는 에칭을 조력하도록 구성된다.
또다른 구현예에서, 매니폴드 분배기(manifold distributor)는 상기 AEF와 관련되며, 상기 AEF는 하나 이상의 AEF 전극을 포함한다. 상기 매니폴드 분배기는 예를 들어 상기 가스 공급원과 작동가능하게 결합되며 상기 하나 이상의 AEF 전극에 상기 가스를 공급하도록 구성된다. 상기 매니폴드 분배기는 예를 들어 그 안에 정의되는(defined) 복수의 홀을 포함하되, 상기 복수의 홀은 상기 가스를 상기 하나 이상의 AEF 전극으로 분산시키도록 구성된다.
또다른 구현예에 따르면, 이온 주입 시스템의 하나 이상의 구성요소 상의 막의 증착을 완화하기 위한 방법이 제공되며, 상기 방법은 가스를 상기 하나 이상의 구성요소 각각과 관련된 하나 이상의 영역에 공급하는 것으로 포함하고, 상기 가스는 상기 가스와 상기 필름의 반응을 통해서 상기 하나 이상의 구성요소 각각 상에 존재하는 상기 필름을 부동화시키고/시키거나 에칭시키도록 구성된다. 이온 빔과 관련된 열은 예를 들어 상기 하나 이상의 구성요소를 가열하여 상기 하나 이상의 구성요소 상에 존재하는 상기 필름의 부동화 및/또는 에칭을 조력하도록 구성된다.
상기 이온 주입 시스템은 추가로 배기됨으로써, 상기 이온 주입 시스템으로부터 상기 가스와 상기 필름의 반응의 하나 이상의 부산물을 제거할 수 있다. 한 구현예에서, 상기 가스는 즉석(in-situ) 공급될 수 있다.
상기 요약은 단순히 본 개시의 일부 구현예의 일부 특징의 개요를 제공하기 위해 의도된 것이며, 다른 구현예들은 추가의 및/또는 위에서 언급된 것과 상이한 특징부를 포함할 수 있다. 특히, 상기 요약은 본원의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다. 따라서, 전술한 그리고 관련된 목적을 달성하기 위해서, 본 개시는 후술하고 특히 첨부된 청구범위에 명시된 특징들을 포함한다. 하기 기술 및 첨부 도면은 본 개시의 특정 예시적인 구현예들을 상세히 설명한다. 그러나 이들 구현예들은 본 개시의 원리가 이용될 수 있는 다양한 방식 중 일부를 나타낸다. 본원의 다른 목적, 이점 및 신규한 특징들은 도면을 함께 고려할 때 본원의 상세한 설명으로부터 명백할 것이다.
도 1은 다양한 양상의 본 개시에 따른 예시적 진공 시스템의 블록도이다.
도 2는 또다른 양상의 본 개시에 따른 예시적 각 에너지 필터(AEF)의 블록도이다.
도 3은 또다른 양상의 본 개시에 따른 예시적 AEF의 투시도이다.
도 4는 또다른 양상의 본 개시에 따르는 예시적 AEF의 측면도이다.
도 5는 또다른 양상의 본 개시에 따르는 가스 매니폴드를 구비한 예시적 AEF의 투시도이다.
도 6은 이온 주입 시스템에서 필름을 안정화하고 세정하기 위한 예시적 방법을 도시한다.
도 2는 또다른 양상의 본 개시에 따른 예시적 각 에너지 필터(AEF)의 블록도이다.
도 3은 또다른 양상의 본 개시에 따른 예시적 AEF의 투시도이다.
도 4는 또다른 양상의 본 개시에 따르는 예시적 AEF의 측면도이다.
도 5는 또다른 양상의 본 개시에 따르는 가스 매니폴드를 구비한 예시적 AEF의 투시도이다.
도 6은 이온 주입 시스템에서 필름을 안정화하고 세정하기 위한 예시적 방법을 도시한다.
본 개시는 일반적으로 관련된 구성요소에 형성된 필름을 부동화시키고/시키거나 세정하는 것을 포함하는 이온 주입을 위한 장치, 시스템 및 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 개시는, 이온 주입 시스템의 하나 이상의 구성요소와 관련된 영역으로의 다량의 반응 가스의 도입 및, 예를 들어 이온 빔을 통한 상기 하나 이상의 구성요소의 동시 가열로부터 화학 반응을 통해서 상기 하나 이상의 구성요소에 형성된 필름의 안정화 및/또는 제거를 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다. 특히 상기 하나 이상의 구성요소는 상기 이온 주입 시스템의 빔라인의 각 에너지 필터(AEF)에 전극들 또는 다른 구성요소를 포함할 수 있다. 따라서 본 개시는 상기 이온 주입 시스템의 정상 작동(normal operations)의 일부로서 유리하게 통합될 수 있으며, 그에 의해서 상기 필름의 안정화 및/또는 제거가 즉석에서 또는 계획된 예방 유지 작업(scheduled preventive maintenance)동안 수행될 수 있다.
