JP2007123056A - イオン注入装置とそのイオン注入制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】イオン注入装置において、装置パラメータをリアルタイムでモニタリングし、装置の各部をコントロールするシステム12を設け、このシステム12に、イオン注入処理中の累積ドーズ量分布を計算し、累積ドーズ量が均一になるようにウェーハ保持部14のY方向メカニカルスキャンの速度を補正する機能と、質量分析部4の磁場を変化させることによりイオンビーム中心位置を制御する機能と、アパーチャー5のサプレッション電圧やビーム電流を変化させることによりイオンビーム径を制御する機能を持たせ、ウェーハ8の注入面内均一性の向上とパーティクルの低減を図る。
【選択図】図1
Description
まず、前者の注入均一性の向上技術について述べる。
前記イオン源や引出電極、イオン注入部のウェーハ保持部等の材質を工夫してパーティクルの発生を抑えると同時に、そのパーティクル発生源を特定してメンテナンスを実施することによりウェーハ上のパーティクル数が増えないように維持管理されている。例えば、特許文献2に記載されている方法では、イオン注入装置のイオン注入部だけでなく、イオン源部、質量分析部、加減速部等のビームライン全体に数箇所パーティクルモニターを設置し、発生箇所を迅速に特定する手段を用いている。さらに、発生箇所が前記ビームライン部にある場合イオンビーム径を引出加速電圧の上昇等により、所定のビーム径に絞り、パーティクルの発生を低減することを提案している。
[実施の形態1]
図1は本発明の実施の形態1におけるイオン注入装置の概略構成図である。
速度を調節するメカニカルスキャン機構部11がウェーハ保持部14を往復駆動する方向をY方向(図1では上下方向)とする。X方向はバッチ式装置であればウェーハ保持部14(ディスク)の回転方向(一定速度を保つ)(図1では紙面に垂直な方向)になり、ハイブリッドスキャン方式の枚葉式装置であればイオンビームをスキャンさせる方向となる。枚葉式の場合は、イオンビームの変動に応じてY方向のメカニカルスキャン速度を変化させているが、バッチ式の場合はそれに加え、ウェーハ保持部14(ディスク)の回転速度が一定速度に保持されることにより、周速度がディスクの回転中心付近で遅く、円周付近で速くなることから、それに応じてY方向のメカニカルスキャン速度を変化させて注入量が均一になるように制御する。以下、バッチ式の場合を事例に説明する。
ここで、Aは定数で、A=1/(2πnq)、nはイオンの価数、qは電荷素量(1.602×10-19C)である。
Y方向メカニカルスキャン毎に、測定されているビーム電流、メカニカルスキャン速度、およびメカニカルスキャン位置により、Y方向メカニカルスキャンの回数を求め、さらにメカニカルスキャン方向(Y方向)のドーズ量分布を演算し、このドーズ量分布を累積しメカニカルスキャン方向(Y方向)の累積ドーズ量分布を演算する累積ドーズ量分布演算部21と、
Y方向メカニカルスキャン毎に、累積ドーズ量分布演算部21において演算された累積ドーズ量分布より、累積ドーズ量分布の均一性を演算する累積ドーズ量分布均一性演算部22と、
Y方向メカニカルスキャン毎に、累積ドーズ量分布均一性演算部22において演算された累積ドーズ量分布の均一性が、予め設定した設定値(装置インターロックの値)を超えたかどうかを判断し、超えた場合に、ドーズ量コントローラ9とメカニカルスキャン機構コントローラ10と装置コントローラ13へウェーハ処理停止指令を出力して、ウェーハ処理を停止する装置インターロック判断部23
が備えられている。
[実施の形態2]
図1〜図4、図6〜図8を参照しながら、本発明の実施の形態2について説明する。なお、全体の装置構成は、実施の形態1と同様であり、同一の符号を付して説明を省略する。
メカニカルスキャン速度演算補正部24は、この累積ドーズ量の分布補正量ΔD1(Y)を上記補正量としてメカニカルスキャン機構コントローラ10へ出力する。メカニカルスキャン機構コントローラ10は、2回目のスキャンを行う場合にはこの累積ドーズ量の分布補正量ΔD1(Y)を加味した累積ドーズ量が一定になるようにメカニカルスキャン速度VYを制御する。すなわち、(3)式によりメカニカルスキャン速度VYを制御する。
・・・(3)
同様に、Y方向メカニカルスキャン毎に、メカニカルスキャン速度演算補正部24は、累積ドーズ量分布演算部21により求められたY方向の累積ドーズ量の分布DN(Y)により、DN(Y)の平均値DNmを算出し、累積ドーズ量の分布DN(Y)から補正量ΔDN(Y)を求め、メカニカルスキャン機構コントローラ10へ出力する。メカニカルスキャン機構コントローラ10は、(N+1)回目のスキャン時には累積ドーズ量分布DN(Y)から得られる補正量ΔDN(Y)を加味した累積ドーズ量が一定になるようにメカニカルスキャン速度VYを制御する。すなわち、(4)式によりメカニカルスキャン速度VYを制御する。
・・・(4)
