JP5795053B2 - 微粒子低減のための真空内ビーム形成口の清浄化 - Google Patents
微粒子低減のための真空内ビーム形成口の清浄化 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5795053B2 JP5795053B2 JP2013503736A JP2013503736A JP5795053B2 JP 5795053 B2 JP5795053 B2 JP 5795053B2 JP 2013503736 A JP2013503736 A JP 2013503736A JP 2013503736 A JP2013503736 A JP 2013503736A JP 5795053 B2 JP5795053 B2 JP 5795053B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- workpiece
- deceleration
- deceleration suppression
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/047—Changing particle velocity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/047—Changing particle velocity
- H01J2237/0473—Changing particle velocity accelerating
- H01J2237/04735—Changing particle velocity accelerating with electrostatic means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/047—Changing particle velocity
- H01J2237/0475—Changing particle velocity decelerating
- H01J2237/04756—Changing particle velocity decelerating with electrostatic means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は主にイオン注入システムに関し、特に、イオン注入システムにおける微粒子混入を制御するためのシステムおよび方法に関する。
イオン注入システムは、半導体装置や他の製品の製造において、半導体ウェハ、表示パネルなどの被加工物に、ドーパント成分として知られる不純物を注入するために用いられている。従来のイオン注入システムまたはイオン注入装置は、n型またはp型のドーピング領域を生成するために、または、被加工物に保護層を形成するために、被加工物に対してイオンビームを用いた処理を行う。半導体をドーピングするためにイオン注入システムを用いる場合、イオン注入システムは選択された種類のイオンを注入することで、所望の外来的な材料を生成する。例えば、アンチモン、ヒ素、またはリンなどの原料物質から生成されたイオンを注入すると、n型の外来的な材料のウェハが完成する。あるいは、ホウ素、ガリウム、またはインジウムなどの材料から生成されたイオンを注入することで、半導体ウェハ中にp型の外来的な材料の部分が生成される。
本発明は、イオン注入システムにおける微粒子混入を低減するための方法およびシステムを提供する。本発明のいくつかの様態における基本的な理解を得るべく、以下に本発明の概要を示す。なお、この概要は本発明を広範囲に示すものではない。本発明の重要点や必須の要素を識別したり、本発明の範囲を詳細に記述したりする意図はない。この概要は、本発明の概念をいくつか簡潔な形で提示し、後述のより詳細な説明の前置きとすることを目的としている。
本発明は主に、1つ以上の被加工物に対するイオン注入に関連する、微粒子混入を低減するためのシステムおよび方法を提供する。具体的には、本方法は、イオン注入システムにおいて、イオンビームが質量分析器を通過した後に拡張および収縮させる方法であり、下流に設けられた1つ以上の部材の1つ以上の表面が、イオン注入システムのエンドステーションから被加工物が出し入れされる間に、拡張されたイオンビームに露光される方法を提供する。
Claims (19)
- イオン注入システムにおいて微粒子の混入を低減する方法であって、
イオン源と、質量分析器の流出口に近接して配置された分解口と、上記分解口の下流に配置された減速抑制板と、被加工物にイオンが注入される間、上記被加工物を支持するよう設計されたエンドステーションとを備えたイオン注入システムを用意する工程と、
上記イオン源を用いてイオンビームを形成する工程と、
上記イオンビームから電子を選択的に分離して上記イオンビームを集束させるために、上記減速抑制板に減速抑制電圧を印加する工程と、
上記エンドステーションと外部環境との間で上記被加工物を移動させる工程と、
上記イオンビームの高さ、および/または幅を拡張および収縮させて、上記分解口の1つ以上の表面に上記拡張および収縮させたイオンビームを照射し、上記1つ以上の表面に残留した、すでに堆積された材料が後に被加工物に混入することを緩和するために、上記被加工物の移動と同時に、上記減速抑制電圧を調整する工程とを含むことを特徴とする方法。 - 上記減速抑制電圧は、上記イオンビームからの電子の除去および上記イオンビームの集束の両方に影響を及ぼし、上記イオンビームに印加された上記減速抑制電圧を調整することにより、様々な減速抑制電圧において、上記イオンビームの正味の高さ、および/または幅の調整がなされることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記減速抑制電圧を0ボルトから動作抑制電圧までの間で変化させる工程を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記減速抑制電圧を1つ以上の周期にて、周期的に変化させる工程を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 上記分解口は、上流対向面、下流対向面、および側面を備えており、
上記分解口の上記1つ以上の表面は、上記上流対向面および上記側面を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 - 上記被加工物を上記エンドステーションと外部環境との間で移動させる工程が要する時間は、3秒未満であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 上記イオン注入システムは、さらにプラズマ電子フラッド容器を備えており、上記プラズマ電子フラッド容器の少なくとも1つ以上の表面に、上記拡張および収縮されたイオンビームを照射することで、該表面に残留した、すでに堆積された材料を除去することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 上記すでに堆積された材料は、上記プラズマ電子フラッド容器にある1つ以上の開口から落下することを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記1つ以上の表面から、上記すでに堆積された材料を除去することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記1つ以上の表面に対する、上記すでに堆積された材料の付着力を増加させることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- イオン注入システムにおいて微粒子の混入を低減する方法であって、