따라서, 본 발명은 도면을 참조로 하여 기술될 것이며, 유사 도면번호는 전체적으로 유사 구성요소를 지칭하는 것으로 사용될 수 있다. 이러한 양상들의 기술은 단순히 설명하는 것으로 이해되어야 하며 한정적 의미로 해석되어서는 안된다. 하기 기술에서는 설명할 목적으로 본 발명의 철저한 이해를 제공하기 위해서 다수의 특정 세부사항이 제시된다. 그러나, 본 발명은 상기 특정 세부사항 없이 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 추가로, 본 발명의 범주는 첨부 도면을 참조로 하여 후술하는 구현예 또는 실시예에 의해서 제한되는 것으로 의도되어서는 아니되고, 청구범위 및 그의 등가물에 의해서만 제한되는 것으로 의도되어야 한다.
또한 도면은 본 개시의 구현예들의 일부 양상의 설명을 제공하는 것임을 알아야 하고 따라서 상기 도면은 개략적 묘사인 것만으로 간주되어야 한다. 특히 도면에 도시된 구성요소는 반드시 서로 비례할 필요는 없으며, 도면에서 다양한 구성요소의 배치는 각 구현예의 명백한 이해를 제공하도록 선택되고 본 발명의 구현예에 따른 실시에서 다양한 구성요소의 실제 상대 위치를 나타내는 것으로 해석되어서는 안된다. 또한 본원에서 기술된 다양한 구현예 및 실시예의 특징부들은 특별히 다르게 언급되지 않는한 서로 조합될 수 있다.
또한 하기 기술에서 도면에 도시되었거나 또는 본원에서 기술된 기능성 블록, 장치, 구성요소, 회로 소자 또는 다른 물리적 또는 기능성 단위들 사이의 임의의 직접 접속 또는 결합은 간접 접속 또는 결합에 의해서 실행될 수도 있는 것으로 이해되어야 한다. 추가로, 도면에 도시된 기능성 블록 또는 단위는 한 구현예에서 별도의 특징부 또는 회로로서 실행될 수 있으며, 또한 혹은 대안으로 또다른 구현에에서 공통의 특징부 또는 회로에서 완전히 또는 부분적으로 실행될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 기능성 블록은 통상의 프로세서 예를 들어 신호 프로세서에서 수행하는 소프트웨어로서 실행될 수 있다. 추가로 하기 설명에서 무선 기반인 것으로 기술되는 임의의 접속은 반대의 업급이 없는한 무선 통신으로서 실행될 수도 있는 것으로 이해되어야 한다.
본 개시의 한 양상에 따르는 도면의 개시와 관련하여, 도 1은 예시적 이온 주입 시스템(100)을 도시한다. 이온 주입 시스템(100)은 예를 들어 터미널(102), 빔라인 어셈블리(104), 및 엔드 스테이션(106)을 포함한다. 일반적으로 말하면, 터미널(102)에서 이온 공급원(108)은 전력 공급원(110)과 결합하여 도판트 가스를 복수의 이온으로 이온화하고 이온 빔(112)을 형성한다. 본 발명의 실시예에서 이온 빔(112)은 질량 분석기(114)를 통해서 그리고 개구(116) 밖에서 엔드 스테이션(106) 쪽으로 지향된다. 엔드 스테이션(106)에서, 이온 빔(112)은 워크피스(118)(예를 들어 반도체 워크피스 예를 들어 실리콘 웨이퍼, 디스플레이 패널, 등)에 충격을 가하고, 이것은 척(120)(예를 들어 정전 척 또는 ESC)에 클램핑되거나 또는 설치된다. 일단 워크피스(118)의 격자에 내장되는 경우, 주입된 이온은 상기 워크피스의 물리적 및/또는 화학적 특성을 변화시킨다. 이러한 이유로, 이온 주입이 반도체 제작 및 금속 피니싱에서, 그리고 재료 과학 연구의 다양한 응용분야에서 사용된다.