これらの式を用いて、実際にビーム電流が変動した場合の注入均一性の改善効果をシミュレーションした結果について以下に示す。1回目のY方向のドーズ量分布から、補正量を前記(2)式について求めると、図4の(b)の曲線のようになる。この図4の(b)の1回目のスキャン時のドーズ補正量を元に、式(4)に基づいて求められた2回目スキャン時のY方向メカニカルスキャン速度の分布は図6の(b)のようになる。参考に補正無しの場合も同図6の(a)に示す。また補正が有る場合と補正が無い場合のY方向メカニカルスキャン速度の差を図6の(c)に示す。このY方向メカニカルスキャン速度の補正を2回目のスキャン時に加味して注入を行うと、2回目終了時の累積ドーズ量の分布は図7の(b)のようになる{補正無しの場合は同図7の(a)}。このような補正を繰り返し、最終的にイオン注入終了後の累積ドーズ量の分布は図8の(b)のようになる{補正無しの場合は同図8の(a)}。
・・・(5)
メカニカルスキャン速度演算補正部24は、ΔDN(Y)/NRを演算してメカニカルスキャン機構コントローラ10へ出力する。
DR+ΔDN(Y)=IB/(nqWVY)+ΔDN(Y)=一定[ions/cm2]・・・(6)
あるいは、
DR+ΔDN(Y)/NR=IB/(nqWVY)+ΔDN(Y)/NR=一定
[ions/cm2]・・・(7)
ここでWはX方向のスキャン幅である。このスキャン幅は、メカニカルスキャン幅あるいはビームスキャン幅の場合があり、リボンビーム等のようにイオンビームをX方向に広げたビームを発生させる装置に対してはビームの幅となる。
[実施の形態3]
図1、図2、図9〜図10を参照しながら、本発明の実施の形態3について説明する。なお、全体の装置構成は、実施の形態1と同様であり、同一の符号を付して説明を省略する。
入力されている質量分析部4の磁場とY方向のビーム中心位置により、ビームの軌道を補正する、質量分析部4において印加する磁場の補正値を求めるビーム軌道補正部25と、
装置のスタンバイ中(ウェーハ処理を実施していない期間)あるいは装置メンテナンス後の立ち上げ中に、測定される質量分析部4の磁場とY方向のビーム中心位置により、ビームの軌道の異常判定をするビーム軌道異常判定部26
が設けられている。
[実施の形態4]
図1、図2、図11〜図14を参照しながら、本発明の実施の形態4について説明する。なお、全体の装置構成は、実施の形態1と同様であり、同一の符号を付して説明を省略する。
パーティクルモニター6a,6bにより測定されたパーティクル数により、アパーチャー5におけるサプレッション電圧を設定して装置コントローラ13へ出力し、イオンビーム径を調整するための第1イオンビーム径調整部27と、
予め、イオン種、加速エネルギーの異なる各条件で取得されたビーム電流量とビーム幅の関係を取得して記憶されており、パーティクルモニター6a,6bにより測定されたパーティクル数により、ビーム電流量とビーム幅の関係に基づいてビーム電流量を設定してドーズ量コントローラ9へ出力し、イオンビームの径を調整する第2イオンビーム径調整部28と
が設けられている。
図11〜図12より、サプレッション電圧を増加させるとイオンビームの幅が大きくなることが分かる。サプレッション電圧を負荷する目的の一つは、アパーチャー5の上流にあるパーティクルをアパーチャー5の下流へ運ばないようにさせることにある。したがって、サプレッション電圧を増加させると、アパーチャー5の上流からのパーティクルを低減できる。しかし、ビーム幅が大きくなるため、アパーチャー5の下流にある例えば、プラズマシャワーチューブ等にビームが照射しやすくなり、パーティクルが発生しやすくなる。反対にサプレッション電圧を減少させると、アパーチャー5の下流でのパーティクル発生しにくくなる代わりに、アパーチャー5の上流からのパーティクルをウェーハ8へ到達させやすくなる。
2 引出電極
3 イオンビーム
4 質量分析部
5 アパーチャー
6a,6b パーティクルモニター
7 ドーズファラデー
8 ウェーハ
9 ドーズ量コントローラ
10 メカニカルスキャン機構コントローラ
11 スキャン機構
12 リアルタイムモニタリング及びコントロールシステム
13 装置コントローラ
14 ウェーハ保持部
15 エンドステーション
21 累積ドーズ量分布演算部
22 累積ドーズ量分布均一性演算部
23 装置インターロック判断部
24 メカニカルスキャン速度演算補正部
25 ビーム軌道補正部
26 ビーム軌道異常判定部
27 第1イオンビーム径調整部
28 第2イオンビーム径調整部
Claims (12)
- イオンソースと、
前記イオンソースよりイオンビームを引き出す引出加速部と、
前記引出加速部より引き出されたイオンビームより所望のイオンを取得する質量分析部と、
イオン注入対象のウェーハを保持するウェーハ保持部と、
前記質量分析部から出力されたイオンビームより余分なイオンやパーティクルを除去し、前記ウェーハ保持部に保持されたウェーハへ到達させない機能を有するアパーチャーと、
前記ウェーハに注入中にイオンビーム電流を測定し、前記ウェーハへのイオン注入量を制御するドーズ量コントローラと、
前記ウェーハ保持部を往復駆動させるメカニカルスキャン機構部と、