イオン源と、質量分析器と、上記質量分析器の流出口に近接して配置された分解口と、上記分解口の下流に配置された減速抑制板と、エンドステーションとを備えたイオン注入システムを用意する工程と、
上記イオン源を用いてイオンビームを形成する工程と、
外部環境から上記エンドステーションへ被加工物を移動させる工程と、
上記イオンビームが上記被加工物に照射される前に、上記イオンビームから電子を分離させるために、上記減速抑制板に減速抑制電圧を印加する工程と、
上記イオンビームから減速されたイオンを上記被加工物に注入する工程と、
上記被加工物を上記エンドステーションから上記外部環境へ移動させる工程と、
上記イオンビームを拡張および収縮させて、上記分解口の1つ以上の表面、および/または上記分解口の下流に位置する1つ以上の部材に、上記拡張および収縮させたイオンビームを照射し、上記1つ以上の表面に残留した、すでに堆積された材料が後に被加工物に混入することを緩和するために、上記被加工物の上記エンドステーション内外への移動と同時に、上記減速抑制電圧を調整する工程とを含むことを特徴とする方法。 - 上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記減速抑制電圧を0ボルトから動作抑制電圧までの間で変化させる工程を含むことを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記減速抑制電圧を1つ以上の周期にて、周期的に変化させる工程を含むことを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記1つ以上の表面から、上記すでに堆積された材料を除去することを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 上記減速抑制電圧を調整する工程は、上記1つ以上の表面に対する、上記すでに堆積された材料の付着力を増加させることを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 上記被加工物を上記エンドステーションと上記外部環境との間で移動させる工程が要する時間は、3秒未満であることを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 上記分解口の下流に位置する1つ以上の部材は、さらにプラズマ電子フラッド容器を備えており、上記プラズマ電子フラッド容器の少なくとも1つ以上の表面に、上記拡張および収縮されたイオンビームを照射することで、該表面に残留した、すでに堆積された材料を除去することを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 被加工物にイオンを注入する間における微粒子の混入を低減するシステムであって、
イオンビームを形成するよう設計されたイオン注入システムと、
減速抑制板に連結された操作可能な減速抑制電圧源と、
上記被加工物をエンドステーションと外部環境との間で移動させるよう設計された移動機構と、
制御部とを備えており、
上記イオン注入システムは、イオン源と、質量分析器の流出口に近接して配置された分解口と、上記分解口の下流に配置された減速抑制板と、減速抑制電圧源と、上記イオンビームによって上記被加工物にイオンが注入される間、被加工物を支持するよう設計されたエンドステーションとを有しており、
上記減速抑制板に印加された所定の減速抑制電圧は、上記減速抑制電圧に基づき上記イオンビームから電子を分離するために操作可能であり、
上記制御部は、上記被加工物の移動と同時に、上記減速抑制電圧を所定の低電圧から上記所定の減速抑制電圧までの間で調整するよう設計されており、これにより、上記イオンビームを拡張および収縮させ、少なくとも上記分解口の1つ以上の表面に、上記拡張および収縮させたイオンビームを照射し、上記1つ以上の表面に残留した、すでに堆積された材料が被加工物に混入することを緩和することを特徴とするシステム。 - 上記制御部は、上記エンドステーションと上記外部環境との間の上記被加工物の移動と同時に、上記減速抑制電圧を0ボルトから上記所定の減速抑制電圧までの間で選択的に調整することを特徴とする、請求項18に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/755,081 | 2010-04-06 | ||
US12/755,081 US8604418B2 (en) | 2010-04-06 | 2010-04-06 | In-vacuum beam defining aperture cleaning for particle reduction |
PCT/US2011/000484 WO2011126538A2 (en) | 2010-04-06 | 2011-03-16 | In-vacuum beam defining aperture cleaning for particle reduction |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013533573A JP2013533573A (ja) | 2013-08-22 |
JP5795053B2 true JP5795053B2 (ja) | 2015-10-14 |
Family
ID=44021841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013503736A Active JP5795053B2 (ja) | 2010-04-06 | 2011-03-16 | 微粒子低減のための真空内ビーム形成口の清浄化 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8604418B2 (ja) |
JP (1) | JP5795053B2 (ja) |
KR (1) | KR101786066B1 (ja) |
CN (1) | CN103201820B (ja) |
TW (1) | TWI500065B (ja) |
WO (1) | WO2011126538A2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8242469B2 (en) * | 2009-07-15 | 2012-08-14 | Axcelis Technologies, Inc. | Adjustable louvered plasma electron flood enclosure |
US20140106550A1 (en) * | 2012-10-11 | 2014-04-17 | International Business Machines Corporation | Ion implantation tuning to achieve simultaneous multiple implant energies |
KR20150130557A (ko) | 2013-03-15 | 2015-11-23 | 글렌 레인 패밀리 리미티드 리에빌러티 리미티드 파트너쉽 | 조정 가능한 질량 분해 애퍼쳐 |