본 개시의 이온 빔(112)은 임의의 형태, 예를 들어 연필 또는 스폿 빔(spot beam), 리본 빔, 주사된 빔, 또는 이온이 엔드 스테이션(106) 쪽으로 지향되는 임의의 다른 형태를 취할 수 있으며, 이러한 모든 형태들은 본 개시의 범주에 속하는 것으로 고려된다. 바람직한 구현예에서, 이온 빔(112)은 스폿 빔을 포함하되, 상기 스폿 빔은 개구(116)의 다운스트림에 위치된 빔 스캐너(122)을 통해서 주사된다. 빔(122)은 예를 들어 이온 빔(112)을, 복수의 빔렛(beamlet)(128)을 포함하는 주사된 이온 빔(126)을 전반적으로 한정하도록 제 1 축(124)을 따라(예를 들어 x축 방향으로) 정전기적으로 또는 자기적으로 주사한다. 이온 빔(112)(예를 들어 주사된 이온 빔(126))의 복수의 빔렛(128)은 평행화기(130)을 통해서 빔 스캐너(122)의 다운스트림에서 추가로 평행화될 수 있고, 그에 따라 주사된 그리고 평행화된 이온 빔(132)을 한정한다. 또한, 워크피스 스캐너(134)를 이용하여 이온 빔(112)을 통해서 워크피스(118)을 주사할 수 있다(예를 들어 워크피스는 y-방향에서 주사된 그리고 평행화된 이온 빔(132)를 통해서 기계적으로 주사된다).
본 개시는 추가로 이온 주입 시스템(100)에 제공되는 각 에너지 필터(AEF)를 실행한다. 예를 들어 AEF(136)은 퓨리온 이온 실행 시스템(Purion Ion Implantation System)(제조원: 매사츄세츠 비버리 소재의 Axcelis Technologies, Inc.)에 제공된 하나 이상의 특징부들을 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 AEF(136)은 예를 들어 주사된 그리고 팽행화된 이온 빔(132)을 수용하고 후속적으로 중성 입자들이 워크피스에 도달하는 것을 방지하기 위해서 제 2 축(140)을 따라(예를 들어 수직으로 또는 y-방향으로) 워크피스(118) 쪽으로 입사 빔라인 축(138)으로부터 상기 이온 빔을 편향시키도록 구성된다.
예를 들어, 본원에서 그 전체가 참조로 인용되는 벤베니스테(Benveniste) 등이 공동으로 소유한 미국특허 제6,881,966호는 혼성 편향 시스템을 형성하도록 정전 편향기와 함께 사용된 자기 편향기(magnetic deflector)를 개시한다. 상기 혼성 편향 시스템에서, 자기 편향기 모듈은 전반적으로 낮은 이온 빔 에너지로 편향시키기 위해서 사용되는데 반해, 정전 편향 모듈은 전반적으로 높은 빔 에너지로 사용된다. 가령 도 1 내지 5에 도시된 AEF와 같은 AEF(136)은 예를 들어 도 1의 AEF 영역(142)에 배치되고 제어되어 이온 빔(112)의 궤적을 그의 에너지 함수로서 변화시키고 원하는 이온이 상기 이온 빔의 이동 경로를 따라 이동하는 중성 이온으로부터 주입되도록 편향시킨다. AEF 시스템의 추가 개시는 예를 들어 래트멜(Rathmell) 등이 공동으로 소유한 미국특허 제6,777,696호 및 제7,022,984호, 및 그래프 등의 미국특허공보 제2010/0065761호에서 찾을 수 있으며, 또한 상기 특허문헌은 그 전체가 본원에서 참조로 인용된다.
본 개시는 하나 이상의 필름(144)이 특히 도 1에 개략적으로 도시한 AEF(136)과 관련된 AEF 영역(142)에서 그의 작동도중 이온 주입 시스템(100)의 다양한 구성요소(146)(예를 들어 전극, 개구, 또는 다른 빔 구성요소)에 형성될 수 있다. 본 개시는 유리하게 안정화하거나, 부동화시키거나, 또는 상기 하나 이상의 필름과의 하나 이상의 화학 반응을 유도시키는 것을 통해서 이온 주입 시스템(100)의 다양한 구성요소(146)에 형성된 하나 이상의 필름(144)의 제거를 조력한다. 따라서 본 개시는 정상 이온 주입기 작동과 관련된 하나 이상의 필름(144)에 의해서 유발된 다양한 유해 문제, 예를 들어 하나 이상의 필름(144)의 를 경감하기 위한 해적층(delamination) 또는 분해에 의해서 유발된 워크피스(118)의 오염을 경감하기 위한 통합 해법을 제공한다.
한 실시예에서, 가스 공급 시스템(148)이 제공되며, 이때 가스 공급 시스템은 AEF 영역(142)과 관련되고, 현상될 수 있는 하나 이상의 필름(144)를 부동화시키거나 또는 에칭시키기 위해서 하나 이상의 가스(150)(예를 들어 하나 이상의 산화 가스 및 반응성 가스)를 상기 AEF 영역과 관련된 AEF 환경(152)에 공급하도록 구성된다. 하나 이상의 가스(150)은 예를 들어 가스 공급원(154)에 의해서 이온 주입 시스템(100)으로 도입되는 다량의 반응 가스를 포함할 수 있다. 한 실시예에서, 이온 빔(112)은, 하나 이상의 필름(144)이 형성된 다양한 구성요소(146)에 열을 제공할 수 있으며, 상기 이온 빔으로부터의 열은 하나 이상의 가스(150)과의 반응과 함께 다양한 구성요소로부터 하나 이상의 필름(144)의 부동화 또는 제거를 조력한다.
한 실시예에 따르면, 가스 공급원(154)에 의해서 공급된 하나 이상의 가스(150)는 산화 가스, 예를 들어 공기 및/또는 물(예를 들어 수증기)를 포함하고, 그에 의해서 상기 산화 가스는 열(예를 들어 이온 빔(112))과 함께 도입되어 하나 이상의 필름(144)을 도입시킬 수 있으며, 그에 따라 상기 하나 이상의 필름을 전반적으로 안정화시키고 그와 관련된 오염을 추가로 경감시킬 수 있다. 예를 들어 AEF(136)(또는 그의 다양한 구성요소)은 이온 빔(112)으로부터의 충돌을 통해서 추가로 가열될 수 있으며, 그에 따라 하나 이상의 필름(144)을 부동화시킬 수 있다.
또다른 실시예에서, 가스 공급원(154)에 의해서 공급된 하나 이상의 가스(150)는 불소-함유 가스(예를 들어 NF3, XeF2 또는 불소를 함유하는 다른 가스)를 포함하고, 그에 의해서 상기 불소-함유 가스는 열로(예를 들어 이온 빔(112) 선택적으로 결합되어 하나 이상의 필름(144)을 에칭시키고, 그에 의해서 생성되는 반응된 가스는 도 1에 도시된 진공 공급원(156)을 통해서 이온 주입 시스템(100)으로부터 추가로 제거된다. 진공 공급원(156)(예를 들어 진공 펌프)이 예를 들어 이온 주입 시스템(100)을 추가로 전반적으로 배기시키기기 위해 제공될 수 있다.
또다른 실시예에서, 하나 이상의 가스(150)과 관련된 상기 부동화 또는 반응 공정을 증강시키고/시키거나 촉진시키기 위해서 보조 열 공급원(158)이 제공될 수 있으며, 그에 의해서 상기 열 공급원은 다양한 구성요소(146), 예를 들어 AEF(136)과 관련되거나, 거기로 도입된다. 따라서, 하나 이상의 필름(144)의 RKDURF은 예를 들어 하나 이상의 이온 빔(112) 및 보조 열 공급원(158)에 의해서 제공될 수 있다. 보조 열 공급원(158)은, 예를 들어 AEF(136)과 관련된 하나 이상의 가열기(160)(예를 들어 하나 이상의 저항형 가열기(resistive heater), 도전성 가열기, 유체-기반 가열기, 복사형 가열기)를 포함할 수 있다.
또한, 제어기(162)가 도 1에 도시되어 있으며, 상기 제어기는 이온 주입 시스템(100)의 일부 또는 전부, 예를 들어 하나 이상의 AEF(136), 빔 스캐너(122), 가스 공급원(154), 진공 공급원(156), 보조 열 공급원(158), 및/또는 상기 이온 주입 시스템의 다양한 다른 구성요소를 제어하도록 작동될 수 있다.
본 개시의 또다른 실시예에 따라, 도 1의 하나 이상의 가스(150)은 도 3에 도시된 매니폴드 분배기를 통해서 분배된다. 매니폴드 분배기(164)는 예를 들어 다양한 구성요소(146), 예를 들어 도 3의 AEF(136)과 관련된 하나 이상의 AEF 전극(165)을 가로질러서 하나 이상의 가스(150)의 전반적으로 균일한 유동을 제공하도록 구성된다. 도 4에 도시된 바와 같이, 예를 들어 하나 이상의 AEF 전극(165)은 하나 이상의 AEF 상부 플레이트(AEF top plate)(166), AEF 하부 플레이트(AEF bottom plate)(168), 터미널 억제 전극(170), AEF 억제 전극(172), 및 AEF 접지 개구(174)를 포함할 수 있다.
도 3의 매니폴드 분배기(164)는 예를 들어 그 안에 정의되는 복수의 홀(178)을 갖는 튜브(176)을 포함할 수 있으며, 여기서 상기 매니폴드 분배기는 도 1의 가스 공급원(154)에 작동하능하게 결합되어 AEF 환경(152)에서 다양한 AEF 전극(165)으로 하나 이상의 가스(150)의 분산을 제공한다. 복수의 홀(178)은 예를 들어 도 5에 보다 상세히 도시되어 있으며, 그에 의해서 상기 복수의 홀은 예비 결정된 각도(예를 들어 45°)로 오프셋되어 도 1의 하나 이상의 가스(150)(예를 들어 불소-함유 가스, 공기, 및/또는 수증기)의 분산을 제공할 수 있다.
또다른 실시예에서, 고출력 이온 빔(high-power ion beam)(180)(예를 들어 도 1의 이온 빔(112))은 도 4에 도시된 AEF 전극(165)을 가로질러서 스윕(sweep)될 수 있으며, 그에 의해서 상기 고출력 이온 빔과 관련된 열은 도 1의 하나 이상의 가스(150)을 하나 이상의 필름(144)와 반응시키는 것을 조력한다. 대안으로, 혹은 그에 더하여, 도 1 내지 4에 도시된 하나 이상의 가열기(예를 들어 하나 이상의 저항형 가열기, 도전성 가열기, 유체-기반 가열기, 복사형 가열기 등)는 상기 화학 반응 공정을 촉진하도록 구성될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 예를 들어 고출력 이온 빔(180)은 직교 방향, 예를 들어 수직 및 수평 방향으로 스윕될 수 있다(예를 들어 이온 빔은 수직으로 최대 너비까지 연장하면서 페이퍼로 및 페이퍼로부터 주사된다).
따라서 본 개시는 추가로 AEF(136) 및/또는, 이온 주입 시스템(100)의 다른 구성요소를 즉석 세정하여 그안에 형성된 하나 이상의 필름(144)의 부동화 및/또는 제거를 제공하는 기술을 제공한다. 본 개시는 추가로 소프트웨어로 통합될 수 있으며, 예를 들어 그에 의해서 상기 세정은 예방 유지 작업(preventive maintenance; PM), 시스템 포스트-벤트 컨디셔닝(system Post-Vent Conditioning; PVC), 또는 퍼지 세정 루틴(purge cleaning routine)의 일부로서 활성화될 수 있다.
또다른 예시적 양상에 따르면, 본 개시는 다양한 이온 주입 시스템, 예를 들어 도 1의 이온 주입 시스템(100)에서 저-에너지 입자 성능을 개선시킨다. 저 에너지로 이온 빔(112)을 런닝(running)하는 경우 예를 들어 이온 주입은 다양한 구성요소(146) 상의 하나 이상의 필름(144)을, 상기 다양한 구성요소가 주입되는 주입 종에 의해서 포화되는 지점까지 축적하는 경향을 가질 수 있다. 시간 경과에 따라, 하나 이상의 필름(144)은 해적층될 수 있거나 그렇지 않은 경우 응집된 입자와 관련된 워크피스(118) 상에 결함을 초래하고 포인트-결함(point defect)을 유도될 수 있다. 본 개시의 상기 시스템 및 장치는 예를 들어 상기 결함을 경감시키도록 다양한 구성요소(146)에 공기 또는 습윤 공기를 유리하게 제공할 수 있다. 예를 들어 일정한 시간 경과에 따라, 입자 오염이 발생할 때 공기 또는 습윤 공기는 가스 공급 시스템(148)을 통해서 도입될 수 있으며, 그에 의해서 하나 이상의 필름(144)은 산화 공정을 통해서 안정화될 수 있다. 대기로 배출(vent)하는 것은 예를 들어 입자 성능을 추가로 회복할 수 있다. 본 개시는 예를 들어 이온 빔(112)을 형성하는 동시에 예비 결정된 간격으로 공기를 시스템(100)으로 신중히(deliberately) 도입시킬 수 있으며, 그에 따라 하나 이상의 필름(144)을 산화시키고/시키거나 부동화시킬 수 있다.