前記メカニカルスキャン機構部により往復駆動されているウェーハ保持部のメカニカルスキャン位置とそのメカニカルスキャン速度を測定し、前記メカニカルスキャン機構部を制御するメカニカルスキャン機構コントローラ
を設けたイオン注入装置であって、
前記メカニカルスキャン機構部による前記ウェーハ保持部のメカニカルスキャン毎に、前記ドーズ量コントローラにより測定されているイオンビーム電流と、前記メカニカルスキャン機構コントローラにより測定されているメカニカルスキャン速度およびメカニカルスキャン位置とにより、前記ウェーハ保持部に保持されたウェーハのメカニカルスキャン方向のドーズ量分布を演算し、この演算したドーズ量分布を累積して前記ウェーハのメカニカルスキャン方向の累積ドーズ量分布を求める累積ドーズ量分布演算部と、
前記メカニカルスキャン毎に、前記累積ドーズ量分布演算部により求めた累積ドーズ量分布より累積ドーズ量分布の均一性を演算する累積ドーズ量分布均一性演算部と、
前記メカニカルスキャン毎に、前記累積ドーズ量分布均一性演算部により求めた累積ドーズ量分布の均一性が、予め設定した設定値を超えたかどうかを判断し、超えた場合にウェーハ処理停止指令を出力する装置インターロック判断部と
を備えることを特徴とするイオン注入装置。 - 前記メカニカルスキャン毎に、前記累積ドーズ量分布演算部により求めた累積ドーズ量分布より、次以降の前記メカニカルスキャンにおいて、前記ウェーハの累積ドーズ量を均一とするドーズ量を求め、このドーズ量を前記メカニカルスキャン速度補正値として前記メカニカルスキャン機構コントローラへ出力するメカニカルスキャン速度演算補正部を備え、
前記メカニカルスキャン機構コントローラは、この前記メカニカルスキャン速度補正値に応じて、前記メカニカルスキャン速度を補正すること
を特徴とする請求項1に記載のイオン注入装置。 - 前記ドーズ量コントローラは、前記ウェーハに注入中に前記イオンビーム中心の位置を測定し、
前記質量分析部は、質量分析部の磁場を測定し、
前記ドーズ量コントローラにより測定された前記イオンビーム中心の位置と前記質量分析部により測定された質量分析部の磁場とにより、前記質量分析部の磁場を制御する指令値または補正値を求め、この指令値または補正値により前記質量分析部の磁場を変化させることにより前記イオンビームの中心位置を制御させ、イオンビームの軌道を補正するビーム軌道補正部
を備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のイオン注入装置。 - 装置がウェーハ処理を実施していない期間あるいはメンテナンス後に、前記ドーズ量コントローラにより測定された前記イオンビーム中心の位置と前記質量分析部により測定された質量分析部の磁場とにより、前記イオンビームの軌道の異常を判定するビーム軌道異常判定部
を備えることを特徴とする請求項3に記載のイオン注入装置。 - 装置内のパーティクル数を測定するパーティクル数測定部を設け、
前記パーティクル数測定部により測定されたパーティクル数により、前記アパーチャーにおけるサプレッション電圧を制御し、このサプレッション電圧を変化させてイオンビーム径を調整する第1イオンビーム径調整部、あるいは前記パーティクル数測定部により測定されたパーティクル数により、前記ドーズ量コントローラによりビーム電流量を変化させてイオンビームの径を調整する第2イオンビーム径調整部の少なくとも一方を備えること
を特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載のイオン注入装置。 - 前記第2イオンビーム径調整部は、イオン種、加速エネルギーの異なる各条件で予め取得されたビーム電流量とビーム幅との関係に基づいて、イオンビーム電流を変化させてイオンビーム幅を制御すること
を特徴とする請求項5に記載のイオン注入装置。 - イオンソースと、
前記イオンソースよりイオンビームを引き出す引出加速部と、
前記引出加速部より引き出されたイオンビームより所望のイオンを取得する質量分析部と、
イオン注入対象のウェーハを保持するウェーハ保持部と、
前記質量分析部から出力されたイオンビームより余分なイオンやパーティクルを除去し、前記ウェーハ保持部に保持されたウェーハへ到達させない機能を有するアパーチャーと、
前記ウェーハに注入中にイオンビーム電流を測定し、前記ウェーハへのイオン注入量を制御するドーズ量コントローラと、
前記ウェーハ保持部を往復駆動させるメカニカルスキャン機構部と、
前記メカニカルスキャン機構部により往復駆動されているウェーハ保持部のメカニカルスキャン位置とそのメカニカルスキャン速度を測定し、前記メカニカルスキャン機構部を制御するメカニカルスキャン機構コントローラ
を設けたイオン注入装置におけるイオン注入制御方法であって、
前記メカニカルスキャン機構部による前記ウェーハ保持部のメカニカルスキャン毎に、、
前記ドーズ量コントローラにより測定されているイオンビーム電流と、前記メカニカルスキャン機構コントローラにより測定されているメカニカルスキャン速度およびメカニカルスキャン位置とにより、前記ウェーハ保持部に保持されたウェーハのメカニカルスキャン方向のドーズ量分布を演算し、この演算したドーズ量分布を累積して前記ウェーハのメカニカルスキャン方向の累積ドーズ量分布を求め、この求めた累積ドーズ量分布より累積ドーズ量分布の均一性を演算し、この求めた累積ドーズ量分布の均一性が、予め設定した設定値を超えたかどうかを判断し、超えた場合にウェーハ処理を停止すること
を特徴とするイオン注入制御方法。 - 前記メカニカルスキャン毎に、ある時点の累積ドーズ量分布より、次以降の前記メカニカルスキャンにおいて、前記ウェーハの累積ドーズ量を均一とするドーズ量を求め、このドーズ量を前記メカニカルスキャン速度補正値として、前記メカニカルスキャン速度を補正すること
を特徴とする請求項7に記載のイオン注入制御方法。 - 前記ウェーハに注入中に前記イオンビーム中心の位置を測定し、前記質量分析部の磁場を測定し、
測定された前記イオンビーム中心の位置と前記質量分析部の磁場とにより、前記質量分析部の磁場を制御し、前記質量分析部の磁場を変化させることにより前記イオンビームの中心位置を制御してイオンビームの軌道を補正すること
を特徴とする請求項7または請求項8に記載のイオン注入制御方法。 - 装置がウェーハ処理を実施していない期間あるいはメンテナンス後に、前記イオンビーム中心の位置と質量分析部の磁場とを取得することにより、前記イオンビームの軌道の異常を判定すること
を特徴とする請求項9に記載のイオン注入制御方法。 - 装置内のパーティクル数を測定し、
測定されたパーティクル数により、前記アパーチャーにおけるサプレッション電圧を変化させてイオンビーム径を調整し、あるいは測定されたパーティクル数により、前記イオンビーム電流量を変化させてイオンビームの径を調整することの少なくとも一方を実行すること
を特徴とする請求項7〜請求項10のいずれか1項に記載のイオン注入制御方法。 - 前記イオンビーム電流量を変化させてイオンビームの径を調整するとき、イオン種、加速エネルギーの異なる各条件で予め取得されたビーム電流量とビーム幅との関係に基づいて、イオンビーム電流を変化させてイオンビーム幅を制御すること
を特徴とする請求項11に記載のイオン注入制御方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010206195A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | イオン注入プロセスの制御方法及びそのシステム |
JP2011222386A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
JP2017510024A (ja) * | 2014-01-31 | 2017-04-06 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 画定アパーチャの浸食検出方法及び装置 |
CN109417039A (zh) * | 2016-06-20 | 2019-03-01 | 应用材料公司 | 具有电容式微传感器的晶片处理设备 |
CN111128699A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-05-08 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种复合单晶压电衬底薄膜及其制备方法 |
CN117116813A (zh) * | 2023-10-19 | 2023-11-24 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 离子注入机台的温控能力检测方法及装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7385208B2 (en) * | 2005-07-07 | 2008-06-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for implant dosage control |
US20090206275A1 (en) * | 2007-10-03 | 2009-08-20 | Silcon Genesis Corporation | Accelerator particle beam apparatus and method for low contaminate processing |
US8604418B2 (en) * | 2010-04-06 | 2013-12-10 | Axcelis Technologies, Inc. | In-vacuum beam defining aperture cleaning for particle reduction |
US8598547B2 (en) * | 2010-06-29 | 2013-12-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Handling beam glitches during ion implantation of workpieces |
JP5701201B2 (ja) * | 2011-12-19 | 2015-04-15 | 株式会社Sen | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
JP2015173052A (ja) | 2014-03-12 | 2015-10-01 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
TWI557778B (zh) * | 2015-05-29 | 2016-11-11 | 漢辰科技股份有限公司 | 離子佈植機 |
CN112379401B (zh) * | 2020-11-16 | 2022-09-16 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种用于重离子治疗装置的实时剂量评估系统及方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6271154A (ja) | 1985-09-25 | 1987-04-01 | Ulvac Corp | 空間電荷中和用電子抑制装置 |
DE3752358T2 (de) | 1986-04-09 | 2003-03-27 | Varian Semiconductor Equipment | Ionenstrahlabtastverfahren und vorrichtung |
JPH0567449A (ja) | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JPH06275219A (ja) | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Fujitsu Ltd | 高エネルギー粒子線発生装置 |
US5811823A (en) * | 1996-02-16 | 1998-09-22 | Eaton Corporation | Control mechanisms for dosimetry control in ion implantation systems |
EP0795888B1 (en) | 1996-03-15 | 2003-08-27 | Applied Materials, Inc. | Scanning method for an ion implanter and apparatus therefor |
JP2001167727A (ja) | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Nec Corp | イオン注入システム |
JP2002042716A (ja) | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2004356297A (ja) | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Hitachi High-Technologies Corp | イオン注入装置、イオン注入装置におけるパーティクルの増加原因発生箇所を特定する方法 |
-
2005
- 2005-10-28 JP JP2005313601A patent/JP2007123056A/ja active Pending
-
2006
- 2006-08-11 US US11/502,494 patent/US7462847B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010206195A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | イオン注入プロセスの制御方法及びそのシステム |
JP2011222386A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
JP2017510024A (ja) * | 2014-01-31 | 2017-04-06 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 画定アパーチャの浸食検出方法及び装置 |
CN109417039A (zh) * | 2016-06-20 | 2019-03-01 | 应用材料公司 | 具有电容式微传感器的晶片处理设备 |
CN109417039B (zh) * | 2016-06-20 | 2024-02-23 | 应用材料公司 | 具有电容式微传感器的晶片处理设备 |
CN111128699A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-05-08 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种复合单晶压电衬底薄膜及其制备方法 |
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