US9006690B2 (en) * | 2013-05-03 | 2015-04-14 | Axcelis Technologies, Inc. | Extraction electrode assembly voltage modulation in an ion implantation system |
RU2585243C1 (ru) * | 2015-02-03 | 2016-05-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" | Устройство для очистки плазменного потока дуговых испарителей от микрокапельной фракции |
KR102642334B1 (ko) | 2015-11-05 | 2024-02-28 | 액셀리스 테크놀러지스, 인크. | 이온 주입 시스템용 립을 포함하는 이온 소스 라이너 |
US10074508B2 (en) | 2015-11-10 | 2018-09-11 | Axcelis Technologies, Inc. | Low conductance self-shielding insulator for ion implantation systems |
TWI719122B (zh) | 2016-01-19 | 2021-02-21 | 美商艾克塞利斯科技公司 | 改良式離子源陰極遮罩及包含改良式離子源陰極遮罩之電弧箱與離子源 |
US9685298B1 (en) * | 2016-02-01 | 2017-06-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for contamination control in ion beam apparatus |
US10361069B2 (en) | 2016-04-04 | 2019-07-23 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion source repeller shield comprising a labyrinth seal |
US10410844B2 (en) * | 2016-12-09 | 2019-09-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | RF clean system for electrostatic elements |
US10227693B1 (en) * | 2018-01-31 | 2019-03-12 | Axcelis Technologies, Inc. | Outgassing impact on process chamber reduction via chamber pump and purge |
US20210090845A1 (en) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic filter with shaped electrodes |
USD956005S1 (en) | 2019-09-19 | 2022-06-28 | Applied Materials, Inc. | Shaped electrode |
CN115584475A (zh) * | 2022-10-28 | 2023-01-10 | 富联科技(兰考)有限公司 | 镀膜设备的清洁方法与镀膜设备 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8024A (en) * | 1851-04-08 | Bbick-pbess | ||
US9026A (en) * | 1852-06-15 | Improvement in imitation stone | ||
US4804852A (en) * | 1987-01-29 | 1989-02-14 | Eaton Corporation | Treating work pieces with electro-magnetically scanned ion beams |
DE4200235C1 (ja) * | 1992-01-08 | 1993-05-06 | Hoffmeister, Helmut, Dr., 4400 Muenster, De | |
US5554854A (en) * | 1995-07-17 | 1996-09-10 | Eaton Corporation | In situ removal of contaminants from the interior surfaces of an ion beam implanter |
US5633506A (en) * | 1995-07-17 | 1997-05-27 | Eaton Corporation | Method and apparatus for in situ removal of contaminants from ion beam neutralization and implantation apparatuses |
GB2344214B (en) * | 1995-11-08 | 2000-08-09 | Applied Materials Inc | An ion implanter with improved beam definition |
GB2343546B (en) * | 1995-11-08 | 2000-06-21 | Applied Materials Inc | An ion implanter with deceleration lens assembly |
US5977552A (en) * | 1995-11-24 | 1999-11-02 | Applied Materials, Inc. | Boron ion sources for ion implantation apparatus |
JP3099819B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2000-10-16 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH11329336A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
US6515426B1 (en) * | 1998-12-15 | 2003-02-04 | Hitachi, Ltd. | Ion beam processing apparatus and method of operating ion source therefor |
US6710358B1 (en) * | 2000-02-25 | 2004-03-23 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus and method for reducing energy contamination of low energy ion beams |
JP4374487B2 (ja) * | 2003-06-06 | 2009-12-02 | 株式会社Sen | イオン源装置およびそのクリーニング最適化方法 |
US6992311B1 (en) * | 2005-01-18 | 2006-01-31 | Axcelis Technologies, Inc. | In-situ cleaning of beam defining apertures in an ion implanter |