대안으로, 상이한 화학물질, 예를 들어 불화된 가스는 상기 필름을 부동화시키는 대신에 하나 이상의 필름을 에칭시키도록 하나 이상의 필름(144)를 전환시킬 수 있다. AEF 영역(142)은 예를 들어 이온 빔(112)의 사이즈가 변하도록 노출시키고, 그에 의해서 세정 또는 안정화는 보다 큰 영향을 받을 수 잇다. 추가로, 위에서 논의된 바와 같이 주입도중 열을 도입함으로써 필름 제거 또는 세정/부동화 공정이 증진되거나 촉진될 수 있다. 퍼지 루틴은 예를 들어 하나 이상의 가스(150)을 도입하여 이온 주입 시스템(100)을 주기적으로 세정하도록 실행할 수 있다. 퍼지 루틴은 예를 들어 예방 유지 작업으로서 또는 주입물들(implants) 사이에 설치될 수 있으며, 그에 의해서 퍼지 루틴은 빔라인을 안정화시키도록 실행될 수 있으며, 그에 따라 이온 빔(112)이 통과하는 다양한 구성요소(146)의 표면을 안정화시킬 수 있다.
본 개시는 하나 이상의 필름(144)으로부터 입자들의 쉐딩(shedding)을 경감시키는 것이 바람직한 이온 주입 시스템(100)에서 임의의 표면에 대한 주입을 고려한다. 본 개시는 물 및/또는 공기로 하나 이상의 필름(144)을 부동화시키는 것을 고려하며, 대안으로 또는 추가로 상기 하나 이상의 필름을 불소-함유 가스로 에칭시켜서 상기 필름을 모두 제거하는 것을 포함한다. 위에서 논의한 부동화는 예를 들어 예비 결정된 횟수 수행한 다음, 1회 이상 에칭을 수행할 수 있다. 에를 들어 공기/물에 의한 부동화는 매 100시간마다 수행할 수 있는 반면, 불화된 가스를 이용한 에칭은 1000시간에 또는 예비 결정된 예방 유지 작업(PM)으로 및/또는 포스트-벤트 컨디셔닝(Post-Vent Conditioning; PVC)으로 수행할 수 있다.
하나 이상의 가스(150)는 예를 들어 터널 영역 또는, 빔라인 어셈블리(104)와 관련된 다른 업스트림 요소들, 예를 들어 커렉터 마그네트(corrector magnet) 또는 다른 요소들에서 도입될 수 있다. 하나 이상의 가스(150)는 추가로 또는 대안으로 다운스트림 요소 예를 들어 비인 터널레 도입될 수 있다. 예를 들어 본 개시는 이온 공급원(108)의 다운스트림으로 실행될 수 있으며 다양한 노즐, 튜빙, 또는 기타 가스 분배기를 이용하여 수행될 수 있다. 도 3의 매니폴드 분배기(164)는 하나 이상의 가스(150)을 원하는 영역을 통해 안내하거나 도 1의 이온 주입 시스템(100)의 어느 곳에서나 원하는 위치로 안내되는 임의의 도관 또는 매니폴드를 포함할 수 있다. 또다른 실시예에서, 이온 빔(112)(예를 들어 도 4의 고출력 이온 빔(180))은 열을 도입하고/하거나 하나 이상의 영역에 충격을 주도록 구성된 아르곤 이온 빔을 포함할 수 있다.
본 개시의 또다른 양상에서, 도 6은 이온 주입 시스템의 하나 이상의 구성요소 상에 필름의 증착을 경감하기 위한 방법(200)을 도시한다. 예시적 방법은 일련의 동작 또는 사건으로서 본원에서 예시되고 기술되지만, 일부 단계들이 상이한 순서로 및/또는 본 개시에 따라 본원에서 도시되고 기술된 것과는 다른 단계들과 병행하여 일어날 수 있으므로 본 개시가 상기 동작 또는 사건의 예시된 순서로 제한되지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 예시된 단계들 전부가 본 개시에 따른 방법론을 실행하는데 요구되는 것은 아니다. 더욱이, 상기 방법은 본원에서 예시되고 기술된 시스템 및 예시되지 않은 다른 시스템에 따라 실행될 수 있다는 것으로 이해될 것이다.
도 6에 도시된 방법(200)은 동작(202)에서 이온 주입 시스템 중의 하나 이상의 구성요소 상에 필름을 형성하는 것을 예시한다. 상기 필름은 예를 들어 워크피스 위에서 수행된 이온 주입의 부산물일 수 있으며, 그에 의해서 이온 빔의 다양한 종 또는 다른 구성요소가 상기 하나 이상의 구성요소 상에 증착되거나 또는 다르게 형성된다. 상기 하나 이상의 구성요소는 예를 들어 위에서 기술된 AEF의 다양한 전극 또는 구성요소를 포함할 수 있다.
동작(204)에서, 가스, 예를 들어 공기, 수증기, 또는 불소-함유 가스는 이온 주입 시스템의 하나 이상의 구성요소와 관련된 하나 이상의 영역에 도입된다. 동작(206)에서, 가스는 필름과 반응하여 상기 필름을 부동화 및/또는 에칭시킨다. 선택적으로, 동작(208)에서, 하나 이상의 구성요소를 이온 빔(예를 들어 빔 스트라이크)에 의해서 또는 관련된 가열기들에 의해서 가열하고, 그에 의해서 상기 이온 빔 또는 관련된 가열기로부터의 열은 동작(206)의 부동화 및/또는 에칭을 조력한다. 동작(210)에서, 동작(206)의 반응 및 동작(208)의 가열의 부산물은 이온 주입 시스템으로부터 펌핑됨으로써 상기 시스템으로부터 오염물을 제거한다.
본 발명이 특정 구현예(들)에 관하여 나타내고 기술되었지만, 상기 구현예들은 본 발명의 일부 구현예들의 실행을 위한 예로서만 기능하며, 본 발명의 적용은 상기 구현예로 제한되지는 않는 것으로 이해되어야 한다. 특히 상기 구성요소(어셈블리, 장치, 회로 등)에 의해서 수행된 다양한 역할과 관련하여, 상기 구성요소를 기술하는데 사용된 용어들("수단"에 대한 도면부호 포함)은, 본 발명의 본원에서 기술된 예시된 구현예에서의 역할을 수행하는 개시된 구조와 구조적으로 등가물은 아닐지라도, 별도로 지시되지 않는한 기술된 구성요소의 특정 기능(즉, 기능적으로 동등한) 수행하는 임의의 구성요소에 상응하는 것을 지칭한다. 또한, 본 발명의 특정 특징부는 몇몇 구현예들 중의 하나만에 대하여 기술되었지만, 그러한 특징부는 주어졌거나 또는 특정 적용에 바람직하고 유리할 수 있는 다른 구현예의 하나 이상의 다른 특징부와 결합될 수 있다. 따라서, 본 발명은 상기 구현예들로 제한되는 것은 아니며, 청구범위 및 그의 등가물에 의해서만 제한되는 것으로 의도된다.
Claims (20)
- 이온 주입 시스템에 있어서,
이온 빔(ion beam)을 형성하도록 구성된 이온 공급원(ion source);
각 에너지 필터(angular energy filter; AEF) 영역을 갖는 각 에너지 필터(AEF); 및
상기 AEF 영역에 가스를 공급하도록 구성된 가스 공급원(gas source);
을 포함하되,
상기 가스 공급원은 상기 AEF 상에 존재하는 필름을, 상기 필름과 상기 가스의 반응을 통해서, 부동화(passivate) 또는 에칭(etch)시키도록 구성되는 것이고,
상기 이온 주입 시스템은 매니폴드 분배기(manifold distributor)를 더 포함하며,
상기 AEF는,
하나 이상의 AEF 전극; 및
상기 AEF에 도입되는 보조 가열기를 포함하고,
상기 매니폴드 분배기는 상기 가스 공급원과 작동 가능하게 결합되고 상기 가스를 상기 하나 이상의 AEF 전극에 공급하도록 구성되고,
상기 매니폴드 분배기는 그 안에 정의되는(defined) 복수의 홀(hole)을 갖는 튜브(tube)를 포함하고, 상기 복수의 홀은 상기 가스를 상기 하나 이상의 AEF 전극에 분산시키도록 구성되는, 이온 주입 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 가스 공급원은 산화 가스 및 불소-함유 가스 각각을 상기 AEF 영역에 선택적으로 공급하도록 구성된 산화 가스 공급원 및 불소-함유 가스 공급원 중의 하나 이상을 포함하는 것인, 이온 주입 시스템. - 제 2 항에 있어서,
상기 불소-함유 가스 공급원은 NF3 및 XeF2 중의 하나 이상을 포함하는 것인, 이온 주입 시스템. - 제 2 항에 있어서,
상기 산화 가스는 공기 및 물 중의 하나 이상을 포함하는 것인, 이온 주입 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 가스 공급원은 상기 이온 빔의 형성과 동시에 상기 가스를 상기 AEF 영역에 선택적으로 공급하도록 구성되고, 상기 이온 빔으로부터의 열은 상기 AEF를 가열하여 상기 AEF 상에 존재하는 상기 필름의 부동화 또는 에칭을 조력하도록 구성되는 것인, 이온 주입 시스템. - 삭제
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015141834A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置及びイオン注入装置の制御方法 |
| US20160365225A1 (en) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | In-situ plasma cleaning of process chamber components |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2095494C (en) * | 1992-06-10 | 1998-08-11 | Ron C. Lee | Cooling method and apparatus |
| US5415340A (en) * | 1993-12-06 | 1995-05-16 | Westvaco Corporation | Heat sealed paperboard carton having a patterned solvent-based polymer coating on one side only |
| US5633506A (en) * | 1995-07-17 | 1997-05-27 | Eaton Corporation | Method and apparatus for in situ removal of contaminants from ion beam neutralization and implantation apparatuses |
| US5554854A (en) | 1995-07-17 | 1996-09-10 | Eaton Corporation | In situ removal of contaminants from the interior surfaces of an ion beam implanter |
| US5879574A (en) * | 1996-11-13 | 1999-03-09 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for detecting end of chamber clean in a thermal (non-plasma) process |
| US6263829B1 (en) * | 1999-01-22 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having improved gas distributor and method of manufacture |
| US6221169B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-04-24 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for cleaning contaminated surfaces in an ion implanter |
| JP2003257357A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Nissin Electric Co Ltd | 粒子注入装置 |
| US6777696B1 (en) | 2003-02-21 | 2004-08-17 | Axcelis Technologies, Inc. | Deflecting acceleration/deceleration gap |
| US6881966B2 (en) | 2003-05-15 | 2005-04-19 | Axcelis Technologies, Inc. | Hybrid magnetic/electrostatic deflector for ion implantation systems |
| KR101160642B1 (ko) * | 2003-12-12 | 2012-06-28 | 세미이큅, 인코포레이티드 | 고체로부터 승화된 증기의 유동제어 |
| US7791047B2 (en) * | 2003-12-12 | 2010-09-07 | Semequip, Inc. | Method and apparatus for extracting ions from an ion source for use in ion implantation |
| US7022984B1 (en) * | 2005-01-31 | 2006-04-04 | Axcelis Technologies, Inc. | Biased electrostatic deflector |
| US7511287B2 (en) * | 2005-09-21 | 2009-03-31 | Axcelis Technologies, Inc. | Systems and methods that mitigate contamination and modify surface characteristics during ion implantation processes through the introduction of gases |
| SG171606A1 (en) * | 2006-04-26 | 2011-06-29 | Advanced Tech Materials | Cleaning of semiconductor processing systems |
| KR20090029209A (ko) * | 2006-06-13 | 2009-03-20 | 세미이큅, 인코포레이티드 | 이온 주입을 위한 이온 빔 장치 및 방법 |
| US20100065761A1 (en) | 2008-09-17 | 2010-03-18 | Axcelis Technologies, Inc. | Adjustable deflection optics for ion implantation |
| JP6174348B2 (ja) | 2013-03-28 | 2017-08-02 | ダイハツ工業株式会社 | 車両用内燃機関 |
| JP6324231B2 (ja) * | 2014-06-23 | 2018-05-16 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置 |
| JP6480222B2 (ja) * | 2015-03-18 | 2019-03-06 | 株式会社アルバック | イオンビーム装置、イオン注入装置、イオンビーム放出方法 |
| CN106611690A (zh) * | 2015-10-22 | 2017-05-03 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 减少或防止在离子注入机的离子源内形成沉积物的方法 |
| JP6584927B2 (ja) * | 2015-11-13 | 2019-10-02 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置、およびイオン注入装置の制御方法 |
-
2018
- 2018-10-05 US US16/152,439 patent/US10580616B2/en active Active
- 2018-10-05 TW TW107135243A patent/TWI795448B/zh active
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015141834A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置及びイオン注入装置の制御方法 |
| US20160365225A1 (en) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | In-situ plasma cleaning of process chamber components |
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