KR101306541B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2013-09-17 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 빔 정지 및 빔 조정 방법 |
JP2007123056A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イオン注入装置とそのイオン注入制御方法 |
JP5085887B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2012-11-28 | 株式会社Sen | ビーム処理装置及びビーム処理方法 |
US7557363B2 (en) * | 2006-06-02 | 2009-07-07 | Axcelis Technologies, Inc. | Closed loop dose control for ion implantation |
US7994486B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-08-09 | Applied Materials, Inc. | Substrate scanner apparatus |
US20080245957A1 (en) * | 2007-04-03 | 2008-10-09 | Atul Gupta | Tuning an ion implanter for optimal performance |
US7800083B2 (en) * | 2007-11-06 | 2010-09-21 | Axcelis Technologies, Inc. | Plasma electron flood for ion beam implanter |
US7994488B2 (en) * | 2008-04-24 | 2011-08-09 | Axcelis Technologies, Inc. | Low contamination, low energy beamline architecture for high current ion implantation |
US8129695B2 (en) * | 2009-12-28 | 2012-03-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method for controlling deflection of a charged particle beam within a graded electrostatic lens |
-
2010
- 2010-04-06 US US12/755,081 patent/US8604418B2/en active Active
-
2011
- 2011-03-16 JP JP2013503736A patent/JP5795053B2/ja active Active
- 2011-03-16 CN CN201180016818.7A patent/CN103201820B/zh active Active
- 2011-03-16 WO PCT/US2011/000484 patent/WO2011126538A2/en active Application Filing
- 2011-03-16 KR KR1020127029019A patent/KR101786066B1/ko active IP Right Grant
- 2011-04-01 TW TW100111467A patent/TWI500065B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011126538A2 (en) | 2011-10-13 |
KR20130038257A (ko) | 2013-04-17 |
US20110240889A1 (en) | 2011-10-06 |
KR101786066B1 (ko) | 2017-10-16 |
CN103201820B (zh) | 2015-11-25 |
US8604418B2 (en) | 2013-12-10 |
WO2011126538A3 (en) | 2015-09-11 |
CN103201820A (zh) | 2013-07-10 |
TW201205636A (en) | 2012-02-01 |
JP2013533573A (ja) | 2013-08-22 |
TWI500065B (zh) | 2015-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5795053B2 (ja) | 微粒子低減のための真空内ビーム形成口の清浄化 | |
KR101236563B1 (ko) | 하전된 빔 덤프 및 입자 어트랙터 | |
JP5120598B2 (ja) | 偏向用の加速/減速ギャップ | |
JP6931686B2 (ja) | イオン注入システムにおける抽出電極アセンブリの電圧変調 | |
JP4117507B2 (ja) | イオン注入装置、その内側表面からの汚染物質の除去方法とそのための除去装置 | |
US6992311B1 (en) | In-situ cleaning of beam defining apertures in an ion implanter | |
JP5689415B2 (ja) | イオン注入システムにおけるディセル後の磁気エネルギーフィルター | |
US6534775B1 (en) | Electrostatic trap for particles entrained in an ion beam | |
JP2011523764A (ja) | 水素化ホウ素を半導体ウェハに注入する場合の該半導体ウェハにおける粒子の制御 | |
JP2016524277A5 (ja) | ||
KR100855134B1 (ko) | 이온 빔내로 끌려오는 입자들을 제거하기 위한 장치 및 방법 | |
JP5519789B2 (ja) | 調節可能であるルーバー加工されたプラズマエレクトロンフラッド筐体 | |
US9583308B1 (en) | Light bath for particle suppression | |
WO2009083733A1 (en) | Improvements relating to ion implanters | |
TWI479533B (zh) | 用以在離子植入系統中減少粒子污染的設備及用以在將離子植入一或更多工件內之過程中減少粒子污染的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140312 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150714 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150811 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5795053 